JPS62260384A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62260384A
JPS62260384A JP61105316A JP10531686A JPS62260384A JP S62260384 A JPS62260384 A JP S62260384A JP 61105316 A JP61105316 A JP 61105316A JP 10531686 A JP10531686 A JP 10531686A JP S62260384 A JPS62260384 A JP S62260384A
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JP
Japan
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laser diode
receiving element
light
laser
laser beams
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JP61105316A
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English (en)
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Hideya Yagoura
御秡如　英也
Isamu Yamamoto
勇 山本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、モニタ用受光素子とレーザダイオードとを内
蔵してなる半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来よυ、この種の装置として半導体装置ＭＬ４４０２
　（三菱電機製）、ＨＬ７８３１Ｇ（日立製）、ＲＬＤ
−７８Ａ（ローム製）等が市販嘔れている。第５図は、
これら半導体装置の基本構成を示す一部破断外観斜視図
であシ、第６図（ａ）は第５図におけるＡ矢視縦断面図
、第６図Φ）は第５図におけるＢ矢視縦断面図である。
これらの図において、１はレーザダイオード、２はこの
レーザダイオード１をサブマウント３を介して取着して
なるブロック、４は受光素子、５はこの受光素子４およ
びブロック２をその上面にボンディングしてなるステム
、６ａ〜６Ｃはリードピン、７ａはレーザダイオード１
とリードピン６ａとを接続するリード線、７ｂは受光素
子４とリードピン６ｂとを接続するリード線、８はステ
ム５の外周鍔部に嵌合されると共にレーザダイオード１
および受光素子４を収納するキャンプ、９はこのキャッ
プ８の上面部に開設されたレーザビーム出射光８ａの下
面側に配設されたガラス版である。
レーザダイオード１は、第５図および第６図においてそ
の上下方向にレーザビームを発射するように配置畑れて
おり、上方側に発射されるレーザビームが出力レーザビ
ームとしてキャブ８の出射孔８ａを介して外部に出射さ
れるようになっている。そして、下方側に発射されるレ
ーザビームがモニタ用レーザビームとして、このレーザ
ビームの出射方向に対して所定の傾斜角度でステム５上
に載置式れた受光素子４に照射されるようになっており
、この受光素子４におけるモニタ用レーザビームに基づ
いて出射孔ａａを介して出射される出力レーザビームの
調整を可能とするように構成されている。レーザダイオ
ード１はその動作時の発熱によシ動作が不安定となるの
で、その放熱性を良くするために熱伝導性の良い一般に
金属材よシなるブロック２に取着しておシ、両者の熱膨
張の差が直接レーザダ・ｆオード１に作用しないように
、レーザダイオード１とブロック２この間に一般にシリ
コン材よシなるサブマウント３を介装している。
そして、このような構成の半導体装置を製造する場合、
キャップ８を取着する前までの工程で、ステム５上に受
光素子４をダイボンドしてリード線７ｂをワイヤボンド
する工程と、ブロック２上にサブマウント３およびレー
ザダイオード１をダイボンドした後、このブロック２を
ステム５上にボンディングしてリード線１ａをワイヤボ
ンドする工程とがあシ、画素子でダイボンドおよびワイ
ヤボンド工程を別々に行っている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、このような半導体装置によると、その製
造過程において、レーザダイオード１側と受光素子４側
とでそのダイボンドおよびワイヤボンド工程を別々に行
っているので、生産性が悪く、コストアップの要因とな
っていた。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、その生産性を向上てせると共に
安価な半導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決−ゝるための手段〕
このような目的を達成するために、本発明は、レーザダ
イオードのモニタ用レーザビームを反射面を用いて受光
素子に導くようにしたものである。
〔作用〕
したがってこの発明によれば、レーザダイオードと受光
素子とを同一方向側から基板に配置し同一工程でボンデ
ィングを行うことが可能となる。
〔実施例〕
以下、本発明に係る半導体装置を詳細に説明する。第２
図はこの半導体装置の一実施例を示す縦断面図でおる。
同図において、第５図および第６図と同一符号は同一構
成部材および素子を示しその説明は詳細する。図におい
て、１０は熱伝導率の高い例えばＳｉＣ，ＡＩＮ等より
形成されてなる基板、１１はこの基板１０上に取着され
た断面路「＜」字状の反射板でメジ、キャップ８の下端
開口部は樹脂等の封止材１２によシ密閉されている。
第３図（ａ）およびΦ）は基板１０へのレーザダイオー
ド１．受光素子４および反射板１１の取着状態を示す正
面図および側面図であシ、レーザダイオード１および受
光素子４は基板１０の同一平面上に固着されている。レ
ーザダイオード１は図示上下方向にレーザビームを発射
するように配置されておシ、受光素子４はレーザダイオ
ード１のモニタ用レーザビームの出射方向側に配置され
、その受光面４ａに反射面１１ａを所定傾斜角度で面対
向させて反射板１１が基板１０上に固着されている。
基板１０には配線パターン１３ａ〜１３Ｃが描かれてお
シ、レーザダイオード１がリードｆＪ　７　ａを介して
配線パターン１３ａに、受光素子４がリード急７ｂを介
して配線パターン１３ｂに接続されている。
第１図に、このように構成された半ｚ、り体装ばにおけ
る出射レーザビームの光路を示す。すなわち、レーザダ
イオード１の発射するレーザビームは略２０〜４５゜広
がυ角で出射され、そのモニタ用レーザビーム２０が反
射板１１０反射面１１ａにおいて反射し、受光素子４の
受光面４ａに導かれる。
したがって、この受光素子４において検出でれるモニタ
用レーザビーム２０に基づいて出力レーザビーム２１の
調整が可能となる。レーザダイオ−ド１はその動作時に
発熱するが、基＆１０が熱伝導性の良いＳｉＣ等より形
成されているので、速やかに外部に放熱され、また線膨
張係数もレーザダイオード１に近いため、レーザダイオ
ード１へ作用する熱応力も小さくなる。
ところで、このように構成された半導体装置においては
、その製造過程において、レーザダイオード１と受光素
子４とを同一方向側から基板１０に配置し、同一工程で
そのダイボンドおよびワイヤボンドを行っている。すな
わち、反射板１１を用いてモニタ用レーザビーム２０の
光路を変えることによシ、レーザダイオード１と受光素
子４とを基板１０の同一平面上に配置することが可能と
なシ、各素子におけるダイボンドおよびワイヤボンド工
程を同時に行うことができており、その製造工程数の減
少によ）生産性の向上およびコストダウン化が図られて
いる。
同、本実施例においては、レーザダイオード１と受光素
子４とを基板１０の同一平面上に配置した例について説
明したが、第４図に示すよりに、レーザダイオード１と
基板１０この間にサブマウント３を介装してもよく、こ
のようにすることによって基板１０とレーザダイオード
１この熱膨張係数の違いによシ生ずる熱応力を緩和する
ことができ、また受光素子４におけるモニタ効率を高め
ることができる。つ［ハレーザダイオード１と受光素子
４とを同一方向側からダイボンドおよびワイヤボンドす
ることができれば、基板１ｏに対して平行な面上にレー
ザダイオード１および受光素子４を配置してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明による半導体装置によると、
レーザダイオードのモニタ用レーザビームを反射面を用
いて受光素子に導くようにしたので、レーザダイオード
と受光素子とを同一方向側から基板に配置し同一工程で
ボンディングを容易に行うことが可能となシ、その生産
性が向上すると共にコストダウン化が図られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は第２図に示した半導体装置におけるレーザダイ
オードの出射レーザビームの光路を示す側面図、第２図
は本発明に係る半導体装置の一実施例を示す縦断面図、
第３図（ａ）および（ｂ）はこの半導体装置の基板への
各部品の取着状態を示す正面図および側面図、第４図サ
ブマウントを介装してレーザダイオードを基板に取着し
た例を示す側面図、第５図は従来の半導体装置の基本構
成を示す一部破断外観斜視図、第６図（ａ）およびΦ）
は第５図におけるＡ矢視およびＢ矢視縦断面図である。 １・・・・レーザダイオード、４・・・・受光素子、１
０・・ｍｓ基板、１１・・・・反射板、１１ａ・・・・
反射面、２ｏ・・・・モニタ用レーザビーム、２１・・
＠拳出力レーザビーム。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくともその２方向にレーザビームを発射しそ
    の一方をモニタ用レーザビームとするレーザダイオード
    と、このレーザダイオードのモニタ用レーザビームを反
    射し受光素子に導く反射面とを備えてなる半導体装置。
  2. （２）レーザダイオードおよび受光素子は、基板に同一
    方向側から配置されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の半導体装置。
  3. （３）基板は、熱伝導性の良い材料で構成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置
    。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02500235A (ja) * 1987-06-01 1990-01-25 ビー・テイ・アンド　デイー　テクノロジイーズ・リミテッド 光デバイス
US4953006A (en) * 1989-07-27 1990-08-28 Northern Telecom Limited Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device
JP2001345507A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Rohm Co Ltd 半導体レーザおよび光ピックアップ
JP2008091745A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体ステムと光半導体装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0783082B2 (ja) * 1989-05-18 1995-09-06 株式会社東芝 半導体装置
US5089861A (en) * 1990-05-09 1992-02-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device with mounting block
US5140384A (en) * 1990-06-14 1992-08-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device mounted on a stem
US5130761A (en) * 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
GB2288231B (en) * 1991-10-22 1996-02-21 Marconi Gec Ltd Light emitting diode assembly
JPH06224406A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Mitsubishi Electric Corp 光集積回路
US6362876B1 (en) * 2000-06-21 2002-03-26 Shian-Fu Lai Laser beam power detecting device for planar type semiconductor laser diode
US6459710B1 (en) 2000-11-07 2002-10-01 Axsun Technologies, Inc. Reflector for directing front facet light to monitor diode
EP1298471A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-02 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Apparatus for coupling optical elements in an optical module
JP2003198032A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Mitsubishi Electric Corp 光素子、光素子モジュール及び光素子用キャリア
JP2004022760A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Oki Electric Ind Co Ltd レーザダイオード
TWI696300B (zh) 2016-03-15 2020-06-11 晶元光電股份有限公司 半導體裝置及其製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2737345C2 (de) * 1976-08-20 1991-07-25 Canon K.K., Tokio/Tokyo Halbleiterlaser-Vorrichtung mit einem Peltier-Element
JPS5412689A (en) * 1977-06-30 1979-01-30 Omron Tateisi Electronics Co Photo coupler
JPS58118175A (ja) * 1982-01-06 1983-07-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フオトカプラ
JPS5925282A (ja) * 1982-08-02 1984-02-09 Fujitsu Ltd 光伝送路付光半導体パツケ−ジ
JPS5975656A (ja) * 1982-10-25 1984-04-28 Agency Of Ind Science & Technol 半導体集積回路構造
JPS59121984A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Nec Corp 光結合素子
JPS6081877A (ja) * 1983-10-12 1985-05-09 Sharp Corp 光結合半導体装置
JPS60130174A (ja) * 1983-12-17 1985-07-11 Sharp Corp ホトカプラ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02500235A (ja) * 1987-06-01 1990-01-25 ビー・テイ・アンド　デイー　テクノロジイーズ・リミテッド 光デバイス
US4953006A (en) * 1989-07-27 1990-08-28 Northern Telecom Limited Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device
JP2001345507A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Rohm Co Ltd 半導体レーザおよび光ピックアップ
JP2008091745A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体ステムと光半導体装置

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Publication number Publication date
US4945391A (en) 1990-07-31

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