JPH098360A - 発光ダイオード - Google Patents
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- JPH098360A JPH098360A JP7176709A JP17670995A JPH098360A JP H098360 A JPH098360 A JP H098360A JP 7176709 A JP7176709 A JP 7176709A JP 17670995 A JP17670995 A JP 17670995A JP H098360 A JPH098360 A JP H098360A
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- light emitting
- led element
- insulating substrate
- electrodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 歩留り及び品質を向上させ、コストダウン、
薄型化及び発光の取り出しの高効率化を図ることが可能
な発光ダイオードを提供することにある。 【構成】 ＬＥＤ素子３０の第１及び第２電極は、異方
性導電部材５６を介して第１及び第２電極パターン４
４、４６の第１及び第２接続部に接続されている。ま
た、異方性導電部材５６を用いてＬＥＤ素子３０の第１
及び第２電極と第１及び第２電極パターン４４、４６と
を接続する時に、この異方性導電部材５６によりその電
極と電極パターン４４、４６が固着され、またＬＥＤ素
子３０の下面も絶縁基板４２の上面に固着される。
薄型化及び発光の取り出しの高効率化を図ることが可能
な発光ダイオードを提供することにある。 【構成】 ＬＥＤ素子３０の第１及び第２電極は、異方
性導電部材５６を介して第１及び第２電極パターン４
４、４６の第１及び第２接続部に接続されている。ま
た、異方性導電部材５６を用いてＬＥＤ素子３０の第１
及び第２電極と第１及び第２電極パターン４４、４６と
を接続する時に、この異方性導電部材５６によりその電
極と電極パターン４４、４６が固着され、またＬＥＤ素
子３０の下面も絶縁基板４２の上面に固着される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装用のチップ型
の発光ダイオードに関するものである。
の発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のチップ型発光ダイオード
としては、図６及び図７に示すような構成からなるもの
があった。即ち、この発光ダイオードは、相対する端部
にそれぞれ電極パターン４、６が形成された絶縁基板２
の中央に、上面側に２つの電極１０、１２が設けられた
発光ダイオード素子（以下「ＬＥＤ素子」と略称する）
８が接着され、その電極１０、１２と電極パターン４、
６とをそれぞれ金属細線１４、１６でワイヤーボンディ
ングし、ＬＥＤ素子８と金属細線１４、１６を保護する
ためそれらを透光性樹脂１８で封止したものであった。
としては、図６及び図７に示すような構成からなるもの
があった。即ち、この発光ダイオードは、相対する端部
にそれぞれ電極パターン４、６が形成された絶縁基板２
の中央に、上面側に２つの電極１０、１２が設けられた
発光ダイオード素子（以下「ＬＥＤ素子」と略称する）
８が接着され、その電極１０、１２と電極パターン４、
６とをそれぞれ金属細線１４、１６でワイヤーボンディ
ングし、ＬＥＤ素子８と金属細線１４、１６を保護する
ためそれらを透光性樹脂１８で封止したものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の発光ダイオ
ードにおいては、ＬＥＤ素子８の電極１０、１２と絶縁
基板２の電極パターン４、６とを電気的に接続するため
に、ワイヤーボンドの工程が必要であった。このように
ワイヤーボンドを用いると、透光性樹脂１８で封止する
際に金属細線１４、１６が断線することがある。また、
完成品がリフロー等での熱応力により断線することもあ
り、品質問題の発生が多く、歩留りの低下をまねくとい
う課題があった。
ードにおいては、ＬＥＤ素子８の電極１０、１２と絶縁
基板２の電極パターン４、６とを電気的に接続するため
に、ワイヤーボンドの工程が必要であった。このように
ワイヤーボンドを用いると、透光性樹脂１８で封止する
際に金属細線１４、１６が断線することがある。また、
完成品がリフロー等での熱応力により断線することもあ
り、品質問題の発生が多く、歩留りの低下をまねくとい
う課題があった。
【０００４】また、ワイヤーボンドは、接続部分に超音
波と熱を加えながら行うため、電極パターン４、６の金
メッキ厚が厚いワイヤーボンド仕様の絶縁基板２を使用
することが必要である。このためコストが高くなり、コ
ストダウンを困難にするという課題もあった。
波と熱を加えながら行うため、電極パターン４、６の金
メッキ厚が厚いワイヤーボンド仕様の絶縁基板２を使用
することが必要である。このためコストが高くなり、コ
ストダウンを困難にするという課題もあった。
【０００５】更に、金属細線１４、１６は、折れ曲がら
ないように上方にループ状にわん曲するように架設され
ているが、ループ状に形成した分だけ製品が厚くなって
しまい、薄型化を阻害するという課題もあった。
ないように上方にループ状にわん曲するように架設され
ているが、ループ状に形成した分だけ製品が厚くなって
しまい、薄型化を阻害するという課題もあった。
【０００６】また、ＬＥＤ素子８の電極１０、１２は、
図８に示すように、上面側のＰ層２０の取り除かれた角
部から露出するＮ層２２とその角部の対角線上のＰ層２
０の角部の上にそれぞれ形成されている。ＬＥＤ素子８
はＰ層２０とＮ層２２との界面が発光するため、図７に
示すようにＬＥＤ素子８を絶縁基板２に固着すると、Ｐ
層２０上の電極１２が光を遮ってしまい、光の有効放射
面積が狭くなり、効率が低下するという課題があった。
図８に示すように、上面側のＰ層２０の取り除かれた角
部から露出するＮ層２２とその角部の対角線上のＰ層２
０の角部の上にそれぞれ形成されている。ＬＥＤ素子８
はＰ層２０とＮ層２２との界面が発光するため、図７に
示すようにＬＥＤ素子８を絶縁基板２に固着すると、Ｐ
層２０上の電極１２が光を遮ってしまい、光の有効放射
面積が狭くなり、効率が低下するという課題があった。
【０００７】尚、前述した従来例の他に、図９に示すよ
うな、電極が上下面にそれぞれ設けられたＬＥＤ素子９
を、絶縁基板３上の一方の電極パターン５にダイボンド
し、他方の電極パターン７にワイヤーボンドして透光性
樹脂１１により封止した発光ダイオードもあった。しか
しながら、この発光ダイオードにおいても、金属細線１
３を用いたワイヤーボンドが必要であったため、図６に
示す従来例と同様に、歩留りを低下させ、コストダウン
及び薄型化を阻害するという課題があった。
うな、電極が上下面にそれぞれ設けられたＬＥＤ素子９
を、絶縁基板３上の一方の電極パターン５にダイボンド
し、他方の電極パターン７にワイヤーボンドして透光性
樹脂１１により封止した発光ダイオードもあった。しか
しながら、この発光ダイオードにおいても、金属細線１
３を用いたワイヤーボンドが必要であったため、図６に
示す従来例と同様に、歩留りを低下させ、コストダウン
及び薄型化を阻害するという課題があった。
【０００８】本発明は上記従来例の課題に鑑みなされた
もので、その目的は、ワイヤーボンドを用いることなく
ＬＥＤ素子の電極と絶縁基板上の電極パターンとを接続
することにより、歩留り及び品質を向上させ、コストダ
ウン、薄型化及び発光の取り出しの高効率化を図ること
にある。
もので、その目的は、ワイヤーボンドを用いることなく
ＬＥＤ素子の電極と絶縁基板上の電極パターンとを接続
することにより、歩留り及び品質を向上させ、コストダ
ウン、薄型化及び発光の取り出しの高効率化を図ること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
は、下面側に第１及び第２電極を有する発光ダイオード
素子と、該発光ダイオード素子が取り付けられる絶縁基
板と、該絶縁基板の上面に形成され且つ前記発光ダイオ
ード素子が取り付けられる位置に前記発光ダイオードの
第１及び第２電極にそれぞれ対応する第１及び第２接続
部がそれぞれ設けられた第１及び第２電極パターンと、
前記発光ダイオード素子と絶縁基板との間に介在し、前
記第１及び第２電極パターンの第１及び第２接続部と前
記第１及び第２電極とをそれぞれ電気的に接続すると共
に前記発光ダイオード素子を前記絶縁基板に固定する異
方性導電部材と、前記発光ダイオード素子を封止する透
光性樹脂と、からなるものである。
は、下面側に第１及び第２電極を有する発光ダイオード
素子と、該発光ダイオード素子が取り付けられる絶縁基
板と、該絶縁基板の上面に形成され且つ前記発光ダイオ
ード素子が取り付けられる位置に前記発光ダイオードの
第１及び第２電極にそれぞれ対応する第１及び第２接続
部がそれぞれ設けられた第１及び第２電極パターンと、
前記発光ダイオード素子と絶縁基板との間に介在し、前
記第１及び第２電極パターンの第１及び第２接続部と前
記第１及び第２電極とをそれぞれ電気的に接続すると共
に前記発光ダイオード素子を前記絶縁基板に固定する異
方性導電部材と、前記発光ダイオード素子を封止する透
光性樹脂と、からなるものである。
【００１０】
【作用】本発明の発光ダイオードにおいて、ＬＥＤ素子
の第１及び第２電極は、異方性導電部材を介して第１及
び第２電極パターンの第１及び第２接続部に電気的に接
続されている。この異方性導電部材は、微小な導電粒子
を接着剤の中に分散させたものであり、この導電粒子を
介して対向する第１電極と第１接続部、また第２電極と
第２接続部はそれぞれ電気的に接続される。このため、
本発明においては、金属細線を用いてワイヤーボンドす
る必要がないものである。また、異方性導電部材を用い
てＬＥＤ素子の第１及び第２電極と第１及び第２電極パ
ターンとを接続すると、その時に、この異方性導電部材
によりその電極と電極パターンが固着され、またＬＥＤ
素子の下面も絶縁基板の上面に固着される。
の第１及び第２電極は、異方性導電部材を介して第１及
び第２電極パターンの第１及び第２接続部に電気的に接
続されている。この異方性導電部材は、微小な導電粒子
を接着剤の中に分散させたものであり、この導電粒子を
介して対向する第１電極と第１接続部、また第２電極と
第２接続部はそれぞれ電気的に接続される。このため、
本発明においては、金属細線を用いてワイヤーボンドす
る必要がないものである。また、異方性導電部材を用い
てＬＥＤ素子の第１及び第２電極と第１及び第２電極パ
ターンとを接続すると、その時に、この異方性導電部材
によりその電極と電極パターンが固着され、またＬＥＤ
素子の下面も絶縁基板の上面に固着される。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る発光ダイオー
ドを示す斜視図、図２はその断面図、図３及び図４は製
造過程における状態を示す斜視図である。各図におい
て、３０はＬＥＤ素子であり、図６に示すものと同一の
構造からなるものであり、後述するように上下を逆向き
にして使用する点が異なるだけである。即ち、このＬＥ
Ｄ素子３０は、上面側に位置するサファイア等の透明基
板３２と、その下面上に形成されたＮ層３４と、一の角
部を除くＮ層３４の下面上に形成されたＰ層３６と、こ
のＰ層３６の取り除かれた一の角部から露出するＮ層３
４の下面上に形成された第１電極３８と、その角部の対
角線上のＰ層３６の角部の下面上に形成された第２電極
部４０と、から構成されている。
ドを示す斜視図、図２はその断面図、図３及び図４は製
造過程における状態を示す斜視図である。各図におい
て、３０はＬＥＤ素子であり、図６に示すものと同一の
構造からなるものであり、後述するように上下を逆向き
にして使用する点が異なるだけである。即ち、このＬＥ
Ｄ素子３０は、上面側に位置するサファイア等の透明基
板３２と、その下面上に形成されたＮ層３４と、一の角
部を除くＮ層３４の下面上に形成されたＰ層３６と、こ
のＰ層３６の取り除かれた一の角部から露出するＮ層３
４の下面上に形成された第１電極３８と、その角部の対
角線上のＰ層３６の角部の下面上に形成された第２電極
部４０と、から構成されている。
【００１２】４２は矩形状をなす絶縁基板であり、その
中央にＬＥＤ素子３０が第１及び第２電極３８、４０を
下にして取り付けられるものである。
中央にＬＥＤ素子３０が第１及び第２電極３８、４０を
下にして取り付けられるものである。
【００１３】４４、４６は絶縁基板４２の相対する端部
にそれぞれ形成された第１及び第２電極パターンであ
る。この第１及び第２電極パターン４４、４６は、それ
ぞれ絶縁基板４２の各端部の上面から側面を通って下面
に回り込む表面実装用の本体部４８、５０と、この本体
部４８、５０の上面側の端部から絶縁基板４２の上面に
沿ってそれぞれ突出するように形成された第１及び第２
接続部５２、５４とから構成されている。この第１及び
第２接続部５２、５４の各形状とその形成位置は、ＬＥ
Ｄ素子３０の第１及び第２電極３８、４０にそれぞれ対
応するように設定されている。
にそれぞれ形成された第１及び第２電極パターンであ
る。この第１及び第２電極パターン４４、４６は、それ
ぞれ絶縁基板４２の各端部の上面から側面を通って下面
に回り込む表面実装用の本体部４８、５０と、この本体
部４８、５０の上面側の端部から絶縁基板４２の上面に
沿ってそれぞれ突出するように形成された第１及び第２
接続部５２、５４とから構成されている。この第１及び
第２接続部５２、５４の各形状とその形成位置は、ＬＥ
Ｄ素子３０の第１及び第２電極３８、４０にそれぞれ対
応するように設定されている。
【００１４】５６は微小な導電粒子を接着剤の中に分散
させた異方性導電ペースト、異方性導電シート等からな
る異方性導電部材である。この異方性導電部材５６は、
第１及び第２電極パターン４４、４６の第１及び第２接
続部５２、５４とＬＥＤ素子３０の第１及び第２電極３
８、４０との間、及びＬＥＤ素子３０の下面としてのＰ
層３６と絶縁基板４２の上面との間に介在してそれらを
固着している。また、この異方性導電部材５６は、それ
ぞれ対向する第１電極３８と第１接続部５２、第２電極
４０と第２接続部５４を電気的に接続するものでもあ
る。この異方性導電部材５６は、シート状のものの場合
には第１及び第２接続部５２、５４を含む絶縁基板４２
の上面のＬＥＤ素子３０の取付位置に載置され、ペース
ト状のものの場合にはそのＬＥＤ素子３０の取付位置に
塗布される。その後、図３に示すようにＬＥＤ素子３０
の第１及び第２電極３８、４０を下にしてその異方性導
電部材５６の上に載置し、加熱しながら加圧することに
よりＬＥＤ素子３０を絶縁基板４２に固着すると共にそ
の第１及び第２電極３８、４０を第１及び第２接続部５
２、５４にそれぞれ電気的に接続する。
させた異方性導電ペースト、異方性導電シート等からな
る異方性導電部材である。この異方性導電部材５６は、
第１及び第２電極パターン４４、４６の第１及び第２接
続部５２、５４とＬＥＤ素子３０の第１及び第２電極３
８、４０との間、及びＬＥＤ素子３０の下面としてのＰ
層３６と絶縁基板４２の上面との間に介在してそれらを
固着している。また、この異方性導電部材５６は、それ
ぞれ対向する第１電極３８と第１接続部５２、第２電極
４０と第２接続部５４を電気的に接続するものでもあ
る。この異方性導電部材５６は、シート状のものの場合
には第１及び第２接続部５２、５４を含む絶縁基板４２
の上面のＬＥＤ素子３０の取付位置に載置され、ペース
ト状のものの場合にはそのＬＥＤ素子３０の取付位置に
塗布される。その後、図３に示すようにＬＥＤ素子３０
の第１及び第２電極３８、４０を下にしてその異方性導
電部材５６の上に載置し、加熱しながら加圧することに
よりＬＥＤ素子３０を絶縁基板４２に固着すると共にそ
の第１及び第２電極３８、４０を第１及び第２接続部５
２、５４にそれぞれ電気的に接続する。
【００１５】５８はＬＥＤ素子３０を封止するエポキシ
樹脂等の透光性樹脂である。この透光性樹脂５８は、Ｌ
ＥＤ素子３０を封止して保護するためのものであり、本
実施例の場合ＬＥＤ素子３０の上面及び側面に沿ってそ
の周囲を薄く被覆するように形成されている。従って、
この透光性樹脂５８を形成しても、発光ダイオードの厚
さをほぼＬＥＤ素子３０と絶縁基板４２を合わせた厚さ
にすることが可能である。
樹脂等の透光性樹脂である。この透光性樹脂５８は、Ｌ
ＥＤ素子３０を封止して保護するためのものであり、本
実施例の場合ＬＥＤ素子３０の上面及び側面に沿ってそ
の周囲を薄く被覆するように形成されている。従って、
この透光性樹脂５８を形成しても、発光ダイオードの厚
さをほぼＬＥＤ素子３０と絶縁基板４２を合わせた厚さ
にすることが可能である。
【００１６】上記構成からなる本実施例の発光ダイオー
ドにおいては、ＬＥＤ素子３０をその第１及び第２電極
３８、４０を下方に向け、異方性導電部材５６を介して
絶縁基板４２の第１及び第２電極パターン４４、４６の
第１及び第２接続部５２、５４の上に固着している。従
って、このＬＥＤ素子３０のＮ層３４とＰ層３６の界面
が発光すると、その光は第２電極４０により遮られるこ
となくＬＥＤ素子３０の透明基板３２を介して上方に放
射される。このときのＬＥＤ素子３０の有効放射面積Ａ
は、図５に示すように、Ｐ層３６の面積に等しくなる。
ドにおいては、ＬＥＤ素子３０をその第１及び第２電極
３８、４０を下方に向け、異方性導電部材５６を介して
絶縁基板４２の第１及び第２電極パターン４４、４６の
第１及び第２接続部５２、５４の上に固着している。従
って、このＬＥＤ素子３０のＮ層３４とＰ層３６の界面
が発光すると、その光は第２電極４０により遮られるこ
となくＬＥＤ素子３０の透明基板３２を介して上方に放
射される。このときのＬＥＤ素子３０の有効放射面積Ａ
は、図５に示すように、Ｐ層３６の面積に等しくなる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ワイヤーボンドを用い
ることなくＬＥＤ素子の電極を絶縁基板上の電極パター
ンに接続することができるので、従来例のような金属細
線の断線による不良の発生がなく、歩留りと品質を向上
させることができる。
ることなくＬＥＤ素子の電極を絶縁基板上の電極パター
ンに接続することができるので、従来例のような金属細
線の断線による不良の発生がなく、歩留りと品質を向上
させることができる。
【００１８】また、ワイヤーボンドの必要がないので、
ワイヤーボンド仕様の絶縁基板に比べて電極パターンの
金メッキ厚が薄く低コストのノンワイヤーボンド仕様の
絶縁基板を用いることができ、コストを大幅に削減する
ことができる。
ワイヤーボンド仕様の絶縁基板に比べて電極パターンの
金メッキ厚が薄く低コストのノンワイヤーボンド仕様の
絶縁基板を用いることができ、コストを大幅に削減する
ことができる。
【００１９】更に、ＬＥＤ素子の上面からループ状に突
出する金属細線が使用されていないので、ＬＥＤ素子の
上に突出するものがなく、また、ＬＥＤ素子のみを保護
するために透光性樹脂で封止しているので、ＬＥＤ素子
の周囲を薄く被覆するだけで良い。このため、厚さを最
小限に抑えることができると共に外形も小型化すること
ができる。
出する金属細線が使用されていないので、ＬＥＤ素子の
上に突出するものがなく、また、ＬＥＤ素子のみを保護
するために透光性樹脂で封止しているので、ＬＥＤ素子
の周囲を薄く被覆するだけで良い。このため、厚さを最
小限に抑えることができると共に外形も小型化すること
ができる。
【００２０】また、ＬＥＤ素子が発する光が電極により
遮られることがないので、有効放射面積をＰ層と同じ面
積にすることができ、最大限に広げることができる。こ
のため、従来例に比べて大幅に明るさを向上させること
ができる。
遮られることがないので、有効放射面積をＰ層と同じ面
積にすることができ、最大限に広げることができる。こ
のため、従来例に比べて大幅に明るさを向上させること
ができる。
【００２１】更に、本発明の発光ダイオードにおいて
は、異方性導電部材によりＬＥＤ素子の電極と絶縁基板
の電極パターンを電気的に接続すると同時にそれらを固
着している。従って、接続と固着を同一工程内で行うこ
とができ、これをダイボンド及びワイヤーボンド等の別
工程で行っていた従来のものに比べて製造工程を削減す
ることができる。
は、異方性導電部材によりＬＥＤ素子の電極と絶縁基板
の電極パターンを電気的に接続すると同時にそれらを固
着している。従って、接続と固着を同一工程内で行うこ
とができ、これをダイボンド及びワイヤーボンド等の別
工程で行っていた従来のものに比べて製造工程を削減す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る発光ダイオードを示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１に示す発光ダイオードの断面図である。
【図３】図１に示す発光ダイオードの製造過程における
ＬＥＤ素子と絶縁基板を示す斜視図である。
ＬＥＤ素子と絶縁基板を示す斜視図である。
【図４】図３に示す製造過程におけるＬＥＤ素子と絶縁
基板を異方性導電部材により固着した状態を示す斜視図
である。
基板を異方性導電部材により固着した状態を示す斜視図
である。
【図５】図２に示すＬＥＤ素子の有効放射領域を示すＬ
ＥＤ素子の平面図である。
ＥＤ素子の平面図である。
【図６】従来の発光ダイオードを示す斜視図である。
【図７】図６に示す発光ダイオードの断面図である。
【図８】図７に示すＬＥＤ素子の有効放射領域を示すＬ
ＥＤ素子の平面図である。
ＥＤ素子の平面図である。
【図９】他の従来の発光ダイオードを示す断面図であ
る。
る。
３０ ＬＥＤ素子 ３８ 第１電極 ４０ 第２電極 ４２ 絶縁基板 ４４ 第１電極パターン ４６ 第２電極パターン ５２ 第１接続部 ５４ 第２接続部 ５６ 異方性導電部材 ５８ 透光性樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 下面側に第１及び第２電極を有する発光
ダイオード素子と、 該発光ダイオード素子が取り付けられる絶縁基板と、 該絶縁基板の上面に形成され且つ前記発光ダイオード素
子が取り付けられる位置に前記発光ダイオードの第１及
び第２電極にそれぞれ対応する第１及び第２接続部がそ
れぞれ設けられた第１及び第２電極パターンと、 前記発光ダイオード素子と絶縁基板との間に介在し、前
記第１及び第２電極パターンの第１及び第２接続部と前
記第１及び第２電極とをそれぞれ電気的に接続すると共
に前記発光ダイオード素子を前記絶縁基板に固着する異
方性導電部材と、 前記発光ダイオード素子を封止する透光性樹脂と、から
なる発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7176709A JPH098360A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7176709A JPH098360A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098360A true JPH098360A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=16018396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7176709A Pending JPH098360A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098360A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123613A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
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| US9812625B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-11-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device having resin member with conductive particles |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP7176709A patent/JPH098360A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040115 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040126 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040220 |