JPS61289772A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS61289772A JPS61289772A JP60132416A JP13241685A JPS61289772A JP S61289772 A JPS61289772 A JP S61289772A JP 60132416 A JP60132416 A JP 60132416A JP 13241685 A JP13241685 A JP 13241685A JP S61289772 A JPS61289772 A JP S61289772A
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- JP
- Japan
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- substrate
- chip
- glass plate
- bonding wire
- solid
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像素子に係り、特にそのチップ実装構造
に関する。
に関する。
固体ＦＲ（ＩＩ素子は残像がない、焼き付きがない、画
像歪みがない等の長所を有し、近年ＶＴＲ用カメラ等へ
の適用が急速に進んでいる。また最近ではカメラ一体型
ＶＴＲや８ ｔｔｕｎ Ｖ Ｔ Ｒなどの撮像累子とし
ても用いられている。現在用いられている固体ｍ機素子
は主にＣＯＤ庵像素像素子Ｏ８型記像素子であり、これ
らのチップサイズは２／３インチ、１／２インチ、８闇
シネサイズなどである。
像歪みがない等の長所を有し、近年ＶＴＲ用カメラ等へ
の適用が急速に進んでいる。また最近ではカメラ一体型
ＶＴＲや８ ｔｔｕｎ Ｖ Ｔ Ｒなどの撮像累子とし
ても用いられている。現在用いられている固体ｍ機素子
は主にＣＯＤ庵像素像素子Ｏ８型記像素子であり、これ
らのチップサイズは２／３インチ、１／２インチ、８闇
シネサイズなどである。
これらの撮像素子チップは通常パッケージに実装されて
いる。
いる。
第２図は従来の固体撮像素子の代表的なチップ実装構造
例である。４２が例えばＣＯＤ躍像素像素子チップり、
セラミックなどで形成されたパッケージ基板、即ちステ
ム４１上にダイボンド用接着材により取付けられている
。チップ４２上の端子とステム４１上の端子の間はボン
ディング・ワイヤ４３により接続されている。４４はス
テム４１の底部に設けられたＩ／Ｏリードである。ＣＣ
Ｄ撮像素子チップ４２の保護のため、ステム４１上には
光学用窓としてのガラス板４７が取付けられたキャップ
４５が設けられている。４８はセラミック・リングであ
り、ガラス板４７とセラミック・リング４８の間はガラ
スフリットにより接着され、セラミック・リング４８と
キャップ４５のフランジとの間はろう材により接着され
ている。
例である。４２が例えばＣＯＤ躍像素像素子チップり、
セラミックなどで形成されたパッケージ基板、即ちステ
ム４１上にダイボンド用接着材により取付けられている
。チップ４２上の端子とステム４１上の端子の間はボン
ディング・ワイヤ４３により接続されている。４４はス
テム４１の底部に設けられたＩ／Ｏリードである。ＣＣ
Ｄ撮像素子チップ４２の保護のため、ステム４１上には
光学用窓としてのガラス板４７が取付けられたキャップ
４５が設けられている。４８はセラミック・リングであ
り、ガラス板４７とセラミック・リング４８の間はガラ
スフリットにより接着され、セラミック・リング４８と
キャップ４５のフランジとの間はろう材により接着され
ている。
キャップ４５はステム４１の周辺に設けられたウェルド
・リング４６にウェルド法により接着されている。この
ようなパッケージ構造では、その形状は２５ＭＸ２５１
＋１１１程度の大きさが代表的であり、高さは約８Ｍ程
度となる。
・リング４６にウェルド法により接着されている。この
ようなパッケージ構造では、その形状は２５ＭＸ２５１
＋１１１程度の大きさが代表的であり、高さは約８Ｍ程
度となる。
この様な実装構造の固体撮像素子をカメラに組込む場合
、パッケージ寸法によりカメラの小型化が制限される。
、パッケージ寸法によりカメラの小型化が制限される。
例えば自動センシングカメラとして、上記のような固体
ｍ機素子数点でカメラヘッドを構成する場合等、パッケ
ージ形状が大きいために十分な小型化が難しい。
ｍ機素子数点でカメラヘッドを構成する場合等、パッケ
ージ形状が大きいために十分な小型化が難しい。
第５図はこの問題を解決して、より小型化を図った固体
撮像素子の実装構造例である。この例では、ｃｃｏｉａ
ｍ素子チップ５２はセラミック類のチップキャリア５１
にダイボンディングされている。チップ５２上の端子と
チップキャリア５１上の端子との間はボンディング・ワ
イヤ５３により接続されている。５４は外部端子電極で
ある。搬像素子チップ５２の撮像面には透明の保護部材
が直接接着されている。この例では保護部材は、色補正
フィルタとしての第１のガラス板５５とこれに重ねられ
た第２のガラス板５６とからなり、これらが光学用接着
材により順次接着されている。
撮像素子の実装構造例である。この例では、ｃｃｏｉａ
ｍ素子チップ５２はセラミック類のチップキャリア５１
にダイボンディングされている。チップ５２上の端子と
チップキャリア５１上の端子との間はボンディング・ワ
イヤ５３により接続されている。５４は外部端子電極で
ある。搬像素子チップ５２の撮像面には透明の保護部材
が直接接着されている。この例では保護部材は、色補正
フィルタとしての第１のガラス板５５とこれに重ねられ
た第２のガラス板５６とからなり、これらが光学用接着
材により順次接着されている。
ボンディング・ワイヤ配置領域はボンディング・ワイヤ
５３を保護するために接着材の一つであるボッティング
材５７で覆っている。
５３を保護するために接着材の一つであるボッティング
材５７で覆っている。
この構造では第４図と比較して明らかなように特に高さ
が小さくなっている。しかしながらこの構造の場合、ボ
ッティング材５７によるボンディング・ワイヤ５３の保
護に機械的強度の点で不安があり、またボッティングに
よりボンディング・ワイヤ５３が切断される等のトラブ
ルを生じ易い、という問題がある。
が小さくなっている。しかしながらこの構造の場合、ボ
ッティング材５７によるボンディング・ワイヤ５３の保
護に機械的強度の点で不安があり、またボッティングに
よりボンディング・ワイヤ５３が切断される等のトラブ
ルを生じ易い、という問題がある。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、ボンディング
・ワイヤの保護を十分なものとし、しかも小型化実装を
図った固体撮像素子を提供することを目的とする。
・ワイヤの保護を十分なものとし、しかも小型化実装を
図った固体撮像素子を提供することを目的とする。
本発明では基板に搭載された固体１ｌｌｌ像素子チツプ
のｌＩｌ像面に透明な保護部材を直接貼り合わせる構造
を基本とするが、その場合保護部材は、搬像素子チップ
と基板のボンディング・ワイヤ配置領域ではｍ＊素子チ
ップと基板に対して所定の間隙が形成された状態でこの
領域を覆うように構成する。ボンディング・ワイヤ配置
領域での保護部材とチップ及び基板との間の間隙部には
、ボッティング材等のモールド樹脂を充填することが好
ましい。
のｌＩｌ像面に透明な保護部材を直接貼り合わせる構造
を基本とするが、その場合保護部材は、搬像素子チップ
と基板のボンディング・ワイヤ配置領域ではｍ＊素子チ
ップと基板に対して所定の間隙が形成された状態でこの
領域を覆うように構成する。ボンディング・ワイヤ配置
領域での保護部材とチップ及び基板との間の間隙部には
、ボッティング材等のモールド樹脂を充填することが好
ましい。
（発明の効果〕
本発明によれば、ボンディング・ワイヤの保護を確実な
ものとして、しかも小型化を図った固体撮像素子を実現
することができる。
ものとして、しかも小型化を図った固体撮像素子を実現
することができる。
以下本発明の詳細な説明する。
第１図は一実施例のＣＣＤｌ１ｉｅ素子である。１１は
チップキャリア基板であり、この上にＣＣＤＷｉ像素子
チップ１２がＩｌｌ＠面を上向きにしてダイボンド用接
着材（導電性エポキシ）により接着されて搭載されてい
る。ヂツブキ１アリア基板１１の大きさは、図の面内で
横方向が９．２ｔｎｍ、図面に垂直な方向が８．２ｍで
ある。撮像素子チップ１２の端子と基板１１の端子の間
はボンディング・ワイヤ１３により接続されている。１
４は基板に一体的に形成された端子電極である。このよ
うに基板１１に搭載された撮像素子チップ１２の撮像面
に直接接着する透明な保護部材が設けられている。この
例ではこの保護部材は、撮像素子チップ１２より小さい
形状（図の面内で横方向の寸法が５．７ｍ）を有し、撮
像素子チップ１２のボンディング・ワイヤ配置領域を除
く躇像面に貼り合わせられた色補正フィルタとしての第
１のガラス板１５と、この上に重ねて貼り合わせられた
、基板１１と同程度の形状を有する第２のガラス板１６
とから構成されている。第１のガラス板１５はこの例で
はＣＭ−５００（保谷ガラス製）であり、紫外ｔＱｑ化
型の光学系接着材であるノーランド６１（商品名）によ
りｌ１ｉｌ像素子チップ１２表面に接着される。第２の
ガラス板１６は通常の板ガラスであり、これもノーラン
ド６１にＪ：り第１のガラス板１５に接着される。即ち
第２のガラス板１６は、第１のガラス板１５をスペーサ
として、躍象素子チップ１２と基板１１のボンディング
・ワイヤ配置領域に対して所定の間隙を形成してこの領
域を覆うようになっている。そして第２のガラス板１６
とｔａｍ素子チップ１２及び基板１１との間隙部のボン
ディング・ワイヤ配置領域には、モールド樹脂１７が充
填されている。このモールド樹脂１７はこの例ではスタ
イキャスト２６５１ＭＭ（エマーソン＆カミンク社製）
で、黒色のものを用いた。黒色を用いる理由は、光学的
反射によるフレアを防止するためである。この実施例に
よるｃｃｏｍ像素子の全体の大きさは、 ９，２ ｔｒ
ｖｎ Ｘ ８，２縮×２．１順である。
チップキャリア基板であり、この上にＣＣＤＷｉ像素子
チップ１２がＩｌｌ＠面を上向きにしてダイボンド用接
着材（導電性エポキシ）により接着されて搭載されてい
る。ヂツブキ１アリア基板１１の大きさは、図の面内で
横方向が９．２ｔｎｍ、図面に垂直な方向が８．２ｍで
ある。撮像素子チップ１２の端子と基板１１の端子の間
はボンディング・ワイヤ１３により接続されている。１
４は基板に一体的に形成された端子電極である。このよ
うに基板１１に搭載された撮像素子チップ１２の撮像面
に直接接着する透明な保護部材が設けられている。この
例ではこの保護部材は、撮像素子チップ１２より小さい
形状（図の面内で横方向の寸法が５．７ｍ）を有し、撮
像素子チップ１２のボンディング・ワイヤ配置領域を除
く躇像面に貼り合わせられた色補正フィルタとしての第
１のガラス板１５と、この上に重ねて貼り合わせられた
、基板１１と同程度の形状を有する第２のガラス板１６
とから構成されている。第１のガラス板１５はこの例で
はＣＭ−５００（保谷ガラス製）であり、紫外ｔＱｑ化
型の光学系接着材であるノーランド６１（商品名）によ
りｌ１ｉｌ像素子チップ１２表面に接着される。第２の
ガラス板１６は通常の板ガラスであり、これもノーラン
ド６１にＪ：り第１のガラス板１５に接着される。即ち
第２のガラス板１６は、第１のガラス板１５をスペーサ
として、躍象素子チップ１２と基板１１のボンディング
・ワイヤ配置領域に対して所定の間隙を形成してこの領
域を覆うようになっている。そして第２のガラス板１６
とｔａｍ素子チップ１２及び基板１１との間隙部のボン
ディング・ワイヤ配置領域には、モールド樹脂１７が充
填されている。このモールド樹脂１７はこの例ではスタ
イキャスト２６５１ＭＭ（エマーソン＆カミンク社製）
で、黒色のものを用いた。黒色を用いる理由は、光学的
反射によるフレアを防止するためである。この実施例に
よるｃｃｏｍ像素子の全体の大きさは、 ９，２ ｔｒ
ｖｎ Ｘ ８，２縮×２．１順である。
こうしてこの実施例によれば、全体が極めて小型化され
、しかもボンディング・ワイヤ領域が保護されたＣＣＤ
１ｌａ像素子が実現する。
、しかもボンディング・ワイヤ領域が保護されたＣＣＤ
１ｌａ像素子が実現する。
第２図は本発明の別の実施例のＣＣＤ撮像素子を示す。
この実施例ではＩ／Ｏリード２４のついたパッケージ基
板２１を用いてこれにＣＣＤｌｌ１像素子チツプ２２を
搭載している。撮像素子チップ２２と基板２１の端子間
をボンディング・ワイヤ２３で接続し、透明保護部材と
して第１のガラス板２５と第２のガラス板２６を重ね、
ボンディング・ワイヤ配置領域にモールド樹脂２７を充
填する構造は先の実施例と同様である。
板２１を用いてこれにＣＣＤｌｌ１像素子チツプ２２を
搭載している。撮像素子チップ２２と基板２１の端子間
をボンディング・ワイヤ２３で接続し、透明保護部材と
して第１のガラス板２５と第２のガラス板２６を重ね、
ボンディング・ワイヤ配置領域にモールド樹脂２７を充
填する構造は先の実施例と同様である。
この実施例によっても先の実施例と同様に、小型化を図
り且つボンディング・ワイヤの保護を確実にしたＣＣＤ
ＩＩ）］像素子がｔＦｌられる。
り且つボンディング・ワイヤの保護を確実にしたＣＣＤ
ＩＩ）］像素子がｔＦｌられる。
第３図は本発明の更に他の実施例のＣＯＤ ’ｄａ １
％素子である。この実施例では第１図の実施例と同様に
、端子電極３４付きのチップキャリア基板３１を用いて
この上にＣＣＤ 搬像素子デツプ３２を搭載し、ボンデ
ィング・ワイヤ３３を配設している。第１図の実施例と
異なる点は、透明保護部材として一枚のガラス板３５を
用いていることである。このガラス板３５はｌ１１ｍ素
子チップ３２に接着した時に周辺部のボンディング・ワ
イヤ配置領域に所定の間隙が形成されるようにＣ面加工
が施されている。ボンディング・ワイヤ領域の間隙部に
モールド樹脂３６が充填されることは先の実流例と同様
である。
％素子である。この実施例では第１図の実施例と同様に
、端子電極３４付きのチップキャリア基板３１を用いて
この上にＣＣＤ 搬像素子デツプ３２を搭載し、ボンデ
ィング・ワイヤ３３を配設している。第１図の実施例と
異なる点は、透明保護部材として一枚のガラス板３５を
用いていることである。このガラス板３５はｌ１１ｍ素
子チップ３２に接着した時に周辺部のボンディング・ワ
イヤ配置領域に所定の間隙が形成されるようにＣ面加工
が施されている。ボンディング・ワイヤ領域の間隙部に
モールド樹脂３６が充填されることは先の実流例と同様
である。
この実施例によっても先の実施例と同様の効果が得られ
ることは明らかである。この実施例の構造を第２図のパ
ッケージ基板を用いた場合に適用することも勿論可能で
ある。
ることは明らかである。この実施例の構造を第２図のパ
ッケージ基板を用いた場合に適用することも勿論可能で
ある。
本発明は上記した実施例に限られず、更に種々変形して
実施することができる。例えば撮像素子チップの保護部
材として、水晶等の空間ローパス・フィルタなどを適宜
組合わせることができる。
実施することができる。例えば撮像素子チップの保護部
材として、水晶等の空間ローパス・フィルタなどを適宜
組合わせることができる。
また、基板としてセラミック製基板の他、金属ステム方
式のものを用いた場合、Ｉａｉｘ子としてＭＯ８型撮像
素子等他０固体ｉｌｌｌ素像を用いた場合にも本発明を
適用することができる。
式のものを用いた場合、Ｉａｉｘ子としてＭＯ８型撮像
素子等他０固体ｉｌｌｌ素像を用いた場合にも本発明を
適用することができる。
第１図は本発明の一実施例のＣＣＤＩＩｆｉ像素子を示
す図、第２図及び第３図は他の実施例のＣＣＤＣＤ素像
素子す図、第４図及び第５図は従来のＣＣＤ撮像素子を
示す図である。 １１・・・チップキャリア基板、１２・・・ｃｃｏｍ像
素子チップ、１３・・・ボンディング・ワイヤ、１４・
・・端子電極、１５・・・第１のガラス板（色補正フィ
ルタ）、１６・・・第２のガラス板、１７・・・モール
ド樹脂、２１・・・パッケージ基板、２２・・・ＣＣＤ
１ｌｉ像素子チツプ、２３・・・ボンディング・ワイヤ
、２４・・・Ｉ／Ｏリード、２５・・・第１のガラス板
（色補正フィルタ）、２６・・・第２のガラス板、２７
・・・モールド樹脂、３１・・・チップキャリア基板、
３２・・・ＣＣＤＩｆｉｉ素子チップ、３３・・・ボン
ディング・ワイヤ、３４・・・端子電極、３５・・・ガ
ラス板、３６・・・モールド樹脂。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２厘 ｌｌ３ｒＩ！Ｊ
す図、第２図及び第３図は他の実施例のＣＣＤＣＤ素像
素子す図、第４図及び第５図は従来のＣＣＤ撮像素子を
示す図である。 １１・・・チップキャリア基板、１２・・・ｃｃｏｍ像
素子チップ、１３・・・ボンディング・ワイヤ、１４・
・・端子電極、１５・・・第１のガラス板（色補正フィ
ルタ）、１６・・・第２のガラス板、１７・・・モール
ド樹脂、２１・・・パッケージ基板、２２・・・ＣＣＤ
１ｌｉ像素子チツプ、２３・・・ボンディング・ワイヤ
、２４・・・Ｉ／Ｏリード、２５・・・第１のガラス板
（色補正フィルタ）、２６・・・第２のガラス板、２７
・・・モールド樹脂、３１・・・チップキャリア基板、
３２・・・ＣＣＤＩｆｉｉ素子チップ、３３・・・ボン
ディング・ワイヤ、３４・・・端子電極、３５・・・ガ
ラス板、３６・・・モールド樹脂。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２厘 ｌｌ３ｒＩ！Ｊ
Claims (5)
- （１）基板と、この基板上に撮像面を上向きにして搭載
された固体撮像素子チップと、このチップ上の端子と前
記基板上の端子の間に設けられたボンディング・ワイヤ
と、前記チップの撮像面に貼り合わせられた透明な保護
部材とを有する固体撮像素子において、前記保護部材は
、前記ボンディング・ワイヤ配置領域を、前記チップ及
び基板に対して所定の間隙が形成された状態で覆うよう
に構成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - （２）前記保護部材は、前記チップより小さい形状を有
し、チップのボンディング・パッド領域を除く撮像面に
貼り合わせられた色補正フィルタとしての第１のガラス
板と、前記基板と同程度の形状を有し、前記チップ及び
基板上のボンディング・ワイヤ配置領域を覆うように前
記第１のガラス板に貼り合わせられた第２のガラス板と
からなる特許請求の範囲第１項記載の固体撮像素子。 - （３）前記保護部材は、周辺部で前記チップ及び基板に
対して所定の間隙が形成されるように加工されて前記ボ
ンディング・ワイヤ配置領域を覆うように構成された一
枚のガラス板である特許請求の範囲第１項記載の固体撮
像素子。 - （４）前記基板はチップキャリア基板である特許請求の
範囲第１項記載の固体撮像素子。 - （５）前記基板はＩ／Ｏリード付のパッケージ基板であ
る特許請求の範囲第１項記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132416A JPH0754974B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132416A JPH0754974B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289772A true JPS61289772A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0754974B2 JPH0754974B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=15080863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132416A Expired - Fee Related JPH0754974B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754974B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246135A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡 |
| US6649991B1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-11-18 | Scientek Corp. | Image sensor semiconductor package |
| EP1708269A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device module and manufacturing method of semiconductor device module |
| US7932948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-26 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensing device having a layer on microlens and method for fabricating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062279A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132416A patent/JPH0754974B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062279A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
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| JPS63246135A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡 |
| JPH0438416B2 (ja) * | 1987-04-01 | 1992-06-24 | ||
| US6649991B1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-11-18 | Scientek Corp. | Image sensor semiconductor package |
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| US7521790B2 (en) | 2005-03-29 | 2009-04-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device module and manufacturing method of semiconductor device module |
| US7932948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-26 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensing device having a layer on microlens and method for fabricating the same |
| US8223250B2 (en) | 2005-07-20 | 2012-07-17 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754974B2 (ja) | 1995-06-07 |
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