CN102522485B - 半导体发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体发光装置。在半导体发光装置的封装体(1)的凹部(2)的底面上，设置放置发光元件(3r，3g，3b)的镀了银的金属部件区域(4)、铜板图案的引出电极(6)、和将金属部件区域(4)分隔为多个的凸形树脂部(7)。在金属部件区域(4)上部分形成遮盖树脂(8)，还设置密封树脂，以覆盖金属部件区域(4)、遮盖树脂(8)、和凸形的树脂部(7)。根据这种结构，使密封树脂与放置发光元件的金属部件区域(4)的接触面积减少，防止金属部件区域(4)与发光元件的脱落和错位等，从而能提供可靠性高的半导体发光装置。

Description

半导体发光装置
本申请是2009年2月5日递交的申请号为“200910130741.0”、发明名称为“半导体发光装置”的分案申请。
技术领域
本发明涉及使用了发光二极管等的半导体发光装置。
背景技术
如图6所示，现有的表面安装型发光二极管在封装体100的凹部101的内部设置发光元件102，放置发光元件102的引线(lead)电极103并排设置在封装体100的长边方向上。引线接合法(wire bonding)用引线电极104设置在引线电极103外侧的封装体100长边方向的端部上。并且，各个发光元件102被放置在不同的引线电极103a、103b、103c上，在各个发光元件102和各个引线电极104之间露出由树脂构成的封装体100的凹部101的底面。露出的凹部101的底面与填充到凹部101内的模具(mold)部件(未图示)粘合。此外，发光元件102分别独立与外部电连接(例如参照特开2004-71675号公报)。
在如特开2004-71675号公报所示的发光二极管的结构中，为了改善散热性而增大引线电极103的面积时，存在会产生发光元件102的光轴错位或引起脱落的问题。其原因如下。设置在引线电极103上的发光元件102还与为了密封而设置的密封部件连接。该密封部件与由金属材料构成的引线电极103有不同的热膨胀系数。因此，对于密封部件和引线电极103来说，加热引起的膨胀以及冷却引起的收缩的比例都差别很大。其结果是发光元件102与引线电极103错位，会产生光轴错位或引起脱落。
此外，通常对引线电极103和引线电极104实施镀银，由于该电极之间的电位差以及从周围空气中吸附到表面上的水分的存在，所以会发生镀了银的各个引线电极的镀银的迁移(migration)。因此，引线电极引起电短路，还会发生引起发光元件不点亮这样的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种可靠性十分高的半导体发光装置，通过进一步减小用于密封的密封树脂和放置发光元件的金属部件区域的接触面积，防止由于密封树脂和金属部件区域的热膨胀系数不同所引起的从金属部件区域的发光元件的脱落和错位。
为了解决所述问题，本发明的半导体发光装置包括：多个金属板，设置在具有凹部的封装体的凹部中；多个发光元件，分别被放置在所述多个金属板之中的几个金属板的上表面上，且被配置成一列；第1凸状树脂部，位于搭载了发光元件的相邻的金属板之间，且比金属板的上表面更突出；第1遮盖树脂部，覆盖所述多个金属板中的至少一个金属板的一部分；密封树脂，设置在所述凹部中，且与所述第1凸状树脂部和所述第1遮盖树脂部接触。
本发明的另一个实施方式的半导体发光装置包括：多个金属板，设置在具有凹部的封装体的凹部中；多个发光元件，分别被放置在所述多个金属板之中的几个金属板的上表面上；第1凸状树脂部，位于搭载了发光元件的金属板以外的、通过导线被连接到对应的发光元件的相邻的金属板之间，且比金属板的上表面更突出；第1遮盖树脂部，覆盖所述多个金属板中的至少一个金属板的一部分；密封树脂，设置在所述凹部中，且与所述第1凸状树脂部和所述第1遮盖树脂部接触。
根据本发明，由于包括设置在封装体的规定面上的将金属部件区域分割为多个的凸形树脂部，所以在不同的金属部件区域上分别放置各个发光元件，从而能够使发光元件发光时产生的热通过独立的路径向外扩散。因此，即使在接通大电流时也能维持良好的散热性，其结果，能够保持发光元件的特性，抑制密封树脂的老化。此外，由于能够减小引出电极与密封电极的接触面积，所以能够防止从引出电极的发光元件的脱落和错位，能够提供可靠性十分高的发光二极管。而且，由于凸形的树脂部成为银迁移的障碍，所以能防止电短路。
通过以下结合附图对本发明所作的详细说明，将明了本发明的所述及其它目的、特征、情形和优点。
附图说明
图1A是表示本发明实施方式1的半导体发光装置的一个侧面即发光面的图，图1B是表示图1A的IB-IB线剖面的图。
图2A是表示本发明实施方式2的半导体发光装置的发光面的平面图，图2B是图2A的IIB-IIB线剖面图。
图3是表示本发明实施方式3的半导体发光装置的发光面的平面图。
图4是表示本发明实施方式4的半导体发光装置的发光面的平面图。
图5A是表示本发明实施方式5的半导体发光装置的发光面的平面图，图5B是该实施方式中的半导体发光装置的剖面图。
图6是现有的半导体发光装置的立体图。
具体实施方式
(实施方式1)
用图1A、1B说明本发明实施方式1的半导体发光装置。图1A是表示作为本发明实施方式1的半导体发光装置的侧视型(side-view type)的表面安装型发光二极管的一个侧面即发光面的图，图1B是表示图1A的IB-IB线剖面的图。图1A、1B中，在封装体1的发光面上形成构成设置发光元件的开口部的凹部2，在该凹部2中设置发光元件。发光元件由红色发光元件3r、蓝色发光元件3b、和绿色发光元件3g构成，这些发光元件在封装体1的凹部2的底面上分别设置在上下方向的中央，从而排列在凹部2的长边方向上。
在封装体1的凹部2的底面上还设置放置发光元件的镀了银的金属部件区域4。此外，在封装体1的凹部2的下侧，按照相互之间例如被高10μm、宽90μm左右的凸形树脂部7所隔开的方式，设置镀了银的铜板图案的多个引出电极6。通过导电性的导线(wire)5在该引出电极6上连接发光元件的电极(未图示)。在凹部2上还设置将金属部件区域4划分为多个并将其隔开的凸形树脂部7、在金属部件区域4上形成的遮盖树脂8、和覆盖金属部件区域4的密封树脂(由于是透明的树脂所以未图示)。并且凸形树脂部7和遮盖树脂8与密封树脂17相连接。此外，在电连接发光元件3和引出电极6的导线5的下方不形成凸形的树脂(用箭头9表示的部分)，而且在封装体1的凹部2的底面上不露出封装体1的树脂10的一部分。
构成封装体1的树脂10、遮盖树脂8、和密封树脂17都由相同的树脂材料形成。此外，通过基于铝或银的镜面镀，对封装体1的凹部2的内周的斜面实施镜面处理。
再有，遮盖树脂8从凹部2的长边方向两端的斜面的底部形成到红色发光元件3r和蓝色发光元件3b的附近，从而覆盖金属部件区域4和引出电极6的一部分。即，从封装体1的凹部2的底面沿连续的区域形成遮盖树脂8，从而覆盖金属部(电极部等)的一部分。
封装体1是通过用模具冲切镀了银的含铁铜板，图案化形成具有希望形状的金属部之后，用模具夹着该金属部的上下面，将聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide)(PPA)注入到模具内，使其硬化形成的。由此将引出电极6和硬化后的树脂一体成形，形成表面安装型封装体1。
接下来说明发光元件。用具有发出主波长为约470nm的蓝色光的InGaN半导体的蓝色发光元件3b、具有发出主波长为约525nm的绿色光的InGaN半导体的绿色发光元件3g、和具有发出主波长为约630nm的红色光的AlInGaP半导体的红色发光元件3r作为发光元件。各个发光元件与引出电极6(装载面)的模具连接(die bonding)，首先在发光元件的两面上形成电极，然后用银膏进行发红色光的红色发光元件3r与引出电极6的连接。接合红色发光元件3r和引出电极6的银膏硬化后，用环氧树脂进行以蓝宝石(sapphire)基板为底面的蓝色和绿色发光元件3b、3g的连接。此外，通过由金线构成的导线5进行在各个发光元件3r、3b、3g上形成的电极与引出电极6的连接。然后，在封装体1的凹部2内填充由硅树脂构成的密封树脂(未图示)进行密封后，使其硬化。密封树脂硬化后，沿封装体1的引出电极突出面，按照模具弯曲向外部突出的外部电极1a，分离为单件。由此得到能以高亮度和高输出发出白色、蓝色、红色、绿色等光的发光二极管。
其中，在图中的导线5的下方部分(图中用箭头9表示的部分)中不形成凸形的树脂7。这是因为在用导线5连接各个发光元件3r、3b、3g和引出电极6的情况下，在导线5的下方不形成凸形的树脂7便于连接导线5。
用聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide)(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS树脂、环氧树脂、酚醛树脂(phenol resin)、丙烯酸树脂、PBT树脂等树脂、或陶瓷等作为封装体1的材料。封装体1是通过向插入多个正和负引出电极6后封闭的模具内，从位于封装体的下面侧的浇口(gate)流入溶化的材料，然后使其硬化而形成的。
优选用环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、脲醛树脂(urea resin)等耐候性(weather resistance)优异的透明树脂、或者玻璃等作为用作密封树脂的透光性树脂。此外，通过在透光性树脂中含有扩散剂，能缓和发光元件的方向性，增大视角。而且用作密封树脂的透光性树脂也能是含有荧光体的树脂。此外，密封树脂的形状也能是大致半球形、或大致圆柱形。
在上面的实施方式中，由于多个发光元件3r、3b、3g的装载面即金属部件区域4被凸形的树脂部7所隔开，所以分别放置发光元件3r、3b、3g的金属部件区域4的面积变小。其结果是，金属部件区域4与密封树脂的模具部件的接触面积变小，金属材料的膨胀和收缩的影响得到缓和。而且，在引出的引线电极之间，由树脂构成的封装体1的凹部2的底面上露出树脂10，通过使所述封装体1的树脂10的露出面积变多，能使树脂之间的粘合力更强，所以能防止各个发光元件从放置各个发光元件的金属部件区域4或者引出的引线电极错位和脱落等。
此外，由于放置各个发光元件的金属部件区域4的面积变小，所以遮盖树脂与之后为了密封而填充的密封树脂的接触面积增大，密封树脂与由金属构成的引出电极6的接触面积变小。其结果，能够防止由于树脂与金属的热膨胀系数差所造成的发光元件的脱落。
而且，由于在引出电极6之间，凸形的树脂部7成为障碍，所以能够防止因湿度、电位差等引起的电极构成材料的迁移所产生的电极材料的扩散。其结果，防止了引出电极6之间的短路，维持了发光装置的可靠性。
(实施方式2)
接下来用图2A、2B说明本发明实施方式2的半导体发光装置。图2A是作为本发明实施方式2的半导体发光装置的顶视型的表面安装型发光二极管的平面图，图2B是表示其IIB-IIB线剖面的图。对于实施方式2的半导体发光装置中与实施方式1相同的要素给予相同的编号，省略说明。图2中，在封装体11的凹部12内设置发光元件(红色发光元件3r、蓝色发光元件3b、绿色发光元件3g)、凸形的树脂部13、导电性导线5、作为金属部件区域的引出电极14和引出电极15。
在形成封装体11时，首先，用模具冲切镀了银的含铁铜板，图案化具有希望形状的金属部，形成金属板。然后，用具有凸形树脂部13的形状的、由聚邻苯二甲酰胺(PPA)构成的下部封装体和具有开口路径向垂直上方变大的开口部12的由聚邻苯二甲酰胺(PPA)构成的上部封装体夹住该金属板的上下。然后使上部封装体和下部封装体粘合，将引出电极14、15和硬化后的树脂聚邻苯二甲酰胺(PPA)一体成形，由此形成表面安装型封装体。其中，在分别装载发光元件3r、3g、3b的多个引出电极14之间、在连接了导线5的多个引出电极15之间、以及在引出电极14、15之间分别形成凸形的树脂部13，使其相互绝缘并进行分割。
封装体11具有作为设置发光元件3的开口部的凹部12，在封装体11的凹部12内设置镀了银的铜板图案作为引出电极14、15。各个发光元件3分别装载在封装体11的凹部12的底面的大致中心部上。
另一方面，用具有发出主波长为约470nm的蓝色光的InGaN半导体的蓝色发光元件3b、具有发出主波长为约525nm的绿色光的InGaN半导体的绿色发光元件3g、和具有发出主波长为约630nm的红色光的AlInGaP半导体的红色发光元件3r作为发光元件。各个发光元件3b、3g、3r与成为它们的装载面的引出电极14的模具连接，使得首先在发光元件的两面上形成电极，然后用银膏来进行红色发光元件3r与引出电极14的连接。连接红色发光元件3r和引出电极14的银膏硬化后，用硅树脂进行以蓝宝石基板为底面的蓝色发光元件3b和绿色发光元件3g的连接。此外，通过由金线构成的导线5进行在各个发光元件3b、3g、3r上形成的电极与引出电极15的连接。然后，在封装体11的凹部12内填充由硅树脂构成的密封树脂(未图示)进行密封后，使其硬化。密封树脂硬化后，分离为单独的制品。由此得到能以高亮度和高输出发出白色、蓝色、红色、绿色等光的发光二极管。
过去，由于电极之间的电位差、以及从周围空气吸附到表面上的水分的存在，产生镀了银的引出电极14、15的镀银的迁移，产生在引线电极14、15之间引起电短路的现象，因此产生发光元件不点亮这样的问题。与此相对，根据本实施方式2的结构，由于在镀了银的引出电极14相互之间、以及引出电极15相互之间形成凸形的树脂部13(图中的斜线部分)，所以凸形的树脂部13成为银迁移的障碍，能防止引出电极之间的电短路。
再有，图2A的虚线表示密封树脂16，该密封树脂16的形状能是如图2B所示的大致圆柱状或圆顶状等。其中，装载的发光元件能是一个以上，如本实施方式所示，能装载红、蓝、绿色发光元件各1个共3个。此外，也能装载4个同色的发光元件制作光输出高的发光装置。
(实施方式3)
用图3说明本发明实施方式3的半导体发光装置。图3是作为本发明实施方式3的半导体发光装置的、由齐纳(zener)二极管所构成的顶视型的表面安装型发光二极管的平面图。对于本发明实施方式3的半导体发光装置，与实施方式1相同的要素给予相同的编号，省略说明。图3中，在封装体21的凹部22中设置蓝色发光元件3b、凸形的树脂部23、导电性导线5、作为金属部件区域的引出电极24、引出电极25和齐纳二极管26，由它们构成顶视型的表面安装型发光二极管。
在形成封装体21时，首先用模具冲切镀了银的含铁铜板，形成将具有希望形状的金属部图案化了的金属板。然后，用具有凸形树脂部23(图中斜线部分)的形状的、由聚邻苯二甲酰胺(PPA)构成的下部封装体和具有开口路径向垂直上方变大的开口部22的由聚邻苯二甲酰胺(PPA)构成的上部封装体夹住该金属板的上下。然后使上部封装体和下部封装体粘合，将引出电极24、25和硬化后的树脂聚邻苯二甲酰胺(PPA)一体成形，由此形成表面安装型封装体。其中，在作为蓝色发光元件3b装载面的引出电极24相互之间、以及在作为齐纳二极管26装载面的引出电极25相互之间分别形成凸形的树脂部23。
封装体21具有形成设置蓝色发光元件3b的开口部的凹部22，在该凹部22的底面内设置镀了银的铜板图案作为引出电极24、25。蓝色发光元件3b装载在凹部22的底面的大致中心部上。
其中，用具有发出主波长为约470nm的蓝色光的InGaN半导体作为蓝色发光元件3b。将这些蓝色发光元件3b装载在作为装载面的引出电极24上。用银膏来进行蓝色发光元件3b与作为其装载面的引出电极24的模具连接。此外，用由金线构成的导线5进行在发光元件3b上形成的电极与引出电极25的连接。接下来，用银膏来进行齐纳二极管26与引出电极25的模具连接。此外，用由金线构成的导线5进行在齐纳二极管26上形成的电极与引出电极24的连接。然后，在封装体21的凹部22内填充荧光体(Ba，Sr)2SiO4∶Eu与硅树脂的重量比为1∶4的密封树脂(未图示)进行密封，然后使其硬化。在密封树脂硬化后，沿封装体21的引出电极突出面，按照模具弯曲向外部突出的外部电极27，分离为单独的制品。由此得到能发出高亮度并且高输出的白色光的发光二极管。
其中，与实施方式2相同，在实施方式3中，由于在镀了银的引出电极24、25之间形成了凸形的树脂部23，所以凸形的树脂部23成为银迁移的障碍，防止了引出电极24、25之间的电短路。
此外，荧光体发黄色荧光，由从作为催化Eu(铕)的α-硅铝氧氮陶瓷(sialon)的Ca(Si，Al)12(O，N)16:Eu、作为BOSE:Eu类的(Ba，Sr)2SiO4、(Y，Gd)3Al5O12:Ce和Tb3Al5O12:Ce中选择的至少一种以上构成。通过最恰当地混合荧光体，得到能发出接近白色的高亮度和高输出的光的发光二极管。
这里，通过最恰当地混合以下荧光体：从(Ba，Mg)Al10O17:Eu、Mn，作为催化Eu(铕)活的β-硅铝氧氮陶瓷的(Si，Al)6(O，N)8:Eu，SrAl2O4:Eu，Ba1.5Sr0.5SiO4:Eu，BaMgAl10O17:Eu、Mn，Ca3(Sc，Mg)2Si3O12:Ce，Lu3Al5O12:Ce，CaSc2O4:Ce，ZnS:Cu、Al，(Zn，Cd)S:Cu、Al，Y3Al5O12:Tb，Y3(Al，Ga)5O12:Tb，Y2SiO5:Tb，Zn2SiO4:Mn，(Zn，Cd)S:Cu，ZnS:Cu，Gd2O2S:Tb，(Zn，Cd)S:Ag，Y2O2S:Tb，(Zn，Mn)2SiO4，BaAl12O19:Mn，LaPO4:Ce、Tb，Zn2SiO4:Mn，CeMgAl11O19:Tb，和BaMgAl10O17:Eu、Mn中选择的至少一种以上发绿色荧光的荧光体；和从作为催化Eu(铕)的纯氮化物的库辛(cousin)(CaAlSiN3:Eu)，(Sr，Ca)AlSiN3:Eu，Y2O2S:Eu，Y2O3:Eu，Zn3(PO4)2:Mn，(Y，Gd，Eu)BO3，(Y，Gd，Eu)2O3，YVO4:Eu，和La2O2S:Eu、Sm中选择的至少一种以上发红色荧光的荧光体，得到电灯颜色和高显色性的、能发出高亮度和高输出的光的发光二极管。
(实施方式4)
用图4说明本发明实施方式4的半导体发光装置。图4是本发明实施方式4的半导体发光装置的平面图。对于本发明实施方式4的半导体发光装置，与实施方式1相同的要素给予相同的编号，省略说明。图4中，在封装体31的凹部32中设置红色发光元件3r、蓝色发光元件3b、绿色发光元件3g、凸形的树脂部33、导电性导线5、作为金属部件区域的引出电极34、以及引出电极35。
这里，从图4中可见，封装体31的凹部32的底面上引出电极34、35的面积小，这是由于形成了凸形的树脂部33，使其部分覆盖了引出电极34、35的上面。因此，引出电极34、35的面积在形成凸形树脂部33的情况和没有形成凸形树脂部33的情况下没有变化，与实施方式1～3相同，各个发光元件所产生的热通过引出电极34、35向外部放热。
(实施方式5)
用图5A、5B说明本发明实施方式5的半导体发光装置。图5A是本发明实施方式5的半导体发光装置的正面图，图5B是该实施方式的半导体发光装置的剖面图。对于本发明实施方式5的半导体发光装置，与实施方式1相同的要素给予相同的编号，省略说明。图5A、5B中，在封装体41中设置在蓝色发光元件上遮盖了荧光体的发光元件3、凸形的树脂部43、导电部44、和作为金属部件区域的引出电极45、46。发光元件3通过在蓝色发光元件上遮盖荧光体来构成，透镜形状(大致半球状)的密封树脂47遮盖其上部。
这里，能看到在封装体的凹部底面上引出电极45、46少，但是由于将遮盖树脂43形成为部分覆盖引出电极45、46，所以发光元件3所产生的热通过引出电极45、46向外部放热。
而且，根据本实施方式的结构，露出的金属部(引出电极45、46等)变得非常少，粘合性良好的树脂之间、透镜形状的密封树脂47和凸形的树脂部43的接触区域变大，所以密封树脂47和树脂部43的粘合性良好。其结果，消除了产生透镜形状的密封树脂47的剥落、浮动等问题。
根据由所述各个实施方式所说明的本发明，能防止在制造发光元件必要的装置时，在进行向电路基板等安装的情况下，侧面发光型和顶部发光型表面安装型发光装置的树脂脱落和电短路。其结果，本发明的半导体发光装置能在使用LED发光元件的显示装置等中加以利用。
虽然详细说明并表示了本发明，但是本发明不仅用于示例，也不受其限定。

Claims (22)

1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：
3个以上的金属板，设置在具有凹部的封装体的凹部中；
3个发光元件，分别被放置在所述3个以上的金属板之中的3个金属板的上表面上，且被配置成一列；
第1凸状树脂部，位于搭载了发光元件的相邻的金属板之间，且比金属板的上表面更突出；
第1遮盖树脂部，覆盖所述3个以上的金属板中的至少一个金属板的一部分；
密封树脂，设置在所述凹部中，且与所述第1凸状树脂部和所述第1遮盖树脂部接触，
所述3个发光元件是红色发光元件、绿色发光元件及蓝色发光元件，所述蓝色发光元件位于发光元件的列的一端。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
利用相同的材料形成所述封装体和所述第1遮盖树脂部。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述第1遮盖树脂部覆盖搭载了发光元件的金属板的一部分，
所述半导体发光装置还包括第2遮盖树脂部，该第2遮盖树脂部覆盖搭载了所述3个发光元件的金属板以外的金属板的一部分，且与所述密封树脂接触。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述半导体发光装置还包括：第2凸状树脂部，位于搭载了所述3个发光元件的金属板以外的相邻的金属板之间，比金属板的上表面更突出，且与所述密封树脂接触。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述密封树脂包括硅树脂。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述硅树脂包含扩散剂。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述金属板包含银。
8.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含聚邻苯二甲酰胺。
9.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含聚苯硫醚。
10.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含液晶聚合物。
11.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含环氧树脂。
12.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：
多个金属板，设置在具有凹部的封装体的凹部中；
多个发光元件，分别被放置在所述多个金属板之中的几个金属板的上表面上；
第1凸状树脂部，位于搭载了发光元件的金属板以外的、通过导线被连接到对应的发光元件的相邻的金属板之间，且比金属板的上表面更突出；
第1遮盖树脂部，覆盖所述多个金属板中的至少一个金属板的一部分；
密封树脂，设置在所述凹部中，且与所述第1凸状树脂部和所述第1遮盖树脂部接触，
在所述导线的下方未形成所述第1凸状树脂部。
13.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其特征在于，
利用相同的材料形成所述封装体和所述第1遮盖树脂部。
14.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述第1遮盖树脂部覆盖搭载了发光元件的金属板的一部分，
所述半导体发光装置还包括第2遮盖树脂部，该第2遮盖树脂部覆盖搭载了所述多个发光元件的金属板以外的金属板的一部分，且与所述密封树脂接触。
15.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述半导体发光装置还包括：第2凸状树脂部，位于搭载了所述多个发光元件的金属板的相邻的金属板之间，比金属板的上表面更突出，且与所述密封树脂接触。
16.根据权利要求12至15的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述密封树脂包括硅树脂。
17.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述硅树脂包含扩散剂。
18.根据权利要求17所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述金属板包含银。
19.根据权利要求17所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含聚邻苯二甲酰胺。
20.根据权利要求17所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含聚苯硫醚。
21.根据权利要求17所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含液晶聚合物。
22.根据权利要求17所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述封装体包含环氧树脂。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
JP5322805B2 (ja) * 2009-06-26 2013-10-23 三菱電機株式会社 画像表示素子及びその製造方法
JP5613400B2 (ja) * 2009-11-18 2014-10-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP2012028743A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012033884A (ja) * 2010-06-29 2012-02-16 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
KR101705700B1 (ko) * 2010-07-01 2017-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101851818B1 (ko) 2010-11-11 2018-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치와 회로 기판의 제조 방법
JP2012186450A (ja) * 2011-02-16 2012-09-27 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュール
TW201312807A (zh) 2011-07-21 2013-03-16 Cree Inc 光發射器元件封裝與部件及改良化學抵抗性的方法與相關方法
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
WO2013082445A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
JP6291800B2 (ja) * 2012-12-26 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10026875B2 (en) 2013-06-18 2018-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light-source device and light-emitting device
US9257616B2 (en) 2013-08-27 2016-02-09 Glo Ab Molded LED package and method of making same
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
US9142745B2 (en) * 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
KR101476217B1 (ko) * 2014-05-28 2014-12-24 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
JP6576094B2 (ja) * 2014-06-16 2019-09-18 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP6314968B2 (ja) 2015-12-25 2018-04-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105742461A (zh) * 2016-02-25 2016-07-06 深圳市丽晶光电科技股份有限公司 一种封装led及其制造方法
JP6399057B2 (ja) * 2016-08-22 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113285003B (zh) * 2021-04-30 2023-07-25 深圳市得润光学有限公司 一种制造led支架的方法以及led支架

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1292154A (zh) * 1998-06-30 2001-04-18 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 辐射发送和/或接收元件
CN1523681A (zh) * 2003-02-18 2004-08-25 夏普株式会社 半导体发光装置及其制造方法和电子图像拾取装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126230A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6247156A (ja) 1985-08-26 1987-02-28 Toshiba Corp 絶縁ゲ−ト型半導体装置
JP3707024B2 (ja) * 1997-04-17 2005-10-19 松下電器産業株式会社 電子部品
JP4239509B2 (ja) * 2002-08-02 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2005158958A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20060125716A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Wong Lye Y Light-emitting diode display with compartment
JP4811905B2 (ja) * 2005-02-25 2011-11-09 ローム株式会社 半導体発光装置
JP4548166B2 (ja) * 2005-03-22 2010-09-22 パナソニック株式会社 線状光源装置
JP2007201361A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2007227693A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子収納用パッケージ及びその製造方法
JP5119621B2 (ja) 2006-04-21 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2007027801A (ja) * 2006-11-01 2007-02-01 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器及びその製造方法
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1292154A (zh) * 1998-06-30 2001-04-18 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 辐射发送和/或接收元件
CN1523681A (zh) * 2003-02-18 2004-08-25 夏普株式会社 半导体发光装置及其制造方法和电子图像拾取装置

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