JPH04106941A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子を樹脂で包囲した樹脂封止型半導
体装置に関する。
体装置に関する。
第3図(a)は、従来の樹脂封止型半導体装置を示す平
面図、第3図(b)は、第3図(a)のx−x′線断面
図、第3図(c)は、第3図(a>のy−y’線断面図
である。半導体素子1は、素子裏面が素子搭載部6に接
着固定され、素子搭載部6は吊りピン7により保持され
ている。
面図、第3図(b)は、第3図(a)のx−x′線断面
図、第3図(c)は、第3図(a>のy−y’線断面図
である。半導体素子1は、素子裏面が素子搭載部6に接
着固定され、素子搭載部6は吊りピン7により保持され
ている。
吊りピン7は封止樹脂5の外に露出している。素子搭載
部6及び吊りピン7は、内部リードと同じ素材で金属製
である。
部6及び吊りピン7は、内部リードと同じ素材で金属製
である。
半導体装置の一つの傾向として、半導体素子のサイズが
大型化し、半導体素子の面積の半導体装置の断面積に占
める割合が大きくなって70%近くまで占めるものも出
てきた。
大型化し、半導体素子の面積の半導体装置の断面積に占
める割合が大きくなって70%近くまで占めるものも出
てきた。
このため第3図のようにパッケージの外周と半導体素子
との開隔はほとんどとれなくなり、(a)内部リード3
と半導体素子1との間隔が狭くなることにより金属細線
4の長さ(第4図L w )が短かくなる。(b)吊り
ピン7の距離も短かくなり第5図のように素子搭載部8
の位置を半導体素子1の下方に位置させ、内部リードと
半導体素子の拡散面の高低差を縮めるように加工するこ
とかできなくなる7また、半導体素子か半導体装置に搭
載できるようにするために、半導体素子をできるだけ小
さくするよう設計するので、(c)半導体素子の回路設
計の自由度か少なく、電極の位置を半導体素子の端部へ
配置することかできなくなって、半導体素子の内側へ配
置せざるをえなくなり、半導体素子上の金属細線の長さ
(第4図Lp)が長くなる。これらの(a)〜(c)は
、いずれも半導体素子の電極と内部リードとを金属細線
によって結線するとき半導体素子の端部と金属細線との
間隔(第4図H)をとることかてきす、ショート不良を
起こしやすくなる。
との開隔はほとんどとれなくなり、(a)内部リード3
と半導体素子1との間隔が狭くなることにより金属細線
4の長さ(第4図L w )が短かくなる。(b)吊り
ピン7の距離も短かくなり第5図のように素子搭載部8
の位置を半導体素子1の下方に位置させ、内部リードと
半導体素子の拡散面の高低差を縮めるように加工するこ
とかできなくなる7また、半導体素子か半導体装置に搭
載できるようにするために、半導体素子をできるだけ小
さくするよう設計するので、(c)半導体素子の回路設
計の自由度か少なく、電極の位置を半導体素子の端部へ
配置することかできなくなって、半導体素子の内側へ配
置せざるをえなくなり、半導体素子上の金属細線の長さ
(第4図Lp)が長くなる。これらの(a)〜(c)は
、いずれも半導体素子の電極と内部リードとを金属細線
によって結線するとき半導体素子の端部と金属細線との
間隔(第4図H)をとることかてきす、ショート不良を
起こしやすくなる。
例えば、半導体素子の拡散面と内部リードとの高低差が
450μmで半導体装置を樹脂封止するとき、金属細線
が封止樹脂の流れによって変形しても金属細線と半導体
素子とが接触しないようにするため、金属細線と半導体
素子の端部との間隔(第4図H)を120μm以上とる
とすると、結線可能な金属細線の長さ(第4図L w
)と半導体素子上の金属細線の長さとの関係は、第す図
(a)の斜線部のようになる。
450μmで半導体装置を樹脂封止するとき、金属細線
が封止樹脂の流れによって変形しても金属細線と半導体
素子とが接触しないようにするため、金属細線と半導体
素子の端部との間隔(第4図H)を120μm以上とる
とすると、結線可能な金属細線の長さ(第4図L w
)と半導体素子上の金属細線の長さとの関係は、第す図
(a)の斜線部のようになる。
また素子搭載部と半導体装置の外周との間隔か狭くなる
ので、この間の樹脂厚が薄く、素子搭載部は金属製で樹
脂との熱膨張係数の差か大きいため、素子搭載部の端部
より樹脂クラックか発生しやすい。さらに吊りピンも金
属製で、長さも短いため、熱履歴により樹脂と吊りピン
との間にすきまを生じ外界から不純物が吊りピンの表面
を伝わってペレット表面に達しやすく耐湿性か悪くなる
。
ので、この間の樹脂厚が薄く、素子搭載部は金属製で樹
脂との熱膨張係数の差か大きいため、素子搭載部の端部
より樹脂クラックか発生しやすい。さらに吊りピンも金
属製で、長さも短いため、熱履歴により樹脂と吊りピン
との間にすきまを生じ外界から不純物が吊りピンの表面
を伝わってペレット表面に達しやすく耐湿性か悪くなる
。
本発明は、半導体素子と、この半導体素子周辺に配置さ
れた複数の内部リードとを有する樹脂封止型半導体装置
において、半導体素子の拡散面の一部が樹脂製の素子保
持体に接着し、さらに素子保持体の一部は半導体素子の
周辺に配置された内部リードに接着固定された構造とな
っていることを特徴とする。
れた複数の内部リードとを有する樹脂封止型半導体装置
において、半導体素子の拡散面の一部が樹脂製の素子保
持体に接着し、さらに素子保持体の一部は半導体素子の
周辺に配置された内部リードに接着固定された構造とな
っていることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
(a)は、本発明の第1の実施例を示す平面図、第1図
<b)及び°(C)は、それぞれ第1図(a>のx−x
′線断面図及びY−Y′線断面図である6素子保持体2
は、ポリイミドにより成形された薄型耐熱樹脂材からな
り半導体素子1の拡散面の一部と内部リード3の一部と
に接着固定されている。ここに用いた封止樹脂はエポキ
シ系の樹脂で熱膨張係数が7.lXl0−5(1/℃)
である。また、素子保持体を成形しているポリイミドは
、封止樹脂と接着性の良いものを選び、熱膨張係数が6
.8xlO−5(1/℃)で封止樹脂に近いものを用い
ている。
(a)は、本発明の第1の実施例を示す平面図、第1図
<b)及び°(C)は、それぞれ第1図(a>のx−x
′線断面図及びY−Y′線断面図である6素子保持体2
は、ポリイミドにより成形された薄型耐熱樹脂材からな
り半導体素子1の拡散面の一部と内部リード3の一部と
に接着固定されている。ここに用いた封止樹脂はエポキ
シ系の樹脂で熱膨張係数が7.lXl0−5(1/℃)
である。また、素子保持体を成形しているポリイミドは
、封止樹脂と接着性の良いものを選び、熱膨張係数が6
.8xlO−5(1/℃)で封止樹脂に近いものを用い
ている。
このように本実施例によれば素子搭載部がないので樹脂
にクラックが入りすらくなった上、パッケージの厚みも
薄くできる。また、外部に露出している吊りピンがない
ので、耐湿性が向上する。
にクラックが入りすらくなった上、パッケージの厚みも
薄くできる。また、外部に露出している吊りピンがない
ので、耐湿性が向上する。
第2図(a)は本発明の第2の実施例の平面図、第2図
(b)及び(C>はそれぞれ第2図(a)のx−x’線
断面図及びY−Y′線断面図である。素子保持体2はと
のような形状でも良く、この実施例では第2図のように
素子保持体が内部リードと半導体素子の電極との間で半
導体素子の端部に接着固定されている。この実施例ては
、素子保持体が半導体素子の端部に接着固定されている
ため、この上部を通る金属細線は半導体素子の端部に直
接接触することかないので、第1の実施例のときに比べ
半導体素子上の金属細線の長さをさらに長くとることが
可能となる。
(b)及び(C>はそれぞれ第2図(a)のx−x’線
断面図及びY−Y′線断面図である。素子保持体2はと
のような形状でも良く、この実施例では第2図のように
素子保持体が内部リードと半導体素子の電極との間で半
導体素子の端部に接着固定されている。この実施例ては
、素子保持体が半導体素子の端部に接着固定されている
ため、この上部を通る金属細線は半導体素子の端部に直
接接触することかないので、第1の実施例のときに比べ
半導体素子上の金属細線の長さをさらに長くとることが
可能となる。
以上説明したように本発明は、半導体素子の拡散面の一
部が樹脂製の素子保持体に接着し、この素子保持体の一
部を半導体素子の周囲に配置された内部リードの一部に
接着固定することにより、半導体素子の拡散面と内部リ
ードの表面とが同一平面になるため、金属細線の結線に
有利となり結線可能な金属細線の長さ(L w )と半
導体素子上の金属細線の長さ(Lp)との関係は、金属
細線と半導体素子周辺離が120μm以上の条件の下て
第6図(b)のようになり、例えば金属線線長i、2m
mのとき結線可能な半導体素子上の金属細線の長さは従
来例では約064mmであったのに対し、本発明では約
0.65mmと大幅に向上している。
部が樹脂製の素子保持体に接着し、この素子保持体の一
部を半導体素子の周囲に配置された内部リードの一部に
接着固定することにより、半導体素子の拡散面と内部リ
ードの表面とが同一平面になるため、金属細線の結線に
有利となり結線可能な金属細線の長さ(L w )と半
導体素子上の金属細線の長さ(Lp)との関係は、金属
細線と半導体素子周辺離が120μm以上の条件の下て
第6図(b)のようになり、例えば金属線線長i、2m
mのとき結線可能な半導体素子上の金属細線の長さは従
来例では約064mmであったのに対し、本発明では約
0.65mmと大幅に向上している。
また、従来例のように樹脂クラックの主原因となってい
た素子搭載部かないため耐樹脂クラックの向上及び素子
搭載部の板厚分パッケージ厚をうずくできる。
た素子搭載部かないため耐樹脂クラックの向上及び素子
搭載部の板厚分パッケージ厚をうずくできる。
さらに、吊りピンは存在せず、内部リードと半導体素子
との間に封止樹脂と密着性の高い樹脂製の素子支持体を
介すことにより外界からの不純物は、素子支持体を伝わ
らないなめ半導体素子に達せず、耐湿性も向上する。
との間に封止樹脂と密着性の高い樹脂製の素子支持体を
介すことにより外界からの不純物は、素子支持体を伝わ
らないなめ半導体素子に達せず、耐湿性も向上する。
第1図(a)は本発明の第1の実施例に係る樹脂封止型
半導体装置を示す平面図、第1図(b)及び第1図(c
)はそれぞれ第1図(a)のX−Y′線断面図及びY−
Y′線断面図、第2図(a)は本発明の第2の実施例を
示す平面図、第2図(b)及び第2図(c)は、それぞ
れ第2図(a)のx−x′線断面図及びY−Y′線断面
図、第3図(a>は、従来の樹脂封止型半導体装置の平
面図、第3図(b)及び第3図(c)はそれぞれ第3図
(a)のX−Y′線断面図及びY−Y′線断面図、第4
図(a)及び(b)はそれぞれ、従来例及び本発明の例
で、金属細線結線時のワイヤリング性を説明するための
図、第5図は、従来の樹脂封止型半導体装置で吊りピン
を加工し素子搭載部を半導体装置の下方に配置したとき
の図、第6図(a>及び(b)は、それぞれ従来例及び
本発明例で、結線可能な金属線線長と半導体素子上の金
属線線長との関係を示した図である。 1・・・半導体素子、2・・・素子保持体、3・・・内
部リード、4・・・金属細線、5・・・封止樹脂、6.
8・・・素子搭載部、7・・・吊りピン。
半導体装置を示す平面図、第1図(b)及び第1図(c
)はそれぞれ第1図(a)のX−Y′線断面図及びY−
Y′線断面図、第2図(a)は本発明の第2の実施例を
示す平面図、第2図(b)及び第2図(c)は、それぞ
れ第2図(a)のx−x′線断面図及びY−Y′線断面
図、第3図(a>は、従来の樹脂封止型半導体装置の平
面図、第3図(b)及び第3図(c)はそれぞれ第3図
(a)のX−Y′線断面図及びY−Y′線断面図、第4
図(a)及び(b)はそれぞれ、従来例及び本発明の例
で、金属細線結線時のワイヤリング性を説明するための
図、第5図は、従来の樹脂封止型半導体装置で吊りピン
を加工し素子搭載部を半導体装置の下方に配置したとき
の図、第6図(a>及び(b)は、それぞれ従来例及び
本発明例で、結線可能な金属線線長と半導体素子上の金
属線線長との関係を示した図である。 1・・・半導体素子、2・・・素子保持体、3・・・内
部リード、4・・・金属細線、5・・・封止樹脂、6.
8・・・素子搭載部、7・・・吊りピン。
Claims (1)
- 半導体素子と、前記半導体素子周辺に配置された複数
の内部リードとを有する樹脂封止型半導体装置において
、前記半導体素子の拡散面の一部が樹脂製の素子保持体
に接着し、かつ前記素子保持体の一部は、半導体素子周
辺に配置された内部リードの一部に固定されていること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2224610A JPH04106941A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2224610A JPH04106941A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04106941A true JPH04106941A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16816425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2224610A Pending JPH04106941A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04106941A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04335559A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-24 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
US5446313A (en) * | 1992-05-25 | 1995-08-29 | Hitachi, Ltd. | Thin type semiconductor device and module structure using the device |
KR100300266B1 (ko) * | 1992-05-25 | 2001-10-22 | 스즈키 진이치로 | 박형반도체장치,그것을이용한모듈구조체및그반도체장치의기판실장방법 |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP2224610A patent/JPH04106941A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04335559A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-24 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
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US5895969A (en) * | 1992-05-25 | 1999-04-20 | Hitachi, Ltd. And Hitachi Vlsi Engineering Corp. | Thin type semiconductor device, module structure using the device and method of mounting the device on board |
KR100300266B1 (ko) * | 1992-05-25 | 2001-10-22 | 스즈키 진이치로 | 박형반도체장치,그것을이용한모듈구조체및그반도체장치의기판실장방법 |
KR100299949B1 (ko) * | 1992-05-25 | 2001-10-27 | 가나이 쓰도무 | 박형반도체장치,그것을이용한모듈구조체및그반도체장치의기판실장방법 |
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