JPH01166591A - レーザダイオード - Google Patents
レーザダイオードInfo
- Publication number
- JPH01166591A JPH01166591A JP32618787A JP32618787A JPH01166591A JP H01166591 A JPH01166591 A JP H01166591A JP 32618787 A JP32618787 A JP 32618787A JP 32618787 A JP32618787 A JP 32618787A JP H01166591 A JPH01166591 A JP H01166591A
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- JP
- Japan
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- diode chip
- laser diode
- lead frame
- frame
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光フアイバー通信光情報処理等の分野におい
て、発光源として用いられるレーザダイオードに関する
。
て、発光源として用いられるレーザダイオードに関する
。
従来、レーザダイオードは、第２図に示すようにＴｏ−
８，Ｔｏ−１８等のパッケージのステム１２に固着され
たヒートシンク２にレーザダイオードチップ１をマウン
トし、キャップ１１で封止した構造になっていた。
８，Ｔｏ−１８等のパッケージのステム１２に固着され
たヒートシンク２にレーザダイオードチップ１をマウン
トし、キャップ１１で封止した構造になっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 ゛上述した
従来のパッケージは、他のパッケージ間との機械的つな
がりがなく、個々のパッケージがそれぞれ分離・独立し
た形状となっているので、大量生産に対応できないとい
う欠点がある。
従来のパッケージは、他のパッケージ間との機械的つな
がりがなく、個々のパッケージがそれぞれ分離・独立し
た形状となっているので、大量生産に対応できないとい
う欠点がある。
また、パッケージの価格が極めて高いという欠点がある
。さらに、従来のハーメチックキャップも、上述したパ
ッケージに個々に封止する形状となっているので、大量
生産に対応できないという、また、ハーメチックキャッ
プが高価であるという欠点がある。
。さらに、従来のハーメチックキャップも、上述したパ
ッケージに個々に封止する形状となっているので、大量
生産に対応できないという、また、ハーメチックキャッ
プが高価であるという欠点がある。
本発明のレーザダイオードは、リードフレームより切断
・整形されるＳＩＰ型リードにヒートシンクを介してレ
ーザダイオードチップが固着され、モールド成形により
レーザダイオードチップを封止した構造を有している。
・整形されるＳＩＰ型リードにヒートシンクを介してレ
ーザダイオードチップが固着され、モールド成形により
レーザダイオードチップを封止した構造を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の縦断面図である。ヒートシンク２
にマウントされたレーザダイオードチップ１は、リード
フレーム３にマウントされる。レーザダイオードチップ
１よりリードフレーム４に導電体８を用いて電気的配線
がなされ、これらのレーザダイオードチップ１．ヒート
シンク２．リードフレーム３．リードフレーム４を図の
様にモールド樹脂５により封止する構成である。リード
フレーム３より印加される電流は、レーダダイオードチ
ップ１を流れ、これにより主レーザビーム６、モニター
用レーザビーム７が放射される。レーザダイオードチッ
プ１を通過した電流は、導電体８を通り、リードフレー
ム４に流れる。
は本発明の一実施例の縦断面図である。ヒートシンク２
にマウントされたレーザダイオードチップ１は、リード
フレーム３にマウントされる。レーザダイオードチップ
１よりリードフレーム４に導電体８を用いて電気的配線
がなされ、これらのレーザダイオードチップ１．ヒート
シンク２．リードフレーム３．リードフレーム４を図の
様にモールド樹脂５により封止する構成である。リード
フレーム３より印加される電流は、レーダダイオードチ
ップ１を流れ、これにより主レーザビーム６、モニター
用レーザビーム７が放射される。レーザダイオードチッ
プ１を通過した電流は、導電体８を通り、リードフレー
ム４に流れる。
リードフレームは数個のパターンが連結されており、レ
ーザダイオードチップを装着後、モールドし、分割する
だけで組立工程が完了するので、レーザダイオードの製
造が簡単なばかりでなく、連続フレームを用いて組立工
程の自動化を計ることができ、低価格、大量生産が容易
に実現できる。
ーザダイオードチップを装着後、モールドし、分割する
だけで組立工程が完了するので、レーザダイオードの製
造が簡単なばかりでなく、連続フレームを用いて組立工
程の自動化を計ることができ、低価格、大量生産が容易
に実現できる。
以上説明したように本発明は、従来のＴＯ−８、ＴＯ−
１８等のパッケージをリードフレームに置き換えること
により、また、ハーメチックキャップをモールド成形化
することにより、レーザダイオードの大量生産の実現お
よび大幅な原価低減を実現できる効果がある。
１８等のパッケージをリードフレームに置き換えること
により、また、ハーメチックキャップをモールド成形化
することにより、レーザダイオードの大量生産の実現お
よび大幅な原価低減を実現できる効果がある。
第１図は本発明のレーザダイオードの一実施例を示す縦
断面図、第２図は従来のレーザダイオードの概略図であ
る。 １・・・レーザダイオードチップ、２・・・ヒートシン
ク、３・・・リードフレーム、４・・・リードフレーム
、５・・・モールド樹脂、６主レーザビーム、７・・・
モニタ用レーザビーム、８・・・導電体。
断面図、第２図は従来のレーザダイオードの概略図であ
る。 １・・・レーザダイオードチップ、２・・・ヒートシン
ク、３・・・リードフレーム、４・・・リードフレーム
、５・・・モールド樹脂、６主レーザビーム、７・・・
モニタ用レーザビーム、８・・・導電体。
Claims (1)
- レーザダイオードチップをＳＩＰ（ＳＩＮＧＬＥＩＮ−
ＬＩＮＥＰＡＣＫＡＧＥ）型リードフレームにマウント
し、かつ、モールド成形により封止することを特徴とす
るレーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32618787A JPH01166591A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | レーザダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32618787A JPH01166591A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | レーザダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166591A true JPH01166591A (ja) | 1989-06-30 |
Family
ID=18185003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32618787A Pending JPH01166591A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | レーザダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01166591A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| JP2005191483A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sharp Corp | 発光素子 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP32618787A patent/JPH01166591A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
| JP2005191483A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sharp Corp | 発光素子 |
| JP4572071B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | 発光素子 |
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