JP2004022760A - レーザダイオード - Google Patents
レーザダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004022760A JP2004022760A JP2002174835A JP2002174835A JP2004022760A JP 2004022760 A JP2004022760 A JP 2004022760A JP 2002174835 A JP2002174835 A JP 2002174835A JP 2002174835 A JP2002174835 A JP 2002174835A JP 2004022760 A JP2004022760 A JP 2004022760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- submount
- chip
- diode chip
- header
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】レーザダイオードチップのサブマウントへの熱伝導を改善し,放熱効果を上げることにより,レーザダイオードの高電流入力時の発熱によるチップの温度上昇を低減し,光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させる。
【解決手段】レーザダイオードチップ110をサブマウント120上に接続する際に,レーザダイオードチップ110を,サブマウント120上面の中央付近に配置する方法を用いる。この時,レーザダイオードチップ110の出力側サブマウント120端からの位置を,レーザダイオードチップ活性層140のサブマウント120表面からの距離145を,活性層140から発せられるレーザ光の垂直方向広がり角135の半分の角度の正接で除した値以内の距離150に配置する。
【選択図】 図2
【解決手段】レーザダイオードチップ110をサブマウント120上に接続する際に,レーザダイオードチップ110を,サブマウント120上面の中央付近に配置する方法を用いる。この時,レーザダイオードチップ110の出力側サブマウント120端からの位置を,レーザダイオードチップ活性層140のサブマウント120表面からの距離145を,活性層140から発せられるレーザ光の垂直方向広がり角135の半分の角度の正接で除した値以内の距離150に配置する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は,チップがサブマウントを介して実装されるレーザダイオードについて,そのチップ接続位置,及びサブマウント形状に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
レーザダイオードは出力光をチップの側面から放出する。電子と正孔が再結合する際にエネルギーを放出して光を生成するのであるが,電子と正孔はそれぞれ−と+の極性を持っており,電流を流すことで,活性層にてちょうど再結合するように設計されている。温度が上がると,電子,正孔それぞれがより高エネルギーになり,活性層にとどまる時間が減少し,その結果光出力は減少してしまう。そのため,レーザダイオードチップの放熱効果を高めることが重要となる。
【0003】
レーザダイオードチップを接続する方法は,パッケージ本体(ヘッダ)に直接接続するものと,サブマウントを介するものとがある。接続には,インジウム(In),鉛スズ(PbSn),金スズ(AuSn),金シリコン(AuSi)などのはんだ材が用いられている。直接接続は,構造が簡単であるが,チップ取り付け面を高精度に加工する必要があり,またパッケージ材料とチップの熱膨張係数の差による熱応力をさけるため,柔らかいInはんだしか使用できない難点がある。
【0004】
サブマウントを用いる場合は,レーザダイオードチップをヘッダに搭載する際,レーザダイオードチップとヘッダの熱膨張係数の違いに起因するチップ破損を防ぐ緩衝材として用いられ,材料としては熱伝導がよく,熱膨張係数がチップのものに近く,加工性のよいSi,炭化シリコン(SiC)の他,ダイヤモンド,酸化ベリリウム(BeO),銅タングステン(CuW),窒化アルミニウム(AlN),窒化ホウ素(CBN)などが使用される。
【0005】
また,チップの接続には,チップのpn接合側を放熱体に接続するジャンクションダウン法と,pn接合側を逆に隔てて置くジャンクションアップ法に分けることができる。ジャンクションダウン法は,pn接合近くにはんだ材が位置するため,組み立て作業が難しいが,放熱性が優れており,高出力レーザなど高い電流で動作する場合に適している。ジャンクションアップ法は,放熱性は劣るが,チップの接続が容易な上,接合部に応力が加わりにくい利点,比較的小電流で動作するレーザに都合がよい。
【0006】
図8(a)は,従来技術によるレーザダイオードチップの実装図であり,レーザダイオードチップ1,サブマウント2,ヘッダ3から成っている。図8(b)ではジャンクションダウン法により実装した場合の,サブマウント2をレーザダイオード発光方向から見た図,図8(c)は,サブマウント2を横方向から見た図であり,発光部からの光の広がり5がわかる。サブマウント2の形状としては,加工性の良さから,直方体の形状が用いられる。
【0007】
実装手順として,まずサブマウント2にレーザダイオードチップ1をボンディングし,その後サブマウント2をヘッダ3に搭載し,レーザダイオードの他方の電極は,ワイヤボンディングによりパッケージ電極リードに導かれる。ワイヤボンディングは,直径25μmのAuまたはAl線を使用し,熱圧着法や超音波法により接続する。その後,レーザダイオードチップ1に電流を流すことでレーザダイオードチップ1が発光する。
【0008】
図8(a)のように実装する際,レーザダイオードチップ1の活性層での発熱を効率よく逃がすためには,ジャンクションダウン法が適しており,図8(b)に示すように,活性層4はサブマウント2に近い側に配置される。また,活性層から発生される光は,垂直方向に約±20度,水平方向に約±5〜10度の広がりがあり,その広がりのある光をレンズや,ファイバなどにロス無く入射させるため,図8(c)に示すように,レーザダイオードチップ1の前端面とサブマウント2の端面とヘッダ3の端面をほぼ一直線上に配置している。こうして端をそろえる方法は,実装を容易にし,レーザダイオードと対向するレンズとの距離をほぼ一定にすることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが上記のように実装した場合,レーザダイオードチップ1前端面側のサブマウント2端では,放熱領域が小さくなるため,レーザダイオードチップ1前端面側がより高温となる。図9にレーザダイオードチップ1,サブマウント2の熱伝導の模式図を示した。この図からわかるように前端面側が熱伝導が悪く,より高温になるとレーザダイオードチップの放熱がより悪くなり,図10に示すように,高出力レーザダイオードモジュールにおける高電流入力領域において,チップの発熱の影響による出力光特性の飽和が問題となっていた。
【0010】
本発明は,従来のレーザダイオードに関する上記問題点に鑑みてなされたものであり,本発明の目的は,レーザダイオードの出力ロスを増加させることなく,チップの放熱を改善することにより,チップの発熱の影響による出力光特性の飽和問題を解決した,新規かつ改良されたレーザダイオードを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため,本発明の第1の観点によれば,チップがサブマウントを介してヘッダに実装されるレーザダイオードにおいて,サブマウント上面の中央付近にレーザダイオードチップが接続されており,そのサブマウントがヘッダ上面に接続されることを特徴とするレーザダイオードが提供される。
【0012】
例えば,レーザダイオードチップの出力側サブマウント端からの位置を,レーザダイオードチップ活性層のサブマウント表面からの距離を,活性層から発せられるレーザ光の垂直方向広がり角の半分の角度の正接で除した値以内の距離に配置する。こうしてチップのサブマウントへの配置位置を,従来の前端面から,出力光の光の広がりを考慮した配置限界まで後退させることにより,チップ前端面の温度上昇を低減し,サブマウントへの熱伝導が改善され,つまり放熱効果を上げることができるため,レーザダイオードの高電流入力時のチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることができる。
【0013】
また,サブマウントのレーザダイオードチップの配置箇所の前方部分を,テーパ状に加工することにより,さらにチップをサブマウントの中央に配置することができて,より大きな放熱効果を得ることができ,チップの発熱による光出力飽和を防ぐことができる。
【0014】
さらに,サブマウントのレーザダイオードチップの配置箇所の前方部分を,溝加工することにより,チップ前端面近傍のサブマウントの体積が大きくなるので,さらに大きな放熱効果を得ることができ,光出力飽和を防ぐことができる。
【0015】
またレーザダイオードチップのサブマウント上面への配置を変えるだけでなく,サブマウントをヘッダ上面の中央付近に配置することにより,チップからサブマウントへの熱伝導と同様,サブマウントからヘッダへも効率よく熱伝導ができるので,より放熱効果を高め,光出力飽和を防ぐことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら,本発明にかかるレーザダイオードの好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0017】
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態について,図1に概略図を示す。図1(a)に本実施の形態による,チップ110を搭載したサブマウント120全体の斜視図を,(b)に横方向から見た平面図を示す。また,図2は発光部分を拡大した横方向からの図である。レーザダイオードチップ110を,従来の前端面でなく,サブマウント120の中央側に配置している。このとき,活性層140からの光出力を遮らないようにチップを中央側に移動させることのできる距離b150は,活性層高さa145,出力光広がりθ135とすると,図2からわかるようにb=a/tan(θ/2)となる。
【0018】
こうして,チップを中央側に距離b以内で移動させることにより,図3に示すように,レーザダイオードチップ110の前端面側での発熱がA部125を介して放熱され,従来よりもチップ前端面の温度上昇を低減することができる。その結果,レーザダイオードチップの放熱効果が上がり,高電流入力時でのチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることが出来る。
【0019】
(第2の実施の形態)
第1の実施の形態は,レーザダイオードチップをサブマウント中央側に配置したが,第2の実施の形態ではサブマウントのレーザダイオードチップ前端面側にテーパ430を設けた。図4(a)に本実施の形態による,チップ410を搭載したサブマウント420全体の斜視図を,(b)に横方向から見た平面図を示す。この際,テーパ430の角度はレーザダイオードチップの発光の広がりよりも大きくする。テーパ角と,その大きさは,チップの電流や電圧の条件や,サブマウントの材質により異なるが,放熱効果を高めかつ,出力ロスのない距離であることが好ましい。
【0020】
第1の実施の形態では,発光の広がりに制限され,レーザダイオードチップを配置できる位置に限界があったが,第2の実施の形態では,サブマウントにテーパーを設けることで,第1の実施の形態よりもサブマウントの中央にレーザダイオードチップを配置でき,より大きな放熱効果が得られる。それにより,より高電流入力時でのチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることが出来る。
【0021】
(第3の実施の形態)
第2の実施の形態では,サブマウントのレーザダイオードチップ前端面側にテーパを設けたが,第3の実施の形態では,レーザダイオードチップの前端面近傍に,溝段差を設けてサブマウント表面形状を変更した。図5(a)に本実施の形態による,チップ510を搭載したサブマウント520全体の斜視図を,(b)に横方向から見た平面図を示す。溝530の形状や,形成の位置については,やはりチップの電流や電圧の条件や,サブマウントの材質により異なるが,放熱効果を高めかつ,出力ロスを出さない条件により制限される。
【0022】
このような場合,第2の実施の形態よりもレーザダイオードチップ前端面近傍に存在するサブマウントの体積が大きくなるので第2の実施例よりも大きな放熱効果が得られる。つまり,高電流入力時での熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることができる。加えて,溝のような段差を設けるのは,テーパを作製するよりも簡単に作製できるので,第2の実施の形態の効果に加えて,サブマウントのコストの低減が図れる。
【0023】
(第4の実施の形態)
次に,第4の実施の形態として,第1から第3の実施の形態に加えて,従来ヘッダの前端面に搭載されていたサブマウントを,ヘッダの中央側へ配置している。図6(a)に本実施の形態による,チップ610を搭載したサブマウント620をヘッダ630に配置した全体の斜視図を,(b)にヘッダのA−A部断面図を示す。ヘッダの中央側への配置する位置は,使用条件や材質から決まり,レンズや,ファイバなどにロス無く入射させる距離を限界とする。
【0024】
こうして,レーザダイオードチップからサブマウントへの熱伝導のときと同様の効果で,サブマウントを前端面から中央部へ配置することにより,ヘッダヘも効率よく熱伝導することができる。その結果,第1から第3の実施の形態のみ実施した場合よりも,さらに高電流入力領域でのチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることが出来る。
【0025】
図7は,第1〜第3の実施の形態,並びに第3に第4の実施の形態を加えたものについて,従来品と比較して光出力の入力電流依存性を測定したものである。本実施の形態により,光出力飽和特性が実際に改善されていることがわかる。
【0026】
以上,添付図面を参照しながら本発明にかかるレーザダイオードの好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0027】
ここで,本実施の形態では,ジャンクションダウン実装の場合を記述したが,ジャンクションアップ実装の場合にも本発明は有効である。また,第2の実施の形態では,サブマウントのテーパは直線としたが,レーザダイオードチップの発光を遮らなければ,曲線形状でもよい。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば,レーザダイオードの従来の実装のようにヘッドやサブマウントの前端面に,レーザダイオードチップ端の発光面を合わせるのではなく,発光の広がりを遮らない距離や方法で中央側に寄せることにより,熱伝導を良くし,放熱効果を高めて,チップの温度上昇を改善できる。その結果,レーザダイオードの出力ロスを増加させることなく,レーザダイオードの高電流入力時のチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はサブマウント全体の斜視図,(b)はサブマウントを横方向から見た平面図を示す。
【図2】本発明の第1の実施の形態にかかるレーザダイオードチップを接続するサブマウントを横方向から見た,光出力部を拡大した平面図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態にかかるレーザダイオードチップを接続するサブマウントの熱伝導模式図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はサブマウント全体の斜視図,(b)はサブマウントを横方向から見た平面図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はサブマウント全体の斜視図,(b)はサブマウントを横方向から見た平面図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はヘッダ全体の斜視図,(b)ヘッダのA−A部断面図である。
【図7】本発明の第1〜第3の実施の形態と,第3に第4の実施の形態を加えたものと,従来技術による組み立てのレーザダイオードについて,光出力の入力電流依存性を比較した結果である。
【図8】従来技術によるレーザダイオードの概略図であり,(a)はヘッダ全体の斜視図,(b)はサブマウントをレーザダイオード発光方向から見た平面図,(c)はサブマウントを横方向から見た平面図である。
【図9】従来技術によるレーザダイオードチップを接続するサブマウントの熱伝導を表す説明図である。
【図10】従来技術による組み立てのレーザダイオードについて,光出力の入力電流依存性を表した図である。
【符号の説明】
110 レーザダイオードチップ
120 サブマウント
135 出力光広がりθ
140 活性層
145 活性層高さa
150 距離b
【発明の属する技術分野】
本発明は,チップがサブマウントを介して実装されるレーザダイオードについて,そのチップ接続位置,及びサブマウント形状に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
レーザダイオードは出力光をチップの側面から放出する。電子と正孔が再結合する際にエネルギーを放出して光を生成するのであるが,電子と正孔はそれぞれ−と+の極性を持っており,電流を流すことで,活性層にてちょうど再結合するように設計されている。温度が上がると,電子,正孔それぞれがより高エネルギーになり,活性層にとどまる時間が減少し,その結果光出力は減少してしまう。そのため,レーザダイオードチップの放熱効果を高めることが重要となる。
【0003】
レーザダイオードチップを接続する方法は,パッケージ本体(ヘッダ)に直接接続するものと,サブマウントを介するものとがある。接続には,インジウム(In),鉛スズ(PbSn),金スズ(AuSn),金シリコン(AuSi)などのはんだ材が用いられている。直接接続は,構造が簡単であるが,チップ取り付け面を高精度に加工する必要があり,またパッケージ材料とチップの熱膨張係数の差による熱応力をさけるため,柔らかいInはんだしか使用できない難点がある。
【0004】
サブマウントを用いる場合は,レーザダイオードチップをヘッダに搭載する際,レーザダイオードチップとヘッダの熱膨張係数の違いに起因するチップ破損を防ぐ緩衝材として用いられ,材料としては熱伝導がよく,熱膨張係数がチップのものに近く,加工性のよいSi,炭化シリコン(SiC)の他,ダイヤモンド,酸化ベリリウム(BeO),銅タングステン(CuW),窒化アルミニウム(AlN),窒化ホウ素(CBN)などが使用される。
【0005】
また,チップの接続には,チップのpn接合側を放熱体に接続するジャンクションダウン法と,pn接合側を逆に隔てて置くジャンクションアップ法に分けることができる。ジャンクションダウン法は,pn接合近くにはんだ材が位置するため,組み立て作業が難しいが,放熱性が優れており,高出力レーザなど高い電流で動作する場合に適している。ジャンクションアップ法は,放熱性は劣るが,チップの接続が容易な上,接合部に応力が加わりにくい利点,比較的小電流で動作するレーザに都合がよい。
【0006】
図8(a)は,従来技術によるレーザダイオードチップの実装図であり,レーザダイオードチップ1,サブマウント2,ヘッダ3から成っている。図8(b)ではジャンクションダウン法により実装した場合の,サブマウント2をレーザダイオード発光方向から見た図,図8(c)は,サブマウント2を横方向から見た図であり,発光部からの光の広がり5がわかる。サブマウント2の形状としては,加工性の良さから,直方体の形状が用いられる。
【0007】
実装手順として,まずサブマウント2にレーザダイオードチップ1をボンディングし,その後サブマウント2をヘッダ3に搭載し,レーザダイオードの他方の電極は,ワイヤボンディングによりパッケージ電極リードに導かれる。ワイヤボンディングは,直径25μmのAuまたはAl線を使用し,熱圧着法や超音波法により接続する。その後,レーザダイオードチップ1に電流を流すことでレーザダイオードチップ1が発光する。
【0008】
図8(a)のように実装する際,レーザダイオードチップ1の活性層での発熱を効率よく逃がすためには,ジャンクションダウン法が適しており,図8(b)に示すように,活性層4はサブマウント2に近い側に配置される。また,活性層から発生される光は,垂直方向に約±20度,水平方向に約±5〜10度の広がりがあり,その広がりのある光をレンズや,ファイバなどにロス無く入射させるため,図8(c)に示すように,レーザダイオードチップ1の前端面とサブマウント2の端面とヘッダ3の端面をほぼ一直線上に配置している。こうして端をそろえる方法は,実装を容易にし,レーザダイオードと対向するレンズとの距離をほぼ一定にすることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが上記のように実装した場合,レーザダイオードチップ1前端面側のサブマウント2端では,放熱領域が小さくなるため,レーザダイオードチップ1前端面側がより高温となる。図9にレーザダイオードチップ1,サブマウント2の熱伝導の模式図を示した。この図からわかるように前端面側が熱伝導が悪く,より高温になるとレーザダイオードチップの放熱がより悪くなり,図10に示すように,高出力レーザダイオードモジュールにおける高電流入力領域において,チップの発熱の影響による出力光特性の飽和が問題となっていた。
【0010】
本発明は,従来のレーザダイオードに関する上記問題点に鑑みてなされたものであり,本発明の目的は,レーザダイオードの出力ロスを増加させることなく,チップの放熱を改善することにより,チップの発熱の影響による出力光特性の飽和問題を解決した,新規かつ改良されたレーザダイオードを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため,本発明の第1の観点によれば,チップがサブマウントを介してヘッダに実装されるレーザダイオードにおいて,サブマウント上面の中央付近にレーザダイオードチップが接続されており,そのサブマウントがヘッダ上面に接続されることを特徴とするレーザダイオードが提供される。
【0012】
例えば,レーザダイオードチップの出力側サブマウント端からの位置を,レーザダイオードチップ活性層のサブマウント表面からの距離を,活性層から発せられるレーザ光の垂直方向広がり角の半分の角度の正接で除した値以内の距離に配置する。こうしてチップのサブマウントへの配置位置を,従来の前端面から,出力光の光の広がりを考慮した配置限界まで後退させることにより,チップ前端面の温度上昇を低減し,サブマウントへの熱伝導が改善され,つまり放熱効果を上げることができるため,レーザダイオードの高電流入力時のチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることができる。
【0013】
また,サブマウントのレーザダイオードチップの配置箇所の前方部分を,テーパ状に加工することにより,さらにチップをサブマウントの中央に配置することができて,より大きな放熱効果を得ることができ,チップの発熱による光出力飽和を防ぐことができる。
【0014】
さらに,サブマウントのレーザダイオードチップの配置箇所の前方部分を,溝加工することにより,チップ前端面近傍のサブマウントの体積が大きくなるので,さらに大きな放熱効果を得ることができ,光出力飽和を防ぐことができる。
【0015】
またレーザダイオードチップのサブマウント上面への配置を変えるだけでなく,サブマウントをヘッダ上面の中央付近に配置することにより,チップからサブマウントへの熱伝導と同様,サブマウントからヘッダへも効率よく熱伝導ができるので,より放熱効果を高め,光出力飽和を防ぐことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら,本発明にかかるレーザダイオードの好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0017】
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態について,図1に概略図を示す。図1(a)に本実施の形態による,チップ110を搭載したサブマウント120全体の斜視図を,(b)に横方向から見た平面図を示す。また,図2は発光部分を拡大した横方向からの図である。レーザダイオードチップ110を,従来の前端面でなく,サブマウント120の中央側に配置している。このとき,活性層140からの光出力を遮らないようにチップを中央側に移動させることのできる距離b150は,活性層高さa145,出力光広がりθ135とすると,図2からわかるようにb=a/tan(θ/2)となる。
【0018】
こうして,チップを中央側に距離b以内で移動させることにより,図3に示すように,レーザダイオードチップ110の前端面側での発熱がA部125を介して放熱され,従来よりもチップ前端面の温度上昇を低減することができる。その結果,レーザダイオードチップの放熱効果が上がり,高電流入力時でのチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることが出来る。
【0019】
(第2の実施の形態)
第1の実施の形態は,レーザダイオードチップをサブマウント中央側に配置したが,第2の実施の形態ではサブマウントのレーザダイオードチップ前端面側にテーパ430を設けた。図4(a)に本実施の形態による,チップ410を搭載したサブマウント420全体の斜視図を,(b)に横方向から見た平面図を示す。この際,テーパ430の角度はレーザダイオードチップの発光の広がりよりも大きくする。テーパ角と,その大きさは,チップの電流や電圧の条件や,サブマウントの材質により異なるが,放熱効果を高めかつ,出力ロスのない距離であることが好ましい。
【0020】
第1の実施の形態では,発光の広がりに制限され,レーザダイオードチップを配置できる位置に限界があったが,第2の実施の形態では,サブマウントにテーパーを設けることで,第1の実施の形態よりもサブマウントの中央にレーザダイオードチップを配置でき,より大きな放熱効果が得られる。それにより,より高電流入力時でのチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることが出来る。
【0021】
(第3の実施の形態)
第2の実施の形態では,サブマウントのレーザダイオードチップ前端面側にテーパを設けたが,第3の実施の形態では,レーザダイオードチップの前端面近傍に,溝段差を設けてサブマウント表面形状を変更した。図5(a)に本実施の形態による,チップ510を搭載したサブマウント520全体の斜視図を,(b)に横方向から見た平面図を示す。溝530の形状や,形成の位置については,やはりチップの電流や電圧の条件や,サブマウントの材質により異なるが,放熱効果を高めかつ,出力ロスを出さない条件により制限される。
【0022】
このような場合,第2の実施の形態よりもレーザダイオードチップ前端面近傍に存在するサブマウントの体積が大きくなるので第2の実施例よりも大きな放熱効果が得られる。つまり,高電流入力時での熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることができる。加えて,溝のような段差を設けるのは,テーパを作製するよりも簡単に作製できるので,第2の実施の形態の効果に加えて,サブマウントのコストの低減が図れる。
【0023】
(第4の実施の形態)
次に,第4の実施の形態として,第1から第3の実施の形態に加えて,従来ヘッダの前端面に搭載されていたサブマウントを,ヘッダの中央側へ配置している。図6(a)に本実施の形態による,チップ610を搭載したサブマウント620をヘッダ630に配置した全体の斜視図を,(b)にヘッダのA−A部断面図を示す。ヘッダの中央側への配置する位置は,使用条件や材質から決まり,レンズや,ファイバなどにロス無く入射させる距離を限界とする。
【0024】
こうして,レーザダイオードチップからサブマウントへの熱伝導のときと同様の効果で,サブマウントを前端面から中央部へ配置することにより,ヘッダヘも効率よく熱伝導することができる。その結果,第1から第3の実施の形態のみ実施した場合よりも,さらに高電流入力領域でのチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることが出来る。
【0025】
図7は,第1〜第3の実施の形態,並びに第3に第4の実施の形態を加えたものについて,従来品と比較して光出力の入力電流依存性を測定したものである。本実施の形態により,光出力飽和特性が実際に改善されていることがわかる。
【0026】
以上,添付図面を参照しながら本発明にかかるレーザダイオードの好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0027】
ここで,本実施の形態では,ジャンクションダウン実装の場合を記述したが,ジャンクションアップ実装の場合にも本発明は有効である。また,第2の実施の形態では,サブマウントのテーパは直線としたが,レーザダイオードチップの発光を遮らなければ,曲線形状でもよい。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば,レーザダイオードの従来の実装のようにヘッドやサブマウントの前端面に,レーザダイオードチップ端の発光面を合わせるのではなく,発光の広がりを遮らない距離や方法で中央側に寄せることにより,熱伝導を良くし,放熱効果を高めて,チップの温度上昇を改善できる。その結果,レーザダイオードの出力ロスを増加させることなく,レーザダイオードの高電流入力時のチップの発熱による光出力飽和を防ぎ,光出力を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はサブマウント全体の斜視図,(b)はサブマウントを横方向から見た平面図を示す。
【図2】本発明の第1の実施の形態にかかるレーザダイオードチップを接続するサブマウントを横方向から見た,光出力部を拡大した平面図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態にかかるレーザダイオードチップを接続するサブマウントの熱伝導模式図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はサブマウント全体の斜視図,(b)はサブマウントを横方向から見た平面図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はサブマウント全体の斜視図,(b)はサブマウントを横方向から見た平面図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態にかかるレーザダイオードの概略図であり,(a)はヘッダ全体の斜視図,(b)ヘッダのA−A部断面図である。
【図7】本発明の第1〜第3の実施の形態と,第3に第4の実施の形態を加えたものと,従来技術による組み立てのレーザダイオードについて,光出力の入力電流依存性を比較した結果である。
【図8】従来技術によるレーザダイオードの概略図であり,(a)はヘッダ全体の斜視図,(b)はサブマウントをレーザダイオード発光方向から見た平面図,(c)はサブマウントを横方向から見た平面図である。
【図9】従来技術によるレーザダイオードチップを接続するサブマウントの熱伝導を表す説明図である。
【図10】従来技術による組み立てのレーザダイオードについて,光出力の入力電流依存性を表した図である。
【符号の説明】
110 レーザダイオードチップ
120 サブマウント
135 出力光広がりθ
140 活性層
145 活性層高さa
150 距離b
Claims (5)
- レーザダイオードにおいて;
ヘッダと,
前記ヘッダ上面に接続されるサブマウントと,
前記サブマウント上面の中央付近に接続されるレーザダイオードチップと, を含むことを特徴とするレーザダイオード。 - 前記サブマウントに接続される前記レーザダイオードチップは,出力側前記サブマウント端からの位置が,前記レーザダイオードチップ活性層の前記サブマウント下面からの距離を前記活性層から発せられるレーザ光の垂直方向広がり角の半分の角度の正接で除した値以内の距離となるように配置することを特徴とする請求項1に記載のレーザダイオード。
- 前記レーザダイオードチップが接続される前記サブマウントの配置箇所の前方部分を,テーパ状に加工することを特徴とする請求項1に記載のレーザダイオード。
- 前記レーザダイオードチップが接続される前記サブマウントの配置箇所の前方部分を,溝加工することを特徴とする請求項1に記載のレーザダイオード。
- 前記サブマウントは,前記ヘッダ上面の中央付近に配置されることを特徴とする請求項1,2,3または4のいずれかに記載のレーザダイオード。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174835A JP2004022760A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | レーザダイオード |
US10/435,596 US20030231674A1 (en) | 2002-06-14 | 2003-05-12 | Laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174835A JP2004022760A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | レーザダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004022760A true JP2004022760A (ja) | 2004-01-22 |
Family
ID=29727994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002174835A Pending JP2004022760A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | レーザダイオード |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030231674A1 (ja) |
JP (1) | JP2004022760A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007005505A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2007281076A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置に用いられる実装部材 |
JP2012514860A (ja) * | 2009-01-09 | 2012-06-28 | シーアン フォーカスライト テクノロジーズ カンパニー リミッテッド | 高出力半導体レーザおよびその製造方法 |
WO2020044882A1 (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100080254A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Lundquist Paul B | Temperature tuning of optical distortions |
US8391106B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-03-05 | Tdk Corporation | Heat-assisted magnetic recording head with laser diode |
US11431146B2 (en) | 2015-03-27 | 2022-08-30 | Jabil Inc. | Chip on submount module |
DE102018210136A1 (de) * | 2018-06-21 | 2019-12-24 | Trumpf Photonics, Inc. | Diodenlaseranordnung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62260384A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5793792A (en) * | 1996-05-08 | 1998-08-11 | Polaroid Corporation | Laser assembly with integral beam-shaping lens |
JPH11103120A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2000114655A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | サブマウントミラー方式面型レーザ |
JP2002299739A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-06-14 JP JP2002174835A patent/JP2004022760A/ja active Pending
-
2003
- 2003-05-12 US US10/435,596 patent/US20030231674A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007005505A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2007281076A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置に用いられる実装部材 |
JP2012514860A (ja) * | 2009-01-09 | 2012-06-28 | シーアン フォーカスライト テクノロジーズ カンパニー リミッテッド | 高出力半導体レーザおよびその製造方法 |
WO2020044882A1 (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030231674A1 (en) | 2003-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220216668A1 (en) | Light emitting device | |
JP6514281B2 (ja) | レーザ構成要素およびレーザ構成要素を製造するための方法 | |
US8537873B2 (en) | High power surface mount technology package for side emitting laser diode | |
JP4893582B2 (ja) | 光源装置 | |
WO2012172855A1 (ja) | レーザモジュール | |
JP2006313907A (ja) | 放熱構造体及びこれを具備した発光素子組立体 | |
JP2015207646A (ja) | 発光装置 | |
US10553757B2 (en) | UV LED package | |
JP2004207367A (ja) | 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板 | |
WO2019003546A1 (ja) | レーザ光源装置 | |
JP2017199849A (ja) | 発光装置の製造方法、レーザモジュールの製造方法及び発光装置 | |
JP2014086566A (ja) | 光波長変換装置 | |
US10748836B2 (en) | Semiconductor laser module and method for manufacturing the same | |
JP2004022760A (ja) | レーザダイオード | |
JP4893601B2 (ja) | 光源装置 | |
CN220086615U (zh) | 激光器 | |
CN112636160B (zh) | 激光器 | |
US6870866B2 (en) | Powerpack laser diode assemblies | |
TWI287300B (en) | Semiconductor package structure | |
JP2006128604A (ja) | 半導体レーザーダイオード | |
JP2019117880A (ja) | 光源装置 | |
US20220238775A1 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device | |
WO2020044882A1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
KR20030073208A (ko) | 히트싱크에 조립된 반도체 레이저 다이오드 어레이 | |
KR101501012B1 (ko) | 고출력 레이저 다이오드 모듈 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |