JP3795248B2 - チップ型発光装置 - Google Patents
チップ型発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3795248B2 JP3795248B2 JP07550899A JP7550899A JP3795248B2 JP 3795248 B2 JP3795248 B2 JP 3795248B2 JP 07550899 A JP07550899 A JP 07550899A JP 7550899 A JP7550899 A JP 7550899A JP 3795248 B2 JP3795248 B2 JP 3795248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light emitting
- chip
- type light
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の長さ方向で左右対称の光度分布が得られると共に、ワイヤボンデングの信頼性を高めることができる、発光ダイオ−ド(LED)チップを用いた超小型のチップ型発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、発光源として発光ダイオ−ド(LED)チップを用いた小型のチップ型発光装置が知られている。図2はこのようなチップ型発光装置の一例を示す斜視図である。図2において、基板2の両端部に銅(Cu)メッキ層等の導電層よりなる一対の電極パターン3、4が形成される。一方の電極パターン3は、表面側電極3a、側面電極3b、裏面側電極3cで構成される。
【0003】
他方の電極パターン4も、表面側電極4a、側面電極4b、裏面側電極4cで構成されている。一対の電極パターン3、4の側面電極3b、側面電極4bは、分割されることにより基板2が得られる元の大きな基板に長穴状のスルーホールを複数平行に形成し、この長穴状のスルーホールの内壁面にCu等のメッキを施して形成され、一対の電極パターン3、4の表面側電極3a、4aと裏面側電極3c、4cとを接続する。
【0004】
一方の電極パターン3の表面側電極3aには、パッド部3pを形成し、LEDチップ1をダイボンデングにより搭載する。LEDチップ1の電極1aに金属線5の一方端5aをワイヤボンデングにて電気的に接続する。金属線5の他方端5bは、他方の電極パターン4の表面側電極4aにワイヤボンデングにて電気的に接続する。このワイヤボンデング処理には、超音波が用いられる。
【0005】
基板2にダイボンデングにより一方の電極パターン3の表面側電極3aに下部電極を接続して搭載されたLEDチップ1と、LEDチップ1の上部電極1aおよび他方の電極パターン4の表面側電極4aにワイヤボンデングにて電気的に接続された金属線5は、透光性樹脂モールド6により封止される。この透光性樹脂モールド6の両端の位置は、基板2の両端縁より内側の位置に離間して形成されている。このようにして、チップ型発光装置20が形成される。
【0006】
チップ型発光装置20は、プリント基板等への自動実装時の搬送等のハンドリングの際に、チャックにより透光性樹脂モールド6の部分が吸着されて移送される。図2の構成では、一対の電極パターン3、4の表面側電極3a、4aの内側に透光性樹脂モールド6の両端部が位置している。このため、チップ型発光装置20の基板2の長さよりも透光性樹脂モールド6の長さが短く吸着面が少なくなり、基板2のサイズ(長さ×幅)が、例えば1.6mm×0.8mm以下の小型になると、前記ハンドリング処理が円滑に行えないという問題がある。
【0007】
図3、図4は他のチップ型発光装置の従来例を示す斜視図であり、基板2の両端縁に半円形状の切欠部7、8が形成された例である。また、図5は図3のチップ型発光装置の光度Iの分布を示す特性図である。図3、図4において、図2と同じところまたは対応する部分には同じ符号を付している。図3の例では、一対の電極パターン3、4の側面電極3b、4bは、基板2の両端縁に半円形状に形成されている切欠部7、8の内周面に形成される。
【0008】
また、一対の電極パターン3、4の表面側電極3a、4aは、切欠部7、8の上面を覆う位置まで延在しており、透光性樹脂モールド6の両端の位置は基板2の長さ方向の両端縁の位置と揃えられている。図3の例では、切欠部7、8の表面は、一対の電極パターン3,4の表面側電極3a、4aで覆われているので、透光性樹脂モールド6のモールド処理の際に、樹脂が切欠部7、8内に侵入しない。
【0009】
このように図3の例では、透光性樹脂モールド6の両端の位置は基板2の長さ方向の両端縁の位置に延在しているので、チップ型発光装置30が小型化されても透光性樹脂モールド6の表面面積を、前記ハンドリング処理が円滑に行える程度に確保できるという利点がある。
【0010】
しかしながら、図3に示したような、透光性樹脂モールド6の両端の位置を基板2の長さ方向の両端縁の位置に延在した構造とした場合に、基板のサイズが、例えば1.6mm×0.8mmのように小型になると、図4に示すように、基板2の中心にLEDチップを搭載する構成とすることはできなくなる。
【0011】
図4のチップ型発光装置40の例では、LEDチップ1を基板2の長さ方向の中心にずらした位置に搭載しており、金属線5の他方端5bは、基板2の端部に近づいた位置でワイヤボンデングされる。すなわち金属線5の他方端5bは、電極パターン4の表面側電極4bが切欠部8を覆う部分の位置でワイヤボンデングされる。
【0012】
このように、金属線5の他方端5bをワイヤボンデングする位置は、切欠部8の上面を覆う表面側電極4bの上になっている。したがって、超音波でワイヤボンデング処理する際に、ワイヤボンデング処理される部分の下部には切欠部8が存在するために、ホ−ンを支持する部分の機械的強度が低下することになる。
【0013】
このために、超音波処理の際に接合部に超音波を伝達するホーンに十分な押圧力が印加できず、電極パターン4の表面側電極4bと金属線5の他方端5bとの超音波による接合が不十分となる。前記超音波による接合の信頼性を高めるためには、図3に示す構成を採用することになるが、図3の例では、LEDチップ1は基板2の中心から偏心した位置に搭載されている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
図3の例では、LEDチップ1を基板2の中心に搭載できないので、その結果、LEDチップ1は透光性樹脂モ−ルド6に対しても中心からずれて配置されることになる。このため、図5の光度の特性図に示すように、基板の長さ方向で左右対称の光度分布が得られないという問題があった。
【0015】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、基板のサイズが小型化されても、基板の長さ方向で左右対称の光度分布が得られると共に、ワイヤボンデングの信頼性を高めることができる超小型のチップ型発光装置の提供を目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、チップ型発光装置を、平面視略矩形状の基板と、基板表面の両端部に形成される第1および第2の電極パターンと、前記第1の電極パターン上に搭載される発光ダイオ−ド(LED)チップと、前記LEDチップと第2の電極パターンにワイヤボンデングで接続される金属線と、前記LEDチップおよび金属線を封止する透光性樹脂モールドとを備えるチップ型発光装置において、前記第1の電極パターン側の基板の端縁に一個所の切欠部を形成する一方、前記第2の電極パターン側の基板の端縁両側に二個所の切欠部を形成し、前記透光性樹脂モールドの両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させた構成とすることにより達成できる。
【0017】
本発明の上記特徴によれば、基板の一方端縁両側には二個所に切欠部を形成している。このため、ワイヤボンデングの位置が基板端部に近づいたとしても、当該二個所の切欠部に挟まれている基板上で第2の電極パターンと金属線とのワイヤボンデングを行なうので、ワイヤボンデングを安定して行なえ、LEDチップを基板の中央に搭載することができる。このため、基板の長さ方向でみて左右対称となる理想的な光度特性が得られる。
【0018】
また、基板の一方端縁には切欠部は一個所形成され、他方の端縁には切欠部は二個所形成されているので、LEDチップの極性判別が容易となる。特に透光性樹脂モールドが乳白色の場合には、透光性樹脂モールド内に封止されているLEDチップが見にくくなっているが、基板に形成されている切欠部の数が一方端縁では一個所であり、他方端縁では二個所であることから、非対称な電極構造であり、チップ型発光装置の外観から極性判別が簡単に行える。
【0019】
更に、透光性樹脂モールドの両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させているので、吸着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装置に対しても、ハンドリング処理を円滑に行なうことが可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置10の斜視図である。図2〜図4に示した従来例のチップ型発光装置と同じ部分または対応する部分については同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【0021】
図1において、基板2の形状は、平面視略長方形状(例えば、長さ×幅のサイズが1.0mm×0.5mm)であり、基板2の表面両端部には、第1の電極パターン3と第2の電極パターン4が形成されている。基板2の一対の短手側の端縁の一方中央部には、厚み方向に貫通する半円筒形状の切欠部7が形成される。また、基板2の他方の短手側の端縁には、幅方向でみて両側二個所に厚み方向に貫通する1/4円筒形状の切欠部8a、8bが形成されている。
【0022】
一方側の切欠部7および他方側の二個所の切欠部8a、8bの上には、ひさし状にそれぞれ第1および第2の電極パターン3、4の表面側電極3a、4aが張り出している。また、これら切欠部7および切欠部8a、8bの内周面の側壁には、表面側電極3aおよび表面側電極4aと接続される側面電極3b、4bが形成されて露出している。更に、裏面側電極3c、4cが基板2の裏面両端に形成されている。
【0023】
このように、基板2の一方の端縁両側に二個所の切欠部8a、8bを形成するには、一枚の大きな基板に複数のLEDチップを搭載して複数のチップ型発光装置を製造する際に、切欠部を形成する位置を選定し、この大きな基板を個々のチップ型発光装置を形成するために縦方向および横方向に切断する位置を、図1に示した切欠部8a、8bの位置となるように設定することで実現できる。
【0024】
基板2の表面中央部には、LEDチップ1が、その下面電極を表面側電極3aと接続して搭載され、LEDチップ1の上面電極1aは、金(Au)等の金属線5の一方端5aで表面側電極4aとワイヤボンデングされている。金属線5は、基板2の中央から、基板2の他方短手端縁の中央、すなわち、切欠部8a、8b間の表面側電極4aの位置へ向かって張設される。金属線5の他方端5bは、基板2の端部で表面側電極4aと接続される。
【0025】
前記第1の電極パターン3、第2の電極パターン4の表面側電極3a、4aは、切欠部7と切欠部8a、8b上を覆い、第1の電極パターン3、第2の電極パターン4の端部は、基板2の両端の位置に形成されている。また、透光性樹脂モールド6の両端の位置は、基板2の両端の位置に延在させている。
【0026】
図1の構成では、切欠部8a、8bに挟まれた中央部に基板2が存在している。このため、金属線5の他方端5bと電極パターン4の表面側電極4bとの接続位置が、基板2の上に形成される。超音波装置のホーンは、この基板により下部から支持されるので、十分な押圧力を印加することができ、金属線5の他方端5bと電極パターン4の表面側電極4bとの超音波による接合が良好に行える。したがってワイヤボンデングの信頼性を高めることができる。
【0027】
図6は、図1のチップ型発光装置の光度Iの分布を示す特性図である。図6に示すように、図1のチップ型発光装置10は、LEDチップ1を基板2の中央に搭載することにより、基板2の長さ方向でみて左右対称となる理想的な光度特性が得られる。また、金属線5の他方端5bの位置が基板2の端部に近い位置まで延長されても、ワイヤボンデングを安定して行うことができる。
【0028】
また、基板2の一方の端縁には切欠部が一個所形成され、他方の端縁には切欠部が二個所形成されているので、切欠部の個数をみることによりLEDチップ1の極性判別が容易に行なえる。特に透光性樹脂モールド6が乳白色の場合には、透光性樹脂モールド6内に封止されているLEDチップ1が見にくくなっているが、このような場合にもチップ型発光装置10の外観から極性判別が簡単に行える。
【0029】
なお、長さと幅が1.0mm×0.5mmの大きさに選定されている超小型のチップ型発光装置においては、極性をレジストで表示することが困難であるので、前記のよう切欠部が形成されている個数により極性が判断できると、実務上の効果が大きい。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、基板の一方端縁両側に二個所に切欠部を形成している。このため、ワイヤボンデングの位置が基板端部に近づいたとしても、当該二個所の切欠部に挟まれている基板上で第2の電極パターンと金属線とのワイヤボンデングを行なうので、ワイヤボンデングを安定して行なえ、LEDチップを基板の中央に搭載することができる。このため、基板の長さ方向でみて左右対称となる理想的な光度特性が得られる。
【0031】
また、基板の一方端縁には切欠部は一個所形成され、他方の端縁には切欠部は二個所形成されているので、LEDチップの極性判別が容易となる。特に透光性樹脂モールドが乳白色の場合には、透光性樹脂モールド内に封止されているLEDチップが見にくくなっているが、基板に形成されている切欠部の数が一方端縁では一個所であり、他方端縁では二個所であることから、非対称な電極構造であり、チップ型発光装置の外観から極性判別が簡単に行える。
【0032】
更に、透光性樹脂モールドの両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させているので、吸着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装置に対しても、ハンドリング処理を円滑に行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置を示す斜視図である。
【図2】従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図である。
【図3】従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図である。
【図4】従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図である。
【図5】従来例のチップ型発光装置の長さ方向の光度を示す特性図である。
【図6】本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置の長さ方向の光度を示す特性図である。
【符号の説明】
1 LEDチップ
2 基板
3 第1の電極パターン
3p パッド部
4 第2の電極パターン
5 金属線
6 透光性樹脂モールド
7、8 切欠部
10 チップ型発光装置
Claims (1)
- 平面視略矩形状の基板と、基板表面の両端部に形成される第1および第2の電極パターンと、前記第1の電極パターン上に搭載される発光ダイオ−ド(LED)チップと、前記LEDチップと第2の電極パターンにワイヤボンデングで接続される金属線と、前記LEDチップおよび金属線を封止する透光性樹脂モールドとを備えるチップ型発光装置において、前記第1の電極パターン側の基板の端縁に一個所の切欠部を形成する一方、前記第2の電極パターン側の基板の端縁両側に二個所の切欠部を形成し、前記透光性樹脂モールドの両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させたことを特徴とするチップ型発光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07550899A JP3795248B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | チップ型発光装置 |
EP00909760A EP1100131A4 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-21 | CHIP LIGHT EMITTING DEVICE |
US09/674,522 US6777719B1 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-21 | Chip light-emitting device |
PCT/JP2000/001704 WO2000057491A1 (fr) | 1999-03-19 | 2000-03-21 | Dispositif a microcircuit photo-emissif |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07550899A JP3795248B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | チップ型発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000269552A JP2000269552A (ja) | 2000-09-29 |
JP3795248B2 true JP3795248B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=13578264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07550899A Expired - Lifetime JP3795248B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | チップ型発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6777719B1 (ja) |
EP (1) | EP1100131A4 (ja) |
JP (1) | JP3795248B2 (ja) |
WO (1) | WO2000057491A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040137656A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-15 | Gurbir Singh | Low thermal resistance light emitting diode package and a method of making the same |
CA2529813C (en) * | 2003-06-20 | 2015-11-17 | Visx, Incorporated | Systems and methods for prediction of objective visual acuity based on wavefront measurements |
JP4397728B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-01-13 | 日東電工株式会社 | 直下型バックライト |
US7652471B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-01-26 | Honeywell International Inc. | Magnetic tagging of magnetoresistive sensors |
WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
WO2010021346A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
JPWO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-22 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
EP2447989B1 (en) * | 2009-06-22 | 2016-05-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting structure |
JP5675210B2 (ja) * | 2010-08-13 | 2015-02-25 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2013239644A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
KR101584201B1 (ko) | 2014-01-13 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
TWD166329S (zh) * | 2014-06-06 | 2015-03-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體晶片之部分 |
JP6450096B2 (ja) * | 2014-06-18 | 2019-01-09 | ローム株式会社 | 光学装置、半導体装置、光学装置の実装構造、および光学装置の製造方法 |
USD737784S1 (en) * | 2014-07-30 | 2015-09-01 | Kingbright Electronics Co., Ltd. | LED component |
USD774475S1 (en) * | 2016-02-19 | 2016-12-20 | Kingbright Electronics Co. Ltd. | LED component |
TWD194647S (zh) * | 2018-05-11 | 2018-12-11 | 今臺電子股份有限公司 | 發光二極體封裝 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4948267B1 (ja) * | 1970-12-29 | 1974-12-20 | ||
JPS58201347A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-24 | Unie Kurisutaru Kk | リ−ドレスチツプ部品及びその製造方法 |
JPS599564U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-21 | 清水 亮太郎 | リ−ドレス発光ダイオ−ド |
JPS60179058U (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-28 | 株式会社 シチズン電子 | フラツト型発光ダイオ−ド |
US4843280A (en) * | 1988-01-15 | 1989-06-27 | Siemens Corporate Research & Support, Inc. | A modular surface mount component for an electrical device or led's |
JP2997100B2 (ja) * | 1991-07-23 | 2000-01-11 | シャープ株式会社 | 光半導体装置 |
JPH05327027A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Sharp Corp | 電圧変動表示素子 |
JP2981370B2 (ja) * | 1993-07-16 | 1999-11-22 | シャープ株式会社 | Midチップ型発光素子 |
JP3127195B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2001-01-22 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
JP3992301B2 (ja) * | 1995-04-26 | 2007-10-17 | シチズン電子株式会社 | チップ型発光ダイオード |
JP3741512B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-02-01 | ローム株式会社 | Ledチップ部品 |
US6093940A (en) * | 1997-04-14 | 2000-07-25 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting diode chip component and a light-emitting device |
JPH1174410A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Citizen Electron Co Ltd | 表面実装型チップ部品及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP07550899A patent/JP3795248B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-21 US US09/674,522 patent/US6777719B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-21 WO PCT/JP2000/001704 patent/WO2000057491A1/ja active Application Filing
- 2000-03-21 EP EP00909760A patent/EP1100131A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1100131A4 (en) | 2007-03-14 |
US6777719B1 (en) | 2004-08-17 |
EP1100131A1 (en) | 2001-05-16 |
WO2000057491A1 (fr) | 2000-09-28 |
JP2000269552A (ja) | 2000-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3795248B2 (ja) | チップ型発光装置 | |
KR100214561B1 (ko) | 버틈 리드 패키지 | |
JP4082544B2 (ja) | 裏面実装チップ型発光装置 | |
JP5495495B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
EP1662565A3 (en) | Semiconductor package | |
JPH10290029A (ja) | Ledチップ部品 | |
JP2003218398A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2001053340A (ja) | チップ型発光装置 | |
JP2001326390A (ja) | 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板 | |
JP2001144333A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP4908669B2 (ja) | チップ型発光素子 | |
TW200910656A (en) | Lighting devices | |
JP2001352105A (ja) | 表面実装型発光素子 | |
KR930017154A (ko) | 반도체 패키지 | |
JPH10117018A (ja) | チップ型発光ダイオード | |
JP2003017754A (ja) | 面実装型半導体装置 | |
JP3864263B2 (ja) | 発光半導体装置 | |
JPH098360A (ja) | 発光ダイオード | |
JPH05114751A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2001094026A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JP2506452Y2 (ja) | 側面発光表示装置 | |
JPS62106488A (ja) | 発光ダイオ−ドを用いた表示装置 | |
KR0151898B1 (ko) | 기판을 이용한 센터 패드형태의 칩이 적용된 멀티칩 패키지 | |
JPH05218507A (ja) | 光半導体装置 | |
JPS62171132A (ja) | 半導体チップの実装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060411 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130421 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140421 Year of fee payment: 8 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |