JP2006086273A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 冷却剤をその放熱板に取りつけて用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造のＱＦＮやＳＯＮの半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものを提供する。
【解決手段】吊りリード112にて保持されたダイパッド111を有するリードフレームで、ハーフエッチング加工方法により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用い、ダイパッドをオフセットした状態で、ダイパッドのオフセット向き側でない面に半導体素子120を搭載し、ダイパッドのオフセット向き側である面をダイパッド裏面111Sとして外部に放熱部として封止用樹脂の一面に揃えて露出させ、且つ、前記ダイパッド裏面側に対向する側の封止用樹脂の一面に、リード112Aの一面を揃えて露出させている。
【選択図】図１
【解決手段】吊りリード112にて保持されたダイパッド111を有するリードフレームで、ハーフエッチング加工方法により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用い、ダイパッドをオフセットした状態で、ダイパッドのオフセット向き側でない面に半導体素子120を搭載し、ダイパッドのオフセット向き側である面をダイパッド裏面111Sとして外部に放熱部として封止用樹脂の一面に揃えて露出させ、且つ、前記ダイパッド裏面側に対向する側の封止用樹脂の一面に、リード112Aの一面を揃えて露出させている。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体パッケージの放熱性の面からダイパッドの裏面を露出させて放熱部とした樹脂封止型半導体装置に関し、特に、前記放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けるタイプの樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、樹脂封止された半導体素子の放熱のために、例えば図８（ａ）に示すように、樹脂封止部内の半導体素子４３０の一方の主面側に放熱板４１０を付設し、この放熱板４１０によって半導体素子４３０の発熱による素子表面温度の向上を抑制してきたが、このような構造の樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂４５０と放熱板４１０との熱膨張係数の違いから熱応力によって樹脂封止部の反りが起こって、内部の半導体素子４３０に応力が加わるため、半導体素子４３０の素子特性が影響を受けたり、素子破壊となり問題となっていた。
このような問題に対応して、樹脂封止部の反りが起こらず、内部の半導体素子に応力が加わらない構造として、図８（ｂ）に示すように、放熱板を２つ取り付けたものが、特開平８−１８６１９９号公報（特許文献１）には開示されているが、この構造のものは、リードフレームとは別に放熱板を２箇所に取り付けるため、加工が複雑となり、コスト高となる。
特開平８−１８６１９９号公報
このような問題に対応して、樹脂封止部の反りが起こらず、内部の半導体素子に応力が加わらない構造として、図８（ｂ）に示すように、放熱板を２つ取り付けたものが、特開平８−１８６１９９号公報（特許文献１）には開示されているが、この構造のものは、リードフレームとは別に放熱板を２箇所に取り付けるため、加工が複雑となり、コスト高となる。
一方、循環式の水冷や油冷により半導体パッケージを搭載した配線基板から熱を放出することが難しい場合、放熱を必要とする所定の半導体パッケージの露出した放熱板やフィン等の放熱部に送風して、該半導体パッケージから熱を放熱する方法が採られるが、この他に、半導体パッケージの露出した放熱板に冷却剤を袋状にして接するように配設することにより、効率的に半導体パッケージから熱を放熱する方法も採られるようになってきている。
このような中、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）における、電源用、メモリ用、高周波ＩＣ用等においては、冷却剤を袋状にしてその放熱板に接するようにして用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造の半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものが無かった。
このような中、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）における、電源用、メモリ用、高周波ＩＣ用等においては、冷却剤を袋状にしてその放熱板に接するようにして用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造の半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものが無かった。
上記のように、最近では、半導体パッケージの露出した放熱板に冷却剤を袋状にして接するように配設することにより、効率的に半導体パッケージから熱を放熱する方法も採られるようになってきている中、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）においては、冷却剤を袋状にしてその放熱板に接するようにして用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造の半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものが求められていた。
本発明はこれに対応するもので、具体的には、冷却剤または冷却フィンを放熱板に取り付けて用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造のＱＦＮやＳＯＮの半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものを提供しようとするものである。
本発明はこれに対応するもので、具体的には、冷却剤または冷却フィンを放熱板に取り付けて用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造のＱＦＮやＳＯＮの半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものを提供しようとするものである。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置であって、吊りリードにて保持されたダイパッドを有するリードフレームで、ハーフエッチング加工方法により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットした状態で、ダイパッドのオフセット向き側でない面をダイパッド表面側として半導体素子を搭載し、ダイパッドのオフセット向き側である面をダイパッド裏面側として外部に露出させ、該裏面を放熱部としており、ダイパッド裏面を封止用樹脂の一面に揃えて露出させ、且つ、前記ダイパッド裏面側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、リードの一面を揃えて露出させていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置であって、放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記の樹脂封止型半導体装置であって、リードフレームのリード全体がパッケージの表面から突出しないように形成されている、ＱＦＮ、あるいは、ＳＯＮであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかの樹脂封止型半導体装置であって、オフセット量が、リードフレーム素材の厚さの３倍以上であることを特徴とするものである。
尚、オフセットはリードオフセットとも言われ、機械的に吊りリードを延ばし、元のリードフレーム面から所定のオフセット量を得るもので、深絞りによる加工である。
また、ここでは、ダイパッドの半導体素子を搭載する側の面をダイパッド表面、該ダイパッド表面と対向する側の面をダイパッド裏面としている。
また、ハーフエッチング加工方法とは、ここでは、エッチングによるリードフレーム素材の薄肉化を伴う外形加工方法を意味するが、リードフレーム素材の両側に耐エッチング性のレジストパターンを形成して、両面から一緒に、あるいは、片面づつ両面からエッチング液を吹きかけてエッチングして外形加工を行うのが一般的である。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置であって、放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記の樹脂封止型半導体装置であって、リードフレームのリード全体がパッケージの表面から突出しないように形成されている、ＱＦＮ、あるいは、ＳＯＮであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかの樹脂封止型半導体装置であって、オフセット量が、リードフレーム素材の厚さの３倍以上であることを特徴とするものである。
尚、オフセットはリードオフセットとも言われ、機械的に吊りリードを延ばし、元のリードフレーム面から所定のオフセット量を得るもので、深絞りによる加工である。
また、ここでは、ダイパッドの半導体素子を搭載する側の面をダイパッド表面、該ダイパッド表面と対向する側の面をダイパッド裏面としている。
また、ハーフエッチング加工方法とは、ここでは、エッチングによるリードフレーム素材の薄肉化を伴う外形加工方法を意味するが、リードフレーム素材の両側に耐エッチング性のレジストパターンを形成して、両面から一緒に、あるいは、片面づつ両面からエッチング液を吹きかけてエッチングして外形加工を行うのが一般的である。
（作用）
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、ＱＦＮやＳＯＮタイプやこれらに準じる、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止された半導体パッケージのタイプで、ダイパッド裏面を放熱部として露出している樹脂封止型半導体装置において、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
具体的には、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置であって、吊りリードにて保持されたダイパッドを有するリードフレームで、ハーフエッチング加工方法により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットした状態で、ダイパッドのオフセット向き側でない面をダイパッド表面側として半導体素子を搭載し、ダイパッドのオフセット向き側である面をダイパッド裏面側として外部に露出させ、該裏面を放熱部としており、ダイパッド裏面を封止用樹脂の一面に揃えて露出させ、且つ、前記ダイパッド裏面側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、リードの一面を揃えて露出させていることにより、これを達成している。
そして、特に、放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けている場合には、効率的に半導体パッケージから熱を放熱する、高放熱性の樹脂封止型半導体装置を、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストを安価にして、提供できるものとしている。
尚、冷却剤は、通常、袋状にしてその放熱部である放熱板に接するようにして取り付けられる。
即ち、小型パッケージであるＱＦＮ、ＳＯＮにおいて、放熱性を向上させるため、ダイパッドの裏面をパッケージ上面に露出させ、その上に冷却剤または冷却フィンを取り付けられる構造のパッケージとすることを可能とした。
詳しくは、ダイパッド裏面を放熱部とし、ダイパッド裏面を封止用樹脂の一面に揃えて露出させているが、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、ハーフエッチング加工により、外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットしており、樹脂封止する際に、放熱部表面（ダイパッドの裏面のこと）にレジンバリや素材バリが発生しずらいものとしている。
仮に、ダイパッド領域と吊りリードとをリードフレーム素材の厚さとし、一面上に形成したリードフレームを用いた場合には、オフセットして、放熱部表面を露出させて樹脂封止しようとすると、吊りリード面も露出するようになり、レジンバリや素材バリが発生し易くなる。
本発明の場合は、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にしてあるので、オフセット後に吊りリード面が露出することはなく、樹脂封止してもレジンバリや素材バリの発生を防止できる。
また、吊りリードを薄肉にしてオフセットを行っているもので、オフセット量を大きくとることができる。
通常の深絞りによるオフセットにおいて、断線しないで、リードフレーム素材の厚さの３倍以上のオフセット量を得ることができ、このようにオフセット量を採ることにより、特に、ＱＦＮタイプやＳＯＮタイプのような構造のものを得るには、半導体素子の厚さやボンディングワイヤの引き回しの面で自由度が大きくなり、有利である。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、ＱＦＮやＳＯＮタイプやこれらに準じる、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止された半導体パッケージのタイプで、ダイパッド裏面を放熱部として露出している樹脂封止型半導体装置において、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
具体的には、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置であって、吊りリードにて保持されたダイパッドを有するリードフレームで、ハーフエッチング加工方法により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットした状態で、ダイパッドのオフセット向き側でない面をダイパッド表面側として半導体素子を搭載し、ダイパッドのオフセット向き側である面をダイパッド裏面側として外部に露出させ、該裏面を放熱部としており、ダイパッド裏面を封止用樹脂の一面に揃えて露出させ、且つ、前記ダイパッド裏面側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、リードの一面を揃えて露出させていることにより、これを達成している。
そして、特に、放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けている場合には、効率的に半導体パッケージから熱を放熱する、高放熱性の樹脂封止型半導体装置を、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストを安価にして、提供できるものとしている。
尚、冷却剤は、通常、袋状にしてその放熱部である放熱板に接するようにして取り付けられる。
即ち、小型パッケージであるＱＦＮ、ＳＯＮにおいて、放熱性を向上させるため、ダイパッドの裏面をパッケージ上面に露出させ、その上に冷却剤または冷却フィンを取り付けられる構造のパッケージとすることを可能とした。
詳しくは、ダイパッド裏面を放熱部とし、ダイパッド裏面を封止用樹脂の一面に揃えて露出させているが、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、ハーフエッチング加工により、外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットしており、樹脂封止する際に、放熱部表面（ダイパッドの裏面のこと）にレジンバリや素材バリが発生しずらいものとしている。
仮に、ダイパッド領域と吊りリードとをリードフレーム素材の厚さとし、一面上に形成したリードフレームを用いた場合には、オフセットして、放熱部表面を露出させて樹脂封止しようとすると、吊りリード面も露出するようになり、レジンバリや素材バリが発生し易くなる。
本発明の場合は、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にしてあるので、オフセット後に吊りリード面が露出することはなく、樹脂封止してもレジンバリや素材バリの発生を防止できる。
また、吊りリードを薄肉にしてオフセットを行っているもので、オフセット量を大きくとることができる。
通常の深絞りによるオフセットにおいて、断線しないで、リードフレーム素材の厚さの３倍以上のオフセット量を得ることができ、このようにオフセット量を採ることにより、特に、ＱＦＮタイプやＳＯＮタイプのような構造のものを得るには、半導体素子の厚さやボンディングワイヤの引き回しの面で自由度が大きくなり、有利である。
本発明は、上記のように、ＱＦＮやＳＯＮタイプやこれらに準じる、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止された半導体パッケージのタイプで、ダイパッド裏面を放熱部として露出している樹脂封止型半導体装置において、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
冷却剤または冷却フィンをその放熱板に取り付けて用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造のＱＦＮやＳＯＮの半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものの提供を可能とした。
特に、ＱＦＮ、ＳＯＮにおいて、放熱性を向上させるため、ダイパッドをパッケージ上面に露出させ、その上に冷却剤または冷却フィンを取り付ける構造のパッケージの提供を可能とした。
そして、これらにおいて、モールド時でのダイパッド際からのレジンバリや素材バリを出さず、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを可能とした。
冷却剤または冷却フィンをその放熱板に取り付けて用いて効率的に半導体パッケージから熱を放熱する構造のＱＦＮやＳＯＮの半導体パッケージで、品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストが安価であるものの提供を可能とした。
特に、ＱＦＮ、ＳＯＮにおいて、放熱性を向上させるため、ダイパッドをパッケージ上面に露出させ、その上に冷却剤または冷却フィンを取り付ける構造のパッケージの提供を可能とした。
そして、これらにおいて、モールド時でのダイパッド際からのレジンバリや素材バリを出さず、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを可能とした。
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を透視して見た概略図で、図１（ｂ）は図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置の各部の平面的な配置を示した概略図で、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２部をＡ０側から見た断面図で、図１（ｄ）は図１（ｂ）のＡ３−Ａ４部をＡ０側から見た断面図で、図２（ａ）〜図２（ｅ）は図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示した工程断面図で、図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を透視して見た概略図で、図３（ｂ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を透視して見た概略図で、図３（ｃ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を透視して見た概略図で、図４（ａ）〜図４（ｄ）は第１の例の変形例（図４（ｄ）に相当）の製造工程を示した工程断面図で、図５（ａ）は、パンチカット方式により個片化する場合のリードフレームの配列状態を示した図で、図５（ｂ）、図５（ｃ）は、それぞれ、ダイサーカット方式により個片化する場合のリードフレームの配列状態を示した図で、図６（ａ）は比較例１の樹脂封止型半導体装置の１例を透視して見た概略図で、図６（ｂ）は図６に示す樹脂封止型半導体装置の各部の平面的な配置を示した概略図で、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＢ１−Ｂ２部をＢ０側から見た断面図で、図６（ｄ）は図６（ｂ）のＢ３−Ｂ４部をＢ０側から見た断面図で、図７は比較例２としての従来の樹脂封止型半導体装置の１例を透視して見た概略図である。
尚、図４中の１点鎖線は切断位置を示したものである。
図１〜図７中、１１０、１１０Ａは樹脂封止型半導体装置、１１１はダイパッド、１１２は吊りリード、１１１Ｓは裏面、１１２は吊りリード、１１２Ａは端子部（単に端子とも言う）、１１２Ｂは（切断用の）ハーフエッチング部、１１３はインナーリード、１１３Ａは端子、１２０は半導体素子、１３０はボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、１５０は冷却剤、１５１は接着層、１８０、１８０Ａ、１８０Ｂはフレーム状のリードフレーム配列体、１８０ａは単位のリ−ドフレーム、１８１は枠部（フレームとも言う）、１８２は冶具孔、１８３は孔部、１９０は外形ライン、２１０、２１０Ａは樹脂封止型半導体装置、２１１はダイパッド、２１２は吊りリード、２１１Ｓは裏面、２１２は吊りリード、２１２Ｓは吊りリード面、２１２Ａは端子、２１３はインナーリード、２１３Ａは端子、２２０は半導体素子、２３０はボンディングワイヤ、２４０は封止用樹脂である。 また、Ｌｄ１、Ｌｄ２はオフセット量を示し、ｔはリードフレーム素材の厚さである。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を透視して見た概略図で、図１（ｂ）は図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置の各部の平面的な配置を示した概略図で、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２部をＡ０側から見た断面図で、図１（ｄ）は図１（ｂ）のＡ３−Ａ４部をＡ０側から見た断面図で、図２（ａ）〜図２（ｅ）は図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示した工程断面図で、図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を透視して見た概略図で、図３（ｂ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を透視して見た概略図で、図３（ｃ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を透視して見た概略図で、図４（ａ）〜図４（ｄ）は第１の例の変形例（図４（ｄ）に相当）の製造工程を示した工程断面図で、図５（ａ）は、パンチカット方式により個片化する場合のリードフレームの配列状態を示した図で、図５（ｂ）、図５（ｃ）は、それぞれ、ダイサーカット方式により個片化する場合のリードフレームの配列状態を示した図で、図６（ａ）は比較例１の樹脂封止型半導体装置の１例を透視して見た概略図で、図６（ｂ）は図６に示す樹脂封止型半導体装置の各部の平面的な配置を示した概略図で、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＢ１−Ｂ２部をＢ０側から見た断面図で、図６（ｄ）は図６（ｂ）のＢ３−Ｂ４部をＢ０側から見た断面図で、図７は比較例２としての従来の樹脂封止型半導体装置の１例を透視して見た概略図である。
尚、図４中の１点鎖線は切断位置を示したものである。
図１〜図７中、１１０、１１０Ａは樹脂封止型半導体装置、１１１はダイパッド、１１２は吊りリード、１１１Ｓは裏面、１１２は吊りリード、１１２Ａは端子部（単に端子とも言う）、１１２Ｂは（切断用の）ハーフエッチング部、１１３はインナーリード、１１３Ａは端子、１２０は半導体素子、１３０はボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、１５０は冷却剤、１５１は接着層、１８０、１８０Ａ、１８０Ｂはフレーム状のリードフレーム配列体、１８０ａは単位のリ−ドフレーム、１８１は枠部（フレームとも言う）、１８２は冶具孔、１８３は孔部、１９０は外形ライン、２１０、２１０Ａは樹脂封止型半導体装置、２１１はダイパッド、２１２は吊りリード、２１１Ｓは裏面、２１２は吊りリード、２１２Ｓは吊りリード面、２１２Ａは端子、２１３はインナーリード、２１３Ａは端子、２２０は半導体素子、２３０はボンディングワイヤ、２４０は封止用樹脂である。 また、Ｌｄ１、Ｌｄ２はオフセット量を示し、ｔはリードフレーム素材の厚さである。
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドの裏面１１１Ｓを露出させて放熱部とし、該放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けるタイプの、ＱＦＮ樹脂封止型半導体装置である。
そして、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１を有するリードフレームで、ハーフエッチング加工により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリード１１２の前記ダイパッド裏面１１１Ｓ側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用いて、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１をオフセットして、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したものである。
そしてまた、ダイパッド１１１の裏面１１１Ｓを封止用樹脂１４０の一面に揃えて露出させ、且つ、ダイパッドの裏面１１１Ｓ側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、吊りリード１１２およびインナーリード１１３の一面を揃えて露出させている。
そして、本例においては、オフセット量Ｌｄ１を、リードフレーム素材の厚さｔの３倍以上である。
尚、リードフレーム素材としては、銅、銅合金、鉄合金等が用いられ、封止用樹脂としてはエポキシ系樹脂等が用いられる。
第１の例の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドの裏面１１１Ｓを露出させて放熱部とし、該放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けるタイプの、ＱＦＮ樹脂封止型半導体装置である。
そして、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１を有するリードフレームで、ハーフエッチング加工により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリード１１２の前記ダイパッド裏面１１１Ｓ側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用いて、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１をオフセットして、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したものである。
そしてまた、ダイパッド１１１の裏面１１１Ｓを封止用樹脂１４０の一面に揃えて露出させ、且つ、ダイパッドの裏面１１１Ｓ側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、吊りリード１１２およびインナーリード１１３の一面を揃えて露出させている。
そして、本例においては、オフセット量Ｌｄ１を、リードフレーム素材の厚さｔの３倍以上である。
尚、リードフレーム素材としては、銅、銅合金、鉄合金等が用いられ、封止用樹脂としてはエポキシ系樹脂等が用いられる。
第１の例の樹脂封止型半導体装置の作製方法を図２に基づいて簡単に説明しておく。
先ず、ハーフエッチング加工方法により、リードフレーム素材をエッチング加工して、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面（図１の１１１Ｓ）側をエッチングにより薄肉にして、所望の形状に外形加工されたリードフレームを作製しておく。
ハーフエッチング加工方法としては、先にも述べたが、リードフレーム素材の両側に耐エッチング性のレジストパターンを形成して、両面から一緒に、あるいは、片面づつ両面からエッチング液を吹きかけてエッチングして外形加工を行うのが一般的である。
リードフレームは平坦状で、半導体装置に供せられる部分（以下、使用部分と言う）は、ほぼ図１に示すような形状で形成されるが、実際には、各リードは外周側に延設されて、これらを支持する枠体（フレームとも言う）に接続された、形状で形成され、使用部分は全て、枠体（フレーム）に支持された状態で、樹脂封止までの工程を行う。
例えば、図５（ａ）に示すような配列で単位のリードフレーム１８０ａがエッチング加工により形成されている。
尚、前述の枠体がさらに複数個接続された状態のままのものが用いられることもある。 そして、使用部分の図１（ｃ）、図１（ｄ）に対応する部分は、それぞれ、図２（ａ）、図２（ｂ）のように形成される。
次いで、使用部分に対し、所定のオフセット装置と型を用いて、ダイパッド１１１をリードフレーム素材面から吊りリード１１２を延ばして、所定オフセット量だけオフセットし、また、同時にインナーリード１１３をリードフレーム素材面から吊りリード１１２を延ばして別の所定オフセット量だけオフセットする。
ここでは、吊りリードを薄肉にしてオフセットを行っており、オフセット量を大きくとることができる。
リードフレーム素材の厚さの３倍以上とできる。
オフセット後の断面状態は、図２（ｃ）のようになる。
次いで、半導体素子１２０を、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、その端子とインナーリード１１３先端とをボンディング接続した後、所定の型を用いて、図２（ｄ）に示すように、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止する。
この場合、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にしてあるので、オフセット後に、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止する際、吊りリード面が露出することはなく、樹脂封止してもレジンバリや素材バリの発生を防止できる。
次いで、封止用樹脂１４０からはみ出ている吊りリード、インナーリードから延設されたリード部を、全て切断除去して、パッケージサイズのＱＦＮの樹脂封止型半導体装置である第１の例の樹脂封止型半導体装置を作製する。（図２（ｅ））
図５（ａ）に示す外形ライン１９０においてパンチカットされ、個々の樹脂封止型半導体装置に個片化される。
このようにして、ダイパッド裏面を放熱部として露出しているＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置において、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる第１の例の樹脂封止型半導体装置は作製される。
先ず、ハーフエッチング加工方法により、リードフレーム素材をエッチング加工して、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面（図１の１１１Ｓ）側をエッチングにより薄肉にして、所望の形状に外形加工されたリードフレームを作製しておく。
ハーフエッチング加工方法としては、先にも述べたが、リードフレーム素材の両側に耐エッチング性のレジストパターンを形成して、両面から一緒に、あるいは、片面づつ両面からエッチング液を吹きかけてエッチングして外形加工を行うのが一般的である。
リードフレームは平坦状で、半導体装置に供せられる部分（以下、使用部分と言う）は、ほぼ図１に示すような形状で形成されるが、実際には、各リードは外周側に延設されて、これらを支持する枠体（フレームとも言う）に接続された、形状で形成され、使用部分は全て、枠体（フレーム）に支持された状態で、樹脂封止までの工程を行う。
例えば、図５（ａ）に示すような配列で単位のリードフレーム１８０ａがエッチング加工により形成されている。
尚、前述の枠体がさらに複数個接続された状態のままのものが用いられることもある。 そして、使用部分の図１（ｃ）、図１（ｄ）に対応する部分は、それぞれ、図２（ａ）、図２（ｂ）のように形成される。
次いで、使用部分に対し、所定のオフセット装置と型を用いて、ダイパッド１１１をリードフレーム素材面から吊りリード１１２を延ばして、所定オフセット量だけオフセットし、また、同時にインナーリード１１３をリードフレーム素材面から吊りリード１１２を延ばして別の所定オフセット量だけオフセットする。
ここでは、吊りリードを薄肉にしてオフセットを行っており、オフセット量を大きくとることができる。
リードフレーム素材の厚さの３倍以上とできる。
オフセット後の断面状態は、図２（ｃ）のようになる。
次いで、半導体素子１２０を、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、その端子とインナーリード１１３先端とをボンディング接続した後、所定の型を用いて、図２（ｄ）に示すように、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止する。
この場合、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にしてあるので、オフセット後に、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止する際、吊りリード面が露出することはなく、樹脂封止してもレジンバリや素材バリの発生を防止できる。
次いで、封止用樹脂１４０からはみ出ている吊りリード、インナーリードから延設されたリード部を、全て切断除去して、パッケージサイズのＱＦＮの樹脂封止型半導体装置である第１の例の樹脂封止型半導体装置を作製する。（図２（ｅ））
図５（ａ）に示す外形ライン１９０においてパンチカットされ、個々の樹脂封止型半導体装置に個片化される。
このようにして、ダイパッド裏面を放熱部として露出しているＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置において、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる第１の例の樹脂封止型半導体装置は作製される。
第１の例の変形例として、図４に示す工程により製造される図４（ｄ）に示す樹脂封止型半導体装置を挙げる。
変形例の半導体装置は、第１の例と同様、ダイパッドの裏面１１１Ｓを露出させて放熱部とし、該放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けるタイプの、ＱＦＮ樹脂封止型半導体装置で、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１を有するリードフレームで、ハーフエッチング加工により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリード１１２の前記ダイパッド裏面１１１Ｓ側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用いて、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１をオフセットして、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したものであり、また、ダイパッド１１１の裏面１１１Ｓを封止用樹脂１４０の一面に揃えて露出させ、且つ、ダイパッドの裏面１１１Ｓ側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、吊りリード１１２およびインナーリード１１３の一面を揃えて露出させている。
変形例の場合は、端子部１１２Ａにハーフエッチングされ薄く形成されている切断用のハーフエッチング部１１２Ｂを設けているもので、図４に示す製造工程にてダイシングソーにより切断（ダイソーカットとも言う）され、個片化されて形成されるものである。
各部については、第１の例と同様で、説明を省略する。
図４に示す製造工程を簡単に説明する。
先ず、例えば、図５（ｂ）あるいは図５（ｃ）のような配列状態で単位のリードフレーム１８０ａをエッチング加工により形成しておき（図４（ａ））、各単位のリードフレーム１８０ａに対し、第１の例と同様、オフセット処理を行い、更に、半導体素子１２０を、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、その端子とインナーリード１１３先端とをボンディング接続する。（図４（ｂ））
次いで、所定の型を用いて、全配列に対し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止する。（図４（ｃ））
図５（ｂ）あるいは図５（ｃ）に示す外形ライン１９０において、ダイシングソーにて切断され、個々の樹脂封止型半導体装置に個片化される。
このようにして、ダイパッド裏面を放熱部として露出しているＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置において、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる変形例の樹脂封止型半導体装置は作製される。
変形例においても、第１の例と同様、オフセット量をリードフレーム素材の厚さの３倍以上とれ、レジンバリや素材バリの発生のないものとできる。
変形例の半導体装置は、第１の例と同様、ダイパッドの裏面１１１Ｓを露出させて放熱部とし、該放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けるタイプの、ＱＦＮ樹脂封止型半導体装置で、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１を有するリードフレームで、ハーフエッチング加工により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリード１１２の前記ダイパッド裏面１１１Ｓ側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用いて、吊りリード１１２にて保持されたダイパッド１１１をオフセットして、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したものであり、また、ダイパッド１１１の裏面１１１Ｓを封止用樹脂１４０の一面に揃えて露出させ、且つ、ダイパッドの裏面１１１Ｓ側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、吊りリード１１２およびインナーリード１１３の一面を揃えて露出させている。
変形例の場合は、端子部１１２Ａにハーフエッチングされ薄く形成されている切断用のハーフエッチング部１１２Ｂを設けているもので、図４に示す製造工程にてダイシングソーにより切断（ダイソーカットとも言う）され、個片化されて形成されるものである。
各部については、第１の例と同様で、説明を省略する。
図４に示す製造工程を簡単に説明する。
先ず、例えば、図５（ｂ）あるいは図５（ｃ）のような配列状態で単位のリードフレーム１８０ａをエッチング加工により形成しておき（図４（ａ））、各単位のリードフレーム１８０ａに対し、第１の例と同様、オフセット処理を行い、更に、半導体素子１２０を、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子１２０を搭載し、その端子とインナーリード１１３先端とをボンディング接続する。（図４（ｂ））
次いで、所定の型を用いて、全配列に対し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面１１１Ｓを露出させて該裏面１１１Ｓを放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止する。（図４（ｃ））
図５（ｂ）あるいは図５（ｃ）に示す外形ライン１９０において、ダイシングソーにて切断され、個々の樹脂封止型半導体装置に個片化される。
このようにして、ダイパッド裏面を放熱部として露出しているＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置において、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる変形例の樹脂封止型半導体装置は作製される。
変形例においても、第１の例と同様、オフセット量をリードフレーム素材の厚さの３倍以上とれ、レジンバリや素材バリの発生のないものとできる。
次に、第２の例の樹脂封止型半導体装置を挙げる。
第２の例の樹脂封止半導体装置は、第１の例において、更に、吊りリード、インナーリードをパッケージの側面方向に延設した形態のものである。
第２の例の作製は、図２に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造工程において、樹脂封止した（図２（ｄ））後に、封止用樹脂１４０からはみ出ている吊りリード、インナーリードから延設されたリード部を一部残るように切断除去した場合には、図３（ａ）に示すような、リード端子を封止用樹脂の外部に有する第２の例の樹脂封止型半導体装置１１０Ａを作製することができる。
勿論、第２の例は、その構造から、第１の例と同様、レジンバリ、素材バリは発生し難く、第１の例と同様のオフセット量をとることができるが、小型化という面では第１の例に劣る。
第２の例の樹脂封止半導体装置は、第１の例において、更に、吊りリード、インナーリードをパッケージの側面方向に延設した形態のものである。
第２の例の作製は、図２に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造工程において、樹脂封止した（図２（ｄ））後に、封止用樹脂１４０からはみ出ている吊りリード、インナーリードから延設されたリード部を一部残るように切断除去した場合には、図３（ａ）に示すような、リード端子を封止用樹脂の外部に有する第２の例の樹脂封止型半導体装置１１０Ａを作製することができる。
勿論、第２の例は、その構造から、第１の例と同様、レジンバリ、素材バリは発生し難く、第１の例と同様のオフセット量をとることができるが、小型化という面では第１の例に劣る。
次に、第３の例の樹脂封止型半導体装置を挙げる。
第３の例の樹脂封止半導体装置は、図３（ｂ）に示すように、第１の例において、更に、そのダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに冷却剤１５０を取り付けたものである。
冷却剤１５０としては、袋状のものに冷媒（例えば、有機溶剤粒子、ドライアイス粒子、低温微細粒子等）入れ、これを貼り付けた形態として用いられる。
このようにすることにより、ダイパッド裏面を放熱部として露出しているＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる樹脂封止型半導体装置であって、効率的に半導体パッケージから熱を放熱できるものとしている。
第３の例は、高放熱性の品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストを安価にできる、樹脂封止型半導体装置である。
尚、第３の例の変形例としては、第３の例において、冷却剤１５０に変え、冷却フィンをダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに取り付けたものが挙げられる。
第３の例の樹脂封止半導体装置は、図３（ｂ）に示すように、第１の例において、更に、そのダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに冷却剤１５０を取り付けたものである。
冷却剤１５０としては、袋状のものに冷媒（例えば、有機溶剤粒子、ドライアイス粒子、低温微細粒子等）入れ、これを貼り付けた形態として用いられる。
このようにすることにより、ダイパッド裏面を放熱部として露出しているＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置で、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる樹脂封止型半導体装置であって、効率的に半導体パッケージから熱を放熱できるものとしている。
第３の例は、高放熱性の品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストを安価にできる、樹脂封止型半導体装置である。
尚、第３の例の変形例としては、第３の例において、冷却剤１５０に変え、冷却フィンをダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに取り付けたものが挙げられる。
次に、第４の例の樹脂封止型半導体装置を挙げる。
第４の例の樹脂封止半導体装置は、図３（ｃ）に示すように、第２の例において、更に、更に、そのダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに冷却剤１５０を取り付けたものである。 このようにすることにより、ダイパッド裏面を放熱部として露出し、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したタイプの樹脂封止型半導体装置で、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる樹脂封止型半導体装置であって、効率的に半導体パッケージから熱を放熱できるものとしている。
第４の例も、高放熱性の品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストを安価にできる、樹脂封止型半導体装置である。
尚、第４の例の変形例としては、第４の例において、冷却剤１５０に変え、冷却フィンをダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに取り付けたものが挙げられる。
第４の例の樹脂封止半導体装置は、図３（ｃ）に示すように、第２の例において、更に、更に、そのダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに冷却剤１５０を取り付けたものである。 このようにすることにより、ダイパッド裏面を放熱部として露出し、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したタイプの樹脂封止型半導体装置で、封止によりダイパッド部際のレジンバリや素材バリが発生し難い構造のもので、パッケージの厚さ内で深いリードオフセットを達成できる樹脂封止型半導体装置であって、効率的に半導体パッケージから熱を放熱できるものとしている。
第４の例も、高放熱性の品質的にも問題が無く、加工が複雑でなく、コストを安価にできる、樹脂封止型半導体装置である。
尚、第４の例の変形例としては、第４の例において、冷却剤１５０に変え、冷却フィンをダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに取り付けたものが挙げられる。
ここで、比較例としての樹脂封止型半導体装置の１例を図６に挙げて、第１の例、第２の例との違いを簡単に説明しておく。
図６（ａ）に示す比較例１としての従来の樹脂封止型半導体装置の場合は、第１の例において、吊りリード１１２全体をリードフレーム素材の厚さに形成したもので、ハーフエッチングを行わないで両面からのエッチングする外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットして、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子を搭載し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面を露出させて該裏面を放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したＱＦＮの樹脂封止型半導体装置で、基本的には、図２に示す、第１の例の製造工程と同様の工程にて作製される。
比較例１の場合、図１（ｃ）、図１（ｄ）に相当する断面は、図６（ｃ）、図６（ｄ）のようになる。
比較例１の場合は、図６（ａ）に示すように、ダイパッド２１１の裏面２１１Ｓに続くようにダイパッド２１１に連結する吊りリード面２１２Ｓが露出するようになるが、樹脂封止の際に、吊りリードの影響により、レジンバリ、素材バリが発生し易くなる。
これに加え、比較例１においては、吊りリードがリードフレーム素材の厚さに形成されており、ダイパッドのオフセットを行う際、そのオフセット量Ｌｄ２は、第１の例のよううにリードフレーム素材の厚さの３倍以上にすることはできない。
このように、比較例１の場合は、レジンバリ、素材バリが発生し易く、また、ダイパッドのオフセット量を、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例のように大きくとれず、半導体素子の厚さや配線の引き回しにおいて、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例に比べて制限が大きい。
図７に示す比較例２としての従来の樹脂封止半導体装置は、図６に示す比較例１において、更に、吊りリード、インナーリードをパッケージの側面方向に延設した形態のものである。
比較例２も、比較例１と同様、樹脂封止の際に、吊りリードの影響により、レジンバリ、素材バリが発生し易く、ダイパッドのオフセット量を、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例のように大きくとれず、半導体素子の厚さや配線の引き回しにおいて、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例に比べて制限が大きい。
図６（ａ）に示す比較例１としての従来の樹脂封止型半導体装置の場合は、第１の例において、吊りリード１１２全体をリードフレーム素材の厚さに形成したもので、ハーフエッチングを行わないで両面からのエッチングする外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットして、オフセット向き側でないダイパッド面である表面に半導体素子を搭載し、オフセット向き側であるダイパッド面である裏面を露出させて該裏面を放熱部とし、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止したＱＦＮの樹脂封止型半導体装置で、基本的には、図２に示す、第１の例の製造工程と同様の工程にて作製される。
比較例１の場合、図１（ｃ）、図１（ｄ）に相当する断面は、図６（ｃ）、図６（ｄ）のようになる。
比較例１の場合は、図６（ａ）に示すように、ダイパッド２１１の裏面２１１Ｓに続くようにダイパッド２１１に連結する吊りリード面２１２Ｓが露出するようになるが、樹脂封止の際に、吊りリードの影響により、レジンバリ、素材バリが発生し易くなる。
これに加え、比較例１においては、吊りリードがリードフレーム素材の厚さに形成されており、ダイパッドのオフセットを行う際、そのオフセット量Ｌｄ２は、第１の例のよううにリードフレーム素材の厚さの３倍以上にすることはできない。
このように、比較例１の場合は、レジンバリ、素材バリが発生し易く、また、ダイパッドのオフセット量を、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例のように大きくとれず、半導体素子の厚さや配線の引き回しにおいて、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例に比べて制限が大きい。
図７に示す比較例２としての従来の樹脂封止半導体装置は、図６に示す比較例１において、更に、吊りリード、インナーリードをパッケージの側面方向に延設した形態のものである。
比較例２も、比較例１と同様、樹脂封止の際に、吊りリードの影響により、レジンバリ、素材バリが発生し易く、ダイパッドのオフセット量を、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例のように大きくとれず、半導体素子の厚さや配線の引き回しにおいて、第１の例、第１の例の変形例、第２の例〜第４の例に比べて制限が大きい。
尚、第１の例、第１の例の変形例、第３の例はＱＦＮであるが、ＳＯＮ等、パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止された半導体パッケージのタイプで、同様の構造のものであれば、本発明は、これらに限定されない。
また、そのようなものにおいて、さらに、パッケージの側面側にリードを延設したものでも良い。
勿論、第１の例の変形例において、更に、そのダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに冷却剤または冷却フィンを取り付けた形態のものも挙げられる。
また、そのようなものにおいて、さらに、パッケージの側面側にリードを延設したものでも良い。
勿論、第１の例の変形例において、更に、そのダイパッド１１１の裏面１１１Ｓに冷却剤または冷却フィンを取り付けた形態のものも挙げられる。
１１０、１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ 樹脂封止型半導体装置
１１１ ダイパッド
１１１Ｓ 裏面
１１２ 吊りリード
１１２Ａ 端子部（単に端子とも言う）
１１２Ｂ （切断用の）ハーフエッチング部
１１３ インナーリード
１１３Ａ 端子
１２０ 半導体素子
１３０ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
１５０ 冷却剤
１５１ 接着層
１８０、１８０Ａ、１８０Ｂ フレーム状のリードフレーム配列体
１８０ａ 単位のリ−ドフレーム
１８１ 枠部（フレームとも言う）
１８２ 冶具孔
１８３ 孔部
１９０ 外形ライン
２１０、２１０Ａ 樹脂封止型半導体装置
２１１ ダイパッド
２１２ 吊りリード
２１１Ｓ 裏面
２１２ 吊りリード
２１２Ｓ 吊りリード面
２１２Ａ 端子
２１３ インナーリード
２１３Ａ 端子
２２０ 半導体素子
２３０ ボンディングワイヤ
２４０ 封止用樹脂
Ｌｄ１、Ｌｄ２ オフセット量
ｔ リードフレーム素材の厚さ
４１０、４１１、４１２ 放熱板
４２０ リードフレーム
４２１ ダイパッド
４２２ インナーリード
４２３ アウターリード
４３０ 半導体素子
４４０ ボンディングワイヤ
４５０ 封止用樹脂
１１１ ダイパッド
１１１Ｓ 裏面
１１２ 吊りリード
１１２Ａ 端子部（単に端子とも言う）
１１２Ｂ （切断用の）ハーフエッチング部
１１３ インナーリード
１１３Ａ 端子
１２０ 半導体素子
１３０ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
１５０ 冷却剤
１５１ 接着層
１８０、１８０Ａ、１８０Ｂ フレーム状のリードフレーム配列体
１８０ａ 単位のリ−ドフレーム
１８１ 枠部（フレームとも言う）
１８２ 冶具孔
１８３ 孔部
１９０ 外形ライン
２１０、２１０Ａ 樹脂封止型半導体装置
２１１ ダイパッド
２１２ 吊りリード
２１１Ｓ 裏面
２１２ 吊りリード
２１２Ｓ 吊りリード面
２１２Ａ 端子
２１３ インナーリード
２１３Ａ 端子
２２０ 半導体素子
２３０ ボンディングワイヤ
２４０ 封止用樹脂
Ｌｄ１、Ｌｄ２ オフセット量
ｔ リードフレーム素材の厚さ
４１０、４１１、４１２ 放熱板
４２０ リードフレーム
４２１ ダイパッド
４２２ インナーリード
４２３ アウターリード
４３０ 半導体素子
４４０ ボンディングワイヤ
４５０ 封止用樹脂
Claims (4)
- パッケージ厚さ内に全体が収まるように封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置であって、吊りリードにて保持されたダイパッドを有するリードフレームで、ハーフエッチング加工方法により、ダイパッド領域をリードフレーム素材の厚さとし、且つ、吊りリードの前記ダイパッド裏面側をエッチングにより薄肉にして、外形加工されたリードフレームを用い、吊りリードにて保持されたダイパッドをオフセットした状態で、ダイパッドのオフセット向き側でない面をダイパッド表面側として半導体素子を搭載し、ダイパッドのオフセット向き側である面をダイパッド裏面側として外部に露出させ、該裏面を放熱部としており、ダイパッド裏面を封止用樹脂の一面に揃えて露出させ、且つ、前記ダイパッド裏面側の封止用樹脂の一面に対向する側の封止用樹脂の一面に、リードの一面を揃えて露出させていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置であって、放熱部に冷却剤または冷却フィンを取り付けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし２のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、リードフレームのリード全体がパッケージの表面から突出しないように形成されている、ＱＦＮ、あるいは、ＳＯＮであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし３のいずれか１に記載の樹脂封止型半導体装置であって、オフセット量が、リードフレーム素材の厚さの３倍以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
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