JP3741512B2 - Ｌｅｄチップ部品 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＥＤ（light emitting diode，発光ダイオード）チップ部品の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板上に２つのＬＥＤ素子を設け、２色発光としたＬＥＤチップ部品が使用されている。その２色発光のＬＥＤチップ部品の一例を図１０（イ）に示す。これは、小型サイズの面実装ＬＥＤチップ部品を斜め上方より見た斜視図である。同図において、１は耐熱性の材料でできた絶縁基板、２ａ，２ｂはＬＥＤ素子、３はワイヤボンディング用の金やアルミ等より成るワイヤ、４ａ，４ｂ，４′ａ，４′ｂは絶縁基板１の表面に施されたパターン、５は絶縁基板１の表面から裏面に渡って設けられ、端子の働きをするスルーホール、破線で示した６はＬＥＤ素子２ａ，２ｂ等を保護するモールド樹脂である。
【０００３】
同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂは、絶縁基板１の表面中央付近に、それぞれダイボンディングにより載置されている。各々の一端はパターン４ａ，４ｂのランドにそれぞれ銀ペースト等で直接接続されて電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４′ａ，４′ｂにそれぞれ接続されて電極を形成している。パターン４ａ，４ｂ，４′ａ，４′ｂは、それぞれ絶縁基板１の四隅に延びてスルーホール５に接続され、端子を形成している。ＬＥＤ素子２ａ，２ｂ及びワイヤ３は、モールド樹脂６により封入され、保護されている。
【０００４】
実際の製造工程においては、同図に示す組み合わせが絶縁基板１上に多数配置され、ダイシングによりそれぞれのＬＥＤチップ部品に切り離される。その際本例においては、スルーホール５が四分割され、同図に示すように四隅に配置された形となる。また、ＬＥＤチップ部品をマウントする際は、リフローソルダリングにより、上記スルーホール５を端子としてプリント基板上に半田付けされる。その際には耐熱性が要求されるので、上記絶縁基板１の材質としては、ＢＴ（ポリビスマレイミド・トリアジン）レジンや、耐熱性の高い特殊なガラスエポキシ樹脂が用いられる。
【０００５】
回路構成は、図１１に示すように、四端子構成となっている。そして、それぞれのＬＥＤ２ａ，２ｂを同時に発光させたり別々に発光させたりする事により、合わせて３種類の色を発光させる事ができる。例えば、２ａ，２ｂがそれぞれ赤と緑のＬＥＤの組み合わせにおいては、同時に発光させると橙色の発光となる。発光の方向としては、主に絶縁基板１の表面の法線方向であり、図１０（イ）で言えば上方のいわゆる上面発光となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、携帯電話や携帯用の無線機等が普及するにつれて、それらの機器の薄型化の需要が高まってきており、それらの機器において表示用やディスプレイ照明用としてよく使われるＬＥＤにおいても、その薄型化に対応可能な製品が求められてきている。そのため、ＬＥＤの大きさが機器の厚さに影響する事がないように、表示部等の横からいわゆる側面発光をさせて照明する事等が行われている。
【０００７】
ところが、側面発光させるためには、上記絶縁基板１を縦にして配置するのが簡単で確実な方法なのであるが、上記従来の技術で示したような構成では、図１０（ロ）に示すように、絶縁基板１を縦にすると、プリント基板１０にマウントする際に、下側に位置したＬＥＤ素子２ａ（図示は省略）のパターン４ａ，４′ａの半田付けはできるのであるが、上側に位置したＬＥＤ素子２ｂ（図示は省略）のパターン４ｂ，４′ｂがプリント基板から離れてしまい、半田付け不可能となってしまう。故に、従来より、このような配置方法は、単色発光のＬＥＤチップ部品においてしか行う事ができなかった。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解消し、絶縁基板を縦に配置して側面発光をさせる事が可能な端子構造を持った、２色発光のＬＥＤチップ部品を提供する事を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、絶縁基体と、その絶縁基体の同一面上に載置されるとともに各々が第１，第２の電極を有する２つのＬＥＤ素子と、前記各ＬＥＤ素子の第１，第２の電極を外部接続するために前記絶縁基体上に形成された端子用パターンとを備えるＬＥＤチップ部品において、前記パターンの内、前記ＬＥＤ素子の各第１の電極に接続した２つのパターンは、前記絶縁基体の前後端まで延在し、且つ前記絶縁基体の側面を介して前記同一面からその同一面の反対面に跨って形成され、前記ＬＥＤ素子の第２の電極用のパターンは１つの共通パターンとなっており、前記同一面上の中央付近で前記前後端まで延在し、前記前後端においてそれぞれ前記同一面とその反対面とを貫通する半円筒状のスルーホールに接続し、２つの前記ＬＥＤ素子は共に第１の電極はアノード、第２の電極はカソードである構成とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図において、上記従来技術と同様に、１は耐熱性の材料でできた絶縁基板、２ａ，２ｂはＬＥＤ素子、３はワイヤボンディング用の金やアルミ等より成るワイヤ、４，４′は絶縁基板１の表面に施されたパターン、５は端子の働きをするスルーホール、破線で示した６はＬＥＤ素子２ａ，２ｂ等を保護するモールド樹脂であり、さらに、絶縁基板１の左右の端部には、それぞれ表面から両側面を介して裏面にかけて跨るように端子パターン７が設けられている。
【００１２】
同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂは、絶縁基板１の表面中央付近に、それぞれダイボンディングにより載置されている。各々の一端はパターン４のランドにそれぞれ直接接続されて共通の電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４′にそれぞれ接続されて電極を形成している。パターン４は、絶縁基板１の前後端中央付近に延びてスルーホール５に接続され、コモン端子を形成している。パターン４′は、それぞれ絶縁基板１の左右に延びて端子パターン７に接続されている。ＬＥＤ素子２ａ，２ｂ及びワイヤ３は、モールド樹脂６により封入され、保護されている。
【００１３】
実際の製造工程においては、同図に示す組み合わせが絶縁基板１上に多数配置され、ダイシングによりそれぞれのＬＥＤチップ部品に切り離される。その際本実施形態においては、スルーホール５が二分割され、同図に示すように前後端中央付近に配置された形となる。また、ＬＥＤチップ部品をマウントする際は、リフローソルダリングにより、上記スルーホール５の周辺及び端子パターン７を端子としてプリント基板上に半田付けされる。その際には耐熱性が要求されるので、絶縁基板１の材質としては、上記従来技術におけるものと同様に、耐熱性の高いものが用いられる。
【００１４】
図２は、本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図である。同図に示すように、絶縁基板１の裏面において、パターン４″は、絶縁基板１の前後端中央付近に延びてスルーホール５に接続され、表面のパターン４にもつながった状態となり、コモン端子を形成している。また、このパターン４″は、後述のようにＬＥＤを側面発光させるために絶縁基板１を縦に配置する際に、半田付け用のランドの働きをするものである。
【００１５】
回路構成は、例えば図３（ａ）或いは（ｂ）に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂのそれぞれの一端がコモン端子となる三端子構成である。そして、それぞれのＬＥＤを同時に発光させたり別々に発光させたりする事により、合わせて３種類の色を発光させる事ができるのは、上記従来技術と同様である。
【００１６】
具体的には、図３（ａ）において、ＬＥＤ素子２ａのみを発光させるときは、言うまでもなく端子２１からコモン端子２０にかけて電流を流すようにし、ＬＥＤ素子２ｂのみを発光させるときは、端子２２からコモン端子２０にかけて電流を流すようにし、また、同時に発光させるときは、端子２１，２２からコモン端子２０にかけて同時に電流を流すようにすれば良い。
【００１７】
また、図３（ｂ）において、ＬＥＤ素子２ａのみを発光させるときは、言うまでもなく端子２１からコモン端子２０にかけて電流を流すようにし、ＬＥＤ素子２ｂのみを発光させるときは、コモン端子２０から端子２２にかけて電流を流すようにし、また、同時に発光させるときは、端子２１から端子２２にかけて電流を流すようにすれば良い。
【００１８】
本実施形態のＬＥＤチップ部品を、本発明の目的である側面発光用として使用する場合は、図４に示すように、絶縁基板１を縦にして配置し、例えばプリント基板１０上に施されたプリント回路８に、絶縁基板１の一端１１においてパターン４″及び左右の端子パターン７をそれぞれ半田９により半田付けする事により、ＬＥＤチップ部品がプリント基板１０上にマウントされるとともに、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ（図示せず）が確実に配線される。これにより、矢印で示すような側面発光が実現する。
【００１９】
図５は、本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図に示すように、本実施形態においては、絶縁基板１の表面中央付近に、スルーホール５が設けられており、裏面まで貫通している。２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂは、スルーホール５の前後にそれぞれダイボンディングにより載置されている。ＬＥＤ素子２ａ，２ｂ各々の一端は、スルーホール５より前後に延びたパターン４のランドにそれぞれ直接接続されて共通の電極を形成している。その他の構造は第１の実施形態と同様である。
【００２０】
図６は、本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図である。絶縁基板１の裏面において、パターン４″は、スルーホール５より絶縁基板１の前後端中央付近に延びてコモン端子を形成している。また、このパターン４″は、第１の実施形態の場合と同様に、ＬＥＤを側面発光させるために絶縁基板１を縦に配置する際に、半田付け用のランドの働きをするものである。尚、回路構成も第１の実施形態と同様である。
【００２１】
本実施形態のＬＥＤチップ部品を、本発明の目的である側面発光用として使用する場合は、第１の実施形態と同様に、図７に示すように、絶縁基板１を縦にして配置し、例えばプリント基板１０上に施されたプリント回路８に、絶縁基板１の一端１１においてパターン４″及び左右の端子パターン７をそれぞれ半田９により半田付けする事により、ＬＥＤチップ部品がプリント基板上にマウントされるとともに、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ（図示せず）が確実に配線される。これにより、矢印で示すような側面発光が実現する。
【００２２】
第１の実施形態においては、ＬＥＤチップ部品を製造する際、モールド樹脂６を形成するときに、樹脂がスルーホール５に流れ込み、半田付けの障害となる可能性が考えられるが、第２の実施形態においては、半田付けをするパターン部分とスルーホール５が離れているので、パターンが樹脂に覆われる心配はなく、確実に半田付けを行う事ができる。但し、この場合は上記従来の使用形態のように絶縁基板１を横にして配置すると、半田付けを行う事ができなくなるので、従来の上面発光用として使用する事はできない。あくまで側面発光専用となる。
【００２３】
図８は、本発明の第３の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ各々の一端は、パターン４及びパターン４′にそれぞれ直接接続されて電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４′及びパターン４にそれぞれ接続されて電極を形成している。その他の構造は第２の実施形態と同様である。
【００２４】
図９は、本発明の第４の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ各々の一端は、パターン４′にそれぞれ直接接続されて電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４にそれぞれ接続されて共通の電極を形成している。その他の構造は第２の実施形態と同様である。このように、ＬＥＤ素子の配置等による様々なバリエーションが考えられる。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、絶縁基板を縦に配置して側面発光をさせる事が可能な端子構造を持った、２色発光のＬＥＤチップ部品を提供し、機器の薄型化に寄与する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図２】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図。
【図３】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品の回路構成を示す図。
【図４】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を側面発光用として使用する場合の使用形態を示す図。
【図５】本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図６】本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図。
【図７】本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を側面発光用として使用する場合の使用形態を示す図。
【図８】本発明の第３の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図９】本発明の第４の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図１０】従来の２色発光のＬＥＤチップ部品の一例を示す斜視図。
【図１１】従来の２色発光のＬＥＤチップ部品の回路構成を示す図。
【符号の説明】
１ 絶縁基板
２ａ，２ｂ ＬＥＤ素子
３ ワイヤ
４，４′，４″ パターン
５ スルーホール
６ モールド樹脂
７ 端子パターン
８ プリント回路
９ 半田
１０ プリント基板
１１ 一端
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＥＤ（light emitting diode，発光ダイオード）チップ部品の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板上に２つのＬＥＤ素子を設け、２色発光としたＬＥＤチップ部品が使用されている。その２色発光のＬＥＤチップ部品の一例を図１０（イ）に示す。これは、小型サイズの面実装ＬＥＤチップ部品を斜め上方より見た斜視図である。同図において、１は耐熱性の材料でできた絶縁基板、２ａ，２ｂはＬＥＤ素子、３はワイヤボンディング用の金やアルミ等より成るワイヤ、４ａ，４ｂ，４′ａ，４′ｂは絶縁基板１の表面に施されたパターン、５は絶縁基板１の表面から裏面に渡って設けられ、端子の働きをするスルーホール、破線で示した６はＬＥＤ素子２ａ，２ｂ等を保護するモールド樹脂である。
【０００３】
同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂは、絶縁基板１の表面中央付近に、それぞれダイボンディングにより載置されている。各々の一端はパターン４ａ，４ｂのランドにそれぞれ銀ペースト等で直接接続されて電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４′ａ，４′ｂにそれぞれ接続されて電極を形成している。パターン４ａ，４ｂ，４′ａ，４′ｂは、それぞれ絶縁基板１の四隅に延びてスルーホール５に接続され、端子を形成している。ＬＥＤ素子２ａ，２ｂ及びワイヤ３は、モールド樹脂６により封入され、保護されている。
【０００４】
実際の製造工程においては、同図に示す組み合わせが絶縁基板１上に多数配置され、ダイシングによりそれぞれのＬＥＤチップ部品に切り離される。その際本例においては、スルーホール５が四分割され、同図に示すように四隅に配置された形となる。また、ＬＥＤチップ部品をマウントする際は、リフローソルダリングにより、上記スルーホール５を端子としてプリント基板上に半田付けされる。その際には耐熱性が要求されるので、上記絶縁基板１の材質としては、ＢＴ（ポリビスマレイミド・トリアジン）レジンや、耐熱性の高い特殊なガラスエポキシ樹脂が用いられる。
【０００５】
回路構成は、図１１に示すように、四端子構成となっている。そして、それぞれのＬＥＤ２ａ，２ｂを同時に発光させたり別々に発光させたりする事により、合わせて３種類の色を発光させる事ができる。例えば、２ａ，２ｂがそれぞれ赤と緑のＬＥＤの組み合わせにおいては、同時に発光させると橙色の発光となる。発光の方向としては、主に絶縁基板１の表面の法線方向であり、図１０（イ）で言えば上方のいわゆる上面発光となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、携帯電話や携帯用の無線機等が普及するにつれて、それらの機器の薄型化の需要が高まってきており、それらの機器において表示用やディスプレイ照明用としてよく使われるＬＥＤにおいても、その薄型化に対応可能な製品が求められてきている。そのため、ＬＥＤの大きさが機器の厚さに影響する事がないように、表示部等の横からいわゆる側面発光をさせて照明する事等が行われている。
【０００７】
ところが、側面発光させるためには、上記絶縁基板１を縦にして配置するのが簡単で確実な方法なのであるが、上記従来の技術で示したような構成では、図１０（ロ）に示すように、絶縁基板１を縦にすると、プリント基板１０にマウントする際に、下側に位置したＬＥＤ素子２ａ（図示は省略）のパターン４ａ，４′ａの半田付けはできるのであるが、上側に位置したＬＥＤ素子２ｂ（図示は省略）のパターン４ｂ，４′ｂがプリント基板から離れてしまい、半田付け不可能となってしまう。故に、従来より、このような配置方法は、単色発光のＬＥＤチップ部品においてしか行う事ができなかった。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解消し、絶縁基板を縦に配置して側面発光をさせる事が可能な端子構造を持った、２色発光のＬＥＤチップ部品を提供する事を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、絶縁基体と、その絶縁基体の同一面上に載置されるとともに各々が第１，第２の電極を有する２つのＬＥＤ素子と、前記各ＬＥＤ素子の第１，第２の電極を外部接続するために前記絶縁基体上に形成された端子用パターンとを備えるＬＥＤチップ部品において、前記パターンの内、前記ＬＥＤ素子の各第１の電極に接続した２つのパターンは、前記絶縁基体の前後端まで延在し、且つ前記絶縁基体の側面を介して前記同一面からその同一面の反対面に跨って形成され、前記ＬＥＤ素子の第２の電極用のパターンは１つの共通パターンとなっており、前記同一面上の中央付近で前記前後端まで延在し、前記前後端においてそれぞれ前記同一面とその反対面とを貫通する半円筒状のスルーホールに接続し、２つの前記ＬＥＤ素子は共に第１の電極はアノード、第２の電極はカソードである構成とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図において、上記従来技術と同様に、１は耐熱性の材料でできた絶縁基板、２ａ，２ｂはＬＥＤ素子、３はワイヤボンディング用の金やアルミ等より成るワイヤ、４，４′は絶縁基板１の表面に施されたパターン、５は端子の働きをするスルーホール、破線で示した６はＬＥＤ素子２ａ，２ｂ等を保護するモールド樹脂であり、さらに、絶縁基板１の左右の端部には、それぞれ表面から両側面を介して裏面にかけて跨るように端子パターン７が設けられている。
【００１２】
同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂは、絶縁基板１の表面中央付近に、それぞれダイボンディングにより載置されている。各々の一端はパターン４のランドにそれぞれ直接接続されて共通の電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４′にそれぞれ接続されて電極を形成している。パターン４は、絶縁基板１の前後端中央付近に延びてスルーホール５に接続され、コモン端子を形成している。パターン４′は、それぞれ絶縁基板１の左右に延びて端子パターン７に接続されている。ＬＥＤ素子２ａ，２ｂ及びワイヤ３は、モールド樹脂６により封入され、保護されている。
【００１３】
実際の製造工程においては、同図に示す組み合わせが絶縁基板１上に多数配置され、ダイシングによりそれぞれのＬＥＤチップ部品に切り離される。その際本実施形態においては、スルーホール５が二分割され、同図に示すように前後端中央付近に配置された形となる。また、ＬＥＤチップ部品をマウントする際は、リフローソルダリングにより、上記スルーホール５の周辺及び端子パターン７を端子としてプリント基板上に半田付けされる。その際には耐熱性が要求されるので、絶縁基板１の材質としては、上記従来技術におけるものと同様に、耐熱性の高いものが用いられる。
【００１４】
図２は、本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図である。同図に示すように、絶縁基板１の裏面において、パターン４″は、絶縁基板１の前後端中央付近に延びてスルーホール５に接続され、表面のパターン４にもつながった状態となり、コモン端子を形成している。また、このパターン４″は、後述のようにＬＥＤを側面発光させるために絶縁基板１を縦に配置する際に、半田付け用のランドの働きをするものである。
【００１５】
回路構成は、例えば図３（ａ）或いは（ｂ）に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂのそれぞれの一端がコモン端子となる三端子構成である。そして、それぞれのＬＥＤを同時に発光させたり別々に発光させたりする事により、合わせて３種類の色を発光させる事ができるのは、上記従来技術と同様である。
【００１６】
具体的には、図３（ａ）において、ＬＥＤ素子２ａのみを発光させるときは、言うまでもなく端子２１からコモン端子２０にかけて電流を流すようにし、ＬＥＤ素子２ｂのみを発光させるときは、端子２２からコモン端子２０にかけて電流を流すようにし、また、同時に発光させるときは、端子２１，２２からコモン端子２０にかけて同時に電流を流すようにすれば良い。
【００１７】
また、図３（ｂ）において、ＬＥＤ素子２ａのみを発光させるときは、言うまでもなく端子２１からコモン端子２０にかけて電流を流すようにし、ＬＥＤ素子２ｂのみを発光させるときは、コモン端子２０から端子２２にかけて電流を流すようにし、また、同時に発光させるときは、端子２１から端子２２にかけて電流を流すようにすれば良い。
【００１８】
本実施形態のＬＥＤチップ部品を、本発明の目的である側面発光用として使用する場合は、図４に示すように、絶縁基板１を縦にして配置し、例えばプリント基板１０上に施されたプリント回路８に、絶縁基板１の一端１１においてパターン４″及び左右の端子パターン７をそれぞれ半田９により半田付けする事により、ＬＥＤチップ部品がプリント基板１０上にマウントされるとともに、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ（図示せず）が確実に配線される。これにより、矢印で示すような側面発光が実現する。
【００１９】
図５は、本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図に示すように、本実施形態においては、絶縁基板１の表面中央付近に、スルーホール５が設けられており、裏面まで貫通している。２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂは、スルーホール５の前後にそれぞれダイボンディングにより載置されている。ＬＥＤ素子２ａ，２ｂ各々の一端は、スルーホール５より前後に延びたパターン４のランドにそれぞれ直接接続されて共通の電極を形成している。その他の構造は第１の実施形態と同様である。
【００２０】
図６は、本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図である。絶縁基板１の裏面において、パターン４″は、スルーホール５より絶縁基板１の前後端中央付近に延びてコモン端子を形成している。また、このパターン４″は、第１の実施形態の場合と同様に、ＬＥＤを側面発光させるために絶縁基板１を縦に配置する際に、半田付け用のランドの働きをするものである。尚、回路構成も第１の実施形態と同様である。
【００２１】
本実施形態のＬＥＤチップ部品を、本発明の目的である側面発光用として使用する場合は、第１の実施形態と同様に、図７に示すように、絶縁基板１を縦にして配置し、例えばプリント基板１０上に施されたプリント回路８に、絶縁基板１の一端１１においてパターン４″及び左右の端子パターン７をそれぞれ半田９により半田付けする事により、ＬＥＤチップ部品がプリント基板上にマウントされるとともに、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ（図示せず）が確実に配線される。これにより、矢印で示すような側面発光が実現する。
【００２２】
第１の実施形態においては、ＬＥＤチップ部品を製造する際、モールド樹脂６を形成するときに、樹脂がスルーホール５に流れ込み、半田付けの障害となる可能性が考えられるが、第２の実施形態においては、半田付けをするパターン部分とスルーホール５が離れているので、パターンが樹脂に覆われる心配はなく、確実に半田付けを行う事ができる。但し、この場合は上記従来の使用形態のように絶縁基板１を横にして配置すると、半田付けを行う事ができなくなるので、従来の上面発光用として使用する事はできない。あくまで側面発光専用となる。
【００２３】
図８は、本発明の第３の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ各々の一端は、パターン４及びパターン４′にそれぞれ直接接続されて電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４′及びパターン４にそれぞれ接続されて電極を形成している。その他の構造は第２の実施形態と同様である。
【００２４】
図９は、本発明の第４の実施形態のＬＥＤチップ部品を示しており、斜め上方から見た斜視図である。同図に示すように、２つのＬＥＤ素子２ａ，２ｂ各々の一端は、パターン４′にそれぞれ直接接続されて電極を形成し、各々の他端はワイヤボンディングにより、ワイヤ３を介してパターン４にそれぞれ接続されて共通の電極を形成している。その他の構造は第２の実施形態と同様である。このように、ＬＥＤ素子の配置等による様々なバリエーションが考えられる。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、絶縁基板を縦に配置して側面発光をさせる事が可能な端子構造を持った、２色発光のＬＥＤチップ部品を提供し、機器の薄型化に寄与する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図２】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図。
【図３】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品の回路構成を示す図。
【図４】本発明の第１の実施形態のＬＥＤチップ部品を側面発光用として使用する場合の使用形態を示す図。
【図５】本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図６】本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め下方から見た斜視図。
【図７】本発明の第２の実施形態のＬＥＤチップ部品を側面発光用として使用する場合の使用形態を示す図。
【図８】本発明の第３の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図９】本発明の第４の実施形態のＬＥＤチップ部品を斜め上方から見た斜視図。
【図１０】従来の２色発光のＬＥＤチップ部品の一例を示す斜視図。
【図１１】従来の２色発光のＬＥＤチップ部品の回路構成を示す図。
【符号の説明】
１ 絶縁基板
２ａ，２ｂ ＬＥＤ素子
３ ワイヤ
４，４′，４″ パターン
５ スルーホール
６ モールド樹脂
７ 端子パターン
８ プリント回路
９ 半田
１０ プリント基板
１１ 一端
Claims (1)
- 絶縁基体と、該絶縁基体の同一面上に載置されるとともに各々が第１，第２の電極を有する２つのＬＥＤ素子と、前記各ＬＥＤ素子の第１，第２の電極を外部接続するために前記絶縁基体上に形成された端子用パターンとを備えるＬＥＤチップ部品において、
前記パターンの内、前記ＬＥＤ素子の各第１の電極に接続した２つのパターンは、前記絶縁基体の前後端まで延在し、且つ前記絶縁基体の側面を介して前記同一面から該同一面の反対面に跨って形成され、
前記ＬＥＤ素子の第２の電極用のパターンは１つの共通パターンとなっており、前記同一面上の中央付近で前記前後端まで延在し、前記前後端においてそれぞれ前記同一面とその反対面とを貫通する半円筒状のスルーホールに接続し、
２つの前記ＬＥＤ素子は共に第１の電極はアノード、第２の電極はカソードである
事を特徴とするＬＥＤチップ部品。
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| DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2003078176A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 側面多色発光型表面実装タイプｌｅｄ |
| JP2003258305A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Oki Degital Imaging:Kk | 半導体素子アレイ |
| US7364488B2 (en) * | 2002-04-26 | 2008-04-29 | Philips Solid State Lighting Solutions, Inc. | Methods and apparatus for enhancing inflatable devices |
| US20040188696A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Gelcore, Llc | LED power package |
| EP1700350A2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-09-13 | Gelcore LLC | Surface mount light emitting chip package |
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| US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
| US8669572B2 (en) * | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
| JP4966199B2 (ja) | 2005-09-20 | 2012-07-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ｌｅｄ光源 |
| JPWO2007083378A1 (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-11 | 富士通株式会社 | チップ部品の実装構造、実装方法及び電子装置 |
| US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
| US8748915B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
| US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
| US7808013B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
| JP5106862B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2012-12-26 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオードパッケージ |
| US9711703B2 (en) * | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
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| US8866169B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
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| US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
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| KR101775671B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2017-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 패키지를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 표시장치 |
| JP2013045842A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Sharp Corp | 発光装置 |
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| US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
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