JPS62273768A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPS62273768A
JPS62273768A JP61116659A JP11665986A JPS62273768A JP S62273768 A JPS62273768 A JP S62273768A JP 61116659 A JP61116659 A JP 61116659A JP 11665986 A JP11665986 A JP 11665986A JP S62273768 A JPS62273768 A JP S62273768A
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bonding
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裕夫 竹村
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正信 木村
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は例えばカラーテレビジョンカメラ等に用いら
れる固体撮像装置に関する。
(従来の技術) 固体撮像素子は残像がない、焼付きがない、画像歪みが
ない等の長所を有し、近年VTR用カメラ等への適用が
急速に進んでいる。また、最近ではカメラ一体形VTR
等の撮像素子として用いられている。現在用いられてい
る固体撮像素子は主にCCD撮像素子やMO8形撮像素
子であり、これらのチップサイズは2/3インチ、1/
2インチ、8mmシネサイズ等である。これらの撮像素
子チップは、通常パッケージに収容されている。
第6図は従来の固体撮像素子の代表的なチップ実装構造
例である。42が例えばCOD撮像素子チップであり、
セラミックなどで形成されたパッケージ基板、即ちステ
ム41上にダイボンド用接着材により取付けられている
。チップ42上の端子の間はボンディング・ワイヤ43
により接続されている。44はステム41の底部に設け
られたI10リードである。CCD撮像素子チップ42
の保護のため、ステム41上には光学用窓としてのガラ
ス板47が取付けられたキャップ45が設けられている
。48はセラミック・リングであり、ガラス板47とセ
ラミック・リング48の間はガラスフリットにより接着
されセラミック・リング48とキャップ45のフランジ
との間はろう材により接着されている。キャップ45は
ステム41の周辺に設けられたウェルド・リング46に
ウェルド法により接着されている。このようなパッケー
ジ構造では、その形状は25mmx25mmの大きざが
代表的であり、高さは約8mm程度となる。
ところで、このような実装構造の固体撮像素子をカメラ
に組込む場合、パッケージ寸法によりカメラの小形化が
制限される。例えば自動センシングカメラとして、上記
のような固体撮像素子数点でカメラヘッドを構成する場
合等、パッケージ形状が大きいために十分な小形化が難
しい。
第7図はこのような問題を解決して、小形化を図った固
体撮像素子の実装構造例である。この例では、CCD撮
像素子チップ52はセラミック製のチップキャリア基板
51にダイボンディングされている。チップ52上の端
子とチップキャリア基板51上の端子との間はダイボン
ディング・ワイヤ53により接続されている。54は外
部端子電極である。撮像素子チップ52の撮像面には透
明の保護部材が直接接着されている。この例では保護部
材は色補正フィルタとして第1のガラス板55とこれに
重ねられた第2のガラス板56とからなり、これらが光
学用接着材により順に接着された後、その保護部材のボ
ンディング・ワイヤ配置領域が接着材の一種であるポツ
ティング材57で覆われてシールドされている。
このような固体撮像素子は、その耐湿特性の関係上、保
護部材とポツティング材57との接合部分をできるだけ
多くして、そのシールド効果を向上させる構造が望まし
い。しかしながら、上記固体撮像素子の実装構造では、
その構成上、保護部材とポツティング材57との接合部
分であるシーリングパスが該保護部材の厚さ寸法だけし
か採ることができないことで、所望のシールド効果を得
ることが難しく、耐湿性の点が劣るものであった。
(発明が解決しようとする問題点) この発明は上記のシールド効果が劣り耐湿性が低下する
点を解決するためになされたもので、小形化を確保した
うえで、シールド効果の向上を図り、信頼性の向上を図
り得るようにした固体撮像装置を提供することを目的と
する。
[発明の構成] (問題点を解決するため手段及び作用)この発明の固体
撮像装置は固体撮像素子を保持するチップキャリア基板
と、前記固体撮像素子上に接着固定される第1の透明基
板と、この第1の透明基板上に接着固定され該第1の透
明基板より大きい形状に形成された第2の透明基板とを
備えることにより、ボンディング・ワイヤ配置領域の密
閉を確実に行なうと共に、シーリングパスを充分に採る
と共に、ボンディング・ワイヤ配置領域の密閉を確実に
行なうようにしたものである。
(実施例) 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
第1図はこの発明の一実施例に係る固体撮像装置を示す
もので、11はチップキャリア基板であり、この上には
CCD1i像素子チツプ12が撮像面を上向きにしてダ
イボンド用接着材(導電性エポキシ)により接着されて
搭載される。チップキャリア基板11の大きさは、図の
面内で横方向が9、2mm、図面に垂直な方向が8.2
mmである。撮像素子チップ12の端子と基板11の端
子の間はボンディング・ワイヤ13により接続されてい
る。14は基板11に設置ノられたI10リードである
。このように基板11に搭載された撮像素子チップ12
の撮像面に直接接着する透明な保護部材が設けられてい
る。
この例では保護部材は、撮像素子チップ12より小さい
形状(図の面内で横方向の寸法が5.7mm)を有し、
撮像素子チップ12のボンディング・ワイヤ配置領域を
除く撮像面に貼り合わされた色補正フィルタとして色ガ
ラスで形成された第1の透明基板15と、このうえに重
ねられて貼り合わされた該第1の透明基板15より大き
い形状を有する第2の透明基板16より構成されている
このうち第1の透明基板15はこの例ではCM−500
(保谷硝子製)であり、紫外線硬化形の光学系接着材で
あるノーランド61(商品名)により撮像素子チップ1
2表面に接着される。第2の透明基板16は水晶フィル
タであり、これもノーランド61により第1の透明基板
15に接着される。即ち第2の透明基板16は、第1の
透明基板15をスペーサとして、搬像素子チップ12と
基板11のボンディング・ワイヤ配置領域に対して所定
の間隙を形成してこの領域を覆うようになっている。そ
して、第2の透明基板16と撮像素子チップ12及び基
板11との間隙部のボンディング・ワイヤ配置領域には
モールド樹脂17が充填される。モールド樹脂17はこ
の例ではスタイキャスト2651MM(エマーソン&カ
ミンク社製)で、黒色のものを用いた。黒を用いる理由
は、光学的反射によるフレアを防止するためである。な
お、この実施例による外形の大きさは、9.2mmx8
.2mmx2.1mmである。
こうして、この実施例によれば、全体の小形化を実現し
たうえで、保護部材とモールド樹脂17との接合部分で
あるシーリングパスが充分に採れ、しかも密閉度も向上
されてボンディング・ワイヤ領域が確実に保護された固
体撮像装置が実現できる。特に、第1の透明基板15が
色ガラスである場合には、このガラスの吸湿による白濁
等を充分に防ぐことができる耐湿性の良い装置を提供で
きる。
第2図乃至第5図はそれぞれはこの発明の他の実施例に
係るCCD固体me装置を示す。
即ち第2図の実施例では、第1の透明基板15より大き
い方向性の異なる3枚の水晶板でなる水晶フィルタで構
成した第2の透明基板16aを配設したもので、その他
の部分の構造については上述した第1図の実施例の構造
と同様に構成されている。
また、第3図は上述した実施例で用いたI10リード1
4がついたチップキャリア基板11に代えて端子電極1
8が一体的に設けられたチップキャリア基板19を用い
たもので、同様に適用可能である。
これら各実施例によっても上述した実施例と同様に全体
の小形化を実現したうえで、シーリングパスが充分に採
れ、しかもボンディング・ワイヤ領域が確実に保護され
た固体撮像装置が実現できる。
さらに、第4図及び第5図はそれぞれI10リード14
のついたチップキャリア基板11及び端子N極18が一
体的に設けられたチップキャリア基板19に対して保護
部材の第2の透明基板16bを第1の透明基板15より
大きく、しかも基板11.19より大きく形成し、モー
ルド樹脂17を第2の透明基板16aの下面部からボン
ディング・ワイヤ配置領域を含むチップキャリア基板1
1.19の周囲部に至る部分に充填する。そして、その
他の部分の構造については上述した第1図の実施例と同
様に構成する。これら各実施例によっても上述した先の
各実施例と同様に、全体の小形化を実現したうえで、シ
ーリングパスが充分に採れ、しかもボンディング・ワイ
ヤ領域が確実に保護された固体撮像装置が実現できる。
なお、この発明は上記各実施例に限ることなく、その他
、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
することが可能である。例えば撮像素子チップの保護部
材として通常の板ガラスあるいは水晶フィルタを含む空
間ローパス・フィルタ等を適宜に組合わせることも可能
である。また、基板としてセラミック製基板に他、金属
ステム方式のものを用いた場合、撮像素子としてMO8
形撮像素子等の固体ms素子を用いた場合においても適
用可能である。
[発明の効果] 以上詳述したように、この発明によれば、小形化を確保
したうえで、シールド効果の向上を図リ、信頼性の向上
を図り得るようにした固体撮像装置を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す固体撮像装置を示す
構成説明図、第2図乃至第5図はそれぞれこの発明の他
の実施例を示す図、第6図及び第7図はそれぞれ従来の
固体撮像装置を説明するために示した構成図である。 11・・・チップキャリア基板、12・・・撮像素子チ
ップ、13・・・ボンディング・ワイヤ、14・・・I
10リード、15・・・第1の透明基板、16゜16a
、16b・・・第2の透明基板、17・・・モールド樹
脂、18・・・端子電極、19・・・チップキャリア基
板。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)固体撮像素子を保持するチップキャリア基板と、
    前記固体撮像素子上に接着固定される第1の透明基板と
    、この第1の透明基板上に接着固定され該第1の透明基
    板より大きい形状に形成された第2の透明基板とを具備
    したことを特徴とする固体撮像装置。
  2. (2)前記第1の透明基板は色ガラスフィルタで形成さ
    れ、かつ、前記第2の透明基板は水晶フィルタで形成さ
    れたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の固体
    撮像装置。(3)前記第2の透明基板を前記チップキャ
    リア基板より大きく形成して、該第2の透明基板の前記
    撮像素子面側からチップキャリア基板の周囲部に至る領
    域にモールド樹脂を充填したことを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の固体撮像装置。
JP61116659A 1986-05-21 1986-05-21 固体撮像装置 Expired - Lifetime JPH0728014B2 (ja)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296367A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH09130683A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Konica Corp 光学素子一体型撮像素子及び撮像装置
US6649991B1 (en) * 2002-04-22 2003-11-18 Scientek Corp. Image sensor semiconductor package
JP2006005029A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Fujitsu Ltd 撮像装置及びその製造方法
US7932948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-26 Panasonic Corporation Solid-state image sensing device having a layer on microlens and method for fabricating the same
JP2013243341A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品および電子機器
US9155212B2 (en) 2012-04-27 2015-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component, mounting member, electronic apparatus, and their manufacturing methods
US9220172B2 (en) 2012-04-27 2015-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component, electronic module, their manufacturing methods, mounting member, and electronic apparatus
CN109196657A (zh) * 2016-05-30 2019-01-11 三美电机株式会社 光学模块、模块及其制造方法
JP2019036701A (ja) * 2017-08-16 2019-03-07 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドKingpak Technology Inc. センサパッケージ構造

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5478026A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Hitachi Ltd Production of solid color image pickup unit
JPS5478028A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Toshiba Corp Position detector
JPS55159678A (en) * 1979-05-31 1980-12-11 Toshiba Corp Solidstate image sensor
JPS56116649A (en) * 1980-02-19 1981-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing of semiconductor device
JPS5911084A (ja) * 1982-07-12 1984-01-20 Toshiba Corp カラ−用固体撮像デバイス
JPS6178159A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラ−固体撮像装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5478026A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Hitachi Ltd Production of solid color image pickup unit
JPS5478028A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Toshiba Corp Position detector
JPS55159678A (en) * 1979-05-31 1980-12-11 Toshiba Corp Solidstate image sensor
JPS56116649A (en) * 1980-02-19 1981-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing of semiconductor device
JPS5911084A (ja) * 1982-07-12 1984-01-20 Toshiba Corp カラ−用固体撮像デバイス
JPS6178159A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラ−固体撮像装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296367A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH09130683A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Konica Corp 光学素子一体型撮像素子及び撮像装置
US6649991B1 (en) * 2002-04-22 2003-11-18 Scientek Corp. Image sensor semiconductor package
US8411197B2 (en) 2004-06-15 2013-04-02 Fujitsu Semiconductor Limited Image pickup device and production method thereof
JP2006005029A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Fujitsu Ltd 撮像装置及びその製造方法
US7932948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-26 Panasonic Corporation Solid-state image sensing device having a layer on microlens and method for fabricating the same
US8223250B2 (en) 2005-07-20 2012-07-17 Panasonic Corporation Solid-state image sensing device
JP2013243341A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品および電子機器
US9155212B2 (en) 2012-04-27 2015-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component, mounting member, electronic apparatus, and their manufacturing methods
US9220172B2 (en) 2012-04-27 2015-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component, electronic module, their manufacturing methods, mounting member, and electronic apparatus
US9253922B2 (en) 2012-04-27 2016-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component and electronic apparatus
CN109196657A (zh) * 2016-05-30 2019-01-11 三美电机株式会社 光学模块、模块及其制造方法
JPWO2017208724A1 (ja) * 2016-05-30 2019-03-22 ミツミ電機株式会社 光学モジュール、モジュール及びその製造方法
JP2019036701A (ja) * 2017-08-16 2019-03-07 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドKingpak Technology Inc. センサパッケージ構造

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