WO2012081141A1 - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012081141A1
WO2012081141A1 PCT/JP2011/004230 JP2011004230W WO2012081141A1 WO 2012081141 A1 WO2012081141 A1 WO 2012081141A1 JP 2011004230 W JP2011004230 W JP 2011004230W WO 2012081141 A1 WO2012081141 A1 WO 2012081141A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
reflector
emitting device
semiconductor light
emitting element
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/004230
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
忠久 乾
田中　彰一
哲雄 村松
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Publication of WO2012081141A1 publication Critical patent/WO2012081141A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor light emitting device in which a light emitting element is mounted in a reflector.
  • FIG. 21 is a schematic plan view showing a configuration of a conventional semiconductor light emitting device, and a part thereof is transparently shown.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional semiconductor light emitting device, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the conventional semiconductor light emitting device is fixed on the support plate 102 within a metal support plate 102, a reflector 103 fixed to the support plate 102, and an internal cavity 103 a of the reflector 103. And a resin sealing body 109 that seals the outer peripheral portion of the reflector 103 and the upper surface of the support plate 102.
  • the reflector 103 has a configuration in which a notch 103k is formed between the light emitting element 101 and the wiring conductor 104, and the light emitting element 101 and the wiring conductor 104 are connected by the lead wire 108 through the notch 103k.
  • a resin sealing body 109 that seals the ends of the upper surface of the support plate 102, the wiring conductor 104, and the wiring conductor 105.
  • the conventional semiconductor light emitting device has a problem in that since the reflector 103 has the cutout portion 103k, the light applied to the cutout portion 103k cannot be sufficiently reflected upward, and the light emission efficiency is lowered. It was.
  • the present invention solves the above-mentioned conventional problems, and aims to suppress a decrease in luminous efficiency while securing a wire forming region.
  • a semiconductor light emitting device of the present invention includes: A frame including one or more external lead-out terminals, a die pad provided on the frame, a first reflector formed on the frame around the die pad by exposing the die pad, and a bonding member on the die pad; A light emitting device to be mounted, a wire bond area formed on the external lead-out terminal, and an inner portion of the first reflector so that an opening is formed in a region adjacent to the light emitting device while exposing the wire bond area.
  • a curved portion formed around the wire bond area by bending a peripheral portion; and a wire formed through the opening to electrically connect the wire bond area and the light emitting element.
  • the diameter of the curved portion increases as the distance from the die pad increases.
  • the first reflector has a diameter that increases with distance from the die pad.
  • the width of the bottom of the opening of the curved portion is narrower than the maximum diameter of the corresponding wire bond area.
  • the wire may be formed on a straight line connecting the center of gravity of the light emitting element and the corner of the light emitting element.
  • a second reflector that is formed inside the first reflector, exposes the die pad, and expands as the distance from the die pad formed on the frame around the die pad increases.
  • the outer shape of the second reflector may be a quadrangle.
  • the outer shape of the first reflector may be a quadrangle.
  • the joining member may be a conductive die bond material.
  • the first reflector may be filled with a phosphor resin.
  • a lens that covers the upper part of the phosphor resin and the upper part of the first reflector may be provided.
  • a joint portion between the first reflector and the lens is formed in an uneven shape.
  • the die pad may be electrically independent from the external lead-out terminal.
  • a plurality of the external lead terminals are provided, and the curved portion corresponding to the wire bond area formed in each of the external lead terminals is formed at a position facing a corner portion of the light emitting element.
  • two of the curved portions are formed at positions facing each other with the light emitting element interposed therebetween.
  • a curved portion is formed on the inner peripheral portion of the reflector, the wire bond area is surrounded by the curved portion while opening the wire formation region, and the wire bond area is exposed in the curved portion, thereby forming the wire formation region. While ensuring, reduction in luminous efficiency can be suppressed.
  • FIG. 1 Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 1 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 1.
  • the principal part schematic perspective view which shows the structure of the curved part in the semiconductor light-emitting device of Example 1.
  • FIG. Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 2 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 2.
  • the principal part schematic perspective view which shows the structure of the curved part in the semiconductor light-emitting device of Example 3.
  • Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 4 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 4.
  • Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 5 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 5.
  • Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 6 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 6.
  • Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 7 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 7.
  • Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 8 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 8.
  • Schematic plan view showing the configuration of a conventional semiconductor light emitting device Sectional drawing which shows the structure of the conventional semiconductor light-emitting device Schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 10 Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of Example 10.
  • Example 1 First, the configuration of the semiconductor light-emitting device according to Example 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light emitting device of Example 1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light emitting device of Example 1, and is a cross-sectional view taken along the line XY of FIG.
  • FIG. 3 is a main part schematic perspective view showing the configuration of the bending portion in the semiconductor light emitting device of Example 1, and schematically shows the bending portion viewed from the Z direction.
  • the semiconductor light emitting device of Example 1 includes a light emitting element 1 on which an electrode pad 1 a is formed, a frame 2 on which a die pad 6 on which the light emitting element 1 is mounted, and a light emitting element 1.
  • the reflector 3 formed on the upper surface of the frame 2 so as to surround the entire circumference of the side surface of the light emitting element 1.
  • the adhesive 7 may be a conductive die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the lens 10 generally follows the outer contours of the reflector 3 and the curved portion 3a, and has a curved surface.
  • the wire 8 connected to the external lead-out terminal 4 is connected to the wire bond area 4 a of the external lead-out terminal 4.
  • a characteristic of the semiconductor light emitting device of this embodiment is that the reflector 3 is formed with a curved portion 3a whose inner peripheral portion protrudes in the outer peripheral direction, and the wire bond area 4a is surrounded by the curved portion 3a. With this configuration, the bending portion 3a surrounds the wire bond area 4a with the direction of the light emitting element 1 being opened. Further, the diameter of the curved portion 3a may be increased upward.
  • the light emitted from the light emitting element 1 is reflected upward by the reflector 3, but it is desirable to bring the reflector 3 closer to the light emitting element 1 in order to make the reflected light more bright.
  • the wire 8 must be separated from the light emitting element 1 by a certain distance due to looping.
  • the reflector 3 that surrounds the periphery of the light emitting element 1 in a circular shape needs a space for looping the wire 8, and cannot be brought closer to the light emitting element 1 than a certain amount.
  • a notch in the reflector 3 it can be brought closer to the light emitting element 1, but light leaks from the notch and cannot be reflected upward, and the luminance is increased accordingly. I can't.
  • the notch portion when the notch portion is formed, when the phosphor resin 9 is filled in the internal cavity region of the reflector 3, the phosphor resin 9 leaks from the notch to the outside of the reflector 3, and the light color cannot be adjusted.
  • a curved portion 3a is formed in the reflector 3, and the curved portion 3a is exposed while surrounding the wire bond area 4a, and the curved portion 3a is preferably expanded in diameter upward.
  • the curved portion 3a sufficiently captures the light irradiated in the horizontal direction from the light emitting element 1 or the light reflected by the wire 8 upward while ensuring the looping region of the wire 8 without forming a notch. Since it can reflect, decline in luminous efficiency can be suppressed.
  • the phosphor resin 9 can be easily filled in the internal cavity region of the reflector 3 by having the curved portion 3a on the inner peripheral portion of the reflector 3 without forming a notch. Therefore, various light colors can be created by the phosphor resin 9.
  • FIG. 3 the figure which looked down at the curved part 3a of the reflector 3 from the z-axis direction is FIG.
  • an opening 13 is provided in the curved portion 3 a of the reflector, and the wire bond area 4 a is exposed at the opening 13. ing.
  • the lens 10 has a curved surface along the outer contours of the reflector 3 and the curved portion 3a. However, the lens 10 is more than the outer contour range of the reflector 3 and the curved portion 3a.
  • Example 2 Next, the configuration of the semiconductor light emitting device in Example 2 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light emitting device of the second embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 2, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 2 includes a light emitting element 1 on which an electrode pad 1 a and an electrode pad 1 b are formed, a frame 2 on which the light emitting element 1 is mounted and supported, and a frame 2.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the present embodiment is different from the first embodiment in that a wire bond area 4a and a wire bond area 5a are provided in the external lead-out terminal 4 and the external lead-out terminal 5, respectively.
  • the curved portion 3a is formed at two locations by bending the inner peripheral portion of the reflector 3 so as to surround the wire bond area 5a. Further, similarly to the first embodiment, the bending portion 3a may be increased in diameter toward the upper side.
  • two curved portions 3a surrounding the wire bond area 4a and the wire bond area 5a are formed as the shape in which the inner peripheral portion of the reflector 3 is curved at two locations, and preferably the diameter is increased upward.
  • the curved part 3a similarly to Example 1, it can suppress that the fluorescent resin 9 leaks from the reflector 3, and since the fluorescent resin 9 can be easily filled into the internal cavity area
  • the bonding strength between the reflector 3 and the lens 10 can be maintained.
  • the connection between the external lead-out terminal 5 and the light emitting element 1 is performed using the wire 8, thereby eliminating the need for electrical connection with the external lead-out terminal 5 on the back surface of the semiconductor element 1. Therefore, the light irradiated on the lower surface of the light emitting element 1 can be reflected upward by the die pad 6, and the luminance can be further increased.
  • the formation position is determined according to the position of the external lead-out terminal.
  • the two curved portions 3 a may be disposed at positions that are 180 degrees opposite to the reflector 3 as shown in FIG. 4.
  • the wire 8 becomes a wiring which is 180 degrees opposite to the center of the semiconductor light emitting device, and the light emission variation in all directions can be reduced.
  • the two wires 8 may be arranged so as to be substantially parallel to each side of the light emitting element 1.
  • the wire length becomes the shortest, the amount of wire used is reduced, and the inhibition of reflection of light by the wire 8 is suppressed, and light is emitted uniformly. preferable.
  • Example 3 Next, the configuration of the semiconductor light-emitting device according to Example 3 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 3.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 3, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • FIG. 8 is a main part schematic perspective view showing the configuration of the bending portion in the semiconductor light emitting device of Example 3, and schematically shows the bending portion viewed from the Z direction.
  • the semiconductor light emitting device of Example 3 is formed integrally with the light emitting element 1 on which the electrode pad 1 a is formed, the frame 2 on which the light emitting element 1 is mounted and supported, and the frame 2.
  • the adhesive 7 that fixes the light emitting element 1 on the die pad 6, the wire 8 that connects one of the electrode pads 1 a of the light emitting element 1, the external lead-out terminal 4 that is connected to the other of the wires 8, and the die pad 6 are electrically connected.
  • An external lead-out terminal 5 and a reflector 3 that surrounds the side surface of the light emitting element 1 and is formed on the upper surface of the frame 2 are provided.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the inner peripheral portion of the reflector 3a is curved so as to surround the wire bond area 4a of the external lead-out terminal 4, and a curved portion 3a that preferably expands upward is formed.
  • Example 3 is particularly different from Example 1 in that the width of the opening 13 of the curved portion 3 a is narrower than that in Example 1. That is, it is preferable to make the width of the minimum portion of the opening 13 for passing the wire 8 out of the curved portion 3a surrounding the wire bond area 4a as small as possible within the range where the wire 8 can be bonded.
  • the length of the part 13 is reduced.
  • the light emission efficiency is further reduced as compared with Example 1, and the phosphor resin is formed in the internal cavity region of the reflector. And the bonding strength of the interface between the reflector and the lens portion can be maintained.
  • the wire bond area 4a can also be arrange
  • the wire bond area 4a is formed, and the curved portion 3a is formed so as to expose the wire bond area 4a.
  • Example 4 the configuration of the semiconductor light-emitting device according to Example 4 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 4.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 4, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 4 mounts and supports the light emitting element 1 on which the electrode pad 1 a and the electrode pad 1 b are formed, and the light emitting element 1, as in Example 2.
  • the adhesive 7 that fixes the light emitting element 1 on the die pad 6 that is integrally formed with the frame 2
  • the wire 8 that connects the electrode pad 1 a of the light emitting element 1, and the other of the wires 8.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the inner peripheral portion of the reflector 3 is curved so as to surround the wire bond area 4a of the external lead-out terminal 4 and the wire bond area 5a of the external lead-out terminal 5, and the curved portion 3a is formed upward. The diameter may be increased.
  • the inner peripheral portion of the reflector 3 is curved at two locations, and preferably has two curves that surround the wire bond area 4a and the wire bond area 5a, respectively, so as to expand upward.
  • the portion 3a By forming the portion 3a, the light emitted from the light emitting element 1 in the horizontal direction or the light reflected by the wire 8 is prevented from leaking from the notched portion as compared with the semiconductor light emitting device having the conventional notched portion. The light can be sufficiently reflected upward, and the decrease in light emission efficiency can be suppressed.
  • the phosphor resin 9 can be prevented from leaking out of the reflector 3, and the phosphor resin 9 can be easily filled in the internal cavity region of the reflector 3, so that various light colors can be created. Can do. Further, since the light transmissive die-bonding material 7 can reflect the light applied to the lower surface of the light emitting element 1 upward by the die pad 6, the luminance can be increased. At the same time, the bonding strength at the interface between the reflector and the lens portion can be maintained.
  • This embodiment is characterized in that, unlike the second embodiment, two curved portions 3a are arranged at positions facing each other with the light emitting element 1 interposed therebetween as shown in FIG. Thereby, the length of the wire 8 can be shortened, and as a result, the reduction of the light emission efficiency can be suppressed as in the second embodiment while downsizing the entire semiconductor light emitting device.
  • the two wires 8 may be arranged so as to be substantially parallel to the diagonal line of the light emitting element 1.
  • the wire 8 is formed only at the corner portion, so that inhibition of light reflection by the wire 8 is suppressed to a minimum, and light is emitted more evenly. This is preferable.
  • the width of the opening 13 of the curved portion 3 a may be narrower than that of the second embodiment, as in the third embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 5.
  • 12 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 5, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 5 includes a light emitting element 1 on which an electrode pad 1a is formed, a frame 2 on which a die pad 6 on which the light emitting element 1 is mounted, and a light emitting element 1.
  • a reflector 3 that surrounds the side surface of the element 1 and is formed on the upper surface of the frame 2, and a reflector 11 that is located on the inner periphery of the reflector 3 and surrounds the side surface of the light emitting element 1 in the vicinity.
  • the adhesive 7 may be a conductive die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the reflector 11 may be expanded in diameter upward.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the light transmissive resin 12 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3 and the region not filled with the phosphor resin 9.
  • the reflector 3 is formed with a curved portion 3a having an inner peripheral portion protruding in the outer peripheral direction, the wire bond area 4a is surrounded by the curved portion 3a, and the curved portion 3a preferably further expands in diameter upward.
  • the reflector 3 can be brought closer to the light emitting element 1.
  • an interval for looping the wire 8 can be secured.
  • the bending portion 3a is directed upwardly from the light irradiated from the light emitting element 1 in the horizontal direction or the light reflected by the wire 8. Can be sufficiently reflected, and reduction in luminous efficiency can be suppressed. Further, the light-transmitting resin 12 and the phosphor resin 9 can be filled in the internal cavity regions of the reflector 3 and the reflector 11, and the bonding strength at the interface between the reflector 3 and the lens unit 10 can be maintained.
  • the reflector 11 needs to be lower in height than the reflector 3 as shown in FIG.
  • the filling region of the phosphor resin 9 can be reduced, and the amount of phosphor used can be reduced. Can do.
  • planar shape of the reflector 11 may be a quadrangle as shown in FIG. 11 or may be a circle or other polygonal shape as long as it surrounds the light emitting element 1.
  • Example 6 the opening of the curved portion 3a can be narrowed to further improve the light emission efficiency.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 6.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 6, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 6 includes a light emitting element 1 on which an electrode pad 1 a and an electrode pad 1 b are formed, a frame 2 on which the light emitting element 1 is mounted and supported, and a frame 2.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the reflector 11 may be expanded in diameter upward.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the light transmissive resin 12 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3 and the region not filled with the phosphor resin 9.
  • two curved portions 3a are formed on the inner peripheral portion of the reflector 3, and the curved portion 3a is preferably shaped so as to expand its diameter upward.
  • the effect that the light irradiated in the horizontal direction from the light emitting element 1 and the light reflected by the wire 8 can be sufficiently reflected upward by forming the reflector inner curved portion. Is obtained.
  • Example 5 while suppressing the reduction
  • the filling region of the phosphor resin 9 can be reduced, and the amount of phosphor used is reduced. can do.
  • the light irradiated to the lower surface of the light emitting element 1 can be reflected upward by the die pad 6, various light colors with higher luminance can be created.
  • the two curved portions 3 a may be arranged at positions facing each other with the light emitting element 1 interposed therebetween.
  • the length of the wire 8 can be shortened, and as a result, the whole semiconductor device can be reduced in size.
  • the two wires 8 may be arranged so as to be substantially parallel to the diagonal line of the light emitting element 1.
  • Example 7 the opening of the curved portion 3a can be narrowed to further improve the light emission efficiency.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 7.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 7, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 7 includes a light emitting element 1 on which an electrode pad 1 a and an electrode pad 1 b are formed, a frame 2 on which the light emitting element 1 is mounted and supported, and a frame 2.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the reflector 11 may be expanded in diameter upward.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the light transmissive resin 12 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3 and the region not filled with the phosphor resin 9.
  • the electrode pad 1a and the electrode pad 1b are arranged in the vicinity of a corner sandwiching one side of the light emitting element 1.
  • the wire connecting the wire bond areas 4a and 5a is formed in parallel to one side sandwiched between the electrode pad 1a and the electrode pad 1b of the light emitting element 1, and the wire bond areas 4a and 5a are viewed from the upper surface of the light emitting element 1. It is characterized in that it is arranged on an extension of a straight line connecting the corner and the center of gravity of the surface on which the electrode pad 1a of the light emitting element 1 is formed.
  • the curved portions 3 a of the two reflectors 3 are arranged in parallel to one side viewed from the upper surface of the light emitting element 1, so that the configuration is axisymmetric with respect to the center of gravity of the main surface of the semiconductor light emitting device. Since the outer shape of the portion where the bending portion 3a is not formed can be reduced, a higher-density and highly integrated frame array can be configured. Further, a wire bond area 4a and a wire bond area 5a are formed on a straight line extending from the center of gravity of the light emitting element 1 to the corner where the electrode pad 1a is formed, and the curved portion is exposed so as to expose the wire bond area 4a. By forming 3a, the length of the wire 8 can be shortened, and as a result, the whole semiconductor device can be reduced in size.
  • Example 8 Similar to Example 6, it is also possible to narrow the opening of the curved portion 3a to further improve the light emission efficiency. (Example 8) Next, the configuration of the semiconductor light-emitting device in Example 8 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 17 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 8.
  • 18 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 8, and is a cross-sectional view taken along the line XY of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 8 mounts and supports the light emitting element 1 on which the electrode pad 1 a and the electrode pad 1 b are formed, and the light emitting element 1, as in Example 4.
  • the adhesive 7 that fixes the light emitting element 1 on the die pad 6 that is integrally formed with the frame 2
  • the wire 8 that connects the electrode pad 1 a of the light emitting element 1, and the other of the wires 8.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the reflector 11 may be expanded in diameter upward.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the light transmissive resin 12 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3 and the region not filled with the phosphor resin 9.
  • the inner peripheral portion of the reflector 3 is bent so as to surround the wire bond area 4a of the external lead-out terminal 4 and the wire bond area 5a of the external lead-out terminal 5, and the curved portion 3a is preferably formed.
  • the diameter is increased upward, and the curved portion 3 a is disposed at a position facing the light emitting element 1.
  • the light-transmitting resin 12 and the phosphor resin 9 can be filled in the internal cavity regions of the reflector 3 and the reflector 11, and the bonding strength at the interface between the reflector 3 and the lens 10 can be maintained.
  • the two wires 8 may be disposed so as to be substantially parallel to the diagonal line of the light emitting element 1.
  • the wire 8 is formed only at the corner portion, so that inhibition of light reflection by the wire 8 is suppressed to a minimum, and light is emitted more evenly. This is preferable.
  • the inner peripheral portion of the reflector 3 is curved to form a curved portion 3a
  • the outer peripheral portion of the reflector 3 is a shape seen from the upper surface of the semiconductor light emitting device, that is, the reflector 3 and
  • the lens 10 is characterized in that the outer peripheral shape of the lens 10 is a quadrangle, and the bonding area between the upper portion of the reflector 3 and the lens 10 can be enlarged, and the bonding strength at the interface between the reflector 3 and the lens 10 can be enhanced.
  • the lens 10 may be square (the cross section is a dome shape as shown in FIG. 18) in accordance with the quadrangle that is the outer shape of the reflector 3, or the lens 10 is also circular (the cross section is in accordance with the circular shape that is the inner shape of the reflector 3). It is good also as a dome shape like FIG.
  • Example 9 the configuration of the semiconductor light-emitting device in Example 9 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 19 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 9.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 9, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 9 mounts and supports the light emitting element 1 on which the electrode pad 1 a and the electrode pad 1 b are formed, and the light emitting element 1, as in Example 8.
  • the adhesive 7 that fixes the light emitting element 1 on the die pad 6 that is integrally formed with the frame 2
  • the wire 8 that connects the electrode pad 1 a of the light emitting element 1, and the other of the wires 8.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the reflector 11 may be expanded in diameter upward.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the light transmissive resin 12 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3 and the region not filled with the phosphor resin 9. Moreover, you may provide the lens 10 which coat
  • the semiconductor light emitting device of this example differs from that of Example 8 in that it has corrugated irregularities at the upper surface of the reflector 3 and the lower surface of the lens 10 as shown in FIGS.
  • it is possible to suppress a decrease in light emission efficiency while securing a wiring area of the wire 8, and to further increase a bonding area between the upper portion of the reflector 3 and the lens 10.
  • the bond strength at the interface can be further enhanced.
  • the lens 10 may be square (the cross section is a dome shape as shown in FIG. 18) in accordance with the quadrangle that is the outer shape of the reflector 3, or the lens 10 is also circular (the cross section is in accordance with the circular shape that is the inner shape of the reflector 3). It is good also as a dome shape like FIG. Further, the area from the outer wall to the inner wall of the reflector 3 is covered with the lens 10 on the upper surface of the reflector 3 (the cross section is flat), and the lens 10 is circular (the cross section is as shown in FIG. 18) in accordance with the inner shape of the reflector 3. (Dome shape).
  • Example 10 similarly to Example 6, it is also possible to narrow the opening of the curved portion 3a to further improve the light emission efficiency.
  • the joint portion between the reflector 3 and the lens 10 can be formed into an uneven shape. (Example 10)
  • the case where the bending portion 3a is formed at one or two locations has been described, but it may be formed at three or more locations.
  • the case where the curved part 3a is formed in four places as Example 10 and Example 11 is demonstrated to an example.
  • FIG. 23 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light emitting device of Example 10.
  • 24 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light emitting device of Example 10, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 10 is mounted with and supports the light emitting element 1 on which the electrode pad 1a, the electrode pad 1b, the electrode pad 1c, and the electrode pad 1d are formed, and the light emitting element 1.
  • the frame 2 the adhesive 7 for fixing the light emitting element 1 on the die pad 6 integrally formed with the frame 2, the wire 8 connecting one of the electrode pads 1 a of the light emitting element 1, and the other of the wires 8.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the reflector 11 may be expanded in diameter upward.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • the light transmissive resin 12 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3 and the region not filled with the phosphor resin 9.
  • the reflector 3 is formed with four curved portions 3a so as to expose the wire bond areas 4a, 5a, 14a, and 15a of the four external lead-out terminals 4, 5, 14, and 15, respectively.
  • the four curved portions 3a are formed on the inner peripheral portion of the reflector 3, and the curved portion 3a is preferably shaped to expand the diameter upward, so that a conventional semiconductor light emitting device is obtained.
  • the effect of being able to sufficiently reflect the light irradiated in the horizontal direction from the light emitting element 1 at the reflector inner curved portion and the light reflected by the wire 8 can be sufficiently reflected upward.
  • Example 5 while suppressing the reduction
  • the four curved portions 3a are formed on the inner peripheral portion of the reflector 3, the strength of the entire semiconductor device can be expected to be improved.
  • the four curved portions 3a are arranged to face the corner portions of the light emitting element 1, but the present invention is not limited to this.
  • the plurality of curved parts 3 a may be arranged to face each other, or may be arranged to face each side of the light emitting element 1.
  • the opening of the curved portion 3a can be narrowed.
  • the joint portion between the reflector 3 and the lens 10 can be formed into an uneven shape.
  • Example 11 Next, the configuration of the semiconductor light-emitting device in Example 11 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 25 is a schematic plan view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 11.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light-emitting device of Example 11, and is an XY cross-sectional view of FIG.
  • the semiconductor light emitting device of Example 11 is mounted with and supports the light emitting element 1 on which the electrode pad 1a, the electrode pad 1b, the electrode pad 1c, and the electrode pad 1d are formed, and the light emitting element 1.
  • the frame 2 the adhesive 7 for fixing the light emitting element 1 on the die pad 6 integrally formed with the frame 2, the wire 8 connecting one of the electrode pads 1 a of the light emitting element 1, and the other of the wires 8.
  • the adhesive 7 may be a light-transmitting die bond material.
  • the reflector 3 may be expanded in diameter toward the upper side.
  • the phosphor resin 9 may be filled in the inner peripheral portion of the reflector 3.
  • covers the fluorescent substance resin 9 upper part and the reflector 3 upper part.
  • the reflector 3 is formed with four curved portions 3a so as to expose the wire bond areas 4a, 5a, 14a, and 15a of the four external lead-out terminals 4, 5, 14, and 15, respectively.
  • the four curved portions 3a are formed on the inner peripheral portion of the reflector 3, and the curved portion 3a is preferably shaped to expand the diameter upward, so that a conventional semiconductor light emitting device is obtained.
  • the effect of being able to sufficiently reflect the light irradiated in the horizontal direction from the light emitting element 1 at the reflector inner curved portion and the light reflected by the wire 8 can be sufficiently reflected upward.
  • the four curved portions 3a are arranged so as to face each side of the light emitting element 1, but the present invention is not limited to this.
  • the plurality of curved portions 3 a may be arranged to face each other, or may be arranged to face the corners of the light emitting element 1.
  • the opening of the curved portion 3a can be narrowed.
  • the joint portion between the reflector 3 and the lens 10 can be formed into an uneven shape.
  • each external lead-out terminal has two wire bond areas, and the wire 8 is connected to one of them. It can also be.
  • all the electrode pads may be connected to the external lead-out terminals using wires, or one electrode pad and the external lead-out terminals are back-mounted with a conductive die bond material, and the other electrode pads May be connected to the external lead-out terminal using a wire.
  • the present invention suppresses a decrease in light emission efficiency while securing a wire formation region, and can fill the internal cavity region of the reflector with a phosphor resin and maintain the bonding strength at the interface between the reflector and the lens portion. It is useful for a semiconductor light emitting device in which a light emitting element is mounted in a reflector.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

　本発明の半導体発光装置は、リフレクタ３の内周部に湾曲部３ａを形成し、ワイヤー８形成領域を開口しながら湾曲部３ａでワイヤーボンドエリア４ａを囲み、湾曲部３ａ内にワイヤーボンドエリア４ａを露出させることにより、ワイヤー８の形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を維持することができる。

Description

半導体発光装置
　本発明は、リフレクタ内に発光素子が搭載される半導体発光装置に関する。
　従来の半導体発光装置の構成について、図２１，図２２を用いて説明する。
　図２１は従来の半導体発光装置の構成を示す概略平面図であり、一部を透過的に表している。図２２は従来の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図２１のＸ－Ｙ断面図である。
　図２１，図２２に示すように、従来の半導体発光装置は、金属製の支持板１０２と、支持板１０２に固着されるリフレクタ１０３とリフレクタ１０３の内部空洞１０３ａ内で支持板１０２上に固着される発光素子１０１と、リフレクタ１０３の外周部及び支持板１０２の上面を封止する樹脂封止体１０９とを備える。リフレクタ１０３は、発光素子１０１と配線導体１０４との間に切欠部１０３ｋを形成して、切欠部１０３ｋを通じてリード細線１０８により発光素子１０１と配線導体１０４とを接続させる構成であり、リフレクタ１０３の外周部、支持板１０２の上面、配線導体１０４及び配線導体１０５の端部を封止する樹脂封止体１０９を備えている。
国際公開ＷＯ２００４／００１８６２
　しかしながら、従来の半導体発光装置では、リフレクタ１０３に切欠部１０３ｋを有することで、切欠部１０３ｋに照射する光を上方に向かって十分に反射できず、発光効率が低化するという問題を有していた。
　本発明は上記従来の問題を解決するものであり、ワイヤーの形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の半導体発光装置は、
１または複数の外部導出端子を備えるフレームと、前記フレーム上に設けられるダイパッドと、前記ダイパッドを露出して前記ダイパッド周囲の前記フレーム上に形成される第１リフレクタと、前記ダイパッド上に接合部材で実装される発光素子と、前記外部導出端子に形成されるワイヤーボンドエリアと、前記ワイヤーボンドエリアを露出しながら前記発光素子と隣接する領域に開口部が形成されるように前記第１リフレクタの内周部を湾曲させて前記ワイヤーボンドエリアの周囲に形成される湾曲部と、前記開口部を通って形成されて前記ワイヤーボンドエリアと前記発光素子とを電気的に接続するワイヤーとを有することを特徴とする。
　また、前記湾曲部は前記ダイパッドから離れるほどに拡径することが好ましい。
　また、前記第１リフレクタは前記ダイパッドから離れるほどに拡径することが好ましい。
　また、前記湾曲部の開口部の底部の幅が、対応する前記ワイヤーボンドエリアの最大径より狭いことが好ましい。
　また、前記ワイヤーが前記発光素子の重心点と前記発光素子のコーナーを結ぶ直線上に形成されても良い。
　また、前記第１リフレクタの内側に形成されて前記ダイパッドを露出して前記ダイパッド周囲の前記フレーム上に形成される前記ダイパッドから離れるほどに拡径する第２リフレクタをさらに有することが好ましい。
　また、前記第２リフレクタの外周形状が四角形であっても良い。
　また、前記第１リフレクタの外周形状が四角形であっても良い。
　また、前記接合部材は導電性ダイボンド材であっても良い。
　また、前記第１リフレクタ内には蛍光体樹脂が充填されても良い。
　また、前記蛍光体樹脂上部および前記第１リフレクタ上部を被覆するレンズを備えても良い。
　また、前記第１リフレクタと前記レンズとの接合部が凹凸形状に形成されることが好ましい。
　また、
前記ダイパッドが前記外部導出端子から電気的に独立しても良い。
　また、前記外部導出端子を複数備え、それぞれの前記外部導出端子に形成された前記ワイヤーボンドエリアに対応する前記湾曲部が前記発光素子の角部に対向する位置に形成されることが好ましい。
　また、前記湾曲部のうちの２つが前記発光素子を挟んで対向する位置に形成されることが好ましい。
　以上のように、リフレクタの内周部に湾曲部を形成し、ワイヤー形成領域を開口しながら湾曲部でワイヤーボンドエリアを囲み、湾曲部内にワイヤーボンドエリアを露出させることにより、ワイヤーの形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制することができる。
実施例１の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例１の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例１の半導体発光装置における湾曲部の構成を示す要部概略斜視図 実施例２の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例２の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例３の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例３の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例３の半導体発光装置における湾曲部の構成を示す要部概略斜視図 実施例４の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例４の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例５の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例５の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例６の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例６の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例７の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例７の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例８の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例８の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例９の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例９の半導体発光装置の構成を示す断面図 従来の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 従来の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例１０の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例１０の半導体発光装置の構成を示す断面図 実施例１１の半導体発光装置の構成を示す概略平面図 実施例１１の半導体発光装置の構成を示す断面図
　以下、本発明の実施例における半導体発光装置について、図面を参照しながら説明する。
（実施例１）
　まず、本発明の実施例１における半導体発光装置の構成について、図１～図３を用いて説明する。
　図１は実施例１の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図２は実施例１の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図１のＸ－Ｙ断面図である。図３は実施例１の半導体発光装置における湾曲部の構成を示す要部概略斜視図であり、Ｚ方向から見た湾曲部を概略的に示している。
　図１、図２に示すように、実施例１の半導体発光装置は、電極パッド１ａが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載するダイパッド６が設けられたフレーム２と、発光素子１とダイパッド６とを固着する接着剤７と、フレーム２が備える外部導出端子４と、発光素子１の電極パッド１ａとフレーム２に形成される外部導出端子４とを接続するワイヤー８と、ダイパッド６と導通するフレーム２の外部導出端子５と、発光素子１の側面全周を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３を備えている。ここで、接着剤７は導電性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、蛍光体樹脂９上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。レンズ１０はリフレクタ３及び湾曲部３ａの外周の輪郭に概ね沿い、表面が曲面形状である。外部導出端子４に接続されるワイヤー８は外部導出端子４のワイヤーボンドエリア４ａに接続される。そして、リフレクタ３に内周部が外周方向に突出する湾曲部３ａが形成され、湾曲部３ａでワイヤーボンドエリア４ａが包囲されることが本実施例の半導体発光装置の特徴である。この構成により、湾曲部３ａはワイヤーボンドエリア４ａの周囲を発光素子１の方向を開口した状態で包囲する。さらに、湾曲部３ａも上方に向かって拡径しても良い。
　ここで、発光素子１から放出される光をリフレクタ３が上方に反射するが、反射光をより高輝度にするためには、リフレクタ３を発光素子１に近づける事が望ましい。しかしながら、ワイヤー８はルーピングの関係上、発光素子１より一定以上の距離を離さなければならない。このため円形に発光素子１周囲を包囲するリフレクタ３は、ワイヤー８のルーピングのための間隔が必要となり、発光素子１に一定以上近づける事ができない。また、リフレクタ３に切欠部を形成することにより、発光素子１に近づけることはできるが、切欠部から光が漏れてしまい、光を上方に反射することができず、その分、輝度を高めることができない。また、切欠部を形成するとリフレクタ３の内部空洞領域に蛍光体樹脂９を充填する場合、切欠きからリフレクタ３外部に蛍光体樹脂９が漏れてしまい、光色の調整ができない。
　そのため、本実施例では、図１に示すように、リフレクタ３に湾曲部３ａを形成して湾曲部３ａでワイヤーボンドエリア４ａを囲みながら露出させ、好ましくは湾曲部３ａを上方に向かって拡径する形状としたことにより、リフレクタ３を発光素子１に近づけることが可能となり、さらに、湾曲部３ａの開口部でワイヤー８のルーピングのための間隔を確保することができる。このように、切欠部を形成することなくワイヤー８のルーピング領域を確保しながら、湾曲部３ａが、発光素子１より水平方向に照射した光やワイヤー８で反射した光を上方に向かって十分に反射できるため、発光効率の低化を抑制することができる。
　また、切欠部を形成することなく、リフレクタ３の内周部に湾曲部３ａを有することでリフレクタ３の内部空洞領域に蛍光体樹脂９を容易に充填できる。そのため、蛍光体樹脂９によりさまざまな光色を作り出すことができる。
　なお、リフレクタ３の湾曲部３ａをｚ軸方向から俯瞰した図が図３である。図３に示すように、発光素子１とワイヤーボンドエリア４ａをワイヤー８にて接続するため、リフレクタの湾曲部３ａには開口部１３が設けられ、開口部１３にてワイヤーボンドエリア４ａが露出している。このような構成とすることによって、ワイヤー８をルーピングする領域を確保しながら、ワイヤー８の頂点部の高さを、リフレクタ３の高さより低くすることが可能となり、結果的に半導体装置全体を小型化することができる。
　また、従来のように切り欠きを設けるとリフレクタ３とレンズ１０（図２参照）とが接触しない領域が発生し、リフレクタ３とレンズ１０（図２参照）との接合強度が低化していたが、湾曲部３ａの高さをリフレクタ３の高さと同じ高さにした場合には、リフレクタ３と湾曲部３ａとでレンズ１０との接合領域を形成することができるため、リフレクタ３とレンズ１０との接合強度の低化を抑制することができる。なお、図１、図２で、レンズ１０はリフレクタ３及び湾曲部３ａの外周の輪郭に沿い表面が曲面形状としたが、レンズ１０はリフレクタ３及び湾曲部３ａの外周の輪郭の範囲以上で且つフレーム外周の輪郭の範囲以内で表面が曲面形状の場合でも、同様の効果が得られる。
（実施例２）
　次に、本発明の実施例２における半導体発光装置の構成について、図４、図５を用いて説明する。
　図４は実施例２の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図５は実施例２の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図４のＸ－Ｙ断面図である。
　図４、図５に示すように、実施例２の半導体発光装置は、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３とを備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、蛍光体樹脂９上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。本実施例が実施例１と異なる点は、外部導出端子４，外部導出端子５にそれぞれワイヤーボンドエリア４ａ，ワイヤーボンドエリア５ａが設けられ、外部導出端子４のワイヤーボンドエリア４ａおよび外部導出端子５のワイヤーボンドエリア５ａを包囲するように、リフレクタ３の内周部を湾曲させて湾曲部３ａを２箇所に形成する点である。また、実施例１と同様に、湾曲部３ａは上方に向かって拡径しても良い。
　本実施例では、リフレクタ３の内周部が２箇所で湾曲し、好ましくは上方に向かって拡径する形状として、ワイヤーボンドエリア４ａ，ワイヤーボンドエリア５ａをそれぞれ囲む２つの湾曲部３ａを形成することにより、従来の切欠部を備える半導体発光装置に比べて、切欠部から光がもれることがなく、発光素子１より水平方向に照射した光やワイヤー８で反射した光を上方に向かって十分に反射でき、発光効率の低化を抑制することができる。
　また、実施例１と同様に、湾曲部３ａを有することで、蛍光体樹脂９がリフレクタ３から漏れ出すことを抑制でき、リフレクタ３の内部空洞領域に蛍光体樹脂９を容易に充填できるので、さまざまな光色を作り出すことができる。また、切欠部を有さないため、リフレクタ３とレンズ１０との接合強度も維持することができる。さらに、本実施例では、外部導出端子５と発光素子１との接続をワイヤー８を用いて行うことにより、半導体素子１の裏面で外部導出端子５と電気的接続する必要がなくなり、光透過性のダイスボンド材７を用いることができるので、発光素子１の下面に照射する光をダイパッド６で上方に反射でき、さらに輝度を高めることができる。
　なお、湾曲部３ａはワイヤーボンドエリアを露出するように形成するため、外部導出端子の位置に応じて形成位置が決まる。例えば、外部導出端子がダイパッド６を挟んで対向する位置に形成される場合は、図４に示すように２箇所の湾曲部３ａを、リフレクタ３の１８０度相対する位置に配置しても良い。これにより、ワイヤー８が半導体発光装置の中心に対し１８０度相対する配線となり、全方位の発光バラツキを低減できる。
　また、図４に示すように、２本のワイヤー８を発光素子１の各辺と実質的に平行となるように配置してもよい。ワイヤー８を発光素子１の辺に平行して形成することにより、ワイヤー長は最短となり、ワイヤーの使用量を低減すると共に、ワイヤー８による光の反射の阻害が抑制され、均等に発光する事となり好ましい。
（実施例３）
　次に、本発明の実施例３における半導体発光装置の構成について、図６～図８を用いて説明する。
　図６は実施例３の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図７は実施例３の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図６のＸ－Ｙ断面図である。図８は実施例３の半導体発光装置における湾曲部の構成を示す要部概略斜視図であり、Ｚ方向から見た湾曲部を概略的に示している。
　図６、図７に示すように、実施例３の半導体発光装置は、電極パッド１ａが形成される発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、ダイパッド６と導通する外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３とを備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、蛍光体樹脂９上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。また、外部導出端子４のワイヤーボンドエリア４ａを包囲するようにリフレクタ３ａの内周部を湾曲させて、好ましくは上方に向かって拡径する湾曲部３ａを形成する構成である。
　ここで図８に示すように、実施例３が実施例１と特に異なる点は、湾曲部３ａの開口部１３の幅を実施例１と比較して狭くする点である。つまり、ワイヤーボンドエリア４ａを包囲する湾曲部３ａの内、ワイヤー８を通すための開口部１３の最小部分の幅をワイヤー８がボンディングできる範囲でできるだけ小さくすることが好ましい。例えば、湾曲部３ａの最大径部分である、露出したワイヤーボンドエリア４ａの径が最大となる部分の径より、湾曲部３ａの開口部１３の長さが最小となるフレーム２と接する部分の開口部１３の長さを小さくする。このような構成とすることによって、開口部１３からワイヤーボンドエリア４ａ方向に漏れる光を最小限に抑えることができる。
　以上により、リード細線の形成領域を確保しながら、湾曲部の開口部をせまくすることにより、実施例１に比べてより発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタの内部空洞領域に蛍光体樹脂を充填でき、リフレクタとレンズ部との界面の接合強度を維持することができる。
　また、ワイヤーボンドエリア４ａを発光素子１の電極パッド１ａが形成される面のコーナーと対向する位置に配置することもできる。つまり、発光素子１のコーナー部に電極パッド１ａが形成される場合、発光素子１の電極パッド１ａが形成される面の重心点から電極パッド１ａが形成されるコーナー部をつなぐ直線の延長線上にワイヤーボンドエリア４ａを形成し、このワイヤーボンドエリア４ａを露出するように湾曲部３ａを形成する。このような構成とすることによって、ワイヤー８の長さを短くすることができ、結果的に半導体装置全体を小型化することができる。また、発光素子１のコーナー部分では中央部分より発光輝度が低く、ワイヤー８をコーナー部分のみに形成することになるので、ワイヤー８による光の反射の阻害が最小限に抑制され、より発光効率の低化を抑制することができる。
（実施例４）
　次に、本発明の実施例４における半導体発光装置の構成について、図９、図１０を用いて説明する。
　図９は実施例４の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図１０は実施例４の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図９のＸ－Ｙ断面図である。
　図９、図１０に示すように、実施例４の半導体発光装置は、実施例２と同様に、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３とを備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、蛍光体樹脂９上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。また、外部導出端子４のワイヤーボンドエリア４ａおよび外部導出端子５のワイヤーボンドエリア５ａを包囲するように、リフレクタ３の内周部を湾曲させて湾曲部３ａを形成し、湾曲部３ａは上方に向かって拡径しても良い。
　この構成により、実施例２と同様に、リフレクタ３の内周部が２箇所湾曲し、好ましくは上方に向かって拡径する形状として、ワイヤーボンドエリア４ａ，ワイヤーボンドエリア５ａをそれぞれ囲む２つの湾曲部３ａを形成することにより、従来の切欠部を備える半導体発光装置に比べて、切欠部から光がもれることがなく、発光素子１より水平方向に照射した光やワイヤー８で反射した光を上方に向かって十分に反射でき、発光効率の低化を抑制することができる。
　また、湾曲部３ａを有することで、蛍光体樹脂９がリフレクタ３から漏れ出すことを抑制でき、リフレクタ３の内部空洞領域に蛍光体樹脂９を容易に充填できるので、さまざまな光色を作り出すことができる。また、光透過性のダイスボンド材７は発光素子１の下面に照射する光をダイパッド６で上方に反射できるので、輝度を高めることができる。同時に、リフレクタとレンズ部との界面の接合強度を維持することができる。
　本実施例では、実施例２と異なり、図９に示すように２箇所の湾曲部３ａを発光素子１を挟んで対向する位置に配置することを特徴とする。これにより、ワイヤー８の長さを短くすることができ、結果的に半導体発光装置全体を小型化しながら、実施例２と同様に発光効率の低化を抑制することができる。
　また、図９に示すように、２本のワイヤー８を発光素子１の対角線と実質的に平行となるように配置してもよい。ワイヤー８を発光素子１の対角線に平行して形成することにより、ワイヤー８をコーナー部分のみに形成することになるので、ワイヤー８による光の反射の阻害が最小限に抑制され、より均等に発光することとなり好ましい。
　さらに、図９に示すように、実施例２と異なり、実施例３と同様に、湾曲部３ａの開口部１３の幅を実施例２と比較して狭くしても良い。このような構成とすることによって、開口部１３からワイヤーボンドエリア４ａ方向に漏れる光を最小限に抑えることができる。
（実施例５）
　次に、本発明の実施例５における半導体発光装置の構成について、図１１，図１２を用いて説明する。
　図１１は実施例５の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図１２は実施例５の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図１１のＸ－Ｙ断面図である。
　図１１、図１２に示すように、実施例５の半導体発光装置は、電極パッド１ａが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載するダイパッド６が設けられたフレーム２と、発光素子１とダイパッド６とを固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａとフレーム２に形成される外部導出端子４とを接続するワイヤー８と、ダイパッド６と導通する外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３と、リフレクタ３の内周に位置し、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲するリフレクタ１１を備えている。ここで、接着剤７は導電性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ１１は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、リフレクタ３内周部で且つ蛍光体樹脂９を充填しない領域に光透過性樹脂１２を充填しても良い。また、光透過性樹脂１２上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。そして、リフレクタ３に内周部が外周方向に突出する湾曲部３ａが形成され、湾曲部３ａでワイヤーボンドエリア４ａが包囲され、さらに、好ましくは湾曲部３ａも上方に向かって拡径する。リフレクタ３ａに湾曲部３ａを形成して湾曲部３ａでワイヤーボンドエリア４ａ露出させ、好ましくは湾曲部３ａを上方に向かって拡径する形状とすることにより、リフレクタ３を発光素子１に近づけることが可能となり、さらに、ワイヤー８のルーピングのための間隔を確保することができる。このように、切欠部を形成することなくワイヤー８のルーピング領域を確保することができるため、湾曲部３ａが、発光素子１より水平方向に照射した光やワイヤー８で反射した光を上方に向かって十分に反射でき、発光効率の低化を抑制することができる。また、リフレクタ３、リフレクタ１１の内部空洞領域に光透過性樹脂１２や蛍光体樹脂９を充填でき、リフレクタ３とレンズ部１０との界面の接合強度を維持することができる。ここで、リフレクタ１１はワイヤー８の形成領域を確保するために、図１２に示すように、リフレクタ３より高さを低くする必要がある。
　また、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲し、好ましくは上方に向かって拡径するリフレクタ１１を備える事により、蛍光体樹脂９の充填領域が低減でき、蛍光体の使用量を低減することができる。
　ここで、リフレクタ１１の平面形状は、図１１のような四角形でも良いし、発光素子１を取り囲むような形状であれば、円形や、その他の多角形形状でも良い。
　また、実施例３と同様に、湾曲部３ａの開口部を狭くして、より発光効率を向上させることも可能である。
（実施例６）
　次に、本発明の実施例６における半導体発光装置の構成について、図１３、図１４を用いて説明する。
　図１３は実施例６の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図１４は実施例６の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図１３のＸ－Ｙ断面図である。
　図１３、図１４に示すように、実施例６の半導体発光装置は、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３と、リフレクタ３の内周に位置し、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲するリフレクタ１１を備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ１１は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、リフレクタ３内周部で且つ蛍光体樹脂９を充填しない領域に光透過性樹脂１２を充填しても良い。また、光透過性樹脂１２上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。
　このように、本実施例では、リフレクタ３の内周部に２箇所の湾曲部３ａを形成し、好ましくは湾曲部３ａを上方に向かって拡径する形状とすることにより、従来の半導体発光装置のリフレクタ切欠部を形成する場合とは異なり、リフレクタ内周湾曲部を形成することにより発光素子１より水平方向に照射した光やワイヤー８で反射した光を上方に向かって十分に反射できるという効果が得られる。このため、実施例５と同様に、ワイヤー８の形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタ３、リフレクタ１１の内部空洞領域に光透過性樹脂１２や蛍光体樹脂９を充填でき、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を維持することができる。
　また、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲し、好ましくは上方に向かって拡径する第二リフレクタ１１を備える事により、蛍光体樹脂９の充填領域を縮小でき、蛍光体の使用量を低減することができる。また、発光素子１の下面に照射する光をダイパッド６で上方に反射できるので、さらに輝度の高いさまざまな光色を作り出すことができる。
　なおこの際、図１３に示すように、実施例４と同様に、２箇所の湾曲部３ａを発光素子１を挟んで対向する位置に配置しても良い。これにより、ワイヤー８の長さを短くすることができ、結果的に半導体装置全体を小型化できる。
　また、図１３に示すように、実施例４と同様に、２本のワイヤー８を発光素子１の対角線と実質的に平行となるように配置してもよい。
　また、実施例４と同様に、湾曲部３ａの開口部を狭くして、より発光効率を向上させることも可能である。
（実施例７）
　次に、本発明の実施例７における半導体発光装置の構成について、図１５、図１６を用いて説明する。
　図１５は実施例７の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図１６は実施例７の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図１５のＸ－Ｙ断面図である。
　図１５、図１６に示すように、実施例７の半導体発光装置は、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３と、リフレクタ３の内周に位置し、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲するリフレクタ１１を備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ１１は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、リフレクタ３内周部で且つ蛍光体樹脂９を充填しない領域に光透過性樹脂１２を充填しても良い。また、光透過性樹脂１２上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。
　以上の構成により、実施例６と同様に、ワイヤー８の形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタ３、リフレクタ１１の内部空洞領域に光透過性樹脂１２や蛍光体樹脂９を充填でき、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を維持することができる。
　さらに、本実施例では、実施例６と異なり、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂは、発光素子１の一辺を挟んだコーナー付近に配置される。また、ワイヤーボンドエリア４ａ、５ａをつなぐ線は発光素子１の電極パッド１ａ、電極パッド１ｂに挟まれた一辺に対し平行に形成され、ワイヤーボンドエリア４ａ、５ａは、発光素子１の上面から見たコーナーと発光素子１の電極パッド１ａが形成される面の重心点とを結ぶ直線の延長線上に配置することを特徴とする。
　図１５のように、二つのリフレクタ３の湾曲部３ａが、発光素子１の上面から見た一辺に対し平行な配置となることにより、半導体発光装置の主面重心に対して線対称の構成となり、湾曲部３ａを形成しない部分の外形が小さくできるため、さらに高密度で高集積なフレームアレイが構成できる。また、発光素子１の重心点から電極パッド１ａが形成されるコーナー部をつなぐ直線の延長線上にワイヤーボンドエリア４ａ、ワイヤーボンドエリア５ａを形成し、このワイヤーボンドエリア４ａを露出するように湾曲部３ａを形成することにより、ワイヤー８の長さを短くすることができ、結果的に半導体装置全体を小型化することができる。
　また、実施例６と同様に、湾曲部３ａの開口部を狭くして、より発光効率を向上させることも可能である。
（実施例８）
　次に、本発明の実施例８における半導体発光装置の構成について、図１７、図１８を用いて説明する。
　図１７は実施例８の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図１８は実施例８の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図１７のＸ－Ｙ断面図である。
　図１７、図１８に示すように、実施例８の半導体発光装置は、実施例４と同様に、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３と、リフレクタ３の内周に位置し、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲するリフレクタ１１を備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ１１は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、リフレクタ３内周部で且つ蛍光体樹脂９を充填しない領域に光透過性樹脂１２を充填しても良い。また、光透過性樹脂１２上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。
　また、外部導出端子４のワイヤーボンドエリア４ａおよび外部導出端子５のワイヤーボンドエリア５ａを包囲するように、リフレクタ３の内周部を湾曲させて湾曲部３ａを形成し、好ましくは湾曲部３ａは上方に向かって拡径し、湾曲部３ａを発光素子１を挟んで対向する位置に配置する構成である。この構成により、実施例４と同様に、ワイヤー８の配線領域を確保しながら発光効率の低化を抑制することができる。また、リフレクタ３、リフレクタ１１の内部空洞領域に光透過性樹脂１２や蛍光体樹脂９を充填でき、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を維持することができる。また、２本のワイヤー８を発光素子１の対角線と実質的に平行となるように配置してもよい。ワイヤー８を発光素子１の対角線に平行して形成することにより、ワイヤー８をコーナー部分のみに形成することになるので、ワイヤー８による光の反射の阻害が最小限に抑制され、より均等に発光することとなり好ましい。
　本実施例では、さらに、図１７に示すように、リフレクタ３の内周部が湾曲して湾曲部３ａを形成し、リフレクタ３の外周部は半導体発光装置上面から見た形状、つまりリフレクタ３及びレンズ１０の外周形状を四角形とする事を特徴とし、リフレクタ３上部とレンズ１０との接合面積を拡大し、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を強化できる。リフレクタ３の外形である四角形に合わせて、レンズ１０も四角形（断面は図１８のようにドーム状）にしてもよいし、リフレクタ３の内形である円形に合わせてレンズ１０も円形（断面は図１８のようにドーム状）としてもよい。
　また、実施例６と同様に、湾曲部３ａの開口部を狭くして、より発光効率を向上させることも可能である。
（実施例９）
　次に、本発明の実施例９における半導体発光装置の構成について、図１９、図２０を用いて説明する。
　図１９は実施例９の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図２０は実施例９の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図１９のＸ－Ｙ断面図である。
　図１９、図２０に示すように、実施例９の半導体発光装置は、実施例８と同様に、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３と、リフレクタ３の内周に位置し、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲するリフレクタ１１を備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ１１は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、リフレクタ３内周部で且つ蛍光体樹脂９を充填しない領域に光透過性樹脂１２を充填しても良い。また、光透過性樹脂１２上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。この構成により、実施例８と同様に、ワイヤー８の配線領域を確保しながら発光効率の低化を抑制することができる。また、リフレクタ３、リフレクタ１１の内部空洞領域に光透過性樹脂１２や蛍光体樹脂９を充填でき、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を維持することができる。
　本実施例の半導体発光素子が実施例８と異なる点は、図１９、図２０に示すように、リフレクタ３の上面とレンズ１０の下面接合部に波型の凸凹を有する点である。このような構成にする事により、ワイヤー８の配線領域を確保しながら発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタ３上部とレンズ１０との接合面積をさらに拡大でき、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度をさらに強化できる。
　リフレクタ３の外形である四角形に合わせて、レンズ１０も四角形（断面は図１８のようにドーム状）にしてもよいし、リフレクタ３の内形である円形に合わせてレンズ１０も円形（断面は図１８のようにドーム状）としてもよい。また、リフレクタ３の上面においてリフレクタ３の外壁から内壁までの領域をレンズ１０で覆い（断面は平坦）、リフレクタ３の内形である円形に合わせてレンズ１０を円形（断面は図１８のようにドーム状）としてもよい。
　なお、図１９、図２０では接合部外周領域のみ凹凸を設けているが、接合部内周領域まで凹凸を設けても良い。
　また、実施例６と同様に、湾曲部３ａの開口部を狭くして、より発光効率を向上させることも可能である。また、実施例１～５，７の半導体発光装置において、リフレクタ３とレンズ１０との接合部分を凹凸形状とすることもできる。
（実施例１０）
　以上の説明では、湾曲部３ａが１箇所または２箇所に形成される場合について説明したが、３箇所以上に形成しても良い。以下、実施例１０，実施例１１として湾曲部３ａが４箇所に形成される場合を例に説明する。
　まず、本発明の実施例１０における半導体発光装置の構成について、図２３，図２４を用いて説明する。
　図２３は実施例１０の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図２４は実施例１０の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図２３のＸ－Ｙ断面図である。
　図２３、図２４に示すように、実施例１０の半導体発光装置は、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂ、電極パッド１ｃ、電極パッド１ｄが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、電極パッド１ｃと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子１４と、電極パッド１ｄと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子１５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３と、リフレクタ３の内周に位置し、発光素子１の側面をさらに近傍で包囲するリフレクタ１１を備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ１１は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、リフレクタ３内周部で且つ蛍光体樹脂９を充填しない領域に光透過性樹脂１２を充填しても良い。また、光透過性樹脂１２上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。本実施例では、４つの外部導出端子４，５，１４，１５のそれぞれのワイヤーボンドエリア４ａ，５ａ，１４ａ，１５ａを露出するように、リフレクタ３に４つの湾曲部３ａを形成することを特徴とする。
　このように、本実施例では、リフレクタ３の内周部に４箇所の湾曲部３ａを形成し、好ましくは湾曲部３ａを上方に向かって拡径する形状としたことにより、従来の半導体発光装置にリフレクタ切欠部を形成する場合とは異なり、リフレクタ内周湾曲部で発光素子１より水平方向に照射した光やワイヤー８で反射した光を上方に向かって十分に反射できるという効果が得られる。このため、実施例５と同様に、ワイヤー８の形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタ３、リフレクタ１１の内部空洞領域に光透過性樹脂１２や蛍光体樹脂９を充填でき、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を維持することができる。加えて、湾曲部３ａをリフレクタ３の内周部に４箇所形成したことで、半導体装置全体としての強度の向上が期待できる。
　また、本実施例では、４箇所の湾曲部３ａが発光素子１の角部に対向して配置されているが、これに限定しない。リフレクタ３の内周部において、複数個の湾曲部３ａを対向するように配置してもよく、発光素子１の各辺と対向するように配置してもよい。このような構成とすることで、半導体発光装置全体としての集光バランスの向上およびワイヤーボンドの自由度をさらに高めることができる。
　さらに、実施例３と同様に湾曲部３ａの開口部を狭くすることもできる。また、実施例９と同様にリフレクタ３とレンズ１０との接合部を凹凸形状にすることもできる。
　また、上記説明では、外部導出端子を４本有する構成について説明したが、外部導出端子を２本とし、各外部導出端子が２つのワイヤーボンドエリアを有し、いずれかにワイヤー８を接続する構成とすることもできる。
（実施例１１）
　次に、本発明の実施例１１における半導体発光装置の構成について、図２５，図２６を用いて説明する。
　図２５は実施例１１の半導体発光装置の構成を示す概略平面図である。図２６は実施例１１の半導体発光装置の構成を示す断面図であり、図２５のＸ－Ｙ断面図である。
　図２５、図２６に示すように、実施例１１の半導体発光装置は、電極パッド１ａ、電極パッド１ｂ、電極パッド１ｃ、電極パッド１ｄが形成された発光素子１と、発光素子１を搭載し支持するフレーム２と、フレーム２に一体形成されたダイパッド６上に発光素子１を固着する接着剤７と、発光素子１の電極パッド１ａと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子４と、電極パッド１ｂと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子５と、電極パッド１ｃと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子１４と、電極パッド１ｄと一方を接続するワイヤー８と、ワイヤー８の他方と接続される外部導出端子１５と、発光素子１の側面を包囲してフレーム２上面に形成されるリフレクタ３とを備えている。ここで、接着剤７は光透過性のダイボンド材でも良い。また、リフレクタ３は上方に向かって拡径していても良い。また、リフレクタ３内周部には蛍光体樹脂９が充填されていても良い。また、蛍光体樹脂９上部とリフレクタ３上部を被覆するレンズ１０を備えていても良い。本実施例では、４つの外部導出端子４，５，１４，１５のそれぞれのワイヤーボンドエリア４ａ，５ａ，１４ａ，１５ａを露出するように、リフレクタ３に４つの湾曲部３ａを形成することを特徴とする。
　このように、本実施例では、リフレクタ３の内周部に４箇所の湾曲部３ａを形成し、好ましくは湾曲部３ａを上方に向かって拡径する形状としたことにより、従来の半導体発光装置にリフレクタ切欠部を形成する場合とは異なり、リフレクタ内周湾曲部で発光素子１より水平方向に照射した光やワイヤー８で反射した光を上方に向かって十分に反射できるという効果が得られる。このため、実施例５と同様に、ワイヤー８の形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタ３の内部空洞領域に蛍光体樹脂９を充填でき、リフレクタ３とレンズ１０との界面の接合強度を維持することができる。加えて、湾曲部３ａをリフレクタ３の内周部に４箇所形成したことで、半導体装置全体としての集光バランスの向上が期待できる。
　また、本実施例では、４箇所の湾曲部３ａが発光素子１の各辺と対向するように配置されているが、これに限定しない。リフレクタ３の内周部において、複数個の湾曲部３ａを対向するように配置してもよく、発光素子１の角部に対向して配置してもよい。このような構成とすることで、半導体発光装置全体としての集光バランスの向上およびワイヤーボンドの自由度をさらに高めることができる。
　さらに、実施例３と同様に湾曲部３ａの開口部を狭くすることもできる。また、実施例９と同様にリフレクタ３とレンズ１０との接合部を凹凸形状にすることもできる。
　また、上記説明では、外部導出端子を４本有する構成について説明したが、外部導出端子を２本とし、各外部導出端子が２つのワイヤーボンドエリアを有し、いずれかにワイヤー８を接続する構成とすることもできる。
　以上の各実施例において、全ての電極パッドをワイヤーを用いて外部導出端子と接続しても良いし、１つの電極パッドと外部導出端子とを導電性ダイボンド材で裏面実装し、その他の電極パッドをワイヤーを用いて外部導出端子と接続しても良い。
　本発明は、ワイヤーの形成領域を確保しながら、発光効率の低化を抑制すると共に、リフレクタの内部空洞領域に蛍光体樹脂を充填でき、リフレクタとレンズ部との界面の接合強度を維持することができ、リフレクタ内に発光素子が搭載される半導体発光装置等に有用である。

Claims (15)

  1. 　１または複数の外部導出端子を備えるフレームと、
    　前記フレーム上に設けられるダイパッドと、
    　前記ダイパッドを露出して前記ダイパッド周囲の前記フレーム上に形成される第１リフレクタと、
    　前記ダイパッド上に接合部材で実装される発光素子と、
    　前記外部導出端子に形成されるワイヤーボンドエリアと、
    　前記ワイヤーボンドエリアを露出しながら前記発光素子と隣接する領域に開口部が形成されるように前記第１リフレクタの内周部を湾曲させて前記ワイヤーボンドエリアの周囲に形成される湾曲部と、
    　前記開口部を通って形成されて前記ワイヤーボンドエリアと前記発光素子とを電気的に接続するワイヤーと
    を有することを特徴とする半導体発光装置。
  2. 　前記湾曲部は前記ダイパッドから離れるほどに拡径することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
  3. 　前記第１リフレクタは前記ダイパッドから離れるほどに拡径することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体発光装置。
  4. 　前記湾曲部の開口部の底部の幅が、対応する前記ワイヤーボンドエリアの最大径より狭いことを特徴とする請求項１～請求項３のいずれかに記載の半導体発光装置。
  5. 　前記ワイヤーが前記発光素子の重心点と前記発光素子のコーナーを結ぶ直線上に形成されることを特徴とする請求項１～請求項４のいずれかに記載の半導体発光装置。
  6. 　前記第１リフレクタの内側に形成されて前記ダイパッドを露出して前記ダイパッド周囲の前記フレーム上に形成される前記ダイパッドから離れるほどに拡径する第２リフレクタをさらに有することを特徴とする請求項１～請求項５のいずれかに記載の半導体発光装置。
  7. 　前記第２リフレクタの外周形状が四角形であることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
  8. 　前記第１リフレクタの外周形状が四角形であることを特徴とする請求項１～請求項７のいずれかに記載の半導体発光装置。
  9. 　前記接合部材は導電性ダイボンド材であることを特徴とする請求項１～請求項８のいずれかに記載の半導体発光装置。
  10. 　前記第１リフレクタ内には蛍光体樹脂が充填されることを特徴とする請求項１～請求項９のいずれかに記載の半導体発光装置。
  11. 　前記蛍光体樹脂上部および前記第１リフレクタ上部を被覆するレンズを備えることを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光装置。
  12. 　前記第１リフレクタと前記レンズとの接合部が凹凸形状に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光装置。
  13. 　前記ダイパッドが前記外部導出端子から電気的に独立することを特徴とする請求項１～請求項１２のいずれかに記載の半導体発光装置。
  14. 　前記外部導出端子を複数備え、
    　それぞれの前記外部導出端子に形成された前記ワイヤーボンドエリアに対応する前記湾曲部が前記発光素子の角部に対向する位置に形成されることを特徴とする請求項１～請求項１３のいずれかに記載の半導体発光装置。
  15. 　前記湾曲部のうちの２つが前記発光素子を挟んで対向する位置に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光装置。
PCT/JP2011/004230 2010-12-15 2011-07-27 半導体発光装置 WO2012081141A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010278704A JP2014038876A (ja) 2010-12-15 2010-12-15 半導体発光装置
JP2010-278704 2010-12-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012081141A1 true WO2012081141A1 (ja) 2012-06-21

Family

ID=46244262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/004230 WO2012081141A1 (ja) 2010-12-15 2011-07-27 半導体発光装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2014038876A (ja)
WO (1) WO2012081141A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9343643B2 (en) 2013-04-12 2016-05-17 Nichia Corporation Light emitting device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10730253B2 (en) 2014-09-05 2020-08-04 Osaka University Process for producing surface-modified molded article, and process for producing composite using surface-modified molded article
KR101646500B1 (ko) * 2015-04-29 2016-08-08 주식회사 엠비젼 발광다이오드 패키지
EP3324452B1 (en) * 2015-07-16 2021-04-28 LG Innotek Co., Ltd. Light-emitting element package
KR102426874B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP6842246B2 (ja) * 2016-05-26 2021-03-17 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP7012510B2 (ja) * 2016-11-08 2022-02-14 シチズン電子株式会社 光学部材および発光装置
JP2017076809A (ja) * 2016-12-05 2017-04-20 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子
JP2006066657A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006514434A (ja) * 2003-02-28 2006-04-27 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2007088094A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007116128A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007142279A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008010748A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 発光装置およびその製造方法
JP2009200531A (ja) * 2001-04-10 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法
JP2010062272A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Nichia Corp 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2010182880A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子搭載用パッケージ

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子
JP2009200531A (ja) * 2001-04-10 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法
JP2006514434A (ja) * 2003-02-28 2006-04-27 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法
JP2006066657A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2007088094A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007116128A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007142279A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008010748A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 発光装置およびその製造方法
JP2010062272A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Nichia Corp 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2010182880A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子搭載用パッケージ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9343643B2 (en) 2013-04-12 2016-05-17 Nichia Corporation Light emitting device
US9484503B2 (en) 2013-04-12 2016-11-01 Nichia Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014038876A (ja) 2014-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012081141A1 (ja) 半導体発光装置
JP4744178B2 (ja) 発光ダイオード
US9484509B2 (en) Lighting device and method of manufacturing the same
TWI446568B (zh) 半導體發光裝置
TWI603506B (zh) 發光二極體封裝結構
TWI505519B (zh) 發光二極體燈條及其製造方法
TWI427837B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP3138795U (ja) 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源
JP2006222454A (ja) 半導体発光装置および表面実装型パッケージ
JP5535750B2 (ja) 発光素子モジュール
US20130020600A1 (en) Light emitting diode package
US7731405B2 (en) Side-emission type light-emitting diode and a backlight unit using the light-emitting diode
JP2006278924A (ja) 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
KR20120094280A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2015023219A (ja) Ｌｅｄ発光装置およびｌｅｄ発光装置の製造方法
WO2011136356A1 (ja) Ｌｅｄモジュール
JP5350947B2 (ja) 発光ダイオード
JP5745784B2 (ja) 発光ダイオード
JP5573602B2 (ja) 発光装置
JP5286122B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP5936885B2 (ja) 半導体発光装置
KR101309761B1 (ko) 발광소자
JP6095440B2 (ja) 照明ランプ、照明装置及び照明ランプの製造方法
CN209896060U (zh) 一种发光二极管封装结构
JPH098360A (ja) 発光ダイオード

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11848574

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11848574

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP