JP5202042B2 - Ledランプ - Google Patents

Ledランプ Download PDF

Info

Publication number
JP5202042B2
JP5202042B2 JP2008059715A JP2008059715A JP5202042B2 JP 5202042 B2 JP5202042 B2 JP 5202042B2 JP 2008059715 A JP2008059715 A JP 2008059715A JP 2008059715 A JP2008059715 A JP 2008059715A JP 5202042 B2 JP5202042 B2 JP 5202042B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bypass
substrate
led lamp
electrode
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008059715A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009218355A (ja
Inventor
康介 土屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2008059715A priority Critical patent/JP5202042B2/ja
Priority to DE102009012123A priority patent/DE102009012123A1/de
Priority to US12/401,053 priority patent/US8222653B2/en
Publication of JP2009218355A publication Critical patent/JP2009218355A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5202042B2 publication Critical patent/JP5202042B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明はLED(Light emitting diode、発光ダイオード)ランプに関し、特に、アレイ状に複数並べて用いるLEDランプとその実装構造に関する。
LEDランプを用いた照明構造において、従来から、照明明るさを増すための構造の一つとして、複数のLEDチップをアレイ状に並べて照明する構造が知られている。例えば、下記の特許文献1に示された構造もその一つに挙げられる。
特許文献1に示されたLED光源ユニット1は、図18に示されるように、熱伝導性に優れた銅合金等からなる基台2上に長穴形状の貫通穴3aを設けたプリント基板3が設けられている。このプリント基板3は一対の配線パターン3b、3cを設けており、この配線パターン3b、3cはそれぞれ複数の内部接続電極3dとその一方端側に端子電極3e、3fを設けている。また、基台2上には銀ペーストを介して複数個のLED素子4を搭載しており、それぞれのLED素子4はワイヤー5、6を介して配線パターン3b、3cの内部接続電極3dと接続されている。また、図18に図示はされていないが、端子電極3e、3fを除く部分に封止樹脂が設けられており、LED素子4やワイヤー5、6を覆って保護している。
特許文献1によれば、上記の構成をなすことによって効率の良い放熱が行われるとされている。
また、LEDチップをアレイ状に並べた他の構造として、例えば、下記の特許文献2に示された構造もその一つに挙げることができる。
図19は特許文献2に示された発光ダイオードアレイの平面図を示している。基板11上に一導電型半導体層12と逆導電型半導体層13とを積層した複数(1〜10)の島状半導体層を列状に配置して、一導電型半導体層12に共通電極15を設け、逆導電型半導体層13には個別電極14を設けて発光ダイオードアレイを構成している。また、島状半導体層には絶縁膜が被覆している。
また、この発光ダイオードアレイの構成は、島状半導体層の配列方向の同じ側から隣接する逆導電型半導体層13毎に同じ個別電極14に接続してその配線パターンを基板11の対向する端面側に交互に引き出している。
また、島状半導体層の配列方向の両側に共通電極15を設けて、島状半導体層の配列方向の反対側から同じ個別電極14に接続された逆導電型半導体層13下部の一導電型半導体層12毎に両側の共通電極15a、15bに交互に振り分けて接続している。
また、個別電極14と共通電極15に接続するための配線が通過しない島状半導体層間にダミー配線17(図19の中では2箇所)を設けた構成をなしている。
特許文献2によれば、共通電極15a、15bが基板11の両側に振り分けられていることから、個別電極14と共通電極15の組合せを選択して電流を流すことで選択的に発光させることができるとされている。
また、全ての島状半導体層の両側に電極の配線パターンやダミー配線17が存在することで全ての島状半導体層から発する光の反射状態が同じになり、発光ダイオード毎の発光バラツキが無くなるとされている。
特開2006−295085号公報 特開平11−163408号公報
LEDランプは消費電力が小さいこと、寿命が長いことなどの特性を有していることから、携帯電話などの携帯端末機をはじめとして非常に多くの電子機器装置に用いられている。また、そのような中にあって小型化の要望も多い。小型化の面で特許文献1、特許文献2の構成を見ると次のような問題を有する。
特許文献1に示された構成は、基台2の両側(幅方向の両側)に配線パターン3b、3cを設けた構成をなしていることから基台2の幅を小さくするには限度を有する。また、LEDランプを並列配線した場合に駆動する上で数に限度を要し、10個以上のLEDランプを使う場合は複数のラインに分割する必要がある。このような場合は基台の幅を更に大きくするなどの構造が必要になり、また、回路も複雑になる。
また、他の問題として、配線パターンのパターン切れなどの導通不良が一箇所でも起きると、電流が流れないところのLEDランプは全部が点灯しない。これは照明明るさに大きく影響を及ぼす。
次に、特許文献2に示された構造は、選択的な発光が行えるようにブロック的な配線構造が取られており、基板11の両側(幅方向の両側)に非常に多くの共通電極15や個別電極14の配線パターンが設けられている。しかも、その配線パターンも基板11の長手方向に複数の列をなしている。このため、基板11の幅は大きくなり、小さくするには限度を有する。また、各島状半導体層の間にも必ず配線パターンが有るために、基板11の長手方向においても長さを小さくするには限度を有する。また、駆動回路が大変複雑であるので製造コストなども安くならない。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、小型にして製造コストのかからないLEDランプ並びにその実装構造を得ることを目的とするものである。
上記の課題を解決するための手段として、本発明の請求項1に記載のLEDランプの特徴は、LEDランプの一対の電極端子及び少なくとも一対のバイパス端子と接続する配線パターンを所要の間隔を有して平行に、且つ、所要の間隔を有して間欠的に複数設けた実装基板に、LEDランプを複数アレイ状に接続して照明する構造において、前記LEDランプの基板は単一層基板又は積層基板からなり、前記基板の裏面に前記LED素子を発光させる一対の電極端子とバイパス回路を設けるための少なくとも一対のバイパス端子を設け、該一対のバイパス端子間を結ぶバイパスパターンを前記基板の裏面又は表面又は前記積層基板の層間に、あるいは、前記積層基板の裏面と層間又は前記積層基板の表面と層間に設け、前記一対の電極端子は前記基板の一方の対角線上の角部又は角部寄りに設け、前記少なくとも一対のバイパス端子は、前記電極端子を設けていない他方の対角線上の角部又は角部寄りに設け前記LEDランプは前記一対の電極端子にLED素子を接続したものであって、前記LEDランプを前記実装基板に間欠的に複数設けた配線パターンの間欠部に、相隣り合う配線パターンの端部に跨って配置して、前記一対の電極端子及び前記少なくとも一対のバイパス端子を相隣り合う配線パターンに接続して複数のLEDランプをアレイ状に接続し、配線パターン−当該LEDランプのLED素子−配線パターン−次のLEDランプのバイパスパターンの経路を通って電流が流れるラインと、配線パターン−当該LEDランプのバイパスパターン−配線パターン−次のLEDランプのLED素子の経路を通って電流が流れるラインの少なくとも2系統の電流の流れのラインを構成することを特徴とするものである。
バイパス端子とバイパスパターンはLEDランプの発光には全く関与しない端子とパターンで、後述することではあるが、実装基板に列をなして間欠的に設けた左右の配線パターンとバイパス端子が接続し、バイパスパターンで左右の配線パターンを電気的に導通させるものである。つまり、配線パターンの間欠部分の導通をバイパス端子とバイパスパターンによって電気的導通を図るものである。
上記請求項1に記載の構成をなすことによって、実装基板の配線パターンと接続して、LED素子を発光させる電流の流れ系統のラインと、単にバイパスパターンを通ってLEDランプを通過する電流の流れ系統のラインが得られる。
ここで、実装基板の配線パターンと繋がったLEDランプのバイパスパターンはそれでもって1つの配線パターンが形成されることになる。この様にして形成される配線パターンは、バイパスパターンが基板の裏面側や表面側、あるいは積層基板の層間に設けることで、基板の幅の内側に設けることができる。
従って、前述した従来技術の如くLED素子を搭載した基板の端部に設ける必要はなくなり、基板の幅を必要最小限の幅に抑えることができる。つまり、基板の小型化が可能になる。
また、上記した如く、LED素子を発光させる電流の流れ系統のラインと、単にバイパスパターンを通ってLEDランプを通過する電流の流れ系統のラインが得られるので、このラインの組合せ及び選択で複数のLEDランプを同時に、また、場合によっては選択的に点灯させることができるようになる。
また、バイパスパターンを基板の表面側や積層基板の層間に設けると、端子間の間隔に余裕ができ、実装基板に実装したときに半田のはみ出しなどでの端子間のショート発生や端子とバイパスパターンとのショート発生を防止することができる。
また、積層基板の層間にバイパスパターンを設けるような場合に、パターン幅を広く取ることが可能になり、バイパスパターンを介して放熱性を促進することも可能になる。
また、バイパスパターンをLED素子の搭載側である基板の表面に設けると、基板の裏面側は電極端子のみが設けられることになって端子間の間隔に余裕ができ、実装基板に実装したときに半田のはみ出しなどでの端子間のショート発生などを防止することができる。なお、バイパスパターンを基板の表面に設ける場合は2ピン型(2ピン型とはLED素子のp型半導体層に接続するp電極部とn型半導体層に接続するn電極部の2つの電極部が素子の上面側に設けられているタイプを指している)のLED素子を用いる場合にのみ適用する。
また、バイパスパターンをLED素子の裏面側を通るように設計し、LED素子の裏面の部位のバイパスパターンの面を大きく(広く)取ることにより顕著な放熱効果を得ることができる。
また、LED素子を発光させる系統のラインと、単にバイパスパターンを通って通過する系統のラインの2系統の電流の流れが得られる。実装基板にLEDランプを複数並べたアレイにおいては、1つの系統ラインでの電流の流れで1個おきに点灯し、また、別のもう1つの系統ラインの電流の流れで1個おきに点灯する。
つまり、1つの系統ラインだけに電流を流すと1個おきに半数のLEDランプが点灯し、2系統の両方に電流を流すと全部のLEDランプが点灯する。
従って、選択的な点灯が可能であると共に、1つの系統ラインに配線パターンの破断やLEDランプの故障などが現れてもそのラインのLEDランプが消えるだけで、他の1つの系統ラインのLEDランプは点灯する。つまり、照明の明るさは変わるものの全部の照明は消えない。
また、LEDランプの四隅で実装基板の配線パターンと固定するので、強い固定強度が得られる。
また、本発明の請求項に記載のLEDランプの特徴は、前記LED素子を発光させる一対の電極端子は前記基板の一方の対角線上の角部又は角部寄りに設け、前記少なくとも一対のバイパス端子は二対以上あって、前記基板の対向する辺で前記電極端子を設けていない部位に設けたことを特徴とするものである。
この構成の下では3系統以上の電流の流れが得られる。そして、点灯させるLEDランプの個数の選択範囲を広げることができる。このことは、点灯による照明明るさの調整範囲を広げられる効果を得る。
また、バイパス端子を等間隔に配置することで、端子間のショート発生の危険性を最小に抑えることができる。
また更に、LEDランプと実装基板との固定箇所は6箇所以上となるので固定強度は強くなる。
また、本発明の構成の下では、LEDランプは実装基板の配線パターンの間欠部分にアレイ状に配置されて、配線パターンと一対の電極端子及び少なくとも一対のバイパス端子と接続される。また、平行に設ける配線パターンは一対の電極端子と少なくとも一対のバイパス端子の対の数分が設けられる。そして、そこに配線パターンの数分の直列ラインが作り出される。つまり、直列ラインを複数作り出すことができる。
この複数の直列ラインはLEDランプの基板の裏面側や積層基板の層間などを利用して形成されるのでLEDランプの幅(縦幅)を大きくすることなく形成でき、LEDランプを複数並べたアレイの幅(縦幅)も必要最小限に小さくできる。つまり、小型化ができる。
また、直列ラインの選択的導通によってLEDランプの点灯数を選択できるようになる。このことは、点灯による照明明るさの調整が可能になる。
また、LEDランプ側にバイパスパターンを設けているので、実装基板側での配線パターンは単純にできる。そのため、平行に設けられる配線パターンの長さを小さく(短く)することにより実装間隔を狭くすることができ、LEDランプを複数並べたアレイの全体の長さも小さくすることができる。
前述したアレイの幅(縦幅)を小さくできる効果と併せて小型化できる効果を得る。また、実装基板も大きくならずに済む。
また、直列ラインが複数できることで、1つの直列ラインで断線が発生しても別の直列ラインが点灯するので、全部の点灯が消えることがない。
また、LEDランプに光度のバラツキがあっても、そのバラツキ量によってクラス分けし、複数の直列ラインにクラス別のLEDランプを配置する構成を取るようにすると、クラス別のLEDランプが数個おきに並ぶことになる。これによって、全体として平均化され、全体的に均一な明るさが得られる。
また、直列ライン別に光度の調整も可能となり、調整によってどの直列ラインも一定の明るさにすることができる。これにより、より均一な明るさを得ることができる。
また、発光色の異なるLEDランプを用いる場合に、直列ライン毎に同色でまとめるようにすれば、LED素子の種類によってしきい値(Vf)等の特性が大きく違っていても、直列ライン毎に調整すれば良いので調整が単純にできるようになる。
例えば、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)のLEDランプを交互に並べた場合はRの直列ライン、Gの直列ライン、Bの直列ラインの3つの直列ラインで構成される。この場合に直列ライン毎に特性の調整を行えば良いことになり、配線回路も複雑にならずに済む。また、その結果、狭ピッチで実装することが可能になる。
以上、請求項の発明毎にその効果を詳細に述べたが、大きな効果としては、LEDランプアレイの小型化が可能になり、また、配線パターンの単純化による製造コストの低減効果も得る。また、LEDランプの選択的点灯も可能になり、照明明るさの調整も容易に可能になる。
以下、本発明のLEDランプの実施形態について図1〜図4を用いて説明する。なお、図1は本発明の実施形態に係るLEDランプの形状図で、図1の(a)は表面側から見た平面図、図1の(b)は図1の(a)におけるX−X断面図、図1の(c)は図1の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図を示している。また、図2は図1におけるLEDランプを実装する実装基板の平面図、図3は図1におけるLEDランプを図2に示す実装基板に実装した平面図、図4は作用・効果を説明するもので、図4の(a)は電流の流れを説明する説明図、図4の(b)はLEDランプの点灯状態を示す回路図を示している。
本実施形態のLEDランプ20は、図1の(a),(b)に示すように、ガラスエポキシ樹脂やBTレジンなどの樹脂からなる基板21の表面21a上にLED素子22を接着剤を介して搭載している。LED素子22は上面側に2つの電極部を持っており、p型半導体層に接続するp電極部とn型半導体層に接続するn電極部の2つの電極部を持つ2ピン型のLED素子を用いている。このp電極部はボンディングワイヤ25Aでもってアノード電極用の上面電極パターン23aに接続しており、一方のn電極部はボンディングワイヤ25Bでもってカソード電極用の上面電極パターン24aに接続している。
そして、アノード電極用の上面電極パターン23aからボンディングワイヤ25Aを介してLED素子22に所要の電流を流すとLED素子22が発光する。また、LED素子22からはボンディングワイヤ25Bを介してカソード電極用の上面電極パターン24aへと電流が流れるようになっている。
また、基板21の対角線上の対向する角部には、2つのスルホール21c、21dを有しており、スルホール21c側には上面電極パターン23aを設け、スルホール21d側には上面電極パターン24aを設けている。また、この2つのスルホール21c、21dの壁面にはスルホール電極パターンを設けており、スルホール21c側にはスルホール電極パターン23b(図1の(b)参照)を、スルホール21d側にも図示はしていないがスルホール電極パターンを設けている。
また、基板21の裏面21b側においては、図1の(c)に示すように、スルホール21c、21dを有する対角線上の角部に一対の電極端子23、24を設けている。そして、電極端子23はスルホール電極パターン23bと接続し、更に、スルホール電極パターン23bが上面電極パターン23aと接続して電極端子23から上面電極パターン23aへと電流が流れるようになっている。同様にして、LED素子22から上面電極パターン24aに流れた電流はスルホール電極パターンを通って電極端子24へと流れるようになっている。
この一対の電極端子23、24はマザーボードなどの実装基板の配線パターンと接続する。
なお、本実施形態においては、基板21の対角線上の角部に2つのスルホール21c、21dを設け、このスルホール21c、21dの壁面にスルホール電極パターンを設けた構成を取ったが、特にスルホールに限るものではなく、単に角部の側面に電極パターンを設けた構成としても何ら支障はないものである。要は、電極端子と上面電極パターンが導通する手段を設けていれば良いものである。
また、基板21の裏面21b側においては、図1の(c)に示すように、一対の電極端子23、24を設けていない対角線上の角部に一対のバイパス端子27、28を設けている。そして、この一対のバイパス端子27、28の間をバイパスパターン29を設けてバイパス端子27、28を結んでいる。
なお、バイパス端子とバイパスパターンはLEDランプの発光には全く関与しない端子とパターンで、後述する実装基板に間欠的に設けた左右の配線パターンとバイパス端子で接続し、バイパスパターンで左右の配線パターンを電気的に導通させるものである。つまり、配線パターンの間欠部分の導通をバイパス端子とバイパスパターンによって電気的導通を図っている。
また、基板21の表面21a側には透過性を有する封止部材26を設けており、LED素子22やボンディングワイヤ25A、25B、電極パターン23a、24aなどを保護している。
次に、上記の構成をなしたLEDランプ20を実装する実装基板について図2を用いて説明する。
先づ最初に、実装基板にはマザーボードや専用のプリント基板などが適用されるが、図2に示すように、実装基板35は2列からなる配線パターン31、32が所要の間隔を持って平行に、そして、長手方向(図中では左右の横方向)に間欠的(断続的)に複数、列をなして設けている。配線パターン31は31a、31b、31c、31d、31eと長手方向に間欠的に並んでおり、一方の配線パターン32も32a、32b、32c、32d、32eと並んでいる。なお、間欠の間隔は概ねLEDランプ20の横幅(図1の(a)での左右の横方向の幅)より接合代を見込んで少し狭く設定している。
また、平行に設けられている2列からなる配線パターン31、32の平行の間隔は概ねLEDランプ20の電極端子23とバイパス端子27の間隔(この間隔は電極端子24とバイパス端子28の間隔と同じであるが)とほぼ同じ間隔をなしている。
この2列からなる配線パターン31、32にはLEDランプ20が半田付けなどよって実装されるが、その実装構造は図3に示す実装構造を取る。図3において、配線パターン31、32の間欠部にLEDランプ20が配置され、配線パターン31、32にLEDランプ20の一対の電極端子23、24、一対のバイパス端子27、28が接続される。その接続構造は、配線パターン31、32の左端部では、配線パターン31と電極端子24が接続し、配線パターン32とバイパス端子28が接続する。一方の右端部では、配線パターン31とバイパス端子27が接続し、配線パターン32と電極端子23が接続する。
このようにして、間欠的に設けた2列からなる配線パターン31、32に複数のLEDランプ20(図3においては、イ〜ニの4個のLEDランプ20を示している)が実装される。
次に、上記の実装構造における作用・効果を図4の(a)、(b)を用いて説明する。この実装基板35の配線パターン31、32には、図4の(a)に示すように、AとBの2系統ラインで電流が矢印の方向に流れる。分かり易くするために、A系統ラインの電流の流れを鎖線で示し、B系統ラインの電流の流れを実線で示している。
最初に、A系統ラインの配線パターン31aを流れた電流はイのLEDランプ20のバイパスパターン29を通って配線パターン32bに流れ、次に、配線パターン32bからロのLEDランプ20のLED素子22に流れる。そして、図4の(b)に示すように、ロのLEDランプ20を点灯させる。また、LED素子22から流れた電流は配線パターン31cに流れていく。以下、同じような流れが繰り返されてニのLEDランプ20が点灯する。従って、A系統ラインではロとニのLEDランプ20が点灯する(図4の(b)参照)。
次に、B系統ラインの配線パターン32aを流れた電流はイのLEDランプ20のLED素子22に流れる。そして、図4の(b)に示すように、イのLEDランプ20を点灯させる。また、LED素子22から流れた電流は配線パターン31bに流れ、配線パターン31bからロのLEDランプ20のバイパスパターン29を通って配線パターン32cに流れていく。以下、同じような流れが繰り返されてハのLEDランプ20が点灯する。従って、B系統ラインではイとハのLEDランプ20が点灯する(図4の(b)参照)。
A系統ラインとB系統ラインの両方に電流が流れると全部のLEDランプ20が点灯し、A系統ラインまたはB系統ラインのどちらかに電流を流すと半数のLEDランプ20が点灯する。このようにして、選択的にLEDランプ20を点灯させることが可能になる。
本発明のLEDランプにおいては、LEDランプ20のバイパスパターン29と配線パターン31、32とにおいて一つの配線パターンが形成されることになる。しかもその配線パターンはLEDランプ20を複数並べたアレイの縦幅より外にはみ出さない範囲で形成される。このため、前述の従来技術のように基板の上面の両端側に配線パターンを設ける必要はなくなり、基板の縦幅(図1の(a)での上下方向の幅を指す)を必要最小限に小さくすることができ、LEDランプ20を複数並べたアレイの縦幅も小さくなる。つまり、小型化が可能になる。
また、複数のLEDランプ20が並んだアレイの長さも平行に設けた配線パターン31、32の長さによって概ね決まってくるが、配線パターン31、32も複雑にならずに単純な形状にすることができるので、その長さも必要最小限の長さに小さく(短く)することが可能になる。そして、アレイの長さも小さく(短く)することができる。つまり、アレイの横方向の小型化も可能になる。
また、LEDランプ20と配線パターン31、32との固定は、一対の電極端子23、24と一対のバイパス端子27、28の計4箇所の角部で固定される。一対の電極端子23、24の2箇所で固定したものより強い固定力が得られる。
また、次のような効果も得ることができる。例えば、LED素子は光度のバラツキなども発生する。同じ発光色でも光度の高いものと低いものとのグループ分けを行い、グループ分けしたものをA系統ラインとB系統ラインに別々に配置する。そして、光度の低い方のラインには高めの電流値を与えて光度の高い方のラインと同じ光度になるように調整することが可能になる。このことにより、より均一性のある明るさを得ることができる。
なお、LED素子22の発光色は特に限定するものではなく、設計仕様に応じてLED素子22の種類を決めるのが良い。
また、本実施形態においては、LED素子22は上面側にp電極部とn電極部の2つの電極部を持つ、2ピン型のLED素子を用いているが、図5に示す1ピン型のLED素子を用いても良い。図5は1ピン型のLED素子を用いたLEDランプの表面側から見た平面図を示している。
図5において、LED素子42は上面側にp型半導体層に接続するp電極部なる1つの電極部を持っており、下面(裏面)側にn型半導体層に接続するn電極部を持っている。上面側のp電極部はボンディングワイヤ45Aでもってアノード電極用の上面電極パターン43aに接続している。一方、下面側にあるn電極部はカソード電極用の上面電極パターン44aに導電性接着剤を介して接続している。
カソード電極用の上面電極パターン44aはスルホール41dのある角部からLED素子42の下面側まで広く延設されて形成されていて、LED素子42の下面側にあるn電極部と接続する。
そして、アノード電極用の上面電極パターン43aからボンディングワイヤ45Aを介してLED素子42に所要の電流を流すとLED素子42が発光する。また、LED素子42からはカソード電極用の上面電極パターン44aへと電流が流れるようになっている。
なお、基板41の裏面側に設ける一対の電極端子と一対のバイパス端子、及び、一対のバイパス端子間を結ぶバイパスパターンは前述の図1の(c)で示した構成と同じ構成をなす。
本発明においては、バイパス端子は必ずしも一対に限るものではなく、二対、あるいは三対と複数の対のバイパス端子を設けることも可能で、その場合に、バイパス端子の対に合わせて複数のバイパスパターンを相互に交差しないようにして設けるようにする。
また、本実施形態では基板21は単一層の基板を用いたが、本発明においては、基板は単一層に限らず二層あるいは三層と積層した積層基板を用いることも可能である。そして、積層基板を用いて積層基板の層間にバイパスパターンを設ける構成を取ることもできる。
なお、バイパス端子の対の数やバイパスパターンの数が増えると基板の大きさにも影響を及ぼすが、場合によっては上記した積層基板を用いてバイパスパターンを基板の裏面側と層間に分散することも可能になるので、その辺は基板の大きさなどを考慮して適宜に決めるのが好ましい。
また、本実施形態においては、スルホールと一対の電極端子は何れも対角線上の角部に設け、そして、一対のバイパス端子は電極端子の設けていない角部に設けた構成を取った。しかしながら、他の要因などで角部に設けられない場合は、許容できる範囲で角部寄りの角部に近い部位に設ける構成を取っても実装時における端子同士のショートや端子とバイパスパターンのショートなどの問題が発生しなければ何ら支障はない。
以下、本発明の様々な構成のLEDランプについて実施例をもって説明する。
実施例1に係るLEDランプについて図6を用いて説明する。なお、図6は実施例1に係るLEDランプの構成を示す図で、図6の(a)は表面側から見た平面図、図6の(b)は図6の(a)におけるX−X断面図、図6の(c)は図6の(b)における下基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図を示している。また、図6の(d)は図6の(b)における下基板の上面図を示している。
実施例1のLEDランプ50の特徴は、前述の実施形態でのLEDランプと比較すると、図6の(b)に示すように、基板51は上基板51Aと下基板51Bに分かれており、上基板51Aと下基板51Bを積層した積層基板からなる。また、上基板51Aと下基板51Bの層間に、つまり、図6の(d)に示すように、下基板51Bの上面51Ba側にバイパスパターン59を設けた構成をなしている。
以下、前述の実施形態のLEDランプの構成と異なる部分の構成のところを主にして実施例1のLEDランプ50の構成を説明する。
実施例1のLEDランプ50の基板51は上基板51Aと下基板51Bを積層した積層基板からなる。上基板51Aは対角線上の一対の角部にスルホール51Ac、51Adを有し、そのスルホール51Ac、51Adの周りに上面電極パターン53a、54aを設けている。下基板51Bは上基板51Aと同じ大きさをなして、一方の対角線上の一対の角部にスルホール51Bc、51Bdを有し、他方の対角線上の一対の角部にスルホール51Be、51Bfを有している。そして、上基板51Aと下基板51Bが重なり合ったときには、上基板51Aのスルホール51Acと下基板51Bのスルホール51Bcが同じ位置をなして重なり、同様に、上基板51Aのスルホール51Adと下基板51Bのスルホール51Bdが同じ位置をなして重なり合う。
下基板51Bの裏面51Bbには、図6の(c)に示すように、スルホール51Bc、51Bd側の部位には一対の電極端子53、54を設け、スルホール51Be、51Bf側の部位には一対のバイパス端子57、58を設けている。
また、下基板51Bの裏面に設けた一対のバイパス端子57、58と繋がって、スルホール51Be、51Bfの壁面を経て上面側で接続したバイパスパターン59を設けている。
このバイパスパターン59は上基板51Aと下基板51Bを非導電性接着剤を介して積層すると上基板51Aと下基板51Bの層間に配設される。
積層した基板51において、重なり合ったスルホール51Acとスルホール51Bcの壁面にはスルホール電極パターン53bを設けている。同様に、重なり合ったスルホール51Adとスルホール51Bdの壁面にもスルホール電極パターン(図示していない)を設けている。
これによって、電極端子53とスルホール電極パターン53bと上面電極パターン53aは電気的に接続し、電極端子54と図示していないスルホール電極パターンと上面電極パターン54aは電気的に接続する。
上基板51Aと下基板51Bが積層した基板51の上面側にはp電極部とn電極部を持つ2ピン型のLED素子52を接着剤を介して搭載し、LED素子52のp電極部と上面電極パターン53aをボンディングワイヤ55Aでもって接続し、LED素子52のn電極部と上面電極パターン54aをボンディングワイヤ55Bでもって接続している。
また、封止部材56を設けてLED素子52やボンディングワイヤ55A、55B、上面配線パターン53a、54aなどを保護している。なお、このところの構成は前述の実施形態での構成と同じ構成をなしている。
上記の構成をなすLEDランプ50は、電極端子53に所要の電流を流すとスルホール電極パターン53b、上面電極パターン53a、ボンディングワイヤ55Aを通ってLED素子52に電流が流れ、LED素子52が発光する。そして、LED素子52からボンディングワイヤ55B、上面電極パターン54a、図示していないスルホール電極パターンを通して電極端子54へと電流が流れる。これは、前述の実施形態でのLEDランプと同じ働きをなす。
バイパス端子57、58とバイパスパターン59はLED素子52の発光に影響を与えない端子とパターンで、実装基板の配線パターンからバイパス端子57に流れた電流はバイパスパターン59を通してバイパス端子58へと電流が流れ、実装基板の次の配線パターンへと電流を流がす働きをなす。
LEDランプ50を実装する実装基板は前述の実施形態での図2をもって説明した実装基板と同じ構成の実装基板を用いる。そして、実装基板へのLEDランプ50の実装構造は図3をもって説明した実装構造と同じ構造を取る。図3に示すようにアレイ状に横に並べて実装することでその幅や長さを最小限に小さくすることが可能になる。また、前述の実施形態で説明した効果と同様な効果をえる。
更に、バイパスパターン59を積層基板の層間に設けることによって、基板51の裏面は一対の電極端子53、54と一対のバイパス端子57、58のみとなり、端子間の距離に余裕が生じてくる。このため、実装基板に実装したときに端子間のショートが発生し難くなる。
また、積層基板51の層間に設けたバイパスパターン59は1本であることからパターン幅を広く取ることも可能になる。中央に搭載したLED素子52の真下に位置する部位の部分のパターン幅を広くして、LED素子52から発熱した熱をバイパスパターンに熱伝導させ、バイパスパターンとそれに接続する実装基板の配線パターンを介して放熱させることができる。このような構成を取ることで放熱性を高める効果も得ることかできる。
次に、実施例2に係るLEDランプを図7〜図9を用いて説明する。なお、図7は実施例2に係るLEDランプの形状図で、図7の(a)は表面側から見た平面図、図7の(b)は図7の(a)におけるX−X断面図、図7の(c)は図7の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図を示している。また、図8は図7におけるLEDランプを実装基板に実装した平面図、図9は作用・効果を説明するもので、図9の(a)は電流の流れを説明する説明図、図9の(b)はLEDランプの点灯状態を示す回路図を示している。
実施例2のLEDランプの構成で前述の実施形態のLEDランプの構成と異なるところの第1点目は、LED素子62に導通を図るところの一対の電極端子63、64を、図7の(c)に示すように、基板61の裏面61b側にあって対向する一対の辺61g、61hの同一方向(図7の(c)では下側)の端の角部に設け、その角部にあるスルホール61c、61dの内壁にスルホール電極パターン63b、64bを設け、そのスルホール電極パターン63b、64bと接続して上面(表面61a側)に上面電極パターン63a、64aを設け、そして、その上面電極パターン63a、64aからボンディングワイヤ65A、65Bを介してLED素子62と接続する構成を取っていることである。
つまり、実施例2においては、一対の電極端子63、64、及び一対の上面電極パターン63a、64aを対向する辺61g、61hの同じ方向の端の角部に設けた構成が、前述の実施形態での対角線上の角部に一対の電極端子と一対の電極パターンを設けた構成と異なる。
また、第2点目の異なるところは、図7の(c)に示すように、一対のバイパス端子67、68を一対の電極端子63、64を設けていない他方の端の角部に設けると共に、一対のバイパス端子67、68間を接続するバイパスパターン69を他方の端を結ぶ辺とほぼ平行に設けているところが前述の実施形態でのダミーバイパスパターンを対角線上に設けたと構成と異なる。
以下、実施例2のLEDランプ60の構成を簡単に説明する。実施例2のLEDランプ60は、図7の(a),(b)に示すように、基板61の表面61a上の中央部にLED素子62が接着剤を介して搭載している。LED素子62は上面側に2つの電極部を持った2ピン型のLED素子を用いている。つまり、上面側にp型半導体層に接続するp電極部とn型半導体層に接続するn電極部の2つの電極部を有している。
基板61は、対向する一対の辺61g、61hの同じ方向の端の角部にスルホール61c、61dを有し、このスルホール61c、61dのある側の裏面61bにはLED素子62と導通を取るための一対の電極端子63、64を設けている(図7の(c)参照)。この一対の電極端子63、64はスルホール61c、61dの壁面に設けたスルホール電極パターン63b、64b、並びに、表面61aに設けた上面電極パターン63a、64aと導通が取られている。
つまり、スルホール61c側では電極端子63とスルホール電極パターン63bと上面電極パターン63aが接続して導通しており、スルホール61d側でも電極端子64とスルホール電極パターン64bと上面電極パターン64aが接続して導通している。
ここで、上面電極パターン63a側はアノード電極をなしており、ボンディングワイヤ65Aを介してLED素子62のp電極部に接続している。また、LED素子62のn電極部はボンディングワイヤ65Bを介してカソード電極をなす上面電極パターン64aに接続している。
そして、アノード電極用の上面電極パターン63aからボンディングワイヤ65Aを介してLED素子62に所要の電流を流すとLED素子62が発光する。また、LED素子62からはボンディングワイヤ65Bを介してカソード電極用の上面配線パターン64aへと電流が流れるようになっている。
また、基板61の裏面61b側においては、図7の(c)に示すように、一対の対向する辺61g、61hの電極端子63、64を設けていない他方側の端の角部に一対のバイパス端子67、68を設けている。そして、この一対のバイパス端子67、68の間にバイパスパターン69を設けてバイパス端子67、68を結んでいる。
また、基板61の表面61a側には透過性を有する封止部材66を設けており、LED素子62やボンディングワイヤ65A、65B、配線パターン63a、64aなどを保護している。
上記の構成をなしたLEDランプ60は、実装基板の配線パターンから電極端子63へと流れた電流はLED素子62に流れてLED素子62が発光する。また、LED素子62から電極端子64へと電流が流れる。一方、実装基板の配線パターンからバイパス端子67に流れた電流はバイパスパターン69を通ってバイパス端子68へと流れる。
このような構成をなしたLEDランプ60の実装基板への実装構造は図8に示すような構造を取る。なお、実装基板は前述の実施形態において図2に示した実装基板と同じ仕様のものが用いられる。
イのLEDランプ60と実装基板35の配線パターン31、32との接続は、配線パターン31側においては、配線パターン31aとバイパス端子67が接続し、配線パターン31bとバイパス端子68が接続する。一方、配線パターン32側においては、配線パターン32aと電極端子63が接続し、配線パターン32bと電極端子64が接続する。
ロのLEDランプ60の接続は、配線パターン31側においては、配線パターン31bと電極端子64が接続し、配線パターン31cと電極端子63が接続する。一方、配線パターン32側においては、配線パターン32bとバイパス端子68が接続し、配線パターン32cとバイパス端子67が接続する。以下、ハのLEDランプ60はイのLEDランプ60と同じ接続方法を取り、ニのLEDランプ60はロのLEDランプ60と同じ接続方法を取る。
つまり、複数のLEDランプ60を交互に逆向けにアレイ状に並べた配置形態を取っている。
次に、上記の実装構造の作用・効果を図9でもって説明する。図9において、実装基板35の配線パターン31、32への電流の流れは矢印方向で示すようにA系統ラインとB系統ラインの2つの系統で電流が流れる。A系統ラインの電流の流れは鎖線(実線で示したB系統ラインの電流の流れと分かり易く区分けするために鎖線で示している)で示したように図中左側に向かって流れ、B系統ラインの電流の流れは実線で示したように図中右側に向かって流れている。
A系統ラインの電流の流れは、最初に、配線パターン31eからニのLEDランプ60の電極端子63に導通してニのLED素子62に流れ、ニのLED素子62が発光する。また、ニのLED素子62からは電極端子64を通って次の配線パターン31dに電流が流れる。次に、配線パターン31dに流れた電流はハのLEDランプ60のバイパス端子67、バイパスパターン69、バイパス端子68を通って配線パターン31cに流れる。以下、ロ、イへと同じ流れが繰り返され、A系統ラインの電流の流れでニとロのLEDランプ60が点灯する(図9の(b)参照)。
B系統ラインの電流の流れは、最初に、配線パターン32aからイのLEDランプ60の電極端子63に導通してイのLED素子62に流れ、イのLED素子62が発光する。また、イのLED素子62からは電極端子64を通って次の配線パターン32bに電流が流れる。次に、配線パターン32bに流れた電流はロのLEDランプ60のバイパス端子67、バイパスパターン69、バイパス端子68を通って配線パターン32cに流れる。以下、ハ、ニへと同じ流れが繰り返され、B系統ラインの電流の流れでイとハのLEDランプ60が点灯する(図9の(b)参照)。
以上のことによって、A系統ラインの電流のみが流れた場合にはロとニのLEDランプ60が点灯し、B系統ラインの電流のみが流れた場合にはイとハのLEDランプ60が点灯する。また、A系統ラインとB系統ラインの両方に電流が流れた場合にはイ、ロ、ハ、ニの全部のLEDランプ60が点灯する。このように、選択的にLEDランプ60の点灯が可能になる。
図8に示す実装構造は、LEDランプ60を1つおきに逆向きに配置した構造をなしているが、2つおきに逆向きにする配置する構造、3つおきに逆向きにする配置する構造など、様々な配置構造が可能である。そして、これによって照明明るさを調整することも可能になる。
また、バイパスパターン69と実装基板35の配線パターン31、32でLEDランプ60を点灯させる一つの配線パターンが構成される。そして、この配線パターンはLEDランプ60を複数、横に並べたアレイの縦幅より外側にはみ出さない範囲で形成される。これによって、アレイの縦幅や横幅は前述の実施形態で説明したと同様に必要最小限に小さく抑えることができ、小型化が可能になる。
実施例2のLEDランプ60は、構成する基板61は単一層の基板を用い、基板61の裏面61bにバイパスパターン69を設けた構成にしたが、前述の実施例1に示したように、基板を2層の積層基板で構成して、その層間にバイパスパターンを設ける構成を取っても良い。
なお、実施例2のLED素子62は上面にp電極部とn電極部の2つの電極部を持つ2ピン型のLED素子を用いているが、図10に示す1ピン型のLED素子を用いても良い。図10は1ピン型のLED素子を用いたLEDランプの表面側から見た平面図を示している。
図10において、LED素子72は上面側にp型半導体層に接続するp電極部を有し、下面(裏面)側にn型半導体層に接続するn電極部を有する。そして、上面側のp電極部はボンディングワイヤ75Aでもってアノード電極用の上面電極パターン73aに接続している。また、下面側にあるn電極部はカソード電極用の上面電極パターン74aに導電性接着剤を介して接続している。
カソード電極用の上面電極パターン74aはスルホール71dのある角部からLED素子72の下面側まで広く延設されて形成されていて、LED素子72の下面側にあるn電極部と接続する。
そして、アノード電極用の上面電極パターン73aからボンディングワイヤ75Aを介してLED素子72に所要の電流を流すとLED素子72が発光する。また、LED素子72からはカソード電極用の上面電極パターン74aへと電流が流れる。
なお、基板71の裏面側に設ける一対の電極端子と一対のバイパス端子、及び、一対のバイパス端子間を結ぶバイパスパターンは前述の図7の(c)で示した構成と同じ構成をなす。
次に、実施例3に係るLEDランプを図11〜図14を用いて説明する。なお、図11は実施例3に係るLEDランプの形状図で、図11の(a)は表面側から見た平面図、図11の(b)は図11の(a)におけるX−X断面図、図11の(c)は図11の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図を示している。また、図12は図11におけるLEDランプを実装する実装基板の平面図、図13は図11におけるLEDランプを図12に示す実装基板に実装した平面図、図14は作用・効果を説明するもので、図14の(a)は電流の流れを説明する説明図、図14の(b)はLEDランプの点灯状態を示す回路図を示している。
実施例3に係るLEDランプの構成で前述の実施形態でのLEDランプの構成と比較して大きく異なるところはバイパスパターンを2つ設けているところが大きく異なる。
以下、簡単に実施例3の構成を説明する。実施例3のLEDランプ80は、図11の(a),(b)に示すように、単一層をなす基板81の表面81a上にLED素子82を搭載している。このLED素子82はボンディングワイヤ85Aを介してアノード電極用の上面電極パターン83aと接続し、ボンディングワイヤ85Bを介してカソード電極用の上面電極パターン84aと接続している。
基板81は対角線上の一対の角部にスルホール81c、81dを有し、このスルホール81c、81dのある裏面81b側の角部に一対の電極端子83、84を設けている(図11の(c)参照)。そして、この電極端子83側には電極端子83と接続してスルホール電極パターン83b、上面電極パターン83aが設けられ、電極端子84側にも電極端子84と接続して図示していないスルホール電極パターンと上面電極パターン84aが設けられている。また、封止部材86が設けられてLED素子82、ボンディングワイヤ85A、85B、電極パターン83a、84aなどを保護している。
また、基板81の裏面81b側には、図11の(c)に示すように、対向する辺81g、81hで一対の電極端子83、84が設けられていない部位に二対のバイパス端子を設けている。一対のバイパス端子は87Aと88Aで、もう一対のバイパス端子は87Bと88Bである。そして、一対のバイパス端子87A、88A間にバイパスパターン89Aを設けてバイパス端子87A、88Aを繋げている。また、もう一対のバイパス端子87B、88B間にバイパスパターン89Bを設けてバイパス端子87B、88Bを繋げている。
なお、このバイパスパターン89Aとバイパスパターン89Bは交差しないように、また、接触しないように設けている。
また、辺81g側に設けたバイパス端子87A、87B、及び電極端子83はそれぞれ等間隔に設けており、同様にして、辺81h側に設けた電極端子84、バイパス端子88A、88Bもそれぞれ等間隔に設けている。
上記の構成をなしたLEDランプ80は図12に示す実装基板95に実装される。実装基板95は、図12に示すように、間欠的(断続的)に設けられた3列からなる配線パターン91、92、93を有する。
配線パターン91は配線パターン91a、91b、91c、91d、91e、91fなどからなり、それぞれ所要の間欠隙間をもって図中横方向に間欠的に並んでいる。
配線パターン92も同様に、配線パターン92a、92b、92c、92d、92e、92fなどからなり、それぞれ所要の間欠隙間をもって図中横方向に間欠的に並んでいる。
また、配線パターン93も配線パターン93a、93b、93c、93d、93e、93fなどからなり、それぞれ所要の間欠隙間をもって図中横方向に間欠的に並んでいる。
また、3列からなる配線パターン91、92、93はそれぞれ等間隔を持って平行に並んでいる。
配線パターン91、92、93はそれぞれ等間隔をなしているが、この間隔はLEDランプ80の辺81g、81hに等間隔に設けたバイパス端子と電極端子の間隔と一致するように等間隔に配置している。バイパス端子、電極端子を等間隔に配置することによりLEDランプ80を実装基板95に実装したときに、半田の延びなどによる端子間のショート、端子とバイパスパターンのショートの危険性を低く抑えられる。間隔が狭かったり広かったりすると、間隔が狭いところはショートが発生し易い。
LEDランプ80と実装基板95との実装構造は、図13に示すような実装構造を取る。図13から、LEDランプ80のバイパス端子87Aは配線パターン91の右側端に、バイパス端子87Bは配線パターン92の右側端に、電極端子83は配線パターン93の右側端に接続する。
また、LEDランプ80の電極端子84は配線パターン91の左側端に、バイパス端子88Aは配線パターン92の左側端に、バイパス端子88Bは配線パターン93の左側端に接続する。
図13において、イ〜ホのLEDランプ80は全て上記の接続形態を取ってアレイ状に横方向に実装される。
次に、上記の実装構造における作用・効果を図14を用いて説明する。図14において、実装基板95の配線パターン91、92、93に流れる電流はA系統ライン、B系統ライン、C系統ラインの3つの系統を持って流れる。なお、A系統ライン、B系統ライン、C系統ラインの電流の流れを分かり易くするために、A系統ラインは鎖線、B系統ラインは一点鎖線、C系統ラインは実線で示している。
最初に、配線パターン91aに流れるA系統ラインの電流はイのLEDランプ80のバイパスパターン89Aを通って配線パターン92bに流れ、次に、ロのLEDランプ80のバイパスパターン89Bを通って配線パターン93cに流れ、次に、ハのLEDランプ80のLED素子82に流れてハのLEDランプ80が点灯する(図14の(b)参照)。そして、LED素子82から配線パターン91dに流れていく。以下、同じ流れが順次繰り返えされる。
次に、配線パターン92aに流れるB系統ラインの電流はイのLEDランプ80のバイパスパターン89Bを通って配線パターン93bに流れ、次に、ロのLEDランプ80のLED素子82に流れてロのLEDランプ80が点灯する。そして、LED素子82から配線パターン91cに流れる。次に、ハのLEDランプ80のバイパスパターン89Aを通って配線パターン92dに流れていく。以下、同じ流れが順次繰り返えされる。従って、B系統ラインの電流の流れでロとホのLEDランプ80が点灯する(図14の(b)参照)。
次に、配線パターン93aに流れるC系統ラインの電流はイのLEDランプ80のLED素子82に流れてイのLEDランプ80が点灯する。そして、配線パターン91bに流れる。次に、ロのLEDランプ80のバイパスパターン89Aを通って配線パターン92cに流れる。次に、ハのLEDランプ80のバイパスパターン89Bを通って配線パターン93dに流れていく。以下、同じ流れが順次繰り返えされる。従って、C系統ラインの電流の流れでイとニのLEDランプ80が点灯する(図14の(b)参照)。
以上のことによって、A系統ライン、B系統ライン、C系統ラインの選択によって選択的にLEDランプ80を点灯させることができる。3つの系統の選択が可能になるので点灯の選択範囲を広げることができる。つまり、点灯による明るさの調整範囲を広げることができるようになる。
なお、実施例3では2つのバイパスパターンと3列をなす配線パターンで構成したが、これらの数を増やすことも可能で、数を増やすことによって明るさの調整範囲を更に広げられる。
また、配線パターンのパターン切れなどが発生してもその影響を一部に留めることができ、全部のLEDランプの点灯が消えることがない。例えば、A系統ラインにパターン切れが発生してもB系統ラインとC系統ラインのLEDランプは点灯する。
また、3つの系統ラインを有すると、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)発光のLEDランプを発光色別に配設ラインを決め、同時発光で白色光を得ることができる。LEDランプは発光色によって用いるダイオードの材料も異なり、しきい値電圧(Vf)などの特性も違ってくるので色別にその調整が必要とされる。しかしながら、ライン別に発光色が異なるのでそのライン上にその調整を行えば良く、個々のLEDランプに調整を行う必要はなくなる。
つまり、調整回路が複雑にならずに簡単化することができ、配線回路も複雑にならずにシンプルにできる。このことにより、狭ピッチで実装することが可能になる。
また、同一色のLEDランプを用いる場合でも、光度のバラツキをクラス分けして3つのクラスに分類し、系統ライン別に割り振って配置することも可能になる。例えば、光度の高いものをA系統ラインに、光度の中位のものをB系統ラインに、光度の低いものをC系統ラインに配置する方法である。このような方法を取ると、順次並んでの点灯が得られるので明るさにムラが現れずに均一性の現れた明るさが得られる。
また、前述の実施形態で述べたように、系統ライン別に光度の調整も可能である。大体同じ位の光度になるように系統ライン別に調整することによってほぼ一定の明るさが得られるようになる。
なお、実施例3のLEDランプ80は単一層の基板を用いていて、バイパスパターンを裏面に2つ設けた構成を取っている。バイパスパターンの数が増えてくると実装基板に半田付けを行ったときに半田が延びて端子間や端子とバイパスパターンが接触してショートする危険が増える。このような危険を回避する方法として、前述の実施例1で説明した2枚の基板を積層し、その層間にバイパスパターンを配設する構成にするとショートの危険性は回避することができる。
また、バイパスパターンを積層基板の裏面と層間の両方に分けて設ける構成も効果的である。
以上の構成をなすことにより配線回路パターンが非常にシンプルになる。そして、LEDランプ80の縦幅(図11の(a)における上下方向の幅)を必要最小限の幅に抑えながら配線パターンの数を増やすることができる。また、回路も複雑にならずに形成も容易になり、製造コストも安くなる。
次に、実施例4に係るLEDランプについて図15を用いて説明する。なお、図15は実施例4に係るLEDランプの構成を示す図で、図15の(a)は表面側から見た平面図、図15の(b)は図15の(a)におけるX−X断面図、図15の(c)は図15の(b)における下基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。また、図15の(d)は図15の(b)における下基板の上面図である。
実施例4のLEDランプ100は、図15の(b)に示すように、基板101が上基板101Aと下基板101Bを積層した積層基板からなる構成をなしている。これは、前述の実施例1にて図6で示した構成と概ね同じ構成を取っているもので、前述の実施例1で示したLEDランプの構成と異なるところは、基板に設けるスルホール、及び、スルホールの部位に設ける一対の電極端子や一対のバイパス端子が対角線上の角部からずれた位置に設けていることである。
図15において、符号は前述の図6でもって示した実施例1のLEDランプの符号と異なってはいるが、構成的に異なっているのは上記で述べたところだけで、他の構成は実施例1の構成と同じであり、また、その仕様も同じ仕様のもので構成している。
従って、ここでは構成の異なっているところのみを説明することにする。基板101の裏面、即ち、下基板101Bの裏面101Bbには、図15の(c)に示すように、一方の対角線y(一点鎖線で示している)上の一対の角部より少し離れた部位に一対の電極端子103、104を辺101g、101hに沿って設けている。この一対の電極端子103、104はLED素子102に導通してLED素子102を発光させる。
また、他方の対角線z上の一対の角部より少し離れた部位に一対のバイパス端子107、108を辺101g、101hに沿って設けている。
辺101gに沿って設けたバイパス端子107と電極端子103は所要の距離をおいて設けてあり、また、辺101hに設けた電極端子104とバイパス端子108も所要の距離をおいて設けてある。
この所要の距離は、端子を実装基板に実装したときに半田のはみ出しで端子間にショートが発生しない程度に十分な距離を持っている。
一対の電極端子103、104と一対のバイパス端子107、108が対角線上の角部に他の要因で配設できない場合には実施例4に示した配置構成が取られる。一対の電極端子103、104と一対のバイパス端子107、108を角部から許容できる範囲で角部寄りに、角部に近い部位に配設する。そして、実装したときに端子間のショート発生を防止する。
下基板101Bの裏面101Bbに設けた一対の電極端子103、104、及び一対のバイパス端子107、108の部位にはスルホールを有しており、一対の電極端子103、104側にはスルホール101Bc、101Bdが、一対のバイパス端子107、108側にはスルホール101Be、101Bfがある。
また、一対のバイパス端子107、108側にあるスルホール101Be、101Bfとこのスルホール101Be、101Bfに繋がって、図15の(d)に示すように、下基板101Bの上面101Baにバイパスパターンを設けている。
下基板101Bに有する一対の電極端子103、104側のスルホール101Bc、101Bdは上基板101Aに有するスルホール101Ac、101Adと繋がって、そこにスルホール電極パターン103b(スルホール101Bd、101Ad側の電極パターンは図示していない)を設けている。そして、スルホール電極パターンを介して一対の電極端子103、104と表面側に設けた上面電極パターン103a、104aを接続している。この辺の構成は前述の実施例1の構成と同じである。
実施例4においては、バイパスパターン109を下基板101Bの上面101Baに設け、下基板101Bと上基板101Aを積層したときにその層間にくるようにしている。
基板101の裏面、つまり、下基板101Bの裏面101Bbに設けた一対の電極端子103、104と一対のバイパス端子107、108が角部から少し離れていることで端子間の間隔が少し小さく(狭く)なっている。このため、バイパスパターン109を層間に設けることで、バイパスパターン109と端子とのショート発生を防止している。
次に、実施例5に係るLEDランプについて図16を用いて説明する。なお、図16は実施例5に係るLEDランプの構成を示す図で、図16の(a)は表面側から見た平面図、図16の(b)は図16の(a)におけるX−X断面図、図16の(c)は図16の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図を示している。
実施例5のLEDランプはバイパスパターンを基板の表面に設けた実施例である。図16の(a)において、119はバイパスパターンで、対角線上の角部にあるスルホール111e、111fに架かってLED素子112の真下を通ってバイパスパターン119を設けている。バイパスパターン119はLED素子112の真下の部位においては面積を大きく(広く)取った拡張部119aを設けており、その拡張部119aの領域の中にLED素子112が納まるようになっている。そして、図16の(b)に示すように、バイパスパターン119の拡張部119aにLED素子112を熱伝導率の良い材料(例えば、半田、銀ペーストなど)120でもって固定している。
LED素子112は上面側にp電極部とn電極部を持つ2ピン型のLED素子を用いている。
バイパスパターン119を設けた対角線に対して他方の対角線上の角部にはスルホール111c、111dを有して、表面111aには一対の上面電極パターン113a、114aを設けている。スルホール111c側にある上面電極パターン113aはアノード電極用の電極パターンでボンディングワイヤ115Aを介してLED素子112のp電極部と接続する。また、スルホール111d側にある上面電極パターン114aはカソード電極用の電極パターンでボンディングワイヤ115Bを介してLED素子112のn電極部と接続する。
基板111の裏面111b側においては、図16の(c)に示すように、スルホール111cのある部位には電極端子113を設け、スルホール電極パターン113bを介して表面側の上面電極パターン113aと接続している。また、スルホール111dのある部位には電極端子114を設け、図示していないスルホール電極パターンを介して表面側の上面電極パターン114aと接続している。
従って、実装基板から電極端子113に流れた電流は上面電極パターン113a、ボンディングワイヤ115Aを通ってLED素子112に流れ、LED素子112の発光が行われる。また、LED素子112からはボンディングワイヤ115B、上面電極パターン114aを通って電極端子114に電流が流れるようになっている。
また、スルホール111eのある部位にはバイパス端子117を設け、スルホール111fのある部位にはバイパス端子118を設けている。そして、この一対のバイパス端子117、118はバイパスパターン119と接続して導通が図られる。
116は封止部材である。LED素子112、ボンディングワイヤ115A、115B、バイパスパターン119、上面電極パターン113a、114aなどを保護するために設けている。
上記の構成をなしたLEDランプ110は実装基板に実装される。実装基板は前述の実施形態において図2で示した実装基板が用いられる。また、実装方法も図3で示した方法と同じ方法でアレイ状に複数実装される。そして、その作用・効果は前述の実施形態で説明した作用・効果と同じ作用・効果が得られる。
また、基板の表面側にバイパスパターンを設けることにより裏面側は一対の電極端子と一対のバイパス端子のみの構成となる。それぞれの端子間の間隔に余裕が取れるので、実装基板との半田実装において半田のはみ出しが現れても外の端子に接触する危険がなくなり、ショート不良などのない信頼性の高い実装品質が得られる。
また、バイパスパターン119の材料は一対の上面電極パターンや一対の電極端子、一対のバイパス端子と同様に、電気抵抗率が小さく、熱伝導率が非常に高い銅や銀、金などの材料でもって形成している。そして、バイパスパターン119にLED素子112の面積よりも十分に大きな面積もって拡張部119aを設けているので、LED素子112から発熱した熱の吸収と放熱をバイパスパターン119を介して十分行うことができる。つまり、著しい放熱効果が得られる。
なお、実施例5はバイパスパターンが1本の場合について説明した。バイパスパターンが2本、あるいは3本と複数必要とされる場合には、積層基板を用いて表面と層間にバイパスパターンを設けることが可能になる。
次に、実施例6に係るLEDランプについて図17を用いて説明する。なお、図17は実施例6に係るLEDランプの構成を示す図で、図17の(a)は表面側から見た平面図、図17の(b)は図17の(a)におけるX−X断面図、図17の(c)は図17の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図を示している。
実施例6のLEDランプはバイパスパターンを前述の実施例5と同様に基板の表面側に設けた実施例である。図17の(a)に示すように、基板131の表面131aで、対向する一対の辺131g、131hの同一方向の角部にあるスルホール131e、131fに架かってバイパスパターン139を設けている。
前述の実施例2においては、バイパスパターンを基板の裏面側に設けた構成をなしたが、実施例6の構成は基板の表面側に設けた構成のものである。一対の上面電極パターンや一対の電極端子の位置関係、並びに、LED素子と一対の電極パターンを接続するボンディングワイヤの位置関係については前述の実施例2と同じ仕様をなしているので、その詳細説明は省略する。
図17の(a)に示すように、表面131a側に設けたバイパスパターン139はLED素子132の真下まで広がった拡張部139aを持っている。そして、図17の(b)に示すように、その拡張部139aの上にLED素子132を熱伝導率の良い材料(例えば、半田、銀ペーストなど)140を介して拡張部139aと固定している。このような構成をなすことにより前述の実施例5と同様に著しい放熱効果が得られる。
基板131の表面131a側に設けたバイパスパターン139はスルホール131e、131fを通って、図17の(c)に示すように、バイパス端子137、138に接続する。
上記の構成をなすLEDランプ130の実装基板への実装仕様は前述の実施例2での図8でもって説明した仕様と同じ仕様でもって実装する。つまり、1個毎に向きを変えて(逆向きにして)実装する。実装仕様は実施例2と同じであるので詳細説明はここでは省略する。
以上の構成をなすことにより前述の実施例5と同じ効果を得ることができる。つまり、LEDランプの幅(これは、図17の(a)での基板の縦方向の幅を指す)を小さくでき、また、実装基板への実装面積を小さくできる小型化への効果を得る。また、放熱性のアップや信頼性のアップ効果も得る
本発明の実施形態に係るLEDランプの形状図で、図1の(a)は表面側から見た平面図、図1の(b)は図1の(a)におけるX−X断面図、図1の(c)は図1の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。 図1におけるLEDランプを実装する実装基板の平面図である。 図1におけるLEDランプを図2に示す実装基板に実装した平面図である。 作用・効果を説明するもので、図4の(a)は電流の流れを説明する説明図、図4の(b)はLEDランプの点灯状態を示す回路図である。 1ピン型のLED素子を用いたLEDランプの表面側から見た平面図である。 実施例1に係るLEDランプの構成を示す図で、図6の(a)は表面側から見た平面図、図6の(b)は図6の(a)におけるX−X断面図、図6の(c)は図6の(b)における下基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。また、図6の(d)は図6の(b)における下基板の上面図である。 実施例2に係るLEDランプの形状図で、図7の(a)は表面側から見た平面図、図7の(b)は図7の(a)におけるX−X断面図、図7の(c)は図7の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。 図7におけるLEDランプを実装基板に実装した平面図である。 作用・効果を説明するもので、図9の(a)は電流の流れを説明する説明図、図9の(b)はLEDランプの点灯状態を示す回路図である。 1ピン型のLED素子を用いたLEDランプの表面側から見た平面図である。 実施例3に係るLEDランプの形状図で、図11の(a)は表面側から見た平面図、図11の(b)は図11の(a)におけるX−X断面図、図11の(c)は図11の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。 図11におけるLEDランプを実装する実装基板の平面図である。 図11におけるLEDランプを図12に示す実装基板に実装した平面図である。 作用・効果を説明するもので、図14の(a)は電流の流れを説明する説明図、図14の(b)はLEDランプの点灯状態を示す回路図である。 実施例4に係るLEDランプの構成を示す図で、図15の(a)は表面側から見た平面図、図15の(b)は図15の(a)におけるX−X断面図、図15の(c)は図15の(b)における下基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。また、図15の(d)は図15の(b)における下基板の上面図である。 実施例5に係るLEDランプの構成を示す図で、図16の(a)は表面側から見た平面図、図16の(b)は図16の(a)におけるX−X断面図、図16の(c)は図16の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。 実施例6に係るLEDランプの構成を示す図で、図17の(a)は表面側から見た平面図、図17の(b)は図17の(a)におけるX−X断面図、図17の(c)は図17の(a)における基板の裏面図で、これは表面側から透視した裏面図である。 特許文献1に示されたLED光源ユニット1の平面図である。 特許文献2に示された発光ダイオードアレイの平面図である。
符号の説明
20、40、50、60、70、80、100、110、130 LEDランプ
21、41、51、61、71、81、101、111、131 基板
51A、101A 上基板
51B、101B 下基板
21a、41a、61a、71a、81a、111a、131a 表面
21b、51Bb、61b、81b、101Bb、111b、131b 裏面
51Ba、101Ba 上面
21c、21d、41c、41d、51Ac、51Ad、51Bc、51Bc、51Be、51Bf、61c、61d、71c、71d、81c、81d、101Ac、101Ad、101Bc、101Bd、101Be、101Bf、111c、111d、111e、111f、131c、131d、131e、131f スルホール
22、42、52、62、72、82、102、112、132 LED素子
23、24、53、54、63、64、83、84、103、104、113、114、133,134 電極端子
23a、24a、43a、44a、53a、54a、63a、64a、73a、74a、83a、84a、103a、104a、113a、114a、133a、134a 上面電極パターン
23b、53b、63b、64b、83b、103b、113b、133b スルホール電極パターン
25A、25B、45A、55A、55B、65A、65B、75A、85A、85B、105A、105B、115A、115B、135A、135B ボンディングワイヤ
26、56、66、86、106、116、136 封止部材
27、28、57、58、67、68、87A、87B、88A、88B、107、108、117、118、137、138 バイパス端子
29、59、69、89A、89B、109、119、139 バイパスパターン
31、31a、31b、31c、31d、31e、32、32a、32b、32c、32d、32e、91、91a、91b、91c、91d、91e、91f、92、92a、92b、92c、92d、92e、92f、93、93a、93b、93c、93d、93e、93f、 配線パターン
35、95 実装基板
61g、61h、101g、101h、131g、131h 辺

Claims (2)

  1. LEDランプの一対の電極端子及び少なくとも一対のバイパス端子と接続する配線パターンを所要の間隔を有して平行に、且つ、所要の間隔を有して間欠的に複数設けた実装基板に、LEDランプを複数アレイ状に接続して照明する構造において、前記LEDランプの基板は単一層基板又は積層基板からなり、前記基板の裏面に前記LED素子を発光させる一対の電極端子とバイパス回路を設けるための少なくとも一対のバイパス端子を設け、該一対のバイパス端子間を結ぶバイパスパターンを前記基板の裏面又は表面又は前記積層基板の層間に、あるいは、前記積層基板の裏面と層間又は前記積層基板の表面と層間に設け、前記一対の電極端子は前記基板の一方の対角線上の角部又は角部寄りに設け、前記少なくとも一対のバイパス端子は、前記電極端子を設けていない他方の対角線上の角部又は角部寄りに設け前記LEDランプは前記一対の電極端子にLED素子を接続したものであって、前記LEDランプを前記実装基板に間欠的に複数設けた配線パターンの間欠部に、相隣り合う配線パターンの端部に跨って配置して、前記一対の電極端子及び前記少なくとも一対のバイパス端子を相隣り合う配線パターンに接続して複数のLEDランプをアレイ状に接続し、配線パターン−当該LEDランプのLED素子−配線パターン−次のLEDランプのバイパスパターンの経路を通って電流が流れるラインと、配線パターン−当該LEDランプのバイパスパターン−配線パターン−次のLEDランプのLED素子の経路を通って電流が流れるラインの少なくとも2系統の電流の流れのラインを構成することを特徴とするLEDランプ。
  2. 前記LED素子を発光させる前記一対の電極端子は前記基板の一方の対角線上の角部又は角部寄りに設け、前記少なくとも一対のバイパス端子は二対以上あって、前記基板の対向する辺で前記電極端子を設けていない部位に設けたことを特徴とする請求項1に記載のLEDランプ。
JP2008059715A 2008-03-10 2008-03-10 Ledランプ Active JP5202042B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008059715A JP5202042B2 (ja) 2008-03-10 2008-03-10 Ledランプ
DE102009012123A DE102009012123A1 (de) 2008-03-10 2009-03-06 Licht aussendende Diode und Beleuchtungsvorrichtung, die diese nutzt
US12/401,053 US8222653B2 (en) 2008-03-10 2009-03-10 Light-emitting diode and lighting apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008059715A JP5202042B2 (ja) 2008-03-10 2008-03-10 Ledランプ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012154310A Division JP5328960B2 (ja) 2012-07-10 2012-07-10 Ledランプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009218355A JP2009218355A (ja) 2009-09-24
JP5202042B2 true JP5202042B2 (ja) 2013-06-05

Family

ID=41011375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008059715A Active JP5202042B2 (ja) 2008-03-10 2008-03-10 Ledランプ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8222653B2 (ja)
JP (1) JP5202042B2 (ja)
DE (1) DE102009012123A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080796A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
WO2011040633A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 三洋電機株式会社 発光モジュール
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101797595B1 (ko) * 2010-12-10 2017-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101750386B1 (ko) * 2010-12-22 2017-06-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지, 이를 갖는 광원 모듈 및 백라이트 어셈블리
JP5652252B2 (ja) * 2011-02-24 2015-01-14 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP5951979B2 (ja) * 2011-12-20 2016-07-13 株式会社Kelk 流体温度調整装置
US9093621B2 (en) 2011-12-28 2015-07-28 Nichia Corporation Molded package for light emitting device
JP6080053B2 (ja) * 2012-09-26 2017-02-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光モジュール
KR101545926B1 (ko) 2013-11-27 2015-08-20 엘지디스플레이 주식회사 광원모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP6405697B2 (ja) * 2014-05-21 2018-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD737784S1 (en) * 2014-07-30 2015-09-01 Kingbright Electronics Co., Ltd. LED component
KR102201859B1 (ko) * 2014-09-23 2021-01-12 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 포함하는 광원모듈 및 백라이트 유닛
US10575374B2 (en) * 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
WO2019244958A1 (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 シチズン時計株式会社 Led発光装置
DE102022123579A1 (de) * 2022-09-15 2024-03-21 Ams-Osram International Gmbh Gehäuse, leiterrahmenverbund und herstellungsverfahren

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0423154U (ja) * 1990-06-14 1992-02-26
JP3741512B2 (ja) * 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ledチップ部品
JP3517101B2 (ja) 1997-11-28 2004-04-05 京セラ株式会社 発光ダイオードアレイ
JP3895086B2 (ja) * 1999-12-08 2007-03-22 ローム株式会社 チップ型半導体発光装置
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
US20020158261A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 Ming-Tang Lee Light emitting diode layout structure
KR100951626B1 (ko) * 2002-03-08 2010-04-09 로무 가부시키가이샤 반도체 칩을 사용한 반도체 장치
EP1590994B1 (en) * 2003-02-07 2016-05-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Metal base wiring board for retaining light emitting elements, light emitting source, lighting apparatus, and display apparatus
JP2004253711A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
TWI244535B (en) * 2004-03-24 2005-12-01 Yuan Lin A full color and flexible illuminating strap device
KR100616595B1 (ko) * 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 Led 패키지 및 이를 구비한 광원
JP4831958B2 (ja) * 2004-12-06 2011-12-07 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
JP4241658B2 (ja) 2005-04-14 2009-03-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源
JP2007095797A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP4697096B2 (ja) 2006-09-01 2011-06-08 ティアック株式会社 光ディスク装置
JP4975370B2 (ja) * 2006-05-16 2012-07-11 株式会社フジクラ 発光装置
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US20080239716A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Yuan Lin Light strip
US7675087B1 (en) * 2008-12-01 2010-03-09 Wen-Tsung Cheng Surface mount light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009218355A (ja) 2009-09-24
US8222653B2 (en) 2012-07-17
DE102009012123A1 (de) 2009-10-01
US20090224268A1 (en) 2009-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5202042B2 (ja) Ledランプ
JP4241658B2 (ja) 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源
JP5770006B2 (ja) 半導体発光装置
JP2004172170A (ja) 高輝度発光装置及びその製造方法
JP2012532441A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP5408414B2 (ja) 発光モジュール
JP2007281468A (ja) アノダイジング絶縁層を有するledパッケージおよびその製造方法
JP5407993B2 (ja) 車両用ヘッドランプ
JP2008258264A (ja) 光源ユニット用発光ダイオードモジュールの構造
JP2009054801A (ja) 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール
KR20130128841A (ko) 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 그 제조방법, 그리고 발광모듈 및 조명장치
JP2002368279A (ja) チップ発光ダイオード
US20090154176A1 (en) Electronic component and method for manufacturing same
KR200468108Y1 (ko) Led 패키지 모듈 및 이를 포함하는 조명장치
JP2008288487A (ja) 表面実装型発光ダイオード
JP5328960B2 (ja) Ledランプ
US20230038765A1 (en) Circuit board for light-emitting diode assembly, backlight unit including the same and image display device including the same
JP6116560B2 (ja) 発光装置
JP5656051B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP2021176189A (ja) 発光装置
JP2010003425A (ja) 線状光源装置
KR20120069290A (ko) 발광다이오드 패키지
JP5212178B2 (ja) 発光モジュール
JP2020150097A (ja) 発光装置、発光モジュール及びその製造方法
JP5999341B2 (ja) 発光装置および照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120511

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120710

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5202042

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250