JPH05129712A - パツケージ型半導体レーザ装置 - Google Patents
パツケージ型半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05129712A JPH05129712A JP28520791A JP28520791A JPH05129712A JP H05129712 A JPH05129712 A JP H05129712A JP 28520791 A JP28520791 A JP 28520791A JP 28520791 A JP28520791 A JP 28520791A JP H05129712 A JPH05129712 A JP H05129712A
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser chip
- laser device
- chip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザチップの部分を、キャップ体に
てパッケージして成るいわゆるパッケージ型の半導体レ
ーザ装置において、レーザ光線の軸線と直角方向の厚さ
寸法を薄くすると共に、製造コストを低減する。 【構成】 薄金属板製の放熱板１１の上面に、半導体レ
ーザチップ１９を、レーザ光線が前記放熱板１１の上面
と略平行の方向に発射するように横向きにして装着する
と共に、前記半導体レーザチップ１９と対向する部分に
透明窓を備えたキャップ体１２を、前記半導体レーザチ
ップ１９を覆うように装着し、更に、前記放熱板１１の
上面に、前記半導体レーザチップ１９に対するリード端
子１４，１５，１６を、導体膜の配線パターンとして形
成する。
てパッケージして成るいわゆるパッケージ型の半導体レ
ーザ装置において、レーザ光線の軸線と直角方向の厚さ
寸法を薄くすると共に、製造コストを低減する。 【構成】 薄金属板製の放熱板１１の上面に、半導体レ
ーザチップ１９を、レーザ光線が前記放熱板１１の上面
と略平行の方向に発射するように横向きにして装着する
と共に、前記半導体レーザチップ１９と対向する部分に
透明窓を備えたキャップ体１２を、前記半導体レーザチ
ップ１９を覆うように装着し、更に、前記放熱板１１の
上面に、前記半導体レーザチップ１９に対するリード端
子１４，１５，１６を、導体膜の配線パターンとして形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光線の発光素子
として、半導体レーザチップを使用し、この半導体レー
ザチップの部分をキャップ体にてパッケージした半導体
レーザ装置の改良に関するものである。
として、半導体レーザチップを使用し、この半導体レー
ザチップの部分をキャップ体にてパッケージした半導体
レーザ装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のパッケージ型半導体レー
ザ装置は、例えば、特開昭６２−２１９６７２号公報又
は実開昭６２−５８０６６号公報等に記載され、且つ、
図６〜図８に示すように、炭素鋼等の金属にて直径Ｄ
で、且つ、厚さＴの円盤型に形成した放熱板兼用のステ
ム１の上面に、ヒートシンク体２を一体的に造形して、
このヒートシンク体２の側面に、半導体レーザチップ３
をサブマウント４を介して装着する一方、前記ステム１
の上面に、ガラス等の透明窓６を備えたキャップ体５
を、前記ヒートシンク体２に被嵌するように装着するこ
とによって、前記半導体レーザチップ３及びサブマウン
ト４の部分をパッケージするようにし、更に、前記半導
体レーザチップ３及びステム１の上面における凹み部９
ａ内に設けたモニター用ホォトダイオード９の各々に対
する第１リード端子７ａ，第２リード端子７ｂ及び第３
リード端子７ｃのうち、第１リード端子７ａを前記ステ
ム１の下面に固着し、第２及び第３リード端子７ｂ，７
ｃを前記ステム１に穿設した貫通孔１ａ，１ｂより挿入
したのち、貫通孔１ａ，１ｂ内に絶縁シール材８を介し
て固着すると言う構成にしている。
ザ装置は、例えば、特開昭６２−２１９６７２号公報又
は実開昭６２−５８０６６号公報等に記載され、且つ、
図６〜図８に示すように、炭素鋼等の金属にて直径Ｄ
で、且つ、厚さＴの円盤型に形成した放熱板兼用のステ
ム１の上面に、ヒートシンク体２を一体的に造形して、
このヒートシンク体２の側面に、半導体レーザチップ３
をサブマウント４を介して装着する一方、前記ステム１
の上面に、ガラス等の透明窓６を備えたキャップ体５
を、前記ヒートシンク体２に被嵌するように装着するこ
とによって、前記半導体レーザチップ３及びサブマウン
ト４の部分をパッケージするようにし、更に、前記半導
体レーザチップ３及びステム１の上面における凹み部９
ａ内に設けたモニター用ホォトダイオード９の各々に対
する第１リード端子７ａ，第２リード端子７ｂ及び第３
リード端子７ｃのうち、第１リード端子７ａを前記ステ
ム１の下面に固着し、第２及び第３リード端子７ｂ，７
ｃを前記ステム１に穿設した貫通孔１ａ，１ｂより挿入
したのち、貫通孔１ａ，１ｂ内に絶縁シール材８を介し
て固着すると言う構成にしている。
【０００３】なお、前記半導体レーザチップ３とサブマ
ウント４との間、前記第２リード端子７ｂとサブマウン
ト４との間、及び前記第３リード端子７ｃとモニター用
ホォトダイオード９との間は、前記キャップ体５内にお
いて、細い金属線Ａ，Ｂ，Ｃにて接続されている。
ウント４との間、前記第２リード端子７ｂとサブマウン
ト４との間、及び前記第３リード端子７ｃとモニター用
ホォトダイオード９との間は、前記キャップ体５内にお
いて、細い金属線Ａ，Ｂ，Ｃにて接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来にお
けるパッケージ型半導体レーザ装置は、半導体レーザチ
ップ３を、当該半導体レーザチップ３からのレーザ光線
Ｅが、ステム１の上面に対して直角の方向に発射するよ
うに、ステム１の上面と直角に装着したものであって、
前記レーザ光線Ｅの軸線と直角方向の厚さ寸法が、前記
ステム１の直径Ｄと等しいから、前記レーザ光線Ｅの軸
線と直角方向の厚さ寸法を小さくすること、つまり、パ
ッケージ型半導体レーザ装置を薄型にすることができな
いと言う問題がある。
けるパッケージ型半導体レーザ装置は、半導体レーザチ
ップ３を、当該半導体レーザチップ３からのレーザ光線
Ｅが、ステム１の上面に対して直角の方向に発射するよ
うに、ステム１の上面と直角に装着したものであって、
前記レーザ光線Ｅの軸線と直角方向の厚さ寸法が、前記
ステム１の直径Ｄと等しいから、前記レーザ光線Ｅの軸
線と直角方向の厚さ寸法を小さくすること、つまり、パ
ッケージ型半導体レーザ装置を薄型にすることができな
いと言う問題がある。
【０００５】しかも、この従来におけるパッケージ型半
導体レーザ装置は、各リード端子７ａ，７ｂ，７ｃのう
ち第２及び第３リード端子７ｂ，７ｃを、ステム１に穿
設した貫通孔１ａ，１ｂ内に挿入した絶縁シール材８に
て固着する構成であるから、部品点数が多いばかりか、
リード端子の取付けに多大の手数を必要として、製造コ
ストが大幅にアップすると言う問題もあった。
導体レーザ装置は、各リード端子７ａ，７ｂ，７ｃのう
ち第２及び第３リード端子７ｂ，７ｃを、ステム１に穿
設した貫通孔１ａ，１ｂ内に挿入した絶縁シール材８に
て固着する構成であるから、部品点数が多いばかりか、
リード端子の取付けに多大の手数を必要として、製造コ
ストが大幅にアップすると言う問題もあった。
【０００６】本発明は、これらの問題を解消したパッケ
ージ型半導体レーザ装置を提供することを技術的課題と
するものである。
ージ型半導体レーザ装置を提供することを技術的課題と
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、薄金属板製の放熱板の上面に、半導体
レーザチップを、当該半導体レーザチップにおける前方
劈開面からのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の
方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記半
導体レーザチップにおける前方劈開面と対向する部分に
透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップ
を覆うように装着し、更に、前記放熱板の上面に、前記
半導体レーザチップに対するリード端子を、導体膜の配
線パターンとして形成する構成にした。
るため本発明は、薄金属板製の放熱板の上面に、半導体
レーザチップを、当該半導体レーザチップにおける前方
劈開面からのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の
方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記半
導体レーザチップにおける前方劈開面と対向する部分に
透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップ
を覆うように装着し、更に、前記放熱板の上面に、前記
半導体レーザチップに対するリード端子を、導体膜の配
線パターンとして形成する構成にした。
【０００８】
【発明の作用・効果】このように構成すると、半導体レ
ーザチップからのレーザ光線を、従来のように、放熱板
の上面と直角の方向ではなく、放熱板の上面と平行な方
向に発射することができて、前記レーザ構成の軸線と直
角な方向の厚さ寸法を、大幅に縮小できるから、パッケ
ージ型半導体レーザ装置を、薄型にすることができるの
である。
ーザチップからのレーザ光線を、従来のように、放熱板
の上面と直角の方向ではなく、放熱板の上面と平行な方
向に発射することができて、前記レーザ構成の軸線と直
角な方向の厚さ寸法を、大幅に縮小できるから、パッケ
ージ型半導体レーザ装置を、薄型にすることができるの
である。
【０００９】しかも、前記半導体レーザチップに対する
リード端子を、前記放熱板の上面に導体膜の配線パター
ンとして形成したことにより、このリード端子を形成す
ることの工程が、前記従来のように、当該リード端子を
別体に構成し、これを放熱板に対して取付ける場合より
も簡単にできると共に、部品点数を少なくできるから、
製造コストを大幅に低減できるのである。
リード端子を、前記放熱板の上面に導体膜の配線パター
ンとして形成したことにより、このリード端子を形成す
ることの工程が、前記従来のように、当該リード端子を
別体に構成し、これを放熱板に対して取付ける場合より
も簡単にできると共に、部品点数を少なくできるから、
製造コストを大幅に低減できるのである。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面（図１〜図４）
について説明する。この図において符号１０は、本発明
によるパッケージ型の半導体レーザ装置を示し、このパ
ッケージ型半導体レーザ装置１０は、放熱板１１と、キ
ャップ体１２とによって構成されている。
について説明する。この図において符号１０は、本発明
によるパッケージ型の半導体レーザ装置を示し、このパ
ッケージ型半導体レーザ装置１０は、放熱板１１と、キ
ャップ体１２とによって構成されている。
【００１１】前記放熱板１１は、炭素鋼板又は銅板或い
はアルミ板等の薄金属板によって構成され、その上面に
は、絶縁膜１３が形成され、この絶縁膜１３の上面に、
第１リード端子１４、第２リード端子１５及び第３リー
ド端子１６を、導体膜の配線パターンとして形成されて
いる。前記放熱板１１における各リード端子１４，１
５，１６のうち第１リード端子１４における延長部分１
４ａに、上面の一部にモニター用ホォトダイオード１８
を備えたサブマウント１７が固着され、このサブマウン
ト１７の上面に、半導体レーザチップ１９を、当該半導
体レーザチップ１９における前方劈開面１９ａからのレ
ーザ光線Ｅを前記放熱板１１の上面の略平行の方向に発
射するように横向きに固着する。
はアルミ板等の薄金属板によって構成され、その上面に
は、絶縁膜１３が形成され、この絶縁膜１３の上面に、
第１リード端子１４、第２リード端子１５及び第３リー
ド端子１６を、導体膜の配線パターンとして形成されて
いる。前記放熱板１１における各リード端子１４，１
５，１６のうち第１リード端子１４における延長部分１
４ａに、上面の一部にモニター用ホォトダイオード１８
を備えたサブマウント１７が固着され、このサブマウン
ト１７の上面に、半導体レーザチップ１９を、当該半導
体レーザチップ１９における前方劈開面１９ａからのレ
ーザ光線Ｅを前記放熱板１１の上面の略平行の方向に発
射するように横向きに固着する。
【００１２】一方、前記キャップ体１２は、セラミック
又は耐熱絶縁体によって構成され、このキャップ体１２
を、前記放熱板１１の上面に、前記半導体レーザチップ
１９及びサブマウント１７に対して被嵌するように載置
したのち、放熱板１１に対して接着剤又は低温金属半田
等にて固着する。そして、前記キャップ体１２のうち前
記半導体レーザチップ１９における前方劈開面１９ａに
対向する部分には、ガラス等の透明板２０を、接着剤又
はガラス用金属半田等によって、前記キャップ体１２と
放熱板１１との両方に対して固着することによって、前
記キャップ体１２内を密封するのである。
又は耐熱絶縁体によって構成され、このキャップ体１２
を、前記放熱板１１の上面に、前記半導体レーザチップ
１９及びサブマウント１７に対して被嵌するように載置
したのち、放熱板１１に対して接着剤又は低温金属半田
等にて固着する。そして、前記キャップ体１２のうち前
記半導体レーザチップ１９における前方劈開面１９ａに
対向する部分には、ガラス等の透明板２０を、接着剤又
はガラス用金属半田等によって、前記キャップ体１２と
放熱板１１との両方に対して固着することによって、前
記キャップ体１２内を密封するのである。
【００１３】このように構成すると、半導体レーザチッ
プ１９における前方劈開面１９ａからのレーザ光線Ｅ
を、従来のように、放熱板１１の上面と直角の方向では
なく、放熱板１１の上面と平行な方向に発射することが
できて、前記レーザ光線Ｅの軸線と直角な方向の厚さ寸
法Ｗを、大幅に縮小できるから、パッケージ型半導体レ
ーザ装置１０を、薄型にすることができるのである。
プ１９における前方劈開面１９ａからのレーザ光線Ｅ
を、従来のように、放熱板１１の上面と直角の方向では
なく、放熱板１１の上面と平行な方向に発射することが
できて、前記レーザ光線Ｅの軸線と直角な方向の厚さ寸
法Ｗを、大幅に縮小できるから、パッケージ型半導体レ
ーザ装置１０を、薄型にすることができるのである。
【００１４】また、前記各リード端子１４，１５，１６
を、前記放熱板１１の上面に、導体膜の配線パターンと
して形成したことにより、このリード端子を形成するこ
との工程が、前記従来のように、当該リード端子を別体
に構成し、これを放熱板に対して取付ける場合よりも簡
単にできると共に、部品点数を少なくできるのである。
を、前記放熱板１１の上面に、導体膜の配線パターンと
して形成したことにより、このリード端子を形成するこ
との工程が、前記従来のように、当該リード端子を別体
に構成し、これを放熱板に対して取付ける場合よりも簡
単にできると共に、部品点数を少なくできるのである。
【００１５】この場合において、図５に示すように、半
導体レーザチップ１９付きのサブマウント１７を、放熱
板１１に対して絶縁膜を介することなく直接的に装着す
る一方、前記第２及び第３リード端子１５，１６ｃのみ
を、前記放熱板１１の表面に絶縁膜１３を介して形成す
ることによって、前記第１リード端子１４を、放熱板１
１にて兼用するように構成しても良いのである。
導体レーザチップ１９付きのサブマウント１７を、放熱
板１１に対して絶縁膜を介することなく直接的に装着す
る一方、前記第２及び第３リード端子１５，１６ｃのみ
を、前記放熱板１１の表面に絶縁膜１３を介して形成す
ることによって、前記第１リード端子１４を、放熱板１
１にて兼用するように構成しても良いのである。
【００１６】また、キャップ体１２と透明板２０とを、
透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成するように
しても良いことは言うまでもない。
透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成するように
しても良いことは言うまでもない。
【図１】本発明の実施例による半導体レーザ装置の縦断
正面図である。
正面図である。
【図２】図１のII−II視平断面図である。
【図３】図１のIII −III 視断面図である。
【図４】本発明の実施例による半導体レーザ装置を分解
した状態の斜視図である。
した状態の斜視図である。
【図５】本発明における別の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】従来における半導体レーザ装置の縦断正面図で
ある。
ある。
【図７】図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】図６のVIII−VIII視断面図である。
１０ 半導体レーザ装置 １１ 放熱板 １２ キャップ体 １４，１５，１６ リード端子 １７ サブマウント １８ 半導体レーザチップ １６ 枠型本体 ２０ 透明板
Claims (1)
- 【請求項１】薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レー
ザチップを、当該半導体レーザチップにおける前方劈開
面からのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向
に発射するように横向きに装着すると共に、前記半導体
レーザチップにおける前方劈開面と対向する部分に透明
窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップを覆
うように装着し、更に、前記放熱板の上面に、前記半導
体レーザチップに対するリード端子を、導体膜の配線パ
ターンとして形成したことを特徴とするパッケージ型半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28520791A JPH05129712A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | パツケージ型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28520791A JPH05129712A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | パツケージ型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129712A true JPH05129712A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17688492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28520791A Pending JPH05129712A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | パツケージ型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129712A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7308009B2 (en) | 2004-03-02 | 2007-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and apparatus |
| JP2009289775A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Sony Corp | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US20110280267A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
| WO2015082477A1 (de) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines deckelsubstrats und gehäustes strahlungsemittierendes bauelement |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28520791A patent/JPH05129712A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7308009B2 (en) | 2004-03-02 | 2007-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and apparatus |
| CN100395928C (zh) * | 2004-03-02 | 2008-06-18 | 夏普株式会社 | 半导体激光设备 |
| JP2009289775A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Sony Corp | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP4492733B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US20110280267A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
| WO2015082477A1 (de) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines deckelsubstrats und gehäustes strahlungsemittierendes bauelement |
| US9912115B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-03-06 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method of producing a cap substrate, and packaged radiation-emitting device |
| US10283930B2 (en) | 2013-12-03 | 2019-05-07 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method of producing a cap substrate, and packaged radiation-emitting device |
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