JPH0494582A - 半導体レーザ用パッケージ - Google Patents

半導体レーザ用パッケージ

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Publication number
JPH0494582A
JPH0494582A JP2212002A JP21200290A JPH0494582A JP H0494582 A JPH0494582 A JP H0494582A JP 2212002 A JP2212002 A JP 2212002A JP 21200290 A JP21200290 A JP 21200290A JP H0494582 A JPH0494582 A JP H0494582A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
layer
package
electrically connected
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2212002A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahide Ishiguro
敬英 石黒
Masahiro Tsujimura
辻村 正浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2212002A priority Critical patent/JPH0494582A/ja
Publication of JPH0494582A publication Critical patent/JPH0494582A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体レーザ用パッケージに係り、特に半導体
レーザとレーザの駆動用回路を一体とし、光ファイバー
やレンズ等の光学系を組み合わせた光伝送モジュール等
に使用される半導体レーザ用パッケージに関する。
〈従来の技術〉 従来の半導体レーザ用パッケージ(以下単にパッケージ
という)としては、第3図に示すものがある。この半導
体レーザlはステム2の上面に半導体レーザチップ3と
モニタ用PINフォトダイオード4をグイボンドにより
接合し、これらを覆うようにレーザチップ5を備えた金
属製のキャップ6を前記ステム2の上面に溶着し、外部
雰囲気とキャップ6内を遮断している。
前記半導体レーザチップ3及びモニタ用PINフォトダ
イオード4はそれぞれハーメチックシール7によりキャ
ップ6内の気密性を保ちつつ前記ステム2を貫通し、キ
ャップ6の外部に出された棒状電極ピン8にワイヤポン
ディングにより電気的に接続され、図外の半導体レーザ
駆動回路に接続される。
一般に、半導体レーザとレーザ駆動回路を一体にしたレ
ーザモジュールにおいて、モジュールの小型化を行うた
め、回路基板とレーザ光を平行に出射する方法が取られ
るため、第4図に示すように、半導体レーザ9の棒状電
極ピン10を折り曲げてレーザ駆動用回路11に電気的
に接続する方法や、第5図に示すように、半導体レーザ
12の棒状電極ピン13にフレキシブル基板14を電気
的に接続し、更に前記フレキシブル基板14の他方をレ
ーザ駆動用回路15に電気的に接続する方法がある。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、前記従来技術のパッケージでは、半導体
レーザとレーザ駆動用回路を一体としたレーザモジュー
ルを製造する際、前記棒状電極ピン10を折り曲げる方
法では、折り曲げ工程が必要となる欠点がある。
またフレキシブル基板14を用いる方法では、フレキシ
ブル基板14を半導体レーザ12及びレーザ駆動用回路
15との電気的に接続する工程が必要となるうえ、電気
的或いは機械的な外乱に対して弱い欠点がある。また両
者の方法ともレーザ駆動用回路11及び15のモジュー
ル筐体内での固定とは別に半導体レーザ9及び12の固
定も必要となり、モジュール筐体自体の構造が複雑とな
る欠点がある。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、放電用フ
ィンを放熱としてのみでなく、LD及びPINの電極と
して用いることにより容易にLD駆動用の回路基板等に
固定できるパッケージを提供することを目的としている
〈課題を解決するための手段〉 本発明に係るパッケージは、レーザチップを有するキャ
ップと、前記キャップを溶着するとともに半導体レーザ
チップとモニタ用PINフォトダイオードをダイボンド
により固定するステムを具備した半導体レーザ用パッケ
ージであって、且つステムの放熱用フィン部を電気的に
絶縁された多層構造とし、それぞれの各層と前記半導体
レーザチップ及びPINフォトダイオードを電気的に接
続することで、前記放熱用フィン部を半導体レーザ及び
PINフォトダイオードの駆動用電極として用いるよう
にしたことを特徴としている。
〈作用〉 前記多層構造が3層である場合について説明すると、従
来放熱用フィン部であった電気的導電性の良い部分を3
層構造として、その眉間を絶縁性の良い材料を使用して
気密性を保ちつつシールする。
そして各層に前記半導体レーザ及びモニタ用PINフォ
トダイオードの各電極をダイボンディングにより固定し
た後、ダイボンディングした部分と各層間をワイヤボン
ディングする。
〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。第1図は本発明に係るパッケージを使−用した半導体
レーザの断面斜視図を示している。
本発明に係るパッケージは、ステム17とキャップ21
とからなっている。そしてこの半導体レーザ16は前記
ステム17の上面に半導体レーザチップ18とモニタ用
PINフォトダイオード19をダイボンドにより接合し
、これらを覆うようにレーザチップ20を備えた金属製
のキャップ21を前記ステム17の上面に溶着し、外部
雰囲気と前記キャップ21内を遮断している。そして前
記ステム17の放熱用フィン部は例えばSiCセラミッ
クス等の熱伝導性の良い電気絶縁材22により電気的に
絶縁した3層構造でできている。
すなわち、第1層部23は前記半導体レーザチップ18
及びモニタ用PINフォトダイオード19と電気的に接
続され、コモン電極として作用する。第2層部24はハ
ーメチックシール25により前記キャップ21内の気密
性を保ちつつ前記第1層部23を電気的絶縁を保って貫
通し、前記第2層部24と電気的に接続された棒状電極
ピン26を設け、前記モニタ用PINフォトダイオード
19とワイヤボンディング27により電気的に接続する
ことで、モニタ用PINフォトダイオード19の電極と
して作用するものである。
同様に、第3層部28はハーメチックシール25により
前記キャップ21内の気密性を保って第1層部23及び
第2層部24を電気的絶縁を保って貫通し、第3層部2
8と電気的に接続された棒状電極ビン29を設け、前記
半導体レーザチップ18とワイヤボンディング30によ
り電気的に接続することで、半導体レーザチップ18の
電極として作用する。
第2図は本発明のパッケージを用いた実装例を示してい
る。半導体レーザ30はレーザ駆動用回路基板31に、
半田付け32等により電気的に接続され、さらに前記回
IIM1基板31の上面に固定される。またこの方法に
よれば、レーザ光33は回路基板に平行して取り出すこ
とができるというメリットがある。
〈発明の効果〉 本発明に係るパッケージは前述のように構成したので、
以下のような効果を奏する。
■半導体レーザとレーザの駆動用回路を一体にしたレー
ザモジュールにおいて、半導体レーザを駆動用回路に電
気的に接続する場合、回路基板面と平行にレーザ光を取
り出すことができるので、結果としてモジュールの小型
化及び薄型化を図ることが可能となった。
■モジュールの小型化、薄型化が可能であるから、デー
タ伝送等の光伝送モジュールとして使用する場合、装置
への組み込みが容易になった。
■半導体レーザ自体を面実装部品と同様に、回路基板上
に固定できるので、半導体レーザと回路基板を別々に固
定する必要がない。
■従来必要であった放熱用フィン部をステムとして共用
することが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図から第2図にかけては本発明に係る図面であって
、第1図は本発明のパッケージを使用した半導体レーザ
の断面斜視図、第2図は半導体レーザを基板に固定した
場合の斜視図である。 第3図から第4図にかけては従来技術に係る図面であっ
て、第3図は半導体レーザの断面斜視図、第4図及び第
5図は従来実施例の概略図である。 1.9.12.16.30・・・・半導体レーザ2.1
7・・・・・・・・・・ステム 3.18・・・・・・・・・・半導体レーザチップ4.
19・・・・・・・・・・モニタ用PINフォトダイオ
ード 5.20・・ 6.21・・ 7.25・・ 8.10.13. 11.15.31 14・・・・ 22・・・・ 23・・・・ 24・・・・ 28・・・・ 27.30・・ 32・・・・ 33・・・・ レーザチップ キャップ ハーメチックシール 棒状電極ビン レーザ駆動用回路 フレキシブル基板 電気絶縁材 フィン第1層部 フィン第2層部 フィン第3層部 ワイヤボンディング 半田付は レーザ出射光 71図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザ出射口を有するキャップと、前記キャップ
    を溶着するとともに半導体レーザチップとモニタ用PI
    Nフォトダイオードをダイボンドにより固定するステム
    を具備した半導体レーザ用パッケージであって、且つス
    テムの放熱用フィン部を電気的に絶縁された多層構造と
    し、それぞれの各層と前記半導体レーザチップ及びPI
    Nフォトダイオードを電気的に接続することで、前記放
    熱用フィン部を半導体レーザ及びPINフォトダイオー
    ドの駆動用電極として用いるようにしたことを特徴とす
    る半導体レーザ用パッケージ。
  2. (2)前記多層構造を3層構造としたことを特徴とする
    請求項1記載の半導体レーザ用パッケージ。
JP2212002A 1990-08-10 1990-08-10 半導体レーザ用パッケージ Pending JPH0494582A (ja)

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JP2212002A JPH0494582A (ja) 1990-08-10 1990-08-10 半導体レーザ用パッケージ

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JP2212002A Pending JPH0494582A (ja) 1990-08-10 1990-08-10 半導体レーザ用パッケージ

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5519720A (en) * 1993-03-04 1996-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
JP2005217074A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信装置及び光送受信装置の製造方法
JP2005286305A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
JP2019153762A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 シャープ株式会社 半導体発光装置

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