JP2008235764A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

発光装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008235764A
JP2008235764A JP2007076353A JP2007076353A JP2008235764A JP 2008235764 A JP2008235764 A JP 2008235764A JP 2007076353 A JP2007076353 A JP 2007076353A JP 2007076353 A JP2007076353 A JP 2007076353A JP 2008235764 A JP2008235764 A JP 2008235764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
plate
emitting device
substrate
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007076353A
Other languages
English (en)
Inventor
Yohei Sasaki
陽平 佐々木
Kanichi Okura
寛一 大倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2007076353A priority Critical patent/JP2008235764A/ja
Publication of JP2008235764A publication Critical patent/JP2008235764A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】放熱性を確保しつつ、実装基板との絶縁を確保することで、接続信頼性の向上を図ることが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子40と、発光素子40を搭載する基板20とを有する発光装置10において、基板20は、実装基板Bの接続電極Pと接続する下面電極232aが下面に形成された絶縁板21と、絶縁板21上に形成された導電性の放熱板22とを有し、絶縁板21には、実装基板Bと接続するときに、実装基板Bの接続電極Pと下面電極232aとを導通する半田フィレットFが形成される絶縁板21の外周面全体に、放熱板22の外周面を囲う絶縁性の周壁部211が設けられている。
【選択図】図10

Description

本発明は、基板に発光素子を搭載し、導電性の放熱板を備えた表面実装型の発光装置およびその製造方法に関する。
発光素子を搭載した発光装置は、益々、高輝度化が進んでいる。しかし、高輝度化のために発光素子に大電流を流すと、発熱量も増大するので、発光素子の劣化を抑制するためにも放熱が重要である。
例えば、図11に示す特許文献1に記載の半導体発光装置150は、発光素子151からの熱を外部に放熱するために、熱導伝性の高いアルミニウムや銅などで形成された反射板152を備えている。この反射板152は、ベース基板153上に配置される電極154上に接合されるので、電極154との絶縁を確保するために、反射板152の表面には、絶縁性めっきや、絶縁コーティングや、自然酸化によって形成される酸化膜などの絶縁膜155が形成されている。
特開2004−327863号公報
ところで、図11に示される表面実装型の従来の発光装置は、実装基板に実装される実装工程にて、実装基板に形成された接続電極に付与された半田ペースト上に、電極154の位置を合わせて搭載され半田付けされる。そのときに、半田ペーストが、ベース基板153の端面に形成された電極154の垂直面を昇るように付着することで、この電極154の垂直面に山の裾野のような半田フィレットが形成される。この半田フィレットが形成されることで、実装基板の接続電極と導通接続すると共に、発光装置が実装基板に固定される。
この実装工程においては、接続電極から反射板152に至る高さまで、半田フィレットが形成されてしまうことがあるので、反射板152に絶縁膜155が形成されていないと、実装基板の接続電極と反射板152とが短絡してしまい、接続信頼性を損なう事態となる。しかし、従来の発光装置150では、反射板152全体を覆うように絶縁膜155が形成されているので、問題はないものと思われる。
しかし、この従来の発光装置150では、放熱機能を有する反射板152の表面全体を絶縁コーティングなどの絶縁膜155で覆っているので、少なからず反射板152からの放熱を絶縁膜155が阻害しているものと想定される。
そこで本発明は、放熱性を確保しつつ、実装基板との絶縁を確保することで、接続信頼性の向上を図ることが可能な発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子を搭載する基板とを有する発光装置において、前記基板は、実装基板と接続する電極が下面に形成された絶縁板と、前記絶縁板上に形成された導電性の放熱板とを有し、前記絶縁板には、前記実装基板の接続電極と前記電極とを導通する半田フィレットが形成される外周面の位置に、この外周面を覆う絶縁性の保護部が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子を搭載する基板とを有し、前記基板は、実装基板と接続する電極が下面に形成された絶縁板と、前記絶縁板上に形成された導電性の放熱板とを有する発光装置の製造方法であって、前記放熱板となる板状の放熱部材の一面側に格子状の溝を形成すると共に、他面側であって前記格子状の溝に囲まれた領域に、前記発光素子を搭載する搭載部となる凹部または貫通孔を形成するステップと、前記溝が形成された放熱部材の一面側に、絶縁層を形成するステップと、前記搭載部に、発光素子を搭載すると共に、前記絶縁層に実装基板と接続する電極を形成するステップと、前記溝に沿って、前記絶縁層と前記放熱部材とを切断して個片とするステップとを含むことを特徴とする。
本発明は、放熱板の外周面に至る程度の高さまで半田フィレットが昇ってきても、保護部が放熱板を覆っているので、半田フィレットと放熱板との絶縁を保つことができる。よって、本発明は、放熱性を確保しつつ、実装基板との絶縁を確保することで、接続信頼性の向上を図ることが可能である。
本願の第1の発明は、発光素子と、発光素子を搭載する基板とを有する発光装置において、基板は、実装基板と接続する電極が下面に形成された絶縁板と、絶縁板上に形成された導電性の放熱板とを有し、絶縁板には、実装基板の接続電極と電極とを導通する半田フィレットが形成される外周面の位置に、この外周面を覆う絶縁性の保護部が設けられていることを特徴としたものである。
本発明の発光装置は、絶縁板と放熱板とを有する基板を実装基板に搭載するときに、半田フィレットが絶縁板の外周面を形成され、放熱板の外周面に至る程度の高さまで昇ってきても、保護部が放熱板を覆っているので、半田フィレットと放熱板との絶縁を保つことができる。保護部は、半田フィレットが形成される絶縁板の外周面の位置に形成されていればよいので、放熱板全体を覆う必要がない。
本願の第2の発明は、保護部は、絶縁板と一体に形成されていることを特徴としたものである。
本発明の発光装置は、保護部と絶縁板とが一体に形成されることで、保護部と絶縁板との隙間から半田フィレットが侵入することを防止することができる。
本願の第3の発明は、保護部は、絶縁板の周囲全体に形成されていることを特徴としたものである。
保護部が絶縁板の周囲全体に形成されていることで、半田フィレットが実装基板の接続電極より広がっても、確実に半田フィレットによる短絡を防止することができる。
本願の第4の発明は、発光素子と、発光素子を搭載する基板とを有し、基板は、実装基板と接続する電極が下面に形成された絶縁板と、絶縁板上に形成された導電性の放熱板とを有する発光装置の製造方法であって、放熱板となる板状の放熱部材の一面側に格子状の溝を形成すると共に、他面側であって格子状の溝に囲まれた領域に、発光素子を搭載する搭載部となる凹部または貫通孔を形成するステップと、溝が形成された放熱部材の一面側に、絶縁層を形成するステップと、搭載部に、発光素子を搭載すると共に、絶縁層に実装基板と接続する電極を形成するステップと、溝に沿って、絶縁層と放熱部材とを切断して個片とするステップとを含むことを特徴としたものである。
一面側に格子状の溝が形成された板状の放熱部材に、絶縁層を形成すると、溝に沿って格子状の凸部が形成された絶縁層となる。そして個片とするときに、この溝に沿って切断すると、放熱部材が放熱板となり、絶縁層が、この放熱板の外周面の一部を囲うように形成された保護部を有する絶縁板となる。従って、容易に保護部を有する絶縁板を形成することができる。
(実施の形態)
まずは、本発明の実施の形態に係る発光装置の構成を、図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置の平面図である。図2は、図1に示す発光装置の底面図である。図3は、上面パターンが形成された絶縁板の平面図である。図4は、図1に示すA−A線断面図である。図5は、発光素子の構成を示す概略断面図である。
図1から図4に示すように、本発明の実施の形態に係る発光装置10は、平面視して正方形状に形成されている。発光装置10は、基板20と、樹脂封止部30と、発光素子40とを備えている。
基板20は、平面視して矩形状に形成された絶縁板21と、外形が絶縁板21と同形状に形成され、中央部に円形状の貫通孔221が形成された放熱板22と、金属箔で形成されたパターン部23とを備えている。
絶縁板21は、厚みが約0.06mmのガラスエポキシ樹脂で形成されている。この絶縁板21には、周囲を囲うように高さが約0.2mmの保護部となる周壁部211が設けられている。本実施の形態では、ガラスエポキシ樹脂で形成されているが、絶縁性を有し、電極などのパターンが形成できれば、他の樹脂でも使用することができる。
放熱板22は、銅やアルミニウムなどの導電性の金属で形成され、厚みが約0.45mmの金属板である。この放熱板22は、熱伝導率が高い金属を使用するのが望ましい。この放熱板22は、周壁部211に嵌合する断面矩形状切欠部222が形成されている。また、放熱板22の中央部には、貫通孔221が設けられ、この貫通孔221によって、発光素子40をダイボンドし、ワイヤボンドする領域を確保している。そして、貫通孔221の周面が外側に向かうに従って徐々に拡がるような傾斜面に形成されていることで、発光素子40からの光を反射する反射部223として機能する。
パターン部23は、絶縁板21の上面に形成された上面パターン231と、下面に形成された下面パターン232とを備えている。上面パターン231は、放熱板22に設けられた貫通孔221の中央部に位置する4つの略矩形状の位置合わせマーク231aと、位置合わせマーク231aの周囲に位置する4つの上面電極231bとが形成されている。
位置合わせマーク231aは、搭載装置が発光素子40を搭載する際の目印となる孔で、絶縁板21を露出させることで形成されている。また、上面電極231bは、リング状に絶縁板21を露出させることで形成されている。この4つの上面電極231bのうちの2つに、発光素子40からワイヤ50が配線される。
上面電極231bは、絶縁板21の下面に形成された下面パターン232の下面電極232aと絶縁板21を貫通して接続されている。下面電極232aは、上面電極231bの真下の位置から絶縁板21の角部に向かうように楔状に形成され、隣接する下面電極232aのうち一方と絶縁板21の側辺に沿って形成された接続パターン232bによって接続されている。また、絶縁板21の下面には、伝熱性を向上させるために、略十字状の放熱パターン232cが設けられている。そして、下面電極232aの保護と短絡防止のために、絶縁板21の下面にはレジスト膜24が形成されている。
樹脂封止部30は、絶縁板21と放熱板22の貫通孔221とでできる凹部にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂を充填することで形成されている。この樹脂封止部30には、発光素子40からの光を波長変換して補色となる色を発光する蛍光体を含有している。本実施の形態では、発光素子40が青色に発光するものを使用しており、蛍光体としては黄色に波長変換するものを使用しているので、樹脂封止部30の表面は、発光素子40からの青色と波長変換された黄色とが混色して白く見える。
発光素子40は、青色発光素子であり、図5に示すように、サファイアやGaNなどの基板41に化合物半導体層であるn層42、発光層43、およびp層44が積層されている。そしてn層42にはn電極45が、p層44にはp電極46がそれぞれボンディング電極として設けられている。この発光素子40は、銀ペーストなどの導電性接着剤を介在させて上面パターン231の中央部に設けられた位置合わせマーク231aに囲まれたダイボンド領域に搭載されている。発光素子40のn電極45およびp電極46は、上面電極231bにそれぞれワイヤ50(図1参照)によって接続されている。
以上のように構成される本発明の実施の形態に係る発光装置10の製造方法について、図面に基づいて説明する。図6は、放熱部材を示す斜視図である。図7は、放熱部材に絶縁層を形成した状態を示す斜視図である。図8は、放熱部材に貫通孔を形成した状態を示す図である。図9は、放熱部材および絶縁層の切断位置を示す図である。
図6に示すように、まず、板状の放熱部材100を準備する。この放熱部材100には、図1に示す発光装置10を平面視したときの外形に合わせた溝101が形成されている。また、この放熱部材100には、図6では図示していないが、位置合わせマーク231aや上面電極231bなどの上面パターン231が溝101に位置を合わせて形成されている。この溝101は、発光装置10が平面視して正方形状に形成されているので、お互いが平行で、かつ等間隔に配置された格子状に形成されている。
次に、図7に示すように、放熱部材100の溝101が形成されている面に、ガラスエポキシ樹脂を流し込む。放熱部材100に流し込まれたガラスエポキシ樹脂が硬化することで絶縁板21となる絶縁層110が形成される。この絶縁層110は、溝101が形成された放熱部材100にガラスエポキシ樹脂を流し込んでいるので、溝101に沿って格子状の凸部111が形成される。
放熱部材100に絶縁層110が形成されると、絶縁層110に下面パターン232である下面電極232aと、接続パターン232bと、放熱パターン232cとを形成する。
そして、図8に示すように、放熱板22側から切削して貫通孔221を形成し、放熱部材100と絶縁層110との間の上面パターン231(図1参照)を露出させる。発光素子40を、上面パターン231上のダイボンドする所定の位置に搭載し、そしてワイヤ50で発光素子40と上面電極231bとを接続し、下面パターン232面にレジスト膜24を形成する。
最後に、図9に示すように、格子状の溝101に沿って切断して個片とすることで、図1に示す発光装置10を作製することができる。
このように、一面側に格子状の溝101が形成された放熱部材100に、絶縁層110を形成すると、溝101に沿って格子状の凸部111が形成された絶縁層110となる。そして個片とするときに、この溝101に沿って格子状に切断すると、溝101が分割されて断面矩形状切欠部222となり、格子状の凸部111が分割されて、放熱板22の外周面を囲うように周壁部211となる。従って、容易に、放熱板22の外周面を囲う周壁部211が形成された絶縁板21とすることができる。
このように作製される発光装置10の使用状態を、図10に基づいて説明する。図10は、本発明の実施の形態に係る発光装置10の使用状態を説明するための断面図である。
図10に示すように、実装基板Bには、発光装置10の下面電極232aと接続する接続電極Pが形成されている。発光装置10を搭載するときには、予め接続電極Pに半田ペーストなどの導電性接着剤を塗布する。そして発光装置10を、この接続電極Pに下面電極232aを合わせて搭載し、リフロー処理を行って接合する。
その際に、半田ペーストが発光装置10の側面を昇るように付着することで半田フィレットFが形成される。しかし、絶縁板21には、周囲を囲うように周壁部211が設けられているので、半田フィレットFとなった半田ペーストが放熱板22に付着することはない。また、樹脂で形成された絶縁板21は、金属製の放熱板22より濡れ性が低いので、半田フィレットFの上昇を抑える効果も期待できる。従って、接続電極Pと導電性の金属で形成された放熱板22とが短絡してしまうことが防止できるので、接続信頼性の向上を図ることができる。この周壁部211は、半田フィレットFができる下面電極232aの位置にあればよい。つまり、絶縁板21の4つの角部に、保護部として機能する壁部が設けられていれば十分である。本実施の形態では、周壁部211が、絶縁板21の周囲全体に形成され、かつ絶縁板21と一体に形成されているので、半田フィレットFが広がっても放熱板22との短絡が防止できると共に、半田ペーストが隙間から侵入してくるおそれもない。また、周壁部211は、放熱板22の下部しか覆っていないので、周壁部211が覆っていない面は、放熱板22の放熱を阻害しない。従って、放熱板22が有する放熱性を十分確保しつつ、接続信頼性の向上を図ることができる。また、この基板20上に、更に放熱体を接続する場合では、放熱板22の上面Sには、絶縁コーティングなど特殊な加工を施していないので、密着状態で接着させやすく放熱板22と放熱体との伝熱性も良好である。
本発明は、放熱性を確保しつつ、実装基板との絶縁を確保することで、接続信頼性の向上を図ることが可能なので、基板に発光素子を搭載し、導電性の放熱板を備えた表面実装型の発光装置に好適である。
本発明の実施の形態に係る発光装置の平面図 図1に示す発光装置の底面図 上面パターンが形成された絶縁板の平面図 図1に示すA−A線断面図 発光素子の構成を示す概略断面図 放熱部材を示す斜視図 放熱部材に絶縁層を形成した状態を示す斜視図 放熱部材に貫通孔を形成した状態を示す図 放熱部材および絶縁層の切断位置を示す図 本発明の実施の形態に係る発光装置の使用状態を説明するための断面図 従来の発光装置を示す断面図
符号の説明
10 発光装置
20 基板
21 絶縁板
22 放熱板
23 パターン部
24 レジスト膜
30 樹脂封止部
40 発光素子
41 基板
42 n層
43 発光層
44 p層
45 n電極
46 p電極
50 ワイヤ
100 放熱部材
101 溝
110 絶縁層
111 凸部
211 周壁部
221 貫通孔
222 断面矩形状切欠部
223 反射部
231 上面パターン
231a 位置合わせマーク
231b 上面電極
232 下面パターン
232a 下面電極
232b 接続パターン
232c 放熱パターン
B 実装基板
F 半田フィレット
P 接続電極
S 上面

Claims (4)

  1. 発光素子と、前記発光素子を搭載する基板とを有する発光装置において、
    前記基板は、実装基板と接続する電極が下面に形成された絶縁板と、前記絶縁板上に形成された導電性の放熱板とを有し、
    前記絶縁板には、前記実装基板の接続電極と前記電極とを導通する半田フィレットが形成される外周面の位置に、この外周面を覆う絶縁性の保護部が設けられていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記保護部は、前記絶縁板と一体に形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記保護部は、前記絶縁板の周囲全体に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の発光装置。
  4. 発光素子と、前記発光素子を搭載する基板とを有し、
    前記基板は、実装基板と接続する電極が下面に形成された絶縁板と、前記絶縁板上に形成された導電性の放熱板とを有する発光装置の製造方法であって、
    前記放熱板となる板状の放熱部材の一面側に格子状の溝を形成すると共に、他面側であって前記格子状の溝に囲まれた領域に、前記発光素子を搭載する搭載部となる凹部または貫通孔を形成するステップと、
    前記溝が形成された放熱部材の一面側に、絶縁層を形成するステップと、
    前記搭載部に、発光素子を搭載すると共に、前記絶縁層に実装基板と接続する電極を形成するステップと、
    前記溝に沿って、前記絶縁層と前記放熱部材とを切断して個片とするステップと
    を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2007076353A 2007-03-23 2007-03-23 発光装置およびその製造方法 Pending JP2008235764A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007076353A JP2008235764A (ja) 2007-03-23 2007-03-23 発光装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007076353A JP2008235764A (ja) 2007-03-23 2007-03-23 発光装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008235764A true JP2008235764A (ja) 2008-10-02

Family

ID=39908178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007076353A Pending JP2008235764A (ja) 2007-03-23 2007-03-23 発光装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008235764A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010258409A (ja) 2009-04-23 2010-11-11 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
JP2011138843A (ja) * 2009-12-26 2011-07-14 Kyocera Corp 発光装置
JP2014072021A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Rohm Co Ltd 光源装置、ledランプ、および液晶表示装置
JP2014203574A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP2016171333A (ja) * 2016-05-06 2016-09-23 東芝ライテック株式会社 照明装置、および車両用灯具

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010258409A (ja) 2009-04-23 2010-11-11 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
US8492912B2 (en) 2009-04-23 2013-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2011138843A (ja) * 2009-12-26 2011-07-14 Kyocera Corp 発光装置
JP2014072021A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Rohm Co Ltd 光源装置、ledランプ、および液晶表示装置
JP2014203574A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 東芝ライテック株式会社 照明装置
US9410673B2 (en) 2013-04-02 2016-08-09 Toshiba Lighting & Technology Corporation Luminaire
US9625142B2 (en) 2013-04-02 2017-04-18 Toshiba Lighting & Technology Corporation Luminaire
JP2016171333A (ja) * 2016-05-06 2016-09-23 東芝ライテック株式会社 照明装置、および車両用灯具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101360732B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
US7491981B2 (en) Light-emitting device and glass seal member therefor
JP5340583B2 (ja) 半導体発光装置
JP5066333B2 (ja) Led発光装置。
JP6323217B2 (ja) 発光装置
JP2005079329A (ja) 表面実装型発光ダイオード
US20090090928A1 (en) Light emitting module and method for manufacturing the same
TWI505519B (zh) 發光二極體燈條及其製造方法
JP4863193B2 (ja) 半導体発光装置
JP2011139059A (ja) 発光モジュール及びその製造方法
WO2017209149A1 (ja) 発光装置
JP2009283653A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2009188187A (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2010109119A (ja) 発光モジュール及びその製造方法
JP2010093066A (ja) 発光装置
JP2008147513A (ja) 発光装置
JP2008235764A (ja) 発光装置およびその製造方法
WO2018105448A1 (ja) 発光装置
JP6107229B2 (ja) 発光装置
JP2008124297A (ja) 発光装置
JP4831958B2 (ja) 表面実装型led
US20080006841A1 (en) Light-emitting device
CN112331623B (zh) 发光二极管封装结构及散热基板
JP2020161697A (ja) 半導体発光装置
JP2008147512A (ja) 発光装置およびその製造方法