JPH02125687A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02125687A JPH02125687A JP63280171A JP28017188A JPH02125687A JP H02125687 A JPH02125687 A JP H02125687A JP 63280171 A JP63280171 A JP 63280171A JP 28017188 A JP28017188 A JP 28017188A JP H02125687 A JPH02125687 A JP H02125687A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以Ｆの順斤に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ１発明の概要
Ｃ１従来技術［第８図、第９図］
Ｄ３発明が解決しようとする問題点
Ｅ１問題点を解決するための手段
Ｆ９作用
Ｇ、実施例［第１図乃ヤ第７図］
ａ、第１の実施例［第１図］
ｂ、第２の実施例［′ｆＪ２図１
Ｃ１第３の実施例［第３図］
ｄ、第４の実施例［第４図］
ｅ、第５の実施例［第５図、第６図］
ｆ、剥れ防止構造の例［第７図］
Ｈ１発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ装置、特にレーザダイオード素子
を封止した半導体レーザ装置に関する。
を封止した半導体レーザ装置に関する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、半導体レーザ装置において、製造コストの低
減を図るため、 基板によって支持されたレーザダイオード素子と外部接
続導体の一部とを光透過性樹脂により封止したものであ
る。
減を図るため、 基板によって支持されたレーザダイオード素子と外部接
続導体の一部とを光透過性樹脂により封止したものであ
る。
（Ｃ，従来技術）［第８図、第９図］
半導体レーザ装置として第８図に示すもの、そして第９
図に示すものが知られている。図面において、ａは埋伏
のステム、ｂはステムａに一体的にＩ１ｇ成されたレー
ザチップ支持片、Ｃはレーザダイオートふ子で、第８図
に示す半導体レーザ装置においてはレーザチップ支持片
すに直接ホンディングされているのに対して、第９図に
示す半導体レーザ装置においてはレーザチップ支持片す
にモニター用のフォトダイオードが形成されたシリコン
Ｊ＾板からなるサブマウントｄを介してボンディングさ
れている。ｅは円板状の金属製ベースで、ステムａｉＩ
Ｌ：嵌合されている。ｆ、ｆ、ｆは１個のｒ導体レーザ
装置あたり３本あるリードで、そのうちの２本ｆ、ｆは
ベースｅに絶縁ガラスｇ、ｇにより絶縁された状態で貫
設されており、残りの１本のリードｆはベースｅのド面
に垂直に形成されている。ｈ、ｈはレーザタイオード素
子−、フォトダイオードの電極と、リードｆ、ｆとの間
を接続するコネクトワイヤ、ｉは金属製キャップで、Ｖ
面に光通過孔ｊか形成され、該光透過孔ｊが例えばカラ
ス等の透明板にで内側から閉塞されている。そして、該
キャップｉが周縁部Ｆ端面にてト記システムａ上面の周
縁部に固着されている。尚、第９図に示す半導体レーザ
装置において、キャップｉの上面が傾斜せしめられてい
るか、これはレーザダイオード素子Ｃの非点隔差を補正
するためである。第８図に示す半導体レーザ装置におい
ては非点隔差補止は特に為されていない。
図に示すものが知られている。図面において、ａは埋伏
のステム、ｂはステムａに一体的にＩ１ｇ成されたレー
ザチップ支持片、Ｃはレーザダイオートふ子で、第８図
に示す半導体レーザ装置においてはレーザチップ支持片
すに直接ホンディングされているのに対して、第９図に
示す半導体レーザ装置においてはレーザチップ支持片す
にモニター用のフォトダイオードが形成されたシリコン
Ｊ＾板からなるサブマウントｄを介してボンディングさ
れている。ｅは円板状の金属製ベースで、ステムａｉＩ
Ｌ：嵌合されている。ｆ、ｆ、ｆは１個のｒ導体レーザ
装置あたり３本あるリードで、そのうちの２本ｆ、ｆは
ベースｅに絶縁ガラスｇ、ｇにより絶縁された状態で貫
設されており、残りの１本のリードｆはベースｅのド面
に垂直に形成されている。ｈ、ｈはレーザタイオード素
子−、フォトダイオードの電極と、リードｆ、ｆとの間
を接続するコネクトワイヤ、ｉは金属製キャップで、Ｖ
面に光通過孔ｊか形成され、該光透過孔ｊが例えばカラ
ス等の透明板にで内側から閉塞されている。そして、該
キャップｉが周縁部Ｆ端面にてト記システムａ上面の周
縁部に固着されている。尚、第９図に示す半導体レーザ
装置において、キャップｉの上面が傾斜せしめられてい
るか、これはレーザダイオード素子Ｃの非点隔差を補正
するためである。第８図に示す半導体レーザ装置におい
ては非点隔差補止は特に為されていない。
（Ｄ 発明か解決しようとする問題点）ところで、第８
図、第９図に示す半導体レーザ装置はレーザディスクプ
レイヤー、コンパクトディスクプレイヤー等の光ピツク
アップに光源として用いられているが、レーザディスク
プレイヤー、コンパクトディスクプレイヤー等において
は低価格化が非常に強く要求されているのでそれの心臓
部分である光ピツクアップを構成する光源たる半導体レ
ーザ装置に対する低価格化の要求も強い。
図、第９図に示す半導体レーザ装置はレーザディスクプ
レイヤー、コンパクトディスクプレイヤー等の光ピツク
アップに光源として用いられているが、レーザディスク
プレイヤー、コンパクトディスクプレイヤー等において
は低価格化が非常に強く要求されているのでそれの心臓
部分である光ピツクアップを構成する光源たる半導体レ
ーザ装置に対する低価格化の要求も強い。
しかし、第８図、第９図に示す半導体レーザ装置は、こ
れを製造する場合１円板状のベースｅにリードｆ、ｆを
絶縁ガラスｇ、ｇを介して貞通状にｐ−・１足しなけれ
ばならないし、該ベースｅを、レーザダイオード素子Ｃ
のあるいはレーザタイオート素子−ｃ及びサブマウント
ｄのホンディングが為されたステムａに固着しなければ
ならない。
れを製造する場合１円板状のベースｅにリードｆ、ｆを
絶縁ガラスｇ、ｇを介して貞通状にｐ−・１足しなけれ
ばならないし、該ベースｅを、レーザダイオード素子Ｃ
のあるいはレーザタイオート素子−ｃ及びサブマウント
ｄのホンディングが為されたステムａに固着しなければ
ならない。
史にまた、キャップｉを金属で成形加−Ｌ？＆ 、光通
過孔ｊを透明板にて閉塞するための固着をし、史にキャ
ップｉをステムａに電気溶接する必要がある。従って、
製造り数が非常に多くなり、延いては低価格化か非常に
難しくなるという問題があった。
過孔ｊを透明板にて閉塞するための固着をし、史にキャ
ップｉをステムａに電気溶接する必要がある。従って、
製造り数が非常に多くなり、延いては低価格化か非常に
難しくなるという問題があった。
また、非点隔差を必要とする寥導体レーザ装置（ゲイン
カイトレーザ）（おいては第９図に示すようにキャップ
ｉを上面か傾斜した形状にし、透明板ｋかレーザダイオ
ード素子−ｃの出射端面に対して所定の角度を成すよう
にされているが、キャップｉのステムａに対する取付け
の際その間の相対的位置関係に回転方向（θ方向）のず
れがあると透明板ｋに対するレーザダイオード素子Ｃの
出射端面の向きが所定通りにならなくなってしまい非点
隔差補正を支障なく行うことかできなくなる。ぞして、
その位置合せが比較的面倒であるという問題かある。
カイトレーザ）（おいては第９図に示すようにキャップ
ｉを上面か傾斜した形状にし、透明板ｋかレーザダイオ
ード素子−ｃの出射端面に対して所定の角度を成すよう
にされているが、キャップｉのステムａに対する取付け
の際その間の相対的位置関係に回転方向（θ方向）のず
れがあると透明板ｋに対するレーザダイオード素子Ｃの
出射端面の向きが所定通りにならなくなってしまい非点
隔差補正を支障なく行うことかできなくなる。ぞして、
その位置合せが比較的面倒であるという問題かある。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、半導体レーザ装置の製造コストの低減を図ること
を一つの目的とし、非点隔差を補１Ｆする半導体レーザ
装置において非点隔差を支障なく且つ簡単に為し得るよ
うにすることを他の目的とする。
あり、半導体レーザ装置の製造コストの低減を図ること
を一つの目的とし、非点隔差を補１Ｆする半導体レーザ
装置において非点隔差を支障なく且つ簡単に為し得るよ
うにすることを他の目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明゛ｂ導体レーザ装置の第１のものは上記問題点を
解決するため、基板によって支持されたレーザダイオー
ド素子と、外部接続導体の一部とを光透過性樹脂により
封止したことを特徴とする。
解決するため、基板によって支持されたレーザダイオー
ド素子と、外部接続導体の一部とを光透過性樹脂により
封止したことを特徴とする。
本発明半導体レーザ装置の第２のものは、第１のものに
おいて、光透過性樹脂のレーザダイオード素子のレーザ
ビーム出射面側にあたる部分に非点隔差を補正する光学
要素を形成してなることを特徴とする。
おいて、光透過性樹脂のレーザダイオード素子のレーザ
ビーム出射面側にあたる部分に非点隔差を補正する光学
要素を形成してなることを特徴とする。
本発明！ｒ−４体レーイレーザ装置のものは、第１のも
のにおいて、レーザダイオード素子を支持１−るＪ、Ｑ
板及び外部接続４体がリードからなることを特徴とする
。
のにおいて、レーザダイオード素子を支持１−るＪ、Ｑ
板及び外部接続４体がリードからなることを特徴とする
。
本発明半導体レーザ装置の第４のものは、第１のちのに
おいて、レーザダイオード素子を支持−ｒるＩ＾板が金
属板表面に絶縁層を介して配線を形成した金属基板から
なり、外部接続導体が上記配線からなることを特徴とす
る。
おいて、レーザダイオード素子を支持−ｒるＩ＾板が金
属板表面に絶縁層を介して配線を形成した金属基板から
なり、外部接続導体が上記配線からなることを特徴とす
る。
（Ｆ 作用）
本発明゛昏４体レーザ装置の第１のものによれば、光透
過性樹脂によって封止するので、従゛にの半導体レーザ
装置において必要であったキャップ、その光通過孔を閉
塞する透明板、ステム、ベースが全く不要となり、そし
て、これ等部材を組立てる面倒な工程も不要となる。ま
た、ベースにリードを絶縁ガラスを介して貫通状に取付
るという面倒な工程も不要となる。従って、製造工数を
少なくすることができ、しかも材料費の節減することか
できる。
過性樹脂によって封止するので、従゛にの半導体レーザ
装置において必要であったキャップ、その光通過孔を閉
塞する透明板、ステム、ベースが全く不要となり、そし
て、これ等部材を組立てる面倒な工程も不要となる。ま
た、ベースにリードを絶縁ガラスを介して貫通状に取付
るという面倒な工程も不要となる。従って、製造工数を
少なくすることができ、しかも材料費の節減することか
できる。
本発明半導体レーザ装置の第２のものによれば、第１の
ものと同しように部品点数を低減でさ、製造Ｙ−数も低
減できるだけでなく、封Ｉ卜する光透過性樹脂自身に非
点隔差補正用光学要素か設けられており、従って、部品
点数を増やすことなく非点融ｉ補正ができる。しかも、
光透過性樹脂を型成形してレーザダイオード素子を封＋
１する際にレーザダイオード素子を支持する基板と成形
用の型との位置関係が正しく位置決めされるようにして
おくことによりレーザダイオード素子の出射端面に対し
て非点隔差補正用光学要素が正しく位置決めされて配置
されるようにすることが可能となる。従って、非点隔差
をきちんと補正することができるようになる。
ものと同しように部品点数を低減でさ、製造Ｙ−数も低
減できるだけでなく、封Ｉ卜する光透過性樹脂自身に非
点隔差補正用光学要素か設けられており、従って、部品
点数を増やすことなく非点融ｉ補正ができる。しかも、
光透過性樹脂を型成形してレーザダイオード素子を封＋
１する際にレーザダイオード素子を支持する基板と成形
用の型との位置関係が正しく位置決めされるようにして
おくことによりレーザダイオード素子の出射端面に対し
て非点隔差補正用光学要素が正しく位置決めされて配置
されるようにすることが可能となる。従って、非点隔差
をきちんと補正することができるようになる。
本発明半導体レーザ装置の第３のものによれば、基板及
び外部接続導体をリードにより形成したので、多数の半
導体レーザ装置分の基板及び外部接続導体を成す！！；
ｌ数のリードを一体に形成したリードフレームを用い、
そのリードフレームの基板を成す各リードにレーザタイ
オート素子をホンティングし、史に必要に応じてワイヤ
ボンディングをした後光透過性樹脂て封止をし、その後
リートフレーｌ、を適宜切断して個々の半導体レーザ装
置を分趙独ケさせるという量産性に富んだリードフレー
ムを利用した製造技術を駆使することができる。従って
、製造コストの著しい低減を図ることかできる。
び外部接続導体をリードにより形成したので、多数の半
導体レーザ装置分の基板及び外部接続導体を成す！！；
ｌ数のリードを一体に形成したリードフレームを用い、
そのリードフレームの基板を成す各リードにレーザタイ
オート素子をホンティングし、史に必要に応じてワイヤ
ボンディングをした後光透過性樹脂て封止をし、その後
リートフレーｌ、を適宜切断して個々の半導体レーザ装
置を分趙独ケさせるという量産性に富んだリードフレー
ムを利用した製造技術を駆使することができる。従って
、製造コストの著しい低減を図ることかできる。
本発明〒導体レーザ装置の第４のものによりば、各金属
基板のレーザダイオード素子支持用配線上にレーザダイ
オード素子をボンディングし、ワイヤボンディングし、
更に必要に応じてワイヤボンディングした後光透過性樹
脂で封止をするという簡嘔なプロセスで製造ができるの
で、製造コストの著しい低減を図ることができる。
基板のレーザダイオード素子支持用配線上にレーザダイ
オード素子をボンディングし、ワイヤボンディングし、
更に必要に応じてワイヤボンディングした後光透過性樹
脂で封止をするという簡嘔なプロセスで製造ができるの
で、製造コストの著しい低減を図ることができる。
（Ｇ、実施例）［第１図乃至第７図１
以ド、本発明半導体レーザ装置を図示実施例に従って詳
細に説明１−る。
細に説明１−る。
（ａ、第１の実施例）［第１図］
第１図は本発明半導体レーザ装置の一つの実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
図面において、１は基板で、金属［例えばコバール（商
品名）等］からなり、一端部が幅広に形成されており、
その幅広部分２の表面にシリコンＳｉからなるサブマウ
ント３がボンディングされている。該サブマウント３は
一部領域表面にモニター用フォトダイオード４か形成さ
れ、そして、該モニター用フォトダイオード４か形成さ
れていない部分上にレーザダイオード素子５がボンティ
ングされている。該レーザダイオード素子５はその光出
射端面６が基板１の幅広部分２の先端面７及びサブマウ
ント４の先端面８と路面（ツラーｆチ）になるようにさ
れている。９．１０は−［記基板１の幅広部分２を除く
部分１１の両側にそれと平行に配置されたリード、１２
はリード９とレーザダイオード素子５の′１ハ極との間
を接続するコネクトワイヤ、１３はリード１０とフォト
ダイオード４の電極との間を接続するコネクトワイヤ、
１４は光透過性樹脂で、レーザタイオート素子５、サブ
マウント３．基板１の幅広部分２、そして、リード９．
１０のコネクトワイヤ１２．１３と接続された部分を封
１トするように形成されており、例えばエポキシ樹脂か
らなる。そして、封止は例えばコンプレッションモール
ディングあるはボッティング等による型成形で行われて
いる。
品名）等］からなり、一端部が幅広に形成されており、
その幅広部分２の表面にシリコンＳｉからなるサブマウ
ント３がボンディングされている。該サブマウント３は
一部領域表面にモニター用フォトダイオード４か形成さ
れ、そして、該モニター用フォトダイオード４か形成さ
れていない部分上にレーザダイオード素子５がボンティ
ングされている。該レーザダイオード素子５はその光出
射端面６が基板１の幅広部分２の先端面７及びサブマウ
ント４の先端面８と路面（ツラーｆチ）になるようにさ
れている。９．１０は−［記基板１の幅広部分２を除く
部分１１の両側にそれと平行に配置されたリード、１２
はリード９とレーザダイオード素子５の′１ハ極との間
を接続するコネクトワイヤ、１３はリード１０とフォト
ダイオード４の電極との間を接続するコネクトワイヤ、
１４は光透過性樹脂で、レーザタイオート素子５、サブ
マウント３．基板１の幅広部分２、そして、リード９．
１０のコネクトワイヤ１２．１３と接続された部分を封
１トするように形成されており、例えばエポキシ樹脂か
らなる。そして、封止は例えばコンプレッションモール
ディングあるはボッティング等による型成形で行われて
いる。
この半導体レーザ装置は、基板１及びリード１０．１１
を複数の半導体レーザ装置分一体に形成したリードフレ
ームを用意し、レーザダイオード素子５がホンディング
されたサブマウン［・３を各基板１の幅広部分２にポン
ディングし、次にワイヤホンディングし、次に光透過性
樹脂１４により例えばコンブレッジ１ンモールデイング
あるいはボッディングて封１１−シ、リードフレームを
切断して個々の゛ｔ！：導体レーサし−に分層独立する
という非常に簡ｌｌｔな方法で量産することができる。
を複数の半導体レーザ装置分一体に形成したリードフレ
ームを用意し、レーザダイオード素子５がホンディング
されたサブマウン［・３を各基板１の幅広部分２にポン
ディングし、次にワイヤホンディングし、次に光透過性
樹脂１４により例えばコンブレッジ１ンモールデイング
あるいはボッディングて封１１−シ、リードフレームを
切断して個々の゛ｔ！：導体レーサし−に分層独立する
という非常に簡ｌｌｔな方法で量産することができる。
しかも、ステム、ベース、キャップ、透明板、リード等
を必要とする第８図、第９図に示す半導体レーザ装置に
比較して部品点数か少なくても済むので材料費が安くて
済む。従って、を導体レーザ装置の製造コストを低くす
ることかできる。尚、サブマウント３を基板１の幅広部
分２にボンティングした接話サブマウント３の一部にレ
ーザタイオート素子５をホンディングするようにしても
良いことはいうまでもない。
を必要とする第８図、第９図に示す半導体レーザ装置に
比較して部品点数か少なくても済むので材料費が安くて
済む。従って、を導体レーザ装置の製造コストを低くす
ることかできる。尚、サブマウント３を基板１の幅広部
分２にボンティングした接話サブマウント３の一部にレ
ーザタイオート素子５をホンディングするようにしても
良いことはいうまでもない。
（ｂ、第２の実施例）［第２図］
第２図は本発明半導体レーザ装置の第２の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
本実施例は光透過性樹脂１４の表面１５に非点隔差補止
用のシリンドリカレンズ１６を一体に形成したものであ
る。本実施例はシリンドリカルレンズ１６を有する魚具
外では第１図に示す実施例とは同しである。
用のシリンドリカレンズ１６を一体に形成したものであ
る。本実施例はシリンドリカルレンズ１６を有する魚具
外では第１図に示す実施例とは同しである。
この第２図に示す半導体レーザ装置は、光透過性樹脂１
４によりシリンドリカルレンズ１６が形成されているの
で、非点隔差補正用の部品を特別に設けなくても、即ち
、部品点数を増さなくても非点隔Ｉ補ｉＥができる。し
かも、封１１−するときに用いる金型によりシリンドリ
カルレンズ１６の向きか決定される。従って、第９図に
示す半導体レーザ装置を製造１−る場合におけるように
キャップのステムに対″４−る回転方向（θ方向）のず
れにより透明板のレーザダイオード素子出射端面に対す
る位置関係に狂いか生して非点隔差を正常に補正できな
いというような問題は本実施例によれば起きる余地かな
い。従って、非点隔差を正常に補正できないという不良
をなくすことかできる。
４によりシリンドリカルレンズ１６が形成されているの
で、非点隔差補正用の部品を特別に設けなくても、即ち
、部品点数を増さなくても非点隔Ｉ補ｉＥができる。し
かも、封１１−するときに用いる金型によりシリンドリ
カルレンズ１６の向きか決定される。従って、第９図に
示す半導体レーザ装置を製造１−る場合におけるように
キャップのステムに対″４−る回転方向（θ方向）のず
れにより透明板のレーザダイオード素子出射端面に対す
る位置関係に狂いか生して非点隔差を正常に補正できな
いというような問題は本実施例によれば起きる余地かな
い。従って、非点隔差を正常に補正できないという不良
をなくすことかできる。
（ｃ、第３の実施例）［第３図］
第３図は本発明゛詐導体レーザ装置の第３の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
本実施例は基板１の幅広部分２の底面を露出させて放熱
性をより良好にしたものである。リードフレームを１１
体にして組立てることかできる点では第１図、第２図に
示す実施例と異なるところはない。尚、２点３０線で示
すように光透過性樹脂１４にシリンドリカルレンズ１６
を一体に形成すれば非点隔差の補正ができることはいう
までもない。
性をより良好にしたものである。リードフレームを１１
体にして組立てることかできる点では第１図、第２図に
示す実施例と異なるところはない。尚、２点３０線で示
すように光透過性樹脂１４にシリンドリカルレンズ１６
を一体に形成すれば非点隔差の補正ができることはいう
までもない。
（ｄ 第４の実施例）［第４図］
７Ｊｒ、４図は本発明半導体レーザ装置の第４の実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
本実施例は金属板の表面に絶縁膜を介して配線を形成し
た金属基板を用いたものである。図面において、１７は
例えば鉄、アルミニウムあるいは珪素鋼等からなる金属
板、１８は、該金属板１７の表面に形成された絶縁ＩＬ
１９．２０．２１は絶縁膜１８上に形成された例えば銅
箔からなる配線膜、２２は該配ＩＶＩＩ膜１９の一端部
を成すチップボテインク部で、該チップボンディング部
２２にはサブマウント３がボンディングされている。話
サブマウント３かシリコンＪｌからなり、一部領域にモ
ニター用フォトダイオード４が形成され、モニター用フ
ォトダイオード４が形成されていない領域上にレーザダ
イオード素子５がチップボンディングされていることは
前記各実施例の場合と同じである。２３は配線ｌ１ｉ１
９の他端部を成すランド、２４は配線膜２０の一端部を
成すワイヤポンディングパッドで、シ亥パッド２４とレ
ーザダイオード素子５の電極との間がコネクトワイヤ１
２により接続されている。２５は配線膜２０の他端部を
成すラント、２６は配線膜２の一端部を成すワイヤポン
ディングパッドで、該パッド２６とフォトダイオード４
の電極との間がコネクトワイヤ１３により接続されてい
る。２７は配線１摸２１の他端部を成すランドである。
た金属基板を用いたものである。図面において、１７は
例えば鉄、アルミニウムあるいは珪素鋼等からなる金属
板、１８は、該金属板１７の表面に形成された絶縁ＩＬ
１９．２０．２１は絶縁膜１８上に形成された例えば銅
箔からなる配線膜、２２は該配ＩＶＩＩ膜１９の一端部
を成すチップボテインク部で、該チップボンディング部
２２にはサブマウント３がボンディングされている。話
サブマウント３かシリコンＪｌからなり、一部領域にモ
ニター用フォトダイオード４が形成され、モニター用フ
ォトダイオード４が形成されていない領域上にレーザダ
イオード素子５がチップボンディングされていることは
前記各実施例の場合と同じである。２３は配線ｌ１ｉ１
９の他端部を成すランド、２４は配線膜２０の一端部を
成すワイヤポンディングパッドで、シ亥パッド２４とレ
ーザダイオード素子５の電極との間がコネクトワイヤ１
２により接続されている。２５は配線膜２０の他端部を
成すラント、２６は配線膜２の一端部を成すワイヤポン
ディングパッドで、該パッド２６とフォトダイオード４
の電極との間がコネクトワイヤ１３により接続されてい
る。２７は配線１摸２１の他端部を成すランドである。
そして、レーザダイオード素子５、サブマウント３のボ
ンディング部分及びワイヤボンディング部分が例えばエ
ポキシ樹脂等の光透過性樹脂１４によって封止されてい
る。
ンディング部分及びワイヤボンディング部分が例えばエ
ポキシ樹脂等の光透過性樹脂１４によって封止されてい
る。
尚、２点鎖線で示すように光透過性樹脂１４にシリンド
リカルレンズ１６を一体に形成して非点隔差補正をする
ようにしても良いことはいうまでもない。
リカルレンズ１６を一体に形成して非点隔差補正をする
ようにしても良いことはいうまでもない。
このような半導体レーザ装置は、配線基板１７をａ数の
半導体レーザ装置分一体に形成したものを用１位し、各
配線基板１７のチップボンディングパッド２２にレーザ
ダイオード素子５のチップホンディング清みサブマウン
ト３をチップボンデインクし、次いで、ワイヤボンディ
ングし、その後、光透過性樹脂１４による封止を竹い、
しかる後、配線基板１７を複数の半導体レーザ装置分体
に形成したものを適宜切断することにより個々の半導体
レーザ装置に分離するという量産性に富み工程数の少な
い製造方法で製造することができる。従って、半導体レ
ーザ装置の製造コストの低減を図ることができる。
半導体レーザ装置分一体に形成したものを用１位し、各
配線基板１７のチップボンディングパッド２２にレーザ
ダイオード素子５のチップホンディング清みサブマウン
ト３をチップボンデインクし、次いで、ワイヤボンディ
ングし、その後、光透過性樹脂１４による封止を竹い、
しかる後、配線基板１７を複数の半導体レーザ装置分体
に形成したものを適宜切断することにより個々の半導体
レーザ装置に分離するという量産性に富み工程数の少な
い製造方法で製造することができる。従って、半導体レ
ーザ装置の製造コストの低減を図ることができる。
（ｅ、第５の実施例）［第５図、第６図］第５図及び第
６図は本発明半導体レーザ装置の第５の実施例を示すも
ので、この実施例は第４の実施例にビームスプリッタ及
び戻り光検出用分割フォトダイオードを付加して光ピッ
アップとして機能し得るようにしたものである。
６図は本発明半導体レーザ装置の第５の実施例を示すも
ので、この実施例は第４の実施例にビームスプリッタ及
び戻り光検出用分割フォトダイオードを付加して光ピッ
アップとして機能し得るようにしたものである。
２８はフォトダイオードポンディングパッド、２９は該
パッド２８にボンディングされた戻り光検出用四分割フ
ォトダイオード、３０は該フォトダイオード２９の中央
部トに配置されたビームスプリッタで、レーザダイオー
ド素子５からの光をＦ側に反射し、この反卯した光の図
示しない光記録媒体、例えばビデオディスク、コンパク
トディスクからの戻り光を透過させて四分割フォトダイ
オード２９に受光させるようにする。３１〜３５は各四
分割フォトダイオード３０の各電極を導出する配線膜で
あり、フォトダイオード３０がチップボンディングされ
たパッド２９を有する配線７１２３１を除き配線膜３２
〜３５はコネクトワイヤを介して四分割ダイオード３０
の各電極と接続されている。このような実施例によれば
非常に低価格でしかもコンパクトな光ピツクアップを提
供することができる。
パッド２８にボンディングされた戻り光検出用四分割フ
ォトダイオード、３０は該フォトダイオード２９の中央
部トに配置されたビームスプリッタで、レーザダイオー
ド素子５からの光をＦ側に反射し、この反卯した光の図
示しない光記録媒体、例えばビデオディスク、コンパク
トディスクからの戻り光を透過させて四分割フォトダイ
オード２９に受光させるようにする。３１〜３５は各四
分割フォトダイオード３０の各電極を導出する配線膜で
あり、フォトダイオード３０がチップボンディングされ
たパッド２９を有する配線７１２３１を除き配線膜３２
〜３５はコネクトワイヤを介して四分割ダイオード３０
の各電極と接続されている。このような実施例によれば
非常に低価格でしかもコンパクトな光ピツクアップを提
供することができる。
（ｆ、剥れ防止構造の例）［第７図］
尚、第３乃至第５の実施例は基板１．１７の裏面がレー
ザダイオード素子５取付部分下であっても露出しており
、放熱性に優れている。しかし、二のような実施例にお
いては光透過性樹１わ１４か基板１．１フの裏面にまわ
り込んでいないので光透過性樹脂１４の剥れ強度が不充
分になるＪＲれが皆簾とはいえない。そこで、光透過性
樹脂１４の剥れ強度を充分に強くしたい場合には第７図
に示すように裏側の方が表側よりも径が大きな孔３７を
樹脂封【ヒされる部分の適宜な位置（例えば第３図乃至
第５図において２点３１線で示す部分）に設けるように
すると良い。というのは、樹脂封止の際に樹脂が孔３７
内に入り込み、孔３７の裏側寄りの部分に入り込んだ樹
脂によって剥れが阻まれるからである。
ザダイオード素子５取付部分下であっても露出しており
、放熱性に優れている。しかし、二のような実施例にお
いては光透過性樹１わ１４か基板１．１フの裏面にまわ
り込んでいないので光透過性樹脂１４の剥れ強度が不充
分になるＪＲれが皆簾とはいえない。そこで、光透過性
樹脂１４の剥れ強度を充分に強くしたい場合には第７図
に示すように裏側の方が表側よりも径が大きな孔３７を
樹脂封【ヒされる部分の適宜な位置（例えば第３図乃至
第５図において２点３１線で示す部分）に設けるように
すると良い。というのは、樹脂封止の際に樹脂が孔３７
内に入り込み、孔３７の裏側寄りの部分に入り込んだ樹
脂によって剥れが阻まれるからである。
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明半導体レーザ装置の第１の
ものは、基板によって支持されたレーザダイオード素子
と、該レーザダイオード素子の電極を外部へ導出する外
部接続導体の一部とを光透過性樹脂により封止してなる
ことを特徴とするものである。
ものは、基板によって支持されたレーザダイオード素子
と、該レーザダイオード素子の電極を外部へ導出する外
部接続導体の一部とを光透過性樹脂により封止してなる
ことを特徴とするものである。
従って、本発明半導体レーザ装置の第１のものによれば
、光透過性樹脂によって封止するので、キャップ、その
光通過孔を閉塞する透明握、ステム、ベースが全く不要
となり、これ等部材を組立てる面倒な工程も不要である
。また、ベースにリードを絶縁ガラスを介して貫通状に
取付るという面倒な工程も不要となる。従って、製造工
数を少なくすることができ、しかも材料費を節減するこ
とができる。依って、半導体レーザ装置の片しい低価格
化を図ることができる。
、光透過性樹脂によって封止するので、キャップ、その
光通過孔を閉塞する透明握、ステム、ベースが全く不要
となり、これ等部材を組立てる面倒な工程も不要である
。また、ベースにリードを絶縁ガラスを介して貫通状に
取付るという面倒な工程も不要となる。従って、製造工
数を少なくすることができ、しかも材料費を節減するこ
とができる。依って、半導体レーザ装置の片しい低価格
化を図ることができる。
本発明半導体レーザ装置の第２のものは、第１のものに
おいて、光速通性８４脂のレーザタイオード素子のレー
ザビーム出射面側にあたる部分に非点隔差を補正する光
学要素を形成してなることを特徴とするものである。
おいて、光速通性８４脂のレーザタイオード素子のレー
ザビーム出射面側にあたる部分に非点隔差を補正する光
学要素を形成してなることを特徴とするものである。
従って、本発明半導体レーザ装置の第２のものによれば
、封止する光透過性樹脂自身に非点隔差補正用光学要素
が設けられているので、部品点数を増すことなく非点融
差補正をすることかできる。しかも、光ｉ８過性樹脂を
型成形してレーザダイオード素子を封止する際にレーザ
ダイオード素子を支持する基板と成形用の型との位置関
係が位置決めされるようにしておくことによりレーザダ
イオード素子の出射端面に対して非点隔差補正用光学要
素が正しく配置されるようにすることが簡単にできるの
である。従って、非点隔差をきちんと補正することがで
きる。
、封止する光透過性樹脂自身に非点隔差補正用光学要素
が設けられているので、部品点数を増すことなく非点融
差補正をすることかできる。しかも、光ｉ８過性樹脂を
型成形してレーザダイオード素子を封止する際にレーザ
ダイオード素子を支持する基板と成形用の型との位置関
係が位置決めされるようにしておくことによりレーザダ
イオード素子の出射端面に対して非点隔差補正用光学要
素が正しく配置されるようにすることが簡単にできるの
である。従って、非点隔差をきちんと補正することがで
きる。
本発明半導体レーザ装置の第３のものは、第１のものに
おいて、レーザダイオード素子を支持する基板及び外部
接続導体がリードからなることを特徴とするものである
。
おいて、レーザダイオード素子を支持する基板及び外部
接続導体がリードからなることを特徴とするものである
。
従って、本発明半導体レーザ装置の第３のものによれば
、基板及び外部接続導体をリードにより形成したので、
多数の半導体レーザ装置分の基板及び外部接続導体を成
す多数のリードを一体に形成したリードフレームを用い
、そのリードフレームの基板を成す各リードにレーザダ
イオード素子をボンディングし、更に必要に応じてワイ
ヤボンディングをした後光透過性樹脂で封止をし、その
後リードフレームを適宜切断して個々の半導体レーザ装
置を分曙独ｑさせるというｔ４に産性に富んだリードフ
レームを利用した製造技術を駆使することができる。イ
衣って、製造コストの著しいイ氏減を図ることかできる
。
、基板及び外部接続導体をリードにより形成したので、
多数の半導体レーザ装置分の基板及び外部接続導体を成
す多数のリードを一体に形成したリードフレームを用い
、そのリードフレームの基板を成す各リードにレーザダ
イオード素子をボンディングし、更に必要に応じてワイ
ヤボンディングをした後光透過性樹脂で封止をし、その
後リードフレームを適宜切断して個々の半導体レーザ装
置を分曙独ｑさせるというｔ４に産性に富んだリードフ
レームを利用した製造技術を駆使することができる。イ
衣って、製造コストの著しいイ氏減を図ることかできる
。
本発明゛１導体レーザ装置の第４のものは、第１のもの
において、レーザダイオード素子かマウントされた基板
が金属板表面に絶縁層を介して配線を形成した金属基板
からなり、外部接続導体が上記配線からなることを特徴
とするものである。
において、レーザダイオード素子かマウントされた基板
が金属板表面に絶縁層を介して配線を形成した金属基板
からなり、外部接続導体が上記配線からなることを特徴
とするものである。
従って、本発明半導体レーザ装置の第４のものによれば
各金属基板のレーザダイオード素子支持用配線上にレー
ザダイオード素子をボンディングし、ワイヤボンディン
グし、更に必要に応じてワイヤボンディングした後光透
過性樹脂で封止をするという簡単なプロセスで製造がで
きるので、製造コストの著しい低減を図ることができる
。
各金属基板のレーザダイオード素子支持用配線上にレー
ザダイオード素子をボンディングし、ワイヤボンディン
グし、更に必要に応じてワイヤボンディングした後光透
過性樹脂で封止をするという簡単なプロセスで製造がで
きるので、製造コストの著しい低減を図ることができる
。
第１（，４は本発明半導体レーザ装置の第１の実施例を
示す斜視図、第２図は本発明半導体レーザ装置の第２の
実施例を示す斜視図、第３図は本発明半導体レーザ装置
の第３の実施例を示す斜視図、第４図は本発明半導体レ
ーザ装置の第４の実施例を示す斜視図、第５図及び第６
図は本発明半導体レーザ装置の第５の実施例を示すもの
で、第５図は斜視図、第６図は断面図、第７図は光透過
性樹脂の剥れ防止構造の一例を示す断面図、第８図は第
１の従来例を示す一部切欠斜視図、第９図は第２の従来
例を示す一部切欠斜視図である。 符号の説明 １ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ９〜１１ １４・・ １６・・ １７・・ １９〜２ 基板、 レーザダイオード素子、 ・・・外部接続導体、 ・光透過性樹脂、 ・非点隔差を補正する光学要素、 ・金属基板、１８・・・絶Ｍ膜、 １・・・外部接続導体（配線）。 ！ＩＪル防止構亀の 一例を示１！ｌｆｒ面図 第７図 基界 一部切欠鉛↑ル図 （従来例） 第８図 第９図
示す斜視図、第２図は本発明半導体レーザ装置の第２の
実施例を示す斜視図、第３図は本発明半導体レーザ装置
の第３の実施例を示す斜視図、第４図は本発明半導体レ
ーザ装置の第４の実施例を示す斜視図、第５図及び第６
図は本発明半導体レーザ装置の第５の実施例を示すもの
で、第５図は斜視図、第６図は断面図、第７図は光透過
性樹脂の剥れ防止構造の一例を示す断面図、第８図は第
１の従来例を示す一部切欠斜視図、第９図は第２の従来
例を示す一部切欠斜視図である。 符号の説明 １ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ９〜１１ １４・・ １６・・ １７・・ １９〜２ 基板、 レーザダイオード素子、 ・・・外部接続導体、 ・光透過性樹脂、 ・非点隔差を補正する光学要素、 ・金属基板、１８・・・絶Ｍ膜、 １・・・外部接続導体（配線）。 ！ＩＪル防止構亀の 一例を示１！ｌｆｒ面図 第７図 基界 一部切欠鉛↑ル図 （従来例） 第８図 第９図
Claims (4)
- （１）基板によって支持されたレーザダイオード素子と
、該レーザタイオード素子の電極を外部へ導出する外部
接続導体の一部とを光透過性樹脂により封止してなるこ
とを特徴とする半導体レーザ装置 - （２）光透過性樹脂のレーザダイオード素子のレーザビ
ーム出射面側にあたる部分に非点隔差を補正する光学要
素を形成してなることを特徴とする請求項（１）に記載
の半導体レーザ装置 - （３）レーザダイオード素子を支持する基板及び外部接
続導体がリードからなることを特徴とする請求項（１）
に記載の半導体レーザ装置 - （４）レーザダイオード素子がマウントされた基板か金
属板表面に絶縁層を介して配線を形成した金属基板から
なり、外部接続導体が上記配線からなることを特徴とす
る請求項（１）に記載の半導体レーザ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280171A JPH02125687A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280171A JPH02125687A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125687A true JPH02125687A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17621292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63280171A Pending JPH02125687A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125687A (ja) |
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