CN113285003B - 一种制造led支架的方法以及led支架 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电镀工艺领域，公开了一种制造LED支架的办法以及LED支架，制造LED支架的办法包括：提供导电件，包括连接部和导电部，引脚的一端与连接部连接；提供遮挡件；将遮挡件覆盖连接部，以遮挡连接部；对导电件进行连续镀，以在导电部镀上导电层，其中，导电部和导电层共同形成引脚；去除连接部上的遮挡件；将引脚相对于连接部折弯；将导电件的连接部置入模具内，并向模具注入液态的塑胶原料；对液态的塑胶原料进行冷却，以使液态的塑胶原料形成架体，其中，连接部部分嵌入架体，部分暴露于架体。通过上述方式，本发明实施例能够实现导电件与塑料的高度结合，降低塑料件从导电件上脱离的风险。
Description
技术领域
本发明实施例涉及电镀工艺领域，特别是涉及一种制造LED支架的方法以及LED支架。
背景技术
电镀就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到防止金属氧化(如锈蚀)，提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性(硫酸铜等)及增进美观等作用。
本发明的发明在实现本发明的过程中发现，经过电镀处理后的金属往往和塑料的结合性不佳，特别体现在LED支架上，电镀后的导电件和注塑在导电件上的架体通常因为结合度低发生脱离，从而增加LED支架在使用过程中外界杂质进入LED支架内部损害位于LED支架内电子器件的风险。
发明内容
本发明实施例主要解决的技术问题是提供一种制造LED支架的方法以及LED支架，能够增强LED支架的架体和导电件之间的结合性。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种制造LED支架的方法，包括：
提供导电件，所述导电件包括连接部和导电部，所述引脚的一端与所述连接部连接；
提供遮挡件；
将所述遮挡件覆盖所述连接部，以遮挡所述连接部；
对所述导电件进行连续镀，以在所述导电部镀上导电层，其中，所述导电部和导电层共同形成引脚；
去除所述连接部上的遮挡件；
将所述引脚相对于所述连接部折弯；
将所述导电件的连接部置入模具内，并向所述模具注入液态的塑胶原料；
对液态的所述塑胶原料进行冷却，以使液态的所述塑胶原料形成架体，其中，所述连接部部分嵌入所述架体，部分暴露于所述架体。
可选的，对所述导电件进行连续镀，以在所述导电部镀上导电层的步骤，包括：
对所述导电件进行清洁处理；
对导电件进行电镀处理；
对所述导电件进行防护处理。
可选的，对导电件进行清洁处理包括以下步骤:
电解除油，由此洗除导电件表面的油渍及污垢；
酸洗活化，由此抛光导电件，去掉导电件表面的氧化层或杂质。
可选的，所述电镀处理包括以下步骤：
镀铜处理，通过在导电件表面进行电镀附着铜层，增强后续镀层的结合性；
镀银处理，将镀铜处理后的导电件进行电镀附着银层。
可选的，所述镀铜处理包括以下步骤：
镀前碱铜，将所述导电件置于碱性环境下对导电件表面进行电镀附着第一铜层，其中，所述第一铜层的厚度为5-30μm。
可选的，所述镀铜处理包括以下步骤：
镀前碱铜，将所述导电件置于碱性环境下对导电件表面进行电镀附着第一铜层，其中，所述第一铜层的厚度为5-30μm；
镀镍，对导电件表面进行电镀附着镍层，镍层的厚度为10-35μm；
镀后碱铜，将导电件置于碱性环境下对导电件表面进行电镀附着第二铜层，所述第二铜层的厚度为5-30μm。
可选的，对所述导电件进行镀铜处理包括以下步骤：
镀前碱铜，将所述导电件置于碱性环境下对导电件表面进行电镀附着第一铜层，其中，所述第一铜层的厚度为5-30μm；
镀酸铜，将所述导电件置于酸性环境下对导电件表面进行电镀附着第二铜层，其中，所述第二铜层的厚度为40-150μm；
镀镍，对导电件表面进行电镀附着镍层，镍层的厚度为10-35μm；
镀后碱铜，将导电件置于碱性环境下对导电件表面进行电镀附着第三铜层，所述第三铜层的厚度为5-30μm。
可选的，所述对所述导电件进行镀银处理还包括以下步骤：
预镀银，将导电件整体浸入电镀液中使导电件整体的表面附着银层，银层的厚度为1-10μm；
选镀银，将导电件放置于镀银模具上然后对导电件进行银层附着；其中，放置于所述镀银模具上的导电件仍覆盖有遮挡件。
可选的，所述防护处理还包括以下步骤：
后保护，将导电件浸泡在一定浓度的保护剂内，从而增强镀层的抗氧化性；
清洗烘干，将导电件进行水洗，然后对水洗后的导电件表面的水分烤干。
本发明还提供一种LED支架实施例，所述LED支架是采用如上述任意一项实施例所述的方法制备得到的。
在本发明实施例中，通过所述遮挡件对所述导电件的连接部遮挡后电镀处理，从而让所述导电件的连接部保持金属的基底材质，使所述导电件和注塑成型的架体结合性更好，降低架体和导电件脱离的风险。
附图说明
图1是本发明制造LED支架的流程图；
图2是本发明导电件实施例的结构示意图；
图3是图1步骤40的工艺流程图；
图4是图3步骤401清洁处理详细流程图；
图5是图3步骤402电镀处理的详细流程图；
图6是图5步骤4021镀铜的详细流程图；
图7是图5步骤4022镀银的详细流程图；
图8是图3步骤403防护处理的详细流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面结合附图和具体实施例，对本发明进行更详细的说明。需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本发明。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，制造LED支架的方法包括：
步骤10：提供导电件；
如图2所示，所述导电件1包括连接部10和导电部20，所述导电部20的一端与所述连接部10连接。
步骤20:提供遮挡件；
步骤30:将所述遮挡件覆盖所述连接部10，以遮挡所述连接部10；
步骤40:对所述导电件进行连续镀，以在所述导电部镀上导电层，其中，所述导电部和导电层共同形成引脚；
在一些实施例中，如图3所示，对所述导电件进行连续镀，以在所述导电部镀上导电层的步骤，包括：
步骤401：对所述导电件1进行清洁处理，从而对所述导电件1进行清洁，去除导电件1上的污渍；
在一些实施例中，如图4所示，对所述导电件进行清洁处理的步骤，包括：
步骤4011：对所述导电件1进行电解除油，即将所述导电件1放入碱性溶液中，以所述导电件1作为阳极或阴极，采用一金属作为第二电极，在接通直流电时，所述导电件1因为通电而发生极化作用，极化作用下的导电件1降低了油与溶液的界面张力，使得溶液对导电件1表面的湿润性增加和让油膜与金属间的粘附力减小，并且所述导电件1的表面将会发生氧化或还原反应，产生大量的小气泡，而这些小气泡容易吸附在油膜的表面，随着气泡的增多和长大，包裹着气泡的油膜将被撕裂成众多小油滴并带到溶液的液面上，从而让油污更快速、容易的从所述导电件1的表面脱离并分散到溶液，达到除油的目的。其中，当所述导电件1作为阴极时，极化后的导电件1表面发生的是还原反应，所述导电件1表面将析出氢气，当所述导电件1作为阳极时，极化后的导电件1表面发生的是氧化反应，本发明实时例中所述导电件1在电解除油过程中作为阳极，由此，经过电解除油后的所述导电件可以去除表面的油渍以及污垢；
步骤4012：对电解除油后的导电件1进行酸洗活化处理，即将清洁处理后的导电件1置入酸溶液中，使所述导电件1电解除油时产生的氧化层与酸溶液反应，去除导电件1表面的氧化层或其他杂质，实现对所述导电件1的抛光。由此，抛光后的导电件1显露原本的金属基底，提高所述导电件1的连接部10和架体的结合性与增强所述导电件1的导电部20与后续附着于导电部20上的镀层的结合性。
步骤402：对所述导电件1进行电镀处理，即将清洗完毕后的导电件1取出并覆盖所述遮挡件至所述导电件1的连接部10，然后将所述导电件1置入电镀工站进行电镀处理，由此可实现所述导电件1的连接部10覆盖有所述遮挡件并朝向所述遮挡件的连接部10一面保持原有的金属表面，所述导电部20以及背离所述遮挡件的连接部10则进行电镀处理，从而在增强所述导电件1导电性能的同时提高导电件1和注塑成型的架体之间的结合性能；
在一些实施例中，如图5所示，对所述导电件1进行电镀处理的步骤，包括：
步骤4021：镀铜，首先将清洁处理后的导电件1覆盖遮挡件，所述遮挡件贴合所述导电件1的连接部10覆盖，然后将覆盖有遮挡件的所述导电件1置入镀铜工站进行镀铜处理，经过镀铜处理后的导电件1表面附着铜层，可以提高所述导电件1的导电性能和增强后续镀层和所述导电件1的结合性；
步骤4022：镀银，将镀铜处理后的导电件1置入镀银工站进行镀银处理，由此，经过镀银处理后的导电件1具备更好的导电性能。
在一些实施例中，如图6所示，对所述导电件1镀铜步骤4021，包括：
步骤40211：将所述导电件1置于碱性环境下对导电件1表面进行电镀附着第一铜层，此步骤称为镀前碱铜，其具体为：把所述导电件1置入呈碱性的镀铜溶液中，将所述导电件1作为电极的负极，所述导电件1的表面将产生还原反应，溶液中的铜离子将从碱性的镀铜溶液中析出并附着于所述导电件1的表面，当所附着的所述第一铜层厚度达到5-30μm时将所述导电件1取出。由此所述导电件1表面附着了一层薄铜层，使后续镀层可以更好的与所述导电件1相结合，为后续电镀预热。其中，在本发明实施例中，呈碱性的镀铜溶液为氰化亚铜；
在一些实施例中，对所述导电件1镀铜步骤4021，包括：
步骤40211：将所述导电件1置于碱性环境下对导电件1表面进行电镀附着第一铜层，此步骤称为镀前碱铜，其具体为：把所述导电件1置入呈碱性的镀铜溶液中，将所述导电件1作为电极的负极，所述导电件1的表面将产生还原反应，溶液中的铜离子将从碱性的镀铜溶液中析出并附着于所述导电件1的表面，当所附着的所述第一铜层厚度达到5-30μm时将所述导电件1取出。由此所述导电件1表面附着了一层薄铜层，使后续镀层可以更好的与所述导电件1相结合，为后续电镀预热。其中，在本发明实施例中，呈碱性的镀铜溶液为氰化亚铜；
步骤40212：将所述导电件1置于酸性环境下对导电件1表面进行电镀附着第二铜层，此步骤称为镀酸铜，其具体为：把所述导电件1置入呈酸性的镀铜溶液中，将所述导电件1作为电极的负极，所述导电件1的表面将产生还原反应，溶液中的铜离子将从酸性的镀铜溶液中析出并附着于所述导电件1的表面，当所附着的所述第二铜层厚度达到40-150μm时将所述导电件1取出。由此得到附着厚铜层的导电件1，经由此步骤得到的所述导电件1表面具有较为光滑平整的铜镀层表面，使后续镀层可以更好的附着于所述导电件1的表面；
在一些实施例中，如图6所示，对所述导电件1镀铜步骤4021，包括：
步骤40211：对所述导电件1进行镀前碱铜，将所述导电件1置于碱性环境下对导电件1表面进行电镀附着第一铜层，其具体操作为：把所述导电件1置入呈碱性的镀铜溶液中，将所述导电件1作为电极的负极，所述导电件1的表面将产生还原反应，溶液中的铜离子将从碱性的镀铜溶液中析出并附着于所述导电件1的表面，当所附着的所述第一铜层厚度达到5-30μm时将所述导电件1取出。由此所述导电件1表面附着了一层薄铜层，使后续镀层可以更好的与所述导电件1相结合，为后续电镀预热。其中，在本发明实施例中，呈碱性的镀铜溶液为氰化亚铜；
步骤40212：将所述导电件1置于酸性环境下对导电件1表面进行电镀附着第二铜层，此步骤称为镀酸铜，其具体为：把所述导电件1置入呈酸性的镀铜溶液中，将所述导电件1作为电极的负极，所述导电件1的表面将产生还原反应，溶液中的铜离子将从酸性的镀铜溶液中析出并附着于所述导电件1的表面，当所附着的所述第二铜层厚度达到40-150μm时将所述导电件1取出。由此得到附着厚铜层的导电件1，经由此步骤得到的所述导电件1表面具有较为光滑平整的铜镀层表面，使后续镀层可以更好的附着于所述导电件1的表面；
步骤40213：镀镍，把导电件1置入含有镍盐的溶液中，将所述导电件1作为阴极，金属镍作为阳极接通直流电，从而使所述导电件1的表面附着上一层均匀且致密的镍层，当附着的镍层厚度达到10-35μm时将所述导电件1取出。由此，镀镍后的导电件1能大幅减少后续镀银时银原子容易扩散和沿所述导电件1表面滑移的现象；
步骤40214：镀后碱铜，将镀镍后的导电件1置入呈碱性的镀铜溶液中附着第三铜层，将所述导电件1作为电极的负极，所述导电件1的表面将产生还原反应，溶液中的铜离子将从酸性的镀铜溶液中析出并附着于所述导电件1的表面，当所附着的所述第三铜层厚度达到5-30μm时将所述导电件1取出。由此在附着了镍层的所述导电件1上附着一层薄铜层，提高所述导电件1与后续镀层的结合性。
实际操作中，步骤4021可以参照图6所示的三种加工路线的任意一种加工路线完成镀铜工序。
在一些实施例中，对所述导电件镀银步骤4022，包括：
步骤40221：预镀银，把所述导电件1置入含有银化合物的溶液中，将所述导电件1作为阴极，所述导电件1的表面将产生还原反应，溶液中的银离子将析出并附着于所述导电件1的表面，当所附着的银层厚度达到1-10μm时将所述导电件1取出。由此，经过预镀银后的导电件1表面将形成一层薄银层，既增强了所述导电件1的导电能力也保证了所述导电件1与后续镀层所需的结合力；
步骤40222：选镀银，把所述导电件1放入镀银模具中，此时，所述导电件1背离覆盖有所述遮挡件的所述连接部10表面被所述镀银模具所覆盖，当所述导电件1然后将镀银模具置入含有银化合物的溶液中，将所述导电件1作为阴极，所述导电件1的导电部20表面将产生还原反应，溶液中的银离子将析出并附着于所述导电部20的表面。由此，经过选镀银后的导电部20表面将附着银层，使所述导电部20具备更强的导电性能。
值得说明的是，上述含有银化合物的溶液中，银化合物为氰化银。
步骤403：对所述导电件进行防护处理。
在一些实施例中，如图8所示，对所述导电件进行防护处理步骤，包括：
步骤4031：后保护，将电镀完毕后的导电件1置入银保护剂，所述保护剂中的高分子与银形成稳定的金属络合物，钝化银的活性，隔离金属与空气，从而限制银于空气接触，提高银层的抗氧化性与耐腐蚀性。可以理解的是，银保护剂与银层形成的金属络合物对银层的导电性能与焊接性能并无影响；
步骤4032：烘干，将导电件1进行水洗，然后对水洗后的导电件1表面的水分烤干。
另外，值得说明的是，由于铜具有与塑料高度结合的性能以及良好的导电性，本发明的导电件1优选使用铜制备而成。在一些情况下，也可以采用钢材或铝材，以降低成本。
步骤50:去除所述连接部上的遮挡件；
步骤60:将所述引脚相对于所述连接部折弯；
步骤70:将所述导电件的连接部置入模具内，并向所述模具注入液态的塑胶原料；
步骤80:对液态的所述塑胶原料进行冷却，以使液态的所述塑胶原料形成架体，其中，所述连接部部分嵌入所述架体，部分暴露于所述架体。
在本发明实施例中，通过所述遮挡件对所述导电件1的连接部10遮挡后电镀处理，从而让所述导电件1的连接部10保持金属的基底材质，使所述导电件1和注塑成型的架体结合性更好，降低架体和导电件1脱离的风险。
本发明又提供了LED支架实施例，其中，所述LED支架是上述的方法制备得到的
需要说明的是，本发明的说明书及其附图中给出了本发明的较佳的实施例，但是，本发明可以通过许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例，这些实施例不作为对本发明内容的额外限制，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。并且，上述各技术特征继续相互组合，形成未在上面列举的各种实施例，均视为本发明说明书记载的范围；进一步地，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (4)
1.一种制造LED支架的方法，其特征在于，包括：
提供导电件，所述导电件包括连接部和导电部，所述导电部的一端与所述连接部连接；
提供遮挡件；
将所述遮挡件覆盖所述连接部，以遮挡所述连接部；
对所述导电件进行连续镀，以在所述导电部镀上导电层，其中，所述导电部和导电层共同形成引脚，包括：
对所述导电件进行清洁处理，包括：
对所述导电件电解除油，包括：
将所述导电件放入碱性溶液中，将所述导电件作为阳极通过氧化反应以除掉所述导电件表面的油污；
对所述导电件进行酸洗活化，包括：
将清洁处理后的所述导电件置入酸溶液中除掉所述导电件电解除油时产生的氧化层或杂质，以对所述导电件的抛光；
对所述导电件进行电镀处理；
对所述导电件进行镀铜处理，包括：
镀前碱铜，将所述导电件作为电极的负极置入碱性的镀铜溶液中，以使所述导电件的表面发生还原反应并附着第一铜层，所述第一铜层的厚度为5-30μm，其中，所述碱性的镀铜溶液为氰化亚铜，镀后碱铜，将所述导电件作为电极的负极置入呈碱性的镀铜溶液中，以使所述导电件的表面发生还原反应并附着第三铜层，所述第三铜层的厚度为5-30μm；或者，镀前碱铜，将所述导电件作为电极的负极置入碱性的镀铜溶液中，以使所述导电件的表面发生还原反应并附着第一铜层，所述第一铜层的厚度为5-30μm，其中，所述碱性的镀铜溶液为氰化亚铜，镀镍，将导电件作为电极的阴极置入含有镍盐的溶液中，金属镍作为阳极接通直流电，从而使所述导电件的表面附着镍层，所述镍层的厚度为10-35μm，镀后碱铜，将所述导电件作为电极的负极置入呈碱性的镀铜溶液中，以使所述导电件的表面发生还原反应并附着第三铜层，所述第三铜层的厚度为5-30μm；或者，镀前碱铜，将所述导电件作为电极的负极置入碱性的镀铜溶液中，以使所述导电件的表面发生还原反应并附着第一铜层，所述第一铜层的厚度为5-30μm，其中，所述碱性的镀铜溶液为氰化亚铜，镀酸铜，将所述导电件作为电极的负极置入呈酸性的镀铜溶液中，以使所述导电件的表面发生还原反应并附着第二铜层，所述第二铜层的厚度为40-150μm，镀镍，将导电件作为电极的阴极置入含有镍盐的溶液中，金属镍作为阳极接通直流电，从而使所述导电件的表面附着镍层，所述镍层的厚度为10-35μm，镀后碱铜，将所述导电件作为电极的负极置入呈碱性的镀铜溶液中，以使所述导电件的表面发生还原反应并附着第三铜层，所述第三铜层的厚度为5-30μm；
对所述导电件进行镀银处理；
对所述导电件进行防护处理；
去除所述连接部上的遮挡件；
将所述引脚相对于所述连接部折弯；
将所述导电件的连接部置入模具内，并向所述模具注入液态的塑胶原料；
对液态的所述塑胶原料进行冷却，以使液态的所述塑胶原料形成架体，其中，所述连接部部分嵌入所述架体，所述导电部暴露于所述架体外。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述导电件进行镀银处理包括以下步骤：
预镀银，将导电件整体浸入电镀液中使导电件整体的表面附着银层，银层的厚度为1-10μm；
选镀银，将导电件放置于镀银模具上然后对导电件进行银层附着；其中，放置于所述镀银模具上的导电件仍覆盖有遮挡件。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述防护处理包括以下步骤：
后保护，将导电件浸泡在保护剂内；
清洗烘干，将导电件进行水洗，然后对水洗后的导电件表面的水分烤干。
4.一种LED支架，其特征在于，所述LED支架是采用如权利要求1-3中任意一项所述的方法制备得到的。
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106119915A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-16 | 中山品高电子材料有限公司 | 引线框架的电镀方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100262811B1 (ko) * | 1998-11-06 | 2000-08-01 | 이영철 | 에어 캐비티를 가지는 플라스틱 패키지 및 그 제조방법 |
| JP5349811B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2013-11-20 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN101867009B (zh) * | 2010-05-07 | 2014-10-15 | 厦门永红科技有限公司 | 一种led引线框架及其电镀方法和电镀设备 |
| TWM403757U (en) * | 2010-10-08 | 2011-05-11 | Fu Sheng Ind Co Ltd | LED frame structure |
| CN102544338A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-07-04 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 发光二极管导线架 |
| CN105088319B (zh) * | 2014-05-13 | 2017-12-19 | 环视先进数字显示无锡有限公司 | 一种基于无机物的led中心基板的制造方法 |
| CN105463539A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 泰州华龙电子有限公司 | 一种铁镍合金框架电镀的方法 |
| DE102016103354A1 (de) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil mit einem leiterrahmen |
| CN105751427A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-07-13 | 高铭电子（惠州）有限公司 | 一种五金注塑开关的制备方法 |
| CN106400070A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-02-15 | 宁波埃斯科光电有限公司 | 一种铁基材引线框架局部镀银的电镀方法 |
| CN110791788A (zh) * | 2019-09-03 | 2020-02-14 | 深圳市崇辉表面技术开发有限公司 | 发光二极管支架的电镀方法及系统、发光二极管支架 |
-
2021
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106119915A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-16 | 中山品高电子材料有限公司 | 引线框架的电镀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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