JP2002026222A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノンリードタイプの半導体装置に用いられる
リードフレームであって、基板搭載時に接合を確実に行
えるようにしたものを提供する。 【解決手段】 端子部５の裏面に、ハーフエッチングに
より溝を形成した構成とするか、或いは、半導体素子を
搭載するダイパッド３を支持する吊りリード２の一部
に、封止樹脂から露出する接合サポート用のランド２ａ
を形成した構成とする。樹脂封止型半導体装置の基板へ
の搭載時に半田の塗られる部分の表面積が増大するの
で、基板との接合強度をアップすることができる。
リードフレームであって、基板搭載時に接合を確実に行
えるようにしたものを提供する。 【解決手段】 端子部５の裏面に、ハーフエッチングに
より溝を形成した構成とするか、或いは、半導体素子を
搭載するダイパッド３を支持する吊りリード２の一部
に、封止樹脂から露出する接合サポート用のランド２ａ
を形成した構成とする。樹脂封止型半導体装置の基板へ
の搭載時に半田の塗られる部分の表面積が増大するの
で、基板との接合強度をアップすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム上
に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上
面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の
技術分野に属するものである。
に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上
面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の
技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板実装の高密度化に伴い、基板
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケ
ージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ
（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特
に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発に
おいては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その
搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置が開発されている。
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケ
ージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ
（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特
に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発に
おいては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その
搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置が開発されている。
【０００３】図１は樹脂封止型半導体装置の一例を示す
断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示す平面
図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置
は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイ
パッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子
４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気
的に接続した金属細線６と、端子部５の下面と側面とを
外部端子として露出させた状態で、金属細線６を含む半
導体素子４の外囲領域を封止した封止樹脂７とを備えて
いる。この樹脂封止型半導体装置は、いわゆるアウター
リードが突き出ておらず、インナーリードとアウターリ
ードの両者が端子部５として一体となったノンリードタ
イプである。また、用いられているリードフレーム１
は、ダイパッド３が端子部より上方に位置するようにハ
ーフエッチングされている。このように段差を有してい
るので、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在させ
ることができ、ダイパッド非露出型であっても薄型を実
現している。
断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示す平面
図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置
は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイ
パッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子
４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気
的に接続した金属細線６と、端子部５の下面と側面とを
外部端子として露出させた状態で、金属細線６を含む半
導体素子４の外囲領域を封止した封止樹脂７とを備えて
いる。この樹脂封止型半導体装置は、いわゆるアウター
リードが突き出ておらず、インナーリードとアウターリ
ードの両者が端子部５として一体となったノンリードタ
イプである。また、用いられているリードフレーム１
は、ダイパッド３が端子部より上方に位置するようにハ
ーフエッチングされている。このように段差を有してい
るので、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在させ
ることができ、ダイパッド非露出型であっても薄型を実
現している。
【０００４】上記のようなノンリードタイプの樹脂封止
型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるた
め、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造する
マトリックスタイプが主流である。そして、最近では、
コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモー
ルドするタイプから、図４に示すような一括してモール
ドするタイプへ移行することが考えられている。
型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるた
め、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造する
マトリックスタイプが主流である。そして、最近では、
コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモー
ルドするタイプから、図４に示すような一括してモール
ドするタイプへ移行することが考えられている。
【０００５】個別モールドタイプは、図３（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々
の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個
々の半導体装置として打ち抜くのである。
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々
の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個
々の半導体装置として打ち抜くのである。
【０００６】一括モールドタイプは、図４（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を
銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭
載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列
されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括
モールドしてから、ダイシングにより個片化するのであ
る。
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を
銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭
載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列
されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括
モールドしてから、ダイシングにより個片化するのであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、アウターリードが完全に外側に突き出ており、基板
接合の際には半田がリード側面にも回り込むので接続は
良好に行われるが、上記したノンリードタイプの樹脂封
止型半導体装置は、基板に接続するための金属面が半導
体装置の下面となるため、半田による接続面が小さく、
基板への接合強度が弱くなるという問題点が生じる。特
に、８ｍｍ□以上のパッケージになるとパッケージ重量
も増し、また平坦性などの問題も生じてくるため、信頼
性の低下が特に懸念される。このことは、個別モールド
タイプでも一括モールドタイプでも同様に生じるが、特
に一括モールドタイプでは、基板に接続するための金属
面が半導体装置の下面にしか出てこないため確実に問題
となる。
は、アウターリードが完全に外側に突き出ており、基板
接合の際には半田がリード側面にも回り込むので接続は
良好に行われるが、上記したノンリードタイプの樹脂封
止型半導体装置は、基板に接続するための金属面が半導
体装置の下面となるため、半田による接続面が小さく、
基板への接合強度が弱くなるという問題点が生じる。特
に、８ｍｍ□以上のパッケージになるとパッケージ重量
も増し、また平坦性などの問題も生じてくるため、信頼
性の低下が特に懸念される。このことは、個別モールド
タイプでも一括モールドタイプでも同様に生じるが、特
に一括モールドタイプでは、基板に接続するための金属
面が半導体装置の下面にしか出てこないため確実に問題
となる。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、ノンリードタ
イプの半導体装置に用いられるリードフレームであっ
て、基板搭載時に接合を確実に行えるようにした樹脂封
止型半導体装置用リードフレームを提供することにあ
る。
たものであり、その目的とするところは、ノンリードタ
イプの半導体装置に用いられるリードフレームであっ
て、基板搭載時に接合を確実に行えるようにした樹脂封
止型半導体装置用リードフレームを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１のタイプの樹脂封止型半導体装置
用リードフレームは、基板への実装時に接合を行うため
の端子部が外側に突き出ていないノンリードタイプの樹
脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームであっ
て、前記端子部の裏面に、ハーフエッチングにより溝を
形成したことを特徴とする。
め、本発明に係る第１のタイプの樹脂封止型半導体装置
用リードフレームは、基板への実装時に接合を行うため
の端子部が外側に突き出ていないノンリードタイプの樹
脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームであっ
て、前記端子部の裏面に、ハーフエッチングにより溝を
形成したことを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る第２のタイプの樹脂封
止型半導体装置用リードフレームは、基板への実装時に
接合を行うための端子部が外側に突き出ていないノンリ
ードタイプの樹脂封止型半導体装置に用いられるリード
フレームであって、半導体素子を搭載するダイパッドを
支持する吊りリードの一部に、封止樹脂から露出する接
合サポート用のランドを形成したことを特徴とする。
止型半導体装置用リードフレームは、基板への実装時に
接合を行うための端子部が外側に突き出ていないノンリ
ードタイプの樹脂封止型半導体装置に用いられるリード
フレームであって、半導体素子を搭載するダイパッドを
支持する吊りリードの一部に、封止樹脂から露出する接
合サポート用のランドを形成したことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１２】図５は本発明に係る第１のタイプの樹脂封
止型半導体装置用リードフレームの一例を示す平面図、
図６は図５に示すリードフレームの一部を拡大した説明
図である。
止型半導体装置用リードフレームの一例を示す平面図、
図６は図５に示すリードフレームの一部を拡大した説明
図である。
【００１３】図５においてＦはリードフレーム用の１枚
の金属フレームで、３×４個のリードフレーム１０がグ
リッドリードＬを介してマトリックス状に配置されてい
る。グリッドリードＬは、隣接するリードフレーム１０
の端子部５を接続しているところである。
の金属フレームで、３×４個のリードフレーム１０がグ
リッドリードＬを介してマトリックス状に配置されてい
る。グリッドリードＬは、隣接するリードフレーム１０
の端子部５を接続しているところである。
【００１４】そして、図６に示すように、端子部５の裏
面に、ハーフエッチングにより溝５ａが形成されてい
る。このように、フレームＦの作製時に溝５ａを設けて
おくことにより、半導体装置の基板への実装時に溝５ａ
のところに半田が食い込み、平面に比較して半田の接触
面積が増大するので、接合強度がアップする。
面に、ハーフエッチングにより溝５ａが形成されてい
る。このように、フレームＦの作製時に溝５ａを設けて
おくことにより、半導体装置の基板への実装時に溝５ａ
のところに半田が食い込み、平面に比較して半田の接触
面積が増大するので、接合強度がアップする。
【００１５】このフレームＦを用いて樹脂封止型半導体
装置を製造する手順は次のようである。まず、フレーム
Ｆの各リードフレーム１０におけるダイパッド３の上に
それぞれ半導体素子を銀ペーストにより搭載し、端子部
５と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボンディ
ングを実施した後、１２個配列されている半導体素子を
所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、各リ
ードフレームの端子部５を残すようにダイシングソーで
グリッドリードＬのところを切断除去して個片化する。
装置を製造する手順は次のようである。まず、フレーム
Ｆの各リードフレーム１０におけるダイパッド３の上に
それぞれ半導体素子を銀ペーストにより搭載し、端子部
５と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボンディ
ングを実施した後、１２個配列されている半導体素子を
所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、各リ
ードフレームの端子部５を残すようにダイシングソーで
グリッドリードＬのところを切断除去して個片化する。
【００１６】このように個片化して製造された樹脂封止
型半導体装置は、端子部５の裏面が溝５ａによって表面
積が大きくなっているので、基板搭載時に半田による接
合がしっかりと行われる。
型半導体装置は、端子部５の裏面が溝５ａによって表面
積が大きくなっているので、基板搭載時に半田による接
合がしっかりと行われる。
【００１７】なお、ここではノンリードタイプの中でも
一括モールドタイプについて説明したが、個別モールド
タイプでも同様である。ただ、個別モールドタイプの場
合、端子部が封止樹脂から比較的大きく突き出すようだ
と、その端子部の上面に予め溝を設けるようにしても同
様な効果が得られる。
一括モールドタイプについて説明したが、個別モールド
タイプでも同様である。ただ、個別モールドタイプの場
合、端子部が封止樹脂から比較的大きく突き出すようだ
と、その端子部の上面に予め溝を設けるようにしても同
様な効果が得られる。
【００１８】図７は本発明に係る第２のタイプの樹脂封
止型半導体装置用リードフレームの一例を拡大して示す
背面図である。
止型半導体装置用リードフレームの一例を拡大して示す
背面図である。
【００１９】このフレームでは、ダイパッド３を支持す
る４本の吊りリード２の一部に円形状に突き出たランド
２ａがそれぞれ形成されている。このようなランド２ａ
を形成するには、通常ハーフエッチングを行って封止樹
脂の中に隠れるようにしている吊りリード２に部分的に
非エッチング部を設ければよい。なお、ランド２ａの形
状は円形に限るものではなく、例えば四角形でもよい。
このようにフレームＦの作製時にランド２ａを設けてお
くことにより、樹脂で封止する際にランド２ａの部分が
露出するので、半導体装置の基板への実装時にこの露出
したランド２ａのところに対しても半田による接合がで
きる。
る４本の吊りリード２の一部に円形状に突き出たランド
２ａがそれぞれ形成されている。このようなランド２ａ
を形成するには、通常ハーフエッチングを行って封止樹
脂の中に隠れるようにしている吊りリード２に部分的に
非エッチング部を設ければよい。なお、ランド２ａの形
状は円形に限るものではなく、例えば四角形でもよい。
このようにフレームＦの作製時にランド２ａを設けてお
くことにより、樹脂で封止する際にランド２ａの部分が
露出するので、半導体装置の基板への実装時にこの露出
したランド２ａのところに対しても半田による接合がで
きる。
【００２０】このフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を製造する手順は前記したのと同様である。そして、
そのようにして製造された樹脂封止型半導体装置は、リ
ード部２に設けたランド２ａが裏側に露出しているの
で、基板搭載時に半田による接合がしっかりと行われ
る。
置を製造する手順は前記したのと同様である。そして、
そのようにして製造された樹脂封止型半導体装置は、リ
ード部２に設けたランド２ａが裏側に露出しているの
で、基板搭載時に半田による接合がしっかりと行われ
る。
【００２１】上記したいずれのタイプのリードフレーム
も、半導体装置のサイズが大きくなった場合に有効であ
るが、半導体装置のサイズが８ｍｍ□より小さい場合で
ももちろん有効である。
も、半導体装置のサイズが大きくなった場合に有効であ
るが、半導体装置のサイズが８ｍｍ□より小さい場合で
ももちろん有効である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基板へ
の実装時に接合を行うための端子部が外側に突き出てい
ないノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームであって、前記端子部の裏面に、ハ
ーフエッチングにより溝を形成した構成とするか、或い
は、半導体素子を搭載するダイパッドを支持する吊りリ
ードの一部に、封止樹脂から露出する接合サポート用の
ランドを形成した構成としたことにより、樹脂封止型半
導体装置の基板への搭載時に半田の塗られる部分の表面
積が増大することから、基板との接合強度をアップする
ことができる。
の実装時に接合を行うための端子部が外側に突き出てい
ないノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームであって、前記端子部の裏面に、ハ
ーフエッチングにより溝を形成した構成とするか、或い
は、半導体素子を搭載するダイパッドを支持する吊りリ
ードの一部に、封止樹脂から露出する接合サポート用の
ランドを形成した構成としたことにより、樹脂封止型半
導体装置の基板への搭載時に半田の塗られる部分の表面
積が増大することから、基板との接合強度をアップする
ことができる。
【図１】樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１に示す樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。
る。
【図３】個別モールドタイプの説明図である。
【図４】一括モールドタイプの説明図である。
【図５】本発明に係る第１のタイプの樹脂封止型半導体
装置用リードフレームの一例を示す平面図である。
装置用リードフレームの一例を示す平面図である。
【図６】図５に示すリードフレームの一部を拡大した説
明図である。
明図である。
【図７】本発明に係る第２のタイプの樹脂封止型半導体
装置用リードフレームの一例を拡大して示す背面図であ
る。
装置用リードフレームの一例を拡大して示す背面図であ
る。
１ リードフレーム ２ 吊りリード ２ａ ランド ３ ダイパッド ４ 半導体素子 ５ 端子部 ５ａ 溝 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 １０ リードフレーム Ｃ モールドキャビティ Ｆ フレーム Ｌ グリッドリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 DA10 DB04 DB15 FA04 5F061 AA01 BA01 CA21 CB13 DD12 5F067 AA13 AB03 BA02 BB04 BC01 BC12 BD05 DA17 DF03
Claims (2)
- 【請求項１】 基板への実装時に接合を行うための端子
部が外側に突き出ていないノンリードタイプの樹脂封止
型半導体装置に用いられるリードフレームであって、前
記端子部の裏面に、ハーフエッチングにより溝を形成し
たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ーム。 - 【請求項２】 基板への実装時に接合を行うための端子
部が外側に突き出ていないノンリードタイプの樹脂封止
型半導体装置に用いられるリードフレームであって、半
導体素子を搭載するダイパッドを支持する吊りリードの
一部に、封止樹脂から露出する接合サポート用のランド
を形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200956A JP2002026222A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200956A JP2002026222A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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