JP2005033028A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体発光素子で発生した熱を外部に良好に放出させることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子２を第１の導体３のカップ状部分１１に電気的及び機械的に結合する。半導体素子２の上面の電極をワイヤ２２で第２の導体４に接続する。第１及び第２の導体３，４の幅広領域１６、１７、２５を設ける。第１及び第２の導体３，４の回路基板２１から突出する部分に溝１８、２６を設け、複数の突出部分１９ａ〜１９ｅ、２７ａ、２７ｂを形成する。絶縁被覆体５を熱伝導率の高い第１の絶縁被覆体６と光透過性を有する第２の絶縁被覆体７とで構成する。第１の絶縁被覆体６を半導体発光素子２に接近させて配置する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体発光素子の熱を良好に放出できる半導体発光装置に関する。

反射板及び放熱板として機能するカップ形状の支持電極に半導体発光素子を固着し、半導体素子と支持電極等を樹脂封止体によって被覆した半導体発光装置は後記特許文献１等で公知である。

このような半導体発光装置において高輝度化を図るためには、半導体発光素子に比較的大きな電流を流す必要がある。このため、高輝度半導体発光装置では、一般に電力損失が大きくなる。また、半導体発光素子の輝度（光度）は温度に対して負の温度係数を有する。即ち、発光素子の温度が高くなると輝度が低下する。このため、点灯初期では、輝度の大きい半導体発光装置が得られても、時間が経過するにつれて半導体発光素子の温度が上昇すると輝度が低下してしまう。
従って、高輝度の半導体発光装置を得るためには、放熱性を向上する必要がある。後記特許文献１に記載の半導体発光装置では、リードフレームを光透過性のエポキシ樹脂によって被覆し、この光透過性エポキシ樹脂の下端部に放熱フィラ−を含有する樹脂体を形成することで放熱特性を向上させている。
しかし、このような半導体発光装置では、異なる樹脂材料から形成された封止体を積層形成した構成である為、２つの封止体の接合部における接着密度が十分に得られず、信頼性が低下する虞がある。また、半導体発光素子が固着されたカップ状支持電極と放熱性の高い封止体との間隔が大きいため、放熱効果が期待するほどに得られない。
特開２００１−４６６６８号公報

従って、比較的容易に放熱性を向上させることができる半導体発光装置が要求されている。そこで、本発明の目的は、放熱性の良い半導体発光装置を提供することにある。

上記課題を解決するための本発明は、
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を支持し且つ前記半導体発光素子に電気的に接続されている第１の部分と前記第１の部分を外部回路に接続するために前記第１の部分に連結され且つ前記第１の部分よりも薄く形成されている第２の部分とを有する第１の導体と、
前記半導体発光素子に接続された第２の導体と、
前記第１の導体の一部及び前記第２の導体の一部を被覆し且つ前記第１及び第２の導体を電気的に絶縁するものであって、実装面を有し且つこの実装面を基準にしたこの最高の高さ位置が前記第１の導体の前記第１の部分の最低の高さ位置よりも上に決定され且つ放熱性を有している第１の絶縁被覆体と、
前記半導体発光素子及び前記第１の導体の前記第１の部分の少なくとも一部を被覆し且つ光透過性を有し且つ前記第１の絶縁被覆体よりも小さい熱伝導率を有している第２の絶縁被覆体とを備えていることを特徴とする半導体発光装置に係わるものである。

本発明に従う第１の絶縁被覆体は、第１及び第２の導体の機械的支持機能及び相互絶縁機能の他に、放熱機能を有する。放熱機能を有する第１の絶縁被覆体の最高の高さ位置が第１の導体の第１の部分の最低の高さ位置よりも上に決定されているので、第１の部分に支持されている半導体発光素子の熱が放熱性の良い第１の絶縁被覆体を介して外部に良好に放出され、放熱性の良い半導体発光装置を提供することができる。
なお、第１の導体の第１の部分は、光反射機能と放熱機能との両方を有するカップ状部分であることが望ましい。
また、第１の絶縁被覆体は熱伝導率が高いたとえばシリカ等のフィラー（充填材）を含む樹脂から成り、第２の絶縁被覆体はフィラーを含まない又はフィラー含有率が第１の絶縁被覆体よりも少ない樹脂から成ることが望ましい。第１及び第２の絶縁被覆体はエポキシ系樹脂であることが望ましい。第１の絶縁被覆体を第１の導体の前記第１の部分の一部に接触させることができる。

請求項２に示すように、半導体発光装置を
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を支持し且つ前記半導体素子に電気的に接続されている第１の導体と、
前記半導体発光素子に接続された第２の導体と、
前記第１の導体の一部及び第２の導体の一部を被覆し且つ前記第１及び第２の導体を電気的に絶縁し且つ前記第１及び第２の導体の一端側部分が突出している第１の主面と前記第１及び第２の導体の他端側部分が突出している第２の主面と前記第１及び第２の主面間の側面とを有し且つ前記側面に突出部分を有し且つ放熱性を有している第１の絶縁被覆体と、
前記半導体発光素子及び前記第１及び第２の導体の前記一端側部分及び前記第１の絶縁被覆体の前記第１の主面及び前記突出部分を含む側面の少なくとも一部を被覆し且つ光透過性を有し且つ前記第１の絶縁被覆体よりも小さい熱伝導率を有している第２の絶縁被覆体と
で構成することができる。
これにより、第１及び第２の絶縁被覆体が突出部分によって強固に結合され、機械的安定性及び放熱性に優れた半導体発光装置を提供することができる。

請求項３に示すように、前記第１の導体の前記他端側部分が前記一端側部分よりも広い幅の幅広部分を備えていることが望ましい。これにより、第１の導体の幅広部分からの放熱が多くなり、この放熱性の良い幅広部分と放熱性の良い第１の絶縁被覆体との組み合わせによって半導体発光装置の放熱性が一層向上する。また、前記第２の導体も幅広部分を備えていることが望ましい。

請求項４に示すように、前記第１及び第２の導体の少なくとも一方が角状突出部を有し、この角状突出部分が前記第２の絶縁被覆体で被覆されていることが望ましい。これにより、角状突出部分が第２の絶縁被覆体に係合し、第２の絶縁被覆体と第１及び第２の導体の少なくとも一方との結合強度が大きくなる。

また、請求項5に示すように、半導体発光装置を、
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子が取付けられた取付平坦面を有する一端側部分とこの一端側部分を外部回路に接続するための他端側部分とを有する第１の導体と、
前記半導体発光素子に接続された第２の導体と、
前記半導体発光素子から発生した光を外部に取り出すための光透過部分を有して前記半導体発光素子と前記第１の導体の一部と前記第2の導体の一部とを被覆する絶縁被覆体とを有し、
前記第１の導体の前記他端側部分が前記取付平坦面の最大幅よりも広い幅を有する幅広部分を備え、
前記幅広部分の少なくとも一部が前記絶縁被覆体から露出している構成とすることができる。即ち、絶縁被覆体が第1及び第2の絶縁被覆体の組み合せ構成であるか否かに拘らず、第1の導体に幅広部分を設けることができる。これにより、半導体発光装置の放熱性が向上する。また、第1の導体の回路基板に対する電気的接続が良好になる。また、第２の導体にも幅広部分を設けることができる。

請求項6に示すように、前記第１の導体の前記幅広部分の前記絶縁被覆体から露出している領域に溝又は孔を形成することが望ましい。これにより、幅広部分の露出領域の溝又は孔が、回路基板に半導体発光装置を実装する時の半田等の導電性接合材の保持を助け、接合材を十分に付着させることが可能になり、電気的接続の信頼性の向上及び導電性接合材に基づく放熱性向上が達成される。また、幅広部分の溝又は孔にカシメ等のための棒状結合導体を貫通させ、この溝又は孔を幅広部分を回路基板に固定に使用することもできる。前記第２の導体にも溝又は孔を形成することができる。

請求項7に示すように、更に、前記第１及び第２の導体を電気的及び機械的に結合させるための回路基板を有し、
前記回路基板は前記第１の導体の前記幅広部分を挿入させるための第１の貫通孔と前記第１及び第２の導体を接続するための第１及び第２の導体層と前記第１の導体の前記幅広部分を前記第１の導体層に接続するために使用する第２の貫通孔とを有し、
前記第１の導体の前記幅広部分は前記回路基板の前記第１の貫通孔の出口を有する主面に対して重ねるように折り曲げられ、
前記第２の貫通孔と前記幅広部分の前記溝又は孔とを貫通するように棒状結合導体が配置され、
前記棒状結合導体によって前記幅広部分が前記回路基板に機械的に固定され且つ前記第１の導体層に電気的に接続されている構成の半導体発光装置を提供することができる。
この構成によれば、幅広部分の回路基板に対する固定を溝又は孔を使用して容易に達成することができる。

請求項8に示すように、棒状結合導体は加圧変形可能な材料から成り、少なくとも一端部が加圧変形されていることが望ましい。これにより、棒状結合導体の加圧変形即ちカシメによって容易に幅広部分を回路基板に固定できる。

請求項９に示すように、前記第２の導体は前記半導体発光素子を接続する一端側部分とこの一端側部分を開部回路に接続するための他端側部分とを有し、前記他端側部分に前記一端側部分の最大幅よりも広い幅広部分が設けられていることが望ましい。これにより、第２の導体を介しての放熱が大きくなり、放熱性が更に向上する。また、第２の導体の幅広部分を、棒状結合導体を使用して回路基板に固定することができる。

本発明によれば、光透過性を有する第２の絶縁被覆体よりも熱伝導率の高い第１の絶縁被覆体を設け、この第１の絶縁被覆体を半導体発光素子の近くにも配置するので、半導体発光素子で発生した熱が第１の絶縁被覆体を介して外部に良好に放出され、放熱性の良い半導体発光装置が得られる。

本願請求項２の発明に従って第１の絶縁被覆体に突出部分を設けると、第1及び第2の絶縁被覆体の結合強度が大きくなる。即ち、放熱性を重視した第1の絶縁被覆体と光透過性を重視した第2の絶縁被覆体との結合であるにも拘らず、両者の結合が強固になり、放熱性と機械的安定性との両方が優れた半導体発光装置を提供することができる。

請求項5の発明に従って、第1の導体に幅広部分を設けると、ここを介しての放熱が多くなり、放熱性の良い半導体発光装置を提供することができる。

次に、図面を参照して本発明に従う放熱性が優れている半導体発光装置を説明する。

図１〜図９に示す本発明の実施例１に従う半導体発光装置としての発光ダイオ-ドは、半導体発光素子2と、第1及び第2の導体３、４と、絶縁被覆体5とを備えている。絶縁被覆体5は、第1及び第2の絶縁被覆体６，７の組み合せから成る。図１では発光ダイオード１の内部構成を明確にするために第２の絶縁被覆体7が省かれ、これによる被覆位置が鎖線で示されている。

リ−ド部材と呼ぶこともできる第1及び第2の導体３、４は、金属板を使用した周知のリ−ドフレ−ムに基づいて形成されている。図２、図４及び図6では、第１及び第2の導体３、4が既に分離されているが、分離前は図１０に示すようにタイバと呼ばれている連結部分８、９を有するリ−ドフレ−ム１０によって相互に連結されている。また、同一形状の多数の発光ダイオードを同時に製造するために、リードフレーム10によって多数の発光ダイオードが連結されている。

第1のリード部材とも呼ぶことができる第1の導体3は、図3〜図5に示すようにカップ状電極からなる第1の部分１１とこれに連続している第2の部分12とこれに連続している角状突出部分１３とから成る。

第1の導体3の一端側に配置されている第1の部分１１は周知のプレス加工等でカップ状に形成され、発光ダイオードから成る半導体発光素子2を取り付けるための平面形状円形の取付平坦面１４とロート状傾斜面１５とを有する。取付平坦面１４の直径即ち最大幅W1は半導体発光素子2を配置できる大きさに設定されている。取付平坦面１１の最大幅W1及び第１の部分１１の上端面外周の径又は最大幅W1´は第2の部分１２の厚みT1よりも大きい。従って、第1の導体３の第2の部分１２の厚みよりも外径の大きいカップ状部分を第1の部分１１と定義する。

第1の導体３の他端側に配置されている第２の部分12は平板状に形成され、図4に示すように幅W2を有する第1の領域１６と、幅W3を有する第2の領域17と複数（4個）の溝18によって分離されている複数の突出部分１９ａ、１９ｂ、19ｃ、１９ｄ、１９ｅと、第１の絶縁被覆体６に対する結合強度を増大させるため凹部２０とを有する。第1の導体３の各部の幅の大小関係は次の通りである。
W1＜W1´＜W2＜W3

幅W2の第1の領域１６はカップ状電極から成る第1の部分１１に隣接配置され、図２に示すようにこの大部分が第1の絶縁被覆体６で被覆されている。凹部20は幅W2の第１の領域１６の側面に設けられており、第１の絶縁被覆体6によって充填される部分である。第１の領域１６に凹部２０の代わりに凸部を設け、第1の絶縁被覆体6との結合強度を高めることもできる。幅W2の第1の領域１６の高さは、第1の絶縁被覆体6の最大高さと同一又はこれよりも低く決定される。第2の領域１７の幅W3は平面形状円形の第2の絶縁被覆体７の直径即ち最大幅W５以下となり、且つ楕円形の第1の絶縁被覆体6の長径即ち最大幅W６未満と成るように決定されている。幅W3の領域１７の高さは、図2で鎖線で示す回路基板２１の厚さと同一又はこれよりも低く決定される。

第1の導体３の角状突出部分13は第2の部分１１の上端から上方に円弧状に突出し、図2に示すように第2の絶縁被覆体７に食い込み、第1の導体3と第2の絶縁被覆体７との結合強度の向上に寄与する。また、角状突出部分１３は金属からなるので、放熱性向上にも寄与する。この角状突出部分１３は半導体発光素子2の光を取り出す領域から離れた位置に配置され且つ第2の部分１２の厚みと同一又はこれよりも薄く形成されている。従って、角状突出部分13は光の取り出しをほとんど妨害しない。なお、角状突出部分13をコ字状又は鉤状等に変形できる。

第2のリ−ド部材と呼ぶこともできる第2の導体4は、ワイヤ２２の接続部分２３と、上側領域２４と、幅広領域２５と、溝２６で分離した突出部分２７ａ、２７ｂと、角状突出部分２８と、凹部２９とを有する。ワイヤ接続部分２３は第1の導体3の上端の近くに配置され、ワイヤ２２によって半導体発光素子2に接続されている。幅広部分２５は第１の導体3の幅W3の第2の領域17と同一の高さに設けられ且つ平面的に見て第1及び第２の絶縁被覆体６、７の内側に配置されている。突出部分２７ａ、２７ｂは第1の導体4の突出部分１９ａ〜１９ｅと同一の高さ位置に設けられている。角状突出部分28は、光路を妨害しないように第1の導体3の角状突出部分13に対向配置され且つ第2の絶縁被覆体7に収まるように形成されており、第1の導体3の角状突出部分13と同一の機能を有する。なお、角状突出部分28をコの字状等に変形することができる。凹部２９は第１の絶縁被覆体6で被覆される位置に設けられ、図2に示すように第1の絶縁被覆体6と強固に結合されている。なお、凹部２９の代りに凸部を設けることもできる。第１及び第2の導体３、4の先端部分の幅Ｗ４は第１の絶縁被覆体6の最大幅Ｗ６以下且つ第２の絶縁被覆体７の最大幅Ｗ５以下に設定されている。従って、第１及び第2の導体３、4の先端部分が発光ダイオードの搬送及び実装を妨害しない。

第１の絶縁被覆体6はフィラーを含むエポキシ系樹脂から成る。フィラ−（充填材）はエポキシ系樹脂よりも熱伝導率の大きいシリカ等の絶縁材料から選択される。第1の絶縁被覆体6はフィラ−を含むので、第2の絶縁被覆体７よりも熱伝導率が大きく、放熱体としての機能も有する。この第1の絶縁被覆体６には光透過性が要求されていないので、光非透過性を有するように形成することが望ましい。第１の絶縁被覆体６は、平面形状が楕円の柱状部分３０と、この柱状部分３０に同心配置され且つこれよりも大きい楕円形状を有している鍔状部分３１とから成り、第1及び第２の導体３、４の中間部分を被覆し且つこれ等を電気的に絶縁している。従って、第1の絶縁被覆体６の第1の主面32から第1及び第2の導体３、４の一端側部分が突出し、平坦な第2の主面33から第１及び第2の導体３、4の他端側部分が突出している。更に詳しく説明すると、半導体発光素子2を含む第1の導体3の上端部分、角状突出部分13、幅W3の領域１７、突出部分１９ａ〜１９ｅは第１の絶縁被覆体６で被覆されず、幅W2を有する領域１６及びこの近傍のみが第1の絶縁被覆体6で被覆されている。

第１の絶縁被覆体６の平坦な第２の主面３３は回路基板２１に対する取付面として機能する。第１の絶縁被覆体６の第２の主面３３を基準として、第１の主面３２の最高の高さH2は、図６から明らかなようにカップ状電極から成る第１の部分１１の最低の高さH1と最高の高さH3との間に設定されている。従って、第１の絶縁被覆体６は従来の発光ダイオ−ドよりも半導体発光素子２の近くまで延びており、放熱性向上に寄与している。この実施例１では、第１の主面３２に凹部３２ａが設けられているが、この凹部３２ａを設けないで第１の主面３２を図６で点線で示すように平坦面にすることもできる。即ち、カップ状電極から成る第１の部分１１の外周面に第１の絶縁被覆体６を直接に接触させることができる。このように構成すると第１の絶縁被覆体６による放熱効果は更に良くなる。第１の絶縁被覆体６の第１及び第２の導体３、４に対する接着力は、第２の絶縁被覆体７の第１及び第２の導体３、４に対する接着力よりも劣るので、半導体発光素子２の外部からの保護を考慮して第１の絶縁被覆体６の第１の主面３２の位置が決定される。

第１の絶縁被覆体６の鍔部分３１の最大幅W６は、既に説明したように第１及び第２の導体３，４の他端部分の合計の幅W４よりも大きく決定されているので、図１の平面図にて第１及び第２の導体３、４は鍔状部分３１の内側に配置されている。また、鍔状部分３１は図８に示すように回路基板２１の第１の主面３６から第２の主面３７に貫通している第１及び第２のリ−ド用貫通孔３４、３５に第１及び第２の導体３，４の他端部を挿入した時に回路基板２１の主面３６に係合するように形成されている。なお、第１及び第２のリ−ド用貫通孔３４、３５は図９に示すように細長く形成されているので、第１の絶縁絶縁被覆体６の第２の主面３３の大部分が回路基板２１の第１の主面３６に接触する。

第１の絶縁被覆体６の側面３８に図１、図６及び図７に示すように４個の突出部分３９が設けられている。この突出部分３９は第２の絶縁被覆体７に食い込んで第１及び第２の絶縁被覆体６、７の結合強度の向上に寄与する。

第２の絶縁被覆体７は、フィラ−を含まないか、又はフィラ−の量が第１の絶縁被覆体６よりも大幅に少ないエポキシ系樹脂から成る。従って、第２の絶縁被覆体７は半導体発光素子２から放出された光を透過させることができる光透過性を有し且つ第１及び第２の導体３、４に対して第１の絶縁性被覆体６よりも大きい接着力を有する。第２の絶縁被覆体７はフィラ−を含まないので、第１の絶縁被覆体６よりも低い熱伝導率を有する。熱伝導率は、第２の絶縁被覆体７、第１の絶縁性被覆体６、第１及び第２の導体３，４の順番に大きくなる。

第２の絶縁被覆体７は、図２及び図３から明らかなように半導体発光素子２、第１及び第２の導体３、４の第１の絶縁被覆体６の第１の主面３２から突出した部分及びワイヤ２２を含むように配置され且つ第１の絶縁被覆体６の突出部分３９を有する側面３８の一部を覆うように配置され且つレンズ効果が得られるように半球状に形成されている。

図８及び図９は回路基板２１に対して発光ダイオ−ド１を実装した状態を示す。回路基板２１の第１及び第２のリ−ド貫通孔３４、３５に挿通された第１及び第２の導体３，４の突出部分１９ａ〜１９ｅ及び２７ａ、２７ｂは回路基板２１の第２の主面３７側に折り曲げられ、第２の主面３７上に形成されている第１及び第２の導体層４０、４１に半田から成る第１及び第２の導電性接合材４２、４３で接続される。第１の導体３の第１の突出部分１９ａは図９でリ−ド貫通孔３４の延びる方向（水平方向）に折り曲げられ、第２及び第４の突出部分１９ｂ、１９ｄはリ−ド貫通孔３４の延びる方向に対して直角に折り曲げられ、第３及び第５の突出部分１９ｃ、１９ｅはリ−ド貫通孔３４の延びる方向に対して直角且つ第２及び第４の突出部１９b、１９dと反対方向に折り曲げられている。このため、回路基板２１に対する第１の導体３の電気的及び機械的結合を強固に達成することができる。また、従来の１本のリ−ドよりも多い複数のリ−ドとして機能する第１〜第５の突出部分１９ａ〜１９ｅを有し、これ等の相互間に導電性接合材４２が付着するので、電気的接続が確実に達成できるばかりでなく、第１及び第２の絶縁被覆体６、７よりも熱伝導率の高い導電性接合材４２が放熱体として機能し、放熱性が向上する。

第２の導体４の第１の突出部分２７ａはリ−ド貫通孔３５の延びる方向に対して直角に折り曲げられ、第2の突出部分２７ｂはリ−ド貫通孔３５の延びる方向に折り曲げられている。従って、第２の導体4の結合構成も第1の導体3の結合構成と同一の効果を有する。

図10は、図１〜図３に示す発光ダイオ−ド１の完成前の状態を示す。なお、図１０において、第２の絶縁被覆体７の表面に他の部分と区別するための点線が付されている。この実施例1では、既に説明したように図１０のリ−ドフレ−ム１０を使用して発光ダイオ−ド１を製造している。図２〜図6の第1及び第2の導体３、４を得る時に突出部分１９ａ〜１９ｅ、２７ａ、２７ｂを相互連結部分に結合したリ−ドフレ−ムとすることが可能である。しかし、この実施例1では第1及び第2の導体３、４を後述する実施例2の第1及び第2の導体３ａ、４ａと共通のリ−ドフレ−ム10によって得るために第1及び第2の連結部８、９によって区画された第1の列の孔５１と第2の列の孔５２とを有するものを使用している。図１0のリ−ドフレ−ムを垂直方向に延びている鎖線５３と水平方向に延びている鎖線５４とで切断すると図4の第1及び第2の導体３、４が得られる。複数の実施例で共用できるリ−ドフレ−ム１０を使用するとコストの低減を図ることができる。

上述から明らかなように実施例１は次の効果を有する。
（１） 放熱性の良い第１の絶縁被覆体６を半導体発光素子２に接近することにより放熱性が向上する。
（２） 第１及び第２の導体３、４に幅広部分を設けたので放熱性が向上する。
（３） 第１及び第２の導体３、４の先端部分に溝１８、２６が設けられているので、導電性接合材４２、４３が充分に付着し、電気的接続が確実に達成されるのみでなく、放熱性が向上する。
（４） 溝１８、２６により、突出部分１９ａ〜１９ｅ、２７ａ、２７ｂが折り曲げ易くなり、回路基板２１に対する取り付けが容易になる。
（５） 第１の絶縁被覆体６に突出部分３９が設けられているので、第２の絶縁被覆体７との結合が強固になる。
（６） 第２の絶縁被覆体７を第１の絶縁被覆体６の側面３８まで被覆するので、両者の結合が強固になる。
（７） 第１及び第２の導体３、４に凹部２０、２９が設けられているので、第１の絶縁被覆体６との結合が強固になる。
（８） 第１及び第２の導体３、４に角状突出部分１３、２８が設けられているので、第２の絶縁被覆体７との結合が強固になる。

次に、図１１〜図１４を参照して実施例２の半導体発光装置を説明する。但し、図１１〜図１４において図１〜図１０と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明を省略する。なお、図１１において、第２の絶縁被覆体７の表面に他の部分と区別するための点線が付されている。

図１１に示す発光ダイオ−ド１ａは、図１〜図３の発光ダイオ−ド１の第１及び第２の導体３、４を変形した第１及び第２の導体３ａ、４ａを設け、且つ回路基板２１に対する取付け構造を変形した他は、図１〜図３と同一に構成したものである。

図１１の第１及び第２の導体３ａ、３ｂは、回路基板２１から下側に突出している結合部６１、６２が変形されている他は図１〜図３の第１及び第２の導体３，４と同一に構成されている。即ち、図２の第１及び第２の導体３、４は複数のリ−ド端子としての突出部分１９ａ〜１９ｅ、２７ａ、２７ｂを有するが、図１１の第１及び第２の導体３ａ、４ａはこれ等の代りに第１列の孔５１と第２列の孔５２とを有する。第１列の孔５１は回路基板２１との境界部に沿って配列され、第１及び第２の導体３ａ、４ａの折り曲げを助ける機能及び半田等の導電性接合材の付着量を増大させる機能を有する。第２列の孔５２は導電性接合材の付着量を増大させるために使用され且つ回路基板２１にカシメで固定する時に使用される。実施例２の第１及び第２の導体３ａ、４ａは、実施例１の第１及び第２の導体３、４と同様に図１０のリ−ドフレ−ム１０を図１１に示すように切断することによって形成されている。

第１の導体３ａの結合部６１の先端の幅は図４と同一のＷ3である。第２の導体４の結合部６２の先端の幅は図４の突出部分２７ａ、２７ｂの先端の一方の端から他方の端までの幅と同一である。

発光ダイオ−ド１ａを回路基板２１に実装する時には、図１１に示すように題１及び第２の導体３ａ、４ａの結合部６１，６２を回路基板２１の貫通孔３４，３５に挿通し、回路基板２１の第２の主面３７から突出した部分を図１２に示すように直角に折り曲げる。第１列の孔５１によって結合部６１、６２の折り曲げ部分が複数の細い帯に分割されているので、容易に折り曲げることができる。

次に、図１４に示すように回路基板２１の貫通孔６４と第２列の孔５１とにカシメによる結合用の金属製の棒状結合導体６３を挿入し、この端部を加圧変形させて頭部６３ａ又は６３ｂを作り、回路基板２１に対して第１及び第２の導体３ａ、４ａを固定する。なお、棒状結合導体６３の頭部６３ａ、６３ｂのいずれか一方が予め形成されている場合には、他方のみがカシメによる変形で形成される。回路基板２１と結合部６１、６２との間には導体層４０、４１が介在しているので、カシメによって機械的及び電気的結合が成立するが、実施例２では接続の信頼性を高めるために半田等の導電性接合材４２、４３によって結合部６１、６２を導体層４０、４１に接続している。結合部６１、６２の孔５１、５２には導電性接合材４２、４３が充填されているので、強固な接続が可能になり且つ導電性接合材４２、４３も放熱向上に寄与する。

実施例２は実施例１と同一の効果を有する他に、棒状結合導体６３によって一層強固に第１及び第２の導体３ａ、４ａを回路基板２１に固定できるという効果を有する。

本発明の半導体発光装置は表示装置、照明装置等に利用できる。

本発明に従う実施例１の発光ダイオ−ドを示す平面図である。 図１の発光ダイオ−ドのＡ−Ａ線断面図である。 図１の発光ダイオ−ドのＢ−Ｂ線断面図である。 図１の発光ダイオ−ドの第１及び第２の導体と半導体発光素子とワイヤとを示す正面図である。 図４の第１の導体の左側面図である。 図１の発光ダイオ−ドから第２の絶縁被覆体を省いた組立体を示す正面図である。 図６の組立体の左側面図である。 図１の発光ダイオ−ドと回路基板との組立体の一部を図１のＡ−Ａ線で示す断面図である。 図８の組立体の底面図である。 図１及び図１１の発光ダイオ−ドを製造するためのリ−ドフレ−ム組立体を示す正面図である。 実施例２の発光ダイオ−ドと回路基板の一部とを示す正面図である。 図１１の第１及び第２の導体を折り曲げた状態の発光ダイオ−ドと回路基板との組立体の一部を示す正面図である。 図１２の組立体の底面図である。 図１３の組立体のＤ−Ｄ線断面図である、

符号の説明

１， １ａ 発光ダイオ−ド
２ 半導体発光素子
３，３ａ 第１の導体
４，４ａ 第２の導体
５ 絶縁被覆体
６ 第１の絶縁被覆体
７ 第２の絶縁被覆体
１３ 角状突出部分
１４ 取付平坦面
１６ 第１の領域（Ｗ2）
１７ 第２の領域（Ｗ3）
１８ 溝
１９ａ〜１９ｅ 突出部分
２１ 回路基板
３０ 柱状部分
３１ 鍔状部分
３２ 第１の主面
３３ 第２の主面
３９ 突出部分

Claims (9)

1. 半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子を支持し且つ前記半導体発光素子に電気的に接続されている第１の部分と前記第１の部分を外部回路に接続するために前記第１の部分に連結され且つ前記第１の部分よりも薄く形成されている第２の部分とを有する第１の導体と、
   前記半導体発光素子に接続された第２の導体と、
   前記第１の導体の一部及び前記第２の導体の一部を被覆し且つ前記第１及び第２の導体を電気的に絶縁するものであって、実装面を有し且つこの実装面を基準にしたこの最高の高さ位置が前記第１の導体の前記第１の部分の最低の高さ位置よりも上に決定され且つ放熱性を有している第１の絶縁被覆体と、
   前記半導体発光素子及び前記第１の導体の前記第１の部分の少なくとも一部を被覆し且つ光透過性を有し且つ前記第１の絶縁被覆体よりも小さい熱伝導率を有している第２の絶縁被覆体と
   を備えていることを特徴とする半導体発光装置。
2. 半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子を支持し且つ前記半導体素子に電気的に接続されている第１の導体と、
   前記半導体発光素子に接続された第２の導体と、
   前記第１の導体の一部及び第２の導体の一部を被覆し且つ前記第１及び第２の導体を電気的に絶縁し且つ前記第１及び第２の導体の一端側部分が突出している第１の主面と前記第１及び第２の導体の他端側部分が突出している第２の主面と前記第１及び第２の主面間の側面とを有し且つ前記側面に突出部分を有し且つ放熱性を有している第１の絶縁被覆体と、
   前記半導体発光素子及び前記第１及び第２の導体の前記一端側部分及び前記第１の絶縁被覆体の前記第１の主面及び前記突出部分を含む側面の少なくとも一部を被覆し且つ光透過性を有し且つ前記第１の絶縁被覆体よりも小さい熱伝導率を有している第２の絶縁被覆体と
   を備えていることを特徴とする半導体発光装置。
3. 前記第１の導体の前記他端側部分が前記一端側部分よりも広い幅の幅広部分を備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光装置。
4. 前記第１及び第２の導体の少なくとも一方が角状突出部分を有し、この角状突出部分が前記第２の絶縁被覆体で被覆されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光装置。
5. 半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子が取付けられた取付平坦面を有する一端側部分とこの一端側部分を外部回路に接続するための他端側部分とを有する第１の導体と、
   前記半導体発光素子に接続された第２の導体と、
   前記半導体発光素子から発生した光を外部に取り出すための光透過部分を有して前記半導体発光素子と前記第１の導体の一部と前記第2の導体の一部とを被覆する絶縁被覆体とを有し、
   前記第１の導体の前記他端側部分が前記取付平坦面の最大幅よりも広い幅を有する幅広部分を備え、
   前記幅広部分の少なくとも一部が前記絶縁被覆体から露出していることを特徴とする半導体発光装置。
6. 前記第１の導体の前記幅広部分の前記絶縁被覆体から露出している領域に溝又は孔が形成されていることを特徴とするっ請求項５記載の半導体発光装置。
7. 更に、前記第１及び第２の導体を電気的及び機械的に結合させるための回路基板を有し、
   前記回路基板は前記第１の導体の前記幅広部分を挿入させるための第１の貫通孔と前記第１及び第２の導体を接続するための第１及び第２の導体層と前記第１の導体の前記幅広部分を前記第１の導体層に接続するために使用する第２の貫通孔とを有し、
   前記第１の導体の前記幅広部分は前記回路基板の前記第１の貫通孔の出口を有する主面に対して重ねるように折り曲げられ、
   前記第２の貫通孔と前記幅広部分の前記溝又は孔とを貫通するように棒状結合導体が配置され、
   前記棒状結合導体によって前記幅広部分が前記回路基板に機械的に固定され且つ前記第１の導体層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置。
8. 棒状結合導体は加圧変形可能な材料から成り、少なくとも一端部が加圧変形されていることを特徴とする請求項７記載の半導体発光装置。
9. 前記第２の導体は前記半導体発光素子を接続する一端側部分とこの一端側部分を開部回路に接続するための他端側部分とを有し、前記他端側部分に前記一端側部分の最大幅よりも広い幅広部分が設けられていることを特徴とする請求項５又は６又は７又は８記載の半導体発光装置。

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