JPH01286484A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH01286484A
JPH01286484A JP11491888A JP11491888A JPH01286484A JP H01286484 A JPH01286484 A JP H01286484A JP 11491888 A JP11491888 A JP 11491888A JP 11491888 A JP11491888 A JP 11491888A JP H01286484 A JPH01286484 A JP H01286484A
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JP
Japan
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laser chip
lead frame
chip
laser
semiconductor laser
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Pending
Application number
JP11491888A
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English (en)
Inventor
Yasuo Ozawa
小沢 保男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、光情報処理装置等の光源として使用されて
いる半導体レーザ装置に関するものである。
[従来の技術] 第5図(a)は従来の半導体レーザ装置を示す模式斜視
図、第5図(b)はその断面模式図である。
図において、(1)は半導体のレーザチップであり、シ
リコンチップ(2)を介して金属ブロック(3)に固着
されている。(4)はリードワイヤー(リード線)であ
り、(4a)はレーザチップ(1)の発光のための電流
供給用のリードワイヤー、(4b)はレーザチップ(1
)の発光量を検出するためのリードワイヤであり、光検
出器(lO)の出力電流を外部に供給する。(5)は外
部との接続のための電極端子を示し、(5a)はレーザ
チップ(1)のアノード用、(5b)は光検出器のアノ
ード用の端子で、それぞれ金属ベース(7)から絶縁す
る目的でガラス管(8a)、(8b)を介して各素子に
溶着されている。(5c)はレーザチップ(1)及び光
検出器(lO)の共通カソード端子であり、金属ベース
(7)を介して電気的接続されている。(8)はガラス
板(9)を溶着したキャップで、窒素ガス等の雰囲気中
で金属ベース(7)に溶着されている。(3)は金属ブ
ロックであり、金属ベース(7)上に電気的に接続され
ている。(10)は光検出器であり、電気的に接続され
て金属ベース(7)上に固着されている。
次に動作について説明する。レーザチップ(1)のアノ
ード、カソード間に電流を供給することにより、レーザ
発振が持続する。レーザー光はレーザチップ(1)の上
端へき開面よりガラス板(9)を透過して外部に放射さ
れるとともに、下端へき開面よりも放射され光検出器(
10)に達する。光検出器(10)は到達した光エネル
ギーに応じた量の電流を出力する。この出力が常に一定
となるようにサーボ回路を通じてレーザチップ(1)へ
の電流を制御することにより一定したレーザ光出力を得
ることができるようになっている。
[発明が解決しようとする課題] 従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、部品点数が多く、又組立工程においても、絶縁ガ
ラス管溶着、光学ガラス溶着、窒素ガス封入等の多大な
コストのかかる作業を実施しなくてはならない等の問題
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、部品点数が少なく、安価な部品を使用できる
とともに、組立工程のコストも安価にすることのできる
半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る半導体レーザ装置は、レーザチップの1
つの電極が固着された一つのリードフレーム金属板と、
もう1つの電極がリード線(リードワイヤ)を介して接
続された他のリードフレーム金属板とからなり、これら
のリードフレーム金属板の1部がレーザチップとリード
線とともに樹脂によるモールド封止により一体化されて
形成したものである。
[作用] この発明においては、本体を形成するレーザチップ及び
その電極取出し用リードワイヤや、これらの電極とリー
ド線を外部に取出すリード端子としてリードフレーム金
属板を用いて、これらの部品を樹脂によるモールド封止
により一体化して形成したから、従来用いられていた高
価な金属ベースやガラス管溶着電極端子がリードフレー
ム金属板で代替できるとともに、同様にコストの大きい
窒素ガス封入及び光学ガラス板付きギャップの製造工程
が省略される。その上リードフレーム金属板はプレス金
型等により連続的に成形されるし、レーザチップの固着
及びリードワイヤ等のボンディング工程を経たのち、引
続いて連続的に樹脂モールド封止が行われ、製造手順が
容易となる。
[実施例] 以下、この発明の実施例を示す半導体レーザ装置につき
、図を用いて説明する。
第1図は第一の実施例を説明する模式斜視図である。図
において、(1)は半導体レーザチップで、シリコンチ
ップ(2)を介して金属ブロック(3)に固着されてい
る。(lla) 、 (llb) 、 (llc)はリ
ードフレーム金属板であり、樹脂モールド工程の前では
互いに外枠で連結されており、樹脂モールド成形後に各
々独立した電極として作用するように切断されて使用さ
れるようになっている。リードフレーム金属板(lla
)はレーザチップ(1)のアノード電極であり、リード
ワイヤー(4)を介してレーザチップ(1)に接続され
る。リードフレーム金属板(lie)は金属ブロック(
3)を固着支持すると共に、レーザチップ(1)のカソ
ードに至る経路迄電気的に接続されており、レーザチッ
プ(1)のカソード電極として機能する。(12)は透
明性の樹脂モールドであり、上述の各部品、すなわち、
レーザチップ(1)、シリコンチップ(2)、金属ブロ
ック(3)及びリードワイヤ(4)をリードフレーム金
属板(lla)及び(lie)に固着した後に成形機に
より連続的に成形される。なお、この実施例では、リー
ドフレーム金属板(llb)は不使用のままモールドさ
れる。
この装置の動作は、第5図の従来例で説明したものとほ
ぼ同様であるので、後記の他の実施例と同様に詳細な説
明は省略するが、リードフレーム金属板(lla)及び
(llc)のリードフレーム電極に電圧を印加して、レ
ーザチップ(1)の各電極間に電流を供給することによ
りレーザ発振を行い、レーザ光を図面の上下方向に出射
するものである。
なお、実際に使用されるレーザ光は上向きのものである
。したがって、この実施例では第5図の光検出器(10
)による機能は有していないが、それ以外は従来技術の
半導体レーザ装置と同様の機能と効果を有するものであ
る。
第2図は第二の実施例を示す模式斜視図である。
図において、(lid)を除く部分符号は第1図の実施
例の説明で用いたものと同じ部分を示す。この装置は、
第一の実施例におけるレーザチップ(1)の取付けが、
第5図の従来例と同様に金属ブロック(3)を介して行
うものであるのに対して、この金属ブロックの代りに、
レーザチップの固着部をリードフレーム金属板の加工時
に、90°に曲げられた衝立て状の曲げ部(lid)を
設けたものである。
すなわち、第2図にみられるように、リードフレーム金
属板(lie)のレーザチップ(1)取付は部にあらか
じめ概ね90°となる曲げ部(lid)を設け、この部
とシリコンチップ(2)を介してレーザチップ(1)を
取付けたものである。この場合、図示はしないが、側面
にほぼ90″になるような突出部を設けるようにしても
よい。
この実施例による構成においては、金属ブロック(3)
が不要となることによりより軽量化が達成されるととも
に、さらに安価な装置を提供することができる効果があ
る。
第3図は第三の実施例を示す模式斜視図である。
この実施例は第5図の従来例と同様にレーザチップ(1
)の発光量を検出するための光検出器(10)を備えた
ものである。その他は第1図の実施例と同様であるが、
光検出器(10)のアノード端子をリードフレーム金属
板(llb)に接続することにより、第5図の従来例で
説明したレーザ光の制御を実施できるように、第1図の
実施例に付与したものである。
第4図は第四の実施例を示す模式斜視図である。
この実施例は第1図〜第3図の実施例の応用例を示すも
ので、とくに光源(レーザチップ)及び収差(モールド
樹脂の光学歪み)に対して、これらを最小とするように
したものである。すなわち、樹脂モールド(12)のう
ち、レーザチップ(1)の上端へき開面の周囲を樹脂モ
ールド封止を行なわないようにして、丸穴(13)等を
設けたものである。
この構造の採用により、レーザチップ(1)は直接空気
層に触れることができるため、樹脂モールド(12)に
よる熱伝導の低下を防止することができると共に、樹脂
モールド成形歪等で発生する光学収差の影響を無視する
ことができ、寿命、性能の優れたレーザ光源として効果
を奏する。
[発明の効果コ 以上のようにこの発明によれば、半導体レーザチップや
必要とすればその他の部品をリードフレーム金属板上に
固着し、樹脂モールドで封止するように構成したので、
種々の構成変更が容易に実施できると共に、装置が安価
にでき、また大量に生産することが可能等の効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第一の実施例を示す半導体レーザ装
置の模式斜視図、第2図はこの発明の第二の実施例を示
す模式斜視図、第3図はこの発明の第三の実施例を示す
模式斜視図、第4図は二の発明の第四の実施例を示す模
式斜視図、第5図(a)は従来の半導体レーザ装置を示
す模式斜視図、第5図(b)は第5図(a)の断面模式
図である。 図において、(1)は半導体レーザチップ、(2)はシ
リコンチップ、(3)は金属ブロック、(4) 、 (
4a) 、 (4b)はリードワイヤ、(5a) 、 
(5b)は電極、(8a) 、 (6b)はガラス管、
(10)は光検出器、(lla)、(llb)、(li
e)はリードフレーム金属板、(12)は樹脂モールド
、(13)は樹脂モールドのレーザ出射部分に形成した
丸穴である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐々木 宗 治 4 リードつイヤ 11d:(II!げ部 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 少くともレーザチップ及びこのレーザチップの電極に接
    続されるリード線からなる半導体レーザ装置において、 上記レーザチップの一電極が固着された1つのリードフ
    レーム金属板と、 上記レーザチップの他の電極が上記リード線を介して接
    続された他のリードフレーム金属板との一部を、上記レ
    ーザチップ及びリード線とともに樹脂モールド封止によ
    り形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
JP11491888A 1988-05-13 1988-05-13 半導体レーザ装置 Pending JPH01286484A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62150796A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS62296593A (ja) * 1986-06-17 1987-12-23 Nec Corp 半導体レ−ザ装置
JPH01166591A (ja) * 1987-12-22 1989-06-30 Nec Kagoshima Ltd レーザダイオード

Patent Citations (3)

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