CN110582848A - 芯片模块的生产 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于生产芯片模块的方法。该方法包括：提供载体；将半导体芯片布置在载体上；在载体上施加电绝缘材料；以及结构化载体以使得提供芯片模块。芯片模块包括通过对载体结构化而产生的分离的载体区段。芯片模块的载体区段被借助于电绝缘材料连接。本发明更进一步地涉及一种芯片模块。

Description

芯片模块的生产

本发明涉及用于生产芯片模块的方法。本发明进一步涉及芯片模块。

为了在户外区域和室内区域中显示图像、视频和信息，LED（发光二极管）视频墙的应用正变得越来越普遍。LED视频墙可以包括被彼此挨着地布置的多个LED模块。还被称为LED瓦片的LED模块可以包括印刷电路板，在其上可以布置有多个分立的LED组件。LED组件可以是包括一个或若干个LED芯片的封装的SMT（表面安装技术）组件。

本发明的目的是提供一种改进的芯片模块和一种改进的用于生产芯片模块的方法。

该目的是借助于独立专利权利要求的特征来实现的。在从属权利要求中公开了进一步优选的实施例。

根据本发明的一个方面，提出了一种用于生产芯片模块的方法。该方法包括：提供载体；将半导体芯片布置在载体上；在载体上施加电绝缘材料；以及将载体结构化以使得提供芯片模块。芯片模块包括通过将载体结构化而产生的分离的载体区段。芯片模块的各载体区段是借助于电绝缘材料连接的。

替代在载体上布置封装的组件或相应地布置具有一个或若干个半导体芯片的分立的封装，方法涉及在载体上布置半导体芯片，也就是说未封装的管芯。作为结果，可能的是以将半导体芯片布置成紧密接近于彼此这样的方式来生产芯片模块。

借助于载体的结构化，载体被划分成分立的载体区段。因此，可以生产相应的芯片组件，每个芯片组件包括至少一个载体区段。在以这种方式提供的芯片模块中，各载体区段不再由初始载体的材料连接。替代地，各载体区段并且因此各芯片组件被通过在结构化步骤之前施加在载体上的电绝缘材料连接并且因此保持在一起。以这种方式，各载体区段和各芯片组件可以被彼此电隔离。这种配置允许对各芯片组件的独立的电流馈送和操作。

在下面说明方法以及借助于该方法制造的芯片模块的进一步可能的细节和实施例。

根据本方法生产的芯片模块可以是适合用于表面安装（SMT，表面安装技术）的QFN（方形扁平无引线）模块或者相应地是QFN面板。

所提出的生产方法的步骤可以按上面指示的顺序执行。因此，可以提供载体，随后可以将半导体芯片布置在载体上，随后可以将电绝缘材料施加在载体上，并且在这之后，可以结构化载体。

所提供的载体可以至少部分地包括导电材料或者相应地包括金属材料。此外，载体可以包括两个相对的主侧，也就是说前侧和背侧。可以在载体的前侧上执行布置半导体芯片以及施加电绝缘材料。可以在载体的背侧处或者相应地从载体的背侧执行对载体结构化。通过载体的结构化提供的载体区段或者相应地载体区段的一部分均可以承载至少一个半导体芯片。以类似的方式，通过载体的结构化提供的芯片组件均可以包括至少一个半导体芯片。

结构化载体可以包括切断或者相应地去除载体的一部分。此外，可以借助于机械处理来执行对载体结构化。作为示例，可以执行锯切处理或切割处理。另一可能的处理是激光切割。可能的是不仅在结构化步骤中切断载体，而且还切断或者相应地去除电绝缘材料的一部分。更进一步地，可以在结构化步骤中形成凹部或相应地形成沟槽。凹部或沟槽可以是以连续的网格结构的形式产生的，并且可以存在于所提供的芯片模块的背侧处。

在将半导体芯片布置在载体上的情形下，可以进一步产生在半导体芯片和载体之间的电连接。在这方面，将半导体芯片安装在载体上并且建立电连接可以包括执行诸如焊接、胶粘和/或布线接合的处理。

在进一步的实施例中，借助于该方法生产的芯片模块被配置用于生成电磁辐射。在这方面，根据进一步的实施例，将布置在载体上的半导体芯片预备为辐射发射半导体芯片。半导体芯片可以是例如被配置用于发射光辐射的发光二极管芯片（LED芯片）。

关于上面提到的实施例，芯片模块可以例如被用作为一般照明应用中的固态光源或者被用作为用于视频墙的显示模块。另一个应用示例是例如用于CCTV（闭路电视）的IR（红外）照射。取决于应用，可以利用适当的配置和设计来生产芯片模块，并且可以在载体上布置适当的辐射发射半导体芯片。在这种情形下，如上面描述那样将半导体芯片布置成彼此紧靠使得例如能够在小区域内提供高视频分辨率或者在宽区域上提供均匀照射。

在进一步的实施例中，在载体上布置有被配置用于生成第一光辐射的半导体芯片、被配置用于生成第二光辐射的半导体芯片、以及被配置用于生成第三光辐射的半导体芯片。该实施例可以是针对芯片模块是用于视频墙的显示模块的情况考虑的。在这方面，第一、第二和第三光辐射可以是红光、绿光和蓝光辐射（RBG）。此外，可以以如下这样的方式执行对载体结构化：在所提供的芯片模块的每个载体区段上布置用于生成第一光辐射的半导体芯片、用于生成第二光辐射的半导体芯片和用于生成第三光辐射的半导体芯片。以类似的方式，通过对载体结构化提供的芯片组件可以均包括用于生成第一光辐射的半导体芯片、用于生成第二光辐射的半导体芯片和用于生成第三光辐射的半导体芯片。

在进一步的实施例中，电绝缘材料是柔性材料。通过示例的方式，可以使用硅酮材料。以这种方式，借助于该方法制造的并且包括借助于电绝缘材料连接的各载体区段和芯片组件的芯片模块可以包括柔性构造。这种配置使得能够例如将芯片模块安装在弯曲的表面上。

替换地，关于电绝缘材料可以考虑其它材料。一个示例是环氧树脂材料。以这种方式，借助于该方法制造的芯片模块可以是刚性的。

可以借助于诸如填充、灌封或者模制之类的处理来执行在载体上施加电绝缘材料。

关于所提供的载体，可以考虑不同的实施例。在可能的实施例中，载体包括电绝缘载体材料和电导体结构。在将半导体芯片布置在载体上的步骤中，可以将半导体芯片安装在载体的电导体结构上并且将其与载体的电导体结构电连接。

关于载体的上面提到的配置，可以考虑以下的实施例。在该实施例中，所提供的载体是基于引线框的载体，包括金属引线框和连接至金属引线框的模制复合物。金属引线框可以包括金属引线框区段和连接引线框区段的金属连接结构。连接结构可以包括腹板式形状。提供金属引线框可以包括例如通过蚀刻来结构化初始金属层。之后，可以执行模制处理，其中可以将模制复合物模制在金属引线框周围。模制复合物可以是电绝缘的塑料材料，诸如PC（聚碳酸酯）或者PPA（聚邻苯二甲酰胺）。

关于基于引线框的载体的应用，可以将半导体芯片布置在引线框的引线框区段的一部分上。引线框区段的另一部分可以被用于连接接合布线。

此外，可以以如下这样的方式执行对基于引线框的载体结构化：可以切断金属引线框的连接结构。以这种方式，可以中断借助于连接结构实现的引线框区段的连接。通过对基于引线框的载体结构化而产生的载体区段的每个除了模制复合物之外还可以包括若干个分离的引线框区段。在载体区段中的每个上可以布置至少一个半导体芯片。

在进一步的实施例中，基于引线框的载体包括由模制复合物形成的模制本体，每个模制本体围成腔体。在将半导体芯片布置在载体上的步骤中，半导体芯片被布置在模制本体的腔体中的金属引线框上，也就是说在金属引线框的引线框区段上。此外，将电绝缘材料施加在横向于模制本体并且在模制本体之间的区域中的载体上。

模制本体可以借助于模制复合物彼此连接，并且可以包括框类型的形状。模制本体的腔体可以包括在远离引线框的方向上的扩宽的横截面形状。以这种方式，模制本体可以充当反射器。

此外，可以以如下这样的方式执行对具有模制本体的基于引线框的载体结构化：通过结构化产生的载体区段的每个可以包括围成在其内可以布置至少一个半导体芯片的腔体的模制本体。

在进一步的实施例中，模制本体的腔体被填充有包封材料。以这种方式，布置在腔体内的半导体芯片可以被包封并且因此被保护而免受外部影响。包封材料可以是例如清透的并且光透射的材料，诸如硅酮材料。

包封材料不仅可以用于包封目的，而且还可以用于辐射转换。在这样的实施例中，包封材料可以包括诸如硅酮材料的基础材料和嵌入于其中的磷光体颗粒。以这种方式，包封材料可以至少部分地转换由辐射发射半导体芯片在工作期间生成的光辐射。

根据进一步的实施例，提供的是基于引线框的载体包括平坦形状，该平坦形状具有平坦的前侧和平坦的背侧。在该配置中，前侧和背侧可以由金属引线框以及由模制复合物构成。

关于包括电绝缘载体材料和电导体结构的载体，还可以考虑以下的配置。

在进一步的实施例中，所提供的载体是印刷电路板。印刷电路板可以包括诸如FR4的电绝缘的基础材料，以及电气的或者相应地金属的导体结构。

在进一步的实施例中，所提供的载体是陶瓷载体，其包括电气的或者相应地金属的导体结构。

关于印刷电路板或者陶瓷载体的应用，载体可以包括平坦形状。此外，半导体芯片可以被布置在电导体结构的一部分上。电导体结构的另一部分可以被用于连接接合布线。在结构化步骤中，可以切断印刷电路板或者陶瓷载体，以使得提供印刷电路板或者陶瓷载体的分离的区段。在这些配置中，印刷电路板或者陶瓷载体的分离的区段可以构成芯片模块的载体区段。

根据进一步的实施例，提供的是在生产方法中金属引线框本身被用作为载体。如上面描述那样，金属引线框可以包括金属引线框区段和连接引线框区段的金属连接结构。连接结构可以包括腹板式形状。在该实施例中，半导体芯片可以被布置在引线框区段的一部分上。引线框区段的另一部分可以被用于连接接合布线。在载体的结构化步骤中，引线框的连接结构可以被切断，以使得引线框区段的连接可以被中断。作为结果，可以提供分离的引线框区段。分离的引线框区段可以构成芯片模块的载体区段。

在进一步的实施例中，电绝缘材料被以透镜结构的形式施加在载体上。以这种方式，可以产生具有预定发射特性的辐射发射芯片模块。作为示例，可以以如下这样的方式配置透镜结构：使得能够进行具有窄角度和高亮度的聚焦发射。这可以是例如针对聚光灯或者手电筒照射而考虑的。

关于上面提到的实施例，电绝缘材料可以是清透的并且透射光的材料，诸如硅酮材料。可以借助于模制处理将电绝缘材料施加在载体上。此外，透镜结构可以包括被彼此挨着地布置的多个透镜，或者相应地可以是以连续的透镜阵列的形式实现的。透镜结构中的每个透镜可以被分配给一个或若干个半导体芯片，以及分配给通过对载体结构化而产生的一个或若干个载体区段。

更进一步地，布置在载体上的半导体芯片可以被借助于以透镜结构的形式施加在载体上的电绝缘材料包封。在这方面，所提供的载体可以包括平坦形状，并且可以例如是基于引线框的载体、印刷电路板或者陶瓷载体。金属引线框也可以被用作为载体。

借助于该方法生产的芯片模块包括借助于电绝缘材料连接的分立的载体区段和芯片组件。这种配置允许芯片模块的简单的单体化。在这方面，根据进一步的实施例，将芯片模块预备为仅通过切断电绝缘材料来单体化成更小的芯片模块。

关于生产方法，更进一步地将注意力转移到以如下这样的方式执行方法的可能性：一起生产多个芯片模块。在这种情况下，通过提供载体、将半导体芯片布置在载体上以及在载体上施加电绝缘材料，从而可以提供连接的并且短路的模块的组装。随后的对载体结构化的步骤可以附加地包括完全切断或者相应地单体化模块组装，以便提供每个具有如上面描述那样的配置的或者相应地根据上面描述的实施例中的一个或若干个的分离的芯片模块。

根据本发明的进一步的方面，提出了一种芯片模块。该芯片模块包括借助于电绝缘材料连接的分离的载体区段和布置在载体区段的至少一部分上的半导体芯片。

可以通过执行上面描述的方法或者该方法的一个或多个上面描述的实施例来生产芯片模块。更进一步地指出的是，上面关于生产方法提到的方面和细节也可以应用于芯片模块。相反地，下面关于芯片模块指明的方面和细节也可以应用于生产方法。

作为示例，关于载体区段，芯片模块可以包括凹部或者相应地包括沟槽，借助于凹部或者沟槽将载体区段彼此分离。凹部或者沟槽可以存在于芯片模块的背侧处，并且可以是以连续的网格结构的形式配置的。此外，芯片模块可以包括由电绝缘材料连接的芯片组件，每个芯片组件包括至少一个载体区段和至少一个半导体芯片。

在进一步的实施例中，芯片模块的半导体芯片是辐射发射半导体芯片。在这方面，芯片模块可以例如是固态光源、IR光源或者用于视频墙的显示模块。关于后者的配置，芯片模块可以此外包括被配置用于生成第一（例如红色）光辐射的半导体芯片、被配置用于生成第二（例如绿色）光辐射的半导体芯片、以及被配置用于生成第三（例如蓝色）光辐射的半导体芯片。

在进一步的实施例中，电绝缘材料是柔性材料。以对应的方式，芯片模块可以是柔性的。这种配置使得能够将芯片模块例如安装在弯曲的表面上。

在进一步的实施例中，芯片模块的分立的载体区段是结构化的载体的区段。换句话说，可以通过在芯片模块的制备中对先前未结构化的并且连续的载体进行结构化或者相应地进行切断来形成载体区段。

在进一步的实施例中，每个载体区段包括电绝缘的载体材料和电导体结构。半导体芯片可以被布置在载体区段的电导体结构上并且被电连接到载体区段的电导体结构。

在进一步的实施例中，每个载体区段包括金属引线框区段和连接到引线框区段的模制复合物。可以通过在芯片模块的制备中结构化基于引线框的载体来实现该实施例。

根据进一步的实施例，每个载体区段包括由模制复合物形成的模制本体，模制本体围成腔体。此外，半导体芯片被布置在模制本体的腔体中的引线框区段上，并且电绝缘材料被布置在横向于模制本体并且在模制本体之间的区域中。

在进一步的实施例中，模制本体的腔体被填充有包封材料。包封材料可以例如是清透的并且透射光的材料。替换地，包封材料可以包括基础材料和嵌入于其中的磷光体颗粒。以这种方式，可以借助于包封材料来实现辐射转换。

在进一步的实施例中，芯片模块的载体区段是印刷电路板的区段或者包括电导体结构的陶瓷载体的区段。在进一步的实施例中，载体区段是金属引线框的区段。这些实施例可以是通过在芯片模块的制备中结构化印刷电路板、陶瓷载体或者引线框而实现的。

在进一步的实施例中，电绝缘材料被配置为采用透镜结构的形式。以这种方式，芯片模块可以包括预定的发射特性。透镜结构可以是以连续的透镜阵列的形式实现的，连续的透镜阵列包括被彼此挨着地布置的多个连接的透镜。透镜结构中的每个透镜可以被分配给一个或若干个半导体芯片，以及被分配给一个或若干个载体区段。此外，芯片模块的半导体芯片可以被借助于透镜结构包封。

如在上面解释的和/或在从属权利要求中再现的本发明的有利的实施例和发展可以—例如分别在清楚的引用关系的情况下或者在不兼容的替换的情况下—单独地或者另外以与彼此任意组合的方式来应用。

与以下对关联于示意性附图更详细地解释的示例性实施例的描述相关联地，本发明的上面描述的特性、特征和优点以及以其来实现它们的方式将变得更清楚并且被更清楚地理解，在附图中：

图1至图5基于侧向示图示出一种可能的用于生产芯片模块的方法序列，包括：提供基于引线框的载体，其中基于引线框的载体包括具有腔体的模制本体；将辐射发射半导体芯片布置在模制本体的腔体中的载体上；利用包封材料填充模制本体的腔体；在横向于模制本体并且在模制本体之间的区域中的载体上施加电绝缘材料；以及执行结构化处理，以使得提供芯片模块，其中芯片模块包括通过结构化产生的并且被借助于电绝缘材料连接的分离的载体区段；

图6至图10示出图1至图5的方法中出现的情况的对应的顶视图；

图11和图12示出图1至图5的方法中出现的情况的对应的底视图；

图13示出包括弯曲形状的芯片模块的侧向示图；

图14示出芯片模块的顶视图，其中附加地图示用于分离芯片模块的分离线；

图15至图17示出具有不同大小的进一步的芯片模块的顶视图；

图18至图20基于侧向示图示出用于生产芯片模块的进一步的方法序列，包括：将辐射发射半导体芯片布置在平坦载体上；将电绝缘材料以透镜结构的形式施加在载体上；以及执行结构化处理以使得提供芯片模块，其中芯片模块包括通过结构化产生的并且借助于以透镜结构的形式配置的电绝缘材料连接的分离的载体区段；

图21至图23示出图18至图20的方法中出现的情况的对应的顶视图；

图24至图26示出包括透镜结构的具有不同大小的进一步的芯片模块的顶视图；

图27示出包括透镜结构的芯片模块的生产的侧向示图，其中使用了包括电绝缘载体材料和电导体结构的平坦载体；

图28示出包括透镜结构的芯片模块的生产的侧向示图，其中使用了平坦的基于引线框的载体；

图29至图31基于侧向示图示出用于生产包括透镜结构的芯片模块的进一步的方法序列，其中引线框被用作为载体；

图32至图35基于顶视图示出用于生产芯片模块的进一步的方法序列，其中使用了包括具有腔体的模制本体的基于引线框的载体，并且被配置用于生成不同光辐射的半导体芯片被布置在模制本体的腔体中的载体上；

图36和图37示出在图32至图35的方法中出现的情况的对应的底视图；

图38示出芯片模块的顶视图，其中附加地图示了用于分离芯片模块的分离线；以及

图39至图41示出具有不同大小的进一步的芯片模块的顶视图。

参照以下示意性的各图来描述用于生产芯片模块100的方法的可能的实施例。芯片模块100被配置用于发射电磁辐射，并且可以是以适合于表面安装的QFN模块的形式实现的。在这种情况下，可以执行从半导体技术以及从光电子组件和模块的制备已知的处理，并且可以使用在这些领域中惯用的材料，并且因此将仅部分地对它们进行讨论。以相同的方式，除了所示出和描述的组件部分和结构之外，还可以利用进一步的组件部分和结构来制备模块。

要指出的是，各图仅为示意性的性质并且并非真实地成比例。在这种意义上，各图中示出的组件部分和结构可能是以夸大的大小或者在大小上减小地图示的，以便提供更好的理解。关于各图，更进一步地指出的是，在方法的不同阶段中出现的组件的前侧或者相应地顶视图是借助于参考符号201指示的。以类似的方式，背侧或者相应地底视图是借助于参考标号202指示的。关于顶视图和底视图，更进一步地指出的是，底视图示出相对于顶视图转动180°的情况。此外，交叉线被包括在一些图中，这些图图示指代如下各图的顶视和底视图：所述各图图示在侧向截面视图中的相应情况。更进一步地，如在各图中指示的那样，可以以如下这样的方式执行方法：多个所连接的模块的组装被一起制备并且随后被单体化成分离的相同构造的芯片模块100。在这方面，各图作为节选图示了多个芯片模块100的共同生产。

图1至图12示出用于生产辐射发射芯片模块100的可能的方法。在该方法中，使用了包括具有腔体132的模制本体131的基于引线框的载体110。图1至图5基于侧向截面示图图示该方法。图6至图10示出对应的顶视图，并且图11和图12示出该方法中出现的情况的对应的底视图。

在本方法的开始处，提供基于引线框的载体110，其包括金属引线框120和连接到引线框120的模制复合物130。为此目的，提供了金属引线框120并且执行其中模制复合物130被围绕引线框120进行模制的模制处理。

图1示出没有模制复合物的金属引线框120的侧向截面视图。在图6中图示引线框120的对应的顶视图。引线框120包括矩形金属引线框区段121、122和腹板式金属连接结构123，借助于腹板式金属连接结构123连接引线框区段121、122。引线框区段121与引线框区段122相比包括更大的横向尺寸。此外，引线框区段121、122按两个引线框区段121、122的组来布置，每个组包括并非彼此直接连接的引线框区段121和引线框区段122。引线框区段121、122的这些组中的每个组被提供用于安装和建立与在本方法的稍后阶段中应用的一个半导体芯片140的电连接（参见图3和图8）。

为了提供金属引线框120，可以提供初始金属层并且随后对其进行结构化（未图示）。可以借助于如下的蚀刻处理来执行结构化：在所述蚀刻处理中从前侧201并且从背侧202在横向于要产生的引线框区段121、122和连接结构123的区域中蚀刻金属层。此外，如在图1中指示那样，还可以在连接结构123的区域中执行前侧蚀刻，以使得连接结构123是半蚀刻的结构并且包括与引线框区段121、122相比更小的厚度。在结构化金属层之后，可以更进一步地给出对于如下的考虑：例如借助于电镀来为引线框120提供金属涂覆（未图示）。

之后，执行利用适当的模制工具的模制处理，其中模制复合物130被绕围引线框120进行模制（未图示），由此提供基于引线框的载体110。图2示出侧向截面视图，并且图7和图11示出所提供的载体110的对应的顶视图和底视图。模制复合物130可以是电绝缘的塑料材料，诸如PC（聚碳酸酯）或者PPA（聚邻苯二甲酰胺）。

以如下这样的方式执行模制处理：基于引线框的载体110包括由模制复合物130形成的连接的模制本体131，每个模制本体131围成腔体132。模制本体131包括矩形的框类型形状，如可以从图7看到的那样。每个模制本体131被形成在上面提到的两个引线框区段121、122的组中的一个组的区域中，以使得相应的引线框区段121、122或者相应地上述的引线框区段121、122的一部分被由对应的模制本体131的腔体132暴露在载体110的前侧201处。如在图2中图示那样，模制本体131的腔体132包括在远离引线框120的方向上的扩宽的横截面形状。以这种方式，模制本体131可以充当反射器。存在于模制本体131之间的区域中的连接结构123在载体110的前侧201处被借助于模制复合物130覆盖。与在图7中示出的前侧201相反，载体110的整个引线框120在背侧202处可见，如在图11中图示那样。

在提供载体110之后，执行管芯附接处理。在该处理中，将辐射发射半导体芯片140布置在载体110的在模制本体131的腔体132中的前侧201上，并且将其电连接到引线框120，也就是说将其电连接到存在于相应的模制本体131的区域中的引线框区段121、122，如在图3中在侧向截面视图中示出那样。在每个腔体132中安装一个半导体芯片140，如还在图8中在顶视图中图示那样。半导体芯片140可以例如是被配置用于发射光辐射的发光二极管芯片（LED芯片）。

图3和图8指示具有前侧接触和背侧接触（未图示）的半导体芯片140的配置。在该配置中，每个半导体芯片140是借助于背侧接触并且通过施加诸如焊料或者导电粘合剂的导电材料（未图示）而被布置在引线框区段121上并且被连接至引线框区段121的。每个半导体芯片140的前侧接触被借助于接合布线149电连接到相邻的引线框区段122。

如还在图3中图示那样，模制本体131的腔体132随后被填充有包封材料或者相应地浇注材料150。以这种方式，布置在腔体132之内的半导体芯片140可以被包封并且因此被保护而免遭外部影响。包封材料150可以是清透的并且透射光的材料，诸如硅酮材料。替换地，包封材料150可以被施加用于辐射转换。在这方面，包封材料150可以包括诸如硅酮材料的基础材料和嵌入于其中的磷光体颗粒（未图示）。在像这样的配置中，包封材料150可以至少部分地将在工作期间由辐射发射半导体芯片140生成的光辐射转换成一种或多种转换辐射。

之后，如在图4中在侧向截面视图中并且如在图9中在顶视图中示出那样，将电绝缘材料160施加在载体110的在横向于模制本体131并且在模制本体131之间中的区域中的前侧201上。以这种方式，提供了被连接并且短路的模块的组装。电绝缘材料160可以是诸如硅酮材料的柔性材料。替换地，关于电绝缘材料160，可以使用其它材料。一个示例是环氧树脂材料。在载体110上施加电绝缘材料160可以是例如借助于填充处理或者相应地借助于灌封处理执行的。

随后，如在图5中在侧向截面示图中以及如在图10和图12中在对应的顶视图和底视图中图示那样，执行结构化处理或者相应地执行单体化处理。在结构化步骤中，在横向于模制本体131并且在模制本体131之间的区域中在彼此垂直地延伸的分离线250处完全切断载体110和电绝缘材料160。以这种方式，形成截断部251，并且提供单体化的芯片模块100。这些芯片模块100—其也可以被称为芯片面板100—中的一个芯片模块被完整地图示在图5、图10和图12中。

关于每个芯片模块100，结构化步骤更进一步地包括在横向于模制本体131并且在模制本体131之间的区域中切断载体110和电绝缘材料160的一部分。在这方面，从背侧202开始执行切断，以使得形成彼此垂直地延伸的背侧凹部或者相应地沟槽255（参见图5和图12）。以这种方式提供的芯片模块100包括分离的矩形载体区段210，其不再借助于初始载体110的材料而被连接而是替代地借助于电绝缘材料160来连接并且保持在一起。以类似的方式，所提供的芯片模块100包括分离的并且单独的芯片，或者相应地包括被借助于电绝缘材料160连接并且保持在一起的LED组件200。以这种方式，电绝缘材料160可以构成绝缘连接器。

如在图12中图示那样，沟槽255是以连续的矩形网格结构的形式产生的并且延伸到电绝缘材料160，以使得在背侧202处电绝缘材料160也可见。此外，借助于结构化，切断金属引线框120的连接结构123。以这种方式，借助于连接结构123实现的引线框区段121、122的连接被中断，使得引线框区段121、122—其每个与半导体芯片140之一相关联—的组不再短路而是替代地彼此电隔离。以类似的方式，通过结构化产生的芯片模块100的载体区段210和芯片组件200彼此电隔离。在这种意义上，形成沟槽255也可以被称为部分单体化。

结构化步骤可以是借助于机械处理（未图示）执行的。作为示例，可以执行锯切或者切割处理。另一可能的处理是激光切割。

芯片模块100的分立的载体区段210的每个包括两个分离的引线框区段121、122以及与之连接的模制复合物130。被切断的连接结构123的残留物存在于引线框区段121、122的边缘处。每个载体区段210更进一步地包括由模制复合物130形成的并且围成腔体132的相应的模制本体131。

芯片模块100的芯片组件200的每个包括相应的载体区段210和布置在相应的模制本体131的腔体132内的载体区段210上的辐射发射半导体芯片140。更进一步地借助于包封材料150来包封半导体芯片140。每个芯片组件200以及因此对应的半导体芯片140可以是借助于对应的引线框区段121、122分离地并且独立地供电的。在半导体芯片140的工作期间生成的光辐射可以从芯片组件200的包封材料150发射（未图示）。

芯片模块100可以例如在一般的照明应用中被用作为固态照明源。在这方面，可以例如以如下这样的方式执行上面描述的方法：应用被配置用于发射蓝光辐射的半导体芯片140以及被配置用于至少部分地将蓝光辐射转换成一种或多种转换辐射（例如黄光辐射）的包封材料150，因此使得能够在工作期间发射白光辐射。

可以针对芯片模块100考虑的另一可能的应用示例是例如用于CCTV（闭路电视）的IR（红外）照射。在这方面，可以应用被配置用于发射红外光辐射的半导体芯片140以及清透的并且透射光的包封材料150。

如上面描述那样，方法涉及在载体110上布置半导体芯片140（换句话说，未封装的裸管芯）。这使得能够以如下这样的方式生产芯片模块100：将半导体芯片140布置成紧密接近于彼此。作为结果，芯片模块100可以在宽面积上提供均匀的照射。

更进一步地，如上面描述那样，在生产方法中应用的电绝缘材料160可以是柔性材料。以类似的方式，借助于该方法生产的芯片模块100可以包括柔性构造。这种配置使得能够使每个芯片模块100弯屈，以使得相应的芯片模块100包括弯屈的或者相应地弯曲的形状，如以示例性方式在图13中在侧向截面视图中图示那样。以这种方式，芯片模块100可以例如被安装在弯曲的表面上（未图示）。要指出的是，除了在图13中描绘的凸形状之外，可以使芯片模块100成为其它形式，包括例如凹形状。

图14示出可以借助于上面描述的方法生产的芯片模块100的进一步的顶视图。芯片模块100包括矩形轮廓和借助于电绝缘材料160连接的芯片组件200的4×4矩阵。除了所描绘的配置之外，还可以通过执行该方法来生产具有其它或者相应地更大的矩阵大小的芯片模块100，诸如具有100×100矩阵的芯片模块100（未图示）。

图14更进一步地图示仅通过在芯片组件200之间的相应的分离线250处切断电绝缘材料160来将所生产的芯片模块100进一步单体化成更小的芯片模块100的简单可能性。以这种方式，可以产生例如如在图15中示出的具有芯片组件200的4×2矩阵的芯片模块100、如在图16中示出的具有芯片组件200的2×2矩阵的芯片模块100、或者甚至如在图17中示出的采用包括一个半导体芯片140的单个单元的形式的芯片模块100。

下面描述用于生产芯片模块100的方法以及所生产的芯片模块100的进一步的变形和实施例。在下文中将不再详细描述对应的特征和方面以及还有相同的和相同地起作用的组件部分。替代地，针对关于它们的细节，参照上面的描述。更进一步地，将注意力转移到将在此描述的实施例中的两个或更多个的特征相互组合的可能性。

图18至图23示出用于生产辐射发射芯片模块100的进一步可能的方法。图18至图20基于侧向截面视图图示该方法。图21至图23示出在该方法中出现的情况的相应的顶视图。

该方法包括提供平坦载体111，并且在载体111的前侧201上布置辐射发射半导体芯片140，如在图18和图21中图示那样。在将半导体芯片140布置在载体111上的情形下，产生在半导体芯片140和载体111之间的电连接。在这方面，类似于上面描述的生产方法，借助于诸如焊接或者胶粘以及布线接合的处理来执行将半导体芯片140安装在载体111上并且建立电连接。关于建立电连接，载体111包括电导体结构（未图示），借助于导电材料（未图示）并且借助于接合布线149将半导体芯片140连接到该电导体结构。下面进一步描述可以针对载体111考虑的可能的配置。

之后，将电绝缘材料160以透镜结构的形式施加在载体111的前侧201上，如在图19中在侧向截面视图中以及在图22中在顶视图中图示那样。半导体芯片140被借助于电绝缘材料160包封。透镜结构是以连续的阵列的形式实现的，或者相应地以包括被彼此挨着地布置的多个连接的透镜161的簇的形式实现。每个透镜161被分配给半导体芯片140中的一个的区域并且被提供在该区域中。电绝缘材料160可以是清透的并且透射光的材料，诸如硅酮材料。可以例如借助于利用适当的模制工具（未图示）的模制处理来执行将电绝缘材料160以透镜结构的形式施加在载体111上。

随后，执行结构化或者相应地单体化处理，如在图20中在侧向截面视图中和在图23中在顶视图中示出那样。在该步骤中，在横向于透镜161并且在透镜161之间的区域中在彼此垂直地延伸的分离线250处完全切断载体110和电绝缘材料160。以这种方式，形成截断部251，并且提供单体化的芯片模块100。在图20和图23中完整地图示了这些芯片模块100中的一个。

关于每个芯片模块100，结构化步骤更进一步地包括在横向于透镜161并且在透镜161之间的区域中切断载体111和电绝缘材料160的一部分。以这种方式，芯片模块100包括分离的矩形的并且电隔离的载体区段210，并且因此还包括分离的并且单独的芯片组件200，其被借助于电绝缘材料160连接并且保持在一起。在这方面，从背侧202开始执行切断，以便产生采用延伸到电绝缘材料160的连续的矩形网格结构的形式的背侧凹部或者相应地沟槽255。

芯片模块100的芯片组件200的每个包括通过对载体111结构化而产生的载体区段210以及布置在其上的辐射发射半导体芯片140和透镜161。每个芯片组件200以及因此对应的半导体芯片140可以被分离地并且独立地供电。在半导体芯片140的工作期间生成的光辐射可以从电绝缘材料160或者相应地从芯片组件200的透镜161（未图示）发射。借助于透镜阵列，使得预定的发射特性、例如具有窄角度和高亮度的聚焦光发射是可能的。这可以是例如针对聚光灯照射而考虑的。

关于参照图18至图23描述的方法，再次可能的是应用被配置用于生成红外光辐射的半导体芯片140，以使得芯片模块100可以用于IR照射应用。

此外，可以提供辐射转换以使得芯片模块100可以发射白光辐射。为此目的，辐射发射半导体芯片140可以被提供有被配置用于辐射转换的相应的转换材料，或者相应地可以在将电绝缘材料160施加在载体111（未图示）上之前将转换材料施加在半导体芯片140上。在这方面，每个半导体芯片140可以例如被提供有采用涂覆或者小片形式的转换材料。

关于电绝缘材料160，再次可能的是应用柔性材料。以这种方式，利用透镜结构产生的芯片模块100可以包括柔性构造，因此使得如下是可能的：使芯片模块100弯屈以使得芯片模块100可以例如被组装在弯曲的表面上（未图示）。

如在图23中图示那样，芯片模块100可以包括芯片组件200的4×4矩阵。还可能的是生产具有其它或者相应地更大的矩阵大小的芯片模块100（未图示）。此外，可能的是仅通过在芯片组件200之间切断电绝缘材料160来将芯片模块100进一步单体化成更小的芯片模块100。以这种方式，可以生产例如如在图24中示出那样的具有3×3矩阵的芯片模块100、如在图25中示出那样的具有2×2矩阵的芯片模块100或者如在图26中示出那样的采用包括一个半导体芯片140的单个单元的形式的芯片模块100。

关于应用在图18至图23中图示的方法序列中的平坦载体111，可以考虑如在下面参照图27和图28描述的不同的配置。

如在图27中在侧向截面视图中示出那样，可以通过应用包括电绝缘载体材料170以及电气的或者相应地金属的导体结构171、172的平坦载体112来执行具有透镜结构的芯片模块100的生产。导体结构171、172包括前侧区段和背侧区段以及贯穿载体112竖向地延伸并且连接前侧区段和背侧区段的过孔区段。导体结构171、172被布置成组，每组包括导体结构171和导体结构172。这些组中的每一组被提供用于这些组中的每一个用于安装一个半导体芯片140并且建立与该半导体芯片140的电连接。

如在图27中指示那样，在提供载体112之后，例如通过执行诸如焊接或者胶粘的处理将半导体芯片140布置在导体结构171上，并且借助于接合布线149将半导体芯片140电连接到相邻的导体结构172。之后，执行上面描述的步骤，也就是说将电绝缘材料160以透镜结构的形式施加在载体112的前侧201上，并且随后结构化载体112和电绝缘材料160。在结构化步骤中，在分离线250处完全切断载体112和电绝缘材料160，以便提供单体化的芯片模块100。此外，在背侧202处形成沟槽255，以使得芯片模块100包括分离的载体区段210，并且因此包括借助于电绝缘材料160连接的芯片组件200。

通过结构化载体112产生的载体区段210的每个包括两个电导体结构171、172和电绝缘载体材料170。芯片模块100的芯片组件200的每个包括载体区段210以及布置在其上的辐射发射半导体芯片140和透镜161。借助于对应的电导体结构171、172，可以独立地对每个芯片组件200并且因此对应的半导体芯片140供电。

在上面描述的方法中应用的载体112可以例如是印刷电路板（PCB）。在这方面，载体材料170可以例如为FR4材料。替换地，载体112可以例如为包括陶瓷载体材料170的陶瓷载体。

图28在侧向截面视图中示出用于生产具有透镜结构的芯片模块100的方法的另一变形。在该方法中，应用了平坦的基于引线框的载体113。载体113包括金属引线框120和连接到引线框120的模制复合物130。引线框120包括在上面描述的结构，也就是说引线框区段121、122和腹板式连接结构123，借助于该腹板式连接结构123连接引线框区段121、122。引线框区段121、122被布置成组，每个组包括引线框区段121和引线框区段122。这些组中的每一组被提供用于安装一个半导体芯片140并且并且建立与该半导体芯片140的电连接。从上方察看，引线框120可以具有如在图6中示出的外观。

为了提供基于引线框的载体113，如在上面描述那样提供引线框120，并且执行模制处理，其中模制复合物130被围绕引线框120进行模制。以如下这样的方式执行模制处理：基于引线框的载体113包括平坦的形状，具有由引线框120以及由模制复合物130构成的平坦的前侧201和平坦的背侧202。从下方察看，所提供的载体113可以具有如在图11中示出的外观。关于顶视图，仅引线框120的引线框区段121、122是可见的，因为连接结构123被模制复合物130（未图示）覆盖。

如在图28中指示那样，在提供基于引线框的载体113之后，例如通过执行诸如焊接或者胶粘的处理来将半导体芯片140安装在引线框区段121上，并且借助于接合布线149将半导体芯片140电连接到相邻的引线框区段122。随后，执行上面描述的步骤，也就是说将电绝缘材料160以透镜结构的形式施加在载体113的前侧201上，并且然后结构化载体113和电绝缘材料160。在结构化步骤中，在分离线250处完全切断载体113和电绝缘材料160，以便提供单体化的芯片模块100。此外，在背侧202处形成沟槽255，以使得芯片模块100包括分离的载体区段210并且因此包括借助于电绝缘材料160连接的芯片组件200。在这方面，切断金属引线框120的连接结构123，以使得其中的每个与半导体芯片140之一相关联的各组引线框区段121、122不再短路而是替代地彼此电隔离。以类似的方式，通过结构化产生的芯片模块100的载体区段210和芯片组件200彼此电隔离。从下方察看，芯片模块100可以具有如在图12中示出的外观。

通过对载体113结构化而产生的载体区段210的每个包括两个分离的引线框区段121、122以及与其连接的模制复合物130。芯片模块100的芯片组件200的每个包括载体区段210以及布置在其上的辐射发射半导体芯片140和透镜161。每个芯片组件200以及因此对应的半导体芯片140可以被借助于对应的引线框区段121、122独立地供电。

生产芯片模块100还可以是使用引线框120本身作为载体来执行的。在这方面，图29至图31基于侧向截面示图示出用于生产具有透镜结构的芯片模块100的进一步可能的方法。

在该方法中，提供金属引线框120，并且随后在引线框120上布置辐射发射半导体芯片140，如在图29中图示那样。引线框120包括在上面描述的结构，也就是说引线框区段121、122和腹板式连接结构123。引线框区段121、122被布置成两个引线框区段121、122的组，各组被提供用于安装一个半导体芯片140并且建立与该半导体芯片140的电连接。从上方察看，引线框120可以具有如在图6中示出的外观。如在图29中指示那样，半导体芯片140被安装在引线框区段121的前侧201上，并且被借助于接合布线149电连接到相邻的引线框区段122。

之后，将电绝缘材料160以透镜结构的形式施加在引线框120上，由此包封半导体芯片140，如在图30中图示那样。为此目的，可以执行模制处理（未图示）。以如下这样的方式施加电绝缘材料160：在前侧201处利用电绝缘材料160覆盖引线框120，并且电绝缘材料160呈现为横向于引线框区段121、122以及连接结构123，并且在引线框区段121、122和连接结构123之间。与此相对，引线框120的背侧202保持为不具有电绝缘材料160。透镜结构包括被彼此挨着地布置的多个透镜161。每个透镜161被分配给半导体芯片140之一。

随后，执行结构化处理，如在图31中示出那样。在该步骤中，在分离线250处完全切断引线框120和电绝缘材料160，以便提供单体化的芯片模块100。此外，在背侧202处形成沟槽255，以使得芯片模块100包括分离的引线框区段121、121和分离的芯片组件200，它们被借助于电绝缘材料160连接并且保持在一起。

在这方面，切断金属引线框120的连接结构123，以使得其中的每个与半导体芯片140之一相关联的各组引线框区段121、122不再短路而是替代地彼此电隔离。以类似的方式，通过结构化产生的芯片模块100的芯片组件200被彼此电隔离。

在图31中描绘的芯片模块100的芯片组件200的每个包括两个引线框区段121、122、布置在引线框区段121上的辐射发射半导体芯片140以及透镜161。每个芯片组件200并且因此对应的半导体芯片140可以被借助于对应的引线框区段121、122独立地供电。

生产方法的另一变形在于生产可以被应用为用于视频墙的显示模块的辐射发射芯片模块100。在这方面，如在上面描述那样将半导体芯片靠近于彼此地布置在载体上使得在小的面积内提供高分辨率显示是可能的。这样的芯片模块100，其还可以被称为瓦片或者相应地LED瓦片，可以是利用被配置用于生成具有不同颜色的光辐射的半导体芯片实现的。在这方面，再次可能的是应用基于引线框的载体，其包括具有腔体的模制本体，并且执行与上面参照图1至图12描述的方法序列相似的方法序列。

通过说明的方式，下面参照图32至图37描述这样的生产方法的可能的变形。在这方面，图32至图35作为从上面察看的节选图示了该方法，并且图36和图37作为从下面察看的节选图示了相应的情况。

类似于上面描述的方法，提供金属引线框120，如在图32中在顶视图中示出那样。这可以包括结构化或者相应地蚀刻初始金属层（未图示）。与在图6中描绘的引线框120相反，在图32中图示的引线框120具有更复杂的结构并且包括借助于腹板式的并且半蚀刻的连接结构123连接的引线框区段221、222、223的组。每个组包括中央引线框区段221、横向于引线框区段221布置的三个引线框区段222、以及直接连接到引线框区段221的一个引线框区段223。引线框区段222、223以矩形方式围绕中央引线框区段221布置。中央引线框区段221和引线框区段223的连接是借助于如下的连接结构实现的：该连接结构与连接结构123相比具有更大的宽度，并且具有与引线框区段221、222、223相同的厚度。这些引线框区段221、222、223的组中的每一组被提供用于安装在该方法的稍后阶段中应用的三个半导体芯片141、142、143并且建立与这三个半导体芯片141、142、143的电连接（参见图34）。

随后，执行模制处理，其中模制复合物130被围绕引线框120（未图示）进行模制。以这种方式，提供基于引线框的载体114，如在图33中在顶视图中并且在图36中在底视图中示出那样。以如下这样的方式执行模制处理：基于引线框的载体114包括由模制复合物130形成的连接的模制本体131，每个模制本体131围成腔体132（参见图33）。模制本体131包括矩形的框类型的形状。每个模制本体131形成在上面描述的引线框区段221、222、223的组中的一个组的区域中，以使得相应的引线框区段221、222、223或者相应地其一部分被对应的模制本体131的腔体132暴露在载体114的前侧201处。类似于上面描述的方法，模制本体131的腔体132可以包括在远离引线框120的方向上的扩宽的横截面形状，以使得模制本体131可以充当反射器（未图示）。在载体114的前侧201处连接结构123被模制复合物130覆盖。与在图33中示出的前侧201相反，载体114的整个引线框120在背侧202处是可见的，如在图36中图示那样。

随后，辐射发射半导体芯片141、142、143被布置在模制本体131的腔体132中的载体114的前侧201上，并且被电连接到引线框120，如在图34中在顶视图中图示那样。半导体芯片141、142、143可以例如是LED芯片。图34指示具有前侧接触和背侧接触的半导体芯片141、142、143的配置。在每个腔体132中，布置三个半导体芯片141、142、143，——也就是说被配置用于生成红光辐射的第一半导体芯片141、被配置用于生成绿光辐射的第二半导体芯片142和被配置用于生成蓝光辐射的第三半导体芯片143——的组。在这方面，例如通过执行诸如焊接或者胶粘的处理来将所有三个半导体芯片141、142、143安装在中央引线框区段221上，并且半导体芯片141、142、143中的每个被更进一步地借助于接合布线149电连接到相邻的引线框区段222之一。之后，利用清透的并且透射光的包封材料150更进一步地填充腔体132。

随后，将电绝缘材料160施加在载体114的在横向于模制本体131并且在模制本体131之间的区域中的前侧201上，如在图35中在顶视图中示出那样。如上面描述的那样，电绝缘材料160可以是柔性材料，以使得借助于该方法生产的芯片模块100可以包括柔性的构造。

此后，执行结构化步骤。在该步骤中，在横向于模制本体131并且在模制本体131之间的区域中在相应的分离线处完全切断基于引线框的载体114和电绝缘材料160，以使得提供单体化的芯片模块100（未图示）。以这种方式生产的每个芯片模块100可以具有如在图38中在顶视图中图示那样的配置。

结构化步骤更进一步地包括从背侧202开始在横向于模制本体131并且在模制本体131之间的区域中切断载体114和电绝缘材料160的一部分，以使得形成彼此垂直地延伸的背侧沟槽255，如在图37中在底视图中图示那样。沟槽255是以连续的矩形网格结构的形式产生的并且延伸到电绝缘材料160，以使得电绝缘材料160在背侧202处也是可见的。以这种方式，通过结构化产生的芯片模块100包括分离的载体区段210，并且因此包括借助于电绝缘材料160连接并且保持在一起的各单独的芯片组件200。在这方面，切断金属引线框120的连接结构123，以使得其中的每个与三个半导体芯片141、142、143的组相关联的各组的引线框区段221、222、223被彼此电隔离。以类似的方式，所生产的芯片模块100的载体区段210和芯片组件200被彼此电隔离。

芯片模块100的载体区段210的每个包括中央引线框区段221、三个引线框区段222、引线框区段223、以及与其连接的模制复合物130。每个载体区段210更进一步地包括由模制复合物130形成并且围成腔体132的相应的模制本体131。

芯片模块100的芯片组件200的每个包括相应的载体区段210和三个辐射发射半导体芯片141、142、143，该三个辐射发射半导体芯片141、142、143被布置在相应的模制本体131的腔体132内的载体区段210上。更进一步地借助于包封材料150包封半导体芯片141、142、143。关于每个芯片组件200，可以借助于连接到中央引线框区段221的引线框区段223并且借助于其它三个引线框区段222中的相应的一个来独立地为对应的半导体芯片141、142、143供电。在半导体芯片141、142、143的工作期间产生的光辐射可以从芯片组件200的包封材料150（未图示）发射。由于使用半导体芯片141、142、143来发射红光、绿光和蓝光辐射（RGB），因此芯片组件200和芯片模块100也可以被称为RGB组件200和RGB模块100。

图38描绘可以借助于上面描述的方法生产的芯片模块100的顶视图。芯片模块100包括矩形轮廓和借助于电绝缘材料160连接的芯片组件200的3×4矩阵。除了所描绘的配置之外，可以通过执行该方法来制备具有其它或者相应地更大的矩阵大小的芯片模块100（未图示）。此外，再次可能的是仅通过在芯片组件200之间的相应的分离线250处切断电绝缘材料160来进一步单体化这样的芯片模块100。以这种方式，可以生产例如如在图39中示出的具有4×2矩阵的芯片模块100、如在图40中示出的具有2×2矩阵的芯片模块100，或者如在图41中示出那样的采用包括三个半导体芯片141、142、143的单个单元的形式的芯片模块100。

参照各图解释的实施例构成本发明的优选的或者示例性的实施例。除了所描述并且描绘的实施例之外，可以包括特征的进一步的修改和/或组合的进一步的实施例也是可想见的。例如可能的是应用其它材料来替代上面指示的材料。

例如，可以关于在芯片模块的生产中使用的载体或者相应地引线框来考虑进一步的修改。这样的组件可以是利用与在各图中图示并且在上面描述的结构和配置不同的结构和配置来实现的。在这方面，例如还可能的是替代所描绘的矩形的框类型的形状而提供具有圆形的框类型的形状的模制本体，而不是所描绘的矩形框架形形状的。

更进一步地将注意力转移到生产具有透镜结构的RGB芯片模块的可能性。在这方面，可以执行与上面参照图18至图31描述的方法序列相似的方法序列，其中可以应用被配置用于发射不同的光辐射（也就是红色、绿色和蓝色光辐射）的半导体芯片。

虽然已经借助于优选的示例性实施例更具体地图示和描述了本发明，但是本发明不受所公开的示例约束并且可以由本领域技术人员在不脱离本发明的保护范围的情况下从中得出其它变形。

参考标号列表：

100 芯片模块，110 载体，111 载体，112载体，113载体，114载体，120 引线框，121 引线框区段，122 引线框区段，123 连接结构，130 模制复合物，131 模制本体，132 腔体，140半导体芯片，141 半导体芯片，142半导体芯片，143半导体芯片，149 接合布线，150包封材料，160 电绝缘材料，161 透镜，170 载体材料，171 导体结构，172 导体结构，200 芯片组件，201 前侧，202 背侧，210 载体区段，221 引线框区段，222 引线框区段，223 引线框区段，250 分离线，251 截断部，255 沟槽。

Claims (19)

1.一种用于生产芯片模块（100）的方法，包括：

提供载体（110、111、112、113、114、120）；

在载体（110、111、112、113、114、120）上布置半导体芯片（140、141、142、143）；

在载体（110、111、112、113、114、120）上施加电绝缘材料（160）；以及

结构化载体（110、111、112、113、114、120）以使得提供芯片模块（100），

其中，芯片模块（100）包括通过对载体结构化而产生的分离的载体区段（121、122、210），芯片模块（100）的载体区段（121、122、210）被借助于电绝缘材料（160）连接。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，半导体芯片（140、141、142、143）是辐射发射半导体芯片。

3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，

其中，被配置用于生成第一光辐射的半导体芯片（141）、被配置用于生成第二光辐射的半导体芯片（142）和被配置用于生成第三光辐射的半导体芯片（143）被布置在载体上。

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，

其中电绝缘材料（160）是柔性材料。

5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，

其中所提供的载体（110、112、113、114）包括电绝缘载体材料（130、170）和电导体结构（121、122、171、172、221、222、223）。

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，

其中所提供的载体（110、113、114）包括金属引线框（120）和连接到金属引线框（120）的模制复合物（130）。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中所提供的载体（110、114）包括由模制复合物（130）形成的模制本体（131），每个模制本体（131）围成腔体（132），

其中，半导体芯片（140、141、142、143）被布置在模制本体（131）的腔体（132）中的金属引线框（120）上，

并且其中，电绝缘材料（160）被施加在横向于模制本体（131）并且在模制本体（131）之间的区域中的载体（110、114）上。

8.根据权利要求1至5中的任何一项所述的方法，

其中所提供的载体（112）是以下之一：

印刷电路板；或者

包括电导体结构（171、172）的陶瓷载体。

9.根据权利要求1至4中的任何一项所述的方法，

其中所提供的载体是金属引线框（120）。

10.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，

其中电绝缘材料（160）被以透镜结构（161）的形式施加在载体上。

11.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，

其中仅通过切断电绝缘材料（160）来将所提供的芯片模块（100）单体化成更小的芯片模块（100）。

12.一种芯片模块（100），包括：借助于电绝缘材料（160）连接的分离的载体区段（121、122、210）；以及被布置在载体区段（121、210）的至少一部分上的半导体芯片（140、141、142、143）。

13.根据权利要求12所述的芯片模块，

其中，半导体芯片（140、141、142、143）是辐射发射半导体芯片。

14.根据权利要求12或13的任一项所述的芯片模块，

其中，电绝缘材料（160）是柔性材料。

15.根据权利要求12至14中的任何一项所述的芯片模块，

其中，载体区段（121、122、210）是结构化的载体的区段。

16.根据权利要求12至15中的任何一项所述的芯片模块，

其中，每个载体区段（210）包括电绝缘的载体材料（130、170）和电导体结构（121、122、171、172、221、222、223）。

17.根据权利要求12至16中的任何一项所述的芯片模块，

其中，每个载体区段（210）包括金属引线框区段（121、122、221、222、223）和连接到引线框区段（121、122、221、222、223）的模制复合物（130），

其中，每个载体区段（210）包括由模制复合物（130）形成的模制本体（131），模制本体（131）围成腔体（132），

其中，半导体芯片（140、141、142、143）被布置在模制本体（131）的腔体（132）中的引线框区段（121、221）上，

并且其中，电绝缘材料（160）被布置在横向于模制本体（131）并且在模制本体（131）之间的区域中。

18.根据权利要求11至16中的任何一项所述的芯片模块，

其中，载体区段是以下之一：

金属引线框的区段（121、122）；

印刷电路板的区段（210）；或

包括电导体结构（171、172）的陶瓷载体的区段（210）。

19.根据权利要求11至18中的任何一项所述的芯片模块，

其中，电绝缘材料（160）是以透镜结构（161）的形式配置的。