JP4831958B2

JP4831958B2 - 表面実装型ｌｅｄ

Info

Publication number: JP4831958B2
Application number: JP2004352144A
Authority: JP
Inventors: 実道田; 正樹小田原
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2004-12-06
Filing date: 2004-12-06
Publication date: 2011-12-07
Anticipated expiration: 2024-12-06
Also published as: JP2006165138A

Description

本発明は、チップ基板から成る表面実装型ＬＥＤに関するものである。

従来、表面実装型ＬＥＤ１は、例えば図７に示すように、構成されている。
図７において、表面実装型ＬＥＤ１は、チップ基板２と、チップ基板２上に搭載されたＬＥＤチップ３と、ＬＥＤチップ３を包囲するようにチップ基板２上に形成された枠状部材４と、枠状部材４の凹陥部４ａ内に充填されたモールド樹脂５と、から構成されている。

上記チップ基板２は、図８に示すように、平坦な銅張り配線基板としてＢＴレジン等の耐熱性樹脂から両面基板として構成されており、その表面にチップ実装ランド２ａ，接続ランド２ｂ（図Ｘ８（Ａ）参照）と、これらから基板表面そして両端縁を介して下面に回り込んで表面実装用端子部２ｃ，２ｄ（図Ｘ８（Ｂ）参照）を形成する二つの電極部材２ｅ，２ｆと、を備えている。
そして、チップ基板２のチップ実装ランド２ａ上に、ＬＥＤチップ３がダイボンディングにより接合されると共に、隣接する接続ランド２ｂに対してワイヤボンディングにより電気的に接続されるようになっている。

上記枠状部材４は、同様に耐熱性樹脂によりチップ基板２上に貼付けられると共に、ＬＥＤチップ３の周りを包囲するように逆円錐台状の凹陥部４ａを備えている。尚、この凹陥部４ａの内面は、好ましくは反射面として構成されている。

このような構成の表面実装型ＬＥＤ１によれば、表面実装用端子２ｃ，２ｄを介してＬＥＤチップ３に駆動電圧が印加されると、ＬＥＤチップ３が発光し、この光が直接にまたは凹陥部４ａの内面で反射されて上方から外部に出射されることになる。

また、図９に示す構成の表面実装型ＬＥＤも知られている。
図９において、表面実装型ＬＥＤ６は、上述した表面実装型ＬＥＤ１にて枠状部材４及びモールド樹脂５の代わりに、上方に向かって凸状のレンズ部７を備えている点でのみ異なる構成になっている。
このような構成の表面実装型ＬＥＤ６においては、上記レンズ部７は、上記ＬＥＤチップ３が実装されたチップ基板２の表面に、透明樹脂を使用してトランスファー成形によって一体に形成されるようになっている。
そして、表面実装用端子２ｃ，２ｄを介してＬＥＤチップ３に駆動電圧が印加されると、ＬＥＤチップ３が発光し、この光がレンズ部７を介して集光されて、上方から外部に出射されることになる。
特許文献１には、チップタイプ光半導体素子において、ワイヤボンディングパットがハンダリフロー時に熱を受けやすく、金ワイヤの外れなどが生じやすくなり信頼性が低下することを改良したチップタイプ光半導体素子が開示されている。
特開２００４ー１４８５７号公報

しかしながら、このような構成の表面実装型ＬＥＤ１，６においては、以下のような問題がある。
即ち、表面実装型ＬＥＤ１，６においては、チップ基板２の表面にてチップ実装ランド２ａ及び接続ランド２ｂから電極部材２ｅ，２ｆが引き回されていることから、電極部材２ｅ，２ｆのパターン領域が比較的多くなっている。特に複数個のＬＥＤチップ３が搭載されるような場合には、上記パターン領域が増大すると共に、複雑な形状になってしまう。

これにより、ＬＥＤチップ３から出射した光がチップ基板２の表面で反射される際に、上記パターン領域においては反射率が比較的低いことから、ＬＥＤチップ３からの光のチップ基板２表面による反射効率が低くなってしまう。

また、ランプハウスとしての枠状部材４，モールド樹脂５やレンズ部６をチップ基板２の表面に貼付けたり、トランスファー成形により形成すると、これらの枠状部材４やレンズ部６のチップ基板２の表面に対する密着性が比較的低くなってしまう。これにより、ＬＥＤチップ３から出射してチップ基板２の表面で反射された光が、枠状部材４の凹陥部４ａ内に充填されたモールド樹脂５やレンズ部６に入射しようとした場合に、これらのモールド樹脂５やレンズ部６の底面で枠状部材４や電極部材２ｅなどとの密着性が不十分な箇所においては密着しないために空気層が形成され、これにより所定の反射性能が得られずに、結果として光の取出し効率が低下してしまうことになる。

さらに、上記電極部材２ｅ，２ｆのパターン領域は、チップ基板２の表面から僅かな高さを有していることから、チップ基板２の表面との間に段差を生ずることになる。このため、上述した枠状部材４やレンズ部６のチップ基板２の表面に対する密着性がさらに低くなってしまうと共に、特にトランスファー成形の際には、この段差によって気泡が発生してしまうことがある。

さらに、表面実装型ＬＥＤ１，６の駆動発光時に、ＬＥＤチップ３で発生する熱は、チップ実装ランド２ａからチップ基板２の側面から裏面に回り込む表面実装用端子２ｃ，２ｄを介して、第二の導電層に放熱されるようになっている。

これは、チップ基板２自体が樹脂等から構成されており、導電層を構成する金属、例えば銅（熱伝導率約３９０Ｗ／ｍＫ）と比較して、熱伝導率が大幅に低い（例えば熱伝導率約０．２Ｗ／ｍＫ）ために、ＬＥＤチップ３からの熱が上記チップ実装ランド２ａから隣接する狭い連結部分２ｅを通って表面実装用端子２ｃ，２ｄに対して放熱されることになるためである。
このため、ＬＥＤチップ３の放熱が十分に行なわれないことがあり、ＬＥＤチップ３の温度が上昇すると、ＬＥＤチップ３の発光効率が低下し、信頼性が低下することになる。

本発明は、以上の点から、簡単な構成により、チップ基板表面を平滑に且つパターン領域の面積を低減させると共に、ＬＥＤチップからの熱が効率的に放熱され得るようにした表面実装型ＬＥＤを提供することを目的としている。

上記目的は、本発明によれば、チップ基板と、このチップ基板上面の中央部に形成されたチップ実装ランドと、接続ランドと、それぞれチップ基板の上面から裏面にまで回り込んで表面実装用端子を画成する導電パターンから成る一対の電極部材と、上記チップ実装ランド上に接合されると共に上記接続ランドに対してワイヤボンディングにより電気的に接続されたＬＥＤチップと、を含んでいる表面実装型ＬＥＤであって、上記チップ基板が多層基板として構成されており、上記チップ基板の最上層表面には上記ＬＥＤチップに対して電気的接続部となる上記チップ実装ランド及び接続ランドのみ露出し、上記チップ実装ランド及び接続ランドが、上記チップ基板の最上層の基板を貫通するように形成され、それぞれ最上層の基板の裏面に形成された一対の導電パターンと導通しており、上記チップ基板の両端付近の領域には多層基板を構成する各個別基板を上下に貫通する第一の導電部が形成され、上記一対の導電パターンが、それぞれ上記第一の導電部を介して上記一対の電極部材に接続されていることを特徴とする、表面実装型ＬＥＤにより、達成される。

本発明による表面実装型ＬＥＤは、好ましくは、上記チップ基板の表面の電極部材の形成されない領域に、透明樹脂から成り、上記ＬＥＤチップの発光を集光する上方に向かって凸状のレンズ部がトランスファー成形により形成されている。

本発明による表面実装型ＬＥＤは、好ましくは、上記チップ基板の表面の電極部材の形成されない領域に、中央に上記ＬＥＤチップを包囲するように上方に向かって広がる凹陥部を備えた枠状部材が貼付けられている。

本発明による表面実装型ＬＥＤは、好ましくは、上記チップ基板の上記チップ実装ランドが形成された領域に、多層基板を構成する各個別基板を順次上下に貫通する第二の導電部と、最下層の基板裏面に形成された熱伝導性の高い絶縁材料とが設けられ、上記チップ実装ランドが上記最上層の基板の裏面に形成された導電パターンと上記第二の導電部とを介して上記最下層の基板裏面に形成された熱伝導性の高い絶縁材料に熱的に接続している。

上記構成によれば、表面実装用端子から一対の電極部材そして最上層の基板の裏面に形成された導電パターンを介して、ＬＥＤチップに駆動電圧が印加されることにより、ＬＥＤチップが光を出射する。
この場合、チップ基板が多層基板として構成されており、最上層の基板の表面には、チップ実装部及び接続部のみが形成されていることから、この基板表面における導電パターンの面積が比較的小さくなる。
従って、チップ基板表面において導電パターンにより覆われない領域の面積が比較的大きくなるので、ＬＥＤチップからの光のチップ基板表面における反射効率が向上し、表面実装型ＬＥＤの光の取出し効率が向上することになる。
また、導電パターンにより覆われない領域の面積が比較的大きくなるので、透明樹脂からなるレンズ部との密着性が向上し信頼性が向上することになる。

また、チップ基板が多層基板として構成されており、基板内部に導電部が形成されていることによって、ＬＥＤチップからの光がチップ基板内部に入射したとしても、導電部によって遮断されることになるので、チップ基板の裏側に逃げる光が低減され得ることになる。

さらに、チップ基板の最上層の基板の表面に関して、この基板を上下に貫通するように形成されたチップ実装部及び接続部の表面のみが露出しており、周囲の基板表面との間に段差を生じない。
従って、例えばランプハウスやレンズ部をチップ基板表面に配置する場合に、これらのランプハウスやレンズ部がチップ基板表面に対して良好に密着して取り付けられることになる。これにより、これらのランプハウスやレンズ部の接着性が向上する。

上記チップ基板の表面の電極部材の形成されない領域に、透明樹脂から成るレンズ部がトランスファー成形により形成されている場合には、このレンズ部のチップ基板の表面に対する密着性そして接着性が向上すると共に、このレンズ部のトランスファー成形時に段差部分に注入されるエポキシ樹脂等の透明材料に気泡が発生してしまうようなことがない。
ここで、密着性の向上によって、ＬＥＤチップから出てチップ基板表面で反射された光が、レンズ部の底面で反射されることがなく、レンズ部を透過して上方に出射されるので、光の取出し効率が向上することになる。

上記チップ基板の表面の電極部材の形成されない領域に、中央に上記ＬＥＤチップを包囲するように上方に向かって広がる凹陥部を備えた枠状部材が貼付けられ、この凹陥部内に透明樹脂が充填されるとこにより透明樹脂部が形成されている場合には、この枠状部材によるランプハウスのチップ基板の表面に対する密着性そして接着性が向上することになる。

上記最上層の基板表面に露出するチップ実装部が、多層基板を構成する各個別基板を順次に貫通して、最下層の基板裏面まで導通している場合には、駆動時にＬＥＤチップで発生する熱が、チップ実装部から各個別基板を順次に貫通して最下層の基板裏面までの導通部分を介して伝達され、さらに実装基板に対して放熱され得ることになる。
従って、ＬＥＤチップからの熱が効率良く放熱されることになり、ＬＥＤチップの温度上昇が効果的に抑制されるので、発光効率が低下するようなことはなく、信頼性が向上する。
また、ＬＥＤチップに対してより大きな電流を流すことが可能になるため、高輝度化を図ることも可能となる。

このようにして、本発明によれば、チップ基板を多層基板として、最上層の基板の表面には、チップ実装部及び接続部の最低限の導電パターンのみを露出させるようにしたので、チップ基板表面における導電パターンの領域の面積が低減されることになる。従って、チップ基板表面において導電パターンにより覆われない領域の面積が比較的大きくなるので、ＬＥＤチップからの光のチップ基板表面における反射効率が向上し、表面実装型ＬＥＤの光の取出し効率が向上することになる。

以下、この発明の好適な実施形態を図１乃至図６を参照しながら、詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。

図１は、本発明による表面実装型ＬＥＤの第一の実施形態の構成を示している。
図１において、表面実装型ＬＥＤ１０は、チップ基板１１と、チップ基板１１上に搭載されたＬＥＤチップ１２と、ＬＥＤチップ１２を包囲するようにチップ基板１１上に形成された枠状部材１３と、枠状部材１３の凹陥部１３ａ内に充填されたモールド樹脂１４と、から構成されている。

上記チップ基板１１は、図２に示すように、平坦な銅張り配線基板として耐熱性樹脂から構成されており、図３に示すように、その表面にチップ実装ランド１１ａ，接続ランド１１ｂと、図４に示すように、これらから両端縁を介して下面に回り込む表面実装用端子部１１ｃ，１１ｄと、を備えている。
そして、チップ基板１１のチップ実装ランド１１ａ上に、ＬＥＤチップ１２が接合されると共に、隣接する接続ランド１１ｂに対してワイヤボンディングにより電気的に接続されるようになっている。

上記枠状部材１３は、同様に耐熱性樹脂によりチップ基板１１上に形成されると共に、ＬＥＤチップ１２の周りを包囲するように逆円錐台状の凹陥部１３ａを備えている。尚、この凹陥部１３ａの内面は、好ましくは反射面として構成されている。
なお、上記枠状部材１３は、図３に示すチップ基板１１の表面の電極部材の形成されない領域、すなわち、チップ実装ランド１１ａ，接続ランド１１ｂと、基板表面の両端縁の表面実装用端子部１１ｃ，１１ｄの間の領域に、枠状部材１３の凹陥部１３ａの底が位置するように貼り付けられている。

上記モールド樹脂１４は、例えばエポキシ樹脂等の透明材料から構成されており、上記凹陥部１３ａ内に充填され、硬化されている。

以上の構成は、図１１に示した従来の表面実装型ＬＥＤ１と同様の構成であるが、本発明実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０においては、さらに以下のように構成されている点で異なる構成になっている。
即ち、上記チップ基板１１は、この場合、例えばＡｎｙＬａｙｅｒＡＧＳＰ工法による二層構造として、上方基板１５及び下方基板１６から構成されている。

そして、上記上方基板１５は、その表面に、図３に示すように、前述したチップ実装ランド１１ａ及び隣接する接続ランド１１ｂが露出するように上下に貫通する二つの導電部１５ａ，１５ｂと、両端付近にて表面に露出するさらに二つの導電部１５ｃ，１５ｄを備えている。

また、上記下方基板１６は、その表面に、図２に示すように、中央の導電部１５ａに対応する領域から一側の端縁まで延びる第一の導電パターン１６ａと、上記導電部１５ｂに対応する領域から他側の端縁まで延びる第二の導電パターン１６ｂと、さらに中央領域及び両端の領域で上下に貫通する三つの導電部１６ｃ，１６ｄ，１６ｅと、を備えている。
さらに、上記下方基板１６は、その裏面の中央付近の比較的大きい領域に絶縁材料からなる薄いレジスト１６ｆが塗布されている。レジスト１６ｆは、その形状を非対象形状に形成しており、これにより表面実装型ＬＥＤ１の極性を示すマークとなる。なお、１６ｆはレジストに限らず、熱伝導性の高い絶縁材料、例えばシリコーン系の有機材料などが良い。

これにより、上記上方基板１５及び下方基板１６が互いに重ね合わされることによって、チップ実装ランド１１ａを形成する導電部１５ａが、導電パターン１６ａ，導電部１６ｄを介して表面実装用端子部１１ｃに導通すると共に、導電パターン１６ａから導電部１５ｃ，導電部１６ｄを介して、表面実装用端子１１ｃに電気的に接続され、また接続ランド１１ｂを形成する導電部１５ｂが導電パターン１６ｂから導電部１５ｄ，１６ｅを介して、表面実装用端子１１ｄに電気的に接続されることになる。
その際、上記チップ実装ランド１１ａを形成する導電部１５ａは、上述のように導電パターン１６ａを介して導電部１６ｃに導通する。そしてレジスト１６ｆを介して熱的にも接続されることになる。

本発明実施形態によるＬＥＤ１０は、以上のように構成されており、表面実装用端子１１ｃ，１１ｄを介してＬＥＤチップ１２に駆動電圧が印加されると、ＬＥＤチップ１２が発光し、この光が直接にまたは凹陥部１３ａの内面で反射されて上方から外部に出射されることになる。
この場合、チップ基板１１が二層基板として構成されており、各基板１５，１６の間に配置された導電部１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄそして導電パターン１６ａ，１６ｂ及び導電部１６ｄ，１６ｅを介して、ＬＥＤチップ１２への給電が行なわれることになる。

従って、上方基板１５の表面には、導電部１５ａ，１５ｂによるチップ実装ランド１１ａ，接続ランド１１ｂのみが露出しており、これらチップ実装ランド１１ａ，接続ランド１１ｂに対する給電ラインは、チップ基板１１の内部を引き回されることになる。このため、チップ基板１１の表面にて導電パターンにより覆われない領域の面積が比較的大きくなる。これにより、ＬＥＤチップ１２から出射してチップ基板１１で反射される光の反射効率が向上し、表面実装型ＬＥＤ１０の光の取出し効率が向上することになる。

また、上方基板１５の表面にて、導電部１５ａ，１５ｂによるチップ実装ランド１１ａ，接続ランド１１ｂが同一面で露出しており、これらチップ実装ランド１１ａ，接続ランド１１ｂは、上方基板１５即ちチップ基板１１の表面と段差を生じない。
従って、チップ基板１１の表面に枠状部材１３を貼付けたとき、この枠状部材１３の底面、そして枠状部材１３の凹陥部１３ａ内に充填されたモールド樹脂１４が、チップ基板１１の表面に良好に密着することになる。
特にチップ基板表面において導電パターンにより覆われない領域の面積が比較的大きくなるので、モールド樹脂１４とチップ基板１１表面との密着性を高めることになる。

さらに、駆動の際にＬＥＤチップ１２で発生した熱は、チップ実装ランド１１ａを形成する導電部１５ａから導電パターン１６ａ，表面実装用端子部１１ｃを介してと、導電部１５ａから導電パターン１６ａ，導電部１６ｃを介してレジスト１６ｆを通って放熱する経路の２つの放熱路により実装基板に効率良く放熱されることになる。従って、ＬＥＤチップ１２の温度上昇が抑制されることになり、ＬＥＤチップ１２の発光効率が低下することはなく、表面実装型ＬＥＤ１０の信頼性が向上することになる。
具体的には、本発明実施形態の表面実装型ＬＥＤ１０は、例えば図５にて符号Ａで示すように、点灯開始から１００秒後に、約３１０℃／Ｗの熱抵抗となり、従来の通常のチップ基板を使用した表面実装型ＬＥＤの場合に点灯開始から１００秒後の約６８０℃／Ｗの熱抵抗と比較して、半分以下の値になる。
従って、ＬＥＤチップ１２に対してより多くの電流を流すことが可能となり、発光光量が増大し、輝度が向上することが可能になる。

さらに、チップ基板表面において、枠状部材１３の凹陥部１３ａとモールド樹脂１４との境界が電極部材の形成されていない領域に位置するので、従来の表面実装型ＬＥＤ１における電極部材２ｅ，２ｆのようにモールド樹脂の境界部を跨ぐ電極部材が存在しない。従って、通電時に電極部材の有無の差による温度差がモールド樹脂界面において発生せず、モールド樹脂と一夫基板との密着性が向上し、信頼性が向上することになる。

図６は、本発明による表面実装型ＬＥＤの第二の実施形態の構成を示している。
図６において、表面実装型ＬＥＤ２０は、図１に示した第一の実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０にて、枠状部材１３及びモールド樹脂１４の代わりに、上方に向かって凸状のレンズ部２１を備えている点でのみ異なる構成になっている。

ここで、上記レンズ部２１は、上記チップ基板１１の表面に、透明樹脂材料を使用してトランスファー成形によって一体に形成されるようになっている。

このような構成の表面実装型ＬＥＤ２０によれば、表面実装用端子１１ｃ，１１ｄを介してＬＥＤチップ１２に駆動電圧が印加されると、ＬＥＤチップ１２が発光し、この光がレンズ部２１を介して集光されて、上方から外部に出射されることになる。

この場合も、チップ基板２１が二層基板として構成されていることにより、前述した表面実装型ＬＥＤ１０の場合と同様に、チップ基板１１の表面にはチップ実装ランド１１ａ及び接続ランド１１ｂのみが露出していることにより、チップ基板１１の表面での反射効率が向上すると共に、レンズ部２１のチップ基板１１に対する密着性が向上することになる。
そして、レンズ部２１のトランスファー成形の際に、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料の注入の際に、チップ基板１１上でのチップ実装ランド１１ａ及び接続ランド１１ｂの段差がないことから、段差における気泡発生が抑制され得ることになる。

上述した実施形態においては、チップ基板１１は二層に構成されているが、これに限らず、三層以上の多層基板であってもよいことは明らかである。
また、上述した実施形態においては、チップ基板１１上に枠状部材１４またはモールド樹脂部１７が形成されているが、これらは省略されてもよいことは明らかである。

このようにして、本発明によれば、簡単な構成により、チップ基板表面を平滑に且つパターン領域の面積を低減させると共に、ＬＥＤチップからの熱が効率的に放熱され得るようにした表面実装型ＬＥＤが提供され得る。

本発明による表面実装型ＬＥＤの第一の実施形態の構成を示す概略断面図である。図１の表面実装型ＬＥＤにおけるチップ基板を示す概略断面図である。図２のチップ基板における上方基板の表面を示す概略平面図である。図２のチップ基板における下方基板の裏面を示す概略平面図である。図１の表面実装型ＬＥＤにおける熱抵抗を従来の表面実装型ＬＥＤと比較して示すグラフである。本発明による表面実装型ＬＥＤの第二の実施形態の構成を示す概略断面図である。従来の表面実装型ＬＥＤの一例の構成を示す概略断面図である。図７の表面実装型ＬＥＤにおけるチップ基板の（Ａ）表面の概略平面図及び（Ｂ）裏面の概略底面図である。従来の表面実装型ＬＥＤの他の例の構成を示す概略断面図である。

符号の説明

１０表面実装型ＬＥＤ
１１チップ基板
１１ａチップ実装ランド
１１ｂ接続ランド
１１ｃ，１１ｄ表面実装用端子部
１１ｅ，１１ｆ電極部材
１２ＬＥＤチップ
１３枠状部材
１３ａ凹陥部
１４モールド樹脂
１５上方基板
１５ａ導電部（チップ実装ランド）
１５ｂ導電部（接続ランド）
１５ｃ，１５ｄ導電部
１６下方基板
１６ａ，１６ｂ導電パターン
１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ導電部
１６ｆレジスト
２０表面実装型ＬＥＤ
２１レンズ部

Claims

チップ基板と、このチップ基板上面の中央部に形成されたチップ実装ランドと、接続ランドと、それぞれチップ基板の上面から裏面にまで回り込んで表面実装用端子を画成する導電パターンから成る一対の電極部材と、上記チップ実装ランド上に接合されると共に上記接続ランドに対してワイヤボンディングにより電気的に接続されたＬＥＤチップと、を含んでいる表面実装型ＬＥＤであって、
上記チップ基板が多層基板として構成されており、
上記チップ基板の最上層表面には上記ＬＥＤチップに対して電気的接続部となる上記チップ実装ランド及び接続ランドのみ露出し、上記チップ実装ランド及び接続ランドが、上記チップ基板の最上層の基板を貫通するように形成され、それぞれ最上層の基板の裏面に形成された一対の導電パターンと導通しており、上記チップ基板の両端付近の領域には多層基板を構成する各個別基板を上下に貫通する第一の導電部が形成され、上記一対の導電パターンが、それぞれ上記第一の導電部を介して上記一対の電極部材に接続されていることを特徴とする、表面実装型ＬＥＤ。
上記チップ基板の表面の電極部材の形成されない領域に、透明樹脂から成り、上記ＬＥＤチップの発光を集光する上方に向かって凸状のレンズ部がトランスファー成形により形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の表面実装型ＬＥＤ。
上記チップ基板の表面の電極部材の形成されない領域に、中央に上記ＬＥＤチップを包囲するように上方に向かって広がる凹陥部を備えた枠状部材が貼付けられ、この凹陥部内に透明樹脂が充填されることにより透明樹脂部が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の表面実装型ＬＥＤ。
上記チップ基板の上記チップ実装ランドが形成された領域には、多層基板を構成する各個別基板を順次上下に貫通する第二の導電部と、最下層の基板裏面に形成された熱伝導性の高い絶縁材料とが設けられ、上記チップ実装ランドが上記最上層の基板の裏面に形成された導電パターンと上記第二の導電部とを介して上記最下層の基板裏面に形成された熱伝導性の高い絶縁材料に熱的に接続していることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１に記載の表面実装型ＬＥＤ。