JP3500362B2 - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージの底面
に行列状に配置されて露出する外部端子である複数のラ
ンドを有するランドグリッドアレイ(land grid array:
ＬＧＡ)用のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化及び高機能化に
対応するため、半導体部品の高密度実装がますます強く
要求されるようになってきている。これに伴って、半導
体チップとリードとをモールド樹脂材により一体に封止
してなる樹脂封止型半導体装置の小型化及び薄型化が急
速に進展しており、小型化及び薄型化を図りながら、さ
らなる多ピン化が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に用い
るリードフレームについて図面を参照しながら説明す
る。
【０００４】図１２は従来のリードフレームの平面構成
を示している。図１２に示すリードフレーム１００は、
方形のパッケーッジの四方の側面から外部ピンが外側に
延びる構成を採るＱＦＰ(quad flat package）用のリー
ドフレームである。図１２に示すように、リードフレー
ム１００は、フレーム枠部１０１と、該フレーム枠部１
０１の中央部に配置された方形状のダイパッド部１０２
と、一端がダイパッド部１０２の一辺と間隔をおいて対
向するインナリード部１０３と、一端がインナリード部
１０３の他端と接続され、他端がフレーム枠部１０１と
接続されたアウタリード部１０４とを有している。アウ
タリード部１０４は、封止用樹脂の樹脂止めとなるタイ
バー部１０５により互いに連結されており、ダイパッド
部１０２は、その４隅が吊りピン１０６によってタイバ
ー部１０５に支持されている。
【０００５】また、破線１０９は、封止用樹脂材により
封止される封止領域を示している。
【０００６】ここでは、リードフレーム１００の１つの
装置分のみを示したが、通常は図１２に示すパターンが
複数個配列されて構成される。
【０００７】図１３はリードフレーム１００を用いた樹
脂封止型半導体装置の断面構成を示している。図１３に
おいて、図１２に示す構成部材と同一の構成部材には同
一の符号を付している。
【０００８】図１３に示すように、ダイパッド１０２の
上には半導体素子１０７が接着材又は半田材等により固
着され、半導体素子１０７とインナリード部１０３とは
金属細線１０８により電気的に接続されている。また、
ダイパッド部１０２、その上に固着された半導体素子１
０７、金属細線１０８及びインナリード部１０３は封止
用樹脂材１０９Ａにより、ダイパッド部１０２の底面側
を含めて一体に封止されている。封止用樹脂材１０９Ａ
の側面から素子保持面と平行な方向に延びるアウタリー
ド部１０４は、素子保持面と反対側の方向に屈曲（ベン
ディング）されて表面実装を可能としている。
【０００９】ところで、前記従来のリードフレームは、
半導体素子１０７が高集積化され、外部電極の数が増え
て、さらに多ピン構成となった場合に、インナリード部
１０３及びアウタリード部１０４の幅寸法に限界があ
り、今以上の多ピン構成に対応するには、リードの本数
が増えるため、リードフレーム１００自体の外形寸法が
大きくなってしまい、小型化及び薄型化に逆行してしま
う。また、リードの幅を小さくすると、今度はリードフ
レームの加工が困難となる。
【００１０】そこで、最近、面実装型の半導体装置とし
て、底面にボール電極やランド電極を設けた配線基板
（キャリア）における底面と反対側の面上に半導体素子
を保持し、半導体素子とこれら電極とが電気的に接続さ
れたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型又はランドグリ
ッドアレイ（ＬＧＡ）型の半導体装置が開発されてい
る。
【００１１】ＢＧＡ型及びＬＧＡ型の半導体装置は、そ
の底面をマザー基板と対向させて実装し、底面から露出
したボール又はランドの外部電極を直接にマザー基板の
電極と接続する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢＧＡ
型又はＬＧＡ型の半導体装置は、セラミック材や樹脂材
からなる積層された多層の配線基板を用いるため、製造
工程も複雑となり、極めて高価となるという問題があ
る。
【００１３】また、図１２及び図１３に示した従来の樹
脂封止型半導体装置の製造方法を、ＢＧＡ型又はＬＧＡ
型の半導体装置の製造方法に流用しようとしても、外部
端子となる複数のランドを加工前にフレーム枠と接続し
ておく連結支持部を設ける必要から、３列以上のランド
を設けようとすると、小型化は不可能であるという問題
がある。
【００１４】その上、従来の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、ＢＧＡ型又はＬＧＡ型等の面実装型の半導体
装置と比べて基板への実装時の精度が低くなる。例え
ば、図１２に示すビーム形状のアウタリード部１０４
は、封止用樹脂材１０９Ａの側面から外側に直線状に延
びるため、アウタリード部１０４の先端部の底面の位置
が少なくとも封止用樹脂材１０９Ａの底面の位置にまで
ベンディングする必要があり、このときのベンディング
工程において、アウタリード部１０４のベンディングの
程度にばらつきが生じるからである。
【００１５】本発明は、前記従来の問題を解決し、単層
の金属板から多列構成のランド、特に３列以上のランド
を有するリードフレームを持つ樹脂封止型半導体装置を
実現できるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、樹脂封止型半導体装置に用いる金属板か
らなるリードフレームを、フレーム枠部とダイパッド部
との間に複数のランドを行列状に配置し、配置した複数
のランドとフレーム枠部とをリード保持材によってフレ
ーム枠部の少なくとも一方の面側から保持する構成とす
る。
【００１７】具体的には、本発明に係る第１の樹脂封止
型半導体装置は、ダイパッド部と、該ダイパッド部の上
に保持された半導体素子と、ダイパッド部の周辺部で且
つダイパッド部と一側部との間に３列以上の行列状に配
置され、少なくともその一部が孤立した複数のインナリ
ード部と、半導体素子、ダイパッド部及び複数のインナ
リード部を、該インナリード部におけるダイパッド部の
素子保持面と反対側の面を露出するように一体に封止す
る封止樹脂部とを備え、ダイパッド部及び複数のインナ
リード部は同一の金属板から形成されており、複数のイ
ンナリード部は、ダイパッド部の下面側にその頂面が封
止樹脂部から露出する凸部を有し、該凸部の周辺部に
は、その先端部が頂面を超えない程度に下面と垂直な方
向に延びる突起部が形成されている。
【００１８】第１の樹脂封止型半導体装置によると、同
一の金属板から形成されたダイパッド部及び複数のイン
ナリード部のうち少なくともその一部が孤立したインナ
リード部を備え、該複数のインナリード部は、ダイパッ
ド部の周辺部で且つダイパッド部と一側部との間に３列
以上の行列状に配置されているため、単層の金属板から
多列構成のランド、特に３列以上のランドを有するリー
ドフレームを持つ樹脂封止型半導体装置を実現できる。
【００１９】その上、複数のインナリード部が、ダイパ
ッド部の下面側にその頂面が封止樹脂部から露出する凸
部を有し、該凸部の周辺部には、その先端部が頂面を超
えない程度に下面と垂直な方向に延びる突起部が形成さ
れているため、すなわち、リードフレームの製造工程の
前工程において、例えば、インナリード部がフレーム枠
部から延びる連結支持部により支持されており、該連結
支持部を後工程においてスタンパ（金型パンチ）等によ
りせん断加工する際に生じるかえり（ｂｕｒｒ）の先端
部が凸部の頂面を超えない程度に形成されているため、
封止用樹脂材により樹脂封止する際に凸部の頂面のみを
確実に露出することができる。
【００２０】第１の樹脂封止型半導体装置において、ダ
イパッド部がその下面に凹部を有していることが好まし
い。このようにすると、封止樹脂部の底面から半導体素
子までの距離が長くなるため、封止樹脂部の内部に水分
等が侵入しにくくなる。また、半導体素子の底面側にも
樹脂材がより厚く充填されるので、半導体素子が樹脂材
の上方から受ける応力が低減される。
【００２１】第１の樹脂封止型半導体装置において、複
数のインナリード部は封止樹脂部の側面から露出してい
ないことが好ましい。このようにすると、本発明の樹脂
封止型半導体装置を実装基板に実装した際に生じる側面
からのリーク電流を防止することができる。
【００２２】本発明に係る第２の樹脂封止型半導体装置
は、ダイパッド部と、ダイパッド部の上に保持された半
導体素子と、ダイパッド部の周辺部に配置された複数の
ランド部と、ダイパッド部の周辺部に配置され、複数の
ランド部同士の間に配置されたインナリード部と、半導
体素子、ダイパッド部、複数のランド部及びインナリー
ド部を、該ランド部におけるダイパッド部の素子保持面
と反対側の面を露出するように一体に封止する封止樹脂
部とを備え、インナリード部は、上面がランド部の頂面
の高さと同等で且つ下面がランド部の下面よりも高くな
るように設けられ、ランド部におけるインナリード部が
延びる方向に対して垂直な方向の断面形状は、インナリ
ード部の側面と対向する上部が小さい断面凸字状であ
る。
【００２３】第２の樹脂封止型半導体装置によると、一
のランド部同士の間に他のランド部同士を接続するイン
ナリード部を設ける場合であっても、該ランド部が上面
側に凸部を有するため、インナリード部がランド部の側
面同士の間隔が下部よりも大きい上部の側方領域に位置
するので、ランド部を小さくしたり、インナリード部の
径を小さくすることなく、ランド部間に確実にインナリ
ード部を設けることができる。
【００２４】本発明に係る第１の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、
該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部によりそれ
ぞれ支持される複数のダイパッド部と、各ダイパッド部
の周縁部と接続された複数の内側インナリード部と、フ
レーム枠部と接続された複数の外側インナリード部とを
一体に形成する第１の工程と、複数の内側インナリード
部の各ダイパッド部からそれぞれ間隔をおいた部分、及
び複数の外側インナリード部のフレーム枠部からそれぞ
れ間隔をおいた部分で且つダイパッド部の素子保持面側
と反対側の面に凸部を形成する第２の工程と、少なくと
も複数の内側インナリード部及びフレーム枠部における
素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保
持材を設けることにより、複数の内側インナリード部及
びフレーム枠部をリード保持材により保持する第３の工
程と、複数の内側インナリード部の少なくとも一部にお
ける凸部と各ダイパッド部との間の領域を除去して、複
数の内側インナリード部と各ダイパッド部とを選択的に
絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレー
ムを形成する第４の工程と、リードフレームの各ダイパ
ッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第
５の工程と、金属細線により、各半導体素子と、絶縁さ
れた複数の内側インナリード部及び複数の外側インナリ
ード部とをそれぞれ電気的に接続する第６の工程と、リ
ード保持材がリードフレームの素子保持面側に設けられ
ている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持材
を除去する第７の工程と、内側インナリード部の各凸部
及び外側インナリード部の各凸部の頂面を露出するよう
に、複数の半導体素子、複数のダイパッド部、複数の内
側インナリード部及び複数の外側インナリード部を封止
用樹脂材により封止する第８の工程と、リード保持材が
リードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられて
いる場合に、該素子保持面と反対の面側に設けられたリ
ード保持材を除去する第９の工程と、リードフレームを
複数の半導体素子のうちの少なくとも１つが含まれるよ
うにチップ状に分割する第１０の工程とを備えている。
【００２５】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
よると、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレ
ーム枠部に支持されるダイパッド部と、該ダイパッド部
の周縁部に支持される複数の内側インナリード部と、フ
レーム枠部に支持される複数の外側インナリード部とを
一体に形成しておき、その後、複数の内側インナリード
部及び外側インナリード部におけるダイパッド部の素子
保持面と反対側の面にそれぞれ凸部を形成し、少なくと
も複数の内側インナリード部及びフレーム枠部の素子保
持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を
設けるため、この後、複数の内側インナリード部の少な
くとも一部の凸部とダイパッド部との間の領域を除去す
ることにより、複数の内側インナリード部とダイパッド
部とを、せん断加工やエッチング加工等により選択的に
絶縁したとしても、内側インナリード部がフレーム枠部
から脱離する虞がない。従って、内側インナリード部
に、フレーム枠部により支持される連結支持部（サポー
ト部）を設けなくても済むため、例えば３列以上のラン
ドをフレーム枠部とダイパッド部との間に設けたとして
も、フレーム枠部の小型化を妨げることがないので、単
層の金属板から多列構成のランドを有するリード保持材
付きのリードフレームを容易に且つ確実に得ることがで
きる。続いて、内側インナリード部の各凸部及び外側イ
ンナリード部の各凸部の頂面を露出するように、複数の
半導体素子、ダイパッド部、内側インナリード部及び外
側インナリード部を封止用樹脂材により封止し、リード
保持材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設
けられている場合には、リード保持材を除去した後、リ
ードフレームを複数の半導体素子のうちの少なくとも１
つが含まれるようにチップ状に分割するので、本発明の
第１の樹脂封止型半導体装置を確実に実現することがで
きる。
【００２６】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第２の工程が、複数の内側インナリード部の凸
部形成領域と各ダイパッド部との間の領域、及び複数の
外側インナリード部の凸部形成領域とフレーム枠部との
間の領域における素子保持面側と反対側の面に対してエ
ッチングを行なうことにより、凸部を形成する工程を含
むことが好ましい。このようにすると、このようにする
と、ランドとなる凸部を確実に且つ微細に形成すること
ができる。
【００２７】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第２の工程が、複数の内側インナリード部の凸
部形成領域と各ダイパッド部との間の領域、及び複数の
外側インナリード部の凸部形成領域とフレーム枠部との
間の領域における素子保持面側と反対側の面を押圧する
ことにより、凸部を形成する工程を含むことが好まし
い。このようにすると、このようにすると、ランドとな
る凸部を確実に且つ容易に形成することができる。
【００２８】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第４の工程が、凸部とダイパッド部との間の領
域を切断手段を用いて切断することにより、凸部とダイ
パッド部とを絶縁する工程を含むことが好ましい。この
ようにすると、凸部とダイパッド部との間の領域を容易
に且つ確実に絶縁することができるので、互いに絶縁さ
れた凸部からなるランドを確実に形成することができ
る。
【００２９】この場合に、切断手段が凸部及びダイパッ
ド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有していること
が好ましい。このようにすると、凸部等の周辺部にかえ
りが生じなくる。さらに、このような打ち抜きにより切
断すると切断くずが生じるが、生じた切断くずをリード
保持材に保持させることにより、切断くずの製造工程に
対する影響を及ぼさないようにすることができる。
【００３０】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第７の工程又は第９の工程が、リード保持材を
化学的に溶解して除去することが好ましい。このように
すると、リード保持材を機械的方法に依らずに除去する
ことができるので、製造工程を簡単化することができ
る。
【００３１】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第１０の工程が、リードフレームをダイシング
ブレードを用いて切断することが好ましい。このように
すると、リードフレームに複数のダイパッド部を有して
いても、個々の樹脂封止型半導体装置に確実に分割する
ことができる。
【００３２】本発明に係る第２の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、
該フレーム枠部の内側から延びる第１の連結支持部によ
りそれぞれ支持されると共に第２の連結支持部により互
いに連結された複数のインナリード部及び複数のダイパ
ッド部とを一体に形成する第１の工程と、複数のインナ
リード部における各ダイパッド部の素子保持面側と反対
側の面にそれぞれ間隔をおくように凸部を形成する第２
の工程と、複数のインナリード部及びフレーム枠部にお
ける素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリー
ド保持材を設けることにより、インナリード部及びフレ
ーム枠部をリード保持材により保持する第３の工程と、
複数のインナリード部における第２の連結支持部の少な
くとも一部における、互いに隣接する凸部同士の間又は
互いに隣接する凸部とダイパッド部との間の領域を除去
して複数のインナリード部を選択的に絶縁することによ
り、リード保持材付きのリードフレームを形成する第４
の工程と、リードフレームの各ダイパッド部の上面に複
数の半導体素子をそれぞれ保持する第５の工程と、金属
細線により、各半導体素子と、絶縁された複数のインナ
リード部とをそれぞれ電気的に接続する第６の工程と、
リード保持材がリードフレームの素子保持面側に設けら
れている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持
材を除去する第７の工程と、インナリード部の各凸部の
頂面を露出するように、複数の半導体素子、複数のダイ
パッド部及び複数のインナリード部を封止用樹脂材によ
り封止する第８の工程と、リード保持材がリードフレー
ムの素子保持面と反対の面側に設けられている場合に、
該素子保持面と反対の面側に設けられたリード保持材を
除去する第９の工程と、リードフレームを複数の半導体
素子のうちの少なくとも１つが含まれるようにチップ状
に分割する第１０の工程とを備えている。
【００３３】第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
よると、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレ
ーム枠部の内側から延びる第１の連結支持部により支持
されると共に第２の連結支持部により互いに連結された
複数のインナリード部及びダイパッド部とを一体に形成
しておき、その後、複数のインナリード部におけるダイ
パッド部の素子保持面と反対側の面にそれぞれ間隔をお
くように凸部を形成し、複数のインナリード部及びフレ
ーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側
にリード保持材を設けるため、この後、複数のインナリ
ード部における第２の連結支持部の少なくとも一部の、
互いに隣接する凸部同士の間又は互いに隣接する凸部と
ダイパッド部との間の領域を除去することにより、複数
のインナリード部とダイパッド部とを、せん断加工やエ
ッチング加工等により選択的に絶縁したとしても、イン
ナリード部及びダイパッド部がフレーム枠部から脱離す
る虞がない。従って、インナリード部及びダイパッド部
とフレーム枠部とを連結して支持する連結支持部（サポ
ート部）を設けなくても済むため、例えば３列以上のラ
ンドをフレーム枠部とダイパッド部との間に設けたとし
ても、フレーム枠部の小型化を妨げることがないので、
単層の金属板から多列構成のランドを有するリード保持
材付きのリードフレームを容易に且つ確実に得ることが
できる。続いて、外側インナリード部の各凸部の頂面を
露出するように、複数の半導体素子、ダイパッド部、外
側インナリード部を封止用樹脂材により封止し、リード
保持材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設
けられている場合には、リード保持材を除去した後、リ
ードフレームを複数の半導体素子のうちの少なくとも１
つが含まれるようにチップ状に分割するので、本発明の
第２樹脂封止型半導体装置を確実に実現することができ
る。
【００３４】第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第２の工程が、第２の連結支持部の凸部形成領
域同士の間又は凸部形成領域とダイパッド部との間の領
域における素子保持面側と反対側の面に対してエッチン
グを行なうことにより、凸部を形成する工程を含むこと
が好ましい。
【００３５】第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第２の工程が、第２の連結支持部の凸部形成領
域同士の間又は凸部形成領域とダイパッド部との間の領
域における素子保持面側と反対側の面を押圧することに
より、凸部を形成する工程を含むことが好ましい。
【００３６】第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第４の工程が、第２の連結支持部の凸部同士の
間又は凸部とダイパッド部との間の領域を切断手段を用
いて切断することにより、凸部同士又は凸部とダイパッ
ド部とを絶縁する工程を含むことが好ましい。
【００３７】この場合に、切断手段が凸部及びダイパッ
ド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有していること
が好ましい。
【００３８】第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第７の工程又は第９の工程が、リード保持材を
化学的に溶解して除去することが好ましい。
【００３９】第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第１０の工程が、リードフレームをダイシング
ブレードを用いて切断することが好ましい。
【００４０】本発明に係る第３の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、
該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部により支持
されると共に互いに間隔をおいて連結された複数のラン
ド部及び該複数のランド部同士の間に配置されたインナ
リード部と、素子保持面を有するダイパッド部とを一体
に形成する第１の工程と、複数のランド部及びフレーム
枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリ
ード保持材を設けることにより、ランド部及びフレーム
枠部をリード保持材により保持する第２の工程と、連結
支持部における互いに隣接するランド部同士間の領域の
少なくとも一部を除去して、複数のランド部を選択的に
絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレー
ムを形成する第３の工程と、リードフレームの各ダイパ
ッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第
４の工程と、金属細線により、各半導体素子と、絶縁さ
れた複数のインナリード部とをそれぞれ電気的に接続す
る第５の工程と、リード保持材がリードフレームの素子
保持面側に設けられている場合に、素子保持面側に設け
られたリード保持材を除去する第６の工程と、インナリ
ード部の各凸部の頂面を露出するように、複数の半導体
素子、複数のダイパッド部及び複数のインナリード部を
封止用樹脂材により封止する第７の工程と、リード保持
材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設けら
れている場合に、該素子保持面と反対の面側に設けられ
たリード保持材を除去する第８の工程と、リードフレー
ムを複数の半導体素子のうちの少なくとも１つが含まれ
るようにチップ状に分割する第９の工程とを備えてい
る。
【００４１】第３の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
よると、ランド部及びフレーム枠部の上面又は下面をリ
ード保持材により保持しているため、複数のランド部だ
けでなく、複数のランド部のうちの一部を電気的に接続
するインナリード部を有するリードフレームであって
も、ランド部及びインナリード部がフレーム枠部から脱
離する虞がないので、単層の金属板から多列構成のラン
ドを有するリードフレームを小型に且つ容易に得ること
ができる。
【００４２】第３の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第１の工程が、ランド部及びその間に位置する
連結支持部における素子保持面側をマスクして、ランド
部の素子保持面側に対してその厚さのほぼ２分の１をエ
ッチングすることにより、ランド部同士の間に連結支持
部からインナリード部を形成する工程と、複数のランド
部の素子保持面側と反対側の面をマスクして、ランド部
の素子保持面側と反対側の面に対して、ランド部同士及
びインナリード部がそれぞれ分離するようにエッチング
する工程とを含むことが好ましい。
【００４３】このようにすると、各ランド部の断面形状
が、ダイパッド部の素子保持面側に凸字状となり、互い
に隣接するランド部同士の間には、上面がランドの上面
の高さと同等で且つ底面がランド部の底面よりも高くな
るインナリード部が形成されるため、本発明の第２の樹
脂封止型半導体装置を確実に形成することができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態） 本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説
明する。
【００４５】図１は本発明の第１の実施形態に係るリー
ドフレームであって、内側インナリード部の絶縁加工前
の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの１
つ分のダイパッド部を含む部分の底面構成を示してい
る。
【００４６】図１に示すように、リードフレーム１０
は、フレーム枠部１１と、該フレーム枠部１１の内側に
連結支持部としてのサポートリード部１２により四隅が
支持され、その上面（図１の裏面側）に半導体素子を保
持するダイパッド部１３と、それぞれがダイパッド部１
３の周辺部に支持され、ダイパッド部１３の底面に凸部
１４ａを有する複数の内側インナリード部１４Ａと、フ
レーム枠部１１と内側インナリード部１４Ａとの間に配
置され、フレーム枠部１１から内側に延びると共に、底
面側に凸部１４ａを有する複数の外側インナリード部１
４Ｂとを備えている。ここで、ダイパッド部１３の底面
の中央部分には凹部１３ａが形成されている。
【００４７】本実施形態に係るリードフレーム１０は、
フレーム枠部１１と複数の内側インナリード部１４Ａ及
び外側インナリード部１４Ｂとがそれらの底面をリード
保持材としての粘着性テープ材２０により保持されてい
ることを特徴とする。
【００４８】図２は図１に示すリードフレーム１０にお
ける絶縁加工後の底面構成を示している。図２に示すよ
うに、ダイパッド部１３と内側インナリード部１４Ａと
の支持部分は切断されて除去されることにより、内側イ
ンナリード部１４Ａとダイパッド部１３とが絶縁されて
いる。
【００４９】内側インナリード部１４Ａ及び外側インナ
リード部１４Ｂにおける各凸部１４ａは、それらの頂面
のみが封止用樹脂材からそれぞれ露出するように半導体
素子（図示せず）と一体に封止されることにより、外部
端子であるランドとなる。
【００５０】このように、第１の実施形態によると、フ
レーム枠部１１と内側インナリード部１４Ａとが各底面
を粘着性テープ材２０により保持されているため、内側
インナリード部１４Ａとダイパッド部１３とを絶縁（孤
立化）する加工を施したとしても、内側インナリード部
１４Ａがフレーム枠部１１から脱離する虞がない。従っ
て、内側インナリード部１４Ａに、フレーム枠部１１に
よって支持される連結支持部を設けなくても済むため、
例えば３列以上のランドをフレーム枠部１１とダイパッ
ド部１３との間に設けたとしても、フレーム枠部１１の
小型化を妨げることがなくなる。その結果、従来のよう
にセラミック材又は樹脂フィルム材を積層することによ
り実現された、外側部からダイパッド部までのランドの
列数が３列以上のＬＧＡ型の半導体装置を、単層の金属
板からなるリードフレームのみによって、簡便に且つ確
実に実現することができるようになる。
【００５１】なお、第１の実施形態においては、粘着性
テープ材２０をリードフレーム１０の底面側に全面にわ
たって貼付したが、これに限られない。すなわち、絶縁
（孤立化）された複数の内側インナリード部１４Ａがダ
イパッド部１３又はフレーム枠部１１に保持されればよ
く、上面であっても底面であってよい。但し、上面に貼
付する場合は、半導体素子のダイボンディング工程及び
ワイヤボンディング工程において妨げにならない領域に
貼付する必要がある。
【００５２】また、絶縁された内側インナリード部１４
Ａを保持するリード保持材に粘着性テープ材２０を用い
たが、代わりに、例えばアルミニウムからなる金属薄膜
を用いてもよく、その絶縁性及び導電性は問われない。
【００５３】以下、前記のように構成されたリードフレ
ームの製造方法の概略を図面に基づいて説明する。
【００５４】図３（ａ）〜図３（ｄ）は本発明の第１の
実施形態に係るリードフレームの製造方法の工程順の断
面構成を示している。
【００５５】まず、図３（ａ）に示すように、銅（Ｃ
ｕ）を主成分とする合金又は鉄（Ｆｅ）及びニッケル
（Ｎｉ）の合金からなるリードフレーム形成用の板状の
金属部材から、フレーム枠部（図示せず）と、該フレー
ム枠部内に位置するダイパッド部１３と、該ダイパッド
部１３の周縁部と接続された内側インナリード部１４Ａ
と、フレーム枠部と接続された外側インナリード部１４
Ｂとを、例えば、スタンピング又はエッチングにより一
体成形してリードフレーム１０を形成する。
【００５６】続いて、内側インナリード部１４Ａ及び外
側インナリード部１４Ｂの底面における凸部形成領域以
外の領域に対して凹部１４ｂを形成することにより、ラ
ンドとなる凸部１４ａを形成する。具体的には、リード
フレーム１０の底面側であって、ダイパッド部１３と内
側インナリード部１４Ａとの間の領域、及び内側インナ
リード部１４Ａと外側インナリード部１４Ｂとの間の領
域に対して、金型によるプレス又はハーフエッチングを
行なって凹部１４ｂを形成することにより、内側インナ
リード部１４Ａ及び外側インナリード部１４Ｂに凸部１
４ａをそれぞれ形成する。
【００５７】次に、図３（ｂ）に示すように、例えば、
内側インナリード部１４Ａ、外側インナリード部１４Ｂ
及びフレーム枠部の底面側に粘着性テープ材２０を貼付
する。
【００５８】次に、図３（ｃ）に示すように、切断手段
しての切断用ポンチ２１を用いて、リードフレーム１０
における各凹部１４ｂの上方、すなわち、ダイパッド部
１３と内側インナリード部１４Ａとの間の領域、及び内
側インナリード部１４Ａと外側インナリード部１４Ｂと
の間の領域を打ち抜いて、ダイパッド部１３と凸部１４
ａとの間の領域、及び内側インナリード部１４Ａと外側
インナリード部１４Ｂとの間の領域を除去することによ
り、図３（ｄ）に示すように、ダイパッド部１３と内側
インナリード部１４Ａとを絶縁（孤立化）する。ここ
で、必ずしもすべての凸部１４ａを絶縁する必要はな
く、所望の凸部１４ａを孤立化すればよい。
【００５９】本実施形態のように、凸部１４ａの絶縁工
程において、切断用ポンチ２１を用いると、図３（ｄ）
に示すように、絶縁された各凸部１４ａの周辺部に、か
えり（突起部）１４ｃが形成されてしまうが、かえり１
４ｃの先端部が凸部１４ａの頂面を超えない程度に、か
えり１４ｃの発生を抑えることが好ましい。このように
すると、封止用樹脂材により樹脂封止する際に、凸部１
４ａの頂面のみを確実に露出させることができるので、
実装時のリーク電流を防止することができる。
【００６０】なお、凸部１４ａの絶縁化処理、すなわち
孤立化処理は、スタンピングではなく、エッチングによ
り行なってもよい。
【００６１】（第１の実施形態に係る製造方法の一変形
例） 以下、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法
の一変形例を説明する。
【００６２】図４（ａ）〜図４（ｄ）は本発明の第１の
実施形態に係るリードフレームの製造方法の工程順の断
面構成を示している。図４（ａ）〜図４（ｄ）におい
て、図３（ａ）〜図３（ｄ）に示す構成部材と同一の構
成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略す
る。
【００６３】図４（ｃ）に示すように、本変形例におい
ては、リードフレーム１０の上面に対してほぼ平行な切
断面を持つ切断用ポンチ２２を用いることを特徴とす
る。
【００６４】切断対象面に対してほぼ平行な切断面を持
つ切断用ポンチ２２を用いると、図４（ｄ）に示すよう
に、ダイパッド部１３、内側インナリード部１４Ａ及び
外側インナリード部１４Ｂの各切断面にかえり（突起
部）を生じないように切断することができる。
【００６５】代わりに、リードフレーム１０から分離し
た切断くず１４ｄが発生するが、該切断くず１４ｄは粘
着性テープ材２０上に落下するため、粘着性テープ材２
０を剥がす前に、粘着性テープ材２０の粘着力が生じる
程度に加熱すると、切断くず１４ｄを粘着性テープ材２
０に粘着させることができる。このため、切断くず１４
ｄの散乱を防止できるので、切断くず１４ｄが製造プロ
セスに悪影響を与えないようにすることができる。
【００６６】なお、切断面にかえりが生じない切断手段
として、切断対象面に対してほぼ平行な切断面を持つ切
断用ポンチ２２以外にも、切断対象面に対して凹面を持
つ形状のポンチであっても良い。
【００６７】（第２の実施形態） 以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
【００６８】図５（ａ）及び図５（ｂ）は本発明の第２
の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、
（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のＶｂ−Ｖｂ
線における断面構成を拡大して示している。図５（ａ）
及び図５（ｂ）において、図２及び図３に示す構成部材
と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明
を省略する。
【００６９】図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第２の実
施形態に係る樹脂封止型半導体装置４０は、図２に示す
第１の実施形態に係るリードフレーム１０と同様の構成
のリードフレームを用いており、さらに、内側インナリ
ード部１４Ａと外側インナリード部１４Ｂを共に２列と
する４列構成としている。
【００７０】図５（ｂ）に示すように、樹脂封止型半導
体装置４０は、リードフレーム１０のダイパッド部１３
上に銀ペースト材４１により固着され保持された半導体
素子（半導体チップ）４２と、該半導体素子４２の外部
端子（図示せず）と内側インナリード部１４Ａ及び外側
インナリード部１４Ｂとを電気的に接続する金（Ａｕ）
からなるワイヤ（金属細線）４３と、封止樹脂部４４と
から構成されている。
【００７１】封止樹脂部４４は、例えば熱硬化性樹脂材
からなり、内側インナリード部１４Ａの各凸部１４ａ及
び外側インナリード部１４Ｂの各凸部１４ａの頂面並び
にダイパッド部１３の底面をそれぞれ露出するように、
半導体素子４２、ダイパッド部１３、内側インナリード
部１４Ａ及び外側インナリード部１４Ｂを封止してい
る。
【００７２】また、絶縁された各凸部１４ａの周辺部に
は、各凸部１４ａの絶縁（孤立化）加工時に切断用ポン
チによるかえり（突起部）１４ｃが形成されており、こ
のかえり１４ｃの先端部は、凸部１４ａの頂面を超えな
い程度に抑えられている。
【００７３】以下、前記のように構成された樹脂封止型
半導体装置４０の製造方法について説明する。
【００７４】まず、第１の実施形態に示したような、孤
立したリードの脱離を防止する粘着性テープ材付きのリ
ードフレーム１０を用意する。１つのリードフレーム１
０に複数のダイパッド部１３が形成されているとする。
【００７５】次に、ダイボンディング工程において、リ
ードフレーム１０の各ダイパッド部１３の上面に複数の
半導体素子４２をそれぞれ銀ペースト材４１により固着
する。
【００７６】次に、ワイヤボンディング工程において、
ワイヤ４３により、各半導体素子４２の外部端子と内側
インナリード部１４Ａ及び外側インナリード部１４Ｂと
をそれぞれ電気的に接続する。
【００７７】次に、封止工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム１０の素子保持面（上面）側に貼付さ
れている場合には、上面側に設けられた粘着性テープ材
を剥離するか又は化学的に溶解して除去し、その後、各
凸部１４ａの頂面及び各ダイパッド部１３の底面を露出
するように、複数の半導体素子４２、複数のダイパッド
部１３、複数の内側インナリード部１４Ａ及び複数の外
側インナリード部１４Ｂを封止用樹脂材により一括に封
止して、封止樹脂部４４を形成する。
【００７８】ここで、粘着性テープ材の溶解には、一例
として、粘着性テープ材にポリイミドを用いる場合に
は、溶剤として、１０５℃〜１１０℃程度に加熱した濃
度が約５０％の水酸化ナトリウム水溶液又はヒドラジン
とエチレンジアミンとの混合液等を用いるとよい。
【００７９】次に、分割工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム１０の素子保持面と反対側の面（底
面）に設けられている場合には、該底面側に設けられた
粘着性テープ材を剥離するか又は化学的に溶解して除去
する。続いて、複数の半導体素子４２が固着され、一括
に封止されたリードフレーム１０及び封止樹脂部４４
を、複数の半導体素子４２のうちの少なくとも１つが含
まれるように、例えばダイシングブレードを用いて切断
することにより、チップ状に分割する。
【００８０】以上の工程により、図５（ａ）及び図５
（ｂ）に示す樹脂封止型半導体装置を得る。
【００８１】本発明に係るリードフレーム１０は、底面
に凹部１３ａが設けられているため、封止樹脂部４４に
おける半導体素子４２の下側部分の厚さが大きくなるの
で、半導体素子４２が封止樹脂部４４の上方から受ける
応力と下方から受ける応力との差が小さくなり、その結
果、半導体素子４２が受ける応力が低減する。さらに、
ダイパッド部１３における封止樹脂部４４の底面からの
露出部分の面積が小さくなるため、該底面から侵入する
水分の侵入経路が長くなるので、耐湿性にも優れるよう
になり、該半導体装置の長期信頼性が向上する。
【００８２】なお、内側インナリード部１４Ａ及び外側
インナリード部１４Ｂの上面を銀（Ａｇ）によりめっき
し、該インナリード部１４Ａ、１４Ｂ及びダイバッド部
１３の底面を、スズ（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）又はスズ
（Ｓｎ）及びビスマス（Ｂｉ）含む合金（はんだ）によ
りめっきすると、ワイヤボンディング工程及び実装基板
への実装工程において電気的な接続が確実となる。
【００８３】また、リードフレーム１０が銅合金からな
る場合には、めっき材として、ニッケル（Ｎｉ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）を含む合金を用いると、
インナリード部１４Ａ、１４Ｂの上面及び底面、並びに
ダイバッド部１３の底面に対して１種類の合金によりめ
っきすることができる。
【００８４】（第３の実施形態） 以下、本発明の第３の実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
【００８５】図６（ａ）及び図６（ｂ）は本発明の第３
の実施形態に係るリードフレームであって、（ａ）はラ
ンドの絶縁（孤立化）加工前の複数のダイパッド部が設
けられたリードフレームの１つ分のダイパッド部を含む
部分の平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のVIｂ−VIｂ線
における断面構成を示している。
【００８６】図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、
リードフレーム３０は、フレーム枠部３１と、該フレー
ム枠部３１の内側に配置され、その上面に半導体素子を
保持するダイパッド部３３と、該ダイパッド部３３の周
辺部にそれぞれ３列に配置され、素子保持面と反対側の
面（底面）にランドとなる凸部を有する複数のインナリ
ード部３４とを備えている。
【００８７】複数のインナリード部３４のうち、一部は
フレーム枠部３１から延びる第１の連結支持部としての
枠部連結支持部３２Ａにより支持されている。残部のイ
ンナリード部３４同士及びダイパッド部３３と隣接する
インナリード部３４は、第２の連結支持部としてのラン
ド連結支持部３２Ｂにより支持されている。
【００８８】各凸部は、ランド連結支持部３２Ｂの凸部
同士の間又は該凸部とダイパッド部３３との間の領域の
底面に対してハーフエッチング処理又はプレス処理を行
なうことにより形成される。
【００８９】ダイパッド部３３の底面の中央部分には凹
部３３ａが形成されている。また、インナリード部３４
の周辺部に、封止用樹脂材により封止される領域である
封止領域４４Ａを破線で表わしている本実施形態に係る
リードフレーム３０は、フレーム枠部３１と複数のイン
ナリード部３４とがそれらの底面をリード保持材として
の粘着性テープ材２０により保持されていることを特徴
とする。
【００９０】図７（ａ）及び図７（ｂ）は図６（ａ）及
び図６（ｂ）に示すリードフレーム３０におけるランド
の絶縁（孤立化）加工後の底面構成を示している。図７
（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、各ランド連結支持
部３２Ｂが切断又はエッチングにより除去されることに
より、インナリード部３４同士又は該インナリード部３
４とダイパッド部３３とが絶縁されている。
【００９１】このように、第３の実施形態によると、フ
レーム枠部３１とインナリード部３４とが各底面を粘着
性テープ材２０により保持されているため、インナリー
ド部３４同士及びダイパッド部３３を電気的に絶縁す
る、すなわち孤立化する加工を施したとしても、インナ
リード部３４及びダイパッド部３３がフレーム枠部３１
から脱離する虞がない。従って、すべてのインナリード
部３４Ａ及びダイパッド部３３に、フレーム枠部３１に
よって支持される連結支持部を設けなくても済むため、
例えば３列以上のランドをフレーム枠部３１とダイパッ
ド部３３との間に設けたとしても、フレーム枠部３１の
小型化を妨げることがなくなる。その結果、従来のよう
にセラミック材又は樹脂フィルム材を積層することによ
り実現された、外側部からダイパッド部までのランドの
列数が３列以上のＬＧＡ型の半導体装置を、単層の金属
板からなるリードフレームのみによって、簡便に且つ確
実に実現することができるようになる。
【００９２】なお、第３の実施形態においては、粘着性
テープ材２０をリードフレーム３０の底面側に貼付した
が、これに限られない。具体的には、絶縁された、すな
わち孤立化された複数のインナリード部３４及びダイパ
ッド部３３がフレーム枠部３１に保持されればよく、上
面であっても底面であってよい。但し、上面に貼付する
場合は、半導体素子のダイボンディング工程及びワイヤ
ボンディング工程時に妨げにならない領域に貼付する必
要がある。
【００９３】また、絶縁されたインナリード部３４を保
持するリード保持材に粘着性テープ材２０を用いたが、
代わりに、例えばアルミニウムからなる金属薄膜を用い
てもよく、その絶縁性及び導電性は問われない。
【００９４】第３の実施形態においても、ランドの絶縁
（孤立化）処理には切断用ポンチによる打ち抜き加工を
行なってもよく、エッチングを行なってもよい。例え
ば、打ち抜き加工を行なった場合には、第１の実施形態
と同様に、絶縁された各インナリード部３４の周辺部
に、かえり（突起部）が形成されてしまうが、かえりの
先端部が凸部の頂面を超えない程度に、かえりの発生を
抑える必要がある。
【００９５】また、必ずしもすべてのインナリード部３
４を絶縁する必要はない。例えば、ダイパッド部３３上
に保持する半導体素子（チップ）の寸法がダイパッド部
３３よりも大きく、ダイパッド部３３の周辺部にはみ出
すような場合には、該半導体素子の周縁部により覆われ
るインナリード部３４をダイパッド部３３と接続したま
まにしておくことが好ましい。このようにすると、ダイ
パッド部３３の放熱面積及び熱容量が大きくなるので、
樹脂封止型半導体装置の放熱性が向上する。
【００９６】（第３の実施形態の一変形例） 以下、本発明の第３の実施形態の一変形例について図面
を参照しながら説明する。
【００９７】図８（ａ）及び図８（ｂ）は第３の実施形
態の一変形例に係るリードフレームであって、（ａ）は
ランドの絶縁（孤立化）加工後の複数のダイパッド部が
設けられたリードフレームの１つ分のダイパッド部を含
む部分の平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のVIIIｂ−VI
IIｂ線における断面構成を示している。図８（ａ）及び
図８（ｂ）において、図７（ａ）及び（ｂ）に示す構成
部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより
説明を省略する。
【００９８】本変形例は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に
示すように、各ランド連結支持部３２Ｂのみならず、フ
レーム枠部３１とリードフレーム部３４との間の枠部連
結支持部３２Ａも切断又はエッチングにより除去されて
いる。
【００９９】このように枠部連結支持部３２Ａをも除去
すると、図８（ｂ）に示すように、封止領域４４Ａの側
面からリードフレーム３０が露出しなくなるため、半導
体装置における実装時の側面からのリーク電流を防止す
ることができる。
【０１００】（第４の実施形態） 以下、本発明の第４の実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
【０１０１】図９（ａ）〜図９（ｄ）は本発明の第４の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、（ａ）
は平面構成を示し、（ｂ）は正面構成を示し、（ｃ）は
右側面の構成を示し、（ｄ）は底面構成を示している。
図９（ａ）〜図９（ｄ）において、図７に示す構成部材
と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明
を省略する。
【０１０２】図９（ａ）〜図９（ｄ）に示す第４の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置６０は、図７に示す第
３の実施形態に係るリードフレーム３０と同様の構成の
リードフレームを用いており、さらにインナリード部３
４を４列構成としている。
【０１０３】樹脂封止型半導体装置６０は、リードフレ
ームのダイパッド部上に銀ペースト材により固着され保
持された半導体素子（半導体チップ）と、該半導体素子
の外部端子とインナリード部３４とを電気的に接続する
金（Ａｕ）からなるワイヤ（金属細線）と、封止樹脂部
４４とから構成されている。
【０１０４】封止樹脂部４４は、例えば熱硬化性樹脂材
からなり、インナリード部３４の各凸部の頂面並びにダ
イパッド部３３の底面をそれぞれ露出するように、半導
体素子、ダイパッド部３３及びインナリード部３４を封
止している。
【０１０５】以下、前記のように構成された樹脂封止型
半導体装置６０の製造方法について説明する。
【０１０６】まず、第２の実施形態に示したような、孤
立化したリードの脱離を防止する粘着性テープ材付きの
リードフレーム３０を用意する。ここでも、１つのリー
ドフレーム３０に複数のダイパッド部３３が形成されて
いるとする。
【０１０７】次に、ダイボンディング工程において、リ
ードフレーム３０の各ダイパッド部３３の上面に複数の
半導体素子をそれぞれ銀ペースト材により固着する。
【０１０８】次に、ワイヤボンディング工程において、
ワイヤにより、各半導体素子の外部端子とインナリード
部３４とをそれぞれ電気的に接続する。
【０１０９】次に、封止工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム３０の素子保持面（上面）側に貼付さ
れている場合には、上面側に設けられた粘着性テープ材
を剥離するか又は化学的に溶解して除去し、その後、イ
ンナリード部３４の各凸部の頂面及び各ダイパッド部３
３の底面を露出するように、複数の半導体素子、複数の
ダイパッド部３３、複数のインナリード部３４を封止用
樹脂材により一括に封止して、封止樹脂部４４を形成す
る。
【０１１０】次に、分割工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム３０の底面側に設けられている場合に
は、該底面に設けられた粘着性テープ材を剥離するか又
は化学的に溶解して除去する。続いて、複数の半導体素
子が固着され、一括に封止されたリードフレーム３０及
び封止樹脂部４４を、複数の半導体素子のうちの少なく
とも１つが含まれるように、例えばダイシングブレード
を用いて切断することにより、チップ状に分割する。
【０１１１】以上の工程により、図９（ａ）〜図９
（ｄ）に示す樹脂封止型半導体装置を得る。
【０１１２】本実施形態に係るリードフレーム３０にお
いても、底面に凹部３３ａが設けられているため、封止
樹脂部４４における半導体素子の下側部分の厚さが大き
くなるので、半導体素子が封止樹脂部４４の上方から受
ける応力と下方から受ける応力との差が小さくなり、そ
の結果、半導体素子が受ける応力が低減する。さらに、
ダイパッド部３３における封止樹脂部４４の底面からの
露出部分の面積が小さくなると共に該底面から侵入する
水分の侵入経路が長くなるので、耐湿性に優れるように
なり、該半導体装置の長期信頼性が向上する。
【０１１３】（第４の実施形態の一変形例） 以下、本発明の第４の実施形態の一変形例について図面
を参照しながら説明する。
【０１１４】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は本発明の第
４の実施形態の一変形例に係る樹脂封止型半導体装置で
あって、（ａ）平面構成を示し、（ｂ）は正面構成を示
し、（ｃ）は右側面の構成を示し、（ｄ）は底面構成を
示している。図１０（ａ）〜図１０（ｄ）において、図
９（ａ）〜図９（ｄ）に示す構成部材と同一の構成部材
には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【０１１５】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）に示す変形例
に係る樹脂封止型半導体装置６１は、図８に示す第３の
実施形態の一変形例に係るリードフレーム３０と同様の
構成のリードフレームを用いており、さらにインナリー
ド部３４を４列構成としている。
【０１１６】樹脂封止型半導体装置６１は、リードフレ
ームのダイパッド部上に銀ペースト材により固着され保
持された半導体素子（半導体チップ）と、該半導体素子
の外部端子とインナリード部３４とを電気的に接続する
金（Ａｕ）からなるワイヤ（金属細線）と、封止樹脂部
４４とから構成されている。
【０１１７】封止樹脂部４４は、インナリード部３４の
各凸部の頂面並びにダイパッド部３３の底面をそれぞれ
露出するように、半導体素子、ダイパッド部３３及びイ
ンナリード部３４を封止している。
【０１１８】本変形例に係る樹脂封止型半導体装置６１
は、図１０（ｂ）の正面図及び図１０（ｃ）の右側面図
に示すように、封止樹脂部４４の各側面からリードフレ
ーム３０が露出しない。この構成により、該半導体装置
における実装時の側面からのリーク電流を防止すること
ができる。
【０１１９】（第５の実施形態） 以下、本発明の第５の実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
【０１２０】図１１（ａ）は本発明の第５の実施形態に
係るリードフレームであって、ランド部と該ランド部同
士を接続するインナリード部を有し、ランド部同士の絶
縁加工後のリードフレームの４分の１を含む部分の平面
構成を示している。
【０１２１】図１に示すように、第５の実施形態に係る
リードフレーム７０は、フレーム枠部７１と、該フレー
ム枠部７１の内側に連結支持部としてのサポートリード
部７２により隅部が支持され、その上面に半導体素子を
保持するダイパッド部７３と、フレーム枠部７１とダイ
パッド部７３との間に配置された複数のランド部７５と
を備えている。ここで、ダイパッド部７３の上面の中央
部分には凸部７３ａが形成されている。
【０１２２】複数ランド部７５のうちの一部はフレーム
枠部７１から延びる連結支持部７４Ａに支持されてお
り、残部はスタンピング等により絶縁（孤立）されてい
る。
【０１２３】また、複数のランド部７５のうちの一部
は、連結支持部７４Ａから形成されたインナリード部７
４Ｂにより電気的に接続されている。
【０１２４】第５の実施形態に係るリードフレーム７０
は、これまでの実施形態と同様に、フレーム枠部７１と
複数のランド部７５とがそれらの底面（図１１の裏面
側）をリード保持材としての粘着性テープ材２０により
保持され、絶縁されたランド部７５がリードフレーム７
０から脱離しないことを第１の特徴とする。
【０１２５】また、ランド部７５と該ランド部７５の間
に位置するインナリード部７４Ｂとの断面形状を第２の
特徴とする。
【０１２６】通常、ランド部７５同士は電気的に孤立さ
せて用いるが、半導体素子の仕様によっては、一のラン
ド部７５と他のランド部７５とを同電位にするために、
インナリード部７４Ｂを設けたい場合がある。しかしな
がら、ランド部７５間の間隔が小さい場合には、インナ
リード部７４Ｂを配置するスペースを確保することが困
難となる。その場合には、例えば、各ランド部７５の径
を小さくしたり、インナリード部７４Ｂの径を小さくし
たりする必要が生じるが、このようにすると、ランド部
７５は実装基板との電気的な接触面積が減り、また、イ
ンナリード部７４Ｂは電気抵抗が増大する。
【０１２７】そこで、第５の実施形態においては、図１
１（ｂ）の断面図に示すように、インナリード部７４Ｂ
は、互いに隣接するランド部７５同士の間に上面がラン
ド部７５の頂面の高さと同等で且つ下面がランド部７５
の下面よりも高くなるように設けている。
【０１２８】一方、ランド部７５におけるインナリード
部７４Ｂが延びる方向に対して垂直な方向の断面形状
は、インナリード部７４Ｂの側面と対向する上部が小さ
い断面凸字状である。
【０１２９】これにより、ランド間距離ｄ１を小さくし
ながら、ランド部７５の頂部とインナリード部７４Ｂと
の間の距離であるリード間距離ｄ２を、インナリード部
７４Ｂの両側に確実に確保することができる。なお、ラ
ンド間距離ｄ１とリード間距離ｄ２とは同等であっても
よい。
【０１３０】以上説明したように、インナリード部７４
Ｂは、ランド部７５の側面同士の間隔が下部よりも大き
い上部の側方領域に位置するため、ランド部７５の径を
小さくしたり、インナリード部７４Ｂ自体の径を小さく
することなく、ランド部７５の間にインナリード部７４
Ｂを設けることができるようになる。
【０１３１】次に、第５の実施形態に係るリードフレー
ムの製造方法を説明する。
【０１３２】まず、銅を主成分とする合金又は鉄及びニ
ッケルの合金からなるリードフレーム形成用の板状の金
属部材から、フレーム枠部７１と、該フレーム枠部７１
の内側に位置するダイパッド部７３と、該ダイパッド部
７３の周縁部又はフレーム枠部７１と接続された連結支
持部７４Ａとを、例えば、スタンピング又はエッチング
により一体成形してリードフレーム７０を形成する。
【０１３３】次に、連結支持部７４Ａから、ランド部７
５とインナリード部７４Ｂとをリードフレーム７０の両
面からのハーフエッチングにより形成する。
【０１３４】すなわち、互いに隣接するランド部７５同
士及びその間に位置する連結支持部７４Ａにおける素子
保持面（上面）側であって、ランド部７５同士における
連結支持部７４Ａと並行する中央部部分及びその間の連
結支持部７４Ａをマスクして、ランド部７５の素子保持
面側に対してリードフレーム７０の厚さのほぼ２分の１
をエッチングすることにより、ランド部７５同士の間に
連結支持部７４Ａからなるインナリード部７４Ｂを形成
する。
【０１３５】次に、ランド部７５における素子保持面側
と反対側の面（底面側）をマスクして、ランド部７５の
素子保持面側と反対側の面に対して、ランド部７５同士
及びインナリード部７４Ｂがそれぞれ分離し、ランド部
７５の周囲における上面側及び底面側が貫通するまでエ
ッチングする。これにより、互いに隣接するランド部７
５同士の側面とインナリード部７４Ｂの側面及び底面と
に囲まれた断面Ｙ字状の空隙が形成される。なお、ここ
での上面側と底面側とのハーフエッチングの順序は問わ
れない。
【０１３６】次に、複数のランド部７５及びフレーム枠
部７１の底面側に粘着性テープ材２０を貼付して、複数
のランド部７５及びフレーム枠部７１をテープ粘着性テ
ープ材により保持する。
【０１３７】次に、連結支持部７４Ａの少なくとも一部
の、連結支持部７４Ａが延びる方向に隣接するランド部
７５同士の間及びランド部７５とダイパッド部７３との
間の領域を、図３（ｃ）又は、図４（ｃ）に示したよう
な切断用ポンチにより機械的に切断するか、又はエッチ
ングにより化学的に除去することにより、複数のランド
部７５又はインナリード部７４Ｂを選択的に絶縁する。
【０１３８】なお、第５の実施形態においては、粘着性
テープ材２０をリードフレーム７０の底面側に全面にわ
たって貼付したが、これに限られない。すなわち、絶縁
（孤立化）された複数のランド７５がダイパッド部７３
又はフレーム枠部７１に保持されればよく、上面であっ
ても底面であってよい。但し、上面に貼付する場合は、
半導体素子のダイボンディング工程及びワイヤボンディ
ング工程において妨げにならない領域に貼付する必要が
ある。
【０１３９】また、リード保持材として粘着性テープ材
２０を用いたが、これの代わりに、例えばアルミニウム
からなる金属薄膜を用いてもよく、その絶縁性及び導電
性は問われない。
【０１４０】さらに、第５の実施形態に係るリードフレ
ーム７０を用いた樹脂封止型半導体装置を得るには、第
２の実施形態に係る製造方法と同様に、ダイボンディン
グ工程、ワイヤボンディング工程、封止工程及び分割工
程を順次行なえばよい。
【０１４１】
【発明の効果】本発明に係る樹脂封止型半導体装置によ
ると、３列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部
との間に確実に配置することができる。
【０１４２】また、本発明に係る樹脂封止型半導体装置
の製造方法によると、互いに絶縁され且つ行列上に配置
された複数のインナリード部を有し、フレーム枠部とそ
の上面又は下面をリード保持材により保持されたリード
フレームを用いているため、インナリード部とフレーム
枠部とを連結する連結支持部を設けなくても済む。この
ため、例えば３列以上のランドをフレーム枠部とダイパ
ッド部との間に設けたとしても、フレーム枠部の小型化
を妨げることがなく、その結果、単層の金属板から多列
構成のランドを有する樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
を示し、内側インナリード部の絶縁加工前の複数のダイ
パッド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパ
ッド部を含む部分を示す底面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
を示し、内側インナリード部の絶縁加工後の複数のダイ
パッド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパ
ッド部を含む部分を示す底面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
の製造方法を示す工程順の部分的な構成断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の一変形例に係るリー
ドフレームの製造方法を示す工程順の部分的な構成断面
図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＶｂ−Ｖｂ線における構成断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るリードフレーム
を示し、（ａ）はランドの絶縁加工前の複数のダイパッ
ド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパッド
部を含む部分を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のVI
ｂ−VIｂ線における構成断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るリードフレーム
を示し、（ａ）はランドの絶縁加工後の複数のダイパッ
ド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパッド
部を含む部分を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のVI
Iｂ−VIIｂ線における構成断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の一変形例に係るリー
ドフレームを示し、（ａ）はランドの絶縁加工後の複数
のダイパッド部が設けられたリードフレームの１つ分の
ダイパッド部を含む部分を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のVIIIｂ−VIIIｂ線における構成断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図
であり、（ｃ）は右側面図であり、（ｄ）は底面図であ
る。
【図１０】本発明の第４の実施形態の一変形例に係る樹
脂封止型半導体装置を示し、（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は右側面図であり、
（ｄ）は底面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係るリードフレー
ムを示し、（ａ）はランド部同士の絶縁加工後のリード
フレームの部分平面図であり、（ｂ）は（ａ）のXI ｂ−
XI ｂ線における構成断面図である。
【図１２】従来のリードフレームを示す平面図である。
【図１３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す構成断面
図である。
【符号の説明】
１０ リードフレーム １１ フレーム枠部 １２ サポートリード部（連結支持部） １３ ダイパッド部 １３ａ 凹部 １４Ａ 内側インナリード部 １４Ｂ 外側インナリード部 １４ａ 凸部（外部端子、ランド） １４ｂ 凹部 １４ｃ かえり（突起部） １４ｄ 切断くず ２０ 粘着性テープ材（リード保持材） ２１ 切断用ポンチ（切断手段） ３０ リードフレーム ３１ フレーム枠部 ３２Ａ 枠部連結支持部（第１の連結支持部）３２Ｂ ランド連結支持部（第２の連結支持部） ３３ ダイパッド部 ３３ａ 凹部 ３４ インナリード部 ４０ 樹脂封止型半導体装置 ４１ 銀ペースト材 ４２ 半導体素子（半導体チップ） ４３ ワイヤ（金属細線） ４４Ａ 封止領域 ４４ 封止樹脂部 ６０ 樹脂封止型半導体装置 ６１ 樹脂封止型半導体装置 ７０ リードフレーム ７１ フレーム枠部 ７２ サポートリード部 ７３ ダイパッド部 ７３ａ 凸部 ７４Ａ 連結支持部 ７４Ｂ インナリード部７５ ランド部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古市 正徳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 圭則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開2000−183226（ＪＰ，Ａ) 特開2002−76232（ＪＰ，Ａ) 特開2001−345411（ＪＰ，Ａ) 特開2000−223611（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−200010（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−8206（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12,23/50

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイパッド部と、 前記ダイパッド部の上に保持された半導体素子と、 前記ダイパッド部の周辺部で且つ前記ダイパッド部と一
    側部との間に３列以上の行列状に配置され、少なくとも
    その一部が孤立した複数のインナリード部と、 前記半導体素子、ダイパッド部及び複数のインナリード
    部を、該インナリード部における前記ダイパッド部の素
    子保持面と反対側の面を露出するように一体に封止する
    封止樹脂部とを備え、 前記ダイパッド部及び複数のインナリード部は同一の金
    属板から形成されており、 前記複数のインナリード部は、前記ダイパッド部の下面
    側にその頂面が前記封止樹脂部から露出する凸部を有
    し、該凸部の周辺部には、その先端部が前記頂面を超え
    ない程度に下面と垂直な方向に延びる突起部が形成され
    て いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記ダイパッド部は、その下面に凹部を
    有していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止
    型半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記複数のインナリード部は前記封止樹
    脂部の側面から露出していないことを特徴とする請求項
    １又は２に記載に樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 ダイパッド部と、前記ダイパッド部の上
    に保持された半導体素子と、 前記ダイパッド部の周辺部に配置された複数のランド部
    と、 前記ダイパッド部の周辺部に配置され、前記複数のラン
    ド部同士の間に配置されたインナリード部と、 前記半導体素子、ダイパッド部、複数のランド部及びイ
    ンナリード部を、該ランド部における前記ダイパッド部
    の素子保持面と反対側の面を露出するように一体に封止
    する封止樹脂部とを備え、 前記インナリード部は、上面が前記ランド部の頂面の高
    さと同等で且つ下面が前記ランド部の下面よりも高くな
    るように設けられ、 前記ランド部における前記インナリード部が延びる方向
    に対して垂直な方向の断面形状は、前記インナリード部
    の側面と対向する上部が小さい断面凸字状であることを
    特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 板状の金属部材から、フレーム枠部と、
    該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部によりそれ
    ぞれ支持される複数のダイパッド部と、前記各ダイパッ
    ド部の周縁部と接続された複数の内側インナリード部
    と、前記フレーム枠部と接続された複数の外側インナリ
    ード部とを一体に形成する第１の工程と、 前記複数の内側インナリード部の前記各ダイパッド部か
    らそれぞれ間隔をおいた部分、及び前記複数の外側イン
    ナリード部の前記フレーム枠部からそれぞれ間隔をおい
    た部分で且つ前記ダイパッド部の素子保持面側と反対側
    の面に凸部を形成する第２の工程と、 少なくとも前記複数の内側インナリード部及び前記フレ
    ーム枠部における素子保持面側又は該素子保持面と反対
    の面側にリード保持材を設けることにより、前記複数の
    内側インナリード部及びフレーム枠部を前記リード保持
    材により保持する第３の工程と、 前記複数の内側インナリード部の少なくとも一部におけ
    る前記凸部と前記各ダイパッド部との間の領域を除去し
    て、前記複数の内側インナリード部と前記各ダイパッド
    部とを選択的に絶縁することにより、リード保持材付き
    のリードフレームを形成する第４の工程と、 前記リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半
    導体素子をそれぞれ保持する第５の工程と、 金属細線により、前記各半導体素子と、絶縁された前記
    複数の内側インナリード部及び前記複数の外側インナリ
    ード部とをそれぞれ電気的に接続する第６の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面側
    に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリ
    ード保持材を除去する第７の工程と、 前記内側インナリード部の各凸部及び外側インナリード
    部の各凸部の頂面を露出するように、前記複数の半導体
    素子、複数のダイパッド部、複数の内側インナリード部
    及び複数の外側インナリード部を封止用樹脂材により封
    止する第８の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面と
    反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反
    対の面側に設けられたリード保持材を除去する第９の工
    程と、 前記リードフレームを前記複数の半導体素子のうちの少
    なくとも１つが含まれるようにチップ状に分割する第１
    ０の工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第２の工程は、前記複数の内側イン
    ナリード部の凸部形成領域と前記各ダイパッド部との間
    の領域、及び前記複数の外側インナリード部の凸部形成
    領域と前記フレーム枠部との間の領域における素子保持
    面側と反対側の面に対してエッチングを行なうことによ
    り、前記凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請
    求項５に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第２の工程は、前記複数の内側イン
    ナリード部の凸部形成領域と前記各ダイパッド部との間
    の領域、及び前記複数の外側インナリード部の凸部形成
    領域と前記フレーム枠部との間の領域における素子保持
    面側と反対側の面を押圧することにより、前記凸部を形
    成する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の樹
    脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第４の工程は、前記凸部と前記ダイ
    パッド部との間の領域を切断手段を用いて切断すること
    により、前記凸部と前記ダイパッド部とを絶縁する工程
    を含むことを特徴とする請求項５〜７のうちのいずれか
    １項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記切断手段は、前記凸部及びダイパッ
    ド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有していること
    を特徴とする請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第７の工程又は前記第９の工程
    は、前記リード保持材を化学的に溶解して除去すること
    を特徴とする請求項５〜９のうちのいずれか１項に記載
    の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１０の工程は、前記リードフレ
    ームをダイシングブレードを用いて切断することを特徴
    とする請求項５〜９のうちのいずれか１項に記載の樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 板状の金属部材から、フレーム枠部
    と、該フレーム枠部の内側から延びる第１の連結支持部
    によりそれぞれ支持されると共に第２の連結支持部によ
    り互いに連結された複数のインナリード部及び複数のダ
    イパッド部とを一体に形成する第１の工程と、 前記複数のインナリード部における前記各ダイパッド部
    の素子保持面側と反対側の面にそれぞれ間隔をおくよう
    に凸部を形成する第２の工程と、 前記複数のインナリード部及び前記フレーム枠部におけ
    る素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード
    保持材を設けることにより、前記インナリード部及びフ
    レーム枠部を前記リード保持材により保持する第３の工
    程と、 前記複数のインナリード部における前記第２の連結支持
    部の少なくとも一部における、互いに隣接する前記凸部
    同士の間又は互いに隣接する前記凸部とダイパッド部と
    の間の領域を除去して、前記複数のインナリード部を選
    択的に絶縁することにより、リード保持材付きのリード
    フレームを形成する第４の工程と、 前記リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半
    導体素子をそれぞれ保持する第５の工程と、 金属細線により、前記各半導体素子と、絶縁された前記
    複数のインナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第
    ６の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面側
    に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリ
    ード保持材を除去する第７の工程と、 前記インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、
    前記複数の半導体素子、複数のダイパッド部及び複数の
    インナリード部を封止用樹脂材により封止する第８の工
    程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面と
    反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反
    対の面側に設けられたリード保持材を除去する第９の工
    程と、 前記リードフレームを前記複数の半導体素子のうちの少
    なくとも１つが含まれるようにチップ状に分割する第１
    ０の工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２の工程は、前記第２の連結支
    持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域と前記ダ
    イパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側
    の面に対してエッチングを行なうことにより、前記凸部
    を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記
    載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２の工程は、前記第２の連結支
    持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域と前記ダ
    イパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側
    の面を押圧することにより、前記凸部を形成する工程を
    含むことを特徴とする請求項１２に記載の樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記第４の工程は、前記第２の連結支
    持部の凸部同士の間又は前記凸部と前記ダイパッド部と
    の間の領域を切断手段を用いて切断することにより、前
    記凸部同士又は前記凸部と前記ダイパッド部とを絶縁す
    る工程を含むことを特徴とする請求項１２〜１４のうち
    のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  16. 【請求項１６】 前記切断手段は、前記凸部及びダイパ
    ッド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有しているこ
    とを特徴とする請求項１５に記載の樹脂封止型半導体装
    置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第７の工程又は前記第９の工程
    は、前記リード保持材を化学的に溶解して除去すること
    を特徴とする請求項１２〜１６のうちのいずれか１項に
    記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記第１０の工程は、前記リードフレ
    ームをダイシングブレードを用いて切断することを特徴
    とする請求項１２〜１７のうちのいずれか１項に記載の
    樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 板状の金属部材から、フレーム枠部
    と、該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部により
    支持されると共に互いに間隔をおいて連結された複数の
    ランド部及び該複数のランド部同士の間に配置されたイ
    ンナリード部と、素子保持面を有するダイパッド部とを
    一体に形成する第１の工程と、 前記複数のランド部及び前記フレーム枠部の素子保持面
    側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設け
    ることにより、前記ランド部及びフレーム枠部を前記リ
    ード保持材により保持する第２の工程と、 前記連結支持部における互いに隣接するランド部同士間
    の領域の少なくとも一部を除去して、前記複数のランド
    部を選択的に絶縁することにより、リード保持材付きの
    リードフレームを形成する第３の工程と、 前記リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半
    導体素子をそれぞれ保持する第４の工程と、 金属細線により、前記各半導体素子と、絶縁された前記
    複数のインナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第
    ５の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面側
    に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリ
    ード保持材を除去する第６の工程と、 前記インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、
    前記複数の半導体素子、複数のダイパッド部及び複数の
    インナリード部を封止用樹脂材により封止する第７の工
    程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面と
    反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反
    対の面側に設けられたリード保持材を除去する第８の工
    程と、 前記リードフレームを前記複数の半導体素子のうちの少
    なくとも１つが含まれるようにチップ状に分割する第９
    の工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記第１の工程は、前記ラ ンド部及びその間に位置する連結支持部における
    素子保持面側をマスクして、前記ランド部の素子保持面
    側に対してその厚さのほぼ２分の１をエッチングするこ
    とにより、前記ランド部同士の間に前記連結支持部から
    インナリード部を形成する工程と、 前記複数のランド部の素子保持面側と反対側の面をマス
    クして、前記ランド部の素子保持面側と反対側の面に対
    して、前記ランド部同士及び前記インナリード部がそれ
    ぞれ分離するようにエッチングする工程とを含むことを
    特徴とする請求項１９に記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造方法。
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