JP4248528B2 - リードフレーム及び該リードフレームを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及び該リードフレームを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
−リードフレームの構造−
図1(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の参考例に係るリードフレームの平面図、及び図1(a)のIB−IB線における断面図である。図1(a)は、多数の半導体チップを搭載する領域が碁盤目状に連続して設けられているリードフレームLF1の一部、つまり、1つの半導体チップを搭載する領域だけを抜き出して示している。リードフレームLF1は、銅合金板をエッチング,打ち抜きプレス等によって加工して得られるものである。
次に、本参考例のリードフレームLF1を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例について説明する。図2(a),(b)は、参考例の樹脂封止型半導体装置の製造工程のうちダイパッドの中央部をアップセットする工程を示す平面図及びIIB−IIB線における断面図である。図3(a),(b)は、参考例の樹脂封止型半導体装置の製造工程のうちのリードフレームを封止シート上に載置する工程を示す平面図及びIIIB−IIIB線における断面図である。図4(a),(b)は、参考例の樹脂封止型半導体装置の製造工程のうちリードを分断する工程を示す平面図及びIVB−IVB線における断面図である。図5は、参考例の樹脂封止型半導体装置の製造工程のうち樹脂封止工程を示す部分断面図である。図6(a),(b)は、参考例の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程終了後における構造を示すVIA−VIA線における断面図及び裏面図である。
図7(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の第1の実施形態に係るリードフレームの平面図、及びVIIB−VIIB線における断面図である。図7(a)は、多数の半導体チップを搭載する領域が碁盤目状に連続して設けられているリードフレームLF2の一部、つまり、1つの半導体チップを搭載する領域だけを抜き出して示している。リードフレームLF2は、銅合金板をエッチング,打ち抜きプレス等によって加工して得られるものである。
次に、本実施形態のリードフレームLF2を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例について説明する。図8(a),(b)は、第1の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程のうちダイパッドの中央部をアップセットしてリードフレームを封止シート上に載置する工程を示す平面図及びVIIIB−VIIIB線における断面図である。図9(a),(b)は、第1の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程のうちリードを分断する工程を示す平面図及びIXB-IXB線における断面図である。図10(a),(b)は、第1の実施形態の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程終了後における構造を示すXA−XA線における断面図及び裏面図である。
図11(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の第1の実施形態の変形例に係るリードフレームの平面図、及び図11(a)のXIB−XIB線における断面図である。図11(a)は、多数の半導体チップを搭載する領域が碁盤目状に連続して設けられているリードフレームLF2の一部、つまり、1つの半導体チップを搭載する領域だけを抜き出して示している。リードフレームLF3は、銅合金板をエッチング,打ち抜きプレス等によって加工して得られるものである。
101,201 ダイパッド
101a,201a 突出部
201b 放熱端子
201c 薄膜部
102,202 リード
103,203 補強用ランド
104,204 島部
104a,204a ボンディングパッド
104b,204b ランド電極(外部端子)
105,205 連結部
150,250 封止シート
160,260 半導体チップ
170,270 金属細線(接続部材)
180a 上型
180b 下型
190,290 封止樹脂
Claims (7)
- 複数の辺によって半導体チップを搭載する領域を囲む外枠と、
本体部の外周部に沿って設けられ下部が欠如した薄膜部と、上記薄膜部の下面から下方に突出する複数の放熱端子とを有するダイパッドと、
上面が金属細線を接続するためのボンディングパッドであり最下部が外部端子である島部と、上記島部よりも薄くなるように下部が欠如して、上記外枠と上記島部との間,上記島部同士の間,及び上記島部と上記ダイパッドとの間をそれぞれ接続する複数の連結部とを有している複数のリードと
を備え、
上記島部と上記ダイパッドとは、上記島部と上記放熱端子とが上記連結部によって接続されることにより接続され、
上記ダイパッドと上記外枠とは、上記島部と上記連結部を介して接続され、
上記本体部、上記放熱端子及び上記島部の下面が同一面内にある,リードフレーム。 - 請求項1記載のリードフレームにおいて、
上記各島部及び各放熱端子は、同一の平面形状を有していて、格子状に配置されている,リードフレーム。 - 請求項1〜2のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
上記各島部及び各放熱端子は、少なくとも1つの方向において一定のピッチで配置されている,リードフレーム。 - 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
上記各島部は、上記外枠の各辺に沿って3列以上の複数列に配置されている,リードフレーム。 - 複数の辺によって半導体チップを搭載する領域を囲む外枠と、本体部の外周部に沿って設けられ下部が欠如した薄膜部と、上記薄膜部の下面から下方に突出する複数の放熱端子とを有するダイパッドと、上面が金属細線を接続するためのボンディングパッドであり最下部が外部端子である島部と、上記島部よりも薄くなるように下部が欠如して、上記外枠と上記島部との間,上記島部同士の間,及び上記島部と上記ダイパッドとの間をそれぞれ接続する複数の連結部とを有している複数のリードとを備え、上記島部と上記ダイパッドとは、上記島部と上記放熱端子とが上記連結部によって接続されることにより連結され、上記ダイパッドと上記外枠とは、上記島部と上記連結部を介して接続され、上記本体部、上記放熱端子及び上記島部の下面が同一面内にあるリードフレームを準備する工程(a)と、
上記リードフレームの上記ダイパッドの上に半導体チップを搭載する工程(b)と、
上記リードフレームを、接着力を有する封止シートの上に載置する工程(c)と、
上記工程(b)の後に上記工程(c)を行うか、又は、上記工程(c)の後に上記工程(b)を行うかした後に、上記リードフレームを封止シート上に載置した状態で、上記各連結部を切断して、上記島部を上記外枠から切り離す工程(d)と、
上記工程(d)の後に、上記半導体チップの一部と上記ボンディングパッドとを接続部材によって接続する工程(e)と、
上記工程(e)の後に、上記リードフレームを上記封止シートに載置した状態で、樹脂封止を行なう工程(f)と
を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記工程(d)では、上記ダイパッドをも上記外枠から切り離す,樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 請求項5又は6に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記工程(a)で準備されるリードフレームの上記複数のリードには、当該リードが接続される上記外枠の1つの辺に隣接する他の辺に接続されている他のリードに接続されるリードが含まれる,樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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