JPH11260989A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11260989A JPH11260989A JP6081298A JP6081298A JPH11260989A JP H11260989 A JPH11260989 A JP H11260989A JP 6081298 A JP6081298 A JP 6081298A JP 6081298 A JP6081298 A JP 6081298A JP H11260989 A JPH11260989 A JP H11260989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- die pad
- signal connection
- semiconductor device
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73207—Bump and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
Abstract
脂封止型半導体装置の特性を改善する。 【解決手段】 信号接続用リード12の外方部分が封止
樹脂17から露出して外部電極18として機能し、ダイ
パッド13の上面が封止樹脂の上面側で露出している。
ダイパッド13の下面に、主面を下方に向けた半導体チ
ップ15が接合されており、半導体チップ15の電極パ
ッドと信号接続用リード12の内方部分の下面とは、金
属細線16により互いに電気的に接続されている。ダイ
パッド13の上面側にハーフエッチ等が施され、全体的
に薄く形成されている。封止樹脂17がダイパッド13
の上方に薄く存在するので、ダイパッド13に対する封
止樹脂の保持力が大きい。半導体チップ15の厚みを薄
くしなくても、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化が可
能である。
Description
半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂
により封止しダイパッドを封止樹脂内に埋設した樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に係り、特に薄型化
したものの改良に関する。
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
て説明する。
断面図である。図21に示すように、従来の樹脂封止型
半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂
封止型半導体装置である。
リード101と、インナーリード101に対してアップ
セットされたダイパッド102と、そのダイパッド10
2を支持する吊りリード(図示せず)とからなるリード
フレームとを備えている。そして、ダイパッド102上
に半導体チップ104が接着剤により接合されており、
半導体チップ104の電極パッド(図示せず)とインナ
ーリード101とは、金属細線105により電気的に接
続されている。そして、ダイパッド102,半導体チッ
プ104,インナーリード101の一部,吊りリード及
び金属細線105は封止樹脂106により封止されてい
る。この構造では、インナーリード101の裏面側には
封止樹脂106は存在せず、インナーリード101の裏
面側は露出されており、この露出面を含むインナーリー
ド101の下部が外部電極107となっている。なお、
封止樹脂106との密着性を確保するために、インナー
リード101の内方側の側面を表裏の面に対して直交す
るのではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状
にしている。
より、ダイパッド102がインナーリード101に対し
てアップセットされている。そのため、封止樹脂106
がダイパッドの裏面側にも薄く形成されている。
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード1
01や、アップセットされたダイパッド102を有する
リードフレームを用意し、機械的又は化学的加工を行な
って、インナーリードの側面をテーパ状にする。次に、
用意したリードフレームのダイパッド102の上に半導
体チップ104を接着剤により接合した後、半導体チッ
プ104とインナーリード101とを金属細線105に
より電気的に接続する。金属細線105には、アルミニ
ウム細線、金(Au)線などが適宜用いられる。次に、
ダイパッド102,半導体チップ104,インナーリー
ド101,吊りリード及び金属細線105を封止樹脂1
06により封止する。この場合、半導体チップ104が
接合されたリードフレームが封止金型内に収納されて、
トランスファーモールドされるが、特にリードフレーム
の裏面が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態
で、樹脂封止が行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止
樹脂106から外方に突出しているアウターリードを切
断して、樹脂封止型半導体装置が完成する。
来の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの下
方に封止樹脂が存在しているために、半導体装置全体の
薄型化を実現するためには、半導体チップ104の厚み
を薄くしたり、半導体チップ104上の電極とインナー
リード101とを接続する金属細線105の高さを低く
したり、あるいは金属細線105の形状を特殊なものと
するなどの必要があった。その結果、樹脂封止型半導体
装置の生産性が悪化し、これが薄型化を阻害する要因と
なっていた。
実装性を悪化させる樹脂バリが形成されるので、これを
除去するべくウォータージェット等の工程を導入する必
要があり、樹脂封止型半導体装置の生産性をますます悪
化させていた。
あって、その目的は、外部電極を封止樹脂の裏面に設け
るとともに、半導体チップを封止樹脂内に埋設させた構
造を有しながら、薄型化に適した樹脂封止型半導体装置
およびその製造方法を提供することにある。
に、本発明では、第1〜第7の樹脂封止型半導体装置に
関する手段と、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る手段とを講じている。
請求項1に記載されているように、ダイパッドと、上記
ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号
接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下
方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半
導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信
号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記
ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード及び
接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用
リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子
として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内
に埋設されており、上記各吊りリードは、上記ダイパッ
ドと信号接続用リードとの間に介設されている。
コーナー部と外枠との間に設けられている構造に比べて
各吊りリードの長さを大幅に短縮できるので、吊りリー
ドの強度を大きく確保することができる。したがって、
大面積のダイパッドが必要とされるときにも、封止樹脂
の流れ等によるダイパッドの変形を抑制することができ
る。特に薄型化された樹脂封止型半導体装置において
は、ダイパッドの変形によりダイパッドが封止樹脂から
露出するおそれが増大するが、本請求項により、このよ
うな不具合を防止することができる。
1の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード
には、一部に曲げ部が設けられていることが好ましい。
時点で吊りリードの一部を削除するなどの処理が可能と
なる。
1の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード
は、上記一部において切断されていることが好ましい。
間の電気的な導通を回避することが可能となり、バイポ
ーラトランジスタを搭載した半導体チップにも適用でき
る構造となる。
1の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード
の切断されている部分の近傍が薄くなっていることが好
ましい。
りリードの一部の切断が容易な構造となる。
請求項5に記載されているように、ダイパッドと、上記
ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号
接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下
方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半
導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信
号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記
ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード及び
接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用
リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子
として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内
に埋設されており、上記各吊りリードの一部は上記封止
樹脂の裏面側で露出していて、この露出している一部が
補強用外部端子として機能している。
実装基板上に実装する際の接続強度が向上する。例え
ば、はんだにより実装基板上の電極と樹脂封止型半導体
装置の外部電極との間を接続する種類のものでは、樹脂
封止型半導体装置の補強用外部端子と実装基板上のダミ
ー端子などとの間にもはんだを介在させることで、両者
の接続強度が向上する。
2の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード
中の上記補強用外部端子の下面と、上記信号接続用リー
ド中の外部端子の下面とは、高さ位置が互いに異なって
いることが好ましい。
て樹脂封止型半導体装置を実装基板に搭載する場合にお
けるセルフアライメント性が向上するので、実装時間の
短縮と実装位置精度の向上とが実現する。
請求項7に記載されているように、ダイパッドと、上記
ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号
接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下
方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半
導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信
号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記
ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード及び
接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用
リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子
として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂
内に埋設され、かつ、上面および下面のうち少なくとも
一方の側から薄くなるように加工されている。
埋設して半導体チップに対する封止樹脂の保持力を強固
なものとしながら、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化
を図ることができる。特に、従来の構造に比べ半導体チ
ップを薄くしなくても薄型化を図ることができるので、
半導体チップ内に収納可能なトランジスタ等の性能上有
利であり、応用分野も拡大する。
3の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード
は、上記ダイパッドと同じ厚みでダイパッドにつながる
ように加工されていることが好ましい。
ドを薄くすることで、薄型化にさらに有利な構造とな
る。
3の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
は、開口部を有していることが好ましい。
体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるの
で、薄型化されても半導体チップおよびダイパッドに対
する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信
頼性を発揮することが可能となる。
請求項10に記載されているように、ダイパッドと、上
記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信
号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を
下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される
半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記
信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上
記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード及
び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続
用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端
子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹
脂内に埋設され、かつ、上記半導体チップよりも小さい
面積を有している。
チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるの
で、薄型化されても半導体チップおよびダイパッドに対
する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信
頼性を発揮することが可能となる。
第4の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリー
ドは、下面側から薄くなるように加工されていることが
好ましい。
導体チップを搭載しても、半導体チップと吊りリードと
の干渉を容易に回避できる構造となる。
第4の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッド
は、開口部を有していることが好ましい。
体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるの
で、薄型化されても半導体チップに対する封止樹脂の保
持力が高くなる。したがって、高い信頼性を発揮するこ
とが可能となる。
請求項13に記載されているように、ダイパッドと、上
記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信
号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を
下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される
半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記
信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上
記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード及
び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続
用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端
子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂
内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記
半導体チップに近接する内方部分は下面側から部分的に
除去されて他の部分よりも薄くなっており、上記接続部
材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続
されている。
らはみ出ないようにするためのスペースを確保すること
ができるとともに、樹脂封止型半導体装置の厚みを最小
に抑制することが可能になる。
第5の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用
リードの上記内方部分が上方に位置するようにアップセ
ットされていてもよい。
らはみ出ないようにするためのスペースの確保がより容
易となる。
第5の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用
リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで
延びていてもよい。
をできるだけ短くすることができるので、接続部材によ
る接続部の信頼性を高く維持することができる。
請求項16に記載されているように、ダイパッドと、上
記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信
号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を
下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される
半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記
信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上
記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード及
び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続
用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端
子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂
内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記
半導体チップに近接する内方部分は上方に位置するよう
にアップセットされていて、上記接続部材は上記信号接
続用リードの上記内方部分の下面に接続されている。
らはみ出ないようにするためのスペースを確保すること
ができる。
第6の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用
リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで
延びていてもよい。
請求項18に記載されているように、ダイパッドと、上
記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信
号接続用リードと、主面の辺部を除く領域上に電極パッ
ドを有し、主面を下方に向けた状態で主面の辺部におい
て上記ダイパッドにより支持される半導体チップと、上
記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードと
を電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド,上記
半導体チップ,信号接続用リード及び接続部材を封止す
る封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上
記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能してお
り、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されてお
り、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近
接する内方部分は上記半導体チップの下方まで延びてお
り、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部
分の下面に接続されている。
辺部に部分的に存在しているだけなので、半導体チップ
の中央部には接続部材の形成などのために使用できるス
ペースが確保される。そして、半導体チップの上方には
ダイパッドが存在しない分だけ樹脂封止型半導体装置全
体の薄型化が可能である。すなわち、半導体チップと信
号接続用リードの間の領域を効率よく活用できる結果、
樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることが可能と
なる。
第7の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用
リードの上記内方部分は、上方に位置するようにアップ
セットされていることが好ましい。
用リードの内方部分とダイパッドとの干渉を回避しなが
ら、接続部材の長さをできるだけ短くできるので、樹脂
封止型半導体装置全体の薄型化を図りつつ、信頼性の向
上を図ることができる。
第7の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用
リードの上記内方部分は、下面側から部分的に除去され
て他の部分よりも薄くなっていることが好ましい。
出ないようにするためのスペースをより広く確保するこ
とができる。
第1〜第7の樹脂封止型半導体装置において、上記信号
接続用リードの少なくとも一部には、溝部が形成されて
いることが好ましい。
止樹脂の保持力を高めることができ、樹脂封止型半導体
装置の信頼性が向上する。
は、請求項22に記載されているように、半導体チップ
を搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップを支持
するためのダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に
接続するための複数の吊りリードと、上記外枠に接続さ
れる信号接続用リードとを有し、かつ上記ダイパッドが
上記外枠よりも上方に位置しているリードフレームを用
意する第1の工程と、上記ダイパッドと、主面上に電極
パッドを有する半導体チップとを固着させる第2の工程
と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リ
ードとを金属細線を介して電気的に接続する第3の工程
と、上記リードフレームの上記信号接続用リードの下面
の少なくとも一部に封止テープを密着させながら、封止
テープを封止金型に装着する第4の工程と、上記ダイパ
ッド,半導体チップ,信号接続用リード及び金属細線を
封止樹脂により封止する第5の工程と、上記封止テープ
を除去する第6の工程とを備え、上記信号接続用リード
の下面の少なくとも一部が上記封止樹脂の裏面から露出
しているとともに、上記ダイパッドが上記封止樹脂内に
埋設されている樹脂封止体を得る方法である。
ードフレームの外枠に加えられる型締め力により信号接
続用リードの下面を封止テープに食い込ませることが可
能になる。すなわち、ダイパッドの上面露出タイプの樹
脂封止型半導体装置において、信号接続用リードの下部
を封止樹脂から突出させた構造が容易に得られるととも
に、信号接続用リードの下面における樹脂バリの発生量
を最小化することが可能になる。
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第5の
工程と上記第6の工程との間に、上記各吊りリードの一
部を切断する工程をさらに備えていることが好ましい。
で各吊りリードの一部を切断することで、溶融した吊り
リードを構成する金属が周囲に付着するのを防止でき、
品質,品位の優れた樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第1の
工程では、表面に金属メッキ層が形成されたリードフレ
ームを用意することが好ましい。
ら露出している部分のみにメッキを施す方法に比べて、
メッキ処理の作業が簡単になるとともに、封止樹脂内の
リードフレームにもメッキが施されていることでドライ
プロセスが可能になり樹脂封止型半導体装置の信頼性も
向上する。
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第4の
工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一
部の上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になる
ように、所定厚みの封止テープを用いることが好まし
い。
突出量を調整するための工程や設備を設けることなく、
突出量を調整できるので、量産工程における工程管理の
容易化を図ることができる。
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記封止金
型のうち上記信号接続用リードの突出させる部分に対向
する部分に逃げ溝を形成しておき、上記第5の工程で
は、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部を上
記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なうことにより、
上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整することができ
る。
止樹脂からの突出量をより適正に調節することが可能に
なる。
は、ダイパッドを封止樹脂内に埋設させた共通の構成を
有しており、以下、その中の各種の実施形態について説
明する。
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。ただ
し、図1においては封止樹脂17を透明体として扱い、
各吊りリードの図示は省略している。
型半導体装置は、信号接続用リード12と、半導体チッ
プを支持するためのダイパッド13と、そのダイパッド
13を支持するための吊りリードとからなるリードフレ
ームを備えている。そして、ダイパッド13の下面に
は、主面上に電極パッド(図示せず)を配列させた半導
体チップ15が主面を下方に向けて接着剤により接合さ
れており、半導体チップ15の電極パッドと信号接続用
リード12の下面とは、金属細線16により互いに電気
的に接続されている。そして、信号接続用リード12,
ダイパッド13,吊りリード,半導体チップ15及び金
属細線16は、封止樹脂17内に封止されている。
パッド13の厚みがハーフエッチ等により薄くなってい
て、ダイパッド13がアップセットされているととも
に、ダイパッド13が封止樹脂17内に埋設されている
点である。そのため、封止樹脂17により封止された状
態では、封止樹脂17がダイパッド13の上方に薄く存
在している。
続用リード12の半導体チップ15に近接した内方部分
は、下面側がハーフエッチされて薄くなっており、この
内方部分の下面の高さ位置は外方部分の下面の高さ位置
よりも上方にあって、上記金属細線16は、信号接続用
リード12の内方部分の下面と半導体チップの電極パッ
ドとの間を接続するように構成されている点である。
接続用リード12の外方部分の下面が封止樹脂17の裏
面側で露出しており、この信号接続用リード12の外方
部分の下面が実装基板との接続面となっている点、すな
わち、信号接続用リード12の外方部分の下部が外部電
極18となっている点である。そして、封止樹脂から露
出している外部電極18には本来的に樹脂封止工程にお
ける樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、か
つ外部電極18は封止樹脂17の裏面よりも下方に少し
突出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下
方に突出した外部電極18の構造は、後述する製造方法
によって容易に実現できる。
と、ダイパッド13が封止樹脂17内に埋設されている
ので、封止樹脂17がダイパッド13の上方にも薄く存
在している。したがって、ダイパッドの上面や下面を封
止樹脂から露出させたものに比べて、ダイパッド13に
対する封止樹脂17の保持力が増大し、樹脂封止型半導
体装置としての信頼性が向上する。
13の厚みが薄くなっているので、半導体チップ15の
厚みを薄くしなくても、樹脂封止型半導体装置全体の薄
型化を図ることができる利点がある。すなわち、半導体
チップを薄くすることで、半導体チップ15内に設けら
れているトランジスタ等の半導体素子の種類や数に対す
る制限を緩和でき、高い性能を維持できるとともに、応
用分野も拡大する。
が下面側からハーフエッチされて内方部分の下面と半導
体チップ13の下方を向いている主面上の電極パッドと
が金属細線16によって接続される構造となっているの
で、狭いスペースを効率よく活用して金属細線16を封
止樹脂からはみ出させないように形成できる構造とな
る。
方には外部電極端子となるアウターリードが存在せず、
インナーリードに相当する信号接続用リード12の下部
が外部電極18となっているので、半導体装置の小型化
を図ることができる。しかも、外部電極18の下面には
樹脂バリが存在していないので、実装基板の電極との接
合の信頼性が向上する。また、外部電極18が封止樹脂
17の面より突出して形成されているため、実装基板に
樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基
板の電極との接合において、外部電極18のスタンドオ
フ高さが予め確保されていることになる。したがって、
外部電極18をそのまま外部端子として用いることがで
き、実装基板への実装のために外部電極18にはんだボ
ールを付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に
有利となる。
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図
2〜図6は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程を示す断面図である。
ド12と、半導体チップを支持するためのダイパッド1
3とが設けられているリードフレーム20を用意する。
図中、ダイパッド13は吊りリードによって支持されて
いるが、吊りリードはこの断面には現れないために図示
されていない。そして、吊りリードが上方に曲げられる
ことで、ダイパッド13は外枠よりも上方に位置するよ
うにアップセットされている。また、信号接続用リード
12の外方はリードフレーム20の外枠に接続されてい
るが、外枠は信号接続用リードと連続しているために、
この段面では境界が現れていない。ここで、ダイパッド
13は、ハーフエッチにより全体が薄くなっている。さ
らに、用意するリードフレーム20は、樹脂封止の際、
封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリード
フレームである。
20は、銅(Cu)素材のフレームに対して、下地メッ
キとしてニッケル(Ni)層が、その上にパラジウム
(Pd)層が、最上層に薄膜の金(Au)層がそれぞれ
メッキされた3層の金属メッキ済みのリードフレームで
ある。ただし、銅(Cu)素材以外にも42アロイ材等
の素材を使用でき、また、ニッケル(Ni),パラジウ
ム(Pd),金(Au)以外の貴金属メッキが施されて
いてもよく、さらに、かならずしも3層メッキでなくて
もよい。
フレームのダイパッド13の下面に半導体チップ15を
載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この工
程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チ
ップを支持する部材としてはリードフレームに限定され
るものではなく、他の半導体チップを支持できる部材、
例えばTABテープ、基板を用いてもよい。
3の下面に接合した半導体チップ15の下方を向いてい
る主面上の電極パッドと信号接続用リード12の内方部
分の下面とを金属細線16により電気的に接合する。こ
の工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細
線としては、アルミニウム細線、金(Au)線などを適
宜選択して用いることができる。
のダイパッド13に半導体チップ15が接合された状態
で、信号接続用リード12の外部電極18の下面に封止
テープ21を貼り付ける。
ード12の外部電極18の下面側に樹脂封止時に封止樹
脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせ
るためのものであり、この封止テープ21の存在によっ
て、外部電極18の下面に樹脂バリが形成されるのを防
止することができる。この封止テープ21は、ポリエチ
レンテレフタレート,ポリイミド,ポリカーボネートな
どを主成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹
脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時に
おける高温環境に耐性があるものであればよい。本実施
形態では、ポリエチレンテレフタレートを主成分とした
テープを用い、厚みは50[μm]とした。
5が接合され、封止テープ21が貼り付けられたリード
フレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂17を流
し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テー
プ21を貼り付けることも可能である。この際、外部電
極18の下面側に封止樹脂17が回り込まないように、
金型でリードフレームの信号接続用リード12の外方側
(外枠)を下方に押圧して、樹脂封止する。また、ダイ
パッド13の上面と金型面との間には、空隙があり、封
止樹脂17がダイパッド13の上方にも十分行き渡るよ
うに樹脂封止工程を行なう。
止テープ21をピールオフにより除去する。これによ
り、ダイパッド13の上方には封止樹脂17が存在した
構造が得られる。また、封止樹脂17の裏面側には封止
樹脂17の下面から下方に突出した外部電極18が形成
される。そして、信号接続用リード12の先端側を、信
号接続用リード12の先端面と封止樹脂17の側面とが
ほぼ同一面になるように切り離すことにより、図1に示
すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
ド13の全体が薄く形成され、かつ、ダイパッド13の
上方に封止樹脂17が存在している樹脂封止型半導体装
置を容易に製造することができる。
樹脂封止工程の前に予め信号接続用リード12の外部電
極18の下面に封止テープ21を貼付しているので、封
止樹脂17が回り込むことがなく、外部電極18の下面
には樹脂バリの発生はない。したがって、信号接続用リ
ードの下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の
製造方法のごとく、外部電極18上に形成された樹脂バ
リをウォータージェットなどによって除去する必要はな
い。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工
程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程に
おける工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォー
タージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じ
るおそれのあったリードフレームのニッケル(Ni),
パラジウム(Pd),金(Au)などの金属メッキ層の
剥がれや不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封
止工程前における各金属層のプリメッキが可能となる。
除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する
工程が新たに必要となるが、封止テープ21を貼付する
工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に
安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工
程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウ
ォータージェット工程では、リードフレームの金属メッ
キが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブ
ルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの
貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッ
キ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点
となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂
バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バ
リであるので、低い水圧でウォータージェット処理して
樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることか
ら金属層のプリメッキ工程は可能である。
プ21をつけたままで封止テープ21の上からレーザー
を照射して信号接続用リード12の封止樹脂17の側方
にから突出している部分を切断してもよい。このよう
に、リードフレームの切断部分の周囲が封止テープによ
って覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に
飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を
樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点
がある。
おいては、封止金型の熱によって封止テープ21が軟化
するとともに熱収縮するので、外部電極18が封止テー
プ21に大きく食い込み、外部電極18の下面と封止樹
脂17の裏面との間には段差が形成される。したがっ
て、外部電極18は封止樹脂17の裏面から突出した構
造となり、外部電極18の突出量(スタンドオフ高さ)
を確保できる。例えば、本実施形態では、封止テープ2
1の厚みを50μmとしているので、スタンドオフ高さ
を例えば20μm程度にできる。このように、封止テー
プ21の厚みの調整によって外部電極18のスタンドオ
フ高さを適正量に維持できる。このことは、外部電極1
8のスタンドオフ高さを封止テープ21の厚みの設定の
みでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコン
トロールのための手段または工程を設けなくてもよいこ
と意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極め
て有利な点である。この封止テープ21の厚みは、10
〜150μm程度であることが好ましい。
所望するスタンドオフ高さに応じて、所定の硬度,厚み
および熱による軟化特性を有する材質を選択することが
できる。
止テープ21に加える圧力の調整によって、外部電極1
8のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、スタ
ンドオフ高さをほぼ「0」にすることも可能である。
について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導
体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有してい
てもよいが、ダイパッドの形状やダイパッドと吊りリー
ドとの接続部の形状のみが異なる。そこで、本実施形態
においては、ダイパッドやそれにつながる吊りリードを
除く他の部分についての説明は省略する。
ド13の平面図、図7(b)は図7(a)に示すVIIb−
VIIb線における断面図である。図7(a),(b)に示
すように、本具体例に係るダイパッド13は、ハーフエ
ッチにより厚みが薄く形成されているとともに(本実施
形態では、下面側からハーフエッチされている)、半導
体チップ15よりも面積が小さい。また、ダイパッド1
3を支持する吊りリード14の厚みもダイパッド13に
つながる部分では、ダイパッド13と同じ厚みに形成さ
れている。ただし、ダイパッド13から離れた部位から
外方においては、ハーフエッチされていない。
型半導体装置によると、ダイパッド13よりも半導体チ
ップ15の方が大面積となっているので、ダイパッド1
3の側方かつ半導体チップ15の上の領域に封止樹脂が
存在することにより、半導体チップ15に対する封止樹
脂17の保持力が大幅に向上する。その結果、半導体チ
ップ15と接着されているダイパッド13に対する封止
樹脂17の保持力も向上するので、樹脂封止型半導体装
置の薄型化を図りつつ、信頼性の向上を図ることができ
る。
13厚みと同じ厚みになっていることにより、樹脂封止
型半導体装置全体の薄型化をより確実に実現することが
できる。その場合、吊りリード14は下面側からハーフ
エッチされている方が、ダイパッド13よりも面積の大
きい半導体チップ15を搭載しても吊りリード14と半
導体チップ15との干渉を容易に回避できる利点があ
る。
脂封止型半導体装置のダイパッドおよび吊りリードのみ
を示す平面図である。本具体例に係るダイパッド13の
平面形状は、図7(a)に示すような矩形である必要は
なく、図8に示すような形状でもよい。すなわち、中央
部に設けられた単一の円板や、中央部の円板にさらに各
コーナー部に設けた4つの円板(破線参照)を加えたも
のからなるダイパッド13であってもよい。
ド13の平面図、図9(b)は図9(a)に示すIXb-IX
b 線における断面図である。図9(a),(b)に示す
ように、本具体例に係るダイパッド13には、中央部に
矩形状の開口30aが形成されている。この開口30a
は、半導体チップ15の搭載領域の内方に形成されてい
る。また、ダイパッド13はハーフエッチ等により全体
が薄く形成されている。
型半導体装置によると、ダイパッド13に開口30aが
形成されているので、開口30aの内方かつ半導体チッ
プ15の上方となる領域に封止樹脂17が存在すること
になり、半導体チップ15およびダイパッド13に対す
る封止樹脂17の保持力が大幅に向上する。
に、コーナー部で円状の領域を有するフレームによって
囲まれる開口30bや、コーナー部で矩形状の領域を有
するフレームによって囲まれる開口30cを有するダイ
パッド13であってもよい。
ドの構造に関する第3の実施形態の各具体例について説
明する。
止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、信
号接続用リード12の内方部分は、下面側からハーフエ
ッチされて外方部分よりも薄くなっており、この内方部
分の下面と半導体チップ15との間に金属細線16が設
けられている。そして、信号接続用リード12の外方部
分の上面、つまり外部電極18の上方には、2つの溝部
31が設けられている。さらに、図示しないが、信号接
続用リード12の外方部分のうちこの溝部が形成されて
いる部分は下方よりも幅が広くなっている。
の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、
内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ
位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくて
も、封止樹脂17の裏面との間にある程度の空間を確保
することができる。したがって、金属細線16の一端を
信号接続用リード12の内方部分の下面に接続しても、
金属細線16を封止樹脂17内に確実に埋設することが
できる。
りつつ、金属細線16が封止樹脂17から露出するのを
防止することができる。
の下側に封止樹脂17が回り込むことで、信号接続用リ
ード12に対する封止樹脂17の保持力も増大する。
上面に溝部31を設けることにより、信号接続用リード
12に対する封止樹脂17の保持力が増大し、かつ、信
号接続用リード12の外方部分の上部の幅を下部よりも
広くすることにより、封止樹脂17の保持力がさらに増
大することになる。
断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号
接続用リード12の内方部分に下面側からハーフエッチ
が施されているとともに、この内方部分がアップセット
され、アップセットされた部分の下面に金属細線16の
一端が接続されている。
号接続用リード12の内方部分を半導体チップ15に近
づけることができるので、金属細線16の信頼性が向上
する。また、信号接続用リード12の内方部分の下方に
十分なスペースが確保されるので、金属細線16を封止
樹脂17内に確実に埋設でき、金属細線16が封止樹脂
17から露出するのをより確実に防止することができ
る。
断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号
接続用リード12にはハーフエッチが施されていない
が、信号接続用リード12の内方部分がその外方部分よ
りもアップセットされている。
2の内方部分を半導体チップ15に近づけることができ
るので、金属細線16のワイヤボンディングの信頼性が
向上する。また、信号接続用リード12の内方部分の下
方に十分なスペースが確保されるので、金属細線16を
封止樹脂17内に確実に埋設でき、金属細線16が封止
樹脂17から露出するのを確実に防止することができ
る。
断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号
接続用リード12に下面側からハーフエッチが施され、
かつ、信号接続用リード12の内方部分は半導体チップ
15の下方領域まで延びている。また、半導体チップ1
5の主面上の電極パッド(図示せず)は、半導体チップ
の外周付近ではなく、中央部に近い領域に配列されてい
る。そして、半導体チップの電極パッドと信号接続用リ
ード12の内方部分の下面との間に金属細線16が設け
られている。
方部分を半導体チップ15の電極パッドが配列された位
置に近づけることができるので、金属細線16の長さを
短くすることができる。したがって、樹脂封止型半導体
装置の薄型化を図りつつ、金属細線16のワイヤボンデ
ィングの信頼性および特性の向上を図ることができる。
用リード12の内方部分をアップセットするようにして
もよいことはいうまでもない。
について説明する。本実施形態では、さらに薄型化を図
るためのダイパッド13の構造に関する具体例について
説明する。
止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、ダ
イパッド13は半導体チップ15の辺部のみに設けら
れ、しかも半導体チップ15の主面側つまり下面側から
半導体チップ15を支持している。そして、信号接続用
リード12の内方部分は、下面側からハーフエッチされ
て外方部分よりも薄くなっており、半導体チップ15の
下方領域まで延びている。また、半導体チップ15の主
面において中央部に電極パッドが配列されており、この
電極パッドと信号接続用リード12の内方部分の下面と
の間に金属細線16が設けられている。
の平面形状の例を示す平面図である。図17(a)に示
すようにダイパッドの辺部のうちコーナー付近だけに各
々孤立した4つの矩形状部分からなるダイパッドを設け
てもよいし、図17(b)に示すように2つの辺部に沿
って延びる2つの帯状部分からなるダイパッド13であ
ってもよい。また、図10(a),(b)に示すような
平面形状を有するダイパッド13により半導体チップ1
5の主面側を支持してもよい。
半導体チップ15をその主面の辺部において支持すると
ともに、信号接続用リード12の内方部分を半導体チッ
プ15の下方領域まで延ばして、金蔵細線16をこの内
方部分の下面に接続させる構成とすることで、半導体チ
ップと信号接続用リード12との間のスペースを非常に
有効に利用することができる。その結果、樹脂封止型半
導体装置全体の厚みをより薄くかつ小型にすることがで
きる。
分を下面側からハーフエッチすることにより、内方部分
の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ位置より
も上方になるので、全体の厚みを厚くしなくても、封止
樹脂17の裏面との間にある程度の空間を確保すること
ができる。したがって、金属細線16の一端を信号接続
用リード12の内方部分の下面に接続しても、金属細線
16を封止樹脂17内に確実に埋設することができる。
りつつ、金属細線16が封止樹脂17から露出するのを
防止することができる。
の下側に封止樹脂17が回り込むことで、信号接続用リ
ード12に対する封止樹脂17の保持力も増大する。
上面に溝部31を設けることにより、信号接続用リード
12に対する封止樹脂17の保持力が増大し、かつ、信
号接続用リード12の外方部分の上部の幅を下部よりも
広くすることにより、封止樹脂17の保持力がさらに増
大することになる。
断面図である。同図に示すように、本具体例において
も、ダイパッド13は半導体チップ15の辺部のみに設
けられ、しかも半導体チップ15の主面側つまり下面側
から半導体チップ15を支持している。そして、本具体
例では、上記第1の具体例とは異なり、信号接続用リー
ド12の内方部分に下面側からハーフエッチが施されて
いるとともに、この内方部分がアップセットされ、アッ
プセットされた部分の下面に金属細線16の一端が接続
されている。
号接続用リード12の内方部分を半導体チップ15に近
づけることができるので、金属細線16の信頼性が向上
する。また、信号接続用リード12の内方部分の下方に
十分なスペースが確保されるので、金属細線12が封止
樹脂17内に確実に埋設でき、金属細線16が封止樹脂
17から露出するのをより確実に防止することができ
る。
3の平面形状は、図17(a)に示すようにダイパッド
の辺部のうちコーナー付近だけに各々孤立した4つの矩
形状部分からなるものであってもよいし、図17(b)
に示すように2つの辺部に沿って延びる2つの帯状部分
からなるダイパッド13であってもよい。また、図10
(a),(b)に示すような平面形状を有するダイパッ
ド13により半導体チップ15の主面側を支持してもよ
い。
の構造に関する第5の実施形態の樹脂封止型半導体装置
について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導
体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有してい
てもよいが、吊りリードの形状のみが異なる。そこで、
本実施形態においては、吊りリードおよびそれにつなが
るダイパッドを除く他の部分についての説明は省略す
る。
フレームの平面図であり、図18(b)は図18(a)
に示すXVIIIb-XVIIIb 線に示す断面におけるリードフレ
ームの断面図である。図18(a),(b)に示すよう
に、外枠46につながる信号接続用リード12とダイパ
ッド13との間に吊りリード14が介設されている。す
なわち、吊りリード14及び信号接続用リード12を介
して、外枠46によりダイパッド13を支持するように
構成されている。この吊りリード14には吊りリード1
4の一部を封止樹脂から露出させるためのコ字状の曲げ
部45が設けられている。また、外枠46よりもダイパ
ッド13の方が高くなるようにダイパッド13がアップ
セットされている。本実施形態では、このアップセット
量は40〜80μm程度である。
12の内方側部分は裏面側からハーフエッチが施されて
おり、吊りリード14およびダイパッド13は全体的に
ハーフエッチされて薄くなっている。また、信号接続用
リード12の表側には信号接続用リード12が延びる方
向に直交する2つの溝が形成されている。
パッド13の辺部との間に吊りリード14を介設するこ
とにより、吊りリード14をコーナー部に設けるよりも
短くでき、吊りリード14の強度を向上させることがで
きる。また、曲げ部によりダイパッド位置を支えること
により、さらに安定させることができる。したがって、
樹脂封止工程において封止樹脂17の流れによるダイパ
ッドの変形を抑制する機能をより高めることができ、大
面積のダイパッドが必要とされるときにも、封止樹脂の
流れ等によるダイパッドの変形を抑制することができ
る。特に、薄型化された樹脂封止型半導体装置において
は、ダイパッドの変形によりダイパッドが封止樹脂から
はみ出るおそれが増大するが、本具体例により、このよ
うな不具合を効果的に防止することができる。
曲げ部45を設けることで、樹脂封止工程の後に、レー
ザーなどによって露出している吊りリード14の一部を
切断することができるので、ダイパッド13と吊りリー
ド14の外方側に接続される信号接続用リード12とを
電気的に分離できるなどの利点がある。すなわち、吊り
リード14の一部を樹脂封止工程の後に切断することに
より、例えば信号接続用リード12とダイパッド13と
の電気的な接続を断つことができ、バイポーラトランジ
スタを搭載した半導体チップについても、このような構
造を適用できるという利点がある。
出させようとする面に封止テープを密着させておき、樹
脂封止工程の終了後に、封止テープをつけたままで封止
テープ21の上から吊りリード14の曲げ部45の一部
を切断してもよい。このように、吊りリード14の一部
を切断しておくことで、形成される樹脂封止型半導体装
置においては上述の効果が得られる。しかも、曲げ部4
5の周囲が封止テープによって覆われているので、レー
ザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープを剥
がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置から容
易に除去できるという利点がある。
について説明する。本実施形態では、吊りリードを補強
用外部端子として用いるための構造について説明する。
型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
型半導体装置は、裏面に信号接続用リードにつながる外
部電極18を露出させているとともに、4カ所のコーナ
ー部においてダイパッド13を支持するための吊りリー
ド14の外方側端部を露出させており、この部分が補強
用外部端子49として機能する。すなわち、樹脂封止型
半導体装置を実装基板上に搭載する場合に、はんだ等で
実装基板側の電極と樹脂封止型半導体装置の外部電極1
8とが接続される。その際、補強用外部端子49と実装
基板側のダミー端子などとの間にもはんだ等を介在させ
ることにより、実装強度を極めて高めることができる。
また、補強用外部端子49が存在することで、はんだの
張力によるセルフアライメント作用が顕著となり、実装
に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上をも図
ることができる。
る吊りリード14に対しても、上記第5の実施形態にお
ける各具体例および変形例の構造が適用できることはい
うまでもない。
との高さ位置を変えておくことで、アライメント性をさ
らに向上させることができ、実装に要する時間の短縮や
実装される位置精度の向上効果を顕著に発揮することが
できる。その場合、上記補強用外部端子49の露出して
いる部分の下面と、上記外部電極18の露出している部
分の下面との高さの差は、10〜150μmであること
が好ましい。
しも樹脂封止型半導体装置の裏面の4つの辺部に設けら
れている必要はなく、いずれか2つの平行な辺部に沿っ
てのみ設けられていてもよい。
電極の封止樹脂からの突出量を調整するための樹脂封止
方法について説明する。
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。同図に示すように、上金型50aと下金型50
bとからなる封止金型を用い、ダイパッド13上に半導
体チップ15を搭載し、半導体チップの電極パッドと信
号接続用リード12とを金属細線16で接続したものを
封止金型の下金型50bに装着し、リードフレームの下
面に封止テープ21を密着させた状態で樹脂封止を行な
う。
下金型50bにおいて、リードフレームの信号接続用リ
ード12の外方部分である外部電極18(及び外枠4
6)に対向する領域には凹状の逃げ部52が設けられて
いる点である。
おくことにより、封止テープ21を逃げ部52の方に逃
すことで、信号接続用リード12の封止テープ21への
食い込み量が小さくなる。その結果、封止金型の型締め
力だけでなく逃げ部52の深さによって、突出させよう
とする部分の突出量を所望の値に調整することでき、樹
脂バリの発生量も最小化することができる。
る部分(例えば曲げ部)に対向する金型面に逃げ部を設
けることにより、当該露出部分の封止樹脂からの突出量
の調節や、樹脂バリの発生量の最小化を図ることができ
る。
の型締め力の調整や、上金型−下金型間の寸法よりもリ
ードフレームの寸法を大きめにする場合の寸法の設定量
によって、上記各実施形態において露出させる部分の突
出量を調節してもよい。
き用の穴を設け、封止テープ21を真空引きしながら樹
脂封止を行なうことにより、封止テープのシワの発生を
抑制し、封止樹脂の裏面の平坦化を図ることもできる。
よると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で
露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しな
がら、吊りリードをダイパッドと信号接続用リードとの
間に介設する構造としたので、大面積のダイパッドが必
要とされるときにも、ダイパッドの変形による封止樹脂
からの露出を防止する機能の高い薄型化された樹脂封止
型半導体装置の提供を図ることができる。
ると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露
出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しなが
ら、吊りリードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させ、
この露出している部分を補強用外部端子として機能させ
るようにしたので、樹脂封止型半導体装置を実装基板上
に実装する際の接続強度の向上を図ることができる。
ると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露
出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しなが
ら、ダイパッドをその上面および下面のうち少なくとも
一方の側から薄くなるように加工しているので、半導体
チップの厚みを低減することなく、樹脂封止型半導体装
置全体の薄型化を図ることができる。
ると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露
出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しなが
ら、ダイパッドの面積を半導体チップよりも小さくした
ので、ダイパッドの側方かつ半導体チップの上の領域に
封止樹脂が存在することにより、封止樹脂の保持力を高
く維持しながら樹脂封止型半導体装置の薄型化を図るこ
とができる。
体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の
裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に
埋設しながら、信号接続用リードの内方部分を他の部分
よりも薄くしまたは内方部分をアップセットして、接続
部材を信号接続用リードの内方部分の下面に接続するよ
うにしたので、接続部材が封止樹脂からはみ出ないよう
にしながら樹脂封止型半導体装置の厚みを最小に抑制す
ることができる。
ると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露
出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しなが
ら、ダイパッドにより半導体チップをその主面の辺部で
支持する構造とし、信号接続用リードの内方部分を半導
体チップの下方領域まで延ばして接続部材をこの内方部
分の下面に接続する構造としたので、半導体チップと信
号接続用リードの間の領域を効率よく活用できることに
より、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることが
できる。
によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側
で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設さ
せた構造を有する樹脂封止型半導体装置を製造する際
に、信号接続用リードの下面に封止テープを密着させて
樹脂封止を行なうようにしたので、外部電極が封止樹脂
の下面に突出した樹脂封止型半導体装置を容易に製造す
ることができる。
体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面
図である。
工程におけるダイパッドに半導体チップを接合する工程
を示す断面図である。
工程における金属細線を形成する工程を示す断面図であ
る。
工程における封止テープをリードフレームの下に敷く工
程を示す断面図である。
工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
リードフレームの平面図及び断面図である。
例に係るリードフレームの平面図である。
リードフレームの平面図及び断面図である。
形例に係るリードフレームの平面図である。
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
の具体例に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッドの平
面形状を示す平面図である。
ムの平面図及び断面図である。
導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。
脂封止型半導体装置の断面図である。
Claims (26)
- 【請求項1】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持す
るための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で
上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード
及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、 上記各吊りリードは、上記ダイパッドと信号接続用リー
ドとの間に介設されていることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 上記各吊りリードには、一部に曲げ部が設けられている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 上記各吊りリードは、上記一部において切断されている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 上記各吊りリードの切断されている部分の近傍が薄くな
っていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項5】 ダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で
上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード
及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、 上記各吊りリードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出
していて、この露出している一部が補強用外部端子とし
て機能することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項6】 請求項5記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 上記各吊りリード中の上記補強用外部端子の下面と、上
記信号接続用リード中の外部端子の下面とは、高さ位置
が互いに異なっていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項7】 ダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で
上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード
及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、
上面および下面のうち少なくとも一方の側から薄くなる
ように加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項8】 請求項7記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 上記各吊りリードは、上記ダイパッドと同じ厚みでダイ
パッドにつながるように加工されていることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項9】 請求項7または8記載の樹脂封止型半導
体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有してい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項10】 ダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で
上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード
及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、
上記半導体チップよりも小さい面積を有することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項11】 請求項10記載の樹脂封止型半導体装
置において、 上記各吊りリードは、下面側から薄くなるように加工さ
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項12】 請求項10または11記載の樹脂封止
型半導体装置において、 上記ダイパッドは、開口部を有していることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項13】 ダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で
上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード
及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、 上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接す
る内方部分は下面側から部分的に除去されて他の部分よ
りも薄くなっており、 上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の
下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項14】 請求項13記載の樹脂封止型半導体装
置において、 上記信号接続用リードの上記内方部分が上方に位置する
ようにアップセットされていることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項15】 請求項13または14記載の樹脂封止
型半導体装置において、 上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チ
ップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項16】 ダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で
上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード
及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、 上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接す
る内方部分は上方に位置するようにアップセットされて
いて、 上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の
下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項17】 請求項16記載の樹脂封止型半導体装
置において、 上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チ
ップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項18】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持
するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 主面の辺部を除く領域上に電極パッドを有し、主面を下
方に向けた状態で主面の辺部において上記ダイパッドに
より支持される半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード
及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、 上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接す
る内方部分は上記半導体チップの下方まで延びており、 上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の
下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項19】 請求項18記載の樹脂封止型半導体装
置において、 上記信号接続用リードの上記内方部分は、上方に位置す
るようにアップセットされていることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項20】 請求項18または19記載の樹脂封止
型半導体装置において、 上記信号接続用リードの上記内方部分は、下面側から部
分的に除去されて他の部分よりも薄くなっていることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項21】 請求項1〜20のうちいずれか1つに
記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用
リードの少なくとも一部には、溝部が形成されているこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項22】 半導体チップを搭載する領域を囲む外
枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッド
と、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための複数の
吊りリードと、上記外枠に接続される信号接続用リード
とを有し、かつ上記ダイパッドが上記外枠よりも上方に
位置しているリードフレームを用意する第1の工程と、 上記ダイパッドと、主面上に電極パッドを有する半導体
チップとを固着させる第2の工程と、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
とを金属細線を介して電気的に接続する第3の工程と、 上記リードフレームの上記信号接続用リードの下面の少
なくとも一部に封止テープを密着させながら、封止テー
プを封止金型に装着する第4の工程と、 上記ダイパッド,半導体チップ,信号接続用リード及び
金属細線を封止樹脂により封止する第5の工程と、 上記封止テープを除去する第6の工程とを備え、 上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部が上記封
止樹脂の裏面から露出しているとともに、上記ダイパッ
ドが上記封止樹脂内に埋設されている樹脂封止体を得る
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項23】 請求項22記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、 上記第5の工程と上記第6の工程との間に、上記各吊り
リードの一部を切断する工程をさらに備えていることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項24】 請求項22又は23記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法において、 上記第1の工程では、表面に金属メッキ層が形成された
リードフレームを用意することを特徴とする樹脂封止型
半導体装置の製造方法。 - 【請求項25】 請求項22又は23記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法において、 上記第4の工程では、上記信号接続用リードの下面の少
なくとも一部の上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望
の値になるように、所定厚みの封止テープを用いること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項26】 請求項22又は23記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法において、 上記封止金型のうち上記信号接続用リードの突出させる
部分に対向する部分に逃げ溝を形成しておき、 上記第5の工程では、上記信号接続用リードの下面の少
なくとも一部を上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行
なうことにより、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調
整することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6081298A JP3445930B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6081298A JP3445930B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003146054A Division JP4066050B2 (ja) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11260989A true JPH11260989A (ja) | 1999-09-24 |
JP3445930B2 JP3445930B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=13153144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6081298A Expired - Fee Related JP3445930B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3445930B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100404062B1 (ko) * | 2000-05-24 | 2003-11-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 판상체 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR100701402B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2007-03-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
JP2007157826A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法、並びにそのリードフレーム |
US7851902B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-12-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device |
CN109192715A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 江苏长电科技股份有限公司 | 引线框结构、封装结构及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8216885B2 (en) * | 2009-10-19 | 2012-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Methods and devices for manufacturing cantilever leads in a semiconductor package |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP6081298A patent/JP3445930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100404062B1 (ko) * | 2000-05-24 | 2003-11-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 판상체 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR100701402B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2007-03-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
JP2007157826A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法、並びにそのリードフレーム |
US7851902B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-12-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device |
CN109192715A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 江苏长电科技股份有限公司 | 引线框结构、封装结构及其制造方法 |
CN109192715B (zh) * | 2018-09-20 | 2024-03-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 引线框结构、封装结构及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3445930B2 (ja) | 2003-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3285815B2 (ja) | リードフレーム,樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP4388586B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3062192B1 (ja) | リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH11340409A (ja) | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH11307675A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2000294719A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
JPH09312375A (ja) | リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP3046024B1 (ja) | リ―ドフレ―ムおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3470111B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP2000077596A (ja) | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JP3458057B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3292082B2 (ja) | ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP2004247613A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH11260989A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2001024133A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JP4066050B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006216993A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2002134654A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2001077285A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP2005191158A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2001267484A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4764608B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001077275A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3419922B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001077271A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030617 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |