JPS62150796A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62150796A JPS62150796A JP29495185A JP29495185A JPS62150796A JP S62150796 A JPS62150796 A JP S62150796A JP 29495185 A JP29495185 A JP 29495185A JP 29495185 A JP29495185 A JP 29495185A JP S62150796 A JPS62150796 A JP S62150796A
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- semiconductor laser
- laser diode
- diode chip
- lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に半導体レーザダイオ
ード装置におけるパッケージ構造の改良に係るものであ
る。
ード装置におけるパッケージ構造の改良に係るものであ
る。
従来例によるこの種の半導体レーザダイオード装置の概
要構造を第3図に示す。
要構造を第3図に示す。
すなわち、この第3図従来例構造において、符号lは装
置保持のためのFe−NiなどにAuメッキを施したス
テム本体、2はこのステム本体lにガラス融着などで固
定されたFe−旧などによるそれぞれのリード、3は前
記ステム本体l上に半田などで装着させた熱伝導性の良
好なAgなどによるブロック体であり、また4はこのブ
ロック体3に半田などで接着されたSiなどのサブマウ
ント、5はこのサブマウント4に半田などで接着された
ごh導体レーザタイオードチップ、6は前記ステム本体
11−に半田、あるいは導電性樹脂などで接着されたホ
トダイオード、7は前記リード2と半導体レーザダイオ
ードチップ5の電極とを接続する金属細線、8はこれら
の各部を覆うように前記ステム本体1に被嵌重着された
コバールなどからなるキャップ体、9はこのキャップ化
8に設けられたガラス窓である。
置保持のためのFe−NiなどにAuメッキを施したス
テム本体、2はこのステム本体lにガラス融着などで固
定されたFe−旧などによるそれぞれのリード、3は前
記ステム本体l上に半田などで装着させた熱伝導性の良
好なAgなどによるブロック体であり、また4はこのブ
ロック体3に半田などで接着されたSiなどのサブマウ
ント、5はこのサブマウント4に半田などで接着された
ごh導体レーザタイオードチップ、6は前記ステム本体
11−に半田、あるいは導電性樹脂などで接着されたホ
トダイオード、7は前記リード2と半導体レーザダイオ
ードチップ5の電極とを接続する金属細線、8はこれら
の各部を覆うように前記ステム本体1に被嵌重着された
コバールなどからなるキャップ体、9はこのキャップ化
8に設けられたガラス窓である。
しかしてこの従来例構造において、半導体レーザダイオ
ードチップ5は、リード2を通して図示しない外部回路
により順方向にバイアスされ、そのバイアス電流がしき
い値電流を越えたときに、レーザ光を出射してガラス窓
9から図示しない外部の光学系に入力させ、そしてホト
ダイオード6は、リード2を通して外部回路により逆方
向にバイアスされるが、その表面にレーザ光が照射され
ると、そのリーク電流が光量にはC比例して増加するた
めに、このリーク電流の増減を検出して、半導体レーザ
ダイオードチップ5のバイアス電流を制御させることに
より、可及的にレーザ光出力を一定に維持させるのであ
る。
ードチップ5は、リード2を通して図示しない外部回路
により順方向にバイアスされ、そのバイアス電流がしき
い値電流を越えたときに、レーザ光を出射してガラス窓
9から図示しない外部の光学系に入力させ、そしてホト
ダイオード6は、リード2を通して外部回路により逆方
向にバイアスされるが、その表面にレーザ光が照射され
ると、そのリーク電流が光量にはC比例して増加するた
めに、このリーク電流の増減を検出して、半導体レーザ
ダイオードチップ5のバイアス電流を制御させることに
より、可及的にレーザ光出力を一定に維持させるのであ
る。
しかしながら、従来の半導体レーザダイオード装置は、
このように構成されているため、一般的に部品点数が非
常に多いほか、自動組立てし得ない部分もあって、材料
費9組立加工費が高価になり、また必然的に全体が大型
化するなどの問題点があり、小型、低価格の装置構成が
得られないという不都合があった。
このように構成されているため、一般的に部品点数が非
常に多いほか、自動組立てし得ない部分もあって、材料
費9組立加工費が高価になり、また必然的に全体が大型
化するなどの問題点があり、小型、低価格の装置構成が
得られないという不都合があった。
この発明は従来の半導体レーザダイオード装置でのこの
ような問題点を改善するためになされたものであって、
その目的とするところは、部品点数の削減と共に、自動
組立てし易い半導体レーザダイオード装置を得ることで
ある。
ような問題点を改善するためになされたものであって、
その目的とするところは、部品点数の削減と共に、自動
組立てし易い半導体レーザダイオード装置を得ることで
ある。
前記目的を達成するために、この発明においては、 1
本のリード上に半導体レーザダイオードチップとホトダ
イオードとを相互の端面が平行しないようにマウントさ
せると共に、これらの半導体レーザダイオードチップと
ホトダイオードとの各電極を、他のリードにそれぞれ各
別に接続させ、かつこれらの各リードの一部を含んで、
半導体レーザタイオードチップとホトダイオードとを、
透明合成樹脂体によりモールドしたものである。
本のリード上に半導体レーザダイオードチップとホトダ
イオードとを相互の端面が平行しないようにマウントさ
せると共に、これらの半導体レーザダイオードチップと
ホトダイオードとの各電極を、他のリードにそれぞれ各
別に接続させ、かつこれらの各リードの一部を含んで、
半導体レーザタイオードチップとホトダイオードとを、
透明合成樹脂体によりモールドしたものである。
従ってこの発明では、所要部品が、必要数のリードと、
半導体レーザタイオードチップおよびホトタイオードと
、これらをモールドする透明合成樹脂体だけとなって極
めて少なく、全体を小型化でき、かつまた各部品がそれ
ぞれに取扱い易い形態であるために、自動組立てを可能
にする。
半導体レーザタイオードチップおよびホトタイオードと
、これらをモールドする透明合成樹脂体だけとなって極
めて少なく、全体を小型化でき、かつまた各部品がそれ
ぞれに取扱い易い形態であるために、自動組立てを可能
にする。
できるのである。
以下この発明に係る半導体装置の一実施例につき、第1
図および第2図を参照して詳細に説明する。
図および第2図を参照して詳細に説明する。
第1図はこの発明の一実施例を適用した半導体レーザタ
イオート装置の概要構造を示す斜視図である。
イオート装置の概要構造を示す斜視図である。
この第1図実施例構造において、符号10,11.12
はそれぞれに熱伝導性の良好なCuなどによる3本の各
リード、13は一つのリード10の端部上にあって、そ
の端面10a 、 13aの相互が平行になるように半
田などで接着させた半導体レーザダイオードチップ、1
4は同様にこのリードIO上にあって、半導体レーザダ
イオードチップ13とは端面13a、14aの相互が平
行しないように半田などで接着させたホトダイオード、
15はこれらの半導体レーザダイオードチップ13.お
よびホトダイオード14の各電極と、他のリード11.
および12とを接続する金属細線であり、また16は前
記各リード10,11.12の該当する一部を含んで、
これらの半導体レーザダイオードチップ13.およびホ
トダイオード14の全体を覆うようにしてモールドさせ
た透明合成樹脂体である。
はそれぞれに熱伝導性の良好なCuなどによる3本の各
リード、13は一つのリード10の端部上にあって、そ
の端面10a 、 13aの相互が平行になるように半
田などで接着させた半導体レーザダイオードチップ、1
4は同様にこのリードIO上にあって、半導体レーザダ
イオードチップ13とは端面13a、14aの相互が平
行しないように半田などで接着させたホトダイオード、
15はこれらの半導体レーザダイオードチップ13.お
よびホトダイオード14の各電極と、他のリード11.
および12とを接続する金属細線であり、また16は前
記各リード10,11.12の該当する一部を含んで、
これらの半導体レーザダイオードチップ13.およびホ
トダイオード14の全体を覆うようにしてモールドさせ
た透明合成樹脂体である。
従ってこの第1図実施例構造においても、前記従来例と
同様に、半導体レーザダイオードチップ13は、リード
10.11を通して図示しない外部回路により順方向に
バイアスされ、そのバイアス電流がしきい値電流を越え
たときに、レーザ光を出射してモールドされた透明合成
樹脂体16から、図示しない外部の光学系に入力させ、
モしてホトダイオード14は、リード10 、12を通
して外部回路により逆方向にバイアスされ、そのリーク
電流の増減を検出して、半導体レーザダイオードチップ
13のバイアス電流を制御させることにより、可及的に
レーザ光出力を一定に維持させるように作用するのであ
る。
同様に、半導体レーザダイオードチップ13は、リード
10.11を通して図示しない外部回路により順方向に
バイアスされ、そのバイアス電流がしきい値電流を越え
たときに、レーザ光を出射してモールドされた透明合成
樹脂体16から、図示しない外部の光学系に入力させ、
モしてホトダイオード14は、リード10 、12を通
して外部回路により逆方向にバイアスされ、そのリーク
電流の増減を検出して、半導体レーザダイオードチップ
13のバイアス電流を制御させることにより、可及的に
レーザ光出力を一定に維持させるように作用するのであ
る。
すなわち、この第1図実施例構造の場合、構成部品とし
て要求されるのは、必要数だけ、こ〜では3本のリード
10,11.12と、半導体レーザダイオードチップ1
3.およびホトダイオード14と、これらをモールドす
る透明合成樹脂体16だけであるために、前記従来例構
造に比較するとき極めて少なくて済み、装置全体を小型
化できるほか、各構成部品がそれぞれに単品で取扱い易
い形態であることから、機械装置による自動組立てを図
ることができるのである。
て要求されるのは、必要数だけ、こ〜では3本のリード
10,11.12と、半導体レーザダイオードチップ1
3.およびホトダイオード14と、これらをモールドす
る透明合成樹脂体16だけであるために、前記従来例構
造に比較するとき極めて少なくて済み、装置全体を小型
化できるほか、各構成部品がそれぞれに単品で取扱い易
い形態であることから、機械装置による自動組立てを図
ることができるのである。
また、前記第1図実施例構造においては、リーF’IO
の端面10aと、半導体レーザダイオードチップ13の
端部13aとを平行配置させているが、第2図実施例構
造に示すように、リードIOの端部を角度O4だけ斜め
にカットさせた端面10bとすることにより、結果的に
半導体レーザダイオードチップ13の端面13aとの間
に、角度0□を与えた平行でない配置を構成でき、これ
によって他の光学系への影響を低減した。一層効果的な
装置構造が得られるのである。
の端面10aと、半導体レーザダイオードチップ13の
端部13aとを平行配置させているが、第2図実施例構
造に示すように、リードIOの端部を角度O4だけ斜め
にカットさせた端面10bとすることにより、結果的に
半導体レーザダイオードチップ13の端面13aとの間
に、角度0□を与えた平行でない配置を構成でき、これ
によって他の光学系への影響を低減した。一層効果的な
装置構造が得られるのである。
以北詳述したようにこの発明によれば、 l本のリード
上に半導体レーザダイオードチップとホトダイオードと
を相互の端面が平行しないようにマウントさせ、それぞ
れの電極を他のリードに各別に接続させた上で、これら
の各リードの一部を含んで、半導体レーザダイオードチ
ップとホトタイオードとを、透明合成樹脂体によってモ
ールドさせるようにしたから、装置構造での所要部品が
。
上に半導体レーザダイオードチップとホトダイオードと
を相互の端面が平行しないようにマウントさせ、それぞ
れの電極を他のリードに各別に接続させた上で、これら
の各リードの一部を含んで、半導体レーザダイオードチ
ップとホトタイオードとを、透明合成樹脂体によってモ
ールドさせるようにしたから、装置構造での所要部品が
。
必要数のリードと、半導体レーザダイオードチップ、お
よびホトダイオードと、これらをモールドする透明合成
樹脂体だけであって、結果的に極めて少ない部品点数で
装置構造を構成できるのであり、しかも各所要部品がそ
れぞれに取扱い易い形rEであることから、従来例での
装置構造に比較するとき、一方では、装置構造全体の小
型化を簡単に達成できると共に、他方9機械装置による
自動組立てが容易に適用可能となって、装置構造全体の
材料費、加工組立費を格段に低減し得て安価に提供でき
、併せて機能的な面でも、リードに対する半導体レーザ
ダイオードチップ、ひいてはレーザ発振源の位置精度を
向上し得るなどの優れた特長を有するものである。
よびホトダイオードと、これらをモールドする透明合成
樹脂体だけであって、結果的に極めて少ない部品点数で
装置構造を構成できるのであり、しかも各所要部品がそ
れぞれに取扱い易い形rEであることから、従来例での
装置構造に比較するとき、一方では、装置構造全体の小
型化を簡単に達成できると共に、他方9機械装置による
自動組立てが容易に適用可能となって、装置構造全体の
材料費、加工組立費を格段に低減し得て安価に提供でき
、併せて機能的な面でも、リードに対する半導体レーザ
ダイオードチップ、ひいてはレーザ発振源の位置精度を
向上し得るなどの優れた特長を有するものである。
第1図および第2図はこの発明の各別の実施例を適用し
た半導体レーザダイオード装置の概要構造を示すそれぞ
れ斜視図であり、また第3図は従来例による同上半導体
レーザダイオード装置の概實構成を一部を切り欠いて示
す斜視図である。 10、ll、12・−−−リード、10a、10b =
リードの端・・・・チップの端面、14・・・・ホトダ
イオード、14a・・・・ホトダイオードの端面、15
・・・・金属細線、16・・・・透明合成樹脂体。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 1り
た半導体レーザダイオード装置の概要構造を示すそれぞ
れ斜視図であり、また第3図は従来例による同上半導体
レーザダイオード装置の概實構成を一部を切り欠いて示
す斜視図である。 10、ll、12・−−−リード、10a、10b =
リードの端・・・・チップの端面、14・・・・ホトダ
イオード、14a・・・・ホトダイオードの端面、15
・・・・金属細線、16・・・・透明合成樹脂体。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 1り
Claims (3)
- (1)半導体レーザダイオードチップとホトダイオード
とを備える半導体装置において、少なくとも3本のリー
ドを有し、これらの各リードのうち、1本のリード上に
前記半導体レーザダイオードチップとホトダイオードと
を相互の端面が平行しないようにマウントさせると共に
、これらの半導体レーザダイオードチップとホトダイオ
ードとの各電極を、他のリードにそれぞれ各別に接続さ
せ、かつ前記各リードの一部を含んで、半導体レーザダ
イオードチップとホトダイオードとを、透明合成樹脂に
よりモールドしたことを特徴とする半導体装置。 - (2)半導体レーザダイオードチップの端面と、これを
接着するリードの端面とが平行になるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 - (3)半導体レーザダイオードチップの端面と、これを
接着するリードの端面とが平行にならないようにしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29495185A JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29495185A JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62150796A true JPS62150796A (ja) | 1987-07-04 |
JPH0440873B2 JPH0440873B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=17814399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29495185A Granted JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62150796A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01256188A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH02125688A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH02191389A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
KR100787280B1 (ko) | 2006-10-13 | 2007-12-20 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저 다이오드 패키징 및 그 제조방법 |
JP2021057515A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5313885A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emitting device |
JPS6063977A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP29495185A patent/JPS62150796A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5313885A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emitting device |
JPS6063977A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01256188A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH02191389A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH02125688A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
KR100787280B1 (ko) | 2006-10-13 | 2007-12-20 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저 다이오드 패키징 및 그 제조방법 |
JP2021057515A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0440873B2 (ja) | 1992-07-06 |
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