JP5217291B2 - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材、および積層型樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材、および積層型樹脂封止型半導体装置 Download PDFInfo
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Description
本発明は、端子部材を用いた小型、薄型で、且つ、対向する２辺側にパッドを配列した、または１列にパッドを配列した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置と、そのような半導体装置を積層した構造の積層型樹脂封止型半導体装置に関する。
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
一方、システムＬＳＩのワンチップ化の開発が盛んであるが、２次元方向への配線展開となるため、配線の短縮による高速化には限界があり、また、その開発費、開発期間の増加を招いているのが実状で、最近では、これに代わり、半導体素子を３次元方向に積層したパッケージでシステムＬＳＩを実現しようとする試みがなされている。
このようなパッケージをシステムパッケージとも言う。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
一方、システムＬＳＩのワンチップ化の開発が盛んであるが、２次元方向への配線展開となるため、配線の短縮による高速化には限界があり、また、その開発費、開発期間の増加を招いているのが実状で、最近では、これに代わり、半導体素子を３次元方向に積層したパッケージでシステムＬＳＩを実現しようとする試みがなされている。
このようなパッケージをシステムパッケージとも言う。
特開平１１−３０７６７５号公報には、これに記載の樹脂封止型半導体装置を積層し、その上面及び下面を露出させた接続用リードで電気的接続をとった、いわゆるスタック構造の積層型樹脂封止型半導体装置も記載されている。しかしながらこの公報に記載の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドを備えたもので、薄型化は十分でない。
また、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の樹脂封止型半導体装置はスタック構造をとれるものではない。
さらに、特開平２００２−３３４３４号公報には、パッケージ内に半導体素子（チップ）を積層したパッケージが記載されているが、この構造では、自由度が少なく、汎用化しずらい。
また、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の樹脂封止型半導体装置はスタック構造をとれるものではない。
さらに、特開平２００２−３３４３４号公報には、パッケージ内に半導体素子（チップ）を積層したパッケージが記載されているが、この構造では、自由度が少なく、汎用化しずらい。
このような中、特に、半導体素子（チップ）におけるメモリ容量の大型化は激しく、配線の微細化による高密度化にもかかわらず、メモリー用半導体素子においては、そのサイズも大きくなってきている。最近では、特に、メモリー用半導体素子については、薄型で、且つ、対向する２辺側にパッドを配列した、あるいは、１列にパッドを配列した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置も求められるようになってきた。
しかしながら、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置において、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなると、実用上、強度的に弱く、これが問題になっていた。
しかしながら、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置において、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなると、実用上、強度的に弱く、これが問題になっていた。
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められ、そのようなパッケージを積層して用いることも行われるようになってきている。最近では、特に、メモリー用半導体素子については、薄型で、且つ、対向する２辺側にパッドを配列した、あるいは、１列にパッドを配列した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置も求められるようになってきたが、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなると、強度的に弱く、この対応が求められていた。
本発明はこれらに対応するもので、薄型で、且つ、対向する２辺側にパッドを配列した、あるいは、１列にパッドを配列した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなっても、強度的に対応できる樹脂封止型半導体装置を提供しようとするものであり、かつ薄型の樹脂封止型半導体装置で量産性の良いものを提供しようとするものである。
更に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層した、スタック構造の積層型樹脂封止型半導体装置を提供しようとするものである。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供しようとするものである。
更に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層した、スタック構造の積層型樹脂封止型半導体装置を提供しようとするものである。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供しようとするものである。
本発明は、対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、サポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、サポートバーは樹脂封止部の外方へ露出する延設部分を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、サポートバーは、複数の部材と、各部材を接続する接続部とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、サポートバーは長辺サポートバーを有し、この長辺サポートバーの両端部は各々端子部材まで延びていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、サポートバーはテープを介して半導体素子に取付けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、樹脂封止部の表面側に窪みが設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、窪みは円柱状または矩形柱状断面を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、テープは半導体素子の短辺に平行に延び、ボンディングワイヤはこのテープを跨いで設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、各端子部材は加工用素材を用いてエッチング加工法により作製され、外部端子部は加工用素材の厚みを保って厚肉に形成され、内部端子部は加工用素材の表面側からハーフエッチングを施して薄肉に形成され、本発明は、内部端子部の長手方向に平行な内側断面において、表面と内側側面との間に鋭角が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、内部端子部の内側端部は、平面からみて先細状となっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、端子部材の内部端子部および外部端子部のうち、樹脂封止部に接する面に粗面化処理が施されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、粗面化処理が施された面において、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）は、１μｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、外部端子部の外側上部には、切り欠け部が形成され、外部端子部の表面外縁は、外側側面より内方に入り込むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、内部端子部の表面、および外部端子部の表面および裏面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、半導体素子の厚みが１００μｍ以下であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、上下方向に互いに重ね合わされ、電気的に接続された２以上の樹脂封止型半導体装置を備えた積層型樹脂封止型半導体装置において、各樹脂封止型半導体装置は、対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、ポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、上下方向に互いに重ね合わされ電気的に接続された２以上の樹脂封止型半導体装置からなる複数の組を、互いの側面で電気的に接続してなる積層型樹脂封止型半導体装置において、各樹脂封止型半導体装置は、対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、ポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、上側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の外側側面と、下側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の外側側面は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、ポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法において、加工用素材を用いてエッチング加工法により、各々外部端子部同士が連結された一対の端子部材からなる複数の連結端子部材と、複数のサポートバーとを含む加工シートを得る工程と、加工シートの裏面を真空引き板により真空吸着保持し、この状態で連結端子部材間の真空引き板上に半導体素子を搭載するとともに、連結端子部材と半導体素子間をボンディングワイヤで接続する工程と、加工シートを真空引き板から外し、加工シートの表面および裏面にモールド用テープを介してモールド固定用平板を設けて、モールド固定用平板間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部を形成する工程と、樹脂封止部の表面および裏面からモールド用テープおよびモールド固定用平板を取り外し、樹脂封止部に切断用テープを貼って、各半導体素子毎に樹脂封止部を切断する工程とを備え、樹脂封止部を切断する際、各連結端子部材の外部端子部間を切断して、連結端子部材を各々の端子部材に分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
本発明は、真空引き板は、全面に形成された真空吸着用の孔を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
本発明は、対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、サポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法において、加工用素材を用いてエッチング加工法により、各々外部端子部同士が連結された一対の端子部材からなる複数の連結端子部材と、複数のサポート部材とを含む加工シートを得る工程と、加工シートの裏面にモールド用テープを貼り付けて、モールド用テープにより加工シートを保持し、この状態で連結端子部材間のモールド用テープ上に半導体素子を搭載するとともに、連結端子部材と半導体素子間をボンディングワイヤで接続する工程と、加工シートの表面にモールド用テープを貼る工程と、加工用シートの表面および裏面に、モールド用テープを介してモールド固定用平板を設けて、モールド固定用平板間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部を形成する工程と、樹脂封止部の表面および裏面からモールド固定用平板を取り外し、樹脂封止部に切断用テープを貼って、各半導体素子毎に樹脂封止部を切断する工程とを備え、樹脂封止部を切断する際、各連結端子部材の外部端子部間を切断して、連結端子部材を各々の端子部材に分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
本発明は、外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、を備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、サポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、サポートバーは延設部分を有することを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、サポートバーは、複数の部材と、各部材を接続する接続部とを有することを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、サポートバーは長辺サポートバーを有し、この長辺サポートバーの両端部は各々端子部材まで延びていることを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、各端子部材は加工用素材を用いてエッチング加工法により作製され、外部端子部は加工用素材の厚みを保って厚肉に形成され、内部端子部は加工用素材の表面側からハーフエッチングを施して薄肉に形成され、本発明は、内部端子部の長手方向に平行な内側断面において、表面と内側側面との間に鋭角が形成されていることを特徴とする半導体装置用基材である。
内部端子部の内側端部は、平面からみて先細状となっていることを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、端子部材の内部端子部および外部端子部のうち、各々の表面に粗面化処理が施されていることを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、粗面化処理が施された面において、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）は、１μｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、外部端子部の外側上部には、切り欠け部が形成され、外部端子部の表面外縁は、外側側面より内方に入り込むことを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明は、内部端子部の表面、および外部端子部の表面および裏面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられていることを特徴とする半導体装置用基材である。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、薄型で、且つ、対向する２辺側にパッドを配列した、あるいは、１列にパッドを配列した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなっても、強度的に対応できる樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
更に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層し、いわゆるスタック構造にした積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
具体的には、本発明は、対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、サポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
特に、サポートバーを設けた構造としていることにより、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなっても、強度的に対応できる。
また、半導体素子自体の厚さの薄化に対応して、薄型化が達成できる。
また、半導体素子の端子面側でない面（裏面）を露出させるようにして、配置していることにより、半導体素子上の樹脂封止部の厚みを増し、組み立て加工し易いものとなり、より放熱性に優れるものとしている。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
更に、内部端子部の厚さより、半導体素子の厚さを薄くしていることにより、半導体素子の端子と内部端子の端子面におけるワイヤボンデイング接続を行う場合、第１のボンディングポイントを半導体素子とすることができ、ワイヤの垂れを防止できる。
勿論、ボンディングワイヤの形成はし易いものとなる。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
特に、前記サポートバーは、一体的に連結して側面外方に達する延設部分を設け、該延設部分の断面を該側面に露出させている。このため、特に、量産性の良い樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
更に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層し、いわゆるスタック構造にした積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
具体的には、本発明は、対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、サポートバーは半導体素子の長辺に平行に配置された長辺サポートバー、または半導体素子の短辺に平行に配置された短辺サポートバーを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
特に、サポートバーを設けた構造としていることにより、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなっても、強度的に対応できる。
また、半導体素子自体の厚さの薄化に対応して、薄型化が達成できる。
また、半導体素子の端子面側でない面（裏面）を露出させるようにして、配置していることにより、半導体素子上の樹脂封止部の厚みを増し、組み立て加工し易いものとなり、より放熱性に優れるものとしている。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
更に、内部端子部の厚さより、半導体素子の厚さを薄くしていることにより、半導体素子の端子と内部端子の端子面におけるワイヤボンデイング接続を行う場合、第１のボンディングポイントを半導体素子とすることができ、ワイヤの垂れを防止できる。
勿論、ボンディングワイヤの形成はし易いものとなる。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
特に、前記サポートバーは、一体的に連結して側面外方に達する延設部分を設け、該延設部分の断面を該側面に露出させている。このため、特に、量産性の良い樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
また、前記サポートバーは複数の部材と、各部材を接続する接続部とを有するので、サポートバーを強固に構成することができる。
また、サポートバーの長辺サポートバーは、前記端子部材に達する長さを有する。このため端子部材と半導体素子との間における曲げに強いものとし、全体を強固にできる。
また、サポートバーは半導体素子の表面（端子面）側に、テープを介して固定されているため、前記サポートバーを固定を確実に固定できる。
また、前記半導体素子の端子面側の樹脂部表面に、窪みを設けているので、熱ストレス時の反りを低減できる。
ここで、窪みの断面としては、円柱状、あるいは、矩形柱状の窪みが挙げられる。
尚、勿論、窪みは封止用の樹脂封止部が樹脂封止機能を十分果たせる範囲のもので、その大きさは、ワイヤ、インナーリード、サポートバー等に当たらぬサイズであり、その深さは、通常、半導体素子の端子面側の樹脂封止部表面から半導体素子の端子面までの厚さの半分以下とする。
また、前記半導体素子と、端子部材の内部端子部とは、半導体素子の端子面に設けられたテープを跨ぎ、ボンディングワイヤにより接続されている。このため、ボンディングワイヤの接続をたわみを少なくしてできるものとしている。
また、サポートバーの長辺サポートバーは、前記端子部材に達する長さを有する。このため端子部材と半導体素子との間における曲げに強いものとし、全体を強固にできる。
また、サポートバーは半導体素子の表面（端子面）側に、テープを介して固定されているため、前記サポートバーを固定を確実に固定できる。
また、前記半導体素子の端子面側の樹脂部表面に、窪みを設けているので、熱ストレス時の反りを低減できる。
ここで、窪みの断面としては、円柱状、あるいは、矩形柱状の窪みが挙げられる。
尚、勿論、窪みは封止用の樹脂封止部が樹脂封止機能を十分果たせる範囲のもので、その大きさは、ワイヤ、インナーリード、サポートバー等に当たらぬサイズであり、その深さは、通常、半導体素子の端子面側の樹脂封止部表面から半導体素子の端子面までの厚さの半分以下とする。
また、前記半導体素子と、端子部材の内部端子部とは、半導体素子の端子面に設けられたテープを跨ぎ、ボンディングワイヤにより接続されている。このため、ボンディングワイヤの接続をたわみを少なくしてできるものとしている。
また、各端子部材は、エッチング加工法を用いて、加工用素材から形成され、外部端子部は加工用素材の厚さの厚肉に形成され、内部端子部は該加工用素材の一面側からのハーフエッチングにて薄肉に形成されている。内部端子部の半導体素子側の先端断面は、ハーフエッチング形成面と側面とが鋭角をなす。このことにより、内部端子部の半導体素子側のその長手方向の先端において、温度変化に伴って、樹脂封止部の締め付けが起こり、かつ耐湿性の良い構造となる。
また、先端が鋭角となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、樹脂封止部用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
尚、前記鋭角の角度としては、８５度以下が好ましい。
更に、前記各端子部材は、その内部端子部の半導体素子側の先端幅を先細状としている。先端が先細状となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、封止用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
上記において、前記サポートバーは、各端子部材を形成する際に、一緒に形成され、薄肉のハーフエッチング部を有する。このためその作製を容易に量産的にできる。
また、先端が鋭角となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、樹脂封止部用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
尚、前記鋭角の角度としては、８５度以下が好ましい。
更に、前記各端子部材は、その内部端子部の半導体素子側の先端幅を先細状としている。先端が先細状となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、封止用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
上記において、前記サポートバーは、各端子部材を形成する際に、一緒に形成され、薄肉のハーフエッチング部を有する。このためその作製を容易に量産的にできる。
また、前記各端子部材の前記樹脂封止部表面と接する表面部に粗面化処理を施した。このことにより、端子部材と樹脂封止部との密着性の向上が図れる。
特に、前記粗面化処理による、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）が、１μｍ〜２μｍの範囲である場合には、有効である。
また、外部端子部の前記一方側の面と外側側面にわたる切り欠け部を設けている。このためその面付け作製において、個片化の際、その切断がし易い。
特に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられている。このためワイヤボンディング接続の信頼性が良好となる。
特に、半導体素子の厚みが１００μｍ以下である場合には、有効である。
特に、前記粗面化処理による、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）が、１μｍ〜２μｍの範囲である場合には、有効である。
また、外部端子部の前記一方側の面と外側側面にわたる切り欠け部を設けている。このためその面付け作製において、個片化の際、その切断がし易い。
特に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられている。このためワイヤボンディング接続の信頼性が良好となる。
特に、半導体素子の厚みが１００μｍ以下である場合には、有効である。
本発明の積層型樹脂封止型半導体装置により、樹脂封止型半導体装置を積層したスタック構造の積層型樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
本発明によれば、上記のように、薄型で、且つ、対向する２辺側にパッドを配列した、あるいは、１列にパッドを配列した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置であって、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きいものであっても、強度的に対応できる。特に、量産性の良い樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
更に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層し、いわゆるスタック構造にした積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
また、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
このような樹脂封止型半導体装置や積層型樹脂封止型半導体装置は、メモリー用として、あるいは、システムパッケージ等に用いられる他、カードモジュール内、ＩＣカード内、ＰＯＰ（Ｐｏｉｎｔ Ｏｆ Ｐｕｒｃｈａｓｅ ａｄｖｅｒｔｉｓｉｎｇ ）カード内、基板（紙シート等）内等に、特に薄さが求められる場合に、有効に利用できる。
更に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層し、いわゆるスタック構造にした積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
また、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
このような樹脂封止型半導体装置や積層型樹脂封止型半導体装置は、メモリー用として、あるいは、システムパッケージ等に用いられる他、カードモジュール内、ＩＣカード内、ＰＯＰ（Ｐｏｉｎｔ Ｏｆ Ｐｕｒｃｈａｓｅ ａｄｖｅｒｔｉｓｉｎｇ ）カード内、基板（紙シート等）内等に、特に薄さが求められる場合に、有効に利用できる。
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を示した概略断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図１（ｃ）は、図１（ｂ）の一点鎖線Ａ５−Ａ６ーＡ７−Ａ８におけるサポートバーの断面を示した図である。図２（ａ）は端子部材の断面図で、図２（ｂ）は図１（ａ）のＢ１側から見た図で、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ２側からみた図で、図２（ｄ）は図２（ｄ）のＢ３側からみた図である。図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を示した概略断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ１１側から透視してみた図で、図３（ｃ）は、図３（ｂ）の一点鎖線Ａ５１−Ａ６１ーＡ７１−Ａ８１におけるサポートバーの断面を示した図である。図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を示した概略断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ１２側から透視してみた図で、図４（ｃ）は、図４（ｂ）の一点鎖線Ａ５２−Ａ６２ーＡ７２−Ａ８２におけるサポートバーの断面を示した図である。図５（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を示した概略断面図で、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ１３側から透視してみた図である。図６（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例を示した概略断面図で、図６（ｂ）は図４（ａ）のＡ１４側から透視してみた図である。図７（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例を示したの概略断面図で、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ１５側から透視してみた図である。図８は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図である。図９は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図である。図１０は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図である。図１１は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図である。図１２（ａ）は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例の断面図である。図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＥ１側からみた図で、図１３は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第１の例の製造工程断面図である。図１４は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第２の例の製造工程断面図である。図１５（ａ）、１５（ｂ）はダイシングソーによる切断状態を示した図である。図１６は封止用樹脂の表面に窪みを設けた形態を示した断面図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ２−Ａ３側から見た図である。図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ２１−Ａ３１側から見た図である。図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ２２−Ａ３２側から見た図である。図５（ａ）は図５（ｂ）のＡ２３−Ａ３３側から見た図である。図６（ａ）は図６（ｂ）のＡ２４−Ａ３４側から見た図である。図７（ａ）は図７（ｂ）のＡ２５−Ａ３５側から見た図である。これらの図において、図を分かり易くするために、いずれも、サポートバーを示していない。
また、図１２〜図１４においては、分かり易くするために、半導体素子の端子部は省略して示している。
また、図１３（ｈ）、図１４（ｉ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図１６中、１０１〜１０４、１０１ａ〜１０４ａ、１０１ｂ〜１０４ｂ、１０１ｃ〜１０４ｃは樹脂封止型半導体装置、１１０は端子部材、１１１は外部端子部、１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは端子面、１１２は内部端子部、１１２ａは端子面（ハーフエッチング面）、１１３は連結部、１１４は切り欠け部、１１６は先端部、１１６Ｓは（先端の）側面、１１７はグルーブ（溝部）、１２０、１２０ａ、１２０ｂは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０Ａ、１２０Ａａ、１２０Ａｂは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０Ｍは半導体素子、１２１は端子、１３０はボンディングワイヤ、１４０は樹脂封止部、１４５は窪み、１６０、１６０Ａはサポートバー、１６１ａ，１６２ａは薄肉部、１６２は厚肉部、１６５は延設部分、１７０、１７１は連結部（サポートバーとも言う）、１７０ａはサポートバー、１７２、１７３は接続部、１８０、１８１はテープ（ここでは両面テープ）、１９０は半田ペースト（導電性ペーストとも言う）、１９５は基材、２１０は加工用素材、２１０Ａは加工シート、２２０はレジスト、２３０は端子部材、２３１は外部端子部、２３２は内部端子部、２３３は連結部、２３５は支持部（連結部とも言う）、２３７は凹部、２３７Ａは切り欠け部、２４０は平板状の多孔板（真空引き板とも言う）、２５０は半導体素子、２６０はボンディングワイヤ、２７０、２７１は（固定用、モールド用の）テープ、２７５は（ダイシング用の）テープ、２８０は樹脂封止部、３０１は単位の樹脂封止型半導体装置、３１０は加工用素材、３１０Ａは加工シート、３１５は枠部、３１６は治具孔、３１７は長孔部、３２０はレジスト、３３０は端子部材、３３１は外部端子部、３３２は内部端子部、３３３は連結部、３３５は支持部（連結部とも言う）、３３７は凹部、３３７Ａは切り欠け部、３４０、３４１は（固定用、モールド用の）テープ、３４５は（切断用の）テープ、３５０は半導体素子、３６０はボンディングワイヤ、３７１、３７２はモールド固定用の平板、３８０は樹脂封止部、３８５は切断ライン、３８６は切断目印（貫通孔あるいは窪み）、４０１〜４０８は樹脂封止型半導体装置である。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を示した概略断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図１（ｃ）は、図１（ｂ）の一点鎖線Ａ５−Ａ６ーＡ７−Ａ８におけるサポートバーの断面を示した図である。図２（ａ）は端子部材の断面図で、図２（ｂ）は図１（ａ）のＢ１側から見た図で、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ２側からみた図で、図２（ｄ）は図２（ｄ）のＢ３側からみた図である。図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を示した概略断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ１１側から透視してみた図で、図３（ｃ）は、図３（ｂ）の一点鎖線Ａ５１−Ａ６１ーＡ７１−Ａ８１におけるサポートバーの断面を示した図である。図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を示した概略断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ１２側から透視してみた図で、図４（ｃ）は、図４（ｂ）の一点鎖線Ａ５２−Ａ６２ーＡ７２−Ａ８２におけるサポートバーの断面を示した図である。図５（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を示した概略断面図で、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ１３側から透視してみた図である。図６（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例を示した概略断面図で、図６（ｂ）は図４（ａ）のＡ１４側から透視してみた図である。図７（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例を示したの概略断面図で、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ１５側から透視してみた図である。図８は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図である。図９は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図である。図１０は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図である。図１１は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図である。図１２（ａ）は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例の断面図である。図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＥ１側からみた図で、図１３は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第１の例の製造工程断面図である。図１４は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第２の例の製造工程断面図である。図１５（ａ）、１５（ｂ）はダイシングソーによる切断状態を示した図である。図１６は封止用樹脂の表面に窪みを設けた形態を示した断面図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ２−Ａ３側から見た図である。図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ２１−Ａ３１側から見た図である。図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ２２−Ａ３２側から見た図である。図５（ａ）は図５（ｂ）のＡ２３−Ａ３３側から見た図である。図６（ａ）は図６（ｂ）のＡ２４−Ａ３４側から見た図である。図７（ａ）は図７（ｂ）のＡ２５−Ａ３５側から見た図である。これらの図において、図を分かり易くするために、いずれも、サポートバーを示していない。
また、図１２〜図１４においては、分かり易くするために、半導体素子の端子部は省略して示している。
また、図１３（ｈ）、図１４（ｉ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図１６中、１０１〜１０４、１０１ａ〜１０４ａ、１０１ｂ〜１０４ｂ、１０１ｃ〜１０４ｃは樹脂封止型半導体装置、１１０は端子部材、１１１は外部端子部、１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは端子面、１１２は内部端子部、１１２ａは端子面（ハーフエッチング面）、１１３は連結部、１１４は切り欠け部、１１６は先端部、１１６Ｓは（先端の）側面、１１７はグルーブ（溝部）、１２０、１２０ａ、１２０ｂは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０Ａ、１２０Ａａ、１２０Ａｂは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０Ｍは半導体素子、１２１は端子、１３０はボンディングワイヤ、１４０は樹脂封止部、１４５は窪み、１６０、１６０Ａはサポートバー、１６１ａ，１６２ａは薄肉部、１６２は厚肉部、１６５は延設部分、１７０、１７１は連結部（サポートバーとも言う）、１７０ａはサポートバー、１７２、１７３は接続部、１８０、１８１はテープ（ここでは両面テープ）、１９０は半田ペースト（導電性ペーストとも言う）、１９５は基材、２１０は加工用素材、２１０Ａは加工シート、２２０はレジスト、２３０は端子部材、２３１は外部端子部、２３２は内部端子部、２３３は連結部、２３５は支持部（連結部とも言う）、２３７は凹部、２３７Ａは切り欠け部、２４０は平板状の多孔板（真空引き板とも言う）、２５０は半導体素子、２６０はボンディングワイヤ、２７０、２７１は（固定用、モールド用の）テープ、２７５は（ダイシング用の）テープ、２８０は樹脂封止部、３０１は単位の樹脂封止型半導体装置、３１０は加工用素材、３１０Ａは加工シート、３１５は枠部、３１６は治具孔、３１７は長孔部、３２０はレジスト、３３０は端子部材、３３１は外部端子部、３３２は内部端子部、３３３は連結部、３３５は支持部（連結部とも言う）、３３７は凹部、３３７Ａは切り欠け部、３４０、３４１は（固定用、モールド用の）テープ、３４５は（切断用の）テープ、３５０は半導体素子、３６０はボンディングワイヤ、３７１、３７２はモールド固定用の平板、３８０は樹脂封止部、３８５は切断ライン、３８６は切断目印（貫通孔あるいは窪み）、４０１〜４０８は樹脂封止型半導体装置である。
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を、図１に基づいて説明する。
樹脂封止型半導体装置１０１は、対向する２長辺１２０Ａと対向する２短辺１２０Ｂを有する半導体素子１２０と、半導体素子１２０の２短辺１２０Ｂ近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部１１１と、半導体素子１２０に接続される内部端子部１１２と、外部端子部１１１と内部端子部１１２とを連結する連結部１１３とを有する複数の端子部材１１０と、半導体素子１２０および端子部材１１０から電気的に絶縁された一対のサポートバー１６０、１６０Ａと、半導体素子１２０の端子１２１と端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、半導体素子１２０、端子部材１１０、サポートバー１６０、１６０Ａおよびボンディングワイヤ１３０を封止する樹脂封止部１４０とを備えている。
このうち端子部材１１０と、一対のサポートバー１６０、１６０Ａとによって半導体装置用基材１１０Ａが構成される。
また各端子部材１１０は、平坦状の裏面１１１ｂと、２段上の表面１１１ａ、１１２ａとを有するとともに、内部端子１１２は薄肉に形成され、外部端子部１１１は厚肉に形成されている。
封止型半導体装置１０１の全体形状は複数個の端子部材１１０の配置領域内、且つ、端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ内に収められている。また樹脂封止型半導体装置１０１は、ＳＯＮ型の樹脂封止型半導体装置となっている。
そして、各端子部材１１０の内部端子部１１２は、その表面が端子面１１２ａとなっており、各外部端子部１１１の表面１１１ａ、裏面１１１ｂおよび内部端子部１１２の表面１１２ａはそれぞれ、一平面上に、揃っている。また内部端子部１１２側が半導体素子１２０側に向くよう、各端子部材１１０が配設され、外部端子部１１１の表面１１１ａ、裏面１１１ｂおよび外側側面１１１ｃは樹脂封止部１４０から外方へ露出している。また、半導体素子１２０の表面は端子面１２０ａとなっており、端子面１２０ａは内部端子部１１２の端子面１１２ａと同一方向を向いている。また半導体素子１２０の裏面１２０ｂは封止樹脂部１４０から外方へ露出している。
また、一対のサポートバー１６０，１６０Ａは、それぞれ、平面上半導体素子１２０から離れて半導体素子１２０の長辺１２０Ａに平行に配置に配置された長辺サポーバーとなっており、樹脂封止部１４０の側面に達する延設部分１６５を有し、この延設部分１６５の断面は樹脂封止部１４０の側面に露出している。
樹脂封止型半導体装置１０１は、対向する２長辺１２０Ａと対向する２短辺１２０Ｂを有する半導体素子１２０と、半導体素子１２０の２短辺１２０Ｂ近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部１１１と、半導体素子１２０に接続される内部端子部１１２と、外部端子部１１１と内部端子部１１２とを連結する連結部１１３とを有する複数の端子部材１１０と、半導体素子１２０および端子部材１１０から電気的に絶縁された一対のサポートバー１６０、１６０Ａと、半導体素子１２０の端子１２１と端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、半導体素子１２０、端子部材１１０、サポートバー１６０、１６０Ａおよびボンディングワイヤ１３０を封止する樹脂封止部１４０とを備えている。
このうち端子部材１１０と、一対のサポートバー１６０、１６０Ａとによって半導体装置用基材１１０Ａが構成される。
また各端子部材１１０は、平坦状の裏面１１１ｂと、２段上の表面１１１ａ、１１２ａとを有するとともに、内部端子１１２は薄肉に形成され、外部端子部１１１は厚肉に形成されている。
封止型半導体装置１０１の全体形状は複数個の端子部材１１０の配置領域内、且つ、端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ内に収められている。また樹脂封止型半導体装置１０１は、ＳＯＮ型の樹脂封止型半導体装置となっている。
そして、各端子部材１１０の内部端子部１１２は、その表面が端子面１１２ａとなっており、各外部端子部１１１の表面１１１ａ、裏面１１１ｂおよび内部端子部１１２の表面１１２ａはそれぞれ、一平面上に、揃っている。また内部端子部１１２側が半導体素子１２０側に向くよう、各端子部材１１０が配設され、外部端子部１１１の表面１１１ａ、裏面１１１ｂおよび外側側面１１１ｃは樹脂封止部１４０から外方へ露出している。また、半導体素子１２０の表面は端子面１２０ａとなっており、端子面１２０ａは内部端子部１１２の端子面１１２ａと同一方向を向いている。また半導体素子１２０の裏面１２０ｂは封止樹脂部１４０から外方へ露出している。
また、一対のサポートバー１６０，１６０Ａは、それぞれ、平面上半導体素子１２０から離れて半導体素子１２０の長辺１２０Ａに平行に配置に配置された長辺サポーバーとなっており、樹脂封止部１４０の側面に達する延設部分１６５を有し、この延設部分１６５の断面は樹脂封止部１４０の側面に露出している。
各端子部材１１０は、エッチング加工法を用いて、加工用素材２１０から形成され、外部端子部１１１は加工用素材２１０の厚さの厚肉となっており、内部端子部１１２は該加工用素材２１０の一面側からのハーフエッチングにて薄肉に、形成されている。内部端子部１１２の半導体素子１２０側の先端断面は、内部端子部１１２の端子面（ハーフエッチング面）１１２ａと先端部１１６の側面１１６Ｓとが鋭角をなし、また、その内部端子部１１２の半導体素子１２０側の先端は平面からみて先細状に形成され、端子部材１１０の裏面にグループ１１７が形成されている。（図２（ａ）〜図２（ｄ）を参照）
また、サポートバー１６０、１６０Ａは、各端子部材１１０を形成する際に、一緒に形成され、薄肉のハーフエッチング部（図１（ｃ）の薄肉部１６１ａ，１６１ｂがこれに相当）を有する。
尚、薄肉部１６１ａは、Ａ１側（図１（ａ）参照）からみえる面がエッチング形成面で、薄肉部１６１ｂは、Ａ１側（図１（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面で、サポートバー１６０Ａと、サポートバー１６０とは、その延設部分１６５を含めて対称に形成されている。
本例では、厚さ０．２ｍｍのＣｕ材を加工用素材２１０として、内部端子部１１２の厚さを０．１ｍｍとし、厚さ７０μｍの半導体素子を用いたが、加工用素材としては、Ｃｕ系合金や４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）等も適用できる。
半導体素子１２０自体の厚さの薄化に対応して、薄型化が達成できる。
半導体素子１２０は、その短辺１２０Ｂの２辺に沿って設けられた端子１２１を有し、該２辺１２０Ｂに沿って端子部材１１０が配置され、対応する半導体素子１２０の端子１２１と端子部材１１０とがボンディングワイヤ１３０にて接続されている。
このように、サポートバー１６０、１６０Ａを設けた構造としていることにより、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、半導体素子１２０自体の厚さの薄化に対応して、薄型化した場合、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなっても、強度的に対応できる。
また、半導体素子１２０の端子面側でない面（裏面）を露出させたので、半導体素子１２０上の樹脂封止部１４０の厚みを増し、組み立て加工し易く、より放熱性に優れる。
また、端子部材１１０の内部端子部１１２の先端形状を工夫していることにより、内部端子部１１２の先端において、温度変化による樹脂封止部１４０の締め付けを良くし、耐湿性が良くなる。
また、半導体素子１２０の厚さを内部端子部１１２の厚さより薄していることにより、ボンディング作業がし易くなる。
第１のボンディングポイントは半導体素子１４０側となっており、ワイヤの垂れを防止できる。
本例の構造は、樹脂封止部１４０の厚さを出来る限り厚くしているため、樹脂封止部１４０の量をできるだけ増やすことにより、構造的に品質面安定が期待できる。
また、本例は、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造となる。
また、サポートバー１６０、１６０Ａは、各端子部材１１０を形成する際に、一緒に形成され、薄肉のハーフエッチング部（図１（ｃ）の薄肉部１６１ａ，１６１ｂがこれに相当）を有する。
尚、薄肉部１６１ａは、Ａ１側（図１（ａ）参照）からみえる面がエッチング形成面で、薄肉部１６１ｂは、Ａ１側（図１（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面で、サポートバー１６０Ａと、サポートバー１６０とは、その延設部分１６５を含めて対称に形成されている。
本例では、厚さ０．２ｍｍのＣｕ材を加工用素材２１０として、内部端子部１１２の厚さを０．１ｍｍとし、厚さ７０μｍの半導体素子を用いたが、加工用素材としては、Ｃｕ系合金や４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）等も適用できる。
半導体素子１２０自体の厚さの薄化に対応して、薄型化が達成できる。
半導体素子１２０は、その短辺１２０Ｂの２辺に沿って設けられた端子１２１を有し、該２辺１２０Ｂに沿って端子部材１１０が配置され、対応する半導体素子１２０の端子１２１と端子部材１１０とがボンディングワイヤ１３０にて接続されている。
このように、サポートバー１６０、１６０Ａを設けた構造としていることにより、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、半導体素子１２０自体の厚さの薄化に対応して、薄型化した場合、８ｍｍ×１０ｍｍサイズのレベルより大きくなっても、強度的に対応できる。
また、半導体素子１２０の端子面側でない面（裏面）を露出させたので、半導体素子１２０上の樹脂封止部１４０の厚みを増し、組み立て加工し易く、より放熱性に優れる。
また、端子部材１１０の内部端子部１１２の先端形状を工夫していることにより、内部端子部１１２の先端において、温度変化による樹脂封止部１４０の締め付けを良くし、耐湿性が良くなる。
また、半導体素子１２０の厚さを内部端子部１１２の厚さより薄していることにより、ボンディング作業がし易くなる。
第１のボンディングポイントは半導体素子１４０側となっており、ワイヤの垂れを防止できる。
本例の構造は、樹脂封止部１４０の厚さを出来る限り厚くしているため、樹脂封止部１４０の量をできるだけ増やすことにより、構造的に品質面安定が期待できる。
また、本例は、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造となる。
第１の例においては、各端子部材１１０の表面を、過酸化水素溶液にて、粗面化処理している。
これにより、一層の耐湿性の向上が図れる。
表面粗さとしては、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）で１μｍ〜２μｍの範囲が好ましい。
先にも述べたが、ここでは、最大高さ粗さＲｙの測定は２００μｍ長さで行ったものである。
これにより、一層の耐湿性の向上が図れる。
表面粗さとしては、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）で１μｍ〜２μｍの範囲が好ましい。
先にも述べたが、ここでは、最大高さ粗さＲｙの測定は２００μｍ長さで行ったものである。
また、第１の例においては、外部端子部１１１の前記他方側の面と外側側面にわたる切り欠け部１１４を設けており、これにより、その面付け作製において、個片化の際、その切断がし易くなる。
特に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造となる。
特に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造となる。
第１の例においては、図では明示していないが、端子部材１１０の内部端子部１１２の端子面１１２ａおよび外部端子部１１１の表裏の端子面１１１ａ、１１１ｂに、接続用のめっき層を設けている。
接続用のめっき層として、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層等の金属めっき層が挙げられる。
接続用のめっき層として、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層等の金属めっき層が挙げられる。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を、図３に基づいて説明する。
第２の例の樹脂封止型半導体装置１０１は、第１の例の場合と同様に、複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１６０，１６０Ａとを、備えている。複数個の端子部材１１０は半導体素子１２０の周辺の対向する２辺に沿い離して配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０とは樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。
第２の例において、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、２つのサポートバー１６０、１６０Ａは、半導体素子１２０の表面を跨ぐようにしてテープ１８０を介して配置された２つの連結部１７０、１７１により連結され、２つのサポートバー１６０、１６０Ａはより強固に連結されている。この場合、２つの連結部１７０、１７１は平面上の半導体素子１２０に重なって半導体素子１２０の短辺１２０Ｂに平行に配置された短辺サポートバーを構成する。。
２つの連結部１７０、１７１も、サポートバー１６０、１６０Ａと同様、端子部材１１０と一緒にエッチング加工法により形成された薄肉のハーフエッチング部を含み、半導体素子１２０の端子面にテープ１８０を介して固定されている。
尚、サポートバー１７０、１７１の薄肉部１６１ｂは、Ａ１１側（図３（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。また図３においてサポートバーは、複数の部材１６０、１６０Ａと、これら部材１６０、１６０Ａを接続する接続部１７０、１７１とから構成されていると考えることもできる。
第２の例の樹脂封止型半導体装置１０１は、第１の例の場合と同様に、複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１６０，１６０Ａとを、備えている。複数個の端子部材１１０は半導体素子１２０の周辺の対向する２辺に沿い離して配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０とは樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。
第２の例において、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、２つのサポートバー１６０、１６０Ａは、半導体素子１２０の表面を跨ぐようにしてテープ１８０を介して配置された２つの連結部１７０、１７１により連結され、２つのサポートバー１６０、１６０Ａはより強固に連結されている。この場合、２つの連結部１７０、１７１は平面上の半導体素子１２０に重なって半導体素子１２０の短辺１２０Ｂに平行に配置された短辺サポートバーを構成する。。
２つの連結部１７０、１７１も、サポートバー１６０、１６０Ａと同様、端子部材１１０と一緒にエッチング加工法により形成された薄肉のハーフエッチング部を含み、半導体素子１２０の端子面にテープ１８０を介して固定されている。
尚、サポートバー１７０、１７１の薄肉部１６１ｂは、Ａ１１側（図３（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。また図３においてサポートバーは、複数の部材１６０、１６０Ａと、これら部材１６０、１６０Ａを接続する接続部１７０、１７１とから構成されていると考えることもできる。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を、図４に基づいて説明する。
第３の例の樹脂封止型半導体装置１０１も、第１の例、第２の例の場合と同様に複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１６０，１６０Ａとを、備えている。前記複数個の端子部材１１０は前記半導体素子１２０の対向する２短辺に沿って配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。前記半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０は樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。
第３の例において、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、２つの連結部１７０、１７１は、互いに２つの連結部１７２、１７３により連結され、結果として、２つのサポートバー１６０、１６０Ａは、更に強固に連結されている。それ以外は第２の例と同じで、各部についても同じものを用いた。２つの連結部１７２、１７３は半導体素子１２０の長辺１２０Ａに平行な長辺サポートバーを構成する。
尚、２つの連結部１７２、１７３も、サポートバー１６０、１６０Ａ、連結部１７０、１７１と同様、端子部材１１０と一緒にエッチング加工法により形成された薄肉のハーフエッチング部を含み、サポートバー１７２、１７３の薄肉部１６１ｂは、Ａ１２側（図４（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。
第３の例の樹脂封止型半導体装置１０１も、第１の例、第２の例の場合と同様に複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１６０，１６０Ａとを、備えている。前記複数個の端子部材１１０は前記半導体素子１２０の対向する２短辺に沿って配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。前記半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０は樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。
第３の例において、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、２つの連結部１７０、１７１は、互いに２つの連結部１７２、１７３により連結され、結果として、２つのサポートバー１６０、１６０Ａは、更に強固に連結されている。それ以外は第２の例と同じで、各部についても同じものを用いた。２つの連結部１７２、１７３は半導体素子１２０の長辺１２０Ａに平行な長辺サポートバーを構成する。
尚、２つの連結部１７２、１７３も、サポートバー１６０、１６０Ａ、連結部１７０、１７１と同様、端子部材１１０と一緒にエッチング加工法により形成された薄肉のハーフエッチング部を含み、サポートバー１７２、１７３の薄肉部１６１ｂは、Ａ１２側（図４（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を、図５に基づいて説明する。
第４の例の樹脂封止型半導体装置１０１も、第１の例〜第３の例の場合と同様に、複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１７０ａ、１７１ａとを備えている。前記複数個の端子部材１１０は前記半導体素子１２０の周辺の対向する２短辺１２０Ｂに沿って配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。前記半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０は樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、第４の例において、全体を強固にするためのサポートバー１７０ａ、１７１ａは、第１の例〜第３の例の場合とは異なり、半導体素子１２０の表面を跨ぐように半導体素子１２０の短辺１２０Ｂに平行に延び、かつサポートバー１７０、１７１ａの両端は樹脂封止部１４０の外方に露出している。
尚、２つのポートバー１７０ａ、１７１ａも、端子部材１１０と一緒にエッチング加工方により形成された薄肉のハーフエッチング部を含み、サポートバー１７０ａ、１７１ａの薄肉部１６１ｂは、Ａ１３側（図５（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。
第４の例の樹脂封止型半導体装置１０１も、第１の例〜第３の例の場合と同様に、複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１７０ａ、１７１ａとを備えている。前記複数個の端子部材１１０は前記半導体素子１２０の周辺の対向する２短辺１２０Ｂに沿って配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。前記半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０は樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、第４の例において、全体を強固にするためのサポートバー１７０ａ、１７１ａは、第１の例〜第３の例の場合とは異なり、半導体素子１２０の表面を跨ぐように半導体素子１２０の短辺１２０Ｂに平行に延び、かつサポートバー１７０、１７１ａの両端は樹脂封止部１４０の外方に露出している。
尚、２つのポートバー１７０ａ、１７１ａも、端子部材１１０と一緒にエッチング加工方により形成された薄肉のハーフエッチング部を含み、サポートバー１７０ａ、１７１ａの薄肉部１６１ｂは、Ａ１３側（図５（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例を、図６に基づいて説明する。
第５の例において、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、第４の例に示す、２つのサポートバー１７０ａ、１７１ａがそれぞれ２つの連結部１７２ａ、１７３ａにより連結され、２つのサポートバー１７０ａ、１７１ａをより強固にしたものであり、それ以外は第４の例と同じで、各部についても同じものを用いた。
第５の例において、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、第４の例に示す、２つのサポートバー１７０ａ、１７１ａがそれぞれ２つの連結部１７２ａ、１７３ａにより連結され、２つのサポートバー１７０ａ、１７１ａをより強固にしたものであり、それ以外は第４の例と同じで、各部についても同じものを用いた。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例を、図７に基づいて説明する。
第７の例の樹脂封止型半導体装置１０１も、第１の例の場合と同様に、複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１６０、１６０Ａとを備えている。前記複数個の端子部材１１０は前記半導体素子１２０の対向する２短辺１２０Ｂに沿って配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。前記半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０は樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、第１の例における半導体素子１２０が、端子１２１がセンターに配列された半導体素子１２０Ａに代えられ、半導体素子１２０の表面に短辺１２０Ｂに平行にテープ１８１が設けられ、該テープ１８１を跨ぐようにボンデイングワイヤ１３０が配置されている。
図７（ｃ）に示すように、テープ１８１の端は、サポートバー１６０、１６０Ａの薄肉部１６１ｂのエッチング形成面に貼られ、固定されている。
尚、薄肉部１６１ｂは、Ａ１５側（図７（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。
テープ１８１により、サポートバー１６０、１６０Ａは強固に固定され、ボンディングワイヤ１３０の垂れに対しても対応できる。
第７の例の樹脂封止型半導体装置１０１も、第１の例の場合と同様に、複数の端子部材１１０と、内部端子部１１２の厚さより薄い半導体素子１２０と、半導体素子の所定の端子１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とを接続するボンディングワイヤ１３０と、全体を強固にするためのサポートバー１６０、１６０Ａとを備えている。前記複数個の端子部材１１０は前記半導体素子１２０の対向する２短辺１２０Ｂに沿って配設され、全体は端子部材１１０の外部端子部１１１の厚さ幅内に収められている。前記半導体素子１２０と前記ボンディングワイヤ１３０は樹脂封止部１４０により封止され、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置を構成している。図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、第１の例における半導体素子１２０が、端子１２１がセンターに配列された半導体素子１２０Ａに代えられ、半導体素子１２０の表面に短辺１２０Ｂに平行にテープ１８１が設けられ、該テープ１８１を跨ぐようにボンデイングワイヤ１３０が配置されている。
図７（ｃ）に示すように、テープ１８１の端は、サポートバー１６０、１６０Ａの薄肉部１６１ｂのエッチング形成面に貼られ、固定されている。
尚、薄肉部１６１ｂは、Ａ１５側（図７（ａ）参照）からみえる面が加工用素材面である。
テープ１８１により、サポートバー１６０、１６０Ａは強固に固定され、ボンディングワイヤ１３０の垂れに対しても対応できる。
第１の例〜第６の例の樹脂封止型半導体装置１０１を、それぞれ、同サイズのものを複数、例えば４個選んで、積層して、積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
この場合、第１の例の樹脂封止型半導体装置１０１は、図８のように積層され、第６の例の樹脂封止型半導体装置１０１は、例えば、図９のように積層される。
これらの積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａにおいて、上側の樹脂封止型半導体装置１０１の下側の外部端子部１１１の端子面１１１ｂと、下側の樹脂封止型半導体装置１０１の上側の外部端子部１１１の端子面１１１ａとが重ね合され、半田ペースト１９０を介して電気的に接続されている。
また、例えば、図１０に示すように、同サイズの、第６の例の樹脂封止型半導体装置１０１と、第１の例の樹脂封止型半導体装置１０１とを用いて、これらを重ね、積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
尚、図示していないが、上記のような積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａにおいて、個々に樹脂封止型半導体装置１０１を逆にして積層する形態も挙げられる。
あるいはまた、例えば、図１１に示すように、第１の例、第３の例の樹脂封止型半導体装置１０１について、異サイズのものを重ね、積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
尚、上記において、半田ペースト１９０による接続に代え、半田ボールによる接続としても良い。
この場合、第１の例の樹脂封止型半導体装置１０１は、図８のように積層され、第６の例の樹脂封止型半導体装置１０１は、例えば、図９のように積層される。
これらの積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａにおいて、上側の樹脂封止型半導体装置１０１の下側の外部端子部１１１の端子面１１１ｂと、下側の樹脂封止型半導体装置１０１の上側の外部端子部１１１の端子面１１１ａとが重ね合され、半田ペースト１９０を介して電気的に接続されている。
また、例えば、図１０に示すように、同サイズの、第６の例の樹脂封止型半導体装置１０１と、第１の例の樹脂封止型半導体装置１０１とを用いて、これらを重ね、積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
尚、図示していないが、上記のような積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａにおいて、個々に樹脂封止型半導体装置１０１を逆にして積層する形態も挙げられる。
あるいはまた、例えば、図１１に示すように、第１の例、第３の例の樹脂封止型半導体装置１０１について、異サイズのものを重ね、積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
尚、上記において、半田ペースト１９０による接続に代え、半田ボールによる接続としても良い。
更に、例えば、図１２（ａ）に示すように、同サイズの、８個の第１の例の樹脂封止型半導体装置４０１〜４０８を用いて、横方向に２個を互いに同じにして、その側面同士を合せて電気的に接続し、これらを更に４層重ねして積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
接続される側面同士は導電性ペーストにより接続される。
図１２（ｂ）に示すように、半導体装置４０１の半導体素子１２０と半導体装置４０５の半導体素子１２０Ｍは互いに各機能ピン（端子）が逆となって、ミラーイメージで配置され、半導体素子１２０Ｍは半導体素子１２０のミラーチップとも言う。
尚、図示していないが、横方向に２個を互いに向きを逆にして、その側面同士を合せて電気的に接続し、これらを更に４層重ねして積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
この場合、各外部端子部１１の形状は、側面同士の接続について回路的に問題のないようにする。
図１２（ａ）（ｂ）において、丸印１〜丸印８は機能ピン（端子）を示すものであり、同じ数のものは同じ機能を示す。
例えば、図１２（ｂ）において、丸印１を電源端子、丸印２をセレクトスイッチ端子、丸印３〜丸印７をＩ／Ｏ端子、丸印８をグランド端子とする。
尚、重ねる樹脂封止型半導体装置の層数としては、４層に限定はされない。
また、第１の例〜第６の例の樹脂封止型半導体装置の３つ以上を互いにその側面同士を合せて電気的に接続してもよく、更に、これを２層以上に積層してもよい。
更に、上下の樹脂封止型半導体装置の側面を接続用に用いてもよい。
接続される側面同士は導電性ペーストにより接続される。
図１２（ｂ）に示すように、半導体装置４０１の半導体素子１２０と半導体装置４０５の半導体素子１２０Ｍは互いに各機能ピン（端子）が逆となって、ミラーイメージで配置され、半導体素子１２０Ｍは半導体素子１２０のミラーチップとも言う。
尚、図示していないが、横方向に２個を互いに向きを逆にして、その側面同士を合せて電気的に接続し、これらを更に４層重ねして積層型樹脂封止型半導体装置１０１Ａを構成してもよい。
この場合、各外部端子部１１の形状は、側面同士の接続について回路的に問題のないようにする。
図１２（ａ）（ｂ）において、丸印１〜丸印８は機能ピン（端子）を示すものであり、同じ数のものは同じ機能を示す。
例えば、図１２（ｂ）において、丸印１を電源端子、丸印２をセレクトスイッチ端子、丸印３〜丸印７をＩ／Ｏ端子、丸印８をグランド端子とする。
尚、重ねる樹脂封止型半導体装置の層数としては、４層に限定はされない。
また、第１の例〜第６の例の樹脂封止型半導体装置の３つ以上を互いにその側面同士を合せて電気的に接続してもよく、更に、これを２層以上に積層してもよい。
更に、上下の樹脂封止型半導体装置の側面を接続用に用いてもよい。
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を、図１３に基づいて、説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例（第１の例）の説明に代える。
先ず、加工用素材２１０の両面に所定形状にレジスト２２０を配設し（図１３（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置１０１の各端子部材１１０とサポートバー１６０、１６０Ａの配置に対応して、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、加工用素材２１０の両面からエッチングを行なう。このことにより、外部端子部２３１同士が支持部２３５にて連結された一対の端子部材２３０からなる多数の連結端子部材２３０ａと、延設部分１６５を含む多数のサポートバー１６０、１６０Ａとを含む加工シート２１０Ａが得られる（図１３（ｂ））。
尚、通常、支持部２３５として、枠状のもの（フレームとも言う）が用いられる。
エッチング加工時には、支持部２３５に、端子部材２３０と図示していないサポートバー（図１の１６０、１６０Ａ）が支持される。
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材１１０とサポートバー１６０、１６０Ａとが支持部２３５にて連結され面付けされた、加工シート２１０Ａを得る。
加工用素材２１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト２２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト２２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成されるとともに、表面めっきが施された加工シート２１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を平板状の多孔板２４０にて真空引きし、加工シート２１０Ａを多孔板２４０に密着させたる（図１３（ｃ））。この状態で面付け分の数だけ、半導体素子２５０を多孔板２４０上の所定の位置に位置決めして、半導体素子２５０の裏面を真空引き用の多孔板２４０にて真空引きして、該多孔板２４０に搭載する。（図１３（ｄ））
尚、真空ポンプ、真空配管等、真空引き用の多孔板２４０の真空引き源は別にあるが、ここでは図示していない。
次いで、この状態で、各半導体素子２５０について、その端子（図１の１２１に相当）と端子部材２３０の内部端子部（図１の１１２に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図１３（ｅ））
次いで、多孔板２４０を外し、これに代え、モールド用のテープ２７０、２７１を、加工シート２１０Ａの両面に、それぞれ、各面を覆うように、平面状に貼る。また半導体素子２５０の裏面をテープ２７０にて貼り固定する。さらにテープ２７０、２７１上をモールド固定用の平板２７０ａ、２７１ａにて挟み、加工シート２１０Ａ全体について、一括してモールドを行い、表裏のモールド固定用の平板を取り外す。（図１３（ｆ））
尚、加工シート２１０Ａの端子部材２３０を支持する支持部２３５は、通りぬけ孔を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
次いで、モールド用のテープ２７０、２７１およびモールド固定用の平板２７０ａ、２７１ａを剥がし、切断用のテープ２７５を貼り（図１３（ｇ））、該切断用のテープ２７５とは反対側からダイシングソー２７５ａにて切断して（図１３（ｈ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して形成する（図１３（ｉ））。
ダイシングソー２７５ａによる切断は、（図１３（ｈ））に示すように、凹部２３７とは反対側にて行うもので、この部分は加工用素材の厚さより薄肉で、容易に切断できる。
ダイシングソー２７５ａによる切断状態は、例えば、図１５（ａ）や、図１５（ｂ）のようになる。
尚、サポートバー（図１の１６０、１６０Ａ）の延設部分（図１の１６５）を切断するラインが加工シートの長手方向の切断ラインである。
尚、図１５において、単位の樹脂封止型半導体装置３０１は、切断ライン３８５にて互いに分けられる各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図１３の支持部２３５を凹部２３７とは反対側で切断する。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面となる。
尚、切り欠け部２３７Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例（第１の例）の説明に代える。
先ず、加工用素材２１０の両面に所定形状にレジスト２２０を配設し（図１３（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置１０１の各端子部材１１０とサポートバー１６０、１６０Ａの配置に対応して、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、加工用素材２１０の両面からエッチングを行なう。このことにより、外部端子部２３１同士が支持部２３５にて連結された一対の端子部材２３０からなる多数の連結端子部材２３０ａと、延設部分１６５を含む多数のサポートバー１６０、１６０Ａとを含む加工シート２１０Ａが得られる（図１３（ｂ））。
尚、通常、支持部２３５として、枠状のもの（フレームとも言う）が用いられる。
エッチング加工時には、支持部２３５に、端子部材２３０と図示していないサポートバー（図１の１６０、１６０Ａ）が支持される。
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材１１０とサポートバー１６０、１６０Ａとが支持部２３５にて連結され面付けされた、加工シート２１０Ａを得る。
加工用素材２１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト２２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト２２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成されるとともに、表面めっきが施された加工シート２１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を平板状の多孔板２４０にて真空引きし、加工シート２１０Ａを多孔板２４０に密着させたる（図１３（ｃ））。この状態で面付け分の数だけ、半導体素子２５０を多孔板２４０上の所定の位置に位置決めして、半導体素子２５０の裏面を真空引き用の多孔板２４０にて真空引きして、該多孔板２４０に搭載する。（図１３（ｄ））
尚、真空ポンプ、真空配管等、真空引き用の多孔板２４０の真空引き源は別にあるが、ここでは図示していない。
次いで、この状態で、各半導体素子２５０について、その端子（図１の１２１に相当）と端子部材２３０の内部端子部（図１の１１２に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図１３（ｅ））
次いで、多孔板２４０を外し、これに代え、モールド用のテープ２７０、２７１を、加工シート２１０Ａの両面に、それぞれ、各面を覆うように、平面状に貼る。また半導体素子２５０の裏面をテープ２７０にて貼り固定する。さらにテープ２７０、２７１上をモールド固定用の平板２７０ａ、２７１ａにて挟み、加工シート２１０Ａ全体について、一括してモールドを行い、表裏のモールド固定用の平板を取り外す。（図１３（ｆ））
尚、加工シート２１０Ａの端子部材２３０を支持する支持部２３５は、通りぬけ孔を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
次いで、モールド用のテープ２７０、２７１およびモールド固定用の平板２７０ａ、２７１ａを剥がし、切断用のテープ２７５を貼り（図１３（ｇ））、該切断用のテープ２７５とは反対側からダイシングソー２７５ａにて切断して（図１３（ｈ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して形成する（図１３（ｉ））。
ダイシングソー２７５ａによる切断は、（図１３（ｈ））に示すように、凹部２３７とは反対側にて行うもので、この部分は加工用素材の厚さより薄肉で、容易に切断できる。
ダイシングソー２７５ａによる切断状態は、例えば、図１５（ａ）や、図１５（ｂ）のようになる。
尚、サポートバー（図１の１６０、１６０Ａ）の延設部分（図１の１６５）を切断するラインが加工シートの長手方向の切断ラインである。
尚、図１５において、単位の樹脂封止型半導体装置３０１は、切断ライン３８５にて互いに分けられる各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図１３の支持部２３５を凹部２３７とは反対側で切断する。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面となる。
尚、切り欠け部２３７Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の別の１例（第２の例）を、図１４に基づいて、説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例（第２の例）の説明に代える。
先ず、加工用素材３１０の両面に所定形状にレジスト３２０を配設し（図１４（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置１０１の各端子部材１１０とサポートバー１６０、１６０Ａの配置に対応して、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、加工用素材３１０の両面からエッチングを行なう。このようにして、外部端子部３３１同士が支持３３５にて連結された一つの端子部材３３０からなる多数の連結端子部材３３０ａと、延設部分１６５を含む対数のサポートバー１６０、１６０Ａとを含む、加工シート３１０Ａが得られる。
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材１０１と、サポートバー１６０、１６０Ａとが支持部３３５にて連結され、面付けされた加工シート３１０Ａを得る。
次いで、レジスト３２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、表面めっきが施された加工シート３１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープ３４０を貼る（図１４（ｃ））。次に面付け分の数だけ、半導体素子３５０をテープ３４０上の所定の位置に位置決めして、半導体素子３５０の裏面を前記テープ３４０に貼り付け搭載する。（図１４（ｄ））
次いで、この状態で、各半導体素子３５０について、その端子と端子部材３３０の内部端子部３３２の端子面とをワイヤボンディング接続する。（図１４（ｅ））
次いで、モールド用のテープ３４１を、加工シート３１０Ａの前記テープ３４０とは反対側の面に、覆うように、平面状に貼る。このようにして、半導体素子３５０の裏面をテープ３４０にて貼り固定した状態で、加工シート３１０Ａの表裏を、それぞれ、テープ３４０、３４１を介して、モールド固定用の平板３７１、３７２にて挟み、加工シート３１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図１４（ｆ））
ここでは、半導体素子３５０を所定の位置に位置決めする際のテープをそのままモールド用のテープとして使用している。
次いで、加工シート３１０Ａの表裏のモールド固定用の平板３７１、３７２を除去し（図１４（ｇ））、更にテープ３４０、３４１を除去し、切断用のテープ３４５を貼り（図１４（ｈ））、該切断用のテープ３４５とは反対側からダイシングソー３４５ａにて切断して（図１４（ｉ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して形成する（図１４（ｊ））。
尚、図１４に示す製造方法においても、各工程の処理、各部材等は、基本的に、図１３に示す製造方法に準じるもので、ここでは、説明を省いている。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例（第２の例）の説明に代える。
先ず、加工用素材３１０の両面に所定形状にレジスト３２０を配設し（図１４（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置１０１の各端子部材１１０とサポートバー１６０、１６０Ａの配置に対応して、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、加工用素材３１０の両面からエッチングを行なう。このようにして、外部端子部３３１同士が支持３３５にて連結された一つの端子部材３３０からなる多数の連結端子部材３３０ａと、延設部分１６５を含む対数のサポートバー１６０、１６０Ａとを含む、加工シート３１０Ａが得られる。
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材１０１と、サポートバー１６０、１６０Ａとが支持部３３５にて連結され、面付けされた加工シート３１０Ａを得る。
次いで、レジスト３２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、表面めっきが施された加工シート３１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープ３４０を貼る（図１４（ｃ））。次に面付け分の数だけ、半導体素子３５０をテープ３４０上の所定の位置に位置決めして、半導体素子３５０の裏面を前記テープ３４０に貼り付け搭載する。（図１４（ｄ））
次いで、この状態で、各半導体素子３５０について、その端子と端子部材３３０の内部端子部３３２の端子面とをワイヤボンディング接続する。（図１４（ｅ））
次いで、モールド用のテープ３４１を、加工シート３１０Ａの前記テープ３４０とは反対側の面に、覆うように、平面状に貼る。このようにして、半導体素子３５０の裏面をテープ３４０にて貼り固定した状態で、加工シート３１０Ａの表裏を、それぞれ、テープ３４０、３４１を介して、モールド固定用の平板３７１、３７２にて挟み、加工シート３１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図１４（ｆ））
ここでは、半導体素子３５０を所定の位置に位置決めする際のテープをそのままモールド用のテープとして使用している。
次いで、加工シート３１０Ａの表裏のモールド固定用の平板３７１、３７２を除去し（図１４（ｇ））、更にテープ３４０、３４１を除去し、切断用のテープ３４５を貼り（図１４（ｈ））、該切断用のテープ３４５とは反対側からダイシングソー３４５ａにて切断して（図１４（ｉ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して形成する（図１４（ｊ））。
尚、図１４に示す製造方法においても、各工程の処理、各部材等は、基本的に、図１３に示す製造方法に準じるもので、ここでは、説明を省いている。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
上記、図１３、図１４に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法における各処理工程は、いずれも、第２の例の樹脂封止型半導体装置〜第６の例の樹脂封止型半導体装置の製造にも適用できる。第２の例〜第６の例の各樹脂封止型半導体装置は、上記図１３、図１４に示す製造方法において、前記加工用シート（２１０Ａ，３１０Ａに相当）を、各半導体装置に対応した、所定の加工シートに代え、且つ、樹脂封止する前に、半導体素子の表面（端子面）側に、テープを介して、サポートバーあるいは連結部を固定する工程（テープ貼り付け工程）を付け加えれば良く、ここでは、これらの製造方法の詳細な説明は省く。
尚、本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記の第１の例〜第５の例に限定されない。
例えば、第１の例〜第５の例において、半導体素子の端子面側の樹脂部表面に、窪み１４５を設けてもよい（図１６）。
例えば、第１の例において窪み４５を設けた形態の断面図は図１６のようになる。
この場合、窪みを設けていることにより、それぞれ、第１の例〜第５の例に比べて、熱ストレス時の反りを低減できる。
窪みは封止用の樹脂部が樹脂封止機能を十分果たせる範囲で、その大きさ、深さは任意に選択できる。
窪み４５の大きさは、ワイヤ、インナーリード、サポートバー等に当たらぬサイズで、その深さは、通常、半導体素子の端子面側の樹脂部表面から半導体素子の端子面までの厚さの半分以下とする。
窪みとしては、円柱状、あるいは、矩形柱状の断面を有してもよい。
例えば、第１の例〜第５の例において、半導体素子の端子面側の樹脂部表面に、窪み１４５を設けてもよい（図１６）。
例えば、第１の例において窪み４５を設けた形態の断面図は図１６のようになる。
この場合、窪みを設けていることにより、それぞれ、第１の例〜第５の例に比べて、熱ストレス時の反りを低減できる。
窪みは封止用の樹脂部が樹脂封止機能を十分果たせる範囲で、その大きさ、深さは任意に選択できる。
窪み４５の大きさは、ワイヤ、インナーリード、サポートバー等に当たらぬサイズで、その深さは、通常、半導体素子の端子面側の樹脂部表面から半導体素子の端子面までの厚さの半分以下とする。
窪みとしては、円柱状、あるいは、矩形柱状の断面を有してもよい。
１０１〜１０４ 樹脂封止型半導体装置
１０１ａ〜１０４ａ 樹脂封止型半導体装置
１０１ｂ〜１０４ｂ 樹脂封止型半導体装置
１０１ｃ〜１０４ｃ 樹脂封止型半導体装置
１１０ 端子部材
１１１ 外部端子部
１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ 端子面
１１２ 内部端子部
１１２ａ 端子面（ハーフエッチング面）
１１３ 連結部
１１４ 切り欠け部
１１６ 先端部
１１６Ｓ （先端の）側面
１１７ グルーブ（溝部）
１２０、１２０ａ、１２０ｂ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０Ａ、１２０Ａａ、１２０Ａｂ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０Ｍ 半導体素子
１２１ 端子
１３０ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
１４５ 窪み
１６０、１６０Ａ サポートバー
１６１ａ，１６２ａ 薄肉部
１６２ 厚肉部
１６５ 延設部分
１７０、１７１ 連結部（サポートバーとも言う）
１７０ａ サポートバー
１７２、１７３ 連結部
１８０、１８１ テープ（ここでは両面テープ）
１９０ 半田ペースト（導電性ペーストとも言う）
１９５ 基材
２１０ 加工用素材
２１０Ａ 加工シート
２２０ レジスト
２３０ 端子部材
２３１ 外部端子部
２３２ 内部端子部
２３３ 連結部
２３５ 支持部（連結部とも言う）
２３７ 凹部
２３７Ａ 切り欠け部
２４０ 平板状の多孔板（真空引き板とも言う）
２５０ 半導体素子
２６０ ボンディングワイヤ
２７０、２７１ （固定用、モールド用の）テープ
２７５ （ダイシング用の）テープ
２８０ 封止用樹脂
３０１ 単位の樹脂封止型半導体装置
３１０ 加工用素材
３１０Ａ 加工シート
３１５ 枠部
３１６ 治具孔
３１７ 長孔部
３２０ レジスト
３３０ 端子部材
３３５ 支持部（連結部とも言う）
３３７ 凹部
３３７Ａ 切り欠け部
３４０、３４１ （固定用、モールド用の）テープ
３４５ （切断用の）テープ
３５０ 半導体素子
３６０ ボンディングワイヤ
３７１、３７２ モールド固定用の平板
３８０ 封止用樹脂
３８５ 切断ライン
３８６ 切断目印（貫通孔あるいは窪み）
４０１〜４０８ 樹脂封止型半導体装置
１０１ａ〜１０４ａ 樹脂封止型半導体装置
１０１ｂ〜１０４ｂ 樹脂封止型半導体装置
１０１ｃ〜１０４ｃ 樹脂封止型半導体装置
１１０ 端子部材
１１１ 外部端子部
１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ 端子面
１１２ 内部端子部
１１２ａ 端子面（ハーフエッチング面）
１１３ 連結部
１１４ 切り欠け部
１１６ 先端部
１１６Ｓ （先端の）側面
１１７ グルーブ（溝部）
１２０、１２０ａ、１２０ｂ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０Ａ、１２０Ａａ、１２０Ａｂ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０Ｍ 半導体素子
１２１ 端子
１３０ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
１４５ 窪み
１６０、１６０Ａ サポートバー
１６１ａ，１６２ａ 薄肉部
１６２ 厚肉部
１６５ 延設部分
１７０、１７１ 連結部（サポートバーとも言う）
１７０ａ サポートバー
１７２、１７３ 連結部
１８０、１８１ テープ（ここでは両面テープ）
１９０ 半田ペースト（導電性ペーストとも言う）
１９５ 基材
２１０ 加工用素材
２１０Ａ 加工シート
２２０ レジスト
２３０ 端子部材
２３１ 外部端子部
２３２ 内部端子部
２３３ 連結部
２３５ 支持部（連結部とも言う）
２３７ 凹部
２３７Ａ 切り欠け部
２４０ 平板状の多孔板（真空引き板とも言う）
２５０ 半導体素子
２６０ ボンディングワイヤ
２７０、２７１ （固定用、モールド用の）テープ
２７５ （ダイシング用の）テープ
２８０ 封止用樹脂
３０１ 単位の樹脂封止型半導体装置
３１０ 加工用素材
３１０Ａ 加工シート
３１５ 枠部
３１６ 治具孔
３１７ 長孔部
３２０ レジスト
３３０ 端子部材
３３５ 支持部（連結部とも言う）
３３７ 凹部
３３７Ａ 切り欠け部
３４０、３４１ （固定用、モールド用の）テープ
３４５ （切断用の）テープ
３５０ 半導体素子
３６０ ボンディングワイヤ
３７１、３７２ モールド固定用の平板
３８０ 封止用樹脂
３８５ 切断ライン
３８６ 切断目印（貫通孔あるいは窪み）
４０１〜４０８ 樹脂封止型半導体装置
Claims (29)
- 対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、
半導体素子の２短辺の各々の近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、
半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、
半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、
半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、
内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、
サポートバーは半導体素子の２長辺の各々の近傍に、各長辺に平行に配置された一対の長辺サポートバーを有し、半導体素子の２短辺近傍に位置する複数の端子部材と、半導体素子の２長辺近傍に位置する一対の長辺サポートバーによって半導体素子を囲むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - サポートバーは樹脂封止部の外方へ露出する延設部分を有することを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 長辺サポートバーの両端部は各々端子部材まで延びていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- サポートバーはテープを介して半導体素子に取付けられていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 樹脂封止部の表面側に窪みが設けられていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 窪みは円柱状または矩形柱状断面を有することを特徴とする請求項５記載の樹脂封止型半導体装置。
- 各端子部材は加工用素材を用いてエッチング加工法により作製され、外部端子部は加工用素材の厚みを保って厚肉に形成され、内部端子部は加工用素材の表面側からハーフエッチングを施して薄肉に形成され、
内部端子部の長手方向に平行な内側断面において、表面と内側側面との間に鋭角が形成されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 内部端子部の内側端部は、平面からみて先細状となっていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 端子部材の内部端子部および外部端子部のうち、樹脂封止部に接する面に粗面化処理が施されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 粗面化処理が施された面において、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）は、１μｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項９記載の樹脂封止型半導体装置。
- 外部端子部の外側上部には、切り欠け部が形成され、外部端子部の表面外縁は、外側側面より内方に入り込むことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 内部端子部の表面、および外部端子部の表面および裏面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 半導体素子の厚みが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上下方向に互いに重ね合わされ、電気的に接続された２以上の樹脂封止型半導体装置を備えた積層型樹脂封止型半導体装置において、
各樹脂封止型半導体装置は、
対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、
半導体素子の２短辺の各々の近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、
半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、
半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、
半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、
内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、
サポートバーは半導体素子の２長辺の各々の近傍に、各長辺に平行に配置された一対の長辺サポートバーを有し、半導体素子の２短辺近傍に位置する複数の端子部材と、半導体素子の２長辺近傍に位置する一対の長辺サポートバーによって半導体素子を囲むことを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置。 - 上下方向に互いに重ね合わされ電気的に接続された２以上の樹脂封止型半導体装置からなる複数の組を、互いの側面で電気的に接続してなる積層型樹脂封止型半導体装置において、
各樹脂封止型半導体装置は、
対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、
半導体素子の２短辺の各々の近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、
半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、
半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、
半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、
内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、
サポートバーは半導体素子の２長辺の各々の近傍に、各長辺に平行に配置された一対の長辺サポートバーを有し、半導体素子の２短辺近傍に位置する複数の端子部材と、半導体素子の２長辺近傍に位置する一対の長辺サポートバーによって半導体素子を囲むことを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置。 - 上側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の外側側面と、下側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の外側側面は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１５または１６に記載の積層型樹脂封止型半導体装置。
- 対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺の各々の近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、サポートバーは半導体素子の２長辺の各々の近傍に、各長辺に平行に配置された一対の長辺サポートバーを有し、半導体素子の２短辺近傍に位置する複数の端子部材と、半導体素子の２長辺近傍に位置する一対の長辺サポートバーによって半導体素子を囲むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
加工用素材を用いてエッチング加工法により、各々外部端子部同士が連結された一対の端子部材からなる複数の連結端子部材と、複数のサポートバーとを含む加工シートを得る工程と、
加工シートの裏面を真空引き板により真空吸着保持し、この状態で連結端子部材間の真空引き板上に半導体素子を搭載するとともに、連結端子部材と半導体素子間をボンディングワイヤで接続する工程と、
加工シートを真空引き板から外し、加工シートの表面および裏面にモールド用テープを介してモールド固定用平板を設けて、モールド固定用平板間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部を形成する工程と、
樹脂封止部の表面および裏面からモールド用テープおよびモールド固定用平板を取り外し、
樹脂封止部に切断用テープを貼って、各半導体素子毎に樹脂封止部を切断する工程とを備え、
樹脂封止部を切断する際、各連結端子部材の外部端子部間を切断して、連結端子部材を各々の端子部材に分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 真空引き板は、全面に形成された真空吸着用の孔を含むことを特徴とする請求項１８記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 対向する２長辺と対向する２短辺を有する半導体素子と、半導体素子の２短辺の各々の近傍に位置し、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子および端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材、サポートバーおよびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出し、サポートバーは半導体素子の２長辺の各々の近傍に、各長辺に平行に配置された一対の長辺サポートバーを有し、半導体素子の２短辺近傍に位置する複数の端子部材と、半導体素子の２長辺近傍に位置する一対の長辺サポートバーによって半導体素子を囲むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
加工用素材を用いてエッチング加工法により、各々外部端子部同士が連結された一対の端子部材からなる複数の連結端子部材と、複数のサポート部材とを含む加工シートを得る工程と、
加工シートの裏面にモールド用テープを貼り付けて、モールド用テープにより加工シートを保持し、この状態で連結端子部材間のモールド用テープ上に半導体素子を搭載するとともに、連結端子部材と半導体素子間をボンディングワイヤで接続する工程と、
加工シートの表面にモールド用テープを貼る工程と、
加工用シートの表面および裏面に、モールド用テープを介してモールド固定用平板を設けて、モールド固定用平板間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部を形成する工程と、
樹脂封止部の表面および裏面からモールド固定用平板を取り外し、樹脂封止部に切断用テープを貼って、各半導体素子毎に樹脂封止部を切断する工程とを備え、
樹脂封止部を切断する際、各連結端子部材の外部端子部間を切断して、連結端子部材を各々の端子部材に分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の２短辺の各々の近傍に位置し、外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、 端子部材から電気的に絶縁されたサポートバーと、を備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、２段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、
サポートバーは半導体素子の２長辺の各々の近傍に、各長辺に平行に配置された一対の長辺サポートバーを有し、半導体素子の２短辺近傍に位置する複数の端子部材と、半導体素子の２長辺近傍に位置する一対の長辺サポートバーによって半導体素子を囲むことを特徴とする半導体装置用基材。 - サポートバーは長辺サポートバーを有し、この長辺サポートバーの両端部は各々端子部材まで延びていることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用基材。
- 各端子部材は加工用素材を用いてエッチング加工法により作製され、外部端子部は加工用素材の厚みを保って厚肉に形成され、内部端子部は加工用素材の表面側からハーフエッチングを施して薄肉に形成され、
内部端子部の長手方向に平行な内側断面において、表面と内側側面との間に鋭角が形成されていることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用基材。 - 内部端子部の内側端部は、平面からみて先細状となっていることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用基材。
- 端子部材の内部端子部および外部端子部のうち、各々の表面に粗面化処理が施されていることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用基材。
- 粗面化処理が施された面において、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）は、１μｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項２５記載の半導体装置用基材。
- 外部端子部の外側上部には、切り欠け部が形成され、外部端子部の表面外縁は、外側側面より内方に入り込むことを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用基材。
- 端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用基材。
- 内部端子部の表面、および外部端子部の表面および裏面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられていることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用基材。
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