JPH0494582A - 半導体レーザ用パッケージ - Google Patents
半導体レーザ用パッケージInfo
- Publication number
- JPH0494582A JPH0494582A JP2212002A JP21200290A JPH0494582A JP H0494582 A JPH0494582 A JP H0494582A JP 2212002 A JP2212002 A JP 2212002A JP 21200290 A JP21200290 A JP 21200290A JP H0494582 A JPH0494582 A JP H0494582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- layer
- package
- electrically connected
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体レーザ用パッケージに係り、特に半導体
レーザとレーザの駆動用回路を一体とし、光ファイバー
やレンズ等の光学系を組み合わせた光伝送モジュール等
に使用される半導体レーザ用パッケージに関する。
レーザとレーザの駆動用回路を一体とし、光ファイバー
やレンズ等の光学系を組み合わせた光伝送モジュール等
に使用される半導体レーザ用パッケージに関する。
〈従来の技術〉
従来の半導体レーザ用パッケージ(以下単にパッケージ
という)としては、第3図に示すものがある。この半導
体レーザlはステム2の上面に半導体レーザチップ3と
モニタ用PINフォトダイオード4をグイボンドにより
接合し、これらを覆うようにレーザチップ5を備えた金
属製のキャップ6を前記ステム2の上面に溶着し、外部
雰囲気とキャップ6内を遮断している。
という)としては、第3図に示すものがある。この半導
体レーザlはステム2の上面に半導体レーザチップ3と
モニタ用PINフォトダイオード4をグイボンドにより
接合し、これらを覆うようにレーザチップ5を備えた金
属製のキャップ6を前記ステム2の上面に溶着し、外部
雰囲気とキャップ6内を遮断している。
前記半導体レーザチップ3及びモニタ用PINフォトダ
イオード4はそれぞれハーメチックシール7によりキャ
ップ6内の気密性を保ちつつ前記ステム2を貫通し、キ
ャップ6の外部に出された棒状電極ピン8にワイヤポン
ディングにより電気的に接続され、図外の半導体レーザ
駆動回路に接続される。
イオード4はそれぞれハーメチックシール7によりキャ
ップ6内の気密性を保ちつつ前記ステム2を貫通し、キ
ャップ6の外部に出された棒状電極ピン8にワイヤポン
ディングにより電気的に接続され、図外の半導体レーザ
駆動回路に接続される。
一般に、半導体レーザとレーザ駆動回路を一体にしたレ
ーザモジュールにおいて、モジュールの小型化を行うた
め、回路基板とレーザ光を平行に出射する方法が取られ
るため、第4図に示すように、半導体レーザ9の棒状電
極ピン10を折り曲げてレーザ駆動用回路11に電気的
に接続する方法や、第5図に示すように、半導体レーザ
12の棒状電極ピン13にフレキシブル基板14を電気
的に接続し、更に前記フレキシブル基板14の他方をレ
ーザ駆動用回路15に電気的に接続する方法がある。
ーザモジュールにおいて、モジュールの小型化を行うた
め、回路基板とレーザ光を平行に出射する方法が取られ
るため、第4図に示すように、半導体レーザ9の棒状電
極ピン10を折り曲げてレーザ駆動用回路11に電気的
に接続する方法や、第5図に示すように、半導体レーザ
12の棒状電極ピン13にフレキシブル基板14を電気
的に接続し、更に前記フレキシブル基板14の他方をレ
ーザ駆動用回路15に電気的に接続する方法がある。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、前記従来技術のパッケージでは、半導体
レーザとレーザ駆動用回路を一体としたレーザモジュー
ルを製造する際、前記棒状電極ピン10を折り曲げる方
法では、折り曲げ工程が必要となる欠点がある。
レーザとレーザ駆動用回路を一体としたレーザモジュー
ルを製造する際、前記棒状電極ピン10を折り曲げる方
法では、折り曲げ工程が必要となる欠点がある。
またフレキシブル基板14を用いる方法では、フレキシ
ブル基板14を半導体レーザ12及びレーザ駆動用回路
15との電気的に接続する工程が必要となるうえ、電気
的或いは機械的な外乱に対して弱い欠点がある。また両
者の方法ともレーザ駆動用回路11及び15のモジュー
ル筐体内での固定とは別に半導体レーザ9及び12の固
定も必要となり、モジュール筐体自体の構造が複雑とな
る欠点がある。
ブル基板14を半導体レーザ12及びレーザ駆動用回路
15との電気的に接続する工程が必要となるうえ、電気
的或いは機械的な外乱に対して弱い欠点がある。また両
者の方法ともレーザ駆動用回路11及び15のモジュー
ル筐体内での固定とは別に半導体レーザ9及び12の固
定も必要となり、モジュール筐体自体の構造が複雑とな
る欠点がある。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、放電用フ
ィンを放熱としてのみでなく、LD及びPINの電極と
して用いることにより容易にLD駆動用の回路基板等に
固定できるパッケージを提供することを目的としている
。
ィンを放熱としてのみでなく、LD及びPINの電極と
して用いることにより容易にLD駆動用の回路基板等に
固定できるパッケージを提供することを目的としている
。
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係るパッケージは、レーザチップを有するキャ
ップと、前記キャップを溶着するとともに半導体レーザ
チップとモニタ用PINフォトダイオードをダイボンド
により固定するステムを具備した半導体レーザ用パッケ
ージであって、且つステムの放熱用フィン部を電気的に
絶縁された多層構造とし、それぞれの各層と前記半導体
レーザチップ及びPINフォトダイオードを電気的に接
続することで、前記放熱用フィン部を半導体レーザ及び
PINフォトダイオードの駆動用電極として用いるよう
にしたことを特徴としている。
ップと、前記キャップを溶着するとともに半導体レーザ
チップとモニタ用PINフォトダイオードをダイボンド
により固定するステムを具備した半導体レーザ用パッケ
ージであって、且つステムの放熱用フィン部を電気的に
絶縁された多層構造とし、それぞれの各層と前記半導体
レーザチップ及びPINフォトダイオードを電気的に接
続することで、前記放熱用フィン部を半導体レーザ及び
PINフォトダイオードの駆動用電極として用いるよう
にしたことを特徴としている。
〈作用〉
前記多層構造が3層である場合について説明すると、従
来放熱用フィン部であった電気的導電性の良い部分を3
層構造として、その眉間を絶縁性の良い材料を使用して
気密性を保ちつつシールする。
来放熱用フィン部であった電気的導電性の良い部分を3
層構造として、その眉間を絶縁性の良い材料を使用して
気密性を保ちつつシールする。
そして各層に前記半導体レーザ及びモニタ用PINフォ
トダイオードの各電極をダイボンディングにより固定し
た後、ダイボンディングした部分と各層間をワイヤボン
ディングする。
トダイオードの各電極をダイボンディングにより固定し
た後、ダイボンディングした部分と各層間をワイヤボン
ディングする。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。第1図は本発明に係るパッケージを使−用した半導体
レーザの断面斜視図を示している。
。第1図は本発明に係るパッケージを使−用した半導体
レーザの断面斜視図を示している。
本発明に係るパッケージは、ステム17とキャップ21
とからなっている。そしてこの半導体レーザ16は前記
ステム17の上面に半導体レーザチップ18とモニタ用
PINフォトダイオード19をダイボンドにより接合し
、これらを覆うようにレーザチップ20を備えた金属製
のキャップ21を前記ステム17の上面に溶着し、外部
雰囲気と前記キャップ21内を遮断している。そして前
記ステム17の放熱用フィン部は例えばSiCセラミッ
クス等の熱伝導性の良い電気絶縁材22により電気的に
絶縁した3層構造でできている。
とからなっている。そしてこの半導体レーザ16は前記
ステム17の上面に半導体レーザチップ18とモニタ用
PINフォトダイオード19をダイボンドにより接合し
、これらを覆うようにレーザチップ20を備えた金属製
のキャップ21を前記ステム17の上面に溶着し、外部
雰囲気と前記キャップ21内を遮断している。そして前
記ステム17の放熱用フィン部は例えばSiCセラミッ
クス等の熱伝導性の良い電気絶縁材22により電気的に
絶縁した3層構造でできている。
すなわち、第1層部23は前記半導体レーザチップ18
及びモニタ用PINフォトダイオード19と電気的に接
続され、コモン電極として作用する。第2層部24はハ
ーメチックシール25により前記キャップ21内の気密
性を保ちつつ前記第1層部23を電気的絶縁を保って貫
通し、前記第2層部24と電気的に接続された棒状電極
ピン26を設け、前記モニタ用PINフォトダイオード
19とワイヤボンディング27により電気的に接続する
ことで、モニタ用PINフォトダイオード19の電極と
して作用するものである。
及びモニタ用PINフォトダイオード19と電気的に接
続され、コモン電極として作用する。第2層部24はハ
ーメチックシール25により前記キャップ21内の気密
性を保ちつつ前記第1層部23を電気的絶縁を保って貫
通し、前記第2層部24と電気的に接続された棒状電極
ピン26を設け、前記モニタ用PINフォトダイオード
19とワイヤボンディング27により電気的に接続する
ことで、モニタ用PINフォトダイオード19の電極と
して作用するものである。
同様に、第3層部28はハーメチックシール25により
前記キャップ21内の気密性を保って第1層部23及び
第2層部24を電気的絶縁を保って貫通し、第3層部2
8と電気的に接続された棒状電極ビン29を設け、前記
半導体レーザチップ18とワイヤボンディング30によ
り電気的に接続することで、半導体レーザチップ18の
電極として作用する。
前記キャップ21内の気密性を保って第1層部23及び
第2層部24を電気的絶縁を保って貫通し、第3層部2
8と電気的に接続された棒状電極ビン29を設け、前記
半導体レーザチップ18とワイヤボンディング30によ
り電気的に接続することで、半導体レーザチップ18の
電極として作用する。
第2図は本発明のパッケージを用いた実装例を示してい
る。半導体レーザ30はレーザ駆動用回路基板31に、
半田付け32等により電気的に接続され、さらに前記回
IIM1基板31の上面に固定される。またこの方法に
よれば、レーザ光33は回路基板に平行して取り出すこ
とができるというメリットがある。
る。半導体レーザ30はレーザ駆動用回路基板31に、
半田付け32等により電気的に接続され、さらに前記回
IIM1基板31の上面に固定される。またこの方法に
よれば、レーザ光33は回路基板に平行して取り出すこ
とができるというメリットがある。
〈発明の効果〉
本発明に係るパッケージは前述のように構成したので、
以下のような効果を奏する。
以下のような効果を奏する。
■半導体レーザとレーザの駆動用回路を一体にしたレー
ザモジュールにおいて、半導体レーザを駆動用回路に電
気的に接続する場合、回路基板面と平行にレーザ光を取
り出すことができるので、結果としてモジュールの小型
化及び薄型化を図ることが可能となった。
ザモジュールにおいて、半導体レーザを駆動用回路に電
気的に接続する場合、回路基板面と平行にレーザ光を取
り出すことができるので、結果としてモジュールの小型
化及び薄型化を図ることが可能となった。
■モジュールの小型化、薄型化が可能であるから、デー
タ伝送等の光伝送モジュールとして使用する場合、装置
への組み込みが容易になった。
タ伝送等の光伝送モジュールとして使用する場合、装置
への組み込みが容易になった。
■半導体レーザ自体を面実装部品と同様に、回路基板上
に固定できるので、半導体レーザと回路基板を別々に固
定する必要がない。
に固定できるので、半導体レーザと回路基板を別々に固
定する必要がない。
■従来必要であった放熱用フィン部をステムとして共用
することが可能である。
することが可能である。
第1図から第2図にかけては本発明に係る図面であって
、第1図は本発明のパッケージを使用した半導体レーザ
の断面斜視図、第2図は半導体レーザを基板に固定した
場合の斜視図である。 第3図から第4図にかけては従来技術に係る図面であっ
て、第3図は半導体レーザの断面斜視図、第4図及び第
5図は従来実施例の概略図である。 1.9.12.16.30・・・・半導体レーザ2.1
7・・・・・・・・・・ステム 3.18・・・・・・・・・・半導体レーザチップ4.
19・・・・・・・・・・モニタ用PINフォトダイオ
ード 5.20・・ 6.21・・ 7.25・・ 8.10.13. 11.15.31 14・・・・ 22・・・・ 23・・・・ 24・・・・ 28・・・・ 27.30・・ 32・・・・ 33・・・・ レーザチップ キャップ ハーメチックシール 棒状電極ビン レーザ駆動用回路 フレキシブル基板 電気絶縁材 フィン第1層部 フィン第2層部 フィン第3層部 ワイヤボンディング 半田付は レーザ出射光 71図
、第1図は本発明のパッケージを使用した半導体レーザ
の断面斜視図、第2図は半導体レーザを基板に固定した
場合の斜視図である。 第3図から第4図にかけては従来技術に係る図面であっ
て、第3図は半導体レーザの断面斜視図、第4図及び第
5図は従来実施例の概略図である。 1.9.12.16.30・・・・半導体レーザ2.1
7・・・・・・・・・・ステム 3.18・・・・・・・・・・半導体レーザチップ4.
19・・・・・・・・・・モニタ用PINフォトダイオ
ード 5.20・・ 6.21・・ 7.25・・ 8.10.13. 11.15.31 14・・・・ 22・・・・ 23・・・・ 24・・・・ 28・・・・ 27.30・・ 32・・・・ 33・・・・ レーザチップ キャップ ハーメチックシール 棒状電極ビン レーザ駆動用回路 フレキシブル基板 電気絶縁材 フィン第1層部 フィン第2層部 フィン第3層部 ワイヤボンディング 半田付は レーザ出射光 71図
Claims (2)
- (1)レーザ出射口を有するキャップと、前記キャップ
を溶着するとともに半導体レーザチップとモニタ用PI
Nフォトダイオードをダイボンドにより固定するステム
を具備した半導体レーザ用パッケージであって、且つス
テムの放熱用フィン部を電気的に絶縁された多層構造と
し、それぞれの各層と前記半導体レーザチップ及びPI
Nフォトダイオードを電気的に接続することで、前記放
熱用フィン部を半導体レーザ及びPINフォトダイオー
ドの駆動用電極として用いるようにしたことを特徴とす
る半導体レーザ用パッケージ。 - (2)前記多層構造を3層構造としたことを特徴とする
請求項1記載の半導体レーザ用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2212002A JPH0494582A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体レーザ用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2212002A JPH0494582A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体レーザ用パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0494582A true JPH0494582A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16615268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2212002A Pending JPH0494582A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体レーザ用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0494582A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519720A (en) * | 1993-03-04 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
JP2005217074A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信装置及び光送受信装置の製造方法 |
JP2005286305A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
JP2019153762A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2212002A patent/JPH0494582A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519720A (en) * | 1993-03-04 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
JP2005217074A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信装置及び光送受信装置の製造方法 |
JP2005286305A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
JP2019153762A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10510930B2 (en) | Light emitting device | |
US4550333A (en) | Light emitting semiconductor mount | |
JP2007027716A (ja) | レーザダイオード素子のためのパッケージ、レーザダイオード素子ならびにレーザダイオード素子を製作する方法 | |
JPH06204566A (ja) | 光ファイバ・光素子結合用パッケージ及び光ファイバ・光素子モジュール | |
TWI502715B (zh) | 半導體封裝 | |
EP1467359B1 (en) | Integrated optical device | |
JP2019079847A (ja) | 発光装置及びそれに用いる蓋体 | |
JP2004235212A (ja) | 気密端子とそれを用いた半導体装置 | |
US11349278B2 (en) | Stem for semiconductor package, and semiconductor package | |
JP2004349294A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP2005039122A (ja) | 発光装置 | |
JP2023521798A (ja) | 半導体側面放射レーザー用の密閉表面実装パッケージ、及びその形成方法 | |
JPH0494582A (ja) | 半導体レーザ用パッケージ | |
JP4183180B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US6160218A (en) | Chip housing | |
JPH059689Y2 (ja) | ||
JP6642749B1 (ja) | 半導体レーザ光源装置 | |
JP6485518B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP3062855B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光送信装置 | |
WO2021065909A1 (ja) | 光素子搭載用パッケージ及び電子装置 | |
JP2001028407A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
CN1465122A (zh) | 光半导体模块及其制造方法 | |
JP4514647B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2019075460A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
JPH01169986A (ja) | 半導体レーザ |