JP2717903B2 - 発光基板 - Google Patents
発光基板Info
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- conductive pattern
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＥＤを実装した発光基
板に関するものである。
板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】導電パターンを形成した基板上に、ＬＥ
Ｄチップを直にマウントしてなる発光基板が、小型化お
よび薄型化が可能であることから、小型機器類の表示用
として実用されている。
Ｄチップを直にマウントしてなる発光基板が、小型化お
よび薄型化が可能であることから、小型機器類の表示用
として実用されている。
【０００３】ところで、通常ＬＥＤチップを発光させる
に際しては、その電気回路中に順方向電流を制御するた
めの抵抗体を直列接続している。図４はこのような従来
の発光基板を示しており、絶縁基板７の表面に互いに独
立して導電パターン７１，７２，７３を形成し、導電パ
ターン７１，７２間に電流制御のための抵抗体７０を接
続し、導電パターン７３上にＬＥＤチップを載置すると
共にボンディングワイヤ３１で導電パターン７２と接続
してなり、導電パターン７１，７３間に電圧を印加して
ＬＥＤチップを発光させるものである。
に際しては、その電気回路中に順方向電流を制御するた
めの抵抗体を直列接続している。図４はこのような従来
の発光基板を示しており、絶縁基板７の表面に互いに独
立して導電パターン７１，７２，７３を形成し、導電パ
ターン７１，７２間に電流制御のための抵抗体７０を接
続し、導電パターン７３上にＬＥＤチップを載置すると
共にボンディングワイヤ３１で導電パターン７２と接続
してなり、導電パターン７１，７３間に電圧を印加して
ＬＥＤチップを発光させるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来構造では、抵抗体７０を基板に載置させねばならない
分、余分なスペースが必要となり、発光基板のより小型
化を阻害することになる。さらに抵抗体７０を実装（通
常はハンダ付け）するので製造の際に工数が増加して作
業性が悪いという問題があった。
来構造では、抵抗体７０を基板に載置させねばならない
分、余分なスペースが必要となり、発光基板のより小型
化を阻害することになる。さらに抵抗体７０を実装（通
常はハンダ付け）するので製造の際に工数が増加して作
業性が悪いという問題があった。
【０００５】従って本発明は、従来のように抵抗体の搭
載を不要とし、より小型化および薄型化が可能で、製造
も容易な発光基板を提供することを課題とする。
載を不要とし、より小型化および薄型化が可能で、製造
も容易な発光基板を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の発光基板は、互
いに独立した２つの導電パターンを表面に有する第１の
基板と、該第１の基板との接合面に抵抗パターンを有し
他面に導電パターンを有する第２の基板との貼合わせか
ら少なくとも構成される複合基板と、前記第１の基板の
いずれか一方の導電パターン上に載置されるＬＥＤチッ
プとからなり、前記抵抗パターンと前記第１および第２
の基板の各導電パターンとは、それぞれの基板に設けた
スルーホールを介して電気接続されていることを特徴と
するものである。
いに独立した２つの導電パターンを表面に有する第１の
基板と、該第１の基板との接合面に抵抗パターンを有し
他面に導電パターンを有する第２の基板との貼合わせか
ら少なくとも構成される複合基板と、前記第１の基板の
いずれか一方の導電パターン上に載置されるＬＥＤチッ
プとからなり、前記抵抗パターンと前記第１および第２
の基板の各導電パターンとは、それぞれの基板に設けた
スルーホールを介して電気接続されていることを特徴と
するものである。
【０００７】
【作用】本発明の発光基板においては、電流は、第１
の基板の導電パターンおよびスルーホール、抵抗パタ
ーン、第２の基板のスルーホールおよび導電パター
ン、という順に流れ、前記抵抗パターンにより順方向電
流が制御される。かかる発光基板によれば、ＬＥＤチッ
プを載置する複合基板内に、電流制御のための抵抗層を
組み込んだことになるので、従来のように抵抗体を基板
上に実装する必要はなく、発光基板の省スペース化に有
効である。
の基板の導電パターンおよびスルーホール、抵抗パタ
ーン、第２の基板のスルーホールおよび導電パター
ン、という順に流れ、前記抵抗パターンにより順方向電
流が制御される。かかる発光基板によれば、ＬＥＤチッ
プを載置する複合基板内に、電流制御のための抵抗層を
組み込んだことになるので、従来のように抵抗体を基板
上に実装する必要はなく、発光基板の省スペース化に有
効である。
【０００８】
【実施例】以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明の発光基板の一実施例を示す断
面図であり、図２はその斜視図を示している。図におい
て、互いに独立した２つの導電パターン１１，１２を表
面に有し、絶縁材料から形成された第１の基板１０と、
同様に導電パターン２１，２２を有する第２の基板２０
との貼合わせからなる複合基板１上にＬＥＤチップが載
置されている。
説明する。図１は本発明の発光基板の一実施例を示す断
面図であり、図２はその斜視図を示している。図におい
て、互いに独立した２つの導電パターン１１，１２を表
面に有し、絶縁材料から形成された第１の基板１０と、
同様に導電パターン２１，２２を有する第２の基板２０
との貼合わせからなる複合基板１上にＬＥＤチップが載
置されている。
【０００９】第２の基板２０の、第１の基板１０との接
合面側には抵抗パターンＲが設けられており（第１の基
板１０の裏面側に設けてももちろん良い）、該抵抗パタ
ーンＲと、第１の基板１０の導電パターン１２とはスル
ーホールを介し、第２の基板２０の導電パターン２１と
はスルーホール２３を介してそれぞれ電気的に接続され
ている。また１４は、導電パターン１４と導電パターン
２２とを電気接続するためのスルーホールであり、必要
に応じて設けられる。該スルーホール１４を設ければ、
複合基板１の裏側に位置する導電パターン２１，２２を
ＬＥＤチップ３への給電用電極とでき、給電リードを裏
面側に集中させ得る点で有利である。
合面側には抵抗パターンＲが設けられており（第１の基
板１０の裏面側に設けてももちろん良い）、該抵抗パタ
ーンＲと、第１の基板１０の導電パターン１２とはスル
ーホールを介し、第２の基板２０の導電パターン２１と
はスルーホール２３を介してそれぞれ電気的に接続され
ている。また１４は、導電パターン１４と導電パターン
２２とを電気接続するためのスルーホールであり、必要
に応じて設けられる。該スルーホール１４を設ければ、
複合基板１の裏側に位置する導電パターン２１，２２を
ＬＥＤチップ３への給電用電極とでき、給電リードを裏
面側に集中させ得る点で有利である。
【００１０】前記の導電パターン１２上には、ＬＥＤチ
ップ３が銀ペースト等を介して載置され、該ＬＥＤチッ
プ３の電極と他の導電パターン１１とがボンディングワ
イヤ３１により電気接続されている。そしてＬＥＤチッ
プ３の周辺上には、保護並びにレンズ効果施与のため、
例えばエポキシ樹脂等の透光性樹脂モールド被覆４が施
されている。
ップ３が銀ペースト等を介して載置され、該ＬＥＤチッ
プ３の電極と他の導電パターン１１とがボンディングワ
イヤ３１により電気接続されている。そしてＬＥＤチッ
プ３の周辺上には、保護並びにレンズ効果施与のため、
例えばエポキシ樹脂等の透光性樹脂モールド被覆４が施
されている。
【００１１】かかる発光基板を駆動させるには、図２に
示すように第１の基板１０の導電パターン１１（導電パ
ターン２２でも可）と、第２の基板２０の導電パターン
２１との間に、リード線５１，５２を介して電源５を接
続することによりＬＥＤチップ３が発光する。この際、
上記の抵抗パターンＲが、ＬＥＤチップの順方向電流を
制御する機能を果たすものである。
示すように第１の基板１０の導電パターン１１（導電パ
ターン２２でも可）と、第２の基板２０の導電パターン
２１との間に、リード線５１，５２を介して電源５を接
続することによりＬＥＤチップ３が発光する。この際、
上記の抵抗パターンＲが、ＬＥＤチップの順方向電流を
制御する機能を果たすものである。
【００１２】上記の第１および第２の基板１０，２０の
材料としては、例えばセラミックスや耐熱性樹脂からな
る絶縁材料等を使用することができる。また導電ペース
トとしては、金、銀、銀−パラジウム、銀−白金ペース
トの塗布またはスクリーン印刷等で形成することができ
る。さらに抵抗パターンＲとしては各種公知のものを使
用でき、例えば抵抗材料の塗布やスクリーン印刷、或い
はエッチング等で形成する方法が挙げられ、特に好まし
い形成手段として酸化ルテニウム等のペーストをスクリ
ーン印刷して形成する方法を例示することができる。
材料としては、例えばセラミックスや耐熱性樹脂からな
る絶縁材料等を使用することができる。また導電ペース
トとしては、金、銀、銀−パラジウム、銀−白金ペース
トの塗布またはスクリーン印刷等で形成することができ
る。さらに抵抗パターンＲとしては各種公知のものを使
用でき、例えば抵抗材料の塗布やスクリーン印刷、或い
はエッチング等で形成する方法が挙げられ、特に好まし
い形成手段として酸化ルテニウム等のペーストをスクリ
ーン印刷して形成する方法を例示することができる。
【００１３】上記において、第１および第２の基板１
０，２０からなる複合基板の厚さは０．２mm〜５mm程度
が適当であり、また導電パターンの厚さは１０〜１００
μｍ程度、抵抗パターンＲの厚さは５〜２０μｍ程度が
適当である。
０，２０からなる複合基板の厚さは０．２mm〜５mm程度
が適当であり、また導電パターンの厚さは１０〜１００
μｍ程度、抵抗パターンＲの厚さは５〜２０μｍ程度が
適当である。
【００１４】本発明において好ましい複合基板１とし
て、低温焼成多層セラミック基板を挙げることができ
る。かかる材料であれば、酸化ルテニウムからなる抵抗
パターンなどを備えた単基板を多層化する際に、比較的
低温（５００℃程度）での多層化が可能であり、抵抗パ
ターンを熱で劣化させる恐れがないので好ましい。さら
に複合基板１の形態は本実施例に限定されず、２枚以上
の多層基板としても良く、この場合はいずれかの基板に
抵抗パターンを設け、複合基板１の両面の導電パターン
と該抵抗パターンとを、複数の基板を貫通するスルーホ
ールでそれぞれ電気接続すれば良い。
て、低温焼成多層セラミック基板を挙げることができ
る。かかる材料であれば、酸化ルテニウムからなる抵抗
パターンなどを備えた単基板を多層化する際に、比較的
低温（５００℃程度）での多層化が可能であり、抵抗パ
ターンを熱で劣化させる恐れがないので好ましい。さら
に複合基板１の形態は本実施例に限定されず、２枚以上
の多層基板としても良く、この場合はいずれかの基板に
抵抗パターンを設け、複合基板１の両面の導電パターン
と該抵抗パターンとを、複数の基板を貫通するスルーホ
ールでそれぞれ電気接続すれば良い。
【００１５】なお基板１０，２０に設けたスルーホール
１３，２３は、その内周壁を導電性材料でメッキする
か、スルーホールが小径の場合はホール自体を導電材料
で充填する等の方法で、導電性を具備させることができ
る。
１３，２３は、その内周壁を導電性材料でメッキする
か、スルーホールが小径の場合はホール自体を導電材料
で充填する等の方法で、導電性を具備させることができ
る。
【００１６】図３は本発明の変形実施例を示す断面図で
あり、図１に示した実施例品とは、第１の基板１０の導
電パターン１２と第２の基板２０の導電パターン２１と
を電気的に短絡させるスルーホール６を付設した点で異
なる。該スルーホール６部分は、例えば図中一点鎖線Ｃ
で切断することにより、図１に示した実施例品と同等の
複合基板とし得るように複合基板１の端部付近に配置さ
れている。
あり、図１に示した実施例品とは、第１の基板１０の導
電パターン１２と第２の基板２０の導電パターン２１と
を電気的に短絡させるスルーホール６を付設した点で異
なる。該スルーホール６部分は、例えば図中一点鎖線Ｃ
で切断することにより、図１に示した実施例品と同等の
複合基板とし得るように複合基板１の端部付近に配置さ
れている。
【００１７】一般にＬＥＤ回路には順方向電流を制御す
るために抵抗素子が挿入され、特に電源が電池である場
合、電池の消耗性や発光輝度の安定性を改善するために
抵抗回路は不可欠であるが、このような特性を要求され
ない用途もある。図３に示す実施例品はかかる用途に対
しても対応可能としたものであり、当該発光基板であれ
ば導電パターン１１と導電パターン２１との間に通電す
ると、スルーホール６が抵抗パターンＲの電流経路に対
して並列に付設されているので、抵抗パターンＲによっ
て限流されることなく電流が流れることとなる。また抵
抗パターンＲに電流を経由させたい場合（順方向電流を
制御したい場合）は、一点鎖線Ｃで該複合基板１の一部
を切断してスルーホール６部分を除去することにより達
成可能となるものである。
るために抵抗素子が挿入され、特に電源が電池である場
合、電池の消耗性や発光輝度の安定性を改善するために
抵抗回路は不可欠であるが、このような特性を要求され
ない用途もある。図３に示す実施例品はかかる用途に対
しても対応可能としたものであり、当該発光基板であれ
ば導電パターン１１と導電パターン２１との間に通電す
ると、スルーホール６が抵抗パターンＲの電流経路に対
して並列に付設されているので、抵抗パターンＲによっ
て限流されることなく電流が流れることとなる。また抵
抗パターンＲに電流を経由させたい場合（順方向電流を
制御したい場合）は、一点鎖線Ｃで該複合基板１の一部
を切断してスルーホール６部分を除去することにより達
成可能となるものである。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した通りの本発明の発光基板に
よれば、ＬＥＤチップの順方向電流を制御する抵抗体を
基板内に抵抗パターンとして具備させたので、従来のよ
うに基板表面に抵抗体を配置するスペースが不要とな
り、より狭所への発光基板の組み込みが可能となり、従
って発光基板を組み込む機器類の小形化および薄型化も
可能となる。さらに抵抗体をハンダ付け等で実装させる
という工程が不要となるので、生産性も向上するという
利点を有するものである。
よれば、ＬＥＤチップの順方向電流を制御する抵抗体を
基板内に抵抗パターンとして具備させたので、従来のよ
うに基板表面に抵抗体を配置するスペースが不要とな
り、より狭所への発光基板の組み込みが可能となり、従
って発光基板を組み込む機器類の小形化および薄型化も
可能となる。さらに抵抗体をハンダ付け等で実装させる
という工程が不要となるので、生産性も向上するという
利点を有するものである。
【図１】本発明の発光基板の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示した発光基板の斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図４】従来の発光基板を示す断面図である。
１ 複合基板 １０ 第１の基板 １１，１２ 第１の基板の導電パターン ２０ 第２の基板 ２１，２２ 第２の基板の導電パターン １３，２３ スルーホール ３ ＬＥＤチップ ３１ ボンディングワイヤ Ｒ 抵抗パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに独立した２つの導電パターンを表
面に有する第１の基板と、該第１の基板との接合面に抵
抗パターンを有し他面に導電パターンを有する第２の基
板との貼合わせから少なくとも構成される複合基板と、
前記第１の基板のいずれか一方の導電パターン上に載置
されるＬＥＤチップとからなり、前記抵抗パターンと前
記第１および第２の基板の各導電パターンとは、それぞ
れの基板に設けたスルーホールを介して電気接続されて
いることを特徴とする発光基板。 - 【請求項２】 前記第１の基板の導電パターンと第２の
基板の導電パターンとを短絡するスルーホールを前記抵
抗パターン経路と並列に付設し、該スルーホール部のみ
を必要に応じて切除可能としたことを特徴とする請求項
１記載の発光基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4129955A JP2717903B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 発光基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4129955A JP2717903B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 発光基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299700A JPH05299700A (ja) | 1993-11-12 |
| JP2717903B2 true JP2717903B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=15022570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4129955A Expired - Lifetime JP2717903B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 発光基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717903B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4908669B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2012-04-04 | ローム株式会社 | チップ型発光素子 |
| JP2001352102A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
| JP4959071B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2012-06-20 | ローム株式会社 | 面実装型半導体装置 |
| JP2007059930A (ja) * | 2001-08-09 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄ照明装置およびカード型ｌｅｄ照明光源 |
| JP3800335B2 (ja) | 2003-04-16 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイス、光モジュール、半導体装置及び電子機器 |
| US7332861B2 (en) * | 2004-02-05 | 2008-02-19 | Agilight, Inc. | Light-emitting structures |
| JP4744093B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-08-10 | ネオプト株式会社 | 照明ユニットおよびそれを用いた照明装置 |
| JP2008504711A (ja) * | 2004-06-29 | 2008-02-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光ダイオードモジュール |
| JP4831958B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-12-07 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型ｌｅｄ |
| JP2006216764A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
| KR100631993B1 (ko) | 2005-07-20 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2007115874A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 接合用パターンの構造、その形成方法及び発光装置 |
| JP4905471B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2012-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | Ｌｅｄ表示装置およびその使用方法 |
| JP2010187031A (ja) * | 2010-05-31 | 2010-08-26 | Rohm Co Ltd | チップ型発光素子 |
| JP5913432B2 (ja) * | 2014-05-20 | 2016-04-27 | ローム株式会社 | チップ型発光素子 |
| DE102014112673A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Epcos Ag | Leuchtdiodenvorrichtung |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP4129955A patent/JP2717903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299700A (ja) | 1993-11-12 |
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