KR100214561B1 - 버틈 리드 패키지 - Google Patents

버틈 리드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100214561B1
KR100214561B1 KR1019970008654A KR19970008654A KR100214561B1 KR 100214561 B1 KR100214561 B1 KR 100214561B1 KR 1019970008654 A KR1019970008654 A KR 1019970008654A KR 19970008654 A KR19970008654 A KR 19970008654A KR 100214561 B1 KR100214561 B1 KR 100214561B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
chip
package
leads
adhesive
Prior art date
Application number
KR1019970008654A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980073412A (ko
Inventor
전흥섭
Original Assignee
구본준
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지반도체주식회사 filed Critical 구본준
Priority to KR1019970008654A priority Critical patent/KR100214561B1/ko
Priority to JP847098A priority patent/JP2914944B2/ja
Priority to US09/023,287 priority patent/US6043430A/en
Publication of KR19980073412A publication Critical patent/KR19980073412A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100214561B1 publication Critical patent/KR100214561B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201Structure
    • H01L2224/32012Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32014Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Abstract

본 발명은 버틈 리드 패키지에 관한 것으로, 종래의 버틈 리드 패키지는 기억용량의 증대가 용이치 못한 문제점이 있었다. 본 발명 버틈 리드 패키지는 칩(21)의 상,하면에 상,하부리드(23')(23)가 접속되도록 접착제(22)로 고정부착하고, 상기 상부리드(23')와 칩패드(21a)들을 각각 금속와이어(24)로 와이어본딩하며, 상기 상,하부리드(23')(23)의 상,하면을 외부로 노출시킴과 아울러 상기 칩(21), 금속와이어(24), 상,하부리드(23')(23)의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩부(25)를 형성하여 구성함으로서, 패키지의 기억용량 증대시 상부리드의 노출면에 다른 패키지의 하부리드 노출면을 연결할 수 있게되어 적층이 용이해지게 되고, 따라서 기억용량의 증대가 용이해지는 효과가 있다.

Description

버틈 리드 패키지
본 발명은 버틈 리드 패키지(BOTTOM LEAD PACKAGE)에 관한 것으로, 특히 기억용량의 증대를 위하여 적층이 용이하도록 하는데 적합한 버틈 리드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 칩(CHIP)의 크기와 거의 동일한 패키지인 칩 사이즈 패키지(CHIP SIZE PACKAGE)의 일종으로 버틈 리드 패키지가 소개되고 있는데, 이와 같은 버틈 리드 패키지는 칩패드(CHIP PAD)의 형성위치에 따라 두가지로 나뉘어 진다. 첫 번째로는 칩패드가 칩의 상면 가장자리에 위치하는 S-BLP이고, 두 번째로는 칩패드가 칩의 상면 중앙에 위치하는 C-BLP이다. 이와 같은 종래 버틈 리드 패키지가 도 1과 도 3에 도시되어 있는 바, 이를 참고로 간단히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 첫 번째의 S-BLP를 설명한다.
도 1은 종래 S-BLP의 구조를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 S-BLP는 반도체 칩(1)과, 그 칩(1)의 하면 양측에 접착제(2)로 부착됨과 아울러 상방향으로 절곡형성된 다수개의 리드(3)와, 상기 칩(1)의 상면 양측에 형성된 다수개의 칩패드(1a)와 상기 리드(3)를 각각 전기적으로 연결하는 금속와이어(4)와, 상기 리드(3)의 하면이 외부로 노출됨과 아울러 상기 칩(1), 금속와이어(4), 리드(3)의 일정부분을 감싸도록 에폭시(EPOXY)로 몰딩(MOLDING)되는 몰딩부(5)로 구성된다.
이와 같이 구성되는 종래 S-BLP(6)는 인쇄회로기판(7)의 상면에 솔더마스크를 얹고, 그 상면에 솔더 페이스트(8)를 스크린 프린팅한 후, 인쇄회로기판(7)의 상면에 형성되어 있는 랜드(7a)의 상면에 솔더 페이스트(8)가 도포되면 픽플레이스 공정으로 S-BLP(6)의 리드(3) 노출면이 상기 랜드(7a) 상면에 얼라인되도록 S-BLP(6)를 인쇄회로기판(7)에 위치시키고, 리플로우공정을 실시하여 도 2와 같이 실장하게 된다.
다음은 두 번째의 C-BLP를 설명한다.
도 3는 종래 C-BLP의 구조를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 C-BLP는 반도체 칩(11)과, 그 칩(11)의 상면 양측에 접착제(12)로 고정부착되는 다수개의 리드(13)와, 그 리드(13)와 상기 칩(11)의 상면 중앙에 형성되어 있는 다수개의 칩패드(11a)를 각각 전기적으로 연결하는 금속와이어(14)와, 상기 리드(13)의 상면이 외부로 노출됨과 아울러 상기 칩(11), 금속와이어(14), 리드(13)의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩되는 몰딩부(15)로 구성된다.
이와 같이 구성되는 종래 C-BLP(16)는 도 2와 동일한 방법으로 스크린 프린팅하여 인쇄회로기판(17)의 상면에 형성되어 있는 랜드(17a)의 상면에 솔더 페이스트(18)를 도포한 다음, 도 3의 C-BLP(16)를 뒤집어서 랜드(17a)의 상면에 얼라인하여 리플로우공정으로 도 4와 같이 실장하게 된다.
그러나, 상기와 같은 종래 버틈 리드 패키지는 외부로의 전기적인 연결단자인 리드(3)(13)의 노출면이 상측 또는 하측의 일측면에 형성되어 있어서, 반도체 기억소자의 용량확대가 불가능한 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 리드의 노출면이 상,하면에 위치하도록 하여 적층에 의한 기억용량의 증대가 가능토록 하는데 적합한 버틈 리드 패키지를 제공함에 있다.
도 1은 종래 S-BLP의 구조를 보인 종단면도.
도 2는 도 1이 실장된 상태를 보인 종단면도.
도 3는 종래 C-BLP의 구조를 보인 종단면도.
도 4는 도 3이 실장된 상태를 보인 종단면도.
도 5는 본 발명 버틈 리드 패키지의 구조를 보인 종단면도.
도 6a 내지 6d는 본 발명 버틈 리드 패키지의 제조방법을 보인 종단면도.
도 7은 본 발명 버틈 리드 패키지가 적층되어 실장된 상태를 보인 종단면도.
* * 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * *
21 : 칩 22,22': 접착제
23',23: 상,하부리드 24 : 금속와이어
25 : 몰딩부
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 반도체 칩과, 그 칩의 하면 양측에 접착제로 부착되는 다수개의 하부리드와, 상기 칩의 상면 양측에 접착제로 부착되며 상기 하부리드의 상면에 접속되도록 설치되는 다수개의 상부리드와, 그 상부리드와 상기 칩의 중앙에 형성되어 있는 다수개의 칩패드를 각각 전기적으로 연결하는 금속와이어와, 상기 상,하부리드의 상,하면이 외부로 노출됨과 아울러 상기 칩, 금속와이어, 상,하부리드의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩되는 몰딩부를 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 버틈 리드 패키지가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 버틈 리드 패키지를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명 버틈 리드 패키지의 구조를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명 버틈 리드 패키지는 반도체 칩(21)과, 그 칩(21)의 하면 양측에 접착제(22)로 부착되며 상방향으로 일정각도를 갖고 절곡형성되는 다수개의 하부리드(23)와, 상기 칩(21) 상면 양측에 접착제(22')로 고정부착되며 상기 하부리드(23)의 상단면에 접속되도록 상방향으로 절곡형성되는 다수개의 상부리드(23')와, 그 상부리드(23')와 상기 칩(21)의 상면 중앙에 형성되어 있는 다수개의 칩패드(21a)를 각각 전기적으로 연결하는 금속와이어(24)와, 상기 상,하부리드(23')(23)의 상,하면을 외부로 노출시킴과 아울러 상기 칩(21), 금속와이어(24), 상,하부리드(23')(23)의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩되는 몰딩부(25)로 구성된다.
그리고, 상기 금속와이어(24)의 재질은 전기적인 신호를 전달하기 위한 재질이면 어느 것이나 가능하나 가능하면 전기전도도가 높은 재질을 사용하는 것이 바람직하며, 한예로 금(Au)이 그 중 하나이다.
또한, 상기 칩(21)의 상,하면 양측에 상,하부리드(23')(23)를 부착하기 위하여 사용하는 접착제(22')(22)는 전기적인 쇼트(SHORT)를 방지하기 위하여 절연성접착제를 사용하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 구성되는 본 발명 버틈 리드 패키지의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 6a 내지 6d는 본 발명 버틈 리드 패키지의 제조방법을 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명 버틈 리드 패키지는 먼저 도 6a에 도시된 바와 같이, 다수개의 하부리드(23)를 일정 간격를 두고 양측에 배열하고, 그 하부리드(23)의 하단부 상면에 접착제(22)를 도포한 상태에서 그 절연성 접착제(22)의 상면에 칩(21)을 위치시키고 일정압력으로 칩(21)를 하방으로 눌러서 절연성 접착제(22)의 경화에 의해 부착되도록 하는 다이본딩공정을 실시한다.
그런 다음, 도 6b와 같이, 칩(21)의 상면 양측에 절연성 접착제(22')를 도포한 상태에서 다수개의 상부리드(23')를 부착하되 상기 하부리드(23)의 상단면에 상부리드(23')가 얹혀지도록 한다. 이와 같은 상태에서 다수개의 상,하부리드(23')(23)를 일정압력으로 누르는 상태에서 일정온도의 열을 가하여 접합하는 압접을 실시하여 상,하부리드(23')(23)를 접합하는 리드접합공정을 실시한다.
그런 다음, 도 6c와 같이, 상기 상부리드(23')의 하단부 상면과 상기 칩(21)의 중앙에 전,후방향의 1열로 형성되어 있는 칩패드(21a)를 와이어본딩장비에서 금속와이어(24)로 각각 연결하는 와이어본딩(WIRE BONDING)공정을 실시한다.
그런 다음, 마지막으로 상기와 같이 와이어본딩된 칩(21)과 상,하부리드(23')(23)를 몰딩금형의 내부에 위치시키고, 상기 상,하부리드(23')(23)의 상,하면을 외부로 노출시킴과 아울러 상기 칩(21), 금속와이어(24), 상,하부리드(23')(23)의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩하여 몰딩부(25)를 형성하는 몰딩(MOLDING)공정을 실시하여 완성한다.
도 7은 본 발명 버틈 리드 패키지가 적층되어 실장된 상태를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(26)의 상면에 1개의 패키지(27)를 먼저 실장하는데, 이때 스크린 프린팅으로 다수개의 랜드(26a)의 상면에 솔더 페이스트(28)를 형성한 상태에서, 패키지(27)를 그 랜드(26a)의 상면에 패키지(27) 하부리드(23) 노출면이 일치되도록 얼라인하여 얹어놓고 리플로우하여 실장한다. 그런 다음, 그 패키지(27)의 상면에 노출된 상부리드(23')의 노출면에 다른 패키지(27')의 하면에 노출된 하부리드(23)의 노출면을 얼라인 한 상태에서 솔더(29)로 솔더링하여 접합하는 방법으로 계속 나머지 패키지(27)(27')를 적층하여 기억용량을 증대시키게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 버틈 리드 패키지는 칩의 상,하면에 상,하부리드가 접속되도록 접착제로 고정부착하고, 상기 상부리드와 칩패드들을 각각 금속와이어로 와이어본딩하며, 상기 상,하부리드의 상,하면을 외부로 노출시킴과 아울러 상기 칩, 금속와이어, 상,하부리드의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩하여 구성함으로서, 패키지의 기억용량 증대시 상부리드의 노출면에 다른 패키지의 하부리드 노출면을 연결할 수 있게되어 적층이 용이해지게 되고, 따라서 기억용량의 증대가 용이해지는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 칩과, 그 칩의 하면 양측에 접착제로 부착되는 다수개의 하부리드와, 상기 칩의 상면 양측에 접착제로 부착되며 상기 하부리드의 상면에 접속되도록 설치되는 다수개의 상부리드와, 그 상부리드와 상기 칩의 중앙에 형성되어 있는 다수개의 칩패드를 각각 전기적으로 연결하는 금속와이어와, 상기 상,하부리드의 상,하면이 외부로 노출됨과 아울러 상기 칩, 금속와이어, 상,하부리드의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩되는 몰딩부를 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 버틈 리드 패키지.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 금속와이어의 재질은 금인 것을 특징으로 하는 버틈 리드 패키지.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 접착제는 절연성 접착제인 것을 특징으로 하는 버틈 리드 패키지.
KR1019970008654A 1997-03-14 1997-03-14 버틈 리드 패키지 KR100214561B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970008654A KR100214561B1 (ko) 1997-03-14 1997-03-14 버틈 리드 패키지
JP847098A JP2914944B2 (ja) 1997-03-14 1998-01-20 ボトムリードパッケージ
US09/023,287 US6043430A (en) 1997-03-14 1998-02-13 Bottom lead semiconductor chip package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970008654A KR100214561B1 (ko) 1997-03-14 1997-03-14 버틈 리드 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980073412A KR19980073412A (ko) 1998-11-05
KR100214561B1 true KR100214561B1 (ko) 1999-08-02

Family

ID=19499734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970008654A KR100214561B1 (ko) 1997-03-14 1997-03-14 버틈 리드 패키지

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6043430A (ko)
JP (1) JP2914944B2 (ko)
KR (1) KR100214561B1 (ko)

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19629767C2 (de) * 1996-07-23 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul
MY122101A (en) * 1997-03-28 2006-03-31 Rohm Co Ltd Lead frame and semiconductor device made by using it
US6195268B1 (en) * 1997-06-09 2001-02-27 Floyd K. Eide Stacking layers containing enclosed IC chips
US6110761A (en) * 1997-08-05 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Methods for simultaneously electrically and mechanically attaching lead frames to semiconductor dice and the resulting elements
JP2954110B2 (ja) * 1997-09-26 1999-09-27 九州日本電気株式会社 Csp型半導体装置及びその製造方法
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6303423B1 (en) * 1998-12-21 2001-10-16 Megic Corporation Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process
US7531417B2 (en) * 1998-12-21 2009-05-12 Megica Corporation High performance system-on-chip passive device using post passivation process
US8021976B2 (en) * 2002-10-15 2011-09-20 Megica Corporation Method of wire bonding over active area of a semiconductor circuit
US6965165B2 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's
US8178435B2 (en) 1998-12-21 2012-05-15 Megica Corporation High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US8421158B2 (en) * 1998-12-21 2013-04-16 Megica Corporation Chip structure with a passive device and method for forming the same
KR100319616B1 (ko) * 1999-04-17 2002-01-05 김영환 리드프레임 및 이를 이용한 버텀리드 반도체패키지
JP3669889B2 (ja) * 1999-04-28 2005-07-13 シャープ株式会社 半導体集積回路装置
US6265761B1 (en) * 1999-05-07 2001-07-24 Maxim Integrated Products, Inc. Semiconductor devices with improved lead frame structures
JP3215686B2 (ja) * 1999-08-25 2001-10-09 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
KR20010037247A (ko) * 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
JP2001156237A (ja) * 1999-11-25 2001-06-08 Mitsubishi Electric Corp リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置
US6384487B1 (en) 1999-12-06 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Bow resistant plastic semiconductor package and method of fabrication
US6700210B1 (en) * 1999-12-06 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Electronic assemblies containing bow resistant semiconductor packages
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
KR100324333B1 (ko) 2000-01-04 2002-02-16 박종섭 적층형 패키지 및 그 제조 방법
US6229202B1 (en) 2000-01-10 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor package having downset leadframe for reducing package bow
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US6424031B1 (en) * 2000-05-08 2002-07-23 Amkor Technology, Inc. Stackable package with heat sink
US6624507B1 (en) 2000-05-09 2003-09-23 National Semiconductor Corporation Miniature semiconductor package for opto-electronic devices
US6707140B1 (en) * 2000-05-09 2004-03-16 National Semiconductor Corporation Arrayable, scaleable, and stackable molded package configuration
US6916121B2 (en) 2001-08-03 2005-07-12 National Semiconductor Corporation Optical sub-assembly for optoelectronic modules
US6767140B2 (en) * 2000-05-09 2004-07-27 National Semiconductor Corporation Ceramic optical sub-assembly for opto-electronic module utilizing LTCC (low-temperature co-fired ceramic) technology
US6642613B1 (en) 2000-05-09 2003-11-04 National Semiconductor Corporation Techniques for joining an opto-electronic module to a semiconductor package
US6765275B1 (en) * 2000-05-09 2004-07-20 National Semiconductor Corporation Two-layer electrical substrate for optical devices
US6667544B1 (en) 2000-06-30 2003-12-23 Amkor Technology, Inc. Stackable package having clips for fastening package and tool for opening clips
JP4637380B2 (ja) * 2001-02-08 2011-02-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100393448B1 (ko) * 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US6597059B1 (en) 2001-04-04 2003-07-22 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package
US7269027B2 (en) * 2001-08-03 2007-09-11 National Semiconductor Corporation Ceramic optical sub-assembly for optoelectronic modules
US7023705B2 (en) 2001-08-03 2006-04-04 National Semiconductor Corporation Ceramic optical sub-assembly for optoelectronic modules
US6759275B1 (en) 2001-09-04 2004-07-06 Megic Corporation Method for making high-performance RF integrated circuits
US6973225B2 (en) * 2001-09-24 2005-12-06 National Semiconductor Corporation Techniques for attaching rotated photonic devices to an optical sub-assembly in an optoelectronic package
JP2003100988A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
DE10147375B4 (de) * 2001-09-26 2006-06-08 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10147376B4 (de) * 2001-09-26 2009-01-15 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
JP2004079760A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその組立方法
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
JP3918794B2 (ja) 2002-12-10 2007-05-23 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器およびその製造方法並びに電子機器
TW200414676A (en) * 2002-12-10 2004-08-01 Seiko Epson Corp Piezoelectric oscillator and production method thereof, portable phone device, and electronic apparatus
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
TWI236763B (en) * 2003-05-27 2005-07-21 Megic Corp High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US6985668B2 (en) * 2003-07-15 2006-01-10 National Semiconductor Corporation Multi-purpose optical light pipe
US7156562B2 (en) * 2003-07-15 2007-01-02 National Semiconductor Corporation Opto-electronic module form factor having adjustable optical plane height
US7368810B2 (en) * 2003-08-29 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Invertible microfeature device packages
TWI228303B (en) * 2003-10-29 2005-02-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package, method for manufacturing the same and lead frame for use in the same
TWM253056U (en) * 2004-02-13 2004-12-11 Optimum Care Int Tech Inc Compact chip packaging structure
US7355282B2 (en) 2004-09-09 2008-04-08 Megica Corporation Post passivation interconnection process and structures
US8008775B2 (en) 2004-09-09 2011-08-30 Megica Corporation Post passivation interconnection structures
US8384189B2 (en) * 2005-03-29 2013-02-26 Megica Corporation High performance system-on-chip using post passivation process
CN1901163B (zh) * 2005-07-22 2011-04-13 米辑电子股份有限公司 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7385299B2 (en) * 2006-02-25 2008-06-10 Stats Chippac Ltd. Stackable integrated circuit package system with multiple interconnect interface
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US20080157324A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Jia Miao Tang Stacked die package with die interconnects
US7821114B2 (en) * 2008-01-28 2010-10-26 Fairchild Semiconductor Corporation Multiphase synchronous buck converter
US8067307B2 (en) * 2008-02-26 2011-11-29 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system for stackable devices
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
JP6133093B2 (ja) * 2013-03-25 2017-05-24 本田技研工業株式会社 電力変換装置
JP6239840B2 (ja) * 2013-03-27 2017-11-29 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9508632B1 (en) * 2015-06-24 2016-11-29 Freescale Semiconductor, Inc. Apparatus and methods for stackable packaging
KR20200002194A (ko) * 2018-06-29 2020-01-08 엘지디스플레이 주식회사 집적회로, 집적회로를 갖는 회로보드 및 이를 이용한 표시장치
JP7268988B2 (ja) * 2018-11-08 2023-05-08 新光電気工業株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583375A (en) * 1990-06-11 1996-12-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor device with lead structure within the planar area of the device
KR940007757Y1 (ko) * 1991-11-14 1994-10-24 금성일렉트론 주식회사 반도체 패키지
JPH088389A (ja) * 1994-04-20 1996-01-12 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置ユニット
KR0184076B1 (ko) * 1995-11-28 1999-03-20 김광호 상하 접속 수단이 패키지 내부에 형성되어 있는 3차원 적층형 패키지
KR0179803B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-20 문정환 리드노출형 반도체 패키지
KR100204753B1 (ko) * 1996-03-08 1999-06-15 윤종용 엘오씨 유형의 적층 칩 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
JP2914944B2 (ja) 1999-07-05
JPH10256475A (ja) 1998-09-25
US6043430A (en) 2000-03-28
KR19980073412A (ko) 1998-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100214561B1 (ko) 버틈 리드 패키지
KR100294719B1 (ko) 수지밀봉형 반도체장치 및 그 제조방법, 리드프레임
KR100260997B1 (ko) 반도체패키지
US6441495B1 (en) Semiconductor device of stacked chips
CN100490140C (zh) 双规引线框
US6759737B2 (en) Semiconductor package including stacked chips with aligned input/output pads
US5770888A (en) Integrated chip package with reduced dimensions and leads exposed from the top and bottom of the package
KR20030085993A (ko) 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조방법
JP2738568B2 (ja) 半導体チップモジュール
JPH06302653A (ja) 半導体装置
US6501160B1 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mount structure
KR100226335B1 (ko) 플라스틱 성형회로 패키지
JP2001156251A (ja) 半導体装置
JPH10335368A (ja) ワイヤボンディング構造及び半導体装置
JPH0582582A (ja) 半導体装置
JP2006237503A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2000349222A (ja) リードフレーム及び半導体パッケージ
KR100507131B1 (ko) 엠씨엠 볼 그리드 어레이 패키지 형성 방법
JPH11260850A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100340862B1 (ko) 스택패키지및그의제조방법
JPH09129796A (ja) 半導体装置
JP3973309B2 (ja) 半導体装置
KR100258607B1 (ko) 리드 온 칩 타입의 칩 스케일 반도체 패키지 구조 및 제조방법
KR100218335B1 (ko) 칩 사이즈 패키지
JPH07273275A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120424

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee