JP2002033434A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置の
全体の厚みを薄くすること。 【解決手段】 リードフレームの吊りリードで支持され
たダイパッド３上に搭載された半導体素子４と、この半
導体素子４の上面の電極とリードフレームの端子部５と
を電気的に接続した金属細線６と、端子部５の下面と側
面とを露出させた状態で、金属細線６を含む半導体素子
４の外囲領域を封止してなる封止樹脂７とを備えた樹脂
封止型半導体装置において、ダイパッド３の表面がハー
フエッチングされ、そのハーフエッチングされて薄くな
った部分に半導体素子４が搭載されている構成とする。
あたかも半導体素子を研削したかのように半導体素子の
位置を下げることができ、半導体装置の全体の厚みを薄
くすることができる。
全体の厚みを薄くすること。 【解決手段】 リードフレームの吊りリードで支持され
たダイパッド３上に搭載された半導体素子４と、この半
導体素子４の上面の電極とリードフレームの端子部５と
を電気的に接続した金属細線６と、端子部５の下面と側
面とを露出させた状態で、金属細線６を含む半導体素子
４の外囲領域を封止してなる封止樹脂７とを備えた樹脂
封止型半導体装置において、ダイパッド３の表面がハー
フエッチングされ、そのハーフエッチングされて薄くな
った部分に半導体素子４が搭載されている構成とする。
あたかも半導体素子を研削したかのように半導体素子の
位置を下げることができ、半導体装置の全体の厚みを薄
くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム上
に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上
面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の
技術分野に属するものである。
に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上
面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の
技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板実装の高密度化に伴い、基板
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケ
ージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ
（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特
に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発に
おいては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その
搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置が開発されている。
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケ
ージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ
（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特
に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発に
おいては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その
搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置が開発されている。
【０００３】図１は樹脂封止型半導体装置の一例を示す
断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示す平面
図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置
は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイ
パッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子
４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気
的に接続した金属細線６と、半導体素子４の上側とダイ
パッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封止
した封止樹脂７とを備えている。この樹脂封止型半導体
装置は、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、イ
ンナーリードとアウターリードの両者が端子部５として
一体となったノンリードタイプである。なお、図示の樹
脂封止型半導体装置に用いられているリードフレーム１
は、ダイパッド３が端子部より上方に位置するようにハ
ーフエッチングされている。このように段差を有してい
るので、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在させ
ることができ、ダイパッド非露出型であっても薄型を実
現している。
断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示す平面
図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置
は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイ
パッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子
４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気
的に接続した金属細線６と、半導体素子４の上側とダイ
パッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封止
した封止樹脂７とを備えている。この樹脂封止型半導体
装置は、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、イ
ンナーリードとアウターリードの両者が端子部５として
一体となったノンリードタイプである。なお、図示の樹
脂封止型半導体装置に用いられているリードフレーム１
は、ダイパッド３が端子部より上方に位置するようにハ
ーフエッチングされている。このように段差を有してい
るので、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在させ
ることができ、ダイパッド非露出型であっても薄型を実
現している。
【０００４】上記のようなノンリードタイプの樹脂封止
型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるた
め、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造する
マトリックスタイプが主流である。そして、最近では、
コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモー
ルドするタイプから、図４に示すような一括してモール
ドするタイプへ移行することが考えられている。
型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるた
め、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造する
マトリックスタイプが主流である。そして、最近では、
コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモー
ルドするタイプから、図４に示すような一括してモール
ドするタイプへ移行することが考えられている。
【０００５】個別モールドタイプは、図３（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々
の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個
々の半導体装置として打ち抜くのである。
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々
の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個
々の半導体装置として打ち抜くのである。
【０００６】一括モールドタイプは、図４（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を
銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭
載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列
されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括
モールドしてから、ダイシングにより個片化するのであ
る。
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を
銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭
載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列
されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括
モールドしてから、ダイシングにより個片化するのであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したノンリードタ
イプの樹脂封止型半導体装置は、用途に応じて全体の厚
みを極力薄くすることが望まれることがあり、その場合
は半導体素子を研削して薄くすることで対応している。
しかしながら、半導体素子を薄くするにも限界があり、
また薄くすることにより半導体素子が割れやすくなり、
歩留りが著しく低下するという問題が生じる。
イプの樹脂封止型半導体装置は、用途に応じて全体の厚
みを極力薄くすることが望まれることがあり、その場合
は半導体素子を研削して薄くすることで対応している。
しかしながら、半導体素子を薄くするにも限界があり、
また薄くすることにより半導体素子が割れやすくなり、
歩留りが著しく低下するという問題が生じる。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、全体の厚みを
薄くすることができる樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
たものであり、その目的とするところは、全体の厚みを
薄くすることができる樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム
の吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレ
ームの端子部とを電気的に接続した金属細線と、端子部
の下面と側面とを露出させた状態で、金属細線を含む半
導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えた
樹脂封止型半導体装置において、ダイパッドの表面がハ
ーフエッチングされ、そのハーフエッチングされて薄く
なった部分に半導体素子が搭載されていることを特徴と
している。
め、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム
の吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレ
ームの端子部とを電気的に接続した金属細線と、端子部
の下面と側面とを露出させた状態で、金属細線を含む半
導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えた
樹脂封止型半導体装置において、ダイパッドの表面がハ
ーフエッチングされ、そのハーフエッチングされて薄く
なった部分に半導体素子が搭載されていることを特徴と
している。
【００１０】また、上記構成の樹脂封止型半導体装置に
おいて、半導体素子が複数個重ねて搭載されている構成
にすることもできる。
おいて、半導体素子が複数個重ねて搭載されている構成
にすることもできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１２】図５は本発明の樹脂封止型半導体装置を製
造するのに使用するリードフレームの一例を示すもの
で、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ
−Ｘ断面図である。
造するのに使用するリードフレームの一例を示すもの
で、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ
−Ｘ断面図である。
【００１３】図示のように、リードフレーム１は、周辺
部からの４本の吊りリード２でダイパッド３を支持し、
そのダイパッド３に向けて周囲４辺からそれぞれ４本ず
つ端子部５が突き出た状態になっている。そして、ダイ
パッド３の表面がハーフエッチングされて薄くなってい
る。このリードフレーム１は、殆どの場合、厚みが０．
２ｍｍの銅製の金属板で構成されており、ハーフエッチ
ングは０．１ｍｍ程度で実施できる。通常、このような
リードフレームが１枚のフレームに複数個並んだ状態で
配列されている。
部からの４本の吊りリード２でダイパッド３を支持し、
そのダイパッド３に向けて周囲４辺からそれぞれ４本ず
つ端子部５が突き出た状態になっている。そして、ダイ
パッド３の表面がハーフエッチングされて薄くなってい
る。このリードフレーム１は、殆どの場合、厚みが０．
２ｍｍの銅製の金属板で構成されており、ハーフエッチ
ングは０．１ｍｍ程度で実施できる。通常、このような
リードフレームが１枚のフレームに複数個並んだ状態で
配列されている。
【００１４】このリードフレーム１を用いて樹脂封止型
半導体装置を製造する手順は次のようである。まず、リ
ードフレーム１における吊りリード２に支持されたダイ
パッド３の上に半導体素子を銀ペーストにより搭載し、
端子部５と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボ
ンディングを実施した後、モールド型にセットして個別
にモールドしてから、金型により個々の半導体装置に打
ち抜く。
半導体装置を製造する手順は次のようである。まず、リ
ードフレーム１における吊りリード２に支持されたダイ
パッド３の上に半導体素子を銀ペーストにより搭載し、
端子部５と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボ
ンディングを実施した後、モールド型にセットして個別
にモールドしてから、金型により個々の半導体装置に打
ち抜く。
【００１５】このようにして製造された樹脂封止型半導
体装置の断面図を図６に示す。この樹脂封止型半導体装
置は、図示のように、ダイパッド３の表面がハーフエッ
チングされて薄くなっており、その薄くなった部分に半
導体素子４が搭載されている。したがって、同じ半導体
素子４を搭載した場合と比べると、半導体素子４の位置
が下がるので、装置全体の厚みが薄くなっている。ま
た、半導体素子４の上面と端子部５との段差が小さくな
るので、金属細線６が半導体素子４の角に当接し難くな
り、その結果、エッジタッチ不良が減少する。また、半
導体素子４の上面の電極と端子部５との距離が短くなる
ので、金属細線６の長さを短くすることができる。
体装置の断面図を図６に示す。この樹脂封止型半導体装
置は、図示のように、ダイパッド３の表面がハーフエッ
チングされて薄くなっており、その薄くなった部分に半
導体素子４が搭載されている。したがって、同じ半導体
素子４を搭載した場合と比べると、半導体素子４の位置
が下がるので、装置全体の厚みが薄くなっている。ま
た、半導体素子４の上面と端子部５との段差が小さくな
るので、金属細線６が半導体素子４の角に当接し難くな
り、その結果、エッジタッチ不良が減少する。また、半
導体素子４の上面の電極と端子部５との距離が短くなる
ので、金属細線６の長さを短くすることができる。
【００１６】図７は図５に示すリードフレームを用いて
製造した樹脂封止型半導体装置の別の例を示す断面図で
ある。この樹脂封止型半導体装置は、半導体素子４の上
に一回り小さな半導体素子４’を重ねた所謂スタックド
オンタイプの半導体装置である。このように半導体素子
が複数個重ねて搭載されているタイプの半導体装置で
も、ダイパッド３の表面がハーフエッチングされて薄く
なっているので、全体の厚みを抑えることができる。
製造した樹脂封止型半導体装置の別の例を示す断面図で
ある。この樹脂封止型半導体装置は、半導体素子４の上
に一回り小さな半導体素子４’を重ねた所謂スタックド
オンタイプの半導体装置である。このように半導体素子
が複数個重ねて搭載されているタイプの半導体装置で
も、ダイパッド３の表面がハーフエッチングされて薄く
なっているので、全体の厚みを抑えることができる。
【００１７】なお、上記の説明では、個別モールドタイ
プについて述べたが、一括モールドタイプの樹脂封止型
半導体装置についても同様である。
プについて述べたが、一括モールドタイプの樹脂封止型
半導体装置についても同様である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームの吊りリードで支持さ
れたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導
体素子の上面の電極とリードフレームの端子部とを電気
的に接続した金属細線と、端子部の下面と側面とを露出
させた状態で、金属細線を含む半導体素子の外囲領域を
封止してなる封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置
において、ダイパッドの表面がハーフエッチングされ、
そのハーフエッチングされて薄くなった部分に半導体素
子が搭載されている構成としたので、あたかも半導体素
子を研削したかのように半導体素子の位置を下げること
ができ、半導体装置の全体の厚みを薄くすることができ
る。また、半導体素子の上面と端子部との段差が小さく
なるため、エッジタッチ等によるショートを軽減でき、
しかも半導体素子の電極と端子部を電気的に繋ぐ金属細
線を短くすることが可能となり、コスト削減を図ること
ができる。
型半導体装置は、リードフレームの吊りリードで支持さ
れたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導
体素子の上面の電極とリードフレームの端子部とを電気
的に接続した金属細線と、端子部の下面と側面とを露出
させた状態で、金属細線を含む半導体素子の外囲領域を
封止してなる封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置
において、ダイパッドの表面がハーフエッチングされ、
そのハーフエッチングされて薄くなった部分に半導体素
子が搭載されている構成としたので、あたかも半導体素
子を研削したかのように半導体素子の位置を下げること
ができ、半導体装置の全体の厚みを薄くすることができ
る。また、半導体素子の上面と端子部との段差が小さく
なるため、エッジタッチ等によるショートを軽減でき、
しかも半導体素子の電極と端子部を電気的に繋ぐ金属細
線を短くすることが可能となり、コスト削減を図ること
ができる。
【図１】樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１に示す樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。
る。
【図３】個別モールドタイプの説明図である。
【図４】一括モールドタイプの説明図である。
【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置を製造するのに
使用するリードフレームの一例を示すもので、（Ａ）は
平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
使用するリードフレームの一例を示すもので、（Ａ）は
平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【図６】図５に示すリードフレームを使用して製造され
た樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
た樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【図７】図５に示すリードフレームを使用して製造され
た樹脂封止型半導体装置の別の例を示す断面図である。
た樹脂封止型半導体装置の別の例を示す断面図である。
１ リードフレーム ２ 吊りリード ３ ダイパッド ４，４’ 半導体素子 ５ 端子部 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 Ｃ モールドキャビティ Ｆ フレーム Ｌ グリッドリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 DB04 FA04 5F067 AA01 AB03 BB04 BE00 DA16 DA18 DF03
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームの吊りリードで支持され
たダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体
素子の上面の電極とリードフレームの端子部とを電気的
に接続した金属細線と、端子部の下面と側面とを露出さ
せた状態で、金属細線を含む半導体素子の外囲領域を封
止してなる封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置に
おいて、ダイパッドの表面がハーフエッチングされ、そ
のハーフエッチングされて薄くなった部分に半導体素子
が搭載されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体素子が複数個重ねて搭載されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000213722A JP2002033434A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000213722A JP2002033434A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033434A true JP2002033434A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18709430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000213722A Pending JP2002033434A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7851902B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-12-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device |
-
2000
- 2000-07-14 JP JP2000213722A patent/JP2002033434A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7851902B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-12-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device |
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