JPS62150796A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62150796A JPS62150796A JP29495185A JP29495185A JPS62150796A JP S62150796 A JPS62150796 A JP S62150796A JP 29495185 A JP29495185 A JP 29495185A JP 29495185 A JP29495185 A JP 29495185A JP S62150796 A JPS62150796 A JP S62150796A
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- laser diode
- diode chip
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に半導体レーザダイオ
ード装置におけるパッケージ構造の改良に係るものであ
る。
ード装置におけるパッケージ構造の改良に係るものであ
る。
従来例によるこの種の半導体レーザダイオード装置の概
要構造を第３図に示す。
要構造を第３図に示す。
すなわち、この第３図従来例構造において、符号ｌは装
置保持のためのＦｅ−ＮｉなどにＡｕメッキを施したス
テム本体、２はこのステム本体ｌにガラス融着などで固
定されたＦｅ−旧などによるそれぞれのリード、３は前
記ステム本体ｌ上に半田などで装着させた熱伝導性の良
好なＡｇなどによるブロック体であり、また４はこのブ
ロック体３に半田などで接着されたＳｉなどのサブマウ
ント、５はこのサブマウント４に半田などで接着された
ごｈ導体レーザタイオードチップ、６は前記ステム本体
１１−に半田、あるいは導電性樹脂などで接着されたホ
トダイオード、７は前記リード２と半導体レーザダイオ
ードチップ５の電極とを接続する金属細線、８はこれら
の各部を覆うように前記ステム本体１に被嵌重着された
コバールなどからなるキャップ体、９はこのキャップ化
８に設けられたガラス窓である。
置保持のためのＦｅ−ＮｉなどにＡｕメッキを施したス
テム本体、２はこのステム本体ｌにガラス融着などで固
定されたＦｅ−旧などによるそれぞれのリード、３は前
記ステム本体ｌ上に半田などで装着させた熱伝導性の良
好なＡｇなどによるブロック体であり、また４はこのブ
ロック体３に半田などで接着されたＳｉなどのサブマウ
ント、５はこのサブマウント４に半田などで接着された
ごｈ導体レーザタイオードチップ、６は前記ステム本体
１１−に半田、あるいは導電性樹脂などで接着されたホ
トダイオード、７は前記リード２と半導体レーザダイオ
ードチップ５の電極とを接続する金属細線、８はこれら
の各部を覆うように前記ステム本体１に被嵌重着された
コバールなどからなるキャップ体、９はこのキャップ化
８に設けられたガラス窓である。
しかしてこの従来例構造において、半導体レーザダイオ
ードチップ５は、リード２を通して図示しない外部回路
により順方向にバイアスされ、そのバイアス電流がしき
い値電流を越えたときに、レーザ光を出射してガラス窓
９から図示しない外部の光学系に入力させ、そしてホト
ダイオード６は、リード２を通して外部回路により逆方
向にバイアスされるが、その表面にレーザ光が照射され
ると、そのリーク電流が光量にはＣ比例して増加するた
めに、このリーク電流の増減を検出して、半導体レーザ
ダイオードチップ５のバイアス電流を制御させることに
より、可及的にレーザ光出力を一定に維持させるのであ
る。
ードチップ５は、リード２を通して図示しない外部回路
により順方向にバイアスされ、そのバイアス電流がしき
い値電流を越えたときに、レーザ光を出射してガラス窓
９から図示しない外部の光学系に入力させ、そしてホト
ダイオード６は、リード２を通して外部回路により逆方
向にバイアスされるが、その表面にレーザ光が照射され
ると、そのリーク電流が光量にはＣ比例して増加するた
めに、このリーク電流の増減を検出して、半導体レーザ
ダイオードチップ５のバイアス電流を制御させることに
より、可及的にレーザ光出力を一定に維持させるのであ
る。
しかしながら、従来の半導体レーザダイオード装置は、
このように構成されているため、一般的に部品点数が非
常に多いほか、自動組立てし得ない部分もあって、材料
費９組立加工費が高価になり、また必然的に全体が大型
化するなどの問題点があり、小型、低価格の装置構成が
得られないという不都合があった。
このように構成されているため、一般的に部品点数が非
常に多いほか、自動組立てし得ない部分もあって、材料
費９組立加工費が高価になり、また必然的に全体が大型
化するなどの問題点があり、小型、低価格の装置構成が
得られないという不都合があった。
この発明は従来の半導体レーザダイオード装置でのこの
ような問題点を改善するためになされたものであって、
その目的とするところは、部品点数の削減と共に、自動
組立てし易い半導体レーザダイオード装置を得ることで
ある。
ような問題点を改善するためになされたものであって、
その目的とするところは、部品点数の削減と共に、自動
組立てし易い半導体レーザダイオード装置を得ることで
ある。
前記目的を達成するために、この発明においては、 １
本のリード上に半導体レーザダイオードチップとホトダ
イオードとを相互の端面が平行しないようにマウントさ
せると共に、これらの半導体レーザダイオードチップと
ホトダイオードとの各電極を、他のリードにそれぞれ各
別に接続させ、かつこれらの各リードの一部を含んで、
半導体レーザタイオードチップとホトダイオードとを、
透明合成樹脂体によりモールドしたものである。
本のリード上に半導体レーザダイオードチップとホトダ
イオードとを相互の端面が平行しないようにマウントさ
せると共に、これらの半導体レーザダイオードチップと
ホトダイオードとの各電極を、他のリードにそれぞれ各
別に接続させ、かつこれらの各リードの一部を含んで、
半導体レーザタイオードチップとホトダイオードとを、
透明合成樹脂体によりモールドしたものである。
従ってこの発明では、所要部品が、必要数のリードと、
半導体レーザタイオードチップおよびホトタイオードと
、これらをモールドする透明合成樹脂体だけとなって極
めて少なく、全体を小型化でき、かつまた各部品がそれ
ぞれに取扱い易い形態であるために、自動組立てを可能
にする。
半導体レーザタイオードチップおよびホトタイオードと
、これらをモールドする透明合成樹脂体だけとなって極
めて少なく、全体を小型化でき、かつまた各部品がそれ
ぞれに取扱い易い形態であるために、自動組立てを可能
にする。
できるのである。
以下この発明に係る半導体装置の一実施例につき、第１
図および第２図を参照して詳細に説明する。
図および第２図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例を適用した半導体レーザタ
イオート装置の概要構造を示す斜視図である。
イオート装置の概要構造を示す斜視図である。
この第１図実施例構造において、符号１０，１１．１２
はそれぞれに熱伝導性の良好なＣｕなどによる３本の各
リード、１３は一つのリード１０の端部上にあって、そ
の端面１０ａ 、 １３ａの相互が平行になるように半
田などで接着させた半導体レーザダイオードチップ、１
４は同様にこのリードＩＯ上にあって、半導体レーザダ
イオードチップ１３とは端面１３ａ、１４ａの相互が平
行しないように半田などで接着させたホトダイオード、
１５はこれらの半導体レーザダイオードチップ１３．お
よびホトダイオード１４の各電極と、他のリード１１．
および１２とを接続する金属細線であり、また１６は前
記各リード１０，１１．１２の該当する一部を含んで、
これらの半導体レーザダイオードチップ１３．およびホ
トダイオード１４の全体を覆うようにしてモールドさせ
た透明合成樹脂体である。
はそれぞれに熱伝導性の良好なＣｕなどによる３本の各
リード、１３は一つのリード１０の端部上にあって、そ
の端面１０ａ 、 １３ａの相互が平行になるように半
田などで接着させた半導体レーザダイオードチップ、１
４は同様にこのリードＩＯ上にあって、半導体レーザダ
イオードチップ１３とは端面１３ａ、１４ａの相互が平
行しないように半田などで接着させたホトダイオード、
１５はこれらの半導体レーザダイオードチップ１３．お
よびホトダイオード１４の各電極と、他のリード１１．
および１２とを接続する金属細線であり、また１６は前
記各リード１０，１１．１２の該当する一部を含んで、
これらの半導体レーザダイオードチップ１３．およびホ
トダイオード１４の全体を覆うようにしてモールドさせ
た透明合成樹脂体である。
従ってこの第１図実施例構造においても、前記従来例と
同様に、半導体レーザダイオードチップ１３は、リード
１０．１１を通して図示しない外部回路により順方向に
バイアスされ、そのバイアス電流がしきい値電流を越え
たときに、レーザ光を出射してモールドされた透明合成
樹脂体１６から、図示しない外部の光学系に入力させ、
モしてホトダイオード１４は、リード１０ 、１２を通
して外部回路により逆方向にバイアスされ、そのリーク
電流の増減を検出して、半導体レーザダイオードチップ
１３のバイアス電流を制御させることにより、可及的に
レーザ光出力を一定に維持させるように作用するのであ
る。
同様に、半導体レーザダイオードチップ１３は、リード
１０．１１を通して図示しない外部回路により順方向に
バイアスされ、そのバイアス電流がしきい値電流を越え
たときに、レーザ光を出射してモールドされた透明合成
樹脂体１６から、図示しない外部の光学系に入力させ、
モしてホトダイオード１４は、リード１０ 、１２を通
して外部回路により逆方向にバイアスされ、そのリーク
電流の増減を検出して、半導体レーザダイオードチップ
１３のバイアス電流を制御させることにより、可及的に
レーザ光出力を一定に維持させるように作用するのであ
る。
すなわち、この第１図実施例構造の場合、構成部品とし
て要求されるのは、必要数だけ、こ〜では３本のリード
１０，１１．１２と、半導体レーザダイオードチップ１
３．およびホトダイオード１４と、これらをモールドす
る透明合成樹脂体１６だけであるために、前記従来例構
造に比較するとき極めて少なくて済み、装置全体を小型
化できるほか、各構成部品がそれぞれに単品で取扱い易
い形態であることから、機械装置による自動組立てを図
ることができるのである。
て要求されるのは、必要数だけ、こ〜では３本のリード
１０，１１．１２と、半導体レーザダイオードチップ１
３．およびホトダイオード１４と、これらをモールドす
る透明合成樹脂体１６だけであるために、前記従来例構
造に比較するとき極めて少なくて済み、装置全体を小型
化できるほか、各構成部品がそれぞれに単品で取扱い易
い形態であることから、機械装置による自動組立てを図
ることができるのである。
また、前記第１図実施例構造においては、リーＦ’ＩＯ
の端面１０ａと、半導体レーザダイオードチップ１３の
端部１３ａとを平行配置させているが、第２図実施例構
造に示すように、リードＩＯの端部を角度Ｏ４だけ斜め
にカットさせた端面１０ｂとすることにより、結果的に
半導体レーザダイオードチップ１３の端面１３ａとの間
に、角度０□を与えた平行でない配置を構成でき、これ
によって他の光学系への影響を低減した。一層効果的な
装置構造が得られるのである。
の端面１０ａと、半導体レーザダイオードチップ１３の
端部１３ａとを平行配置させているが、第２図実施例構
造に示すように、リードＩＯの端部を角度Ｏ４だけ斜め
にカットさせた端面１０ｂとすることにより、結果的に
半導体レーザダイオードチップ１３の端面１３ａとの間
に、角度０□を与えた平行でない配置を構成でき、これ
によって他の光学系への影響を低減した。一層効果的な
装置構造が得られるのである。
以北詳述したようにこの発明によれば、 ｌ本のリード
上に半導体レーザダイオードチップとホトダイオードと
を相互の端面が平行しないようにマウントさせ、それぞ
れの電極を他のリードに各別に接続させた上で、これら
の各リードの一部を含んで、半導体レーザダイオードチ
ップとホトタイオードとを、透明合成樹脂体によってモ
ールドさせるようにしたから、装置構造での所要部品が
。
上に半導体レーザダイオードチップとホトダイオードと
を相互の端面が平行しないようにマウントさせ、それぞ
れの電極を他のリードに各別に接続させた上で、これら
の各リードの一部を含んで、半導体レーザダイオードチ
ップとホトタイオードとを、透明合成樹脂体によってモ
ールドさせるようにしたから、装置構造での所要部品が
。
必要数のリードと、半導体レーザダイオードチップ、お
よびホトダイオードと、これらをモールドする透明合成
樹脂体だけであって、結果的に極めて少ない部品点数で
装置構造を構成できるのであり、しかも各所要部品がそ
れぞれに取扱い易い形ｒＥであることから、従来例での
装置構造に比較するとき、一方では、装置構造全体の小
型化を簡単に達成できると共に、他方９機械装置による
自動組立てが容易に適用可能となって、装置構造全体の
材料費、加工組立費を格段に低減し得て安価に提供でき
、併せて機能的な面でも、リードに対する半導体レーザ
ダイオードチップ、ひいてはレーザ発振源の位置精度を
向上し得るなどの優れた特長を有するものである。
よびホトダイオードと、これらをモールドする透明合成
樹脂体だけであって、結果的に極めて少ない部品点数で
装置構造を構成できるのであり、しかも各所要部品がそ
れぞれに取扱い易い形ｒＥであることから、従来例での
装置構造に比較するとき、一方では、装置構造全体の小
型化を簡単に達成できると共に、他方９機械装置による
自動組立てが容易に適用可能となって、装置構造全体の
材料費、加工組立費を格段に低減し得て安価に提供でき
、併せて機能的な面でも、リードに対する半導体レーザ
ダイオードチップ、ひいてはレーザ発振源の位置精度を
向上し得るなどの優れた特長を有するものである。
第１図および第２図はこの発明の各別の実施例を適用し
た半導体レーザダイオード装置の概要構造を示すそれぞ
れ斜視図であり、また第３図は従来例による同上半導体
レーザダイオード装置の概實構成を一部を切り欠いて示
す斜視図である。 １０、ｌｌ、１２・−−−リード、１０ａ、１０ｂ ＝
リードの端・・・・チップの端面、１４・・・・ホトダ
イオード、１４ａ・・・・ホトダイオードの端面、１５
・・・・金属細線、１６・・・・透明合成樹脂体。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １り
た半導体レーザダイオード装置の概要構造を示すそれぞ
れ斜視図であり、また第３図は従来例による同上半導体
レーザダイオード装置の概實構成を一部を切り欠いて示
す斜視図である。 １０、ｌｌ、１２・−−−リード、１０ａ、１０ｂ ＝
リードの端・・・・チップの端面、１４・・・・ホトダ
イオード、１４ａ・・・・ホトダイオードの端面、１５
・・・・金属細線、１６・・・・透明合成樹脂体。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １り
Claims (3)
- （１）半導体レーザダイオードチップとホトダイオード
とを備える半導体装置において、少なくとも３本のリー
ドを有し、これらの各リードのうち、１本のリード上に
前記半導体レーザダイオードチップとホトダイオードと
を相互の端面が平行しないようにマウントさせると共に
、これらの半導体レーザダイオードチップとホトダイオ
ードとの各電極を、他のリードにそれぞれ各別に接続さ
せ、かつ前記各リードの一部を含んで、半導体レーザダ
イオードチップとホトダイオードとを、透明合成樹脂に
よりモールドしたことを特徴とする半導体装置。 - （２）半導体レーザダイオードチップの端面と、これを
接着するリードの端面とが平行になるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）半導体レーザダイオードチップの端面と、これを
接着するリードの端面とが平行にならないようにしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29495185A JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29495185A JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150796A true JPS62150796A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0440873B2 JPH0440873B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=17814399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29495185A Granted JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150796A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256188A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02125688A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02191389A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| KR100787280B1 (ko) | 2006-10-13 | 2007-12-20 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저 다이오드 패키징 및 그 제조방법 |
| JP2021057515A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313885A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emitting device |
| JPS6063977A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP29495185A patent/JPS62150796A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313885A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emitting device |
| JPS6063977A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
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| JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02191389A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02125688A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| KR100787280B1 (ko) | 2006-10-13 | 2007-12-20 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저 다이오드 패키징 및 그 제조방법 |
| JP2021057515A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440873B2 (ja) | 1992-07-06 |
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