JP5349811B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光ダイオードなどを用いた半導体発光装置に関するものである。
従来の表面実装型発光ダイオードは、図６に示すように、パッケージ１００の凹部１０１の内部に発光素子１０２が配置され、発光素子１０２が載置されるリード電極１０３がパッケージ１００の長手方向に並置して置かれている。ワイヤボンディング用のリード電極１０４は、リード電極１０３の外側の、パッケージ１００の長手方向の端部に配される。そして各発光素子１０２は、異なるリード電極１０３ａ,１０３ｂ,１０３ｃ上に載置され、各発光素子１０２および各リード電極１０４間には、樹脂からなるパッケージ１００の凹部１０１の底面が露出され、パッケージ１００の凹部１０１内に充填されたモールド部材（図示せず）と密着している。また発光素子１０２は、各々が電気的に独立して外部と接続されている（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００４−７１６７５号公報
特許文献１に示すような発光ダイオードの構成においては、放熱性を良くしようとして、リード電極１０３ａ,１０３ｂ,１０３ｃの面積を大きくすると、発光素子１０２の光軸ずれや剥離を引き起こす可能性が生じるという問題があった。すなわち、リード電極１０３ａ,１０３ｂ,１０３ｃ上に配される発光素子１０２が、封止するために設けられた封止部材とも接しているが、封止部材と金属材料からなるリード電極１０３ａ,１０３ｂ,１０３ｃとは、異なる熱膨張係数を有することから、熱による膨張や収縮の割合がそれぞれ大きく異なり、発光素子１０２はそれぞれの影響を受ける。これにより、上記したような発光素子１０２がリード電極１０３ａ,１０３ｂ,１０３ｃからずれて、光軸ずれや剥離を引き起こす可能性が生じる。
また、リード電極１０３ａ,１０３ｂ,１０３ｃやリード電極１０４には通常銀メッキされるが、このような電極間の電位差と周囲雰囲気中から表面に吸着された水分存在により、銀メッキされた各リード電極の銀メッキのマイグレーションが発生し、リード電極が電気的短絡を引き起こし、発光素子の不点灯という不具合不良を引き起こす問題も発生していた。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、封止のための封止樹脂と発光素子が載置される金属部材領域との接触面積をより少なくし、金属部材領域と発光素子との剥離やずれを防止し十分に信頼性の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の半導体発光装置は、パッケージと、このパッケージの所定の面に配置される発光素子と、パッケージの上記所定の面に設けられ、発光素子が載置される金属部材領域と、パッケージの上記所定の面に設けられた発光素子の電極がワイヤーにより接続される引出し電極と、パッケージの上記所定の面に設けられ金属部材領域を複数に離間させる凸形状の樹脂部と、パッケージの上記所定の面において金属部材領域上に形成される被覆樹脂と、パッケージの上記所定の面上において金属部材領域を覆う封止樹脂とを含み、少なくとも凸形状の樹脂部および被覆樹脂が封止樹脂に接している。パッケージの上記所定の面は、パッケージに設けられた凹部の底面により構成することができる。
本発明の一実施形態においては、次のような構造を有する。発光素子と引出し電極とを電気的に接続するワイヤーの下方には凸形状の樹脂が形成されていない。また、被覆樹脂はパッケージの凹部の底面から延伸してパッケージと一体形成されてもよく、引出し電極の面上には、被覆樹脂が形成されてもよい。パッケージを構成する樹脂と被覆樹脂とは、同じ材料としてもよい。
本発明の他の実施形態においては、次のような構造を有する。発光素子が搭載されている電極面、あるいは、引出し電極が、凹部の底面の一側面側に形成されている。また、複数の発光素子の搭載面あるいは複数の引出し電極が、凸形状の樹脂で離間されている。引出し電極上のワイヤーとの接続部の周囲に、被覆樹脂が形成されていてもよい。パッケージを構成する樹脂および封止樹脂は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、および、シリコーン樹脂からなる群より選ばれた、少なくとも一種を含む。
本発明によれば、パッケージの所定の面に設けられ金属部材領域を複数に離間させる凸形状の樹脂部を備えているため、各発光素子をそれぞれ別の金属部材領域上に載置することで、発光素子の発光時に生じる熱を、独立した経路で外部へ逃がすことができる。そのため、大電流を投入する際においても、放熱性が良好であるため、発光素子の特性を保持し、封止樹脂の劣化を抑制することができる。また、引出し電極と封止樹脂との接触面積を少なくできるため、引出し電極からの発光素子の剥離やずれを防止することができ、十分に信頼性の高い発光ダイオードを提供することができる。さらに、凸形状の樹脂部が形成されているため、これが銀マイグレーションのバリヤーとなるため、前記電気的短絡の防止が可能となる。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における半導体発光装置について、図１を用いて説明する。図１は本発明の実施の形態１における半導体発光装置としてのサイドビュータイプの表面実装型発光ダイオードの正面図である。図１において、パッケージ１は、その一側面である発光面に発光素子３が配される開口部を構成する凹部２が形成され、この凹部２には発光素子３が配置される。発光素子は、赤色発光素子３ｒ、青色発光素子３ｂ、緑色発光素子３ｇからなり、各発光素子は、パッケージ１の凹部２の底面の長手方向の中心部にそれぞれ並置されている。
パッケージ１の凹部２の底面にはさらに、発光素子が載置される銀メッキした金属部材領域４とが配置されている。また、パッケージ１の長手方向の片側には、発光素子３の電極（図示せず）が導電性のワイヤー５により接続される、銀メッキした銅板パターンの複数の引出し電極６が、たとえば高さ１０μｍ、幅９０μｍ程度の凸形状の樹脂部７によって離間されて配置されている。また、凹部２にはさらに金属部材領域４を複数に離間させる凸形状の樹脂部７と、金属部材領域４上に形成される被覆樹脂８と、金属部材領域４を覆う封止樹脂（透明な樹脂のため図示しない）とが配置されている。そして凸形状の樹脂部７および被覆樹脂８が封止樹脂に接している。また、発光素子３と引出し電極６を電気的に接続するワイヤー５の下方には凸形状の樹脂が形成されておらず（矢印９で示す部分）、さらに、パッケージ１の凹部２底面ではパッケージ１の樹脂１０が露出されている。
パッケージ１を構成する樹脂と被覆樹脂８とは同じ材料としており、被覆樹脂８と封止樹脂とも同じ樹脂材料としている。また、パッケージ１の凹部２の内側斜面には、アルミニウムまたは銀による鏡面めっきにより鏡面処理が施されている。
なお、被覆樹脂８は、長手方向の斜面の底部から引出し電極４，６を覆うように、発光素子３の近傍まで形成され、パッケージ１の凹部２の底面から金属部（電極部など）を覆うように一体物として延伸形成されている。
パッケージ１は、銀メッキした鉄入り銅板を金型で打ち抜き、所望の形状を有する金属部をパターン形成した後、金属板の上下を金型で挟み込み、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）を、金型内に注入し硬化させ、引出し電極６と硬化した樹脂とが一体成形され、表面実装型のパッケージを形成している。
次に、発光素子３について説明する。発光素子３としては、主波長が約４７０ｎｍの青色発光を有するＩｎＧａＮ半導体３ｂ、主波長が約５２５ｎｍの緑色発光を有するＩｎＧａＮ半導体３ｇ、および主波長が約６３０ｎｍの赤色発光を有するＡｌＩｎＧａＰ半導体３ｒを用いる。各発光素子３と引き出し電極６（搭載面）のダイボンデイングは、まず発光素子３の両面に電極が形成され、赤色発光を有する発光素子３rについて、銀ペーストを用いて行う。赤色発光素子３ｒと引出し電極６を接合している銀ペーストが硬化後、サファイア基板を底面とする青色発光および緑色発光を有する発光素子３ｂ、３ｇのボンディングを、エポキシ樹脂を用いて行なう。また、金線からなるワイヤー５によって、各発光素子３ｒ、３b、３ｇに形成された電極と引出し電極６との接続を行う。その後、パッケージ１の凹部２内に、シリコーン樹脂からなる封止樹脂（図示せず）を充填し封止した後、硬化させる。封止樹脂（図示せず）の硬化後、金型にて外部へ突出した外部電極１ａをパッケージ１の引出し電極突出面に沿って、折り曲げ、個品に分離する。このようにして高輝度および高出力でもって白色、青色、赤色、緑色などが発光可能な発光ダイオードが得られる。
ここで、図中のワイヤー５の下方部分（図中の矢印９で示している部分）には凸形状の樹脂７は形成していない。各発光素子３と引出し電極６をワイヤー５で接続する場合において、ワイヤー５の下方に凸形状の樹脂７を形成しないほうが、ワイヤー５をボンディングしやすいためである。
ここで、パッケージ１は、材料にポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂やセラミックが用いられ、複数の正および負の引出し電極６がインサートされ、閉じられた金型内に、パッケージの下面側にあるゲートから溶融されたこれら材料を流し込み硬化させて形成される。
封止樹脂として用いられる透光性樹脂の材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いられる。また、透光性樹脂に拡散剤を含有させることによって発光素子３からの指向性を緩和させ、視野角を増すこともできる。また、さらには封止樹脂として用いられる透光性樹脂には蛍光体を含む樹脂であってもよい。また、封止樹脂は、略半球形状であったり、略円柱形状であってもよい。
以上の実施の形態では、複数の発光素子３の搭載面である金属部材領域４が凸形状の樹脂部７で離間されているので、各発光素子３が載置されるそれぞれの金属部材領域４の面積が小さくなることで、金属部材領域４と封止樹脂のモールド部材との接触面積が少なくなり、金属材料の膨張や収縮の影響が緩和される。さらに、各引出しリード電極間には、樹脂からなるパッケージの、凹部２の底面では樹脂が露出１０されており、前記パッケージ１の樹脂１０の露出面積を多くすることで、樹脂同士の接着力をより強固なものとすることができるため、各発光素子３の金属部材領域４や引出しリード電極からのずれや剥離を防ぐことが可能となる。
また、各発光素子が載置される金属部材領域４の面積が小さいものとなるため、被覆樹脂と後に封止するために充填される封止樹脂との接触面積が増し、封止樹脂と金属からなる引出し電極６との接触面積が小さくなるため、樹脂と金属の熱膨張係数の差による、発光素子の剥がれを防止することができる。
さらに、各引出し電極６間には凸形状の樹脂部がバリアーとなっているため、湿度、電位差などで生じる電極構成材のマイグレーションで発生した電極材の拡散を防止できる。ひいては、引き出し電極間の短絡が防止でき、発光装置の信頼性は維持される。
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２における半導体発光装置について、図２を用いて説明する。図２は本発明の実施の形態２における半導体発光装置としてのトップビュータイプの表面実装型発光ダイオードの正面図である。本発明の実施の形態２における半導体発光装置について、実施の形態１と同一の部品には同一の番号を付し説明を略する。図２において、パッケージ１１の凹部１２には、発光素子３（赤色発光素子３ｒ、青色発光素子３ｂ、緑色発光素子３ｇ）、凸形状の樹脂部１３、導電性ワイヤー５、金属部材領域としての引出し電極１４、引出し電極１５設けられている。
パッケージ１１の形成においては、まず、銀メッキした鉄入り銅板を金型で打ち抜き、所望の形状を有する金属部をパターンニングした金属板を形成する。その後、その金属板の上下を、凸形状の樹脂部１３を持つ形状の、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）からなる下部パッケージと、鉛直上方に向かって開口部径が大きくなる開口部１２を持つポリフタルアミド（ＰＰＡ）からなる上部パッケージとで挟み込む。その後さらに、上部パッケージと下部パッケージとを接着させ、引出し電極１４,１５と硬化した樹脂ポリフタルアミド（ＰＰＡ）とを一体成形することにより、表面実装型パッケージが形成される。ここで、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂのそれぞれが搭載される複数の引出し電極１４間、ワイヤー５がボンディングされる複数の引出し電極１５間、および、引き出し電極１４，１５間のそれぞれに、これらを互いに絶縁して分割するように、凸形状の樹脂部１３が形成されている。
パッケージ１１は、発光素子３が配される開口部としての凹部１２を有し、パッケージ１１の凹部１２内には銀メッキした銅板パターンが引出し電極１４,１５として配置されている。各発光素子３は、パッケージ１１の凹部１２の底面のほぼ中心部にそれぞれ搭載される。
一方、発光素子３として、主波長が約４７０ｎｍの青色発光を有するＩｎＧａＮ半導体３ｂ、主波長が約５２５ｎｍの緑色発光を有するＩｎＧａＮ半導体３ｇ、および主波長が約６３０ｎｍの赤色発光を有するＡｌＩｎＧａＰ半導体３rを用いる。各発光素子３と引出し電極１４（搭載面）のダイボンデイングは、まず素子の両面に電極が形成され、赤色発光を有する発光素子３について、銀ペーストを用いて行う。赤色発光素子３ｒと引き出し電極を接合している銀ペーストが硬化後、サファイア基板を底面とする青色発光および緑色発光を有する発光素子３ｇのボンディングを、シリコーン樹脂を用いて行う。また、金線からなるワイヤー５によって、各発光素子３に形成された電極と引出し電極１５との接続を行う。その後、パッケージ１１の凹部１２内に、シリコーン樹脂からなる封止樹脂（図示せず）を充填し封止した後、硬化させる。封止樹脂（図示せず）の硬化後、個品に分離する。このようにして高輝度および高出力でもって白色、青色、赤色、緑色などが発光可能な発光ダイオードが得られる。
従来は、電極間の電位差と周囲雰囲気中から表面に吸着された水分存在により、銀メッキされた引出し電極１４と引き出し電極１５の銀メッキのマイグレーションが発生し引出し電極１４,１５間が電気的短絡を引き起こし、発光素子の不点灯という不具合不良を引き起こしていたが、本実施形態２では、銀メッキされた引出し電極１４の間および引出し電極１５間に凸形状の樹脂部１３（図中斜線部）が形成されているため、凸形状の樹脂部１３が銀マイグレーションのバリヤーとなるため、前記電気的短絡の防止が可能となる。
なお、図２の破線１６は、封止樹脂を示している。封止樹脂の形状はドーム状、円柱状などでよい。本実施の形態の封止樹脂形状はドーム状とした。ここで、搭載される発光素子３は一個以上でよく、本実施のように赤、青、緑色発光素子を３個搭載してもよい。また、同色の発光素子を４個搭載して光出力の高い発光装置を作製してもよい。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３における半導体発光装置について、図３を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態３における半導体発光装置としてのツェナーダイオードから成るトップビュータイプの表面実装型発光ダイオードの正面図である。本発明の実施の形態３における半導体発光装置について、実施の形態１と同一の部品には同一の番号を付し説明を略する。図において、パッケージ２１の凹部２２には、発光素子３（青色発光素子３ｂ）、凸形状の樹脂部２３、導電性ワイヤー５、金属部材領域としての引出し電極２４、引出し電極２５およびツェナーダイオード２６が設けられており、トップビュータイプの表面実装型発光ダイオードを構成している。
パッケージ２１は、銀メッキした鉄入り銅板を金型で打ち抜き、所望の形状を有する金属部をパターン形成した後、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）を、前記金属板の上下を凸形状の樹脂部２３（図中斜線部）を持つ形状のポリフタルアミド（ＰＰＡ）（下部パッケージ）と垂直方向にしたがって開口部径が大きくなる開口部を持つポリフタルアミド（ＰＰＡ）（上部パッケージ）で挟み込み、接着させ、引き出し電極２４,２５と硬化した樹脂ポリフタルアミド（ＰＰＡ）とが一体成形され、表面実装型パッケージ（パッケージ２１）を形成している。ここで、引出し電極２４（搭載面）間および引出し電極２５間に凸形状の樹脂部２３が形成されている。
パッケージ２１は、発光素子３ｂが配される開口部を形成する凹部２２有し、この凹部２２の底面内には銀メッキした銅板パターンが引出し電極２４,２５として配置されている。発光素子３ｂは、凹部２２の底面のほぼ中心部に搭載される。
ここで、発光素子３ｂとして、主波長が約４７０ｎｍの青色発光を有するＩｎＧａＮ半導体を用いる。これらの発光素子３ｂを、前記引出し電極２４（搭載面）上に中心に並置させる。発光素子３ｂと引出し電極２４（搭載面）のダイボンデイングは、銀ペーストを用いて行う。また、金線からなるワイヤー５によって、発光素子３ｂに形成された電極と引出し電極２５との接続を行う。次に、ツェナーダイオード２６と引出し電極２５のダイボンデイングは、銀ペーストを用いて行う。また、金線からなるワイヤー５によって、ツェナーダイオード２６に形成された電極と引出し電極２４との接続を行う。その後、パッケージ２１の凹部２２内に、蛍光体（Ｂａ，Ｓｒ）2ＳｉＯ4：Ｅｕとシリコーン樹脂の重量比が１：４からなる封止樹脂(図示せず)を充填し封止した後、硬化させる。封止樹脂(図示せず)の硬化後、金型にて外部へ突出した外部電極２７をパッケージ２１の引き出し電極突出面に沿って、折り曲げ、個品に分離する。このようにして高輝度および高出力でもって白色が発光可能な発光ダイオードが得られる。
ここで、実施の形態２と同様に、本実施形態３では、銀メッキされた引出し電極２４と銀メッキ引出し電極２５の間に凸形状の樹脂部２３（図中斜線部）が形成されているため、凸形状の樹脂部２３が銀マイグレーションのバリヤーとなるため、前記電気的短絡の防止が可能となる。
また蛍光体は、黄色蛍光を発する、Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活したα−サイアロンとしてＣａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ、ＢＯＳＥ：Ｅｕ系として（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：ＣｅおよびＴｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、から選ばれる少なくとも一つ以上からなる。蛍光体を最適に混合することにより、擬似白色の高輝度および高出力の発光可能な発光ダイオードが得られる。
ここで、緑色蛍光を発する、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活したβ−サイアロンとして（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）８：Ｅｕ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、Ｂａ１.５Ｓｒ０.５ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｃａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ ３ Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：ＴｂおよびＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、から選ばれる少なくとも１種以上と、赤色蛍光を発する、Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活した純窒化物であるカズン（ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、ＹＶＯ４：ＥｕおよびＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、から選ばれる少なくとも１種以上とを、最適に混合することにより、電球色、高演色の高輝度および高出力の発光可能な発光ダイオードが得られる。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４における半導体発光装置について、図４を用いて説明する。図４は本発明の実施の形態４における半導体発光装置の正面図である。本発明の実施の形態４における半導体発光装置について、実施の形態１と同一の部品には同一の番号を付し説明を略する。図において、パッケージ３１の凹部３２には、発光素子３（赤色発光素子３ｒ、青色発光素子３ｂ、緑色発光素子３ｇ）、凸形状の樹脂部３３、導電性ワイヤー５、金属部材領域としての引出し電極３４、引出し電極３５が設けられている。
ここで、パッケージ３１の凹部３２底面における引出し電極３４,３５が少ないように見えるが、これは引出し電極３４,３５を覆うように樹脂部（ここでは、凸形状の樹脂部３３）が形成されているのみで、各発光素子から発生した熱は引出し電極３４,３５を介して外部に放熱される。従って、引出し電極３４,３５の面積は凸形状の樹脂部３３が形成されている場合と形成されていない場合で同じであることが分かる。
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５における半導体発光装置について、図５（ａ）,（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）は本発明の実施の形態５における半導体発光装置の正面図、図５（ｂ）は同実施の形態５における半導体発光装置の断面図である。本発明の実施の形態５における半導体発光装置について、実施の形態１と同一の部品には同一の番号を付し説明を略する。図５において、パッケージ４１には、青色発光素子に蛍光体を被覆した発光素子３、凸形状の樹脂部４３、導電部４４、金属部材領域としての引出し電極４５,４６が設けられている。発光素子３は青色発光素子に蛍光体を被覆した発光素子３とし、レンズ形状の封止樹脂部４７が上部を覆っている。図５（ｂ）に図５（a）の断面図を示している。
ここで、パッケージの凹部底面おける引出し電極４５,４６が少ないように見えるが、引出し電極４５,４６を覆うように樹脂部（被覆樹脂部４３）が形成されているので、発光素子３から発生した熱は引出し電極４５,４６を介して外部に放熱される。
さらに、剥き出しの金属部（引出し電極４５,４６など）が非常に少なくなるために、樹脂と樹脂の密着性は良好なことから、レンズ形状の封止樹脂部４７と凸形状の樹脂部４３との密着性が良好となり、レンズ樹脂の剥がれ、浮きが発生するという問題点がなくなった。
今回開示された実施の形態はすべて例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明によれば、発光素子が必要な装置を製造するに際し、回路基板等への実装を行う場合にサイド発光型とトップ発光型の表面実装型発光装置に関して、樹脂剥がれ、電気的短絡防止が可能となる。その結果、本発明の半導体発行装置は、ＬＥＤ発光素子を用いるディスプレイ装置などに利用可能である。
本発明の実施の形態１における半導体発光装置の正面図である。 本発明の実施の形態２における半導体発光装置の正面図である。 本発明の実施の形態３における半導体発光装置の正面図である。 本発明の実施の形態４における半導体発光装置の正面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態５における半導体発光装置の正面図、（ｂ）は同実施の形態５における半導体発光装置の断面図である。 従来の半導体発光装置の斜視図である。
符号の説明
１,２１,３１,４１ パッケージ、３ｒ 赤色発光素子、３ｂ 青色発光素子、３ｇ 緑色発光素子、４,１４,２４，３４,４５ 金属部材領域（引出し電極）、５ 導電性ワイヤ、６,１５,２５,３５,４６ 引出し電極、７,１３,２３,３３,４３ 凸形状の樹脂部、８ 被覆樹脂部、９,１０ 凸形状の樹脂部が形成されていない部分（露出樹脂）、４７ レンズ形状封止樹脂部。

Claims (12)

  1. 凹部を有するパッケージの凹部に設けられる複数の金属板、
    前記複数の金属板のうちのいくつかの金属板の上面にそれぞれ搭載され、一列に配置される複数の発光素子、
    前記複数の発光素子の配列方向に交差する方向のみに延びるとともに、発光素子が搭載されている隣接した金属板間に位置し、金属板の上面よりも突出した第１の凸状樹脂部、
    前記複数の金属板の少なくとも１つの一部を覆う第１の被覆樹脂部、および
    前記凹部に設けられ、前記第１の凸状樹脂部と前記第１の被覆樹脂部とに接する封止樹脂を備え、
    前記第１の凸状樹脂部は前記凹部を区画するように設けられ、
    前記複数の金属板および前記複数の発光素子は、前記第１の凸状樹脂部により相互が離間されるよう構成され、
    前記第１の凸状樹脂部、前記第１の被覆樹脂部および前記封止樹脂が前記発光素子を囲むように構成されており、
    前記複数の発光素子のそれぞれと、前記複数の金属板のうちの引き出し電極を構成する領域とを電気的に接続するボンディングワイヤーの下方には、前記第１の凸状樹脂部が形成されていない、半導体発光装置。
  2. 前記パッケージと前記第１の被覆樹脂部とは同じ材料で形成されている、請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 前記第１の被覆樹脂部は発光素子が搭載された金属板を部分的に覆い、
    さらに、前記複数の発光素子が搭載された金属板以外の金属板を部分的に覆い、かつ、前記封止樹脂に接する第２の被覆樹脂部を備える、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
  4. 前記複数の発光素子が搭載された金属板以外の隣接した金属板間に位置し、金属板の上面よりも突出し、前記封止樹脂に接する第２の凸状樹脂部をさらに備える、請求項１記載の半導体発光装置。
  5. 前記複数の発光素子は、赤色発光素子、緑色発光素子、および青色発光素子を含み、
    青色発光素子は発光素子の列の端に位置する、請求項１記載の半導体発光装置。
  6. 前記封止樹脂は、シリコーン樹脂を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光装置。
  7. 前記シリコーン樹脂は、拡散材を含む、請求項６記載の半導体発光装置。
  8. 前記金属板は銀を含む、請求項１〜７のいずれか記載の半導体発光装置。
  9. 前記パッケージはポリフタルアミドを含む、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光装置。
  10. 前記パッケージはポリフェニレンサルファイドを含む、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光装置。
  11. 前記パッケージは液晶ポリマーを含む、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光装置。
  12. 前記パッケージはエポキシ樹脂を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光装置。
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