JP3910171B2 - 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 - Google Patents

半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 Download PDF

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Description

この発明は、一般的には、半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置に関し、より特定的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を用いた半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置に関する。
図１６は、従来の半導体発光装置の代表的な構造を示す断面図である。図１６を参照して、半導体発光装置は、主表面１０１ａを有するリードフレーム１０１を備える。リードフレーム１０１は、所定のパターン形状に形成されており、主表面１０１ａにはスリット状の溝１０１ｍが形成されている。リードフレーム１０１が折り曲げられることによって、主表面１０１ａと離れた位置に端子部１０１ｎが形成されている。端子部１０１ｎは、半導体発光装置を実装する基板などに接続される。
リードフレーム１０１の周囲にはインサート成型などによって樹脂部１０３が設けられている。樹脂部１０３は、主表面１０１ａ上において凹部１０３ｍを規定している。凹部１０３ｍの内部に位置するように、主表面１０１ａ上には、銀（Ａｇ）ペースト１０７を介してＬＥＤチップ１０４が搭載されている。ＬＥＤチップ１０４の頂面側に形成された電極とリードフレーム１０１の主表面１０１ａとが、ボンディングワイヤ１０５によって接続されている。
主表面１０１ａ上には、ＬＥＤチップ１０４およびボンディングワイヤ１０５を覆い、凹部１０３ｍの内部を完全に充填するようにエポキシ樹脂１０６が設けられている。
続いて、図１６中の半導体発光装置の製造方法について説明する。まず、板状のリードフレーム１０１を所定のパターン形状に加工する。銀（Ａｇ）めっきを施した状態でリードフレーム１０１を樹脂部１０３内にインサート成型する。その後、主表面１０１ａ上に銀ペースト１０７を介してＬＥＤチップ１０４を搭載する。ＬＥＤチップ１０４と主表面１０１ａとをボンディングワイヤ１０５によって電気的に接続する。
ＬＥＤチップ１０４およびボンディングワイヤ１０５をエポキシ樹脂１０６によって封止する。この際、リードフレーム１０１に銀めっきが施された状態では、錆などが発生し、はんだ付けが阻害されるおそれがある。このため、リードフレーム１０１に、はんだめっきなどの外装めっきを施しておく。最後に、リードフレーム１０１の不要部分をカットし、所定の折り曲げ加工を行なうことによって、端子部１０１ｎを形成する。
また、従来の半導体発光装置については、たとえば、特開平７−２３５６９６号公報（特許文献１）および特開２００２−１４１５５８号公報（特許文献２）などに開示されている。
特開平７−２３５６９６号公報 特開２００２−１４１５５８号公報
半導体発光装置の高輝度化を図るにあたって、図１６中の半導体発光装置では以下に説明する問題が生じた。
樹脂部１０３は、所定のパターン形状に形成されたリードフレーム１０１の形状を固定する役割のほかに、ＬＥＤチップ１０４から発せられる光を凹部１０３ｍの側壁で反射することによって光の指向性を制御するという役割も果たしている。しかし、ＬＥＤチップ１０４から発せられた光の進行方向は、エポキシ樹脂１０６の頂面側から出射する際に屈折によって変化する。このため、従来技術では、光の指向性を十分に制御することができず、さらには半導体発光装置の高輝度化を図ることができなかった。
また、半導体発光装置が実装される基板とリードフレーム１０１とが意図しない箇所において接触し、短絡が発生することを防止するため、リードフレーム１０１を折り曲げることによって端子部１０１ｎを形成している。しかし、半導体発光装置の製品高さには制限があるため、このような折り曲げ構造を有するリードフレーム１０１によっては、樹脂部１０３の高さを十分に確保することができない。このことも、従来技術において半導体発光装置の高輝度化を図ることができない一因となっていた。
また、半導体発光装置の高放熱化を図るにあたって、図１６中の半導体発光装置では以下に説明する問題が生じた。
まず、半導体発光装置の高放熱化を図る必要性について簡単に説明する。搭載されているＬＥＤチップ１０４が発光する際に熱が発生するが、ＬＥＤチップ１０４に流れる電流が大きくなるほど発熱量は大きくなる。また、一般的には、ＬＥＤチップ１０４の温度が高くなるに従って、ＬＥＤチップ１０４の発光効率が低下し、また光劣化が著しくなる。すなわち、ＬＥＤチップ１０４に大きい電流を流しても、効果的に明るい光を取り出せなくなり、さらにはＬＥＤチップ１０４の寿命を短くしてしまう。以上のような理由から、ＬＥＤチップ１０４から発生する熱を効果的に外部へ逃がすことが必要となる。
そこで、半導体発光装置の高放熱化を図るためには、次に示すような方法が考えられる。
（ａ）リードフレーム１０１の厚みを大きくする。
（ｂ）ＬＥＤチップ１０４から端子部１０１ｎまでの距離を小さくする。
（ｃ）リードフレーム１０１を形成する材料として、高熱伝導性の材料を使用する。
しかし、従来技術では、半導体発光装置を製造する工程において、リードフレーム１０１に折り曲げ加工を行なう必要がある。所定の折り曲げ加工を行なうために、リードフレーム１０１の厚みを一定以上に大きくすることができない。
また、金型で板材を打ち抜くことによって、リードフレーム１０１を所定のパターン形状に形成している。しかし、リードフレーム１０１の厚みを大きくした場合、板材を打ち抜く際に使用する金型の強度を確保するために、金型の厚みを大きくしなければならない。このため、金型によって打ち抜かれる部分、つまりスリット状の溝１０１ｍが形成される幅が広くなる。この場合、主表面１ａ上においてボンディングするための領域を十分に確保できなかったり、リードフレーム１０１の表面積が小さくなることによって放熱性が逆に低下するといった問題が発生する。このような理由から、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の（ａ）に示す方法を採ることができなかった。
また、主表面１０１ａから折り曲げられた位置に端子部１０１ｎが形成されたリードフレーム１０１の構造上、主表面１０１ａに搭載されたＬＥＤチップ１０４から端子部１０１ｎまでの距離を一定以上に小さくすることはできない。したがって、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の（ｂ）に示す方法も採ることができなかった。
さらに、リードフレーム１０１の同様の構造上の理由から、リードフレーム１０１を形成する材料として、折り曲げ加工性に優れた材料を選択しなければならない。このため、単純に高熱伝導性の材料を使用することができず、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の（ｃ）に示す方法も採ることができなかった。
そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置を提供することである。
この発明に従った半導体発光装置は、第１の領域と、第１の領域の周縁に沿って延在する第２の領域とが規定された主表面を有するリードフレームと、第１の領域に設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子を完全に覆うように第１の領域に設けられた第１の樹脂部材と、半導体発光素子を囲むように第２の領域に設けられた第２の樹脂部材と、金属線とを備える。第１の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光を透過する材料から形成されている。第２の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光を反射する材料から形成されている。金属線は、半導体発光素子の頂面に設けられた電極と、半導体発光素子から離間する主表面とを接続する。第１の樹脂部材は、第１の頂面を含む。第２の樹脂部材は、主表面からの距離が主表面から第１の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第２の頂面と、半導体発光素子が位置する側において主表面から離隔する方向に延在し、第２の頂面に連なる内壁とを含む。内壁は、主表面からの距離が主表面から第１の頂面までの距離よりも大きい位置において、第１の頂面から出射した光を所定の方向に反射させる。赤、青および緑でそれぞれ発光する３つの半導体発光素子と、半導体発光素子が１つずつ設けられ、互いに離間する３つの前記リードフレームとが設けられている。リードフレームの各々は互いに異なる方向に延在する。青および緑でそれぞれ発光する半導体発光素子が設けられたリードフレームの主表面の面積は、赤で発光する半導体発光素子が設けられたリードフレームの主表面の面積よりも大きい。
このように構成された半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発せられた光は、相対的に小さい反射率を有する第１の樹脂部材を透過し、第１の樹脂部材の第１の頂面から外部へと出射する。本発明では、第２の樹脂部材は、第１の頂面よりも高い位置に設けられた第２の頂面を有するため、第１の頂面上においても第２の樹脂部材の内壁が存在する。このため、第１の頂面から出射した光を相対的に大きい反射率を有する第２の樹脂部材の内壁によって反射させることができる。これにより、光の指向性を適切に制御することができ、さらには半導体発光装置から高輝度な光を取り出すことができる。また、第２の頂面よりも低い位置に第１の頂面を設けているため、半導体発光素子から発せられた光が第１の樹脂部材を透過する際に減衰することを抑制できる。このため、半導体発光装置からさらに高輝度な光を取り出すことができる。
また、光を発することによって半導体発光素子に発生した熱はリードフレームへと伝わる。しかし、リードフレームの各々は異なる方向に延在しているため、熱が伝わる方向を分散することができる。これにより、半導体発光素子に発生する熱をリードフレームから効率良く放出することができる。
また、青および緑で発光する半導体発光素子と赤で発光する半導体発光素子とを比較した場合、青および緑で発光する半導体発光素子の方が発熱量が大きい。したがって、このように構成された半導体発光装置によれば、異なる色で発光する半導体発光素子から生じた熱を、リードフレームを介して均等に放熱することができる。
また好ましくは、第１の樹脂部材は、金属線を完全に覆うように設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、第１の樹脂部材は、半導体発光素子の配線として設けられた金属線を保護するとともに上述の効果を発揮する。
また好ましくは、金属線は、半導体発光素子に接続される一方端と、主表面に接続される他方端とを有する。一方端は、線状に形成されており、他方端は、ボール状に形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、金属線を所定の位置に接続する際に、リードフレームの主表面と金属線の他方端とをボールボンディングし、半導体発光素子と金属線の一方端とをウェッジボンディングする。これにより、金属線の一方端は低ループな形態で半導体発光素子に接続される。このため、第２の頂面に対してさらに低い位置に第１の頂面を設けることができる。
また好ましくは、金属線は、半導体発光素子に接続される一方端と、主表面に接続される他方端とを有する。一方端には、半導体発光素子との間で金属線を挟持するボール状の金属が設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、金属線の一方端を半導体発光素子により確実に接続することができる。これにより、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。
また好ましくは、リードフレームは、スリット状の溝によって離間した部分を含む。その部分は他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、スリット状の溝の幅を小さくして離間した部分の加工を行なうことができる。これにより、その他の部分を相対的に大きい厚みで形成することができるため、リードフレームによる放熱の効率を向上させることができる。
また好ましくは、リードフレームは、同一平面上に延在する板形状に形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、リードフレームの高さを低く抑えることによって、主表面から第２の頂面までの距離を大きくして第２の樹脂部材を設けることができる。これにより、半導体発光素子から発せられる光の指向性をさらに制御しやすくできる。また、リードフレームの折り曲げ加工性を考慮せずにリードフレームを形成する材料を選択することができる。このため、熱伝導性に優れた材料からリードフレームを形成して、リードフレームによる放熱の効果を向上させることができる。
また好ましくは、リードフレームは、主表面と反対側の面に形成され、かつ樹脂が充填される第１の凹部を含む。反対側の面には、第１の凹部の両側に位置して実装基板に電気的に接続される端子部が設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、実装基板がリードフレームの予定しない箇所に接触することによって発生する短絡を防止できる。これにより、端子部によって行なうリードフレームと実装基板との電気的な接続を適切に行なうことができる。
また好ましくは、リードフレームは、第１の領域に形成された第２の凹部を含む。半導体発光素子は第２の凹部に設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発せられた光は、第２の凹部を規定するリードフレームの側壁によっても反射される。このため、半導体発光素子から発せられる光の指向性をさらに制御しやすくできる。
また好ましくは、リードフレームは、熱伝導率が３００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下の金属によって形成されている。リードフレームを形成する金属の熱伝導率が３００（Ｗ／ｍ・Ｋ）よりも小さい場合、リードフレームによる放熱の効果を十分に図ることができない。また、リードフレームを形成する金属の熱伝導率が４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）よりも大きい場合、リードフレームを実装する際に発生する熱が半導体発光素子に伝わることによって、半導体発光素子の信頼性が低下するおそれが生じる。したがって、所定の熱伝導率を有する金属によってリードフレームが形成された本半導体発光装置によれば、半導体発光素子の信頼性を低下させることなく、リードフレームによる放熱を十分に図ることができる。
また好ましくは、第２の樹脂部材は、主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状の面積が、主表面から離れるに従って大きくなるように形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、光を効率良く前面に出射させることができる。これにより、半導体発光素子から発せられた光を高輝度で取り出すことができる。
また好ましくは、主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。このように構成された半導体発光装置によれば、光を効率良く前面に出射させることができるのに加えて、光の指向性を容易に制御することができる。
また好ましくは、リードフレームは、主表面の周縁から突出して所定の方向に延びるリード端子を含む。リード端子は、所定の方向に延びる先端に端面が形成された先端部と、主表面の周縁と先端部との間に位置する基部とを有する。リード端子は、端面の面積が、端面に平行な平面における基部の断面積よりも小さくなるように形成されている。先端部に形成された端面は、所定の切断用工具によって形成された切断面である。
この発明に従った半導体発光装置に製造方法は、複数の半導体発光装置が形成されたリードフレーム基材を準備する工程と、リードフレーム基材を先端部で切断することによって、リードフレーム基材から複数の半導体発光装置を切り出す工程とを備える。
このように構成された半導体発光装置およびその製造方法によれば、リード端子の先端部に形成された端面は、リードフレーム基材から半導体発光装置を切り出す際の切断面から形成されている。このため、端面ではリードフレームの母材である金属が露出しており、酸化等の影響によって、はんだに対する濡れ性が劣った状態となっている。本発明では、その端面の面積が相対的に小さくなるようにリード端子が形成されているため、半導体発光装置の実装時にリード端子とはんだとの濡れ性を確保することができる。また、リードフレーム基材から半導体発光装置を切り出す工程時、より小さい力で先端部を切断することができるため、半導体発光装置の製造工程を容易にできる。
また好ましくは、リード端子は、基部で第１の幅を有し、先端部で第１の幅よりも小さい第２の幅を有する。ここで第１および第２の幅とは、主表面に平行な平面上において、リード端子が延びる所定の方向に対して直角方向の長さをさす。このように構成された半導体発光装置によれば、先端部に形成された端面の面積が基部の断面積よりも小さくなる形状を実現し、上述の効果を得ることができる。また、先端部と基部との間に形成された段差をはんだ溜まりとして利用することができる。このため、半導体発光装置の実装時に、さらに良好なはんだ付けを行なうことができる。
この発明に従った電子撮像装置は、上述のいずれかに記載の半導体発光装置を備える。半導体発光装置から５０ｃｍ隔てた位置に、縦６０ｃｍ、横５０ｃｍの大きさを有する矩形形状の基準面を設けた場合に、半導体発光装置から基準面の中心に向けて光が照射された時、基準面の四隅における照度は、基準面の中心における照度の５０％以上である。このように構成された電子撮像装置によれば、半導体発光素子から発せられる光の指向性を適切に制御することによって、基準面上において明るさに大差のない所望の撮像条件を実現する。
以上説明したように、この発明に従えば、放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置を提供することができる。
この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１における半導体発光装置を示す断面図である。図１を参照して、半導体発光装置は、所定のパターン形状に形成され、主表面１ａを有するリードフレーム１と、主表面１ａ上に設けられたＬＥＤチップ４と、ＬＥＤチップ４を覆うように主表面１ａ上に設けられたエポキシ樹脂６と、エポキシ樹脂６の周囲に設けられた樹脂部３とを備える。
リードフレーム１は、同一平面上において延在する板形状を有する。リードフレーム１には、所定のパターンニング加工を行なうことによって、主表面１ａから主表面１ａと反対側の面１ｂにまで達するスリット状の溝１ｍが形成されている。
リードフレーム１の反対側の面１ｂには、スリット状の溝１ｍに連なる溝１５が形成されている。これにより、リードフレーム１においてスリット状の溝１ｍが形成された部分１ｔは、他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。
図２は、図１中の半導体発光装置を示す平面図である。図２では、リードフレーム１に形成されている一部の構造物が省略されている。図１および図２を参照して、主表面１ａには、２点鎖線で描かれた円１３の内部に位置する領域１０と、円１３の外部に位置し、領域１０の周縁に沿って延在する領域２０とが規定されている。円１３の中心を通るように溝１ｍが形成されており、スリット状の溝１ｍによってリードフレーム１が離間している。
ＬＥＤチップ４は、主表面１ａの領域１０に位置して設けられている。ＬＥＤチップ４は、銀（Ａｇ）ペースト７を介して設けられている。ＬＥＤチップ４の頂面に設けられた図示しない電極と、領域１０に位置し、ＬＥＤチップ４が設けられた主表面１ａとはスリット状の溝１ｍによって離間している主表面１ａとが、金線５によって接続されている。つまり、ＬＥＤチップ４は、銀ペースト７および金線５によって主表面１ａに機械的および電気的に接続されている。
ＬＥＤチップ４の電極に接続された金線５の一方端５ｐは、ボール状に形成されており、主表面１ａに接続された金線５の他方端５ｑは、線状に形成されている。つまり、金線５を所定の位置に接続する際のワイヤボンディングは、まず金線５の一方端５ｐをＬＥＤチップ４の電極にボールボンディングし、続いて金線５の他方端５ｑを主表面１ａにウェッジボンディングすることによって行なわれている。
ＬＥＤチップ４から光が発せられると熱が発生する。この熱はリードフレーム１に伝わり、リードフレーム１から外部に放熱される。本実施の形態では、リードフレーム１の部分１ｔを小さい厚みで形成することによって、スリット状の溝１ｍを、溝幅を小さくして加工することができる。このため、リードフレーム１の他の部分の厚みを大きくすることによって、リードフレーム１による放熱を効率良く行なうことができる。
また、リードフレーム１から効率良く放熱を行うため、リードフレーム１は、熱伝導率が３００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下の金属によって形成されている。リードフレーム１を形成する金属の熱伝導率が３００（Ｗ／ｍ・Ｋ）よりも小さい場合、リードフレーム１による放熱の効果を十分に図ることができない。また、リードフレーム１を形成する金属の熱伝導率が４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）よりも大きい場合、リードフレーム１を実装する際に発生する熱がＬＥＤチップ４に伝わることによって、ＬＥＤチップ４の信頼性が低下するおそれが生じる。
具体的には、主成分である銅（Ｃｕ）に対して、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）または銀（Ａｇ）などの金属を適宜混ぜた合金によってリードフレーム１が形成されている。この場合、銅に加える金属の量を小さくするほど、リードフレーム１を形成する合金の熱伝導率を高くすることができる。
また、本実施の形態では、リードフレーム１が折り曲げのない構造で形成されているため、リードフレーム１を形成する材料を選択する際に、その材料の折り曲げ加工性を考慮する必要がない。このため、幅広い種類の材料からリードフレーム１を形成するための材料を選択することができる。また、リードフレーム１は折り曲げのない構造で形成されているため、折り曲げ時に発生する割れおよびクラックなどを懸念する必要がない。
リードフレーム１が、樹脂にインサート成型されることによって、主表面１ａ上には、領域２０に位置する樹脂部３が設けられている。また、樹脂がリードフレーム１の反対側の面１ｂにまで回り込んで樹脂部８を形成している。樹脂部８は、スリット状の溝１ｍおよび溝１５を充填するように設けられている。樹脂部３および８は、所定のパターン形状に形成されたリードフレーム１の形状を保持する役割を果たしている。特に、本実施の形態では、樹脂部８がリードフレーム１の反対側の面１ｂを広く覆っているため、リードフレーム１と樹脂部８との接着強度を増大させることができる。これにより、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。樹脂部８の両側に位置するリードフレーム１の反対側の面１ｂには、半導体発光装置を実装基板に接続するための端子部９が設けられている。
樹脂部８の両側に位置する端子部９は、絶縁体である樹脂部８によって隔てられている。このため、端子部９を実装基板にはんだ付けする場合に、たとえば、アノード・カソード間、または複数のＬＥＤチップ間などにおいて短絡が発生することを防止できる。
樹脂部３は、主表面１ａにほぼ平行な平面上に延在する頂面３ａと、ＬＥＤチップ４が設けられた主表面１ａの領域１０を囲み、主表面１ａから離隔する方向に延在する内壁３ｂとを有する。内壁３ｂは、主表面１ａと頂面３ａとに連なっている。樹脂部３の内壁３ｂは、ＬＥＤチップ４から発せられた光を反射するための反射面として機能する。
樹脂部３および８は、ＬＥＤチップ４から発せられた光を樹脂部３で効率良く反射するために、反射率が高い白色の樹脂から形成されている。また、製造時におけるリフロー工程を考慮して、樹脂部３および８は、耐熱性に優れた樹脂から形成されている。具体的には、上述の両方の条件を満たす液晶ポリマーまたはポリアミド系樹脂などが使用されている。なお、これ以外の樹脂およびセラミックなどについても、樹脂部３および８を形成する材料として使用することができる。また、ＬＥＤチップ４から発せられた光をさらに効率良く反射させるために、内壁３ｂの表面にめっきを施しても良い。
樹脂部３の内壁３ｂと主表面１ａとによって形成された凹部には、ＬＥＤチップ４および金線５が位置している。その凹部には、ＬＥＤチップ４および金線５を覆うようにエポキシ樹脂６が設けられている。エポキシ樹脂６は、外部からの物理的または電気的な接触に対して、ＬＥＤチップ４および金線５を保護する役割を果たしている。エポキシ樹脂６は、内壁３ｂから中心部にかけてやや凹んだ形状の頂面６ａを有する。エポキシ樹脂６は、主表面１ａから頂面６ａまでの距離が、主表面１ａから樹脂部３の頂面３ａまでの距離よりも小さくなるように形成されている。このため、エポキシ樹脂６の頂面６ａ上においても頂面３ａに向かう方向に内壁３ｂが延在している。
エポキシ樹脂６は、ＬＥＤチップ４から発せられる光に対して、樹脂部３が有する反射率よりも小さい反射率を有する材料で形成されている。具体的には、ポッティング方式で注型された透明または乳白色の樹脂が使用されている。なお、ポッティング方式以外にも、トランスファー成型またはインジェクション成型などによっても、エポキシ樹脂６を設けることが可能である。この場合は、エポキシ樹脂６を任意の形状（たとえばレンズ形状）に形成することができる。
図３は、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線上に沿った断面図である。図１および図３を参照して、主表面１ａに平行な平面上において内壁３ｂによって規定される形状２５が円形となっている。樹脂部３は、その内壁３ｂによって規定される形状２５の面積が、主表面１ａから離れるに従って大きくなるように形成されている。つまり、内壁３ｂは、頂点が下方に位置する円錐を想定した場合に、その円錐の底面から頂点に向かって延在する円錐の側壁の形状を有する。
図４は、樹脂部の内壁によって光が反射される様子を模式的に表わした断面図である。図４を参照して、主表面１ａ上に光源２２が設けられている場合を想定すると、光源２２から発せられた光は放射状に進行する。半導体発光装置では、この光源２２から発せられる光の指向性を適切に制御し、さらには、所定の方向に高輝度な光を取り出すことが重要となる。樹脂部３は、内壁３ｂによって規定される形状の面積が主表面１ａから離れるに従って大きくなるように形成されているため、光源から主表面１ａに近い方向に進行する光を内壁３ｂによって所定の方向に反射させることができる。これにより、光源から発せられた光を、半導体発光装置の前面、つまり矢印２３に示す方向に取り出すことができる。また、主表面１ａに平行な平面上において内壁３ｂによって規定される形状が円形となっているため、内壁３ｂの傾きを調整することによって光の指向性を容易に制御することができる。
本実施の形態では、図１を参照して、ＬＥＤチップ４から発せられた光は、内壁３ｂによって所定の方向に反射され、エポキシ樹脂６を透過して頂面６ａから外部へと出射する。この際、頂面６ａにおいて屈折が生じることによって光の進行する方向が変化する。しかし、頂面６ａ上においても反射面として機能する内壁３ｂが存在するため、光を再び内壁３ｂに反射させて半導体発光装置の前面へと出射させることができる。
図５および図６は、内壁によって規定される形状の変形例を示す断面図である。図５および図６は、図３に示す断面に相当する断面図である。
図５を参照して、主表面１ａに平行な平面上において内壁３ｂによって規定される形状２６が楕円となるように樹脂部３を形成してもよい。図６を参照して、主表面１ａに平行な平面上において内壁３ｂによって規定される形状２７が長方形となるように樹脂部３を形成してもよい。これらの場合、半導体発光装置から発せられる光の発光面積を大きくとることができる。このように半導体発光装置が搭載される電子機器などの使用目的にあわせて、樹脂部３を設ける形態を適宜変更すれば良い。
この発明の実施の形態１に従った半導体発光装置は、第１の領域としての領域１０と、領域１０の周縁に沿って延在する第２の領域としての領域２０とが規定された主表面１ａを有するリードフレーム１と、領域１０に設けられた半導体発光素子としてのＬＥＤチップ４と、ＬＥＤチップ４を完全に覆うように領域１０に設けられた第１の樹脂部材としてのエポキシ樹脂６と、ＬＥＤチップ４を囲むように領域２０に設けられた第２の樹脂部材としての樹脂部３とを備える。
エポキシ樹脂６は、ＬＥＤチップ４から発せられた光に対して第１の反射率を有する。樹脂部３は、ＬＥＤチップ４から発せられた光に対して第１の反射率よりも大きい第２の反射率を有する。エポキシ樹脂６は、第１の頂面としての頂面６ａを含む。樹脂部３は、主表面１ａからの距離が主表面１ａから頂面６ａまでの距離よりも大きい位置に設けられた第２の頂面としての頂面３ａと、ＬＥＤチップ４が位置する側において主表面１ａから離隔する方向に延在し、頂面３ａに連なる内壁３ｂとを含む。
半導体発光装置は、ＬＥＤチップ４に接続される一方端５ｐと、主表面１ａに接続される他方端５ｑとを有する金属線としての金線５をさらに備える。エポキシ樹脂６は、金線５を完全に覆うように設けられている。
リードフレーム１は、スリット状の溝１ｍによって離間した部分１ｔを含む。部分１ｔは他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。
リードフレーム１は、同一平面上に延在する板形状に形成されている。リードフレーム１は、主表面１ａと反対側の面１ｂに形成され、かつ樹脂としての樹脂部８が充填される第１の凹部としての溝１５を含む。反対側の面１ｂには、溝１５の両側に位置して実装基板に電気的に接続される端子部９が設けられている。
樹脂部３は、主表面１ａに平行な面上において内壁３ｂによって規定される形状の面積が、主表面１ａから離れるに従って大きくなるように形成されている。主表面１ａに平行な面上において内壁３ｂによって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。
このように構成された半導体発光装置によれば、頂面６ａ上においてもＬＥＤチップ４から発せられる光を反射させるための内壁３ｂが延在している。また、相対的に低い位置にエポキシ樹脂６の頂面６ａが設けられているため、光がエポキシ樹脂６を透過する際に減衰することを抑制できる。さらに、板状に形成されることによってリードフレーム１の高さが低く抑えられているため、樹脂部３の高さを高くすることができる。これにより、ＬＥＤチップ４から発せられる光を反射させるための内壁３ｂをより高い位置まで延在させることができる。以上の理由から、ＬＥＤチップ４から発せられる光の指向性を適切に制御して、半導体発光装置から高輝度な光を取り出すことができる。
（実施の形態２）
図７は、この発明の実施の形態２における半導体発光装置を示す断面図である。図７を参照して、実施の形態２における半導体発光装置は、実施の形態１における半導体発光装置と比較して、リードフレーム１の形状が異なる。以下において、重複する構造の説明は省略する。
リードフレーム１の主表面１ａには、領域１０（図２を参照のこと）に位置して凹部３０が形成されている。凹部３０の底面には、ＬＥＤチップ４が銀ペースト７を介して設けられている。また、凹部３０の底面には、ＬＥＤチップ４の頂面から延びる金線５の他方端５ｑが接続されている。凹部３０の側壁は、主表面１ａ上における凹部３０の開口面積が凹部３０の底面の面積よりも大きくなるように傾いて形成されている。
エポキシ樹脂６は、ＬＥＤチップ４および金線５を覆うように設けられている。但し、ＬＥＤチップ４が相対的に低い位置に設けられているため、エポキシ樹脂６の頂面６ａは実施の形態１と比較して低い位置に形成されている。
この発明の実施の形態２に従った半導体発光装置では、リードフレーム１は、領域１０に形成された第２の凹部としての凹部３０を含む。ＬＥＤチップ４は凹部３０に設けられている。
このように構成された半導体発光装置によれば、実施の形態１に記載の効果と同様の効果を奏することができる。さらに、凹部３０の側壁は、ＬＥＤチップ４から発せられた光を反射する反射面としての役割を果たす。また、凹部３０の底面にＬＥＤチップ４を設けることによって、樹脂部３の高さを変えずに、頂面６ａ上から頂面３ａまで延在する内壁３ｂの距離を大きくすることができる。以上の理由から、ＬＥＤチップ４から発せられる光の指向性をさらに容易に制御することができる。
（実施の形態３）
図８は、この発明の実施の形態３における半導体発光装置を示す断面図である。図８を参照して、実施の形態３における半導体発光装置は、実施の形態１における半導体発光装置と比較して、金線５を主表面１ａおよびＬＥＤチップ４の頂面にワイヤボンディングする形態が異なる。以下において、重複する構造の説明は省略する。
ＬＥＤチップ４の電極に接続された金線５の一方端５ｐは、線状に形成されており、主表面１ａに接続された金線５の他方端５ｑは、ボール状に形成されている。つまり、金線５を所定の位置に接続する際のワイヤボンディングは、まず金線５の他方端５ｑを主表面１ａにボールボンディングし、続いて金線５の一方端５ｐをＬＥＤチップ４の電極にウェッジボンディングすることによって行なわれている。これにより、ＬＥＤチップ４の頂面側において形成される金線５のループ形状を小さくすることができる。
エポキシ樹脂６は、ＬＥＤチップ４および金線５を覆うように設けられている。但し、金線５のループ形状が小さく形成されているため、エポキシ樹脂６の頂面６ａは実施の形態１と比較して低い位置に形成されている。
なお、本実施の形態では、ウェッジボンディングされた金線５の一方端５ｐとＬＥＤチップ４の電極との接続の強度が若干弱くなる。このため、必要とされる信頼性（耐リフロー性または耐温度サイクル性など）を満たさないおそれがある。この場合、ウェッジボンディングされた金線５の一方端５ｐの上からさらに金属をボールボンディングすることによって接続を補強することができる。このボールボンディングは、既にボールボンディングされている金線５の他方端５ｑの上から行なっても良い。
この発明の実施の形態３に従った半導体発光装置では、一方端５ｐは、線状に形成されており、他方端５ｑは、ボール状に形成されている。一方端５ｐには、ＬＥＤチップ４との間で金線５を挟持するボール状の金属が設けられている。
このように構成された半導体発光装置によれば、実施の形態１に記載の効果と同様の効果を奏することができる。さらに、金線５の一方端５ｐをＬＥＤチップ４の電極にウェッジボンディングすることによって、樹脂部３の高さを変えずに、頂面６ａ上から頂面３ａまで延在する内壁３ｂの距離を大きくすることができる。これにより、ＬＥＤチップ４から発せられる光の指向性をさらに容易に制御することができる。
（実施の形態４）
図９は、この発明の実施の形態４における半導体発光装置を示す平面図である。図９を参照して、実施の形態４における半導体発光装置では、実施の形態１から３のいずれかに記載の形態で、リードフレーム５１、５２および５３の主表面上にＬＥＤチップ７１、７２および７３がそれぞれ搭載されている。
ＬＥＤチップ７１、７２および７３は、それぞれ緑、赤および青で発光するＬＥＤチップである。ＬＥＤチップ７１、７２および７３は、略三角形の各頂点に位置するように互いに近接して設けられている。ＬＥＤチップ７１、７２および７３が設けられたリードフレーム５１、５２および５３の部分は、スリット状の溝によって離間している。このように発光色の異なるＬＥＤチップを近接して配置することによって、フルカラーの半導体発光装置を形成している。
リードフレーム５１、５２および５３は、ＬＥＤチップ７１、７２および７３がそれぞれ設けられた部分から異なる方向（矢印４１、４２および４３に示す方向）に向かって延在している。リードフレーム５１、５２および５３は、リードフレーム５１および５３の主表面の面積が、リードフレーム５２の主表面の面積よりも大きくなるように形成されている。
リードフレーム５１および５２の間にはリードフレーム８１が、リードフレーム５２および５３の間にはリードフレーム８３が、リードフレーム５３および５１の間にはリードフレーム８２が設けられている。リードフレーム８１とＬＥＤチップ７１とが金線６１によって電気的に接続されている。リードフレーム８３とＬＥＤチップ７３とが金線６３によって電気的に接続されている。リードフレーム８２とＬＥＤチップ７２とが金線６２によって電気的に接続されている。
この発明の実施の形態４に従った半導体発光装置は、赤、青および緑でそれぞれ発光する３つの半導体発光素子としてのＬＥＤチップ７１、７２および７３と、ＬＥＤチップ７１、７２および７３が１つずつ設けられ、互いに離間する３つのリードフレーム５１、５２および５３とを備える。リードフレーム５１、５２および５３の各々は、互いに異なる方向に延在している。
青および緑でそれぞれ発光するＬＥＤチップ７１および７３が設けられたリードフレーム５１および５３の主表面の面積は、赤で発光するＬＥＤチップ７２が設けられたリードフレーム５２の主表面の面積よりも大きい。
このように構成された半導体発光装置によれば、フルカラーの半導体発光装置においても実施の形態１から３に記載の効果を奏することができる。特に、実施の形態１において説明したように、スリット状の溝が形成されているリードフレーム５１、５２および５３の部分の厚みを小さくすることによって、溝幅を小さくしてスリット状の溝を加工することができる。これにより、ＬＥＤチップ７１、７２および７３をより近接させて配置することができるため、半導体発光装置の混色性を向上させることができる。
また、リードフレーム５１、５２および５３は、互いに異なる方向に向かって延在している。このため、ＬＥＤチップ７１、７２および７３において発生した熱を分散して効率良く放熱することができる。さらに、緑および青で発光するＬＥＤチップ７１および７３の発熱量が大きいことを考慮して、ＬＥＤチップ７１および７３を搭載するリードフレーム５１および５３の主表面の面積を、赤で発光するＬＥＤチップ７２を搭載するリードフレーム５２の主表面の面積よりも大きくしている。これにより、ＬＥＤチップ７１、７２および７３において発生した熱をリードフレーム５１、５２および５３を介して均等に放熱することができる。
ＬＥＤチップを複数設けるフルカラーの半導体発光装置の場合、ＬＥＤチップからの発熱量も大きくなるため、特に本発明を有効に利用することができる。また、本発明によれば、内壁３ｂを設ける形状によって光の指向角を容易に狭めることができる。これにより、フルカラーの半導体発光装置においても、混色性を損なうことなく、取り出す光の輝度を高くすることができる。なお、レンズを取り付けることによって光の指向角を調整する手法も考えられるが、混色性を満たすことは非常に困難である。また、半導体発光装置の製品高さが高くなるという問題も発生する。
（実施の形態５）
図１０は、この発明の実施の形態５におけるカメラ付き携帯電話を示す透視図である。図１０を参照して、カメラ付き携帯電話８４は、実施の形態４において説明した半導体発光装置である半導体発光装置８６を備える。
筐体８５の前面には、液晶画面９０と、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）素子用窓８９と、発光素子用窓８７とが形成されている。筐体８５の内部には、実装基板９２が設けられている。実装基板９２上には、液晶画面９０、ＣＣＤ素子用窓８９および発光素子用窓８７に向い合う位置に、液晶９１、ＣＣＤ素子８８および半導体発光装置８６が設けられている。実装基板９２上には、液晶９１、ＣＣＤ素子８８および半導体発光装置８６とは別に、ＩＣチップなどの電子部品９３が設けられている。
本実施の形態におけるカメラ付き携帯電話８４では、半導体発光装置８６を補助光源として利用することによって、暗い場所における被写体の撮影を可能にしている。具体的には、半導体発光装置８６に設けられた３種類のＬＥＤチップから緑、赤および青の光を発光することによって、被写体に向けて白色の光を照射することができる。これにより、明るく照らされた被写体を撮影し、これを電子データとしてＣＣＤ素子８８に取り込むことができる。
図１１は、図１０中のカメラ付き携帯電話から光を照射された基準面の照度を説明するための模式図である。カメラ付き携帯電話８４では、一様な明るさの光が被写体に照射されるように半導体発光装置８６が設定されている。
図１１を参照して、カメラ付き携帯電話８４の光源から所定の距離離れた位置に所定の大きさを有する基準面が設けられている。この基準面は、カメラ付き携帯電話８４によって被写体を写す範囲を表わすものである。本実施の形態では、カメラ付き携帯電話８４の光源から５０ｃｍ離れた位置に、縦６０ｃｍ、横５０ｃｍの大きさの基準面９６が設けられている。
カメラ付き携帯電話８４から基準面９６の中心９７に向けて光を照射した場合に、基準面９６の四隅９８において測定した照度が中心９７において測定した照度の５０％以上となるように、カメラ付き携帯電話８４の半導体発光装置８６が設定されている。たとえば、中心９７において３０（ルクス）の照度が測定された場合、四隅９８において１５（ルクス）以上の照度が測定される。
この発明の実施の形態５に従った電子撮像装置としてのカメラ付き携帯電話８４は、半導体発光装置８６を備える。半導体発光装置８６から所定の距離を隔てた位置に矩形形状の基準面９６を設けた場合に、半導体発光装置８６からの光が照射された基準面９６の四隅における照度は、基準面９６の中心における照度の５０％以上である。
このように構成されたカメラ付き携帯電話８４によれば、実施の形態４に記載の効果から、半導体発光装置８６から出射する光の指向性を容易に制御することができる。これにより、被写体が写る基準面において明るさに大差のない所望の撮影条件を容易に実現することができる。
（実施の形態６）
図１２は、この発明の実施の形態６における半導体発光装置を示す平面図である。図１３は、図１２中のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線上に沿った側面図である。図１３では、一部が断面形状で示されている。図１２および図１３を参照して、本実施の形態における半導体発光装置２０１では、実施の形態４における半導体発光装置と同様に、リードフレーム１の主表面１ａ上に３つのＬＥＤチップ４が搭載されている。
リードフレーム１には、複数のリード端子２１０が主表面１ａの周縁から突出して形成されている。複数のリード端子２１０は、樹脂部３から露出した状態で、互いに間隔を隔てた位置で主表面１ａの周縁から離隔する方向（矢印２０２に示す方向）に向けて延びている。リード端子２１０は、主表面１ａの周縁に相対的に近い位置に形成された基部２１１と、主表面１ａの周縁に相対的に遠い位置で形成され、リード端子２１０が突出する先端に設けられた端面２１３を有する先端部２１２とから構成されている。端面２１３は、リード端子２１０が延びる矢印２０２に示す方向に対して直交する平面上に延在している。
基部２１１は、幅Ｂ２で形成されており、先端部２１２および端面２１３は、幅Ｂ２よりも小さい幅Ｂ１で形成されている。つまり、リード端子２１０は、主表面１ａの周縁から遠い先端側で主表面１ａの周縁に近い根元側より細くなるように形成されている。このため、端面２１３の面積は、基部２１１を矢印２０２に示す方向に直交する平面で切断した場合の断面（図１３中の斜線部２１４に示す断面）の面積よりも小さくなっている。基部２１１と先端部２１２との間には、段差部分２２１が形成されている。
続いて、図１２中に示す半導体発光装置の製造方法について説明を行なう。図１４は、図１２中に示す半導体発光装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。図１５は、図１２中に示す半導体装置の製造工程を示す平面図である。
図１４および図１５を参照して、まず、所定形状にパターニングされたリードフレームに樹脂部３がインサート成型等で形成されたリードフレーム基材２４１を準備し、そのリードフレーム基材２４１に複数のＬＥＤチップ４を実装する（Ｓ２３１）。次に、実装されたＬＥＤチップ４の電極とリードフレーム基材２４１の表面とを金線で接続するワイヤボンディングを実施し（Ｓ２３２）、エポキシ樹脂６を封入する（Ｓ２３３）。
次に、リード端子２１０に、たとえば、スズ（Ｓｎ）ビスマス（Ｂｉ）めっきや、スズ（Ｓｎ）鉛（Ｐｂ）めっき（はんだめっき）を用いためっき処理を行なう（Ｓ２３４）。この工程が終了した時点で、図１５に示すように、複数の半導体発光装置２０１が格子状に配列された状態のリードフレーム基材２４１が完成する。
次に、プレス機を用いて、直線上に配列された複数の先端部２１２に沿って（２点鎖線２４２に沿って）リードフレーム基材２４１を切断する（Ｓ２３５）。これにより、複数の半導体発光装置２０１がリードフレーム基材２４１から切り出され、先端部２１２には、金型による切断面によって端面２１３が形成される。その後、半導体発光装置２０１の検査工程を実施し（Ｓ２３６）、さらにその後、半導体発光装置２０１を所定の出荷状態に整えるテーピング工程を実施する（Ｓ２３７）。
この発明の実施の形態６における半導体発光装置２０１では、リードフレーム１は、主表面１ａの周縁から突出して所定の方向に延びるリード端子２１０を含む。リード端子２１０は、所定の方向に延びる先端に端面２１３が形成された先端部２１２と、主表面１ａの周縁と先端部２１２との間に位置する基部２１１とを有する。リード端子２１０は、端面２１３の面積が、端面２１３に平行な平面における基部２１１の断面積よりも小さくなるように形成されている。リード端子２１０は、基部２１１で第１の幅としての幅Ｂ２を有し、先端部２１２で幅Ｂ２よりも小さい第２の幅としての幅Ｂ１を有する。先端部２１２に形成された端面２１３は、所定の切断用工具によって形成された切断面である。
また、この発明の実施の形態６における半導体発光装置２０１の製造方法は、複数の半導体発光装置２０１が形成されたリードフレーム基材２４１を準備する工程と、リードフレーム基材２４１を先端部２１２で切断することによって、リードフレーム基材２４１から複数の半導体発光装置２０１を切り出す工程とを備える。
このように構成された半導体発光装置およびその製造方法によれば、図１４中のＳ２３５に示す工程において、端面２１３は金型による切断面として形成される。このため、端面２１３には、リードフレーム１の材料である銅（Ｃｕ）等の金属が露出し、この露出した金属が酸化するなどして、その部分で、はんだに対する濡れ性が低下する。しかし、本実施の形態では、端面２１３の面積が相対的に小さくなるようにリード端子２１０が形成されているため、このような影響を極力抑えることができる。また、基部２１１と先端部２１２との間に形成された段差部分２２１は、多く塗りすぎたはんだを貯める場所として機能するため、はんだ玉等の発生を抑制することができる。これらの理由から、本実施の形態によれば、半導体発光装置２０１をプリント基板などに実装する際に、リード端子２１０に良好なはんだ付けを行なうことができる。
また、リード端子２１０が基部２１１から先端部２１２に渡って一定の幅Ｂ２で形成されている場合と比較して、Ｓ２３５に示す工程において切断時に必要となる力を低減させることができる。これにより、金型の簡素化およびプレス機の小型化を図ることができる。また、プレス機の能力を維持したまま、一度に多量の半導体発光装置２０１を切り出すことができる。これにより、半導体発光装置２０１の生産能力を向上させることができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
この発明の実施の形態１における半導体発光装置を示す断面図である。 図１中の半導体発光装置を示す平面図である。 図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線上に沿った断面図である。 樹脂部の内壁によって光が反射される様子を模式的に表わした断面図である。 内壁によって規定される形状の変形例を示す断面図である。 内壁によって規定される形状の変形例を示す別の断面図である。 この発明の実施の形態２における半導体発光装置を示す断面図である。 この発明の実施の形態３における半導体発光装置を示す断面図である。 この発明の実施の形態４における半導体発光装置を示す平面図である。 この発明の実施の形態５におけるカメラ付き携帯電話を示す透視図である。 図１０中のカメラ付き携帯電話から光を照射された基準面の照度を説明するための模式図である。 この発明の実施の形態６における半導体発光装置を示す平面図である。 図１２中のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線上に沿った側面図である。 図１２中に示す半導体発光装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。 図１２中に示す半導体装置の製造工程を示す平面図である。 従来の半導体発光装置の代表的な構造を示す断面図である。
符号の説明
１，５１，５２，５３ リードフレーム、１ａ 主表面、１ｂ 反対側の面、１ｍ，１５ 溝、１ｔ 部分、３ 樹脂部、３ａ，６ａ 頂面、３ｂ 内壁、４，７１，７２，７３ ＬＥＤチップ、５ 金線、５ｐ 一方端、５ｑ 他方端、６ エポキシ樹脂、９ 端子部、１０ 第１の領域、２０ 第２の領域、３０ 凹部、８４ カメラ付き携帯電話、８６ 半導体発光装置、９６ 基準面、２０１ 半導体発光装置、２１０ リード端子、２１１ 基部、２１２ 先端部、２１３ 端面、２４１ リードフレーム基材。

Claims (18)

  1. 第１の領域と、前記第１の領域の周縁に沿って延在する第２の領域とが規定された主表面を有するリードフレームと、
    前記第１の領域に設けられた半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子から発せられた光を透過する材料から形成され、前記半導体発光素子を完全に覆うように前記第１の領域に設けられた第１の樹脂部材と、
    前記半導体発光素子から発せられた光を反射する材料から形成され、前記半導体発光素子を囲むように前記第２の領域に設けられた第２の樹脂部材と、
    前記半導体発光素子の頂面に設けられた電極と、前記半導体発光素子から離間する前記主表面とを接続する金属線とを備え、
    前記第１の樹脂部材は、第１の頂面を含み、
    前記第２の樹脂部材は、前記主表面からの距離が前記主表面から前記第１の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第２の頂面と、前記半導体発光素子が位置する側において前記主表面から離隔する方向に延在し、前記第２の頂面に連なる内壁とを含み、
    前記内壁は、前記主表面からの距離が前記主表面から前記第１の頂面までの距離よりも大きい位置において、前記第１の頂面から出射した光を所定の方向に反射させ、
    赤、青および緑でそれぞれ発光する３つの前記半導体発光素子と、前記半導体発光素子が１つずつ設けられ、互いに離間する３つの前記リードフレームとが設けられ、
    前記リードフレームの各々は互いに異なる方向に延在し、
    青および緑でそれぞれ発光する前記半導体発光素子が設けられた前記リードフレームの前記主表面の面積は、赤で発光する前記半導体発光素子が設けられた前記リードフレームの前記主表面の面積よりも大きい、半導体発光装置。
  2. 前記第１の樹脂部材は、前記金属線を完全に覆うように設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。
  3. 前記金属線は、前記半導体発光素子に接続される一方端と、前記主表面に接続される他方端とを有し、
    前記一方端は、線状に形成されており、前記他方端は、ボール状に形成されている、請求項２に記載の半導体発光装置。
  4. 前記金属線は、前記半導体発光素子に接続される一方端と、前記主表面に接続される他方端とを有し、
    前記一方端には、前記半導体発光素子との間で前記金属線を挟持するボール状の金属が設けられている、請求項２または３に記載の半導体発光装置。
  5. 前記リードフレームは、スリット状の溝によって離間した部分を含み、前記部分は他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  6. 前記リードフレームは、同一平面上に延在する板形状に形成されている、請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  7. 前記リードフレームは、前記主表面と反対側の面に形成され、かつ樹脂が充填される第１の凹部を含み、前記反対側の面には、前記第１の凹部の両側に位置して実装基板に電気的に接続される端子部が設けられている、請求項６に記載の半導体発光装置。
  8. 前記リードフレームは、前記第１の領域に形成された第２の凹部を含み、前記半導体発光素子は前記第２の凹部に設けられている、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  9. 前記リードフレームは、熱伝導率が３００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下の金属によって形成されている、請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  10. 前記第２の樹脂部材は、前記主表面に平行な面上において前記内壁によって規定される形状の面積が、前記主表面から離れるに従って大きくなるように形成されている、請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  11. 前記主表面に平行な面上において前記内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである、請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  12. 前記リードフレームは、前記主表面の周縁から突出して所定の方向に延びるリード端子を含み、前記リード端子は、前記所定の方向に延びる先端に端面が形成された先端部と、前記主表面の周縁と前記先端部との間に位置する基部とを有し、
    前記リード端子は、前記端面の面積が、前記端面に平行な平面における前記基部の断面積よりも小さくなるように形成されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  13. 前記リード端子は、前記基部で第１の幅を有し、前記先端部で前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する、請求項１２に記載の半導体発光装置。
  14. 前記端面は、所定の切断用工具によって形成された切断面である、請求項１２または１３に記載の半導体発光装置。
  15. 前記第２の樹脂部材は、ポリアミド系樹脂である、請求項１から１４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  16. 前記内壁の表面にめっきが施されている、請求項１から１５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
  17. 請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
    複数の前記半導体発光装置が形成されたリードフレーム基材を準備する工程と、
    前記リードフレーム基材を前記先端部で切断することによって、前記リードフレーム基材から複数の前記半導体発光装置を切り出す工程とを備える、半導体発光装置の製造方法。
  18. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の半導体発光装置を備える電子撮像装置であって、
    前記半導体発光装置から５０ｃｍ隔てた位置に、縦６０ｃｍ、横５０ｃｍの大きさを有する矩形形状の基準面を設けた場合に、前記半導体発光装置から前記基準面の中心に向けて光が照射された時、前記基準面の四隅における照度は、前記基準面の中心における照度の５０％以上である、電子撮像装置。
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