JP4789350B2 - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード(以下LEDと略記する)の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LEDはGaPやGaAs等のIII−V族の化合物半導体ウエハ上にPN接合を形成し、これに順方向電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであり、近年表示、通信、計測、制御等に広く応用されている。しかし、このような従来のLEDの発光色は限られた色調のものしか存在しない。そこで、所望のカラー光源を得ようと、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止樹脂中に蛍光物質を混入させる試みがあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のこのようなLEDでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、均一に拡散させることができない。量産上色調や輝度のバラツキが避けられずコストアップを招くので、これらのバラツキをいかに少なくしてコストを押さえるかが課題であった。
【0004】
上記発明は、このような従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、歩留が向上して量産に適するLEDの製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の手段は、外部接続端子を有する基板上に発光素子を実装して第一の樹脂で封止した外側を第二の樹脂で覆った発光ダイオードを製造する方法において、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基板上に発光素子を実装し前記第一の樹脂で封止する工程と、ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第一の樹脂を個々に分割し、前記第一の樹脂全体を包み込むように前記第二の樹脂を被覆する工程と、V字形ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第二の樹脂を個々に分割した後の前記第二の樹脂の側面の前記V字形ハーフダイシング切断面にメッキによる反射部を形成する工程と、フルダイシングにより前記集合基板を個々の発光ダイオードに分割する工程とを有すると共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させたことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。まず、第一の実施の形態であるLEDの構成について説明する。図1は本発明の第一の実施の形態であるLEDの斜視図、図2及び図3はこのLEDの製造方法を示す断面図である。
【0011】
図1において、10はチップタイプのLEDである。1はエポキシ樹脂等の絶縁材料から成る基板であり、2は基板1の両面にわたって形成された一対の電極であり、下面側の電極は外部接続端子となっている。3は青色発光素子であるLED素子であり、基板1上に搭載されて各電極2との間にAu、Al等のボンディングワイヤで配線されている。4は直方体形状の外形をしたエポキシ樹脂である第一の樹脂であり、LED素子3を封止している。5は第一の樹脂4の外側を覆っている直方体形状の外形をしたシリコーン樹脂である第二の樹脂である。第二の樹脂5には蛍光物質(YAG蛍光体)及び着色剤が含まれている。6は第二の樹脂5の4方向の側面に被覆した反射率の高いAgやAlなどの金属のメッキ層である反射部である。
【0012】
次に、第一の実施の形態の作用を説明する。LED素子3を発して第一の樹脂4から外に向かった光は、第二の樹脂5の中で蛍光物質(YAG蛍光体)に当たった光は黄色に変化して出射し、蛍光物質に当たらなかった光は青色のまま出射することになるため、これら黄色と青色が混色することにより白色に見える光となる。従って、第二の樹脂5内に蛍光物質の他に着色剤を混入させることにより所望の発光色を得ることができる。
【0013】
なお、このような作用によるのであるから、白の発光色を得るには蛍光物質を第一の樹脂4と第二の樹脂5との少なくともいずれか一方に混入させればよいし、所望の発光色を得るには、第一の樹脂4と第二の樹脂5とのいずれか一方に蛍光物質及び着色剤を一緒に混入させるか、第一の樹脂4と第二の樹脂5とのいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させるようにしても良いことになる。また、必要に応じて、酸化防止剤や老化防止剤を適宜少なくとも一方の樹脂へ混入させてもよい。側面に向かった光は第二の樹脂5の反射部6により反射され樹脂内部に戻ることになり、やがては光の出射面側である上方へ向かうため輝度が向上する。
【0014】
次に、本実施の形態であるLEDの製造方法について説明する。この方法はチップタイプのLEDを多数個同時に加工する集合基板方式の製造方法である。まず、図2(a)に示すように、両面銅箔張基板にスルーホール1a加工を施し無電界Cuメッキを施して両面の銅箔を電気的に接続した上で、ドライフィルムを貼着してフォトエッチングによりパターン形成し、更にNi、Auの電解メッキにより電極2を形成した基板1を基板メーカから調達する。ここで、スルーホール1a周辺に貼着したドライフィルム1bは残しておく。
【0015】
次に、図2(b)に示すように、LED素子3をダイボンディングにより搭載し、図2(c)に示すように、基板1上の電極2との配線をAu、Al線等によるワイヤーボンディングで行う。次に、図2(d)に示すように、第一の樹脂4であるエポキシ系樹脂でLED素子3側全体を封止する。次に図2(e)に示すように、スルーホール1a上で第一の樹脂4をハーフダイシングにより切り分ける。
【0016】
次に、図3(f)に示すように、第二の樹脂5である蛍光物質の入ったシリコーン樹脂で第一の樹脂4を被覆する。次に、図3(g)に示すように、スルーホール1a上で第二の樹脂5をハーフダイシングにより切り分ける。次に、図3(h)に示すように、第二の樹脂5の上面及び基板1下面にメッキレジストを印刷塗布する。なお、第二の樹脂5の上面へのメッキレジスト塗布は、図3(g)のハーフダイシングをする前に予め塗布しておくようにしてもよい。つまり、第二の樹脂5をハーフダイシングする前にメッキレジストを印刷塗布してもよい。次に、図3(i)に示すように、第二の樹脂5の側面にメッキ処理を施して反射部6を形成する。次に、図3(j)に示すように、メッキレジストを除去した後、チップ部品に分割するためのフルダイシングを施して、図1のLED10が完成する。
【0017】
次に、本実施の形態であるLEDの効果について説明する。第二の樹脂5の側面(直方体の周囲4面)の外側を光反射材料であるメッキ層6で覆ったので、基板1の内部から外へ出ようとする光も内部に戻せるので、必要な方向である上方への光の取り出し効率(輝度)が向上する。多数個取りのできる集合基板を用いて同時多数個の処理ができるので、製造コストの削減ができる。
【0018】
次に、本発明の第二の実施の形態であるLEDについて図面により説明する。図4は第二の実施の形態であるLEDの側断面図である。図4において、第一の樹脂4の一部には凸レンズ形状部4aが形成されている。他の構成は第一の実施の形態と同様である。このようなLEDを製造するには、上述した図2の(d)の工程において、第一の樹脂4による封止成形時に凸レンズ形状とは逆の形状である凹形状部を有する型枠を使用して形成する。
【0019】
第一の樹脂4のレンズ形状部4aを通過した光はレンズ作用により集光されるので出射面側の集光効率が向上して発光色の輝度が増加する。
【0020】
次に、本発明の第三の実施の形態であるLEDについて図面により説明する。図5は第三の実施の形態であるLEDの斜視図である。図5において、20はチップタイプのLEDである。11はエポキシ樹脂等から成る絶縁基板であり、12は基板11の両面にわたって形成された一対の電極であり、下面側の電極は外部接続端子となっている。13は青色発光素子であるLED素子であり、基板11上に搭載されて各電極12との間にAu、Al等のワイヤで配線されている。
【0021】
14は直方体形状の外形をしたエポキシ樹脂である第一の樹脂であり、LED素子13を封止している。15は基板11から厚み方向に離れるに従って広がった倒立台形形状の外形をして第一の樹脂14の外側を覆っているシリコーン樹脂である第二の樹脂である。第二の樹脂15には蛍光物質及び着色剤が含まれている。16は第二の樹脂15の4方向の側面に被覆した反射率の高いAgやAlなどの金属のメッキ層である反射部である。なお、蛍光物質及び着色剤等の混入のさせ方は第一の実施の形態で説明したものと同様である。
【0022】
次に、本実施の形態のLEDの製造方法を図面を用いて説明する。この方法はチップタイプのLEDを多数個同時に加工する集合基板方式の製造方法であり、まず、図6(a)から(e)までの前半の工程は基本的に第一の実施の形態で図2(a)から(e)を用いて説明したものと同様であるから説明を省略する。
【0023】
次に、図7(f)に示すように、第二の樹脂15である蛍光物質、の入ったシリコーン樹脂で第一の樹脂14を被覆する。次に、図7(g)に示すように、基板11全体を反転させ、LED素子13の間の第二の樹脂15をV字形の刃先を有したカッターを用いてハーフダイシングし、切り落とす寸前まで切り込む。次に、図7(h)に示すように、基板11全体を反転し、基板11が下方に位置するように元に戻して(戻さなくても可)第二の樹脂15の上面及び基板11の下面側にメッキレジストを印刷塗布する。次に、図7(i)に示すように、基板11及び第二の樹脂15の側面にメッキ処理を施し反射部16を形成する。次に、図7(j)に示すように、メッキレジストを除去した後、チップ部品に分割するためのフルダイシングを施して、図5のLED20が完成する。
【0024】
本実施の形態では、第二の樹脂15の側面が光の出射面側に開いて傾斜しているために、LED素子13から出射された光を必要な方向である上方へ反射させて光取り出し効率(輝度)を一層向上させる。また、第一の実施の形態の場合と同様に、着色剤を混入させることにより、所望の発光色が得られる。本実施の形態の第一の樹脂14の一部に第二の実施形態と同様なレンズ形状部を形成して輝度向上の効果をあげることもできる。なお、以上各々の実施の形態において、メッキレジストの代わりに、フィルムやシート類を貼着、剥離して代用しても良い。また、LEDについては、もっぱらチップタイプとして設明してきたが、本発明は、チップタイプ、SMDタイプに限定されず、有効なものである。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、LED素子を封止した第一の樹脂の外側を第二の樹脂で覆うと共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させ、前記第二の樹脂の側面には反射部を形成したので、白色を含めLEDの発光色を所望の色に変化させることができ、かつ輝度も向上させることができた。
【0026】
LEDから放射される波長を蛍光物質によって励起させて発光色を変化させるため、単一のLEDで安定した色調バランスを得ることができる。
【0027】
簡単な製法で大量生産ができるので、安価でしかも信頼性が高く、薄型化小型化にも対応できるLEDの製造方法が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態であるLEDの斜視図である。
【図2】本発明の第一の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の第一の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の第二の実施の形態であるLEDの断面図である。
【図5】本発明の第三の実施の形態であるLEDの斜視図である。
【図6】本発明の第三の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【図7】本発明の第三の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
1、11 基板
2、12 電極
3、13 LED素子
4、14 第一の樹脂
4a レンズ形状部
5、15 第二の樹脂
6、16 反射部
10、20 発光ダイオード
Claims (1)
- 外部接続端子を有する基板上に発光素子を実装して第一の樹脂で封止した外側を第二の樹脂で覆った発光ダイオードを製造する方法において、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基板上に発光素子を実装し前記第一の樹脂で封止する工程と、ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第一の樹脂を個々に分割し、前記第一の樹脂全体を包み込むように前記第二の樹脂を被覆する工程と、V字形ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第二の樹脂を個々に分割した後の前記第二の樹脂の側面の前記V字形ハーフダイシング切断面にメッキによる反射部を形成する工程と、フルダイシングにより前記集合基板を個々の発光ダイオードに分割する工程とを有すると共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176355A JP4789350B2 (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 発光ダイオードの製造方法 |
| US10/164,557 US6707247B2 (en) | 2001-06-11 | 2002-06-10 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176355A JP4789350B2 (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 発光ダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002368286A JP2002368286A (ja) | 2002-12-20 |
| JP4789350B2 true JP4789350B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=19017357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001176355A Expired - Fee Related JP4789350B2 (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6707247B2 (ja) |
| JP (1) | JP4789350B2 (ja) |
| CN (1) | CN1201411C (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080507 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110427 |
|
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