JP2002026190A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一括モールドタイプであって、実装時におけ
る半田の短絡事故を起こさないようにした樹脂封止型半
導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレームの吊りリード２で支持さ
れたダイパッド３上に搭載された半導体素子と、この半
導体素子の上面の電極とリードフレームの端子部５とを
電気的に接続した金属細線と、端子部の下面と側面とを
外部端子として露出させた状態で、金属細線を含む半導
体素子の外囲領域を封止した封止樹脂７とを備えてなる
樹脂封止型半導体装置において、吊りリード２の裏面が
ハーフエッチングされており、封止樹脂７が吊りリード
２の下面を覆っている構成とする。半導体装置の裏面側
に露出した金属部分が充分な間隔を保持した状態になる
ため、基板実装時において半田ブリッジによる短絡事故
を無くすことができる。
る半田の短絡事故を起こさないようにした樹脂封止型半
導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレームの吊りリード２で支持さ
れたダイパッド３上に搭載された半導体素子と、この半
導体素子の上面の電極とリードフレームの端子部５とを
電気的に接続した金属細線と、端子部の下面と側面とを
外部端子として露出させた状態で、金属細線を含む半導
体素子の外囲領域を封止した封止樹脂７とを備えてなる
樹脂封止型半導体装置において、吊りリード２の裏面が
ハーフエッチングされており、封止樹脂７が吊りリード
２の下面を覆っている構成とする。半導体装置の裏面側
に露出した金属部分が充分な間隔を保持した状態になる
ため、基板実装時において半田ブリッジによる短絡事故
を無くすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム上
に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上
面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の
技術分野に属するものである。
に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上
面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の
技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板実装の高密度化に伴い、基板
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケ
ージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ
（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特
に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発に
おいては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その
搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置が開発されている。
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケ
ージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ
（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特
に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発に
おいては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その
搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置が開発されている。
【０００３】図１は樹脂封止型半導体装置の一例を示す
断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示す平面
図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置
は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイ
パッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子
４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気
的に接続した金属細線６と、半導体素子４の上側とダイ
パッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封止
した封止樹脂７とを備えている。この樹脂封止型半導体
装置は、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、イ
ンナーリードとアウターリードの両者が端子部５として
一体となったノンリードタイプである。また、用いられ
ているリードフレーム１は、ダイパッド３が端子部より
上方に位置するようにハーフエッチングされている。こ
のように段差を有しているので、ダイパッド３の下側に
も封止樹脂７を存在させることができ、ダイパッド非露
出型であっても薄型を実現している。
断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示す平面
図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置
は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイ
パッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子
４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気
的に接続した金属細線６と、半導体素子４の上側とダイ
パッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封止
した封止樹脂７とを備えている。この樹脂封止型半導体
装置は、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、イ
ンナーリードとアウターリードの両者が端子部５として
一体となったノンリードタイプである。また、用いられ
ているリードフレーム１は、ダイパッド３が端子部より
上方に位置するようにハーフエッチングされている。こ
のように段差を有しているので、ダイパッド３の下側に
も封止樹脂７を存在させることができ、ダイパッド非露
出型であっても薄型を実現している。
【０００４】上記のようなノンリードタイプの樹脂封止
型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるた
め、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造する
マトリックスタイプが主流である。そして、最近では、
コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモー
ルドするタイプから、図４に示すような一括してモール
ドするタイプへ移行することが考えられている。
型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるた
め、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造する
マトリックスタイプが主流である。そして、最近では、
コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモー
ルドするタイプから、図４に示すような一括してモール
ドするタイプへ移行することが考えられている。
【０００５】個別モールドタイプは、図３（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々
の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個
々の半導体装置として打ち抜くのである。
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々
の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個
々の半導体装置として打ち抜くのである。
【０００６】一括モールドタイプは、図４（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を
銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭
載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列
されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括
モールドしてから、ダイシングにより個片化するのであ
る。
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を
銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭
載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列
されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括
モールドしてから、ダイシングにより個片化するのであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した樹脂封止型半
導体装置においては、半導体素子の発熱による熱がダイ
パッドを通じて吊りリードへ伝わる。この時、金属と樹
脂との熱膨張係数の違いから、吊りリードが封止樹脂か
ら剥離することがある。そこで、この剥離を防止するた
めに、吊りリードの途中に突起部を設けた形状にした
り、図２に示したように、吊りリード２の先端を二股に
分岐させたいわゆるフィッシュテール形状とすることで
剥離を防止することが行われている。
導体装置においては、半導体素子の発熱による熱がダイ
パッドを通じて吊りリードへ伝わる。この時、金属と樹
脂との熱膨張係数の違いから、吊りリードが封止樹脂か
ら剥離することがある。そこで、この剥離を防止するた
めに、吊りリードの途中に突起部を設けた形状にした
り、図２に示したように、吊りリード２の先端を二股に
分岐させたいわゆるフィッシュテール形状とすることで
剥離を防止することが行われている。
【０００８】図５は樹脂封止型半導体装置の一例を示す
背面図である。特に同図のようなフィッシュテール形状
の吊りリード２を有する一括モールドタイプに限ったこ
とではないが、樹脂封止型半導体装置においては、同図
に示されるように、設計上、吊りリード２とそれに隣接
する端子部５の間が最も狭くなる。したがって、この樹
脂封止型半導体装置Ｓを基板に実装する際に、裏面側に
て封止樹脂７から露出した吊りリード２とそれに隣接す
る端子部５の間において半田ブリッジによる短絡事故が
発生しやすいという問題がある。そこで、図示のように
端子部５の角取りをするが、接続のための面積が小さく
なってしまうし、設計通りにエッチングするのは困難で
ある。
背面図である。特に同図のようなフィッシュテール形状
の吊りリード２を有する一括モールドタイプに限ったこ
とではないが、樹脂封止型半導体装置においては、同図
に示されるように、設計上、吊りリード２とそれに隣接
する端子部５の間が最も狭くなる。したがって、この樹
脂封止型半導体装置Ｓを基板に実装する際に、裏面側に
て封止樹脂７から露出した吊りリード２とそれに隣接す
る端子部５の間において半田ブリッジによる短絡事故が
発生しやすいという問題がある。そこで、図示のように
端子部５の角取りをするが、接続のための面積が小さく
なってしまうし、設計通りにエッチングするのは困難で
ある。
【０００９】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、特に一括モ
ールドタイプであって、実装時における半田の短絡事故
を起こさないようにした樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
れたものであり、その目的とするところは、特に一括モ
ールドタイプであって、実装時における半田の短絡事故
を起こさないようにした樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム
の吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレ
ームの端子部とを電気的に接続した金属細線と、端子部
の下面と側面とを外部端子として露出させた状態で、金
属細線を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂
とを備えてなる樹脂封止型半導体装置において、リード
フレームの吊りリードの裏面がハーフエッチングされて
おり、封止樹脂が吊りリードの下面を覆っていることを
特徴とする。
め、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム
の吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレ
ームの端子部とを電気的に接続した金属細線と、端子部
の下面と側面とを外部端子として露出させた状態で、金
属細線を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂
とを備えてなる樹脂封止型半導体装置において、リード
フレームの吊りリードの裏面がハーフエッチングされて
おり、封止樹脂が吊りリードの下面を覆っていることを
特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１２】図６は本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造に使用するフレームの一例を示す背面図、図７は図６
の一部拡大平面図である。
造に使用するフレームの一例を示す背面図、図７は図６
の一部拡大平面図である。
【００１３】これらの図においてＦはリードフレーム用
の１枚の金属フレームで、３×４個のリードフレーム１
０がグリッドリードＬを介してマトリックス状に配置さ
れている。グリッドリードＬは、隣接するリードフレー
ム１０の端子部５を接続しているところである。各リー
ドフレーム１０では４本の吊りリード２によりダイパッ
ド３が支持されている。そして、吊りリード２はフィッ
シュテール形状になっており、その吊りリード２の裏面
がハーフエッチングされて、図７の斜線で示す部分が薄
くなっている。
の１枚の金属フレームで、３×４個のリードフレーム１
０がグリッドリードＬを介してマトリックス状に配置さ
れている。グリッドリードＬは、隣接するリードフレー
ム１０の端子部５を接続しているところである。各リー
ドフレーム１０では４本の吊りリード２によりダイパッ
ド３が支持されている。そして、吊りリード２はフィッ
シュテール形状になっており、その吊りリード２の裏面
がハーフエッチングされて、図７の斜線で示す部分が薄
くなっている。
【００１４】このフレームＦを用いて樹脂封止型半導体
装置を製造する手順は次のようである。まず、フレーム
Ｆの各リードフレーム１０におけるダイパッド３の上に
それぞれ半導体素子を銀ペーストにより搭載し、端子部
５と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボンディ
ングを実施した後、１２個配列されている半導体素子を
所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、各リ
ードフレームの端子部５を残すようにグリッドラインＬ
のところをダイシングソーで切断除去して個片化する。
装置を製造する手順は次のようである。まず、フレーム
Ｆの各リードフレーム１０におけるダイパッド３の上に
それぞれ半導体素子を銀ペーストにより搭載し、端子部
５と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボンディ
ングを実施した後、１２個配列されている半導体素子を
所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、各リ
ードフレームの端子部５を残すようにグリッドラインＬ
のところをダイシングソーで切断除去して個片化する。
【００１５】このようにして製造された樹脂封止型半導
体装置の裏面を図８に示す。この樹脂封止型半導体装置
Ｓでは、上記したように吊りリード２の裏面がハーフエ
ッチングされて薄くなっているため、モールド時に封止
樹脂が吊りリード２の裏面側に侵入し、図示の如く封止
樹脂７が吊りリード２の下面を覆った状態になる。した
がって、半導体装置の裏面側に露出した金属部分が充分
な間隔を保持した状態になるため、基板に実装する際に
半田が金属部分を繋ぐことがない。
体装置の裏面を図８に示す。この樹脂封止型半導体装置
Ｓでは、上記したように吊りリード２の裏面がハーフエ
ッチングされて薄くなっているため、モールド時に封止
樹脂が吊りリード２の裏面側に侵入し、図示の如く封止
樹脂７が吊りリード２の下面を覆った状態になる。した
がって、半導体装置の裏面側に露出した金属部分が充分
な間隔を保持した状態になるため、基板に実装する際に
半田が金属部分を繋ぐことがない。
【００１６】なお、通常はダイパッド３の下側もハーフ
エッチングするので、それと同時に吊りリード２の裏面
側をハーフエッチングすればよい。
エッチングするので、それと同時に吊りリード２の裏面
側をハーフエッチングすればよい。
【００１７】また、上記の説明では、フィッシュテール
形状にした吊りリードの場合を例に挙げて説明したが、
この形状の吊りリードの場合に限定されないことは言う
までもない。
形状にした吊りリードの場合を例に挙げて説明したが、
この形状の吊りリードの場合に限定されないことは言う
までもない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、リード
フレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載
された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリ
ードフレームの端子部とを電気的に接続した金属細線
と、端子部の下面と側面とを外部端子として露出させた
状態で、金属細線を含む半導体素子の外囲領域を封止し
た封止樹脂とを備えてなる樹脂封止型半導体装置におい
て、リードフレームの吊りリードの裏面がハーフエッチ
ングされており、封止樹脂が吊りリードの下面を覆って
いる構成としたので、半導体装置の裏面側に露出した金
属部分が充分な間隔を保持した状態になるため、基板実
装時において半田ブリッジによる短絡事故を無くすこと
ができる。
フレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載
された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリ
ードフレームの端子部とを電気的に接続した金属細線
と、端子部の下面と側面とを外部端子として露出させた
状態で、金属細線を含む半導体素子の外囲領域を封止し
た封止樹脂とを備えてなる樹脂封止型半導体装置におい
て、リードフレームの吊りリードの裏面がハーフエッチ
ングされており、封止樹脂が吊りリードの下面を覆って
いる構成としたので、半導体装置の裏面側に露出した金
属部分が充分な間隔を保持した状態になるため、基板実
装時において半田ブリッジによる短絡事故を無くすこと
ができる。
【図１】樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１に示す樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。
る。
【図３】個別モールドタイプの説明図である。
【図４】一括モールドタイプの説明図である。
【図５】樹脂封止型半導体装置の一例を示す背面図であ
る。
る。
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造に使用す
るフレームの一例を示す背面図である。
るフレームの一例を示す背面図である。
【図７】図６に示すフレームの一部拡大平面図である。
【図８】図６に示すフレームを使用して製造された樹脂
封止型半導体装置を示す背面図である。
封止型半導体装置を示す背面図である。
１ リードフレーム ２ 吊りリード ３ ダイパッド ４ 半導体素子 ５ 端子部 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 １０ リードフレーム Ｃ モールドキャビティ Ｆ フレーム Ｌ グリッドリード Ｓ 半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 DB04 FA04 5F067 AA01 AA09 AA10 AA15 AB03 BA02 BA08 BB01 BC01 BC12 BD05 BE00 DA16 DE14 DF03
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームの吊りリードで支持され
たダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体
素子の上面の電極とリードフレームの端子部とを電気的
に接続した金属細線と、端子部の下面と側面とを外部端
子として露出させた状態で、金属細線を含む半導体素子
の外囲領域を封止した封止樹脂とを備えてなる樹脂封止
型半導体装置において、リードフレームの吊りリードの
裏面がハーフエッチングされており、封止樹脂が吊りリ
ードの下面を覆っていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200954A JP2002026190A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200954A JP2002026190A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002026190A true JP2002026190A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18698739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000200954A Pending JP2002026190A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002026190A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300504A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Nec Electronics Corp | リードフレームおよびその製造方法、半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010087537A (ja) * | 2010-01-18 | 2010-04-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP2013098332A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Sony Corp | リードフレームおよび半導体装置 |
| US8513785B2 (en) | 2003-11-27 | 2013-08-20 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
2000
- 2000-07-03 JP JP2000200954A patent/JP2002026190A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8513785B2 (en) | 2003-11-27 | 2013-08-20 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US8592961B2 (en) | 2003-11-27 | 2013-11-26 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US9024419B2 (en) | 2003-11-27 | 2015-05-05 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9425165B2 (en) | 2003-11-27 | 2016-08-23 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9806035B2 (en) | 2003-11-27 | 2017-10-31 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US10249595B2 (en) | 2003-11-27 | 2019-04-02 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US10998288B2 (en) | 2003-11-27 | 2021-05-04 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2008300504A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Nec Electronics Corp | リードフレームおよびその製造方法、半導体装置およびその製造方法 |
| US7808086B2 (en) | 2007-05-30 | 2010-10-05 | Nec Electronics Corporation | Lead frame and manufacturing method thereof, and semiconductor apparatus and manufacturing method thereof |
| JP2010087537A (ja) * | 2010-01-18 | 2010-04-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP2013098332A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Sony Corp | リードフレームおよび半導体装置 |
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