CN105742461A - 一种封装led及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种封装LED及其制造方法，包括基座、反射杯、LED芯片、多个导电极，所述导电极设置在所述基座上，所述反射杯设置在所述导电极上，所述LED芯片设置在所述反射杯内，所述导电极用于与LED芯片的正极或负极电连接，还包括设置在所述基座上的绝缘的凸台，所述凸台位于所述反射杯内，所述凸台设置在相邻的导电极之间的间隙。本封装LED通过的凸台可以有效增加导电极之间的银迁移距离，降低导电极之间出现短路，提高了封装LED的使用寿命。本发明特别有利于小于2.1mm*2.1mm尺寸LED表贴灯增加生产直通率和降低失控率。

Description

一种封装LED及其制造方法

【技术领域】

本发明涉及一种封装LED及其制造方法。

【背景技术】

随着LED技术的迅速发展，LED显示屏的应用方式越来越广泛，市场对高像素密度LED显示屏的需求量巨增，而高像素密度LED显示屏对使用的LED灯的尺寸也要求越来越小，但传统上的一般结构的小尺寸的LED灯支架，其铜材导线架与塑胶反射杯(PPA)的结合处靠塑胶注塑实现包裹，这种LED在长期使用后容易导致失效。

【发明内容】

经过研究发现，上述现有的LED灯中，铜材导线架与塑胶反射杯(PPA)存在物理间隙，在制作LED表贴封装过程和后期应用过程中，受温度等变化的影响，不断的产生应力，物理间隙会变大。最终，其LED表贴灯产品在应用过程中，会有潮湿气体渗入内部。进一步的，潮湿气体进入内部后，在电冲击、热作用的综合条件下，铜线导线架的表面银镀层，会产生银离子迁移，最终造成正负极导线架短路，致使LED表贴灯失效。

如图1所示，由于传统的铜材导线架(导电极)表面镀银，当潮湿气体进入LED表贴灯内部后，在电冲击、热作用的综合条件下，会产生银离子迁移；银迁移(SilverMigration)现象是指在存在直流电压梯度的潮湿环境中，水分子渗入含银导体表面电解形成氢离子和氢氧根离子：H20→H⁺+OH-。

银在电场及氢氧根离子的作用下，离解产生银离子，并产生下列可逆反应：在电场的作用下，银离子从高电位向低电位迁移，并形成絮状或枝蔓状扩展，在高低电位相连的边界上形成黑色氧化银。通过著名的水滴试验可以很清楚地观察到银迁移现象。水滴试验十分简单，在相距很近的含银的导体间滴上水滴，同时加上直流偏置电压就可以观察到银离子迁移现象。

银离子的迁移会造成无电气连接的导体间形成旁路，造成绝缘下降乃至短路。除导体组份中含银外，导致银迁移产生的因素还有：基板吸潮；相邻近导体间存在直流电压，导体间隔愈近，电压愈高愈容易产生；偏置时间；环境湿度水平；存在离子或有沾污物吸附；表面涂覆物的特性等。

银迁移造成旁路引起失效有以下特征：在高湿存在偏压的情况下产生；银离子迁移发生后在导体间留下残留物，在干燥后仍存在旁路电阻，但其伏-安特性是非线性的，同时具有不稳定和不可重复的特点。这与表面有导电离子沾污的情况相类似。

为了解决现有技术的问题，本发明提供了一种封装LED及其制造方法，以提高LED的使用寿命。

一种封装LED，包括基座、反射杯、LED芯片、多个导电极，所述导电极设置在所述基座上，所述反射杯设置在所述导电极上，所述LED芯片设置在所述反射杯内，所述导电极用于与LED芯片的正极或负极电连接，还包括设置在所述基座上的绝缘的凸台，所述凸台位于所述反射杯内，所述凸台设置在相邻的导电极之间的间隙。

在一个实施例中，

所述导电极的表面上镀有银层。

在一个实施例中，

所述导电极是经过镀镍钯浸金处理的铜。

在一个实施例中，

所述凸台的横截面是梯形，所述凸台的与基座接触的一边是所述梯形的下底。

在一个实施例中，

还包括导线，所述导线用于将所述芯片的正极或负极与导电极中的公共电极电连接，所述导线跨过所述凸台。

在一个实施例中，

还包括灌封胶水，所述灌封胶水设置在所述反射杯内，所述LED芯片和导线在所述灌封胶水内。

在一个实施例中，

所述导电极与所述凸台的侧面粘接。

本发明还提供了一种所述的封装LED的制造方法，包括如下步骤：

S1、将所述多个导电极固定在模具中；

S2、向所述模具喷射塑胶，在所述多个导电极下方形成所述基座，在所述多个导电极上方形成所述反射杯，在所述导电极之间的间隙上形成所述凸台；

S3、打开所述模具。

本发明的有益效果是：

本封装LED通过的凸台可以有效增加导电极之间的安全距离，降低导电极之间出现短路，提高了封装LED的使用寿命。

本发明特别有利于小于2.1mm*2.1mm尺寸LED表贴灯增加生产直通率和降低失控率。

【附图说明】

图1是本发明一种实施例的封装LED的结构示意图

图2是本发明一种实施例的封装LED的结构示意图

图3是本发明一种实施例的封装LED的结构示意图

图4是本发明一种实施例的封装LED的结构示意图

【具体实施方式】

以下对发明的较佳实施例作进一步详细说明。

如图1至4所示，一种实施例的封装LED，包括基座13、反射杯11(例如采用PPA塑胶)、LED芯片16、设置在所述基座13上的绝缘的凸台12，多个导电极，如正导电极14、导电极15、导电极19和导电极20，所述导电极设置在所述基座13上，所述反射杯11设置在所述导电极上，所述LED芯片16设置在所述反射杯11内，所述导电极用于与LED芯片16的正极或负极电连接，所述凸台12位于所述反射杯11内，所述凸台12设置在相邻的导电极之间，如图2所示，正导电极14与导电极15之间，导电极15与导电极19之间，导电极19与导电极20之间，导电极14与导电极20之间均设置了凸台12。

在导电极的表面上镀有银层的情况下，即使导电极之间的银发生迁移，凸台12会起到阻隔银迁移的作用，降低了导电极之间出现短路的几率。

在一个实施例中，所述凸台12的横截面是梯形，所述凸台12的与基座13接触的一边是所述梯形的下底，即凸台12的底部较宽而顶部较窄，凸台的侧面形成一个斜面。

如图2所示，封装LED还包括导线17，导线17可以采用金线或铜线(铜钯线)，所述导线17焊接采用引线键合技术用于将所述芯片16的正极或负极与导电极中的公共电极14电连接，所述导线17跨过所述凸台12，在焊接导线17时，由于导线17有凸台12的支撑，不容易坍塌而导致短路，如图4所示，如果导线17坍塌了而与导电极19电连接，造成短接，而凸台17可以有效防止导线17坍塌而造成的短路。

在一个实施例中，凸台12突出于导电极上面，所述导电极与所述凸台12的侧面粘接，这样增加了灌封胶水18与凸台12之间的结合力，并增强了导电极与凸台12的结合力，由于凸台12、基底13和反射杯11是绝缘的，与导电极是不同的材料，在应力的作用下导电极与这三者容易分离，通过使灌封胶水18与凸台12之间的结合，导电极与凸台12的侧面粘接，可以使得灌封胶水18、导电极、凸台12、基底13和反射杯11之间不容易分离，并提升LED的气密性。

封装LED还包括灌封胶水18，所述灌封胶水18设置在所述反射杯11内，所述LED芯片16和导线17在所述灌封胶水内。

在一个实施例中，所述导电极是经过镀镍钯浸金处理的铜，这样，电极之间不会存在银的迁移。

如图1至4所示，一种封装LED的制造方法，包括如下步骤：

S1、将所述多个导电极固定在模具中；

S2、向所述模具喷射塑胶，在所述多个导电极下方形成所述基座13，在所述多个导电极上方形成所述反射杯11，在所述导电极之间的间隙上形成所述凸台12；

S3、打开所述模具，取出已成型的部件，然后在反射杯11内设置LED芯片16和导线，然后在反射杯11内注入灌封胶水18，即得到封装LED。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (8)

1.一种封装LED，包括基座、反射杯、LED芯片、多个导电极，所述导电极设置在所述基座上，所述反射杯设置在所述导电极上，所述LED芯片设置在所述反射杯内，所述导电极用于与LED芯片的正极或负极电连接，其特征是，还包括设置在所述基座上的绝缘的凸台，所述凸台位于所述反射杯内，所述凸台设置在相邻的导电极之间的间隙。

2.如权利要求1所述的封装LED，其特征是，所述导电极的表面上镀有银层。

3.如权利要求1所述的封装LED，其特征是，所述导电极是经过镀镍钯浸金处理的铜。

4.如权利要求1所述的封装LED，其特征是，所述凸台的横截面是梯形，所述凸台的与基座接触的一边是所述梯形的下底。

5.如权利要求1所述的封装LED，其特征是，还包括导线，所述导线用于将所述芯片的正极或负极与导电极中的公共电极电连接，所述导线跨过所述凸台。

6.如权利要求5所述的封装LED，其特征是，还包括灌封胶水，所述灌封胶水设置在所述反射杯内，所述LED芯片和导线在所述灌封胶水内。

7.如权利要求1所述的封装LED，其特征是，所述导电极与所述凸台的侧面粘接。

8.一种如权利要求1所述的封装LED的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

S1、将所述多个导电极固定在模具中；

S2、向所述模具喷射塑胶，在所述多个导电极下方形成所述基座，在所述多个导电极上方形成所述反射杯，在所述导电极之间的间隙上形成所述凸台；

S3、打开所述模具。