JP2018512745A - レーザー投影モジュール - Google Patents

レーザー投影モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2018512745A
JP2018512745A JP2018502060A JP2018502060A JP2018512745A JP 2018512745 A JP2018512745 A JP 2018512745A JP 2018502060 A JP2018502060 A JP 2018502060A JP 2018502060 A JP2018502060 A JP 2018502060A JP 2018512745 A JP2018512745 A JP 2018512745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection module
cover
lead frame
laser
laser projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018502060A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6930958B2 (ja
Inventor
ビクトリア、ロリート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jabil Inc
Original Assignee
Jabil Circuit Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jabil Circuit Inc filed Critical Jabil Circuit Inc
Publication of JP2018512745A publication Critical patent/JP2018512745A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6930958B2 publication Critical patent/JP6930958B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315Support members, e.g. bases or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232Lead-frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/0234Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02255Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425Electrodes, e.g. characterised by the structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

レーザー投影モジュールであって、レーザー投影モジュールカバーを含み、このカバーは、このカバー内にキャビティを画定するための上部部分、底部部分、及び1つ以上の側部部分を含み、その上部部分は光学レンズに結合するように構成されている。リードフレームは、レーザー投影モジュールの底部カバー部分に少なくとも部分的に一体化され、このリードフレームは、カバーに対して外側リードフレーム部分及び内側リードフレーム部分を含み、その内側リードフレーム部分は、キャビティ内の内側リードフレーム部分の1つの領域におけるレーザーダイオードアセンブリに結合するように構成されている。【選択図】図1

Description

関連出願の相互参照
本開示は、米国仮出願第62/139,409号、発明の名称「レーザー投影モジュール(LASER PROJECTION MODULE)」、2015年3月27日出願の優先権を主張しており、その内容は参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。
本開示は、レーザー投影モジュールのための装置、システム、及び方法に関する。更に詳しくは、本開示は、改善された製造可能性を有する単純化された構成を含む3次元(3D)走査デバイスのためのレーザー投影モジュールのための装置、システム、及び方法に関する。
レーザー走査は、可視又は不可視のレーザービームの制御された偏向に関係し、走査されたレーザービームは光造形機、ラピッドプロトタイピング、材料加工機、レーザー彫刻機、老眼治療用の眼科レーザシステム、共焦点顕微鏡法、レーザープリンタ、レーザーショー、レーザーTV、ライダー(LIDAR)、バーコードスキャナなどに使用されている。レーザー走査は、レーザービームの制御された操作に続いて、あらゆる指向方向での距離測定を伴うこともある。しばしば3D物体走査や3Dレーザー走査と称されるこの技術は、物体、建築物、風景の形を迅速に捕捉するために使用される。レーザーレンジファインダーは、レーザービームを使用して物体までの距離を測定するデバイスである。
レーザースキャナは、一般にはレーザービームを操作するために可動ミラーを使用する。ビームの操作は、1次元、2次元(2D)又は3次元(3D)とすることができる。3D操作又は焦点位置決めのために、これは、サーボ制御されたレンズシステム、又は「フォーカスシフタ」又は「z−シフタ」を使用して行うことができる。さらに、レーザースキャナのミラーは、周期的な動作(例えば、バーコードスキャナ又は共振ガルバノスキャナのミラーポリゴンの回転)又は自由に指定可能な動作(例えば、サーボ制御ガルバノスキャナ)を受けることができる。走査動作を制御するために、スキャナは、一般にモータ又はガルバノメータへの適切な電流を所望の角度又は位相に対して提供するロータリエンコーダ及び制御電子機器を使用する。ソフトウェアシステムは、通常は走査動作を制御し、3D走査が実施される場合には、測定データの収集も制御する。
従来のレーザーモジュール設計の問題点の幾つかは、高価で複雑な印刷回路基板アセンブリ(PCBA)及びカスタム設計用具、工具及び機器を必要とする相互接続を必要とすることである。このように、従来のレーザーモジュール設計は複雑な工程を伴う過度に長いサイクル時間を有し、完全自動化をもたらさない。したがって、完全に自動化し得る単純化された製造のためのレーザーモジュール設計を効率的かつ簡単に構成する装置、システム、及び方法の必要性が存在する。
したがって、幾つかの例示的な実施態様においては、レーザー投影モジュールのための装置、システム、及び方法が開示されており、これはレーザー投影モジュールカバーを含み、これは、上部部分、底部部分、及びカバー内にキャビティを画定する1つ以上の側部を含み、上部部分は光学レンズに結合するように構成され、レーザー投影モジュールの底部カバー部分に少なくとも部分的に一体化されたリードフレームとを含み、そのリードフレームは、カバーに対して外側リードフレーム部分と内側リードフレーム部分とを含み、その内側リードフレーム部分は、キャビティ内の内側リードフレーム部分の1つの領域におけるレーザーダイオードアセンブリに結合するように構成されている。レーザー投影モジュールはさらに、レーザー投影モジュールカバーの上部部分及び光学レンズの下に結合された回折光学素子と、レンズからの射出光を受光し、受光した光を光学レンズへ反射するように構成されたレンズ及びミラー/プリズムとを含む。
幾つかの例示的な実施態様においては、レーザーダイオードアセンブリは、レーザーダイオードと、サブマウント部分上のチップと、ヒートシンクと、ダイ取り付けパッド部分とを備え、レーザーダイオードアセンブリは、内部リードフレーム部分にワイヤーボンディングされている。レーザーダイオードアセンブリのヒートシンクは、レーザー投影モジュールカバーの内側又は外側に構成することもできる。幾つかの例示的な実施態様においては、レーザーダイオードアセンブリは、カバーのキャビティ内のダイ取り付けパッド部分に結合されたレーザーダイオードサブマウントに結合されたレーザーダイオードを含む。
したがって、開示された実施態様は、レーザー投影モジュール及びデバイスの製造を改善する装置、システム、及び方法を提供する。これらの実施態様は、既知の技術に対して機能的な改善を提供することができ、以下の詳細な説明からより明らかになる他の有利な特徴を提供することができる。
本開示は、本明細書の以下の詳細な説明、及び説明のみのために与えられて本開示を限定するものではない添付図面からより完全に理解されるであろう。
図1は、例示的な実施態様の下にリードフレーム、カバー及びレーザー投影構成要素を含むレーザー投影モジュールの上面図を示す。
図2は、リードフレーム、カバー及びレーザー投影構成要素を含むレーザー投影モジュールの側面図を示し、例示的な実施態様の下にヒートシンク構成要素はカバーの内側に配置されている。
図3は、リードフレーム、カバー及びレーザー投影構成要素を含むレーザー投影モジュールの側面図を示し、例示的な実施態様の下にヒートシンク構成要素はカバーの外側に配置されている。
図4は、例示的な実施態様の下にレーザー投影モジュール及びカバーアセンブリの上面図を示す。
図5は、例示的な実施態様の下に図4のレーザー投影モジュール及びカバーアセンブリの側面図を示す。
図6A−6Fは、レーザーダイオードを収容するように構成されたレーザー投影モジュールで使用するためのサブマウントの様々な実施態様を示す。
図7は、例示的な実施態様の下にプリズム構成と共にサブマウントを利用するレーザー投影モジュールの側面図を示す。
図8は、例示的な実施態様の下にモジュールリードフレーム及びカバーリードフレームと共にサブマウントを利用するレーザー投影モジュールの上面図を示す。
図9は、例示的な実施態様の下にレーザー投影モジュールに使用するように構成されたリードフレームを示す。
図10は、例示的な実施態様の下にレーザー投影モジュールのカバーに使用するためのカバーリードフレームを示す。
図11は、例示的な実施態様の下にレーザー投影モジュールの組み立て方法を示す図である。
図12は、例示的な実施態様の下に組み立てられたレーザー投影モジュールの3次元斜視図を示す。
本明細書で提供される図面及び説明は、本明細書で説明されるデバイス、システム、及び方法の明確な理解に関連する態様を例示するために簡略化されているが、明瞭にするために、典型的な類似デバイス、システム、及び方法に見られ得る他の態様は除外されている。したがって、当業者は、本明細書に記載のデバイス、システム、及び方法を実施するために、他の要素及び/又は操作が望ましい及び/又は必要であることを認識することができる。しかしながら、そのような要素及び操作は当技術分野で知られており、本開示のより良い理解を容易にしないので、そのような要素及び操作についての議論はここでは提供されないことがある。しかしながら、本開示は、当業者に知られている説明された態様に対する全てのそのような要素、変形、及び修正を本質的に含むものとみなされる。
例示的な実施態様は、本開示が充分に徹底的であり、開示された実施態様の範囲を当業者に完全に伝えるように、全体を通して提供される。本開示の実施態様のこの完全な理解を提供するために、特定の構成要素、デバイス、及び方法の例など、多くの特定の詳細が説明される。それにも関わらず、特定の開示された詳細が採用される必要はなく、例示的な実施態様は異なる態様で具現化され得ることは、当業者には明らかであろう。このように、例示的な実施態様は、本開示の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。幾つかの例示的な実施態様では、周知の処理、周知のデバイス構造、及び周知の技術を詳細には説明しないことがある。
本明細書で使用する用語は、特定の例示的な実施態様のみを説明するためのものであり、限定することを意図したものではない。本明細書で使用されるように、単数形「a」、「an」及び「the」は、文脈がそうでないことを明確に示さない限り、複数形も含むことが意図されている。「備え」、「備える」、「含む」、及び「有する」という用語は、包括的であり、従って、記載された特徴、整数値、ステップ、操作、要素、及び/又は構成要素の存在を特定し、整数値、ステップ、操作、要素、構成要素、及び/又はそれらのグループの追加を含むが、これらに限定されるものではない。本明細書に記載されたステップ、処理及び操作は、優先的に性能の順序として特定されない限り、必ずしも議論又は図示された特定の順序でそれぞれの性能を必要とすると解釈されるべきではない。付加的又は代替的なステップを用いることもできることも理解されたい。
或る要素又は層が、他の要素又は層に対して「上に」、「係合している」、「接続されている」、又は「結合している」と言及されている場合、これは他の要素又は層に対して直接上にあっても、接続されていても、又は結合されていてもよく、又は介在する要素又は層が存在してもよい。対照的に、或る要素が他の要素又は層に「直接上に」、「直接に係合している」、「直接に接続されている」又は「直接に結合している」と言及されている場合、介在する要素又は層は存在しない。要素間の関係を説明するために使用される他の言葉は、同様の方式(例えば、「間」対「直接間」、「隣接」対「直接隣接」など)で解釈されるべきである。本明細書で使用される場合、「及び/又は」という用語は、関連する列挙された項目の1つ又は複数の任意の及び全ての組み合わせを含む。
第1、第2、第3などの用語は、様々な要素、構成要素、領域、層及び/又は区画を説明するために本明細書で使用することができるが、これらの要素、構成要素、領域、層及び/又は区画はこれらの用語によって限定されるべきではない。これらの用語は、或る要素、構成要素、領域、層、又は区画を他の要素、構成要素、領域、層又は区画と区別するためにのみ使用されることがある。「第1」、「第2」及び他の数値的な用語のような用語は、文脈によって明白に示されない限り、順番若しくは順序を意味するものではない。したがって、以下で説明する第1の要素、構成要素、領域、層又は区画は、例示的な実施態様の教示から逸脱することなく、第2の要素、構成要素、領域、層又は区画と称することができる。
さらに、当業者であれば、本明細書の特定の図及び開示は特定の数値、値、寸法及び/又は範囲を提供することができるが、これらは単に例示のために提供されているものであり、本開示の範囲から逸脱することなく、任意の適切な代替及び/又は追加の数、値、寸法及び/又は範囲を他の用途に使用することができることを理解されたい。
ここで図1を参照すると、例示的な実施態様の下にレーザー投影モジュールアセンブリ100が示されており、これは、カバー120と、カバー120の外側に構成された外側リードフレーム部分102を有するリードフレーム(例えば、900、図9参照)と、カバー120の内側に構成された内側リードフレーム部分104とを含む。一実施態様では、リードフレーム(102−104)は、ニッケル−パラジウム(NiPD)メッキを有する銅リードフレームを含むことができる。図から明らかなように、内側リードフレーム部分104は、光ダイオードアセンブリに結合されたフレーム部分を有する曲折フレームとして構成してもよく、これは、図1の例では、ダイ取り付けパッド(DAP)部分106を備え、これにはヒートシンク108と、レーザーダイオード112を収容するように構成されたサブマウント部分110上のチップ(CoS)とが重ねられている。
レーザーダイオード112及びCoS部分110は、ワイヤーボンディング(122)を介して内側リードフレーム部分104に電気的に接続することができる。レンズ114は、マウント118A及び118Bを介してアセンブリ100に結合され、レーザーダイオード112からの光をミラー116へ通過させて、アセンブリ100のカバー120の外側へ反射させるように構成されている。幾つかの例示的な実施態様では、内側リードフレーム部分104は、カバー120の側部から延伸するダミーリード線を含むことができる(内側リードフレーム部分104から延伸する点線として図示される)。
幾つかの例示的な実施態様では、レーザー投影モジュール100は、スマートフォンのような小型若しくは携帯型デバイスにおける使用のために小型化することができる。一例では、構成部品の寸法(H×L×W)は以下のように、レーザーダイオード112が寸法(0.14×1.0×0.225mm)を有し、CoS部分110が寸法(0.23×1.60×0.65mm)を有し、ヒートシンク108が寸法(2.0×2.2×1.8mm)を有し、DAP部分106が寸法(0.025×2.2×3.0mm)を有し、ミラーが寸法(0.3×2.2×4.8mm)を有し、レンズ114が寸法(3.8mm×2.7×6.3mm)を有する。
図2は、カバー壁206、212の外側に位置する外側リードフレーム部分102Aと、カバー壁206、212の内側に位置する内側リードフレーム部分104Aとを有するリードフレームを含むレーザー投影アセンブリ200の側面図を示す。図2の実施形態においては、ヒートシンク108がキャビティ領域214の内部に存在するように構成されている。ヒートシンク108を収容するために、内側リードフレーム部分104Aは、レーザーダイオード112及びCoS部分110へのより有利なワイヤーボンディングを可能にする延長部分104Cを含むことができる。内側リードフレーム部分104AはDAP部分106Aへ結合され、このDAP部分は、この例ではキャビティ214の内部に構成されたヒートシンク108の下側に構成されている。
レンズ114は、図2に示すように、レーザーダイオード112からミラー116へ光を通過させ、回折光学素子204及び光学カバー202を介してアセンブリ100のカバー120の外側へ反射させるように構成されてもよい。幾つかの例示的な実施態様では、光学カバー又はレンズ202は、光学ガラスを含む。他の例示的な実施態様では、光学カバー202は、プラスチック又はポリマー材料を含むことができ、光学用途に応じて、適切な光学コーティングをさらに含むことができる。回折光学素子204は、干渉及び回折によって動作してミラー116からのパターン化された又は任意の光分布を生成する薄い位相要素として構成されてもよく、バイナリ及び/又はアナログ位相プロファイルで構成されてもよい。回折光学素子204は、回折レンズ、ビームスプリッタ(スポットアレイ)、回折拡散器、及び補正板を含むことができるが、これらに限定されるものではない。回折レンズは、従来のレンズ系における要素の数を減らし、色収差を補正する際に特殊な材料の必要性を排除するために使用することができる。回折レンズは、λ/(n−1)に等しい全深度高さを有する非常に薄い要素として構成することができ、λは動作波長であり、nは屈折率である。回折レンズは、レンズの縁部に向かって細くなる一連の領域から構成されてもよい。
ビームスプリッタ(又はスポットアレイ)回折光学素子204は、レーザーダイオード112からのレーザービームをスポットのアレイに分割するように構成することができる。この場合、回折光学素子204に入射する概ねコリメートされたビームはアレイ(例えば、1D、2Dなど)に分離される。ビームスプリッタを生成する回折素子は、スポットの所望の分布を生成する所定の形状で構成された格子と考えることができる。回折式照明システムのような特定の特殊な用途のために制御された照明を提供するために、拡散型拡散素子(204)を拡散器として使用することもできる。回折拡散器の(屈折拡散器と比較した)利点の1つは、動作波長における入射ビームサイズに対応する回折限界スポットと同じ幅の鋭い強度減衰である。幾つかの実施態様では、特定の波面が光学系の或る点で必要とされるが、何らかの理由で実際の波面は所望の形状を示さない。理想からの波面偏差が一貫して繰り返し可能である場合には、所望の波面を生成するようにアパーチャの様々な点で適切な位相遅延を誘起することによって波面を補正するために、補正板を204に導入することができる。
回折光学素子204及びガラスカバー202は、第1の上部カバー部分208及び第2の上部カバー部分210の隆起の上部に取り付けてもよい。幾つかの例示的な実施態様では、第1のトップカバー部分208はカバー壁206に結合され、第2のトップカバー部分210はカバー壁212に結合されてもよい。他の例示的な実施態様では、第1の上部カバー部分208及びカバー壁206は、単一のカバー部分として一体化することができ、第2の上部カバー部分210及びカバー壁212は、別の単一のカバー部分として一体化することができる。カバー部分(206〜210)は、組み立て処理中に内側リードフレーム部分104Aと一体化され得るカバーベース216に結合し得る。
ここで図3を参照すると、レーザー投影アセンブリ300の実施態様が示されており、これは、ヒートシンク108がレーザー投影アセンブリカバーの外側に構成され、キャビティ314内の潜在的な熱蓄積を有利に低減することができる点を除いて、図2の実施態様に類似する。ヒートシンク108が上昇すると、外側リードフレーム部分102Bは、ヒートシンク108の上の点まで上昇し、ライトダイオードアセンブリへのワイヤーボンディングを単純化し、内側リードフレーム部分104Bは、レーザー投影アセンブリ300のキャビティ314内へDAP106Bに延伸し、レンズ114及びミラー116を収容するキャビティ領域内の内側リードフレーム部分104Bに戻る。図2と同様に、内側リードフレーム部分104Bは、組み立て処理中にカバーベース216と一体化することができ、さらに、上昇した外側リード部分102Bに結合された内側リードフレーム部分104Bを所定位置に保持するための支持体216Bを含む。
ここで図4を参照すると、例示的な実施態様によるレーザー投影アセンブリ400のカバー410の上面図が示されている。先の実施態様と同様に、レーザー投影アセンブリ400は、PCBと相互接続するように図示されているように、能動リード(402)、ダミーリード(406)及びタイバー404と共に動作するように構成された外側リードフレーム部分102を有するリードフレームを備える。当業者には、リードフレーム(102、104)用のダミーリード406は、レーザー投影アセンブリカバー410の一方の側から延在するように構成されてもよく(図4の如し)、又はレーザー投影アセンブリカバーの複数の側から延在するように構成されてもよい(図1の如し;点線を参照)。他の実施態様のように、外側リードフレーム部分102は、内側リードフレーム部分104に結合され、これはレンズ114、ミラー116、及び光ダイオードアセンブリを電気的に接続するように構成され、図4の例では、ヒートシンク108及びレーザーダイオード112によって覆われた金属リードフレームダイ取り付けパッド(MLFDAP)部分406を含む。一実施態様では、MLF材料は、245〜305μmの厚さを有する銅からなる。
図4のカバー410は、上部カバー部分及び他の構成要素を収容するように有利に構成されたカバー壁棚部を有するように構成されている。図4の例では、光ダイオードアセンブリ(108,112,406)及びレンズ114の上に構成されたカバー部分は、カバー410の少なくとも2つの内壁を覆って延在し、上部カバー部分を着座させて結合する隆起412を有する。ミラー116上に構成されたカバー部分は、カバー410の少なくとも2つの内壁を覆って延在する第1の隆起部414及び第2の隆起部416を有し、これらは光学カバーと回折光学素子とを着座させて結合する。
図5は、図4のレーザー投影アセンブリの側面図500を示し、ここで、カバー又はハウジング410は、カバー壁502−504を支持するベースカバー508を備える。カバー壁502は、上部カバー506を収容して結合するように構成された棚部412を備え、上部カバーは、カバー壁504の棚部414,416に対応する棚部414,416を含むように作成されている。図から明らかなように、回折光学素子204は、棚部416に着座して結合し、棚部414に着座して収容された光学カバー202で覆われている。
図5の実施形態は、露出されたダイ取り付けパッド510も備え、これは、この例では、レーザー投影アセンブリ500のキャビティ514内のヒートシンク108の構成のために、光ダイオード112及び関連する回路への電気的接続のためのアクセスを提供するために使用される。ヒートシンク108がハウジングの外側に構成される(例えば、図3参照)状況では、露出したダイ取り付けパッド510は必要ではない。
ここで図6A〜図6Fを参照すると、図示のように正極導電性フィルム602及び負極導電性フィルム604でコーティングされ得るレーザーダイオードサブマウント600の様々な例示的な実施態様が示されている。一実施態様では、導電性フィルムは0.025mm未満の厚さであってもよい。レーザーダイオードサブマウント600は、図示のようにワイヤーボンディング122されたレーザーダイオード112を結合するように構成することができる。一実施態様では、レーザーダイオードサブマウント600は、アルミニウムニッケル(AlNi)から作成され、ニッケル−金(NiAu)でメッキされてもよい。レーザーダイオードサブマウントは、金−錫(AuSn)はんだ(例えば、金80%、錫20%)を用いて他の部品とはんだ付けされてもよい。一実施態様では、レーザーダイオードサブマウントは、電気的接続を容易にするためのビア602を有するように構成することができる。
次に図7を参照すると、レーザー投影モジュールアセンブリ700のキャビティ704内に構成された取り付けられた光ダイオード112を有するレーザーダイオードサブマウント600を含むレーザー投影モジュールアセンブリ700の例示的な実施態様が示される。ダイオードサブマウント600は、DAP部分106又はリードフレーム104の他の適切な部分に接着されてもよく、照明された光は、レンズ704を通ってプリズム706に進み、このプリズムは、光を回折光学素子204及び光学カバー202を通じてレーザー投影モジュールアセンブリ700の外側の領域へ反射する。
図7の実施形態においては、回折光学素子204は、光学カバー202から離間させてもよい。この空間は、2つの要素を分離するカバー棚部702によって画定することができ、回折光学素子204は、カバー棚部702の底部に接着され、光学カバー202はカバー棚部702の上部に着座して結合する。プリズム706は、光を屈折させる平坦で研磨された表面を有する透明な光学素子として構成することができる。プリズム706の平坦な面の少なくとも2つは、それらの間の角度を有し、三角形の基部及び長方形の辺を有する三角柱のような幾何学的形状を含むことができる。プリズム706は、設計された波長に対して透明である任意の材料から作成されてもよく、これはガラス、プラスチック及び蛍石を含むが、これらに限定されるものではない。
図8を参照すると、例示的な実施形態の下に図7のレーザー投影モジュールアセンブリの上面図800が示されており、レーザーサブモジュール600は、領域806に接着剤を用いて結合/固定されるレンズ704と共に所定の位置に結合/固定(例えば、表面装着、接着など)され、接着剤は低温接着剤、スナップ硬化接着剤及び/又はUV硬化接着剤を含むが、これらに限定されない。図8の実施態様には、リードフレーム(102,104)とカバーリードフレーム804も示されており、これについては図9−10に関連して以下に説明する。
図9は、本明細書に開示された実施態様の何れかに適したリードフレーム900を示しており、リードフレーム外側部分102は、カバー(又は「パッケージ」)904の縁の外側に構成されたリードフレーム900部分として規定され、内側リードフレーム部分104は、カバー(又は「パッケージ」)904の縁の内側に構成されたリードフレーム部分として規定し得る。図1の実施態様に関連して上述したように、図1に示すように、内側リードフレーム部分104は、内側リードフレーム部分104の少なくとも一部に曲折した経路を有して形成され、光ダイオード投影部品を収容及び/又は接続するように構成されている。幾つかの非限定的な例示的な実施態様では、リードフレーム900は、低い熱膨張係数(CTE)を有し、10−12ミル(0.254−0.305mm)の厚さを有する適切な金属(例えば銅)から形成し得る。他の例示的な実施態様では、リードフレームは、ニッケル−パラジウム−金(NiPdAu)メッキで予めメッキされたパラジウム材料から形成されてもよい。リードフレーム900は、単一の行として構成されてもよく、複数の行を含んでいてもよい。当業者には、本開示においては多数の構成が意図されており、本明細書に開示される特定の構成に限定されないことが理解される。
図10は、本明細書で開示される実施態様の何れかで利用し得るカバーリードフレーム1000を示す。幾つかの例示的な実施態様では、カバーリードフレーム100は、上部カバー部分(例えば、208,210)を固定するために使用することができる。図9のリードフレームと同様に、カバーリードフレーム1000は、低い熱膨張係数(CTE)を有し、10−12ミル(0.254−0.305mm)の厚さを有する適切な金属(例えば、銅)から形成することができる。他の例示的な実施態様では、リードフレームは、ニッケル−パラジウム−金(NiPdAu)メッキで予めメッキされたパラジウム材料から形成してもよい。リードフレーム1000は、単一の行として構成されてもよく、複数の行を含んでいてもよい。当業者には、本開示においては多数の構成が意図されており、本明細書に開示される特定の構成に限定されないことが理解される。
ここで図11を参照すると、一実施態様の下にレーザー投影モジュールを製作するための例示的な方法1100が開示されている。この方法はブロック1102で始まり、リードフレーム(例えば、900、1000)は、ブロック1104で実行されるカバー成形中に製作されて組み込まれる。カバー成型は、リードフレームをカバー成型に結合することができる開放キャビティカバーを規定するようにプラスチックを使用して実施することができる。ブロック1106において、光ダイオード(例えば、112)を取り付けて組み立てることができる。サブマウントが使用されない状況では、光ダイオード(例えば、112)は、サブマウント上のチップ(CoS)部分(例えば、110)、ヒートシンク(例えば、108)及びダイ取り付けパッド(DAP)部分(例えば、106)に組み立てることができる。これらの構成要素の順序は、ヒートシンク(例えば、108)がカバーのキャビティの内側又は外側に構成されるかどうか(例えば、図2及び図3を参照)に依存している。光ダイオードアセンブリは、熱伝導性エポキシ又は他の適切な材料を用いて結合して、ワイヤーボンディングすることができる。
レーザーダイオードサブマウント(例えば、600)が使用される場合、サブマウントは、先ずブロック1108でリードフレーム及びカバーに結合され、続いてレーザーダイオード(例えば、112)の取り付けがなされる。ブロック1110において、ミラー又はプリズムは、非導電性の接着剤を使用してモジュールに取り付けられ、続いてブロック1112でレンズの取り付け及び能動的なアライメントがなされる。能動的なアライメントのために使用し得る1つの技術は、レンズセル及びレンズ自体が比較的狭い直径公差で製造される機械的アラインメントを含む。ハウジングのセル壁とレンズの外径との間の間隙は、最小限の分離のために設計することができる。レンズは通常はハウジング内で中心合わせされ、複数(例えば、3つ)の等しい厚さのシムがセル壁とレンズとの間に挿入される。接着剤が塗布され、この接着剤が硬化すると、シムは通常はアセンブリから取り外される。
代替的又は追加的に、レンズは、保持リングのようなハードウェアで定位置に保持することができる。機械的アライメント方法は、このアセンブリ技術を達成するために、シム及び中心合わせ処理を含む光学系及び機構の固有の公差に依存する。ブロック904においてUV硬化性接着剤でレンズを所定位置にスポット硬化させ、次いでRTV室温加硫又は熱硬化接着剤の何れかを用いて最終接着をなすことができる。
他の例示的な実施態様では、ブロック1112における能動的レンズアライメントは、レンズがレンズセルに挿入される光学的アライメントを含み、その位置は、レンズ表面の反射戻り値又は透過戻り値の何れかを監視することによって能動的に定位置に移動される。反射においては、レンズ表面からの曲率中心を使用することができる。光学戻りを提供するために、オートコリメータを使用することができる。伝送時には、それはレンズの焦点である。幾つかの例示的な実施態様では、フィゾー干渉計を組み込み、干渉縞パターンを監視することによって、高い精度を得ることができる。幾つかの例示的な実施態様では、能動的なアラインメントソフトウェアは、レンズを整列させるように最適化され、その搭載面上のレンズの位置を調整することによって、光軸をセルの機械軸に対して微調整することができる。機械的アライメント方法とは異なり、能動的光学方法は、特定の構成要素の属性を非常に厳しい公差に保つ必要性が低い。
レンズが整列され、硬化されると、回折光学素子(例えば、204)及び光学カバー(例えば、202)が取り付けられる。回折光学素子及び光学カバーは、非導電性接着剤を用いて結合してもよい。使用されるヒートシンク(例えば、108)構成に応じて、ヒートシンクは、はんだ又は熱伝導性エポキシ又は他の適切な材料を使用して、ブロック1116においてダイ取り付けパッド(例えば、106)に取り付け得る。ブロック1118において、レーザー投影モジュールは、はんだ付け(例えば、複数のセンサヘッドを備えたレーザーはんだ付け)によって取り付けてもよく、或いはレーザー投影モジュールをPCBに適切に結合してもよく、ブロック1120において最終試験を受ける。
図12は、例示的な実施態様の下で組み立てられたレーザー投影モジュール1200の3次元斜視図を示す。この例におけるレーザー投影モジュール1200は、図7−図8に関して上述に示した例示的な構成から組み立てることができる。この例では、回折光学素子(例えば、204)は、2つの要素を分離するカバー棚部702を利用して、光学カバー(例えば、202)から離間させてもよい。プリズム706は、光を屈折させる平坦で研磨された表面を有する透明な光学素子として構成することができる。レーザーサブモジュール600は、接着剤を用いて結合/固定することができるレンズ704と共に所定の位置に結合/固定され(例えば、表面装着、接着など)、接着剤としては低温接着剤、スナップ硬化接着剤及び/又はUV硬化接着剤を含むが、これらに限定されるものではない。図12の実施態様には、上述したリードフレーム(102,104)及びカバーリードフレーム804も示されている。
当業者には、本開示は比較的低いz高さ(例えば、<6mm)を有する光投影モジュールのための様々な有利な構成を提供し、これは製造がより容易であり、従ってより速いサイクル時間、低い機器コスト、良好なレーザー安全性、能動部品の良好な接続性、及び高い信頼性を提供することが明らかである。幾つかの有利な特徴は、基板をベースプレートとして使用し、このベースプレート上に素子を配置/整列させることによって達成することができる。次いで、能動素子をベースプレートに接続して光投影モジュールを形成することができ、このモジュールは単にPCBに接続することができる。また、本明細書の幾つかの実施態様は、概ね長方形形状を有する光投影モジュールカバーを示すが、当業者には、任意の適切な三次元形状を使用できることが理解される。
上述の詳細な説明においては、本開示における簡潔さのために、個々の実施態様において様々な特徴が一緒にグループ化されていることが分かる。本開示の方法は、後に請求される実施態様が各請求項に明示的に記載されたものよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものとして解釈すべきではない。
さらに、本開示の説明は、当業者が開示された実施態様を製作又は使用することを可能にするために提供される。本開示の様々な変更は、当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義される一般的な原理は、本開示の要旨又は範囲から逸脱することなく、他の変形例に適用される。従って、本開示は、本明細書に記載された実施例及び設計に限定されることを意図するものではなく、本明細書に開示された原理及び新規な特徴と一致する最も広い範囲が与えられるべきである。すなわち、以下の特許請求の範囲は、本明細書でなされる例示的な開示に照らして、それぞれの最も広い範囲が与えられるべきである。

Claims (20)

  1. レーザー投影モジュールであって、
    レーザー投影モジュールカバーであり、このカバー内にキャビティを画定するための上部部分、底部部分、及び1つ以上の側部部分を含み、前記上部部分は光学レンズに結合するように構成されているレーザー投影モジュールカバーと、
    前記レーザー投影モジュールの前記底部カバー部分に少なくとも部分的に一体化されたリードフレームとを備え、このリードフレームは、前記カバーに対して外側リードフレーム部分及び内側リードフレーム部分を含み、その内側リードフレーム部分は、前記キャビティ内の内側リードフレーム部分の1つの領域でレーザーダイオードアセンブリに結合するように構成されているレーザー投影モジュール。
  2. 請求項1のレーザー投影モジュールにおいて、前記レーザーダイオードアセンブリは、レーザーダイオードと、サブマウント部分上のチップと、ヒートシンクと、ダイ取り付けパッド部分とを含むレーザー投影モジュール。
  3. 請求項2のレーザー投影モジュールにおいて、前記レーザーダイオードアセンブリは、前記内側リードフレーム部分にワイヤーボンディングされているレーザー投影モジュール。
  4. 請求項2のレーザー投影モジュールにおいて、前記レーザーダイオードアセンブリの前記ヒートシンクは、前記レーザー投影モジュールカバーの外側にあるように構成されているレーザーダイオード投影モジュール。
  5. 請求項4のレーザーダイオード投影モジュールにおいて、前記ダイ取り付けパッド部分は、露出部分を含むレーザーダイオード投影モジュール。
  6. 請求項2のレーザー投影モジュールにおいて、前記レーザーダイオードアセンブリの前記ヒートシンクは、前記レーザー投影モジュールカバーの前記キャビティ内にあるように構成されているレーザーダイオード投影モジュール。
  7. 請求項1のレーザーダイオード投影モジュールにおいて、前記レーザーダイオードアセンブリは、前記カバーの前記キャビティ内のダイ取り付けパッド部分に結合されたレーザーダイオードサブマウントに結合されたレーザーダイオードを含むレーザー投影モジュール。
  8. 請求項1のレーザーダイオード投影モジュールにおいて、前記内側リードフレーム部分の一部が曲折経路を形成するレーザー投影モジュール。
  9. 請求項1のレーザー投影モジュールにおいて、前記レーザー投影モジュールカバーの前記上部部分及び前記光学レンズの下に結合された回折光学素子をさらに備えるレーザー投影モジュール。
  10. 請求項9のレーザー投影モジュールにおいて、前記回折光学素子は、回折レンズ、ビームスプリッタ、回折拡散器及び補正板のうちの1つを含むレーザー投影モジュール。
  11. 請求項1のレーザー投影モジュールにおいて、前記レーザーダイオードアセンブリからの光放射を受けるように構成されたレンズをさらに備えるレーザー投影モジュール。
  12. 請求項11のレーザー投影モジュールにおいて、前記レンズからの光放射を受け取り、この受け取った光を前記光学レンズに反射するように構成されたミラーをさらに備えるレーザー投影モジュール。
  13. 請求項11のレーザー投影モジュールにおいて、前記レンズからの光放射を受け取り、この受け取った光を前記光学レンズに反射するように構成されたプリズムをさらに備えるレーザー投影モジュール。
  14. 請求項1のレーザー投影モジュールにおいて、前記レーザー投影モジュールカバーの上部に結合されるように構成されたカバーリードフレームをさらに備えるレーザー投影モジュール。
  15. 請求項1のレーザー投影モジュールにおいて、前記リードフレームは、少なくとも1つの能動リードと、少なくとも1つのダミーリードと、タイバーとを含むレーザー投影モジュール。
  16. レーザー投影モジュールを組み立てる方法であって、
    レーザー投影モジュールカバーを形成し、このカバーは、このカバー内にキャビティを画定する上部部分、底部部分、及び1つ以上の側部部分を含み、前記上部部分は光学レンズに結合するように構成され、
    リードフレームを形成し、このリードフレームは、前記カバーに対して外側リードフレーム部分と内側リードフレーム部分とを含み、
    前記形成されたリードフレームを前記レーザー投影モジュールの前記底部カバー部分に少なくとも部分的に一体化し、
    レーザーダイオードアセンブリを、前記レーザー投影モジュールの前記キャビティ内の前記内側リードフレーム部分の1つの領域に結合し、
    前記レーザー投影モジュールカバーを前記リードフレームに結合することを含む方法。
  17. 請求項16の方法において、前記レーザー投影モジュールカバーを前記リードフレームに結合する前に、レンズと、ミラー及びプリズムの一方とを、前記内部リードフレーム部分に結合することをさらに含む方法。
  18. 請求項16の方法において、前記光学レンズと回折光学素子とを前記レーザー投影モジュールカバーの前記上部部分に結合することをさらに含む方法。
  19. 請求項16の方法において、レーザーダイオードアセンブリを結合することは、レーザーダイオードと、サブマウント部分上のチップと、ヒートシンクと、ダイ取り付けパッド部分とを結合し、前記レーザーダイオードアセンブリを前記内部リードフレーム部分にワイヤーボンディングすることを含む方法。
  20. 請求項16の方法において、レーザーダイオードアセンブリを結合することは、前記カバーの前記キャビティ内のダイ取り付けパッド部分に結合されたレーザーダイオードサブマウントに結合されたレーザーダイオードを結合することを含む方法。
JP2018502060A 2015-03-27 2016-03-28 レーザー投影モジュール Active JP6930958B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562139409P 2015-03-27 2015-03-27
US62/139,409 2015-03-27
PCT/US2016/024516 WO2016160704A1 (en) 2015-03-27 2016-03-28 Laser projection module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018512745A true JP2018512745A (ja) 2018-05-17
JP6930958B2 JP6930958B2 (ja) 2021-09-01

Family

ID=56975808

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018502044A Active JP7433762B2 (ja) 2015-03-27 2016-03-25 レーザダイオードモジュール、デバイスおよびサブマウントモジュール上にチップを作製する方法
JP2018502060A Active JP6930958B2 (ja) 2015-03-27 2016-03-28 レーザー投影モジュール
JP2022111329A Active JP7382458B2 (ja) 2015-03-27 2022-07-11 レーザダイオードモジュール、デバイスおよびサブマウントモジュール上にチップを作製する方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018502044A Active JP7433762B2 (ja) 2015-03-27 2016-03-25 レーザダイオードモジュール、デバイスおよびサブマウントモジュール上にチップを作製する方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022111329A Active JP7382458B2 (ja) 2015-03-27 2022-07-11 レーザダイオードモジュール、デバイスおよびサブマウントモジュール上にチップを作製する方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US11431146B2 (ja)
EP (2) EP3275057B1 (ja)
JP (3) JP7433762B2 (ja)
KR (2) KR102458413B1 (ja)
CN (2) CN107624205B (ja)
IL (2) IL254757B (ja)
SG (4) SG10201908973VA (ja)
WO (2) WO2016160547A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020036053A1 (ja) * 2018-08-15 2020-02-20 ソニー株式会社 発光装置および投射型表示装置
JP2020113718A (ja) * 2019-01-16 2020-07-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2023229017A1 (ja) * 2022-05-27 2023-11-30 京セラ株式会社 レーザ装置及び光学部品搭載用パッケージ

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114618A1 (de) * 2014-10-08 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016106896A1 (de) 2016-04-14 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil
DE102017124147A1 (de) * 2017-10-17 2019-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement
JP7080971B2 (ja) 2017-11-01 2022-06-06 ヌブル インク マルチkWクラスの青色レーザーシステム
US10763639B2 (en) * 2018-02-12 2020-09-01 Lumentum Operations Llc Emitter-on-sub-mount device
KR102111635B1 (ko) * 2018-02-23 2020-05-26 주식회사 옵티맥 레이저 프로젝터
EP3572769A4 (en) * 2018-02-27 2020-04-01 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. LASER PROJECTION MODULE, DEPTH CAMERA AND ELECTRONIC DEVICE
CN108490632B (zh) * 2018-03-12 2020-01-10 Oppo广东移动通信有限公司 激光投射模组、深度相机和电子装置
CN109412017A (zh) * 2018-10-30 2019-03-01 上海索晔国际贸易有限公司 一种vcsel激光器件
CN112970198A (zh) 2018-10-30 2021-06-15 埃赛力达加拿大有限公司 高速开关电路配置
US11264778B2 (en) 2018-11-01 2022-03-01 Excelitas Canada, Inc. Quad flat no-leads package for side emitting laser diode
US10788632B2 (en) * 2019-01-29 2020-09-29 Google Llc Device and method for coupling laser to a photonic integrated circuit
JPWO2021131171A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01
DE102020114371A1 (de) 2020-05-28 2021-12-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102021129698A1 (de) * 2021-11-15 2023-05-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
CN117783199B (zh) * 2024-02-27 2024-05-14 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种线膨胀系数检测装置及方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03214112A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Sony Corp 光集積回路及び集積回路用パッケージ
JPH06203403A (ja) * 1992-10-22 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JPH0758414A (ja) * 1993-08-17 1995-03-03 Fuji Electric Co Ltd 光モジュール
JPH0896393A (ja) * 1994-07-29 1996-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置とこれを用いた光ピックアップ装置
JPH10256648A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd レーザダイオード・モジュール
US5905750A (en) * 1996-10-15 1999-05-18 Motorola, Inc. Semiconductor laser package and method of fabrication
JP2002374027A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2003264332A (ja) * 2002-03-12 2003-09-19 Sharp Corp 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ
JP2003309314A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sony Corp 集積光学素子及びその製造方法
US6778576B1 (en) * 1999-09-14 2004-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Encapsulated illumination unit
JP2004289010A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Sony Corp 発光装置
US20130272329A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9000161A (nl) * 1990-01-23 1991-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een drager en werkwijze voor het vervaardigen van de drager.
JPH0497581A (ja) 1990-08-15 1992-03-30 Nec Corp 半導体レーザのヒートシンク
JPH06188516A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Matsushita Electron Corp 光半導体装置およびその製造方法
US5748658A (en) 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
US5355382A (en) * 1993-11-22 1994-10-11 Xerox Corporation Composite laser array support
WO1995028735A2 (en) * 1994-04-15 1995-10-26 Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a device whereby a support bar is provided with conductor tracks for electrically contacting a semiconductor element
KR100373801B1 (ko) 1994-07-29 2003-05-09 산요 덴키 가부시키가이샤 반도체레이저장치및이를이용한광픽업장치
JP4090512B2 (ja) * 1997-04-08 2008-05-28 日本オプネクスト株式会社 光モジュール
US5844257A (en) 1997-06-12 1998-12-01 Quarton, Inc. Multi-directional light emitting semiconductor device
JP2001189027A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Pioneer Electronic Corp ハイブリッド光モジュールのパッケージ構造ならびにその製造方法
KR100400081B1 (ko) 2001-11-24 2003-09-29 한국전자통신연구원 광전 모듈용 서브마운트 및 이를 이용한 실장 방법
JP2004022760A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Oki Electric Ind Co Ltd レーザダイオード
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US7061025B2 (en) * 2003-03-10 2006-06-13 Mccolloch Lawrence R Optoelectronic device packaging assemblies and methods of making the same
KR100568275B1 (ko) * 2003-09-19 2006-04-05 삼성전기주식회사 Pcb타입 리드프레임을 갖는 반도체 레이저 다이오드장치
JP4161899B2 (ja) * 2003-12-22 2008-10-08 松下電工株式会社 光導波路モジュール
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
JP2006066739A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Kyocera Corp サブマウントおよびその製造方法
JP2006072232A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Mitsubishi Electric Corp 光送受信モジュール
KR101181501B1 (ko) 2004-09-13 2012-09-11 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 마이크로-머신 구조들에 밀봉으로 패키징된 광 모듈
CN1790845A (zh) * 2004-12-17 2006-06-21 上海飞恩微电子有限公司 高速宽频光电传输to-can组件
DE102005006052A1 (de) * 2004-12-21 2006-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Linse, Laseranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Laseranordnung
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP4165760B2 (ja) * 2005-01-11 2008-10-15 ローム株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
US8447153B2 (en) * 2006-04-27 2013-05-21 Finisar Corporation Low inductance optical transmitter submount assembly
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
JP5058549B2 (ja) * 2006-10-04 2012-10-24 矢崎総業株式会社 光素子モジュール
JP2008198716A (ja) 2007-02-09 2008-08-28 Eudyna Devices Inc 光半導体装置
JP5384819B2 (ja) 2007-12-07 2014-01-08 日本特殊陶業株式会社 光電気混載パッケージ、光電気混載モジュール
JP5033688B2 (ja) * 2008-03-18 2012-09-26 株式会社リコー 光源装置、光走査装置及び画像形成装置
JP4492733B2 (ja) * 2008-05-27 2010-06-30 ソニー株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20090310635A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Applied Optoelectronics, Inc. Wavelength locker and laser package including same
CN101499446B (zh) * 2009-02-26 2013-10-16 光宝电子(广州)有限公司 导线架料片、封装结构以及发光二极管封装结构
US8465172B2 (en) * 2009-12-17 2013-06-18 Phoseon Technology, Inc. Lighting module with diffractive optical element
CN104241500B (zh) * 2010-02-05 2018-06-12 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装结构和显示装置
MY170920A (en) * 2010-11-02 2019-09-17 Carsem M Sdn Bhd Leadframe package with recessed cavity for led
KR101192183B1 (ko) 2010-11-26 2012-10-17 (주)포인트엔지니어링 Led 패키지와 led 패키지용 금속 서브마운트 및 그 제조방법
CN202178295U (zh) * 2011-03-02 2012-03-28 惠州科锐半导体照明有限公司 发光二极管封装件
US8659889B2 (en) * 2011-05-20 2014-02-25 Apple Inc. Docking station for providing digital signage
US9449941B2 (en) * 2011-07-07 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Connecting function chips to a package to form package-on-package
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
CN103457150A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构及其封装方法
CN103883918A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯条
US20140218892A1 (en) * 2013-02-05 2014-08-07 Intematix Corporation Wide emission angle led package with remote phosphor component
DE102013201931B4 (de) 2013-02-06 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN103972357B (zh) * 2013-02-06 2016-12-28 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装件及其导线架
CN103178193B (zh) 2013-03-29 2016-02-17 上海大学 防止大功率发光二极管芯片偏移的封装结构及其制备工艺
US9300112B2 (en) * 2013-12-18 2016-03-29 Lumentum Operations Llc Packaged laser diode and method of packaging a laser diode
JP5834125B1 (ja) * 2014-09-29 2015-12-16 株式会社フジクラ 光ファイバモジュール

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03214112A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Sony Corp 光集積回路及び集積回路用パッケージ
JPH06203403A (ja) * 1992-10-22 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JPH0758414A (ja) * 1993-08-17 1995-03-03 Fuji Electric Co Ltd 光モジュール
JPH0896393A (ja) * 1994-07-29 1996-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置とこれを用いた光ピックアップ装置
US5905750A (en) * 1996-10-15 1999-05-18 Motorola, Inc. Semiconductor laser package and method of fabrication
JPH10256648A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd レーザダイオード・モジュール
US6778576B1 (en) * 1999-09-14 2004-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Encapsulated illumination unit
JP2002374027A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2003264332A (ja) * 2002-03-12 2003-09-19 Sharp Corp 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ
JP2003309314A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sony Corp 集積光学素子及びその製造方法
JP2004289010A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Sony Corp 発光装置
US20130272329A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020036053A1 (ja) * 2018-08-15 2020-02-20 ソニー株式会社 発光装置および投射型表示装置
JPWO2020036053A1 (ja) * 2018-08-15 2021-09-24 ソニーグループ株式会社 発光装置および投射型表示装置
JP7428129B2 (ja) 2018-08-15 2024-02-06 ソニーグループ株式会社 発光装置および投射型表示装置
JP2020113718A (ja) * 2019-01-16 2020-07-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2023229017A1 (ja) * 2022-05-27 2023-11-30 京セラ株式会社 レーザ装置及び光学部品搭載用パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201908973VA (en) 2019-11-28
KR102471307B1 (ko) 2022-11-25
JP7382458B2 (ja) 2023-11-16
WO2016160704A1 (en) 2016-10-06
CN107624205A (zh) 2018-01-23
US11431146B2 (en) 2022-08-30
EP3275057A4 (en) 2018-12-26
IL254763A0 (en) 2017-12-31
IL254763B (en) 2022-04-01
EP3274760A4 (en) 2018-04-04
EP3274760A1 (en) 2018-01-31
EP3275057B1 (en) 2022-05-25
SG11201707950QA (en) 2017-10-30
CN108012573B (zh) 2021-09-03
JP2018511186A (ja) 2018-04-19
IL254757B (en) 2022-01-01
JP6930958B2 (ja) 2021-09-01
KR20170130499A (ko) 2017-11-28
SG10201908895VA (en) 2019-11-28
US20160285233A1 (en) 2016-09-29
SG11201707952UA (en) 2017-10-30
US20180287336A1 (en) 2018-10-04
CN107624205B (zh) 2020-03-17
CN108012573A (zh) 2018-05-08
WO2016160547A1 (en) 2016-10-06
KR20170136545A (ko) 2017-12-11
US10944237B2 (en) 2021-03-09
JP2022133477A (ja) 2022-09-13
IL254757A0 (en) 2017-12-31
EP3275057A1 (en) 2018-01-31
JP7433762B2 (ja) 2024-02-20
KR102458413B1 (ko) 2022-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6930958B2 (ja) レーザー投影モジュール
US10506148B2 (en) Integrated photonics module for optical projection
US9553423B2 (en) Miniature structured light illuminator
CN102193295B (zh) 用于光学投影的集成光子学模块
US7230280B2 (en) Collimating light from an LED device
US8267532B2 (en) Passive alignment method and its application in micro projection devices
TW201610398A (zh) 包括垂直對齊特徵之光發射器及光偵測器模組
JP6230720B2 (ja) 光部品、光モジュールおよび光部品の製造方法
KR20160019113A (ko) 통합 구조화된 광 프로젝터
US10734366B2 (en) Opto-electronic module for emitting light of variable intensity distribution
US20130100685A1 (en) Led lighting assembly with mounting element for optics
US20170288366A1 (en) Thin laser package for optical applications
US10714891B2 (en) Projector, electronic device having projector and associated manufacturing method
JP6541165B1 (ja) 光走査方法、光走査装置及び物体検出装置
JP2009134320A (ja) 光モジュールの製造方法
JP2008041918A (ja) 光学装置および光学モジュール
TWM579820U (zh) A VCSEL laser device
KR20090109670A (ko) 일체형 광모듈 패키지 및 그 제조방법
TW201439632A (zh) 光電裝置及組裝光電裝置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210720

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210810

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210812

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6930958

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150