JPH06203403A - 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置および光ピックアップ装置

Info

Publication number
JPH06203403A
JPH06203403A JP5264575A JP26457593A JPH06203403A JP H06203403 A JPH06203403 A JP H06203403A JP 5264575 A JP5264575 A JP 5264575A JP 26457593 A JP26457593 A JP 26457593A JP H06203403 A JPH06203403 A JP H06203403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
chip
laser device
circuit
mounting portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5264575A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Nakanishi
秀行 中西
Akira Ueno
明 上野
Hideo Nagai
秀男 永井
昭男 ▲吉▼川
Akio Yoshikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP5264575A priority Critical patent/JPH06203403A/ja
Publication of JPH06203403A publication Critical patent/JPH06203403A/ja
Priority to US08/789,199 priority patent/US5748658A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ピックアップ装置などに用いる半導体レー
ザ装置の光特性の劣化を無くすとともに量産性を向上さ
せる。 【構成】 チップ搭載部４５に半導体レーザチップ４０
が実装されており、チップ搭載部４５を囲んで設けられ
た外部リード４３の上の接続点と半導体レーザチップ４
０の電極とが接続されており、かつチップ搭載部４５お
よび外部リード４３の上の接続点を囲んで絶縁材料から
なる枠体４２が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理、光計測お
よび光通信等の分野に利用される半導体レーザ装置およ
び光ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の半導体レーザ装置について
説明する。
【０００３】図１５は従来の半導体レーザ装置の分解斜
視図である。図１５において、１は半導体レーザチッ
プ、２はヒートシンク、３はレーザ出力光をモニタする
受光素子、４はステム、５はキャップ、６はキャップ５
に設けられた窓、７は電極端子、８は絶縁部材、９はチ
ップ搭載部である。図１５に示すように、金属製のステ
ム４には絶縁部材８により絶縁された電極端子７とチッ
プ搭載部９が取り付けられている。ステム４の上のチッ
プ搭載部９には半導体レーザチップ１がヒートシンク２
を介して実装されており、またステム４の上にはレーザ
出力光をモニタする受光素子３が実装されている。窓６
を設けた金属製のキャップ５がステム４に取り付けられ
て半導体レーザ装置となる。
【０００４】このような構造の半導体レーザ装置では、
収納容器が高くなる上に製造工程が量産に向かないとい
う問題があり、この点を解決するためにリードフレーム
を用いた構造が開発されている。
【０００５】図１６は半導体素子の組立に使用するリー
ドフレームの平面図である。図１６において、１０はフ
レーム、１１はチップ搭載部、１２は外部リードであ
る。このようなリードフレームを使用して組立し、透明
樹脂で封止した従来の半導体レーザ装置を図１７に示し
た。チップ搭載部１１の上に半導体レーザチップ１４を
ヒートシンク１３を介して搭載し、半導体レーザチップ
１４の電極と外部リード１２とを金属細線１５で接続
し、透明樹脂１６で全体を封止している（特開平３−３
４３８７号公報参照）。
【０００６】なお、リードフレームに代えて金属製のス
テムを使用して半導体レーザチップを組立て、ステムの
上部分を透明樹脂で封止した半導体レーザ装置も開発さ
れている。
【０００７】図１８は同半導体レーザ装置の断面図であ
り、図１５のステム４の上に組み立てられた後樹脂封止
された半導体レーザ装置をステム４の面に平行に切断し
た部分を示している。すなわち、半導体レーザチップ１
４はヒートシンク１３を介してチップ搭載部１１に取り
付けられており、半導体レーザチップ１４の電極と電極
端子１２とを金属細線１５で接続したものを透明樹脂１
６で円柱状に封止している（特開平２−２０９７８６号
公報参照）。なお、１７は半導体レーザチップ１４を保
護するためのシリコーン樹脂である。
【０００８】次に、上記の半導体レーザ装置を用いた従
来の光ピックアップ装置について説明する。
【０００９】図１９は従来の光ピックアップ装置の概略
構成図である。図１９において、２１は光ディスク、２
２は対物レンズ、２３は対物レンズ２２を動かすアクチ
ュエータ、２４は反射鏡、２５はビームスプリッタ、２
６は３ビーム発生グレーティング、２７は半導体レーザ
装置、２８は受光素子、２９はレーザ出射光、３０は光
ディスク２１により変調され反射されて戻ってきた信号
光である。図１９に示すように、従来の光ピックアップ
装置では半導体レーザ２７、３ビーム発生用グレーティ
ング２６、ビームスプリッタ２５、受光素子２８、反射
鏡２４および対物レンズ２２がそれぞれ個別の部品で構
成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の構成において、金属製のステムに半導体レーザチ
ップを組み立てた構造では、１個ずつ独立しているため
に量産時の組立工程においてステムの取扱いがむずかし
く、工数がかかる上に金属製のステム自体の価格が高い
ために製造コストが非常に高くなってしまうという課題
を有していた。
【００１１】また、リードフレームを用いて１０個〜２
０個の半導体レーザチップを一度に封止した後個々の半
導体レーザ装置に切り分ける構造では、封止に透明樹脂
を用いるために半導体レーザチップに透明樹脂が直接接
触しており、その量産性は向上するものの新たに次のよ
うな課題が発生する。
【００１２】まず第１に、半導体レーザチップの発光点
では直径約１０μｍ以内の範囲に数ｍＷ以上の光出力が
閉じ込められているが、その熱や光密度の高さのために
透明樹脂自体が劣化し、黄変したり熱変形を起こしたり
して、光出射特性を劣化させてしまう。
【００１３】第２に、透明樹脂自体を成形するときに、
通常、高温状態で樹脂を流し込み、熱硬化または自然硬
化させるのであるが、そのときに樹脂自体に応力が発生
し、半導体レーザチップを劣化させたり、極端な場合に
は半導体レーザチップにクラックが入ったりする。これ
を解決するために、半導体レーザチップの周辺を耐熱性
で弾力性のある樹脂（たとえばシリコーン樹脂）で被覆
した上でモールドするような技術も提案されている。し
かしながら、このような構造ではシリコーン樹脂と封止
用の透明樹脂との界面がきれいな平面にならず、半導体
レーザからのレーザ出射光の波面が乱れてしまうという
問題があり、また、半導体レーザチップ自体に加わる応
力が減少してクラックが入ることはなくなるものの、引
っ張り応力が加わった場合にはすぐに剥離してしまうの
で、この剥離部分が半導体レーザの発光点に発生した場
合に光出射特性を乱してしまう。さらに、封止用の樹脂
が耐熱性樹脂であっても、ガラス転移点はたかだか２０
０℃程度であり、完全に熱や光密度による光学特性劣化
の問題を解決しているとはいえない。
【００１４】本発明は、上記の従来の課題を解決するも
ので、長期信頼性に優れ、量産性の高い構造の半導体レ
ーザ装置および光ピックアップ装置を提供することを目
的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の半導体レーザ装置は、チップ搭載部に半導
体レーザチップを実装し、このチップ搭載部を囲んで設
けた外部リード上の接続点と半導体レーザチップの電極
とを接続し、かつチップ搭載部および外部リード上の接
続点を囲んで絶縁材料からなる枠体を設けた構成を有し
ている。
【００１６】また本発明の光ピックアップ装置は、上記
の半導体レーザ装置と半導体レーザ装置から出射される
光ビームを光学式情報記録媒体上に集光する集光手段と
を備えた構成を有している。
【００１７】
【作用】上述の構成により、（１）樹脂モールドするこ
となくリードフレームに実装した半導体レーザチップを
保護することができ、（２）樹脂モールドすることなく
枠体によってリードフレームの各リードが固定されてお
り、（３）樹脂モールドしないので、樹脂モールドに起
因する問題（たとえば、樹脂の黄変による半導体レーザ
の光出力特性劣化や応力による半導体レーザチップの劣
化の等）がない。
【００１８】したがって、製造工程において取扱いが容
易で工数がかからず、パッケージングに必要な材料コス
トも安くなり、安価で信頼性の高い半導体レーザ装置を
得ることができる。
【００１９】
【実施例】以下本発明の一実施例における半導体レーザ
装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】〔実施例１〕図１（ａ）は本発明の第１の
実施例における半導体レーザ装置の上面図、図１（ｂ）
は同半導体レーザ装置の断面図、図１（ｃ）は組立工程
における同半導体レーザ装置の上面図である。これらの
図において、４０は面発光型の半導体レーザチップ、４
１はヒートシンク用シリコン基板、４２は樹脂製の枠
体、４３は外部リード、４４はリードフレーム、４５は
リードフレーム４４のチップ搭載部、４６は半導体レー
ザチップ４０からのレーザ出射光、４７は金属細線、４
８は保護板である。なお、本実施例では半導体レーザチ
ップ４０として面発光型のものを用いているが、レーザ
出射光４６が図面上方に出射される構造であれば、特に
面発光型の半導体レーザに限定されるものではない。
【００２１】図１（ａ）に示すように、本実施例の半導
体レーザ装置では、半導体レーザチップ４０はヒートシ
ンク用シリコン基板４１の上に配置され、ヒートシンク
用シリコン基板４１はチップ搭載部４５の中央部に配置
されている。半導体レーザチップ４０の電極と外部リー
ド４３とは金属細線４７で接続されており、半導体レー
ザチップ４０および外部リード４３の一部は枠体４２で
囲まれている。枠体４２の高さは、図１（ｂ）に示すよ
うに、金属細線４７のループの最大点より高くなるよう
に設計されている。またチップ搭載部４５と外部リード
４３の下部には保護板４８が取り付けられている。図１
（ｃ）に示すように、製造工程においてはリードフレー
ム４４が用いられ、複数個の半導体レーザ装置を一括し
て扱うことができる。
【００２２】以上のように構成された半導体レーザ装置
では、半導体レーザチップ４０からのレーザ出射光４６
が通過する方向を除く他の方向はすべて枠体４２と保護
板４８で保護されるため、保護パッケージとしての機能
を十分に果たしており、しかも、外部リード４３は枠体
４２と保護板４８により固定されているため、リードフ
レーム４４から個々の半導体レーザ装置を切り出した後
も、外部リード４３が外れることがない。
【００２３】また、本実施例の構造では、図１７，１８
に示す従来例のように、レーザ出射光４６が透明樹脂中
を通過することがないため、透明樹脂の黄変劣化等によ
るレーザ出射光４６の特性変化が生じることがない。し
かも、半導体レーザチップ４０が直接封止樹脂と接する
ことがないため、応力による半導体レーザチップ４０の
劣化の問題も発生しない。
【００２４】なお、本実施例においては、枠体４２の材
料として樹脂を用いているが、外部リード４３間の絶縁
が確保できる材料であれば、セラミック材料、ガラス材
料等他の材料でもよく、セラミック材料であればさらに
強度が向上する。
【００２５】以上説明した本実施例の半導体レーザ装置
にレーザ出射光を透過する光学平板４９を取り付けた状
態を図２に示す。図２に示すように、レーザ出射光４６
が通過する方向の面にレーザ出射光４６を透過するガラ
スや樹脂等からなる光学平板４９を配置し、外部リード
４３の裏面側に保護板４８を配置することにより、半導
体レーザチップ４０は完全に保護され、耐湿性等の耐環
境性が向上する。
【００２６】次に半導体レーザチップ４０を取り付けた
ヒートシンク用シリコン基板４１にデバイス、信号処理
回路等を形成した例について説明する。
【００２７】図３（ａ）はヒートシンク用シリコン基板
にモニタ用受光素子が形成された半導体レーザ装置の断
面図、図３（ｂ）はヒートシンク用シリコン基板に信号
処理回路が形成された半導体レーザ装置の断面図であ
る。
【００２８】図３（ａ）に示す半導体レーザ装置では、
ヒートシンク用シリコン基板４１に半導体レーザチップ
４０の後方から出射されるレーザ出射光を受光するモニ
タ用受光素子５０が形成されている。また、図３（ｂ）
に示す半導体レーザ装置では、ヒートシンク用シリコン
基板４１に、モニタ用受光素子５０以外に外部からの信
号光５３を受光する光検出回路５１と、この光検出回路
５１からの信号を処理する信号処理回路５２とが形成さ
れている。なお、信号処理回路としては、光検出回路か
らの信号電流を電圧変換する電流−電圧変換回路、電流
−電圧変換回路からの信号を増幅する増幅回路、増幅回
路からの信号を演算する演算回路、演算回路からの信号
をデジタル−アナログ変換するＤＡ変換回路、および半
導体レーザを駆動する駆動回路等がある。なお、これら
信号処理回路の一部をヒートシンク用シリコン基板４１
の上に形成し、残りの信号処理回路を他のシリコン基板
に形成してもよいし、全ての回路をヒートシンク用シリ
コン基板４１の上に形成してもよい。
【００２９】このようにヒートシンク用シリコン基板４
１に多くの回路を形成すればするほど電極端子数が増加
するため、図１５に示す従来の半導体レーザ装置では、
外部へ電極端子を取り出すことは困難であった。すなわ
ち、図１５に示すように電極端子７は絶縁材料８を介し
てステム４に固定されているため、電極端子７を短いピ
ッチで多く配置することがむずかしく、パッケージの小
型化が困難であった。たとえば、現在の９ｍｍ径の半導
体レーザ装置用のステム４では絶縁材料８が約１ｍｍ径
を占めるため、少なくとも２ｍｍ間隔の電極配置しか実
現できず、逆に２０本の電極端子を必要とする場合に
は、ステム４の径は１３〜１５ｍｍになる。一方、本実
施例では、リードフレーム技術がそのまま使えるため、
０.３〜０.４ｍｍ間隔で外部リード４３を配置でき、四
角形のパッケージの対向する二方向から電極端子を取り
出すとすると、４〜５ｍｍ角のパッケージが可能であ
り、非常に小型化できる。さらに、図１５に示す従来の
パッケージでは、電極端子７の引き出し方向がステム４
の面に垂直であり三次元的に大きな容積を占めていたの
に対して、本実施例の半導体レーザ装置では外部リード
４３の引き出し方向を含めて全てが平面的に構成されて
おり、パッケージの薄型化という点でも効果がある。
【００３０】なお、本実施例ではヒートシンクとしてシ
リコン基板４１を用いているが、チップ搭載部４５およ
び外部リード４３を通して放熱が十分行われ、信号処理
回路を他のシリコン基板に形成するのであれば、半導体
レーザチップ４０を直接チップ搭載部４５に実装しても
よい。
【００３１】また、モニタ用受光素子５０および信号処
理回路５２も、ヒートシンク用シリコン基板４１とは別
のシリコン基板に形成してもよい。
【００３２】〔実施例２〕次に本発明の第２の実施例に
おける半導体レーザ装置について、図４の断面図を参照
しながら説明する。図において、４０は半導体レーザチ
ップ、４１はヒートシンク用シリコン基板、４２は枠
体、４３は外部リード、４６はレーザ出射光、４８は保
護板、５１は光検出回路、５３は入射する信号光、５４
はホログラム光学素子、５５はビームスプリット用ホロ
グラムパターン、５６は３ビーム発生用グレーティング
パターン、５７は回折光である。
【００３３】このように出射するレーザ出射光４６およ
び入射する信号光５３をホログラム光学素子５４で制御
することにより、光ピックアップ装置に用いて優れた性
能を発揮する半導体レーザ装置を実現できる。
【００３４】次に、本実施例の半導体レーザ装置を光ピ
ックアップ装置に適用した例について、図５を参照しな
がら説明する。図において、５８は図４に示す半導体レ
ーザ装置であり、図１９に示す従来の光ピックアップ装
置と同じ構成要素には同じ符号を付した。
【００３５】本実施例の光ピックアップ装置が図１９に
示す従来例と異なる点は、図１９に示すビームスプリッ
タ２５、３ビーム発生用グレーティング２６、半導体レ
ーザ装置２７、および受光素子２８が半導体レーザ装置
５８に集積化されている点である。このようにして光ピ
ックアップ装置の光学部品点数を、半導体レーザ装置５
８、反射鏡２４、および対物レンズ２２の三点に削減で
き、ピックアップの小型・薄型化が容易に実現できる。
しかも、各光学部品間の位置合わせがすでに半導体レー
ザ装置５８でなされているため、半導体レーザ装置５８
を光ピックアップ装置に組み込む際の精度許容範囲が大
幅に緩和されるだけでなく、組立工数が減り、低コスト
化も実現できる。なお、従来の構造では、各光学部品の
組み込みに対して厳しい精度が要求されており、そのた
めに調整工程において工数がかかる上に、光ピックアッ
プ装置全体の小型化が妨げられていた。
【００３６】次に、本実施例の半導体レーザ装置を光磁
気ディスク用の光ピックアップ装置に適用した例につい
て、図６を参照しながら説明する。図において、５８は
図４に示す半導体レーザ装置、５９は偏光ビームスプリ
ッタ、６０はウオラストンプリズムや回折素子等を用い
た偏光分離手段、６１は受光素子であり、図１９に示す
従来の光ピックアップ装置と同じ構成要素には同じ符号
を付した。
【００３７】以上のように構成された光ピックアップ装
置においては、フォーカスサーボ、トラッキングサーボ
を光ビームの偏光方向によらず半導体レーザ装置５８で
検出し、偏光方向の検出を偏光分離手段６０と受光素子
６１により行っている。
【００３８】本実施例の光ピックアップ装置において
は、半導体レーザ装置５８に集積される光学素子として
ホログラム光学素子を用いたが、偏光ビームスプリッタ
５９や偏光分離手段６０等を半導体レーザ装置５８に集
積することにより、さらに機能の優れた光ピックアップ
装置を実現できる。
【００３９】なお、図４に示す半導体レーザ装置の枠体
４２の高さを精度よく作製することにより、他の光学部
品を枠体４２の上に置くだけで高さ方向の精度を出すこ
とができるので、光ピックアップ装置の組立やその調整
がきわめて容易となる。また、枠体４２の形状および精
度は使用する金型および樹脂材料で決まるが、金型設計
の自由度が高いため、半導体レーザ装置を実装する相手
部材により形状を最適化することは容易である。
【００４０】〔実施例３〕次に、本発明の第３の実施例
における半導体レーザ装置について、図７を参照しなが
ら説明する。図の（ａ）は第３の実施例の上面図、
（ｂ）はその断面図、（ｃ）は組立工程における上面図
である。これらの図において、４２は枠体、４３は外部
リード、４４はフレーム、４５はチップ搭載部、４８は
保護板、６２は端面発光型の半導体レーザチップ、６３
は４５゜反射鏡付きのヒートシンク用シリコン基板であ
る。
【００４１】このようなヒートシンク用シリコン基板６
３は、次のようにして作製される。まず、主面が（１０
０）面であるシリコン基板の主面を選択的に異方性エッ
チングし、斜面が（１１１）面のＶ状溝を形成する。こ
の斜面は主面に対して４５゜の角度をなすので、Ｖ状溝
の一方の側をエッチして半導体レーザチップ４０を取り
付ける平坦部を形成することにより、４５゜反射鏡付き
のヒートシンク用シリコン基板６３が得られる（特開平
４−１９６１８９号公報参照）。
【００４２】これらの図に示すように、チップ搭載部４
５にヒートシンク用シリコン基板６３が搭載されてお
り、その上に半導体レーザチップ６２が搭載されてい
る。この半導体レーザチップ６２は、端面発光型である
ため、レーザ光が出射する端面を４５゜反射鏡の方へ向
けて実装する。このような構造にすることにより、レー
ザ出射光４６の通過する方向を除く他の方向がすべて外
枠４２および保護板４８で保護されるため、保護パッケ
ージとしての機能は十分に果たしており、しかも外部リ
ード４３は枠体４２および保護板４８により固定されて
いるため、リードフレーム４４から個々の半導体レーザ
装置を切り出した後も外れることなく、パッケージとし
て安定である。
【００４３】また、図１８に示す従来例では、レーザ出
射光４６が透明樹脂１６を通過することによる透明樹脂
１６の黄変劣化等でレーザ出射光の特性が変化するとい
う問題があったが、本実施例の構造ではこのような問題
も解決できる。さらに、半導体レーザチップ４０が直接
封止樹脂と接することがないため、応力による半導体レ
ーザチップ４０自体の劣化の問題もなくすことができ
る。
【００４４】なお、本実施例においては、枠体４２の材
料として樹脂を用いているが、外部リード４３間の絶縁
が確保できる材料であれば、たとえばガラス材料やセラ
ミック材料等でもよく、セラミック材料であればさらに
強度を向上できる。
【００４５】図８は本実施例の半導体レーザ装置の上に
光学平板４９を取り付けた例を示している。図８に示す
ように、レーザ出射光４６が通過する方向の面にレーザ
出射光４６を透過するガラスや樹脂等からなる光学平板
４９を配置することにより、この方向も保護されること
になり、耐環境特性が向上する。
【００４６】図９（ａ），（ｂ）は信号処理回路等を形
成したヒートシンク用シリコン基板を用いた半導体レー
ザ装置の断面図である。これらの図において、４２は枠
体、４３は外部リード、４６はレーザ出射光、４８は保
護板、５３は信号光、６２は半導体レーザチップ、６４
はヒートシンク用シリコン基板、６５は半導体レーザチ
ップ６２の後方から出射されるレーザ光を検出するモニ
タ用受光素子、６６はヒートシンク用シリコン基板、６
７は信号処理回路である。
【００４７】図９（ａ）は４５゜反射鏡付きのヒートシ
ンク用シリコン基板６４に半導体レーザチップ６２の後
方から出射されるレーザ光を受光するモニタ用受光素子
６５が形成されている例を示している。また、図９
（ｂ）はヒートシンク用シリコン基板６６にモニタ用受
光素子６５および信号処理回路６７が形成されている例
を示している。
【００４８】なお図９（ａ），（ｂ）に示す例では、ヒ
ートシンク用シリコン基板６４、６６に多くの信号処理
回路を形成すればするほど外部リード４３の数が増大
し、図１５に示す従来例の構造では処理できない。すな
わち、現在の９ｍｍ径の半導体レーザ装置用のステム４
では、絶縁材料８が約１ｍｍ径を占めるため、少なくと
も２ｍｍ間隔の電極配置しか実現できず、逆に２０本の
電極端子を必要とする場合には、ステム４の径は１３〜
１５ｍｍになる。一方、本実施例では、リードフレーム
技術がそのまま使えるため、０.３〜０.４ｍｍ間隔で外
部リード４３を配置することができ、四角形のパッケー
ジの対向する２方向から外部リード４３を取り出すとす
ると４〜５ｍｍ角のパッケージでよく、非常に小型化が
実現できる。さらに図１５に示す従来のパッケージで
は、電極端子７の引き出し方向がステム４の面に垂直で
あり、三次元的に大きな容積を占めていたのに対し、本
実施例の半導体レーザ装置では外部リード４３の引き出
し方向を含めて全てが平面的に構成されており、パッケ
ージの薄型化という点でも効果がある。
【００４９】〔実施例４〕次に本発明の第４の実施例に
おける半導体レーザ装置について、図１０の断面図を参
照しながら説明する。図において、４２は枠体、４３は
外部リード、４８は外部リード４３の下部に配置された
保護板、４６はレーザ出射光、５３は入射する信号光、
５４はホログラム光学素子、５５はビームスプリット用
ホログラムパターン、５６は３ビーム発生用グレーティ
ングパターン、５７は回折光、６２は端面発光型の半導
体レーザチップ、６６は４５゜反射鏡付きのヒートシン
ク用シリコン基板、６７はヒートシンク用シリコン基板
６６に形成された信号処理回路である。
【００５０】以上のように構成された半導体レーザ装置
においては、レーザ出射光４６および信号光５３をホロ
グラム光学素子５４で制御することにより、優れた性能
を発揮する半導体レーザ装置を実現できる。このような
半導体レーザ装置を図５または図６に示す光ピックアッ
プ装置における半導体レーザ装置５８の代わりに使用し
て、小型でより機能的に優れた光ピックアップ装置を実
現できる。
【００５１】〔実施例５〕次に本発明の第５の実施例に
おける半導体レーザ装置について、図１１の断面図を参
照しながら説明する。図において、４２は枠体、４３は
外部リード、４８は外部リード４３の下部に配置された
保護板、４６はレーザ出射光、５３は信号光、５４はホ
ログラム光学素子、５５はビームスプリット用ホログラ
ムパターン、５６は３ビーム発生用グレーティングパタ
ーン、５７は回折光、６２は端面発光型の半導体レーザ
チップ、６６は４５゜反射鏡付きのヒートシンク用シリ
コン基板、６７はヒートシンク用シリコン基板６６に形
成された光検出回路、６８は電流−電圧変換回路を形成
したシリコン基板である。すなわち、本実施例は、図１
０に示す第４の実施例における、ヒートシンク用シリコ
ン基板６６に形成されていた信号処理回路６７の一部分
をなす光検出回路からの電流信号を電圧信号に増幅変換
する電流−電圧変換回路を、別のシリコン基板６８に形
成し、このシリコン基板６８とヒートシンク用シリコン
基板６６とを同一リードフレームに実装したものであ
る。
【００５２】図１０に示す半導体レーザ装置を光ピック
アップ装置に用いる場合、そのアクチュエータ部分の磁
気回路から発生する電磁波により、光検出信号に雑音が
発生する。したがって、微弱な電流信号を比較的大きな
電圧信号に増幅変換することにより、信号のＳ／Ｎ比が
向上し、より機能的に優れた光ピックアップ装置を得る
ことができる。
【００５３】なお、本実施例においては、光検出回路は
ヒートシンク用シリコン基板に、電流−電圧変換回路は
別の半導体基板に形成しているが、光検出回路または一
切の信号処理回路を、電流−電圧変換回路を形成したシ
リコン基板６８に形成してもよい。このように信号処理
回路として電流−電圧変換回路以外に増幅回路、演算回
路、ＤＡ変換回路、レーザ駆動回路等が形成されていれ
ば、より機能的に優れた光ピックアップ装置を実現でき
る。
【００５４】また、本実施例では、端面発光型の半導体
レーザチップ６２を反射鏡を備えたヒートシンク用シリ
コン基板６６に実装した例を示したが、直接上方へ光を
出射できる面発光型の半導体レーザチップを用いた場合
は反射鏡は不要である。
【００５５】〔実施例６〕次に本発明の第６の実施例に
おける半導体レーザ装置について、図１２を参照しなが
ら説明する。図の（ａ）は第６の実施例の上面図、
（ｂ）はその一部変形例の上面図である。これらの図に
おいて、４２は枠体、４３は外部リード、４５はチップ
搭載部、６２は面発光型の半導体レーザチップ、６６は
ヒートシンク用シリコン基板、６７は信号処理回路、６
９はチップ搭載部４５から延長された放熱板である。
【００５６】これらの図に示す実施例は、いずれも、半
導体レーザチップ６２で発生する熱を逃がす熱伝導経路
として放熱板６９を設けたものである。
【００５７】図１２（ａ）に示す実施例では、放熱板６
９が外部リード４３の引き出し方向に対して直角方向に
引き出されており、図１２（ｂ）に示す実施例では、放
熱板６９が外部リード４３と同じ方向に引き出されてい
る。
【００５８】図１３（ａ）は図１２（ａ）に示す半導体
レーザ装置を組み込んだ光ピックアップ装置の概略分解
斜視図、図１３（ｂ）は図１２（ｂ）に示す半導体レー
ザ装置を組み込んだ光ピックアップ装置の概略分解斜視
図である。
【００５９】これらの図において、６９は放熱板、７０
は半導体レーザ装置、７１は半導体レーザ装置７０を取
り付ける回路基板、７２は光ピックアップ装置のフレー
ム、７３はフレーム７２に設けられた窓である。
【００６０】光ピックアップ装置の組立は、まず半導体
レーザ装置７０を回路基板７１に取付け、次に半導体レ
ーザ装置７０を窓７３に一致させて回路基板７１をフレ
ーム７２に取り付ける。このとき放熱板６９は熱容量の
大きいフレーム７２や図には示していないが他の放熱手
段（たとえばペルチェ素子、放熱フィン等）にビス留
め、半田付けまたは高熱伝導性接着材により取り付けら
れ、半導体レーザチップ６２からの熱を効率よく逃が
す。このように放熱板６９を設けることにより半導体レ
ーザチップ６２を室温に近い状態に維持できるため、信
頼性を大幅に向上できる。
【００６１】たとえば、枠体４２の絶縁材料として樹脂
を用い、放熱板６９を設けない場合、熱抵抗は約５００
℃／Ｗとなる。すなわち、半導体レーザチップ６２の発
熱量を０.１Ｗとすると素子温度が約５０℃上昇するこ
とになり、室温２５℃で動作させた場合、半導体レーザ
チップ６２の接合温度が７５℃になることを意味してい
る。半導体レーザチップ６２の保証温度が約６０〜７０
℃であることを考えると、このパッケージでは実用化で
きない。
【００６２】一方、本実施例に示すように、材料として
銅（０.２ｍｍ厚）を用い、長さ１０ｍｍ、幅３ｍｍの
放熱板６９を構成した場合、熱抵抗は約４０℃／Ｗとな
る。この値は、これまで一般に用いられてきた図１５に
示す５.６ｍｍ径の半導体レーザ装置の熱抵抗約６０℃
／Ｗよりも優れており、信頼性上非常に優れたパッケー
ジを実現できる。
【００６３】〔実施例７〕次に本発明の第７の実施例に
おける半導体レーザ装置について、図１４を参照しなが
ら説明する。図の（ａ）は第７の実施例の断面図、
（ｂ）はその一部変形例の断面図である。これらの図に
おいて、４２は枠体、４３は外部リード、４５はチップ
搭載部、４６はレーザ出射光、４８は保護板、６２は端
面発光型の半導体レーザチップ、６６はヒートシンク用
シリコン基板、７４は放熱板、７５は放熱フィンであ
る。
【００６４】図１２（ａ），（ｂ）に示す第６の実施例
ではチップ搭載部４５から幅広のリードを引き出して熱
伝導経路としていたが、図１４（ａ）に示す実施例で
は、チップ搭載部４５の裏面を露出させておき、その部
分を含んで金属膜を形成して放熱板７４としている。さ
らに図１４（ｂ）に示す実施例では、チップ搭載部４５
の裏面を露出させておき、その部分に直接一部を当接さ
せて放熱フィン７５を取り付けて空気との接触面積を大
きくし、さらに放熱効果を高めている。
【００６５】〔実施例８〕次に本発明の第８の実施例に
おける半導体レーザ装置について、図２０を参照しなが
ら説明する。図の（ａ）は同実施例の上面図、（ｂ）は
同実施例を一部変形した半導体レーザ装置の上面図、
（ｃ）は（ｂ）に示した変形例の断面図である。図にお
いて、１０１は枠体４２の外周部における円筒形状を表
している。
【００６６】本半導体レーザ装置は、特に図４、図１０
および図１１に示すように光学素子をも集積する場合
に、半導体レーザ装置全体の回転調整が必要とされるこ
とがある。
【００６７】図１３に示すような実装をする場合、半導
体レーザ装置を図２０（ａ）に示すように枠体の外周を
円筒形状とし、フレーム側の窓７３を半導体レーザ装置
７０側の円筒１０１と同じ曲率の円筒窓にすることによ
り、半導体レーザ装置７０をフレーム窓７３にはめ込ん
だ後、容易に回転調整できるようになる。
【００６８】なお、このとき枠体４２の円筒形状は半導
体レーザ装置の発光点を概略中心とする円筒形状である
ことが望ましい。
【００６９】図２０（ｂ）に示す装置においては、枠体
４２の外周部の円筒形状が枠体４２の一部より構成され
ている。図２０（ａ）の構造と同様に円筒窓にはめ込む
ことにより半導体レーザ装置自体の回転調整が容易にな
るとともに、円筒窓にはめ込むときに当たり面１０２が
あるため、円筒窓に電極があたることのないようにはめ
込むことができる。また、半導体レーザ装置の実装時の
基準面にもなる。そして、光学素子１０３を円筒形状内
部に配置することができ、光学素子の保護、固定をする
上でも、有効である。
【００７０】〔実施例９〕次に本発明の第９の実施例に
おける半導体レーザ装置について、図２１を参照しなが
ら説明する。図の（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図であ
る。図において、１０４は位置規正用の凸部または凹部
である。
【００７１】このように枠体の一部に凸部または凹部を
設けることにより、半導体レーザ装置の実装時に凸部ま
たは凹部に適合した治具によって、位置規正および位置
調整、ならびに回転調整を容易に行うことができるよう
になる。
【００７２】〔実施例１０〕次に本発明の第１０の実施
例における半導体レーザ装置について、図２２を参照し
ながら説明する。図の（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図
である。図において、１０５は枠体４２上の電極パタン
である。
【００７３】このように枠体上の電極１０５と半導体レ
ーザおよびシリコンチップ上の電極とが金属細線で接続
され、枠体４２上の電極パタン１０５は枠体４２の表面
または内部を通って枠体外側表面まで引き回されてお
り、ここで外部リード４３と接続されている。枠体４２
の中央貫通部の下側は外部リードの半導体レーザ搭載部
１０６により気密に保持されており、保護板４８がなく
ても気密性が確保できるようになる。
【００７４】保護板４８をなくすことで、半導体レーザ
から発生する熱が金属からなる外部リードの半導体レー
ザ搭載部１０６に直接に達するため、保護板４８による
熱抵抗上昇がなくなり、放熱性の点でも非常に効果があ
る。
【００７５】また、枠体上の電極パタン１０５を介して
半導体レーザおよびシリコンデバイスの電極が外部リー
ドに取り出せるため、本デバイスをたとえばフレキシブ
ル基板に結線する作業が行いやすくなるという効果もあ
る。
【００７６】
【発明の効果】本発明は、チップ搭載部に半導体レーザ
チップを実装し、チップ搭載部を囲んで設けた外部リー
ド上の接続点と半導体レーザチップの電極とを接続し、
かつチップ搭載部および外部リード上の接続点を囲んで
絶縁材料からなる枠体を設けた構成により、次のような
効果を有する優れた半導体装置および光ピックアップ装
置を実現できるものである。
【００７７】（１）樹脂モールドすることなくリードフ
レームに実装した半導体レーザチップを保護することが
できる。
【００７８】（２）樹脂モールドすることなくリードフ
レームから半導体レーザ装置を個別に切りだした後も外
部リードが外れることなく固定されている。
【００７９】（３）樹脂モールドしないので、樹脂モー
ルドに起因する問題すなわち樹脂の黄変による半導体レ
ーザ装置の光出力特性劣化や応力による半導体レーザチ
ップ劣化等の問題がない。
【００８０】（４）樹脂モールドすることなく半導体レ
ーザチップをリードフレームに実装するため、取扱いが
容易で工数がかからず、材料コストも安くなり、安価で
信頼性の高い半導体レーザ装置を実現できる。
【００８１】（５）リードフレームの外枠の高さを精度
よく作製することにより、光学素子を外枠の上部に置く
だけで高さ方向の精度が確保できる。
【００８２】（６）外枠は金型を用いて作製でき、金型
の設計自由度が非常に高いため、本発明の半導体レーザ
装置を実装する相手部材により外枠の形状を最適化する
ことが容易である。
【００８３】（７）放熱板や放熱フィンをリードフレー
ム製造時に形成するか、または最終的にパッケージの裏
面に取り付けることにより、パッケージの熱抵抗が減少
し、半導体レーザチップから発生する熱を効率よく逃が
すことができ、信頼性の高い半導体レーザを実現でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例における半導体
レーザ装置の上面図 （ｂ）は同半導体レーザ装置の断面図 （ｃ）は組立工程における同半導体レーザ装置の上面図
【図２】本発明の第１の実施例における保護用の光学平
板を取り付けた半導体レーザ装置の断面図
【図３】（ａ）はヒートシンク用シリコン基板にモニタ
用受光素子が形成された半導体レーザ装置の断面図 （ｂ）はヒートシンク用シリコン基板に信号処理回路が
形成された半導体レーザ装置の断面図
【図４】本発明の第２の実施例における半導体レーザ装
置の断面図
【図５】本発明の第１の実施例における光ピックアップ
装置の構成図
【図６】本発明の第２の実施例における光ピックアップ
装置の構成図
【図７】（ａ）は本発明の第３の実施例における半導体
レーザ装置の上面図 （ｂ）は同半導体レーザ装置の断面図 （ｃ）は組立工程における同半導体レーザ装置の上面図
【図８】本発明の第３の実施例における保護用の光学平
板を取り付けた半導体レーザ装置の断面図
【図９】（ａ）は回路を形成したヒートシンク用シリコ
ン基板を用いた半導体レーザ装置の一例を示す断面図 （ｂ）は同半導体レーザ装置の他の例を示す断面図
【図１０】本発明の第４の実施例における半導体レーザ
装置の断面図
【図１１】本発明の第５の実施例における半導体レーザ
装置の断面図
【図１２】（ａ）は本発明の第６の実施例における半導
体レーザ装置の上面図 （ｂ）は同じ第６の実施例における半導体レーザ装置の
一部を変形した例を示す上面図
【図１３】（ａ）は第６の実施例の半導体レーザ装置を
組み込んだ光ピックアップ装置の分解斜視図 （ｂ）は同光ピックアップ装置の一部を変形した例を示
す分解斜視図
【図１４】（ａ）は本発明の第７の実施例における半導
体レーザ装置の断面図 （ｂ）は同半導体レーザ装置の一部を変形した例を示す
断面図
【図１５】従来の半導体レーザ装置の分解斜視図
【図１６】半導体素子の実装に用いられているリードフ
レームの平面図
【図１７】樹脂封止された従来の半導体レーザ装置の斜
視図
【図１８】金属ステムの上部分を透明樹脂で封止した従
来の半導体レーザ装置の断面図
【図１９】従来の光ピックアップ装置の概略構成図
【図２０】（ａ）は本発明の第８の実施例における半導
体レーザ装置の上面図 （ｂ）は同半導体レーザ装置の一部を変形した例を示す
上面図 （ｃ）は（ｂ）に示した同半導体レーザ装置の断面図
【図２１】（ａ）は本発明の第９の実施例における半導
体レーザ装置の上面図 （ｂ）は同半導体レーザ装置の断面図
【図２２】（ａ）は本発明の第１０の実施例における半
導体レーザ装置の上面図 （ｂ）は同半導体レーザ装置の断面図
【符号の説明】
４０ 半導体レーザチップ ４１ ヒートシンク用シリコン基板 ４２ 樹脂製の枠体 ４３ 外部リード ４４ リードフレーム ４５ チップ搭載部 ４６ レーザ出射光 ４７ 金属細線 ４８ 保護板 ４９ 光学平板 ５０ モニタ用受光素子 ５１ 光検出回路 ５２ 信号処理回路 ５３ 信号光 ５４ ホログラム光学素子 ５５ ビームスプリット用ホログラムパターン ５６ ３ビーム発生用グレーティングパターン ５７ 回折光 ５８ 半導体レーザ装置 ５９ 偏光ビームスプリッタ ６０ 偏光分離手段 ６１ 受光素子 ６２ 端面発光型の半導体レーザチップ ６３ ヒートシンク用シリコン基板 ６４ ヒートシンク用シリコン基板 ６５ モニタ用受光素子 ６６ ヒートシンク用シリコン基板 ６７ 信号処理回路 ６８ 電流−電圧変換回路を形成したシリコン基板 ６９ 放熱板 ７０ 半導体レーザ装置 ７１ 回路基板 ７２ フレーム ７３ 窓 ７４ 放熱板 ７５ 放熱フィン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼川 昭男 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チップ搭載部に半導体レーザチップが実
    装されており、前記チップ搭載部を囲んで設けられた外
    部リード上の接続点と前記半導体レーザチップの電極と
    が接続されており、かつ前記チップ搭載部および前記外
    部リード上の接続点を囲んで絶縁材料からなる枠体が設
    けられている半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】 半導体レーザチップがヒートシンク用基
    板を介してチップ搭載部に実装されている請求項１記載
    の半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 ヒートシンク用基板が半導体基板である
    請求項２記載の半導体レーザ装置。
  4. 【請求項４】 外部から入射してくる光を検出する光検
    出回路、半導体レーザチップの前方または後方から出射
    される光を検出するレーザ光検出回路、前記レーザ光検
    出回路からの信号電流を電圧変換する電流−電圧変換回
    路、前記電流−電圧変換回路からの信号を増幅する増幅
    回路、前記増幅回路からの信号を演算する演算回路、前
    記演算回路からの信号をデジタル−アナログ変換するＤ
    Ａ変換回路および半導体レーザを駆動する駆動回路のう
    ちの一つ以上の回路が形成されている半導体基板上に前
    記半導体レーザチップが搭載されており、前記半導体基
    板がチップ搭載部に実装されている半導体レーザ装置。
  5. 【請求項５】 外部から入射してくる光を検出する光検
    出回路、半導体レーザチップの前方または後方から出射
    される光を検出するレーザ光検出回路、前記レーザ光検
    出回路からの信号電流を電圧変換する電流−電圧変換回
    路、前記電流−電圧変換回路からの信号を増幅する増幅
    回路、前記増幅回路からの信号を演算する演算回路、前
    記演算回路からの信号をデジタル−アナログ変換するＤ
    Ａ変換回路および半導体レーザを駆動する駆動回路のう
    ちの一つ以上の回路と前記半導体レーザとが同一半導体
    基板上に形成されており、前記半導体基板がチップ搭載
    部に実装されている半導体レーザ装置。
  6. 【請求項６】 半導体基板の一部に半導体レーザチップ
    から出射されるレーザ出射光を直角方向に反射する反射
    鏡を設けた請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体
    レーザ装置。
  7. 【請求項７】 半導体レーザチップが第１の半導体基板
    の上に搭載されており、外部から入射してくる光を検出
    する光検出回路、前記半導体レーザチップの前方または
    後方から出射される光を検出するレーザ光検出回路、前
    記レーザ光検出回路からの信号電流を電圧変換する電流
    −電圧変換回路、前記電流−電圧変換回路からの信号を
    増幅する増幅回路、増幅回路からの信号を演算する演算
    回路、前記演算回路からの信号をデジタル−アナログ変
    換するＤＡ変換回路および半導体レーザを駆動する駆動
    回路のうちの一つ以上の回路が第２の半導体基板に形成
    されており、前記第１および第２の半導体基板がチップ
    搭載部に実装されている半導体レーザ装置。
  8. 【請求項８】 第１の半導体基板の一部に半導体レーザ
    チップから出射されるレーザ出射光を直角方向に反射す
    る反射鏡を設けた請求項７記載の半導体レーザ装置。
  9. 【請求項９】 半導体レーザから出射するレーザ光を透
    過する材料からなる窓部材を枠体上に配置した請求項１
    〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
  10. 【請求項１０】 窓部材が光を波面変換する光学部材か
    らなる請求項９記載の半導体レーザ装置。
  11. 【請求項１１】 チップ搭載部から延びる通常の外部リ
    ードより幅の広い放熱用リードまたはチップ搭載部の裏
    面に接触する放熱板を有する請求項１〜１０のいずれか
    １項に記載の半導体レーザ装置。
  12. 【請求項１２】 チップ搭載部および外部リード上の接
    続点を囲んで設けられている絶縁材料からなる枠体の外
    周形状の一部または全体が円筒形状または円筒形状の一
    部となることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１
    項に記載の半導体レーザ装置。
  13. 【請求項１３】 チップ搭載部および外部リード上の接
    続点を囲んで設けられている絶縁材料からなる枠体の一
    部に位置規正用の凸部または凹部を有することを特徴と
    する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体レー
    ザ装置。
  14. 【請求項１４】 チップ搭載部に半導体レーザチップが
    実装されており、前記チップ搭載部を囲んで絶縁材料か
    らなる枠体が設けられており、前記枠体に電極パタンに
    よる接続点が形成されており、前記枠体上の接続点と前
    記半導体レーザチップの電極とが接続されており、かつ
    前記枠体上の電極パタンと外部リード上の接続点とが接
    続されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれ
    か１項に記載の半導体レーザ装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１〜１５のいずれか１項に記載
    の半導体レーザ装置と前記半導体レーザ装置から出射さ
    れる光ビームを光学式情報記録媒体上に集光する集光手
    段とを備えた光ピックアップ装置。
JP5264575A 1992-10-22 1993-10-22 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 Pending JPH06203403A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5264575A JPH06203403A (ja) 1992-10-22 1993-10-22 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
US08/789,199 US5748658A (en) 1993-10-22 1997-01-24 Semiconductor laser device and optical pickup head

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-284154 1992-10-22
JP28415492 1992-10-22
JP5264575A JPH06203403A (ja) 1992-10-22 1993-10-22 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000025041A Division JP2000196176A (ja) 1992-10-22 2000-02-02 パッケ―ジ
JP2000025042A Division JP2000196177A (ja) 1992-10-22 2000-02-02 半導体レ―ザ装置およびその製造方法
JP2000269823A Division JP3412609B2 (ja) 1992-10-22 2000-09-06 半導体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06203403A true JPH06203403A (ja) 1994-07-22

Family

ID=26546576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5264575A Pending JPH06203403A (ja) 1992-10-22 1993-10-22 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06203403A (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5727009A (en) * 1994-07-29 1998-03-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using the same
JPH10126002A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Matsushita Electron Corp 光伝送モジュール
US6072607A (en) * 1993-10-15 2000-06-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical pickup device
US6084895A (en) * 1996-08-02 2000-07-04 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor laser apparatus
JP2001126447A (ja) * 1999-10-07 2001-05-11 Deutsche Thomson Brandt Gmbh 光記録媒体の読み出し又は書き込み装置
US6501156B1 (en) 1999-09-10 2002-12-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame which includes a die pad, a support lead, and inner leads
US6868105B2 (en) 2002-02-01 2005-03-15 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, method of fabricating the same, and optical pickup employing the same
JP2005136171A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 半導体レーザ装置および光ヘッド装置
US6907053B2 (en) 2001-12-28 2005-06-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device
US6933604B2 (en) * 2000-10-05 2005-08-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor module and hard disk
JP2005317564A (ja) * 2004-04-26 2005-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスおよびその製造方法
JP2005327893A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスおよびその製造方法
US6977951B2 (en) 2002-03-12 2005-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same
US6983002B2 (en) 2002-09-30 2006-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and optical pickup using the same
US7088754B2 (en) 2002-12-19 2006-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and optical pickup device
US7099085B2 (en) 2002-11-27 2006-08-29 Sharp Kabushiki Kaisha Optical pick-up apparatus and semiconductor laser apparatus
US7173951B2 (en) 2003-03-25 2007-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device with light receiving element
US7184453B2 (en) 2002-10-04 2007-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device containing laser driver and electronic equipment having the same
CN100386931C (zh) * 2002-02-01 2008-05-07 夏普公司 半导体激光器件
JP2009049327A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Sharp Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JP2011014927A (ja) * 2000-02-01 2011-01-20 Panasonic Corp 光電子装置およびその製造方法
US7890967B2 (en) 2006-09-26 2011-02-15 Hitachi Media Electronics Co., Ltd. Optical pickup device with heat radiating structure
JP2011238893A (ja) * 2010-02-04 2011-11-24 Honeywell Internatl Inc チップスケールの原子時計内の垂直共振器面発光レーザー（ｖｃｓｅｌ）を熱的に安定させる設計および方法
JP2018512745A (ja) * 2015-03-27 2018-05-17 ジャビル インク レーザー投影モジュール
JP2019207992A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 京セラ株式会社 電気素子搭載用パッケージおよび電気装置
JP2019212752A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 日亜化学工業株式会社 発光装置

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072607A (en) * 1993-10-15 2000-06-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical pickup device
KR100373801B1 (ko) * 1994-07-29 2003-05-09 산요 덴키 가부시키가이샤 반도체레이저장치및이를이용한광픽업장치
US5727009A (en) * 1994-07-29 1998-03-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using the same
US6084895A (en) * 1996-08-02 2000-07-04 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor laser apparatus
JPH10126002A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Matsushita Electron Corp 光伝送モジュール
US6501156B1 (en) 1999-09-10 2002-12-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame which includes a die pad, a support lead, and inner leads
JP2001126447A (ja) * 1999-10-07 2001-05-11 Deutsche Thomson Brandt Gmbh 光記録媒体の読み出し又は書き込み装置
JP2011014927A (ja) * 2000-02-01 2011-01-20 Panasonic Corp 光電子装置およびその製造方法
US6933604B2 (en) * 2000-10-05 2005-08-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor module and hard disk
US6907053B2 (en) 2001-12-28 2005-06-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device
US6868105B2 (en) 2002-02-01 2005-03-15 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, method of fabricating the same, and optical pickup employing the same
CN100386931C (zh) * 2002-02-01 2008-05-07 夏普公司 半导体激光器件
US6977951B2 (en) 2002-03-12 2005-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same
US6983002B2 (en) 2002-09-30 2006-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and optical pickup using the same
US7184453B2 (en) 2002-10-04 2007-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device containing laser driver and electronic equipment having the same
US7099085B2 (en) 2002-11-27 2006-08-29 Sharp Kabushiki Kaisha Optical pick-up apparatus and semiconductor laser apparatus
US7088754B2 (en) 2002-12-19 2006-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and optical pickup device
US7173951B2 (en) 2003-03-25 2007-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device with light receiving element
JP2005136171A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 半導体レーザ装置および光ヘッド装置
JP2005317564A (ja) * 2004-04-26 2005-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスおよびその製造方法
JP4686134B2 (ja) * 2004-04-26 2011-05-18 パナソニック株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
JP4606063B2 (ja) * 2004-05-14 2011-01-05 パナソニック株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
JP2005327893A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスおよびその製造方法
US7890967B2 (en) 2006-09-26 2011-02-15 Hitachi Media Electronics Co., Ltd. Optical pickup device with heat radiating structure
JP2009049327A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Sharp Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JP2011238893A (ja) * 2010-02-04 2011-11-24 Honeywell Internatl Inc チップスケールの原子時計内の垂直共振器面発光レーザー（ｖｃｓｅｌ）を熱的に安定させる設計および方法
JP2018512745A (ja) * 2015-03-27 2018-05-17 ジャビル インク レーザー投影モジュール
JP2019207992A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 京セラ株式会社 電気素子搭載用パッケージおよび電気装置
JP2019212752A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2023052842A (ja) * 2018-06-05 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2023052858A (ja) * 2018-06-05 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06203403A (ja) 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
US5748658A (en) Semiconductor laser device and optical pickup head
JP3412609B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3233837B2 (ja) 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置
US5925898A (en) Optoelectronic transducer and production methods
JP3318811B2 (ja) 半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法
KR100780522B1 (ko) 반도체 레이저
JP2000196176A (ja) パッケ―ジ
US5488623A (en) Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation
US20060092812A1 (en) Optical device and method of manufacturing the same
JP3186684B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3206362B2 (ja) 半導体レーザ装置
US5444726A (en) Semiconductor laser device
JP3277736B2 (ja) 半導体素子の封止構造
JPH065990A (ja) 半導体レーザ用パッケージ
JP2003264332A (ja) 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ
JPH0440873B2 (ja)
JP2736197B2 (ja) 光半導体素子用パッケージ
JP2005251838A (ja) 半導体レーザ装置
JP4439313B2 (ja) 光学モジュールの製造方法
EP0568830B2 (en) Semiconductor laser device
JPH06290476A (ja) 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド
US20080237455A1 (en) Light receiving apparatus
US7158469B2 (en) Optical head with light-receiving device
JPH06204615A (ja) 光半導体装置