JP5352938B2 - 発光ダイオード装置 - Google Patents

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Description

本発明は発光ダイオード装置に関する。
従来、この種の発光ダイオード装置の一例としては、発光ダイオードチップを実装したプリント基板上に、複数の仕切板により仕切った反射板を載置し、この反射板の下端部に設けた複数の固定用リード線をプリント基板にハンダ付けすることにより、反射板全体をプリント基板上に固定するものが知られている(例えば特許文献1参照)。
この発光ダイオード装置によれば、発光ダイオードチップの位置を考慮して反射板をプリント基板上に位置決めしているので、発光ダイオードチップの発光を反射する反射板の反射効率の向上を図ることができる。
特開平11−161198号公報
しかしながら、このような従来の発光ダイオード装置では、複数の仕切板により仕切られた反射板全体をプリント基板上に固定するために、複数の固定用リード線をプリント基板上にハンダ付けしている。すなわち、プリント基板上に反射板を固定する位置を位置決めした後、細径の複数の固定用リード線をプリント基板上に一々ハンダ付けしなければならない。このために、反射板の位置決め作業が煩雑であるうえに、複数の細径の固定用リード線をプリント基板上に一々ハンダ付けする煩雑な作業が必要であり、反射板の固定作業性が必ずしも良好ではない。
また、細径の固定用リード線により、これよりも大形で重量の重い反射板と仕切板を、プリント基板上に固定するので、固定力が小さく、反射板の固定位置がずれ易い。このために、光学性能も変動し易いという課題がある。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、反射面を有する凹部形成部材を基板に簡単かつ確実迅速に固定することができる発光ダイオード装置を提供することを目的とする。
請求項1に係る発明は、表面および段差部が形成された裏面を有する長尺状の基板と;基板の表面側に形成される投光開口を有する凹部および段差部に嵌合する嵌合部を有し、基板の長手方向に形成された複数の凹部形成部材と;基板の長手方向で隣り合う凹部形成部材どうしの間に形成されて、基板の一部を雰囲気に露出させるスリットと;投光開口に対向する基板上に配設された導電層と;凹部内に配設されて導電層に電気的に接続された発光ダイオードチップと;を具備していることを特徴とする発光ダイオード装置である。
請求項に係る発明は、段差部は、その段差を、深さが基板の厚さの10%以内で形成していることを特徴とする請求項1または2記載の発光ダイオード装置である。
請求項に係る発明は、基板は、その幅方向両端部に形成された切欠を有し、凹部形成部材の側面部は、基板の切欠に係合する係合凸部を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一記載の発光ダイオード装置である。
請求項1に係る発明によれば、基板の一面に配設された凹部形成部材に、基板の幅方向両端を挟持する一対の側面部を一体に連結し、この一対の側面部に、基板裏面の段差部に嵌合する嵌合部を設けているので、一対の側面部により基板の幅方向両端部を挟持した状態で、さらに凹部形成部材と一対の側面部とにより、基板を厚さ方向で抱え持ちすることができる。このために、基板上に凹部形成部材を確実に固定することができる。
また、凹部形成部材と一対の側面部とにより基板を厚さ方向で抱え持ちするので、基板の厚さ方向の抜脱を防止または低減することができる。
請求項2に係る発明によれば、段差部の段差深さが基板の厚さの10%以内であって、深くないので、この段差に、一対の側面部が容易に嵌合することができる。
請求項3に係る発明によれば、基板の幅方向両端部に形成された切欠に、一対の側面部の係合凸部が係合するので、基板に対し一対の側面部が長手方向にずれるのを防止または低減することができる。
このために、一対の側面部に一体に連結された凹部形成部材の凹部内面の反射面が基板上に配設された発光ダイオードチップに対しずれて光学特性が変化するのを防止または低減することができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。なお、これら複数の添付図面中、同一または相当部分には同一符号を付している。
図1は図3のI−I線断面図、図2は図3のII−II線断面図、図3は本発明の一実施形態に係る発光ダイオードモジュール1の一部切欠平面図、図4は図3のIV−IV線断面図、図5は図1等で示す基板の一部切欠平面図、図6は図4のVI部拡大図、図7は図3の一部拡大図である。
図3,図4に示すように発光ダイオードモジュール1は長尺状の基板2上に、複数の発光ダイオード装置3,3,…を長手方向に例えば1列状に配設し、かつ一体に連成している。
基板2は、放熱性と剛性を有するアルミニウム(Al)やニッケル(Ni)、ガラスエポキシ等の平板からなり、図5に示すように幅方向両端部に例えば角形の一対の切欠2b,2cを切欠形成し、これら一対の切欠2b,2cを長手方向に所定のピッチで複数対形成している。また、基板2は図1,図2に示すように凹部形成部材9を形成する一面(図中上面)の反対側である裏面側において、基板2の幅方向両端部に、所要形状の左右一対の段差2e,2fを形成している。これら一対の段差2e,2fは基板2の長手方向中間部の全長に亘って連続的に形成されている。
基板2は、複数の発光ダイオード装置3,3,…の各基板を一体に連成してなる一体基板であり、この基板2上には、電気絶縁層4を介して導電層の一例である回路パターン5が配設されている。
図4,図6に示すように回路パターン5は、各発光ダイオード装置3毎に銅(Cu)とニッケル(Ni)の合金や金(Au)等により、陰極側と陽極側の回路パターン(配線パターン)5a,5bを形成しており、この回路パターン5上には、各発光ダイオード装置3毎に、例えば青色発光の発光ダイオードチップ6をそれぞれ搭載している。各発光ダイオードチップ6は、青色光を発光する例えば窒化ガリウム(GaN)系半導体等からなる。各発光ダイオードチップ6は、その底面電極を回路パターン5a,5bの一方上に載置してダイボンディング等により電気的に接続する一方、上面電極を回路パターン5a,5bの他方にボンディングワイヤ7により接続している。なお、図3中符号5cは一対の回路パターン5a,5b同士を電気的に絶縁する間隙である。
そして、基板2上には、各発光ダイオードチップ6の周囲を所要の間隔を置いて取り囲み、基板2の反対側(図4,図6では上方)に向けて漸次拡開する逆円錐台状の凹部8をそれぞれ同心状に形成した凹部形成部材9を各発光ダイオード装置3毎に形成すると共に、これらを一体に形成している。凹部形成部材9は、例えばPBT(ポリブチレンテレフタレート)やPPA(ポリフタルアミド)、PC(ポリカーボネート)等の合成樹脂により、樹脂層を形成している。この樹脂層は、基板2の幅方向左右両端外面を幅方向に挟持する一対の側面部11a,11bを凹部形成部材9に一体に連成して断面コ字状に形成されている。各凹部8は、その凹部内面に反射面8aを形成し、外部に開口する投光開口8bとその上端面である投光開口端8cをそれぞれ有する。
また、各凹部8は、その内部に、透光性を有するシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性透明樹脂を注入し、投光開口端8cとほぼ面一になるように充填し、封止樹脂10としてそれぞれ形成している。さらに、この封止樹脂10内には、例えば黄色発光の蛍光体が混入されている。
そして、図1〜図5に示すように、基板2の長手方向で隣り合う凹部形成部材9,9,…同士を一体に連結する連結部9aの外表面として、その図4,図6中上面に、各投光開口端8cと同一端側、すなわち、図4,図6では上方側に向けて開口するスリット11を全幅に亘って切欠形成している。
図2,図6にも示すように各スリット11は、その底面で基板2の図2,図6中の上面2aを外部に露出させる深さに形成されている。また、スリット11の図3,図7中上端部と下端部、すなわち、基板2の幅方向左右両側端部側には一対の側面部11a,11bを配設している。これら一対の側面部11a,11bは、図1,図2に示すように、基板2を幅方向で挟持するように配設され、各凹部形成部材9,9,…の幅方向両端部と一体に連結されて断面形状がほぼコ字状基板2に形成されている。
図1,図2に示すように一対の側面部11a,11bは、基板2の幅方向両端部外面を、幅方向で挟持するように所要厚でそれぞれ被覆し、図3に示すように基板2の長手方向中間部の全長に亘って連続的に連成されている。また、一対の側面部11a,11bは図5で示す基板2の各対の切欠2b,2cにそれぞれ係合する角柱状の係合凸部11a1,11b1をそれぞれ形成している。これら係合凸部11a1,11b1は隣り合う凹部形成部材9,9,…間に形成されるスリット11と同一位置に形成されている。図6に示すように各係合凸部11a1,11b1の厚さ方向上端(図6中上端)は基板2の図中上端面2aとほぼ面一に形成されている。
図1に示すように一対の側面部11a,11bは、その図1中各下端部を基板2側へほぼ直角にそれぞれ屈曲させ、これら屈曲端部に、基板2の裏面2d側の左右一対の段差2e,2fにそれぞれ嵌合する嵌合部11a2,11b2を一体に連成している。これら一対の嵌合部11a2,11b2の内端同士間には、所要幅の開口11cが形成されている。
次に、この発光ダイオードモジュール1の作用を説明する。
まず、一対の回路パターン5a,5bを介して各発光ダイオードチップ6に直流電圧が印加されると、これら発光ダイオードチップ6が青色に発光する。この発光は透明の封止樹脂10内の黄色発光の蛍光体を励起し、黄色を発光させると共に、発光ダイオードチップ6の青色光と混色することにより白色光となって、反射面8aにより反射されて投光開口8bから外部へ放射される。
これら発光ダイオードチップ6は通電により発熱し、発光ダイオードモジュール1全体に伝達されるが、基板2に伝達された熱の一部は、各スリット11の外部露出底面である基板上面2aの一部から外部へ放出されるので、その昇温を抑制することができる。
また、凹部形成部材9,9,…は、樹脂製であり、金属製の基板2よりも熱膨張率が大きいので、その熱膨張差により、反り等の変形が発生しようとするが、その変形がスリット11の変形により吸収されるので、凹部形成部材9の変形を防止または低減することができる。
このために、複数の凹部形成部材9,9,…の反射面8a,8a,…や封止樹脂10の変形により、その投光開口端8b,8b,…の投光方向がずれて色むらや輝度むら(明るさのむら)が発生するのを防止または低減することができる。
また、各スリット11は、その左右両側面に、隣り合う凹部形成部材9,9同士を連結する左右一対の側面部11a,11bを設けているので、これら凹部形成部9を射出成形により形成する場合には、その射出成形用の成形型の配列方向一端側の凹部形成部9に樹脂を射出することにより、その樹脂を、各スリット11の一対の側面部11a,11bを通して列方向他端側の凹部形成部9の隅々まで行き渡らせることができる。
このために、複数の凹部形成部材9,9,…を射出成形によりほぼ同時に形成することができると共に、その成形性を向上させることができる。
そして、図1に示すように凹部形成部材9に一体に連結されている一対の側面部11a,11bは、基板2の幅方向両端部を幅方向に挟持すると共に、これら一対の側面部11a,11bの一対の嵌合部11a2,11b2が基板裏面2b側の一対の段差2e,2fに嵌合することにより、各凹部形成部材9と一対の側面部11a,11bにより基板2を厚さ方向に抱え持ちしている。すなわち、各凹部形成部材9と一対の側面部11a,11bにより、基板2を表裏方向と幅方向の2方向で挟持すると共に、基板2の長手方向で係止しているので、各凹部形成部材9を基板2上の所定の位置に強固に固定することができる。
また、各凹部形成部材9と一対の側面部11a,11bは弾性を有する樹脂により形成されているので、基板2の回路パターン5上に一対の側面部11a,11bの下面開口11c端を載置し、各凹部形成部材9を基板2側へ押し込むことにより、各凹部形成部材9と一対の側面部11a,11bとを一体に連成した樹脂層を基板2に簡単迅速かつ確実に取り付けることができる。
すなわち、凹部形成部材9側を基板2側へ押し込むと、一対の側面部11a,11bの開口下端当接面が回路パターン5の上面上を幅方向外方へ摺動して下面開口11cが次第に拡大するように弾性変形して行き、さらに、凹部形成部材9を基板2側へ押し込み続けると、この下面開口11c端が基板2の左右両側面外面まで拡大して飲み込み、やがて基板裏面2bへ進み、この基板裏面2bへ到達したときに、一対の側面部11a,11bの嵌合部11a2,11b2が基板裏面2bの段差部2e,2fに嵌合される。
これにより、凹部形成部材9を基板2側へ単に押し込むことにより、凹部形成部材9を基板2へ簡単迅速かつ確実に固定することができる。
さらに、各対の側面部11a,11bは、その係合凸部11a1,11b1を、基板2の各対の切欠2b,2c,…に係合させているので、これら側面部11a,11bに一体に連成されている凹部形成部材9,9,…が基板2の長手方向に変位するのを防止することができる。
このために、凹部形成部材9,9,…の反射面8aが発光ダイオードチップ6に対して基板2の長手方向に変位するのを防止することができるので、その反射面8aの変位に起因する光学的性能の変動を防止することができる。
なお、前記実施形態では、発光ダイオード装置3の複数個をそれぞれ1列状に配設した発光ダイオードモジュールについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば各発光ダイオード装置3の複数個をマトリックス状に形成してもよく、さらに発光ダイオード装置3はそれぞれ単数でもよい。また、複数個の発光ダイオードモジュール1,1,…を一平面上に配列して一体に連結することにより所要の照明装置等に構成してもよい。
図3のI−I線断面図。 図3のII−II線断面図。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオードモジュールの一部切欠平面図。 図3のIV−IV線断面図。 図1〜図3等で示す基板の一部切欠平面図。 図4のVI部拡大図。 図3の一部拡大図。
符号の説明
1…発光ダイオードモジュール、2…基板、2b,2c…切欠、2e,2f…段差、3…発光ダイオード装置、4…絶縁層、5…回路パターン、6…発光ダイオードチップ、8…凹部、8a…反射面、8b…投光開口、8c…投光開口端、9…凹部形成部材、10…封止樹脂、11…スリット、11a,11b…一対の側面連結部、11a1,11b1…係合凸部、11a2,11b2…嵌合部。

Claims (4)

  1. 表面および段差部が形成された裏面を有する長尺状の基板と;
    基板の表面側に形成される投光開口を有する凹部および段差部に嵌合する嵌合部を有し、基板の長手方向に形成された複数の凹部形成部材と;
    基板の長手方向で隣り合う凹部形成部材どうしの間に形成されて、基板の一部を雰囲気に露出させるスリットと;
    投光開口に対向する基板上に配設された導電層と;
    凹部内に配設されて導電層に電気的に接続された発光ダイオードチップと;
    を具備していることを特徴とする発光ダイオード装置。
  2. 凹部形成部材は、基板を挿入させる開口部およびこの開口部内に形成されて段差部に嵌合する嵌合部を有し、この開口部を基板側へ押し込むことにより、この開口部を拡開させるように弾性変形させて基板を開口部内に挿入させたときに嵌合部を基板の段差部に嵌合させて基板を取付固定させるように構成されていることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード装置。
  3. 段差部は、その段差を、深さが基板の厚さの10%以内で形成していることを特徴とする請求項1または2記載の発光ダイオード装置。
  4. 基板は、その幅方向両端部に形成された切欠を有し、
    凹部形成部材の側面部は、基板の切欠に係合する係合凸部を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一記載の発光ダイオード装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5122172B2 (ja) 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5133320B2 (ja) * 2009-10-06 2013-01-30 シチズン電子株式会社 発光装置
JP5431536B2 (ja) * 2012-06-21 2014-03-05 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5646708B2 (ja) * 2013-08-22 2014-12-24 ローム株式会社 半導体装置
JP5646784B2 (ja) * 2014-06-13 2014-12-24 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5689558B2 (ja) * 2014-08-28 2015-03-25 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5878226B2 (ja) * 2014-11-19 2016-03-08 ローム株式会社 半導体発光装置
JP7051921B2 (ja) * 2020-03-13 2022-04-11 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5933013Y2 (ja) * 1979-06-20 1984-09-14 株式会社東芝 光半導体表示装置
JPH028068U (ja) * 1988-06-24 1990-01-18
JP2511717B2 (ja) * 1990-02-05 1996-07-03 三菱電線工業株式会社 Ledモジュ―ル
JPH08116096A (ja) * 1994-10-14 1996-05-07 Hamamatsu Photonics Kk 発光装置
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置

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