JP3461332B2 - リードフレーム及びそれを用いた樹脂パッケージと光電子装置 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた樹脂パッケージと光電子装置Info
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Description
これを用いた樹脂パッケージに関する。また本発明は、
該樹脂パッケージを用い、高出力の半導体レーザを搭載
した小型の光電子装置に関する。
しては、例えば特開平6−203403号公報に記載さ
れたものが知られている。即ち、ダイスパッドとダイス
パッドの周辺近傍に先端部を配置したインナーリードと
を有するリードフレームを作成し、これを樹脂で封止し
て樹脂パッケージを得る。このとき、樹脂パッケージに
はダイスパッド及びインナーリードの先端部を露出させ
る開口を設けておく。次いで、開口内のダイスパッド上
に光学半導体素子を搭載して、その周辺に露出した複数
のインナーリードの先端部と光学半導体素子の各電極と
をワイヤ接続する。最後に、透明の光学部材を開口に設
置して光学半導体素子を封止する。
の光記録媒体の記録及び/又は再生を行なう光ピックア
ップ装置等に搭載されて使用される。
向にあり、これに応じて上記光電子装置に対する小型化
の要求も強い。光電子装置の小型化の一手段として、リ
ードフレームを構成するインナーリードのファインピッ
チ化が検討されている。
の厚みによって制限され、配列ピッチを微細化するため
には肉厚を薄くすることが有効である。特開平5−32
6788号公報には、多ピンのインナーリードの先端部
をプレス加工で薄肉化して、インナーリードをファイン
ピッチ化した半導体装置が開示されている。ここでは、
圧延で製造されたリードフレームのインナーリード先端
部を、圧延成形で得られた厚さより最低でも1/6にプ
レス加工で減厚して薄肉のインナーリードを得ている。
来の光電子装置や半導体装置およびその製造方法におい
ては、下記に示す課題があった。
に伴い、光ピックアップ装置用の半導体レーザには高出
力化が、その半導体レーザを搭載するパッケージには小
型化が求められている。半導体レーザを高出力化すると
発熱量が増大するので、放熱性が良好であることが要求
される。また、小型化のためにはインナーリードのファ
インピッチ化が要求される。ところが、これら、放熱特
性とファインピッチ化とを両立できる樹脂パッケージが
見出されていない。
イスパッド部分の厚さを通常のリードフレームよりも厚
くすると、ファインピッチ化に必要なインナーリード先
端部を、薄くかつ精度良く製造できなくなるからであ
る。また、光学半導体素子を搭載する光電子装置におい
ては、ダイスパッドとファインピッチ化されたインナー
リード先端部とを露出させるために樹脂パッケージに開
口を設け、開口内のダイスパッドに光学半導体素子を搭
載して光学特性を確保している。従って、ファインピッ
チ化のためにインナーリードを薄くすると、開口内に露
出した薄肉のインナーリード先端部の強度が低下して変
形等が生じやすい。露出したインナーリード先端部のわ
ずかな変形は、光学特性の悪化や、樹脂とリード先端部
との剥離などを招く。
その取付配置等の関係から、そのパッケージの1方向に
おける小型化が特に望まれている。従来の光電子装置の
平面形状は略長方形であるが、その短辺方向の更なる短
縮化は困難となってきている。
とを目的とする。
インナーリードと、良好な放熱特性を得るのに必要な板
厚を有するダイスパッドとを備えたリードフレームを提
供することを目的とする。また、本発明は、封止する樹
脂との接着性が良好なリードフレームを提供することを
目的とする。さらに、本発明は、このような特性を有し
ながら、製造が容易で、低コストのリードフレームを提
供することを目的とする。
立できる樹脂パッケージを提供することを目的とする。
また、樹脂とダイスパッドやリードとの接着性が良好な
樹脂パッケージを提供することを目的とする。さらに、
本発明は、このような特性を有しながら、製造が容易
で、低コストの樹脂パッケージを提供することを目的と
する。
性が良好で、高出力化に対応可能な、高性能かつ低コス
トの光電子装置を提供することを目的とする。
成するために以下の構成とする。
ダイスパッド本体部と、前記ダイスパッド本体部の少な
くとも1辺側に設けた前記ダイスパッド本体部より薄い
中肉のダイスパッド周辺部とを備えたダイスパッドと、
前記ダイスパッドと接続された少なくとも1本のサポー
トリードと、前記ダイスパッド周辺部に先端部を対向さ
せて配置された、前記ダイスパッド周辺部より薄い薄肉
の2本以上の第1インナーリードとを有することを特徴
とする。
のダイスパッド本体部の少なくとも一辺に、薄肉の第1
インナーリードの先端部を対向して配置する構成におい
て、第1インナーリードが対向するダイスパッド本体部
の辺に中肉のダイスパッド周辺部を形成する。肉厚が大
きく異なる厚肉部と薄肉部との間に中肉部を設けること
で、肉厚が急激に変化する部分をなくすことができ、圧
延加工で一度に成形することが可能になる。その結果、
放熱特性に必要なダイスパッドの厚みと、ファインピッ
チ化に必要なインナーリード先端部の薄肉化とを同時に
達成できる。その後、プレス打ち抜き加工により微細な
リードを容易に形成できる。よって、ファインピッチ化
されたインナーリードと、放熱特性が良好なダイスパッ
ドとを備えたリードフレームを、容易に低コストで得る
ことができる。
厚肉のダイスパッド本体部を備えたダイスパッドと、前
記ダイスパッドと接続された少なくとも1本のサポート
リードと、前記ダイスパッドの少なくとも1辺に先端部
を対向させて配置された、前記ダイスパッド本体部より
薄い薄肉の3本以上の第1インナーリードとを有し、前
記各第1インナーリードは、幅が狭い狭幅部を前記ダイ
スパッド側に、前記狭幅部より幅が広い広幅部を前記ダ
イスパッドとは反対側に有し、前記3本以上の第1イン
ナーリードのうち、中央の第1インナーリードの前記狭
幅部と前記広幅部との接続点より、その両隣の第1イン
ナーリードの前記狭幅部と前記広幅部との接続点を前記
ダイスパッド寄りに形成し、前記中央の第1インナーリ
ードとその両隣の第1インナーリードとの間隔を、前記
広幅部より前記狭幅部で狭くしたことを特徴とする。
のインナーリードの狭幅部と広幅部との接続点を、より
外側のインナーリードほどダイスパッドに近づけてい
る。そのため、外側の第1インナーリードほど、広幅部
分を相対的に長くすることができるので、薄肉の第1イ
ンナーリードの強度を先端部近傍まで高く維持すること
ができる。従って、加工時の変形を抑えることができ
る。また、封止樹脂から露出する先端部の強度も向上
し、変形が起こりにくくなる。よって、樹脂封止をした
ときに樹脂との剥離を少なくできる。しかも、狭幅部側
でリード間隔を狭くすることにより、第1インナーリー
ドのファインピッチ化も同時に実現できる。また、厚肉
のダイスパッド本体部を備えることにより、放熱特性が
良好である。
帯状の厚肉領域と前記厚肉領域より薄い帯状の薄肉領域
とを相互に平行に有し、前記厚肉領域内にダイスバッド
が形成され、前記薄肉領域内にリードが形成され、前記
リードの延設方向が前記帯状領域の方向と略直角である
ことを特徴とする。
の厚肉領域内にダイスパッドが形成されるので、放熱特
性が良好となり、帯状の薄肉領域内にリードが形成され
るので、リードのファインピッチ化が可能になる。これ
らの厚みが異なる帯状の領域は相互に平行であるので、
これは圧延加工で容易に得ることができる。そして、帯
状領域の形成方向と略直交させてリードを延設している
ので、リードの延設方向の厚みが均一となる。従って、
リードのファインピッチ加工を容易かつ高精度に行なう
ことができる。また、加工されたリードの変形も少なく
なる。従って、インナーリードのファインピッチ化と、
良好な放熱特性とを備えたリードフレームを、容易に低
コストで得ることができる。
厚肉のダイスパッド本体部と、前記ダイスパッド本体部
の少なくとも1辺側に設けた前記ダイスパッド本体部よ
り薄い中肉のダイスパッド周辺部とを備えたダイスパッ
ドと、前記ダイスパッドと接続された少なくとも1本の
サポートリードと、前記ダイスパッド周辺部に先端部を
対向させて配置された、前記ダイスパッド周辺部より薄
い薄肉の2本以上の第1インナーリードと、前記ダイス
パッドの上面の一部及び下面の一部と、前記第1インナ
ーリードの先端部の上面とを露出させながら、前記ダイ
スパッドと前記サポートリードと前記第1インナーリー
ドとを一体に封止する樹脂とを有することを特徴とす
る。
リードフレームを樹脂封止して得たものであり、インナ
ーリードがファインピッチ化され、放熱特性が良好な樹
脂パッケージを、容易かつ低コストで提供できる。
厚肉のダイスパッド本体部を備えたダイスパッドと、前
記ダイスパッドと接続された少なくとも1本のサポート
リードと、前記ダイスパッドの少なくとも1辺に先端部
を対向させて配置された、前記ダイスパッド本体部より
薄い薄肉の3本以上の第1インナーリードと、前記ダイ
スパッドの上面の一部及び下面の一部と、前記第1イン
ナーリードの先端部の上面とを露出させながら、前記ダ
イスパッドと前記サポートリードと前記第1インナーリ
ードとを一体に封止する樹脂とを有する樹脂パッケージ
であって、前記各第1インナーリードは、幅が狭い狭幅
部を前記ダイスパッド側に、前記狭幅部より幅が広い広
幅部を前記ダイスパッドとは反対側に有し、前記3本以
上の第1インナーリードのうち、中央の第1インナーリ
ードの前記狭幅部と前記広幅部との接続点より、その両
隣の第1インナーリードの前記狭幅部と前記広幅部との
接続点を前記ダイスパッド寄りに形成し、前記中央の第
1インナーリードとその両隣の第1インナーリードとの
間隔を、前記広幅部より前記狭幅部で狭くしたことを特
徴とする。
リードフレームを樹脂封止して得たものであり、ファイ
ンピッチ化された第1インナーリードと樹脂との剥離を
少なくできる。また、封止樹脂から露出した先端部の強
度も向上する。また、厚肉のダイスパッド本体部を備え
ることにより、放熱特性が良好である。
は第2の樹脂パッケージと、前記ダイスパッドの上面に
搭載された光電子素子と、前記光電子素子を封止する光
学的に透明な部材とを有することを特徴とする。
ァインピッチ化されているので小型化でき、厚肉のダイ
スパッドを有するので放熱特性が良好である。そして、
このような光電子装置を容易かつ低コストに得ることが
できる。
て、図面を用いて説明する。
フレームの平面図である。図2は、図1のII-II線での
矢印方向から見た断面図である。
図1の矢印150の方向に圧延して、圧延方向150と
平行で厚みが異なる複数の帯状の領域を形成した後、図
示した平面形状にプレス打ち抜きして得られる。即ち、
リードフレームは、厚みがt0,t1,t2,t3であ
る、圧延方向150と平行な帯状の領域を有し、これら
はt0>t1<t2<t3を満足する。各領域の上面は
ほぼ共通する平面内にあり、下面位置を変えることで厚
さを変化させている。図1では、繰り返し単位を2つの
み示してあるが、実際のリードフレームはこのような繰
り返し単位が圧延方向150に多数連続して形成されて
いる。
0.5〜0.7mm)のダイスパッド本体部203と、
その周囲に設けた中肉(厚さt2=0.3〜0.45m
m)のダイスパッド周辺部201とよりなる。ダイスパ
ッド200の平面形状は略矩形状で、その短辺方向を圧
延方向150に平行にして配置される。
ド200の両短辺側に、圧延方向150と略直交する方
向に延設された複数のリードを有する。各々のリードの
厚さは、前記中肉(厚さt2)のダイスパッド周辺部2
01より薄く、少なくとも2種類の厚さを有する。即
ち、各リードは、アウターリード側に厚さt0=0.2
5〜0.3mmの部分とインナーリード側に厚さt1=
0.2mm前後の薄肉部分とを有している。圧延方向1
50と略直交する方向にリードを延設することで、リー
ドの各部の延設方向の厚みが均一となる。従って、リー
ドのファインピッチ加工を容易かつ高精度に行なうこと
ができる。また、加工されたリードの変形も少なくな
る。
10に接続されて保持される。サポートリード110の
ダイスパッド200との接続部111は、薄肉(厚さt
1)で、圧延方向150の幅Wは、強度確保のため、他
のリードより幅広にしている。その幅Wは、後述する第
1インナーリード101の先端部の同方向の幅の1.5
〜3倍程度が良い。
ダイスパッド200の短辺に対向させて配置される。図
1の例では、ダイスパッド200の左右両側に各5本の
第1インナーリード101が配される。各第1インナー
リード101の先端部の幅(L1)は0.15mmであ
る。また、第1インナーリード101の先端部の配列間
隔(L2)は0.15mmである。各第1インナーリー
ド101のダイスパッド200とは反対側にはアウター
リード103が接続される。各アウターリード103の
幅(L3)は0.25mmである。また、アウターリー
ド103の配列間隔(L4)は0.25mmである。上
記サポートリード110のダイスパッド200とは反対
側にも、同様のアウターリード103が接続されてい
る。ここで、「インナー」及び「アウター」は、後述す
る樹脂封止をして樹脂パッケージを製造した場合に、樹
脂パッケージの外周から露出するか否かに基づいて呼び
分けている。
部側(ダイスパッド200側)が狭く、その反対側(ア
ウターリード103側)が広くなっている。この幅が狭
い部分(狭幅部)から広い部分(広幅部)に変化する地
点(接続点)は、第1インナーリード101ごとに異な
る。具体的には、ダイスパッド200の片側に並んだ5
本の第1インナーリード101のうち、中央の第1イン
ナーリードの上記接続点より、その両隣にある第1イン
ナーリードの上記接続点はダイスパッド200寄りに形
成されている。また、最も両外側にある2つの第1イン
ナーリードの上記接続点は、さらにダイスパッド200
寄りに形成されている。このように接続点の位置を変え
ながら、第1インナーリード101の間隔は、広幅部よ
り狭幅部の方を狭くしている。この結果、より外側の第
1インナーリード101ほど、広幅部を相対的に長くす
ることができるので、薄肉の第1インナーリードの強度
を先端部近傍まで高く維持することができる。従って、
加工時の変形を抑えることができる。また、封止樹脂か
ら露出する先端部の強度も向上し、変形が起こりにくく
なる。よって、後述する樹脂封止をしたときに樹脂との
剥離を少なくできる。さらに、このような効果を得なが
ら、第1インナーリード101の先端部のファインピッ
チ化も実現できる。
た後、プレス打ち抜きで各幅に形成したものである。各
々のリード間隔およびリードとダイスパッド200との
間隔は、そのリード幅程度である。リードの厚さを薄く
できるので、プレス打ち抜きで微細に加工でき、加工後
にリードの変形を修正するためのプレス加工が不要であ
る。
0の厚さを厚くすると放熱特性が良好となる。アウター
リード部分の厚さt0より厚い厚さt3のダイスパッド
本体部203を圧延成形する際に、ダイスパッド200
の周囲に厚さt2(t0<t2<t3)のダイスパッド
周辺部201を設けることで、この部分で成形時の変形
量を段階的に変化させることができ、圧延成形性が良好
となる(バッファ作用)。
は、リードの厚さを薄くすることが有効である。厚さt
3の厚肉のダイスパッド200の近傍に厚さt1の薄肉
のリードを圧延成形で形成するためには、両者の中間の
厚さを有するダイスパッド周辺部201を設けることで
圧延成形性が良好となる(バッファ作用)。この結果、
ダイスパッド200の短辺の長さである約1mmの間
に、薄肉のインナーリードを精度良くファインピッチで
配置することができる。
の外側に幅がL3で薄肉(厚さt1)の第2インナーリ
ード102が形成されている。第2インナーリード10
2の先端部は、幅がL3で薄肉(厚さt1)のままで、
第1インナーリード101の外側から、第1インナーリ
ード101の先端部とダイスパッド周辺部201との間
に回り込んで、圧延方向150に延びて形成されてい
る。また、ダイスパッド200の短辺方向の幅内に第2
インナーリード102の先端部(より正確には、第2イ
ンナーリード102の先端部の該短辺方向の外側端)が
収まるように配置されている。これにより、必要な数の
リード先端部をダイスパッド200の短辺に対向して配
置する際に、配置に必要な短辺方向の距離を短縮化でき
る。従って、リードの延設方向と垂直方向(短辺方向)
のさらなる小型化が可能となり、これに対する要求が特
に強い、光ディスク装置用の光ピックアップに使用され
る光電子装置に好適に使用できる。また、図1のダイス
パッド200の右側のリード配置のように、第2インナ
ーリード102を、第1インナーリード101を挟むよ
うに配置すると、同一リード数とした場合にはさらに短
辺方向の小型化が図れる。なお、第2インナーリード1
02のダイスパッド200とは反対側にも、第1インナ
ーリード101が接続されているのと同様のアウターリ
ード103が接続される。
に厚さの異なる領域を圧延方向150に平行に帯状に形
成する際に、ダイスパッド本体部203を設ける厚肉領
域(厚さt3)と、これに対向する第1インナーリード
101を設ける薄肉領域(厚さt1)との間に、中肉領
域(厚さt2)を設け、ここにダイスパッド周辺部20
1を設けることで、圧延成形時のバッファ作用と、プレ
ス打ち抜き時のせん断面積の低減化とにより、第1イン
ナーリード101のファインピッチ化が実現でき、ま
た、打ち抜き加工時の第1インナーリード101の変形
も少なくすることができる。このように、厚肉のダイス
パッド200と、これと厚さが大きく異なる薄肉でファ
インピッチのリードとを、近接させて精度良く形成する
ためには、両者間に両者の厚さの中間程度の厚さを有す
る中肉部を設けるのが良い。これにより、肉厚の変化を
緩和できるので、圧延成形で精度良く効率的に一体成形
できる。また、その後の打ち抜きプレス加工において
も、厚みが段階的に変化しているために、特に薄肉領域
の打ち抜き時にリードの変形を防止できる。
の厚さt3が第1インナーリードの薄肉部の厚さt1の
2倍以上あるとき特に有効である。
び光電子装置に関して述べる。
00を樹脂302で封止して樹脂パッケージを得た後、
光電子素子303を搭載して、個々に切り離して得た光
電子装置300の平面図である。内部構造が分かりやす
いように、樹脂302で覆われた部分も樹脂を半透明に
図示して記載してある。また、図4は図3のIV-IV線で
の矢印方向から見た断面図である。以下の説明の便宜の
ために、図3,図4に示すようなX−Y−Z直交座標系
を設定する。X軸方向は図1の圧延方向150に一致
し、Z軸方向は樹脂パッケージの上下方向(厚さ方向)
に一致する。
アウターリード103を両端面から露出している。樹脂
パッケージの上面側には、開口307が設けられ、開口
内に、ダイスパッド200、サポートリード110のダ
イスパッド200との接続部111、第1インナーリー
ド101の先端部、及び第2インナーリード102の先
端部が露出している。また、図4に示したように、開口
307内の、ダイスパッド200や第1インナーリード
101の先端部などの金属部分の上面と、その周りの樹
脂302の上面とは略同一面を形成している。このよう
な開口307は、樹脂封止を、開口307に相当する部
分を金型で押さえながら行なうことで形成できる。ま
た、樹脂パッケージの下面にはダイスパッド200のダ
イスパッド本体部203の下面が露出している。ダイス
パッド200の一部を露出させることで、この露出部を
介してダイスパッド200に搭載される光電子素子30
3の放熱を効率よく行なうことができる。
向)の幅はD1で、厚肉のダイスパッド本体部203の
同方向の幅はD2である(図1参照)。このように、ダ
イスパッド200の下面の長辺側も厚みを階段状に変化
させることにより、樹脂302との接触面積を増大させ
ることができ、樹脂との密着性が向上する。その結果、
ダイスパッド200の長辺側に接着する樹脂のX軸方向
の厚みを薄くすることができ、樹脂パッケージのX軸方
向のサイズをさらに小さくすることができる。このよう
に、ダイスパッド200の長辺側に厚みが異なる部分を
形成するためには、例えば、リードフレームの作成時に
おいて、圧延成形時又はその後の打ち抜きプレス時に併
せて加工することができる。
ド200の部分でD3である。開口幅D3はダイスパッ
ドの200の短辺方向幅D1より小さい。これにより、
ダイスパッド200の長辺部分を、上下方向から樹脂で
強固に固定できる。D1とD3との寸法差、即ち樹脂の
重なり幅は、ダイスパッド200の固定強度と、開口3
07に必要な開口幅とを考慮して適宜決定される。
ーリード101の先端部の配列部近傍でD4である。D
4は上記D3より狭い。これにより、第1インナーリー
ド101及び第2インナーリード102の先端部やサポ
ートリード110の接続部111の固定強度を向上させ
ることができる。
インナーリード102の開口307内に露出した部分の
長さは、樹脂302で封止された部分の長さより短い。
インナーリードの大半を樹脂で封止することで、インナ
ーリードの固定強度が向上し、また先端部の変形や樹脂
との剥離が起きにくい。また、アウターリード側は、ア
ウターリード103と同じ幅(L3)、同じ厚さ(t
0)となっている部分まで樹脂封止することにより、ア
ウターリード103の固定が確実になる。
の先端部は、光電子素子303とワイヤ接続される。従
って、開口307の形状及び大きさは、これに必要な周
辺スペース及び領域を確保できるようにして設計され
る。
0との幅広の接続部111を第1インナーリード101
の先端部とダイスパッド200との間に張り出して形成
して、第2インナーリード102の先端部と同様に、開
口307内に露出させることが好ましい。これにより、
露出した接続部111と光電子素子303とをワイヤ接
続することができる。この結果、ダイスパッド200に
アース等の基準電位設定のために必要なリードを別途設
ける必要がなくなり、樹脂パッケージのX軸方向寸法の
更なる小型化が実現できる。
ないが、発光素子と受光素子とを有する。発光素子は光
ディスクへ光ビームを照射し、そこからの反射光を受光
素子で受光する。
リード101の先端部等の開口内に露出したリードと
を、ワイヤ(図示せず)で接続し、電気接続を確保す
る。その後、光学部材(レンズ、ホログラム、透明樹脂
等)を光電子素子303上に設けて開口307を封止す
る。
及び樹脂パッケージは、インナーリードがファインピッ
チ化され、良好な放熱特性を有する。また、樹脂封止し
たとき露出するインナーリード先端部の強度が向上し、
樹脂との剥離が起こりにくい。そして、このようなリー
ドフレーム及び樹脂パッケージを容易かつ低コストで得
ることができる また、本発明の光電子装置は、インナーリードがファイ
ンピッチ化されているので小型化でき、厚肉のダイスパ
ッドを有するので放熱特性が良好である。そして、この
ような光電装置を容易かつ低コストに得ることができ
る。
平面図
図
Claims (11)
- 【請求項1】 厚肉のダイスパッド本体部と、前記ダイ
スパッド本体部の少なくとも1辺側に設けた前記ダイス
パッド本体部より薄い中肉のダイスパッド周辺部とを備
えたダイスパッドと、 前記ダイスパッドと接続された少なくとも1本のサポー
トリードと、 前記ダイスパッド周辺部に先端部を対向させて配置され
た、前記ダイスパッド周辺部より薄い薄肉の3本以上の
第1インナーリードとを有し、 前記各第1インナーリードは、幅が狭い狭幅部を前記ダ
イスパッド側に、前記狭幅部より幅が広い広幅部を前記
ダイスパッドとは反対側に有し、 前記3本以上の第1インナーリードのうち、中央の第1
インナーリードの前記狭幅部と前記広幅部との接続点よ
り、その両隣の第1インナーリードの前記狭幅部と前記
広幅部との接続点を前記ダイスパッド寄りに形成し、 前記中央の第1インナーリードとその両隣の第1インナ
ーリードとの間隔を、前記広幅部より前記狭幅部で狭く
した ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 さらに、前記第1インナーリードと略同
一厚さの薄肉の第2インナーリードを有し、 前記第2インナーリードは、前記第1インナーリードの
延設方向と略同方向に延設され、 前記第2インナーリードの先端部は、前記第1インナー
リードの先端部と前記ダイスパッド周辺部との間に配置
されている請求項1に記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 前記第1インナーリードに、前記第1イ
ンナーリードの先端部より厚くかつ幅広の第1アウター
リードが連続して設けられている請求項1に記載のリー
ドフレーム。 - 【請求項4】 圧延加工を経て製造された請求項1に記
載のリードフレーム。 - 【請求項5】 前記ダイスパッドの上面、前記サポート
リードの上面、及び前記第1インナーリードの上面が、
ほぼ共通する平面内にある請求項1に記載のリードフレ
ーム。 - 【請求項6】 厚肉のダイスパッド本体部と、前記ダイ
スパッド本体部の少なくとも1辺側に設けた前記ダイス
パッド本体部より薄い中肉のダイスパッド周辺部とを備
えたダイスパッドと、 前記ダイスパッドと接続された少なくとも1本のサポー
トリードと、 前記ダイスパッド周辺部に先端部を対向させて配置され
た、前記ダイスパッド周辺部より薄い薄肉の3本以上の
第1インナーリードと、 前記ダイスパッドの上面の一部及び下面の一部と、前記
第1インナーリードの先端部の上面とを露出させなが
ら、前記ダイスパッドと前記サポートリードと前記第1
インナーリードとを一体に封止する樹脂と を有する樹脂パッケージであって、 前記各第1インナーリードは、幅が狭い狭幅部を前記ダ
イスパッド側に、前記狭幅部より幅が広い広幅部を前記
ダイスパッドとは反対側に有し、 前記3本以上の第1インナーリードのうち、中央の第1
インナーリードの前記狭幅部と前記広幅部との接続点よ
り、その両隣の第1インナーリードの前記狭幅部と前記
広幅部との接続点を前記ダイスパッド寄りに形成し、 前記中央の第1インナーリードとその両隣の第1インナ
ーリードとの間隔を、前記広幅部より前記狭幅部で狭く
した ことを特徴とする樹脂パッケージ。 - 【請求項7】 前記第1インナーリードの露出部分の長
さより、前記樹脂で覆われた部分の長さの方が長い請求
項6に記載の樹脂パッケージ。 - 【請求項8】 前記ダイスパッドの、前記第1インナー
リードが対向する辺とは異なる辺の少なくとも一部の上
面及び下面が前記樹脂で覆われている請求項6に記載の
樹脂パッケージ。 - 【請求項9】 前記各第1インナーリードは、幅が狭い
狭幅部を前記ダイスパッド側に、前記狭幅部より幅が広
い広幅部を前記ダイスパッドとは反対側に有し、 前記第1インナーリードの間隔は、前記狭幅部より前記
広幅部で広く、 少なくとも前記広幅部が前記樹脂で覆われている請求項
6に記載の樹脂パッケージ。 - 【請求項10】 請求項6に記載の樹脂パッケージと、 前記ダイスパッドの上面に搭載された光電子素子と、 前記光電子素子を封止する光学的に透明な部材と を有する光電子装置。
- 【請求項11】 前記光電子素子が、記録媒体に照射す
る光を射出する光源と、前記記録媒体からの反射光を受
光する受光素子とを有する請求項10に記載の光電子装
置。
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JP3879452B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2007-02-14 | 松下電器産業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
JP3638136B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2005-04-13 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
JP4211359B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN100334721C (zh) * | 2002-06-28 | 2007-08-29 | 矽品精密工业股份有限公司 | 倒装晶片半导体封装件 |
KR100902766B1 (ko) * | 2002-09-27 | 2009-06-15 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 절연성 세라믹 히트 싱크를 갖는 디스크리트 패키지 |
JP3729817B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2005-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP3782406B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
CN100490140C (zh) * | 2003-07-15 | 2009-05-20 | 飞思卡尔半导体公司 | 双规引线框 |
JP4031748B2 (ja) | 2003-10-06 | 2008-01-09 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
US6867072B1 (en) | 2004-01-07 | 2005-03-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Flipchip QFN package and method therefor |
TWI245399B (en) * | 2004-03-11 | 2005-12-11 | Advanced Semiconductor Eng | Leadframe with die pad |
US7456499B2 (en) * | 2004-06-04 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
JP2007012857A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
WO2007037190A1 (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 放熱配線基板とその製造方法と放熱配線基板を用いた電気機器 |
US8174096B2 (en) * | 2006-08-25 | 2012-05-08 | Asm Assembly Materials Ltd. | Stamped leadframe and method of manufacture thereof |
JP5089184B2 (ja) | 2007-01-30 | 2012-12-05 | ローム株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP5122172B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-01-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US8278148B2 (en) * | 2007-09-13 | 2012-10-02 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with leads separated from a die paddle |
JP5416975B2 (ja) | 2008-03-11 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US8158999B2 (en) * | 2008-03-14 | 2012-04-17 | Sung Jung Minute Industry Co., Ltd. | Reinforced chip package structure |
US8716848B2 (en) * | 2008-03-24 | 2014-05-06 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | LED device with conductive wings and tabs |
TWI456784B (zh) * | 2008-07-29 | 2014-10-11 | Nichia Corp | 發光裝置 |
US8829685B2 (en) * | 2009-03-31 | 2014-09-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit device having funnel shaped lead and method for manufacturing the same |
TWI397139B (zh) * | 2009-12-01 | 2013-05-21 | Alpha & Omega Semiconductor | 引腳外露的半導體封裝的工藝方法 |
US9263315B2 (en) * | 2010-03-30 | 2016-02-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
JP2012028699A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法 |
CN103190008B (zh) | 2010-11-02 | 2016-07-06 | 大日本印刷株式会社 | Led元件搭载用引线框、附有树脂引线框、半导体装置的制造方法及半导体元件搭载用引线框 |
JP2012113919A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | 照明装置 |
DE102012215449A1 (de) * | 2012-08-31 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein elektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe |
JP2014073517A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Denso Corp | 金属片の製造方法 |
CN103178041B (zh) * | 2013-03-27 | 2016-05-04 | 日月光封装测试(上海)有限公司 | 导线架框条及封胶方法 |
US9082760B2 (en) * | 2014-06-16 | 2015-07-14 | Chang Wah Technology Co., Ltd. | Dual layered lead frame |
US9418920B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-08-16 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Integrated circuit (IC) package with thick die pad functioning as a heat sink |
US10083899B2 (en) * | 2017-01-23 | 2018-09-25 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package with heat slug and rivet free die attach area |
DE102017102700A1 (de) | 2017-02-10 | 2018-09-13 | Atg Luther & Maelzer Gmbh | Prüfvorrichtung und Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten |
US20210217630A1 (en) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame rolling |
US11747273B2 (en) * | 2020-09-28 | 2023-09-05 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Gas sensor |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53126268A (en) | 1977-04-11 | 1978-11-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPH01106456A (ja) | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH01150347A (ja) | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Nec Corp | 半導体装置製造用リードフレーム |
JPH0824157B2 (ja) | 1989-08-01 | 1996-03-06 | 株式会社三井ハイテック | 半導体装置の製造方法 |
JPH03147358A (ja) | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Nec Corp | リードフレーム |
JP2533012B2 (ja) | 1991-06-27 | 1996-09-11 | 三洋電機株式会社 | 表面実装型半導体装置 |
US5451813A (en) | 1991-09-05 | 1995-09-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead frame having different thicknesses |
JPH05326788A (ja) | 1992-05-25 | 1993-12-10 | Nippon Steel Corp | リードフレーム素材及びこれを用いた半導体装置 |
JPH06203403A (ja) | 1992-10-22 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
JPH06196603A (ja) * | 1992-12-23 | 1994-07-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
US5454905A (en) * | 1994-08-09 | 1995-10-03 | National Semiconductor Corporation | Method for manufacturing fine pitch lead frame |
KR19990036077A (ko) | 1995-08-02 | 1999-05-25 | 모리 가즈히로 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
JP3012816B2 (ja) * | 1996-10-22 | 2000-02-28 | 松下電子工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
TW351008B (en) * | 1996-12-24 | 1999-01-21 | Matsushita Electronics Corp | Lead holder, manufacturing method of lead holder, semiconductor and manufacturing method of semiconductor |
EP0895287A3 (en) * | 1997-07-31 | 2006-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and lead frame for the same |
JP3285815B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2002-05-27 | 松下電器産業株式会社 | リードフレーム,樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JP3562311B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2004-09-08 | 松下電器産業株式会社 | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
US6229200B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-05-08 | Asat Limited | Saw-singulated leadless plastic chip carrier |
US6143981A (en) * | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
US6281568B1 (en) * | 1998-10-21 | 2001-08-28 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad |
TW428295B (en) * | 1999-02-24 | 2001-04-01 | Matsushita Electronics Corp | Resin-sealing semiconductor device, the manufacturing method and the lead frame thereof |
US6274927B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-08-14 | Amkor Technology, Inc. | Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making |
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