JP2954110B2 - Csp型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
Csp型半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CSP型半導体装
置及びその製造方法に関し、特にCOL−BGA構造を
有するCSP型半導体装置及び製造方法に関する。
置及びその製造方法に関し、特にCOL−BGA構造を
有するCSP型半導体装置及び製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のチップサイズパッケージ(Chi
p Size Package.以下CSPと記す。)
型半導体装置は、図9(a),(b)に示すように、半
導体チップ60Aの裏面に、接着性の絶縁テープ70A
でリード30が貼り付けられ、半導体チップ60A表面
のボンディング用のパッド50とリード30とがワイヤ
90で接続され、モールド樹脂110Aで封止され、各
リードには半田ボール120が接続されている。なお、
40は吊りピンである。これは、同時に、チップオンリ
ード(Chip On Lead.以下COLと記
す。)構造及びボールグリッドアレイ(Ball Gr
id Array.以下BGAと記す。)構造を有して
いる。
p Size Package.以下CSPと記す。)
型半導体装置は、図9(a),(b)に示すように、半
導体チップ60Aの裏面に、接着性の絶縁テープ70A
でリード30が貼り付けられ、半導体チップ60A表面
のボンディング用のパッド50とリード30とがワイヤ
90で接続され、モールド樹脂110Aで封止され、各
リードには半田ボール120が接続されている。なお、
40は吊りピンである。これは、同時に、チップオンリ
ード(Chip On Lead.以下COLと記
す。)構造及びボールグリッドアレイ(Ball Gr
id Array.以下BGAと記す。)構造を有して
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図9(a),(b)に
示す従来のCOL−BGA構造のCSP型半導体装置
は、半導体チップのボンディング用のパッド50とリー
ド30とをワイヤ90で接続するときに、図10に示す
ように、ワイヤボンディング装置のキャピラリー130
が半導体チップ60Aと接触しないように、リード30
とワイヤ90との接続点は、半導体チップ60Aから一
定距離(半導体チップ60Aの側面とワイヤ90との距
離、キャピラリー130の寸法及びマージンで定ま
る)、例えば250〜300μm遠ざけなければならな
い。更に、ワイヤ90及びリード30との接続点は、モ
ールド樹脂110A内に納めなければならない。耐湿性
を確保するためである。CSP型半導体装置では、外形
寸法を許容値内に収めなければならないのは勿論とし
て、半導体チップの側面とモールド樹脂の側面の距離を
片側で1mm以下に押さえなければならない。モールド
樹脂のバリの寸法が約200μm、半導体チップの寸法
のばらつきが±50μmあり、半導体チップのマウント
時の位置ずれやワイヤボンディング時の位置ずれも避け
ることができないので、ワイヤ90とリード30との接
続点からみたモールド樹脂の厚さはかなり薄くなってし
まう。更に、この接続点に近いところでリード30の端
部がモールド樹脂110Aから露出している。従って、
CSP型半導体装置の耐湿性の確保もしくは歩留まりを
確保することは困難な状況にあるといわねばならない。
示す従来のCOL−BGA構造のCSP型半導体装置
は、半導体チップのボンディング用のパッド50とリー
ド30とをワイヤ90で接続するときに、図10に示す
ように、ワイヤボンディング装置のキャピラリー130
が半導体チップ60Aと接触しないように、リード30
とワイヤ90との接続点は、半導体チップ60Aから一
定距離(半導体チップ60Aの側面とワイヤ90との距
離、キャピラリー130の寸法及びマージンで定ま
る)、例えば250〜300μm遠ざけなければならな
い。更に、ワイヤ90及びリード30との接続点は、モ
ールド樹脂110A内に納めなければならない。耐湿性
を確保するためである。CSP型半導体装置では、外形
寸法を許容値内に収めなければならないのは勿論とし
て、半導体チップの側面とモールド樹脂の側面の距離を
片側で1mm以下に押さえなければならない。モールド
樹脂のバリの寸法が約200μm、半導体チップの寸法
のばらつきが±50μmあり、半導体チップのマウント
時の位置ずれやワイヤボンディング時の位置ずれも避け
ることができないので、ワイヤ90とリード30との接
続点からみたモールド樹脂の厚さはかなり薄くなってし
まう。更に、この接続点に近いところでリード30の端
部がモールド樹脂110Aから露出している。従って、
CSP型半導体装置の耐湿性の確保もしくは歩留まりを
確保することは困難な状況にあるといわねばならない。
【0004】本発明の目的は、耐湿性もしくは歩留まり
の向上に適したCSP型半導体装置及びその製造方法を
提供することにある。
の向上に適したCSP型半導体装置及びその製造方法を
提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のCSP型半導体
装置は、1主面側に電子回路並びに前記電子回路の複数
の端子である第1のパッド及び第2のパッドを形成した
半導体チップ、前記半導体チップの前記1主面と対向す
る裏面に貼り付けられた絶縁テープ、前記半導体チップ
の裏面側に前記絶縁テープを間に挟んで並行配置された
第1のリード及び第2のリード並びに前記第1のパッド
及び第2のパッドをそれぞれ前記第1のリード及び第2
のリードにそれぞれ接続する第1のワイヤ及び第2のワ
イヤを封止するモールド樹脂を有してなり、前記第1の
リードが前記モールド樹脂の第1の側面から前記半導体
チップの下を通過し前記第1の側面に対向する第2の側
面に達しない第1の端部を有し前記第1の端部に前記第
1のワイヤが接続され、前記第2のリードが前記モール
ド樹脂の第2の側面から前記半導体チップの下を通過し
前記第1の側面に達しない第2の端部を有し前記第2の
端部に前記第2のワイヤが接続され、前記樹脂モールド
を貫通して前記第1のリード及び第2のリードにそれぞ
れ接続する第1の導電性ボール及び第2の導電性ボール
が設けられているというものである。
装置は、1主面側に電子回路並びに前記電子回路の複数
の端子である第1のパッド及び第2のパッドを形成した
半導体チップ、前記半導体チップの前記1主面と対向す
る裏面に貼り付けられた絶縁テープ、前記半導体チップ
の裏面側に前記絶縁テープを間に挟んで並行配置された
第1のリード及び第2のリード並びに前記第1のパッド
及び第2のパッドをそれぞれ前記第1のリード及び第2
のリードにそれぞれ接続する第1のワイヤ及び第2のワ
イヤを封止するモールド樹脂を有してなり、前記第1の
リードが前記モールド樹脂の第1の側面から前記半導体
チップの下を通過し前記第1の側面に対向する第2の側
面に達しない第1の端部を有し前記第1の端部に前記第
1のワイヤが接続され、前記第2のリードが前記モール
ド樹脂の第2の側面から前記半導体チップの下を通過し
前記第1の側面に達しない第2の端部を有し前記第2の
端部に前記第2のワイヤが接続され、前記樹脂モールド
を貫通して前記第1のリード及び第2のリードにそれぞ
れ接続する第1の導電性ボール及び第2の導電性ボール
が設けられているというものである。
【0006】この場合、第1のリード及び第2のリード
全体が半導体チップの裏面を含む平面より下側に位置
し、第1の端部及び第2の端部がそれぞれ第1のワイヤ
及び第2のワイヤとボンディングされているようにする
ことができる。或いは、第1のリード及び第2のリード
がそれぞれ半導体チップの下を通過した後半導体チップ
の一主面側へ折り曲げられ、第1の端部及び第2の端部
がそれぞれ第1のワイヤ及び第2のワイヤと半田により
接合されているようにすることができる。
全体が半導体チップの裏面を含む平面より下側に位置
し、第1の端部及び第2の端部がそれぞれ第1のワイヤ
及び第2のワイヤとボンディングされているようにする
ことができる。或いは、第1のリード及び第2のリード
がそれぞれ半導体チップの下を通過した後半導体チップ
の一主面側へ折り曲げられ、第1の端部及び第2の端部
がそれぞれ第1のワイヤ及び第2のワイヤと半田により
接合されているようにすることができる。
【0007】本発明のCSP型半導体装置の第1の製造
方法は、互いに平行な第1のフレーム及び第2のフレー
ム、前記第1のフレーム及び第2のフレームを連結する
第1のタイバー及び第2のタイバー、前記第1のタイバ
ーから分岐して第2のタイバーへ向けて延び第1の端部
を有する第1のリード、前記第2のタイバーから分岐し
て第1のタイバーへ向けて延び第2の端部を有する第2
のリード、前記第1のフレームから分岐する第1の吊り
ピン及び前記第2のフレームから分岐する第2の吊りピ
ンを有するリードフレームを準備する工程と、1主面側
に電子回路並びに前記電子回路の複数の端子である第1
のパッド及び第2のパッドを形成した半導体チップの前
記1主面と対向する裏面に絶縁テープを貼り付け絶縁性
接着材で前記リードフレームの第1の吊りピン及び第2
の吊りピンに接合する工程と、前記第1のパッド及び第
2のパッドと第1の端部及び第2の端部をそれぞれ第1
のワイヤ及び第2のワイヤで接続するワイヤボンディン
グ工程と、前記第1のリードの第1のタイバー寄り部分
及び第2のリードの第2のタイバー寄り部分を機械的に
変形させることにより第1の端部及び第2の端部をそれ
ぞれ前記半導体チップ寄りに移動する工程と、前記第1
のリード、第2のリード、第1の吊りピン及び第2の吊
りピンのうち前記半導体チップに近接配置された部分と
その周辺の前記第1の端部及び第2の端部を含む部分、
前記第1のワイヤ、第2のワイヤ並びに前記半導体チッ
プを封止するモールド樹脂を形成する工程と、前記モー
ルド樹脂を選択的に除去して前記第1のリード及び第2
のリードを露出させ第1の導電性ボール及び第2の導電
性ボールを形成する工程と、前記第1のリード、第2の
リード、第1の吊りピン及び第2の吊りピンを切断して
前記第1のタイバー、第2のタイバー、第1のフレーム
及び第2のフレームから切り離す工程とを有するという
ものである。
方法は、互いに平行な第1のフレーム及び第2のフレー
ム、前記第1のフレーム及び第2のフレームを連結する
第1のタイバー及び第2のタイバー、前記第1のタイバ
ーから分岐して第2のタイバーへ向けて延び第1の端部
を有する第1のリード、前記第2のタイバーから分岐し
て第1のタイバーへ向けて延び第2の端部を有する第2
のリード、前記第1のフレームから分岐する第1の吊り
ピン及び前記第2のフレームから分岐する第2の吊りピ
ンを有するリードフレームを準備する工程と、1主面側
に電子回路並びに前記電子回路の複数の端子である第1
のパッド及び第2のパッドを形成した半導体チップの前
記1主面と対向する裏面に絶縁テープを貼り付け絶縁性
接着材で前記リードフレームの第1の吊りピン及び第2
の吊りピンに接合する工程と、前記第1のパッド及び第
2のパッドと第1の端部及び第2の端部をそれぞれ第1
のワイヤ及び第2のワイヤで接続するワイヤボンディン
グ工程と、前記第1のリードの第1のタイバー寄り部分
及び第2のリードの第2のタイバー寄り部分を機械的に
変形させることにより第1の端部及び第2の端部をそれ
ぞれ前記半導体チップ寄りに移動する工程と、前記第1
のリード、第2のリード、第1の吊りピン及び第2の吊
りピンのうち前記半導体チップに近接配置された部分と
その周辺の前記第1の端部及び第2の端部を含む部分、
前記第1のワイヤ、第2のワイヤ並びに前記半導体チッ
プを封止するモールド樹脂を形成する工程と、前記モー
ルド樹脂を選択的に除去して前記第1のリード及び第2
のリードを露出させ第1の導電性ボール及び第2の導電
性ボールを形成する工程と、前記第1のリード、第2の
リード、第1の吊りピン及び第2の吊りピンを切断して
前記第1のタイバー、第2のタイバー、第1のフレーム
及び第2のフレームから切り離す工程とを有するという
ものである。
【0008】又、本発明のCSP型半導体装置の第2の
製造方法は、互いに平行な第1のフレーム及び第2のフ
レーム、前記第1のフレーム及び第2のフレームを連結
する第1のタイバー及び第2のタイバー、前記第1のタ
イバーから分岐して第2のタイバーへ向けて延びた後前
記第1のフレーム及び第2のフレームを含む面の一方の
側へ遠ざかるように折り曲げられて第1の端部を有する
第1のリード、前記第2のタイバーから分岐して第1の
タイバーへ向けて延びた後前記一方の側へ遠ざかるよう
に折り曲げられて第2の端部を有する第2のリード、前
記第1のフレームから分岐する第1の吊りピン及び前記
第2のフレームから分岐する第2の吊りピンを有するリ
ードフレームを準備する工程と、1主面側に電子回路並
びに前記電子回路の複数の端子である第1のパッド及び
第2のパッドを形成した半導体チップの前記1主面と対
向する裏面に絶縁テープを貼り付け前記第1の端部と第
2の端部との間において絶縁性接着材で前記リードフレ
ームの第1の吊りピン及び第2の吊りピンに接合する工
程と、前記第1のパッド及び第2のパッドと第2のタイ
バー及び第1のタイバーとをそれぞれ第1の端部及び第
2の端部上を通る第1のワイヤ及び第2のワイヤで接続
するワイヤボンディング工程と、前記第1のワイヤと第
1の端部及び第2のワイヤと第2の端部をそれぞれ半田
で接合する工程と、前記第1のワイヤと第1の端部の半
田接合部及び第2のワイヤと第2の端部の半田接合部か
らそれぞれ第1のワイヤ及び第2のワイヤを切断して第
2のタイバー及び第1のタイバーから切り離す工程と、
前記第1のリード、第2のリード、第1の吊りピン及び
第2の吊りピンのうち前記半導体チップに近接配置され
た部分とその周辺の前記第1の端部及び第2の端部を含
む部分、前記第1のワイヤ、第2のワイヤー並びに前記
半導体チップを封止するモールド樹脂を形成する工程
と、前記モールド樹脂を選択的に除去して前記第1のリ
ード及び第2のリードを露出させ第1の導電性ボール及
び第2の導電性ボールを形成する工程と、前記第1のリ
ード、第2のリード、第1の吊りピン及び第2の吊りピ
ンを切断して前記第1のタイバー、第2のタイバー、第
1のフレーム及び第2のフレームから切り離す工程とを
有するというものである。
製造方法は、互いに平行な第1のフレーム及び第2のフ
レーム、前記第1のフレーム及び第2のフレームを連結
する第1のタイバー及び第2のタイバー、前記第1のタ
イバーから分岐して第2のタイバーへ向けて延びた後前
記第1のフレーム及び第2のフレームを含む面の一方の
側へ遠ざかるように折り曲げられて第1の端部を有する
第1のリード、前記第2のタイバーから分岐して第1の
タイバーへ向けて延びた後前記一方の側へ遠ざかるよう
に折り曲げられて第2の端部を有する第2のリード、前
記第1のフレームから分岐する第1の吊りピン及び前記
第2のフレームから分岐する第2の吊りピンを有するリ
ードフレームを準備する工程と、1主面側に電子回路並
びに前記電子回路の複数の端子である第1のパッド及び
第2のパッドを形成した半導体チップの前記1主面と対
向する裏面に絶縁テープを貼り付け前記第1の端部と第
2の端部との間において絶縁性接着材で前記リードフレ
ームの第1の吊りピン及び第2の吊りピンに接合する工
程と、前記第1のパッド及び第2のパッドと第2のタイ
バー及び第1のタイバーとをそれぞれ第1の端部及び第
2の端部上を通る第1のワイヤ及び第2のワイヤで接続
するワイヤボンディング工程と、前記第1のワイヤと第
1の端部及び第2のワイヤと第2の端部をそれぞれ半田
で接合する工程と、前記第1のワイヤと第1の端部の半
田接合部及び第2のワイヤと第2の端部の半田接合部か
らそれぞれ第1のワイヤ及び第2のワイヤを切断して第
2のタイバー及び第1のタイバーから切り離す工程と、
前記第1のリード、第2のリード、第1の吊りピン及び
第2の吊りピンのうち前記半導体チップに近接配置され
た部分とその周辺の前記第1の端部及び第2の端部を含
む部分、前記第1のワイヤ、第2のワイヤー並びに前記
半導体チップを封止するモールド樹脂を形成する工程
と、前記モールド樹脂を選択的に除去して前記第1のリ
ード及び第2のリードを露出させ第1の導電性ボール及
び第2の導電性ボールを形成する工程と、前記第1のリ
ード、第2のリード、第1の吊りピン及び第2の吊りピ
ンを切断して前記第1のタイバー、第2のタイバー、第
1のフレーム及び第2のフレームから切り離す工程とを
有するというものである。
【0009】リードとワイヤをボンディングした後リー
ドを移動させるか若しくはあらかじめリードを折り曲げ
ておいてワイヤをタイバーにボンディングした後リード
に接合することにより、リードとワイヤの接続点を半導
体チップに近づけることができる。
ドを移動させるか若しくはあらかじめリードを折り曲げ
ておいてワイヤをタイバーにボンディングした後リード
に接合することにより、リードとワイヤの接続点を半導
体チップに近づけることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態につい
て、製造工程に沿って説明する。
て、製造工程に沿って説明する。
【0011】図1(a)、(b)に示すように、 互い
に平行な第1のフレーム11及び第2のフレーム12、
第1のフレーム11及び第2のフレーム12を連結する
第1のタイバー21及び第2のタイバー22、第1のタ
イバー21から分岐して第2のタイバー22へ向けて延
び第1の端部31aを有する第1のリード31、第2の
タイバー22から分岐して第1のタイバー21へ向けて
延び第2の端部32aを有する第2のリード32、第1
のフレーム11から分岐する第1の吊りピン41及び第
2のフレーム12から分岐する第2の吊りピン42を有
するリードフレームを準備する。
に平行な第1のフレーム11及び第2のフレーム12、
第1のフレーム11及び第2のフレーム12を連結する
第1のタイバー21及び第2のタイバー22、第1のタ
イバー21から分岐して第2のタイバー22へ向けて延
び第1の端部31aを有する第1のリード31、第2の
タイバー22から分岐して第1のタイバー21へ向けて
延び第2の端部32aを有する第2のリード32、第1
のフレーム11から分岐する第1の吊りピン41及び第
2のフレーム12から分岐する第2の吊りピン42を有
するリードフレームを準備する。
【0012】次に、1主面側に図示しない電子回路並び
にこの電子回路の複数の端子である第1のパッド51及
び第2のパッド52を形成した半導体チップ60の前述
の1主面と対向する裏面に絶縁テープ70を貼り付け絶
縁性接着材80で前述のリードフレームの第1の吊りピ
ン41及び第2の吊りピン42に接合する。
にこの電子回路の複数の端子である第1のパッド51及
び第2のパッド52を形成した半導体チップ60の前述
の1主面と対向する裏面に絶縁テープ70を貼り付け絶
縁性接着材80で前述のリードフレームの第1の吊りピ
ン41及び第2の吊りピン42に接合する。
【0013】次に、第1のパッド51及び第2のパッド
52と第1の端部31a及び第2の端部32aをそれぞ
れ第1のワイヤ91及び第2のワイヤ92でワイヤボン
ディングにより接続する。この場合、パッドとその近傍
のワイヤのなす角度及びリードとその近傍のワイヤのな
す角度は、いずれもほぼ直角にするのが好ましい。
52と第1の端部31a及び第2の端部32aをそれぞ
れ第1のワイヤ91及び第2のワイヤ92でワイヤボン
ディングにより接続する。この場合、パッドとその近傍
のワイヤのなす角度及びリードとその近傍のワイヤのな
す角度は、いずれもほぼ直角にするのが好ましい。
【0014】次に、図2(a)、(b)に示すように、
第1のリード31の第1のタイバー21寄り部分及び第
2のリード32の第2のタイバー22寄り部分を機械的
に変形させる(第1の折り曲げ部101及び第2の折り
曲げ部102を形成する)ことにより第1の端部31a
及び第2の端部32aをそれぞれ半導体チップ60寄り
にほぼ平行移動する。これにより半導体チップ60の側
面から50μm〜100μm離れた位置にワイヤとリー
ドの接続点がくるようにする。
第1のリード31の第1のタイバー21寄り部分及び第
2のリード32の第2のタイバー22寄り部分を機械的
に変形させる(第1の折り曲げ部101及び第2の折り
曲げ部102を形成する)ことにより第1の端部31a
及び第2の端部32aをそれぞれ半導体チップ60寄り
にほぼ平行移動する。これにより半導体チップ60の側
面から50μm〜100μm離れた位置にワイヤとリー
ドの接続点がくるようにする。
【0015】次に、図3(a)、(b)に示すように、
第1のリード31、第2のリード32、第1の吊りピン
41及び第2の吊りピン42のうち半導体チップ60に
近接配置された部分とその周辺の第1の端部31a及び
第2の端部32aを含む部分、第1のワイヤ91、第2
のワイヤ92並びに半導体チップ60を封止するモール
ド樹脂110を形成する。
第1のリード31、第2のリード32、第1の吊りピン
41及び第2の吊りピン42のうち半導体チップ60に
近接配置された部分とその周辺の第1の端部31a及び
第2の端部32aを含む部分、第1のワイヤ91、第2
のワイヤ92並びに半導体チップ60を封止するモール
ド樹脂110を形成する。
【0016】次に、モールド樹脂110を選択的に除去
して第1のリード31及び第2のリード32を露出させ
た後これらにそれぞれ接続する第1の半田ボール121
及び第2の半田ボール122をリフローソルダリングな
どにより形成する。
して第1のリード31及び第2のリード32を露出させ
た後これらにそれぞれ接続する第1の半田ボール121
及び第2の半田ボール122をリフローソルダリングな
どにより形成する。
【0017】次に、第1のリード31、第2のリード3
2、第1の吊りピン41及び第2の吊りピン42を切断
して第1のタイバー21、第2のタイバー22、第1の
フレーム11及び第2のフレーム12から切り離すこと
により、図4(a)、(b)に示すCSP型半導体装置
を得る。
2、第1の吊りピン41及び第2の吊りピン42を切断
して第1のタイバー21、第2のタイバー22、第1の
フレーム11及び第2のフレーム12から切り離すこと
により、図4(a)、(b)に示すCSP型半導体装置
を得る。
【0018】この本発明の第1の実施の形態のCSP型
多半導体装置は、1主面側に図示しない電子回路並びに
この電子回路の複数の端子である第1のパッド51及び
第2のパッド52を形成した半導体チップ60、半導体
チップ60の前述の1主面と対向する裏面に貼り付けら
れた絶縁テープ70、半導体チップ60の裏面側に絶縁
テープ70を間に挟んで並行配置された第1のリード3
1及び第2のリード32並びに第1のパッド51及び第
2のパッド52をそれぞれ第1のリード31及び第2の
リード32にそれぞれ接続する第1のワイヤ91及び第
2のワイヤ92を封止するモールド樹脂110を有して
なり、第1のリード31がモールド樹脂110の第1の
側面141から半導体チップ60の下を通過し第1の側
面141に対向する第2の側面142に達しない第1の
端部31aを有し第1の端部31aに第1のワイヤ91
が接続され、第2のリード32がモールド樹脂110の
第2の側面142から半導体チップ60の下を通過し第
1の側面141に達しない第2の端部32aを有し第2
の端部32aに第2のワイヤ92が接続され、モールド
樹脂110を貫通して第1のリード31及び第2のリー
ド32にそれぞれ接続する第1の半田ボール121及び
第2の半田ボール122が設けられているというもので
ある。
多半導体装置は、1主面側に図示しない電子回路並びに
この電子回路の複数の端子である第1のパッド51及び
第2のパッド52を形成した半導体チップ60、半導体
チップ60の前述の1主面と対向する裏面に貼り付けら
れた絶縁テープ70、半導体チップ60の裏面側に絶縁
テープ70を間に挟んで並行配置された第1のリード3
1及び第2のリード32並びに第1のパッド51及び第
2のパッド52をそれぞれ第1のリード31及び第2の
リード32にそれぞれ接続する第1のワイヤ91及び第
2のワイヤ92を封止するモールド樹脂110を有して
なり、第1のリード31がモールド樹脂110の第1の
側面141から半導体チップ60の下を通過し第1の側
面141に対向する第2の側面142に達しない第1の
端部31aを有し第1の端部31aに第1のワイヤ91
が接続され、第2のリード32がモールド樹脂110の
第2の側面142から半導体チップ60の下を通過し第
1の側面141に達しない第2の端部32aを有し第2
の端部32aに第2のワイヤ92が接続され、モールド
樹脂110を貫通して第1のリード31及び第2のリー
ド32にそれぞれ接続する第1の半田ボール121及び
第2の半田ボール122が設けられているというもので
ある。
【0019】半導体チップのパッドとリードをワイヤボ
ンディングで接続した後、リードを機械的に変形してワ
イヤが接続されている端部を半導体チップ寄りにほぼ平
行移動させるので、リードの端部と半導体チップの側面
との距離をワイヤボンディング時より近づけることがで
きる。従って、半導体チップの側面とモールド樹脂の側
面までの距離が一定とすると、リードとワイヤの接続点
とモールド樹脂の側面との距離を大きくできる。更に、
リードの端部をモールド樹脂から露出しないようにする
ことができる。雰囲気中の水分を樹脂で遮断するので、
耐湿性が改善され、歩留まりも向上する。
ンディングで接続した後、リードを機械的に変形してワ
イヤが接続されている端部を半導体チップ寄りにほぼ平
行移動させるので、リードの端部と半導体チップの側面
との距離をワイヤボンディング時より近づけることがで
きる。従って、半導体チップの側面とモールド樹脂の側
面までの距離が一定とすると、リードとワイヤの接続点
とモールド樹脂の側面との距離を大きくできる。更に、
リードの端部をモールド樹脂から露出しないようにする
ことができる。雰囲気中の水分を樹脂で遮断するので、
耐湿性が改善され、歩留まりも向上する。
【0020】次に、本発明の第2の実施の形態につい
て、製造工程に沿って説明する。
て、製造工程に沿って説明する。
【0021】図5(a)、(b)に示すように、互いに
平行な第1のフレーム11及び第2のフレーム12、第
1のフレーム11及び第2のフレーム12を連結する第
1のタイバー21及び第2のタイバー22、第1のタイ
バー21から分岐して第2のタイバー22へ向けて延び
た後第1のフレーム11及び第2のフレーム12を含む
面の一方の側へ遠ざかるようにほぼ直角に折り曲げられ
て第1の端部31Aaを有する第1のリード31A、第
2のタイバー22から分岐して第1のタイバー21へ向
けて延びた後前述の一方の側へ遠ざかるようにほぼ直角
に折り曲げられて第2の端部32Aaを有する第2のリ
ード32A、第1のフレーム11から分岐する第1の吊
りピン41及び第2のフレーム12から分岐する第2の
吊りピン42を有するリードフレームを準備する。
平行な第1のフレーム11及び第2のフレーム12、第
1のフレーム11及び第2のフレーム12を連結する第
1のタイバー21及び第2のタイバー22、第1のタイ
バー21から分岐して第2のタイバー22へ向けて延び
た後第1のフレーム11及び第2のフレーム12を含む
面の一方の側へ遠ざかるようにほぼ直角に折り曲げられ
て第1の端部31Aaを有する第1のリード31A、第
2のタイバー22から分岐して第1のタイバー21へ向
けて延びた後前述の一方の側へ遠ざかるようにほぼ直角
に折り曲げられて第2の端部32Aaを有する第2のリ
ード32A、第1のフレーム11から分岐する第1の吊
りピン41及び第2のフレーム12から分岐する第2の
吊りピン42を有するリードフレームを準備する。
【0022】次に、1主面側に図示しない電子回路並び
に前述の電子回路の複数の端子である第1のパッド51
及び第2のパッド52を形成した半導体チップ60の前
述の1主面と対向する裏面に絶縁テープ70を貼り付け
第1の端部31Aaと第2の端部32Aaとの間におい
て絶縁性接着材80で前述のリードフレームの第1の吊
りピン41及び第2の吊りピン42に接合する。この
時、半導体チップの側面とリードの第1の端部及び第2
の端部との間隔は、それぞれ50μm〜100μmとな
るように、リードフレーム及び半導体チップ60の寸法
が設定されているものとする。なお、第1の端部31A
a及び第2の端部32Aaの厚さは、約100μmとす
る。
に前述の電子回路の複数の端子である第1のパッド51
及び第2のパッド52を形成した半導体チップ60の前
述の1主面と対向する裏面に絶縁テープ70を貼り付け
第1の端部31Aaと第2の端部32Aaとの間におい
て絶縁性接着材80で前述のリードフレームの第1の吊
りピン41及び第2の吊りピン42に接合する。この
時、半導体チップの側面とリードの第1の端部及び第2
の端部との間隔は、それぞれ50μm〜100μmとな
るように、リードフレーム及び半導体チップ60の寸法
が設定されているものとする。なお、第1の端部31A
a及び第2の端部32Aaの厚さは、約100μmとす
る。
【0023】次に、第1のパッド51及び第2のパッド
52と第2のタイバー22及び第1のタイバー21とを
それぞれ第1の端部31Aa及び第2の端部32Aa上
を通る第1のワイヤ91A及び第2のワイヤ92Aでワ
イヤボンディングにより接続する。
52と第2のタイバー22及び第1のタイバー21とを
それぞれ第1の端部31Aa及び第2の端部32Aa上
を通る第1のワイヤ91A及び第2のワイヤ92Aでワ
イヤボンディングにより接続する。
【0024】次に、第1のワイヤ91Aと第1の端部3
1Aa及び第2のワイヤ92Aと第2の端部32Aaを
それぞれ、リフローソルダリングなどにより、半田13
1及び132で接合する。なお、第1の端部31Aaの
先端及び第2の端部32Aaの先端には、リフローソル
ダリングに先立つ工程、例えば、半導体チップを接合す
る前に、半田となじみやすい金などの金属をめっき法な
どにより形成しておくのがよい。
1Aa及び第2のワイヤ92Aと第2の端部32Aaを
それぞれ、リフローソルダリングなどにより、半田13
1及び132で接合する。なお、第1の端部31Aaの
先端及び第2の端部32Aaの先端には、リフローソル
ダリングに先立つ工程、例えば、半導体チップを接合す
る前に、半田となじみやすい金などの金属をめっき法な
どにより形成しておくのがよい。
【0025】次に、図6(a)、(b)に示すように、
第1のワイヤ91Aと第1の端部31Aaの半田接合部
(131)及び第2のワイヤ92Aと第2の端部32A
aの半田接合部(132)からそれぞれ第1のワイヤ9
1A及び第2のワイヤ92Aを切断して第2のタイバー
22及び第1のタイバー21から切り離す。
第1のワイヤ91Aと第1の端部31Aaの半田接合部
(131)及び第2のワイヤ92Aと第2の端部32A
aの半田接合部(132)からそれぞれ第1のワイヤ9
1A及び第2のワイヤ92Aを切断して第2のタイバー
22及び第1のタイバー21から切り離す。
【0026】次に、図7(a)、(b)に示すように、
第1のリード31A、第2のリード32A、第1の吊り
ピン21及び第2の吊りピン22のうち半導体チップ6
0に近接配置された部分とその周辺の第1の端部31A
a及び第2の端部32Aaを含む部分、第1のワイヤ9
1Aa、第2のワイヤー92Aa並びに半導体チップ6
0を封止するモールド樹脂110Bを形成する。
第1のリード31A、第2のリード32A、第1の吊り
ピン21及び第2の吊りピン22のうち半導体チップ6
0に近接配置された部分とその周辺の第1の端部31A
a及び第2の端部32Aaを含む部分、第1のワイヤ9
1Aa、第2のワイヤー92Aa並びに半導体チップ6
0を封止するモールド樹脂110Bを形成する。
【0027】次に、モールド樹脂110Bを選択的に除
去して第1のリード31A及び第2のリード32Aを露
出させこれらにそれぞれ接続する第1の半田ボール12
1A及び第2の半田ボール122を形成する。
去して第1のリード31A及び第2のリード32Aを露
出させこれらにそれぞれ接続する第1の半田ボール12
1A及び第2の半田ボール122を形成する。
【0028】次に、第1のリード31A、第2のリード
32A、第1の吊りピン41及び第2の吊りピン42を
切断して第1のタイバー21、第2のタイバー22、第
1のフレーム21及び第2のフレーム22から切り離す
ことにより、図8(a)、(b)に示すCSP型半導体
装置を得る。
32A、第1の吊りピン41及び第2の吊りピン42を
切断して第1のタイバー21、第2のタイバー22、第
1のフレーム21及び第2のフレーム22から切り離す
ことにより、図8(a)、(b)に示すCSP型半導体
装置を得る。
【0029】この本発明の第2の実施の形態のCSP型
半導体装置は、第1のリード31A及び第2のリード3
2Aがそれぞれ半導体チップ60の下を通過した後半導
体チップ60のボンディングパッド51が設けられてい
る一主面側へほぼ垂直に折り曲げられ、第1の端部31
Aa及び第2の端部32Aaがそれぞれ第1のワイヤ9
1Aa及び第2のワイヤ92Aaと半田131,132
により接合されている点で第1の実施の形態のものと相
違がある。半導体チップの側面にリードがくるので、短
絡の危険性が一層低くなる利点がある。又、リードの長
さが短くなるので、外部端子(半田ボール)からみた寄
生抵抗が小さくなる利点もある。
半導体装置は、第1のリード31A及び第2のリード3
2Aがそれぞれ半導体チップ60の下を通過した後半導
体チップ60のボンディングパッド51が設けられてい
る一主面側へほぼ垂直に折り曲げられ、第1の端部31
Aa及び第2の端部32Aaがそれぞれ第1のワイヤ9
1Aa及び第2のワイヤ92Aaと半田131,132
により接合されている点で第1の実施の形態のものと相
違がある。半導体チップの側面にリードがくるので、短
絡の危険性が一層低くなる利点がある。又、リードの長
さが短くなるので、外部端子(半田ボール)からみた寄
生抵抗が小さくなる利点もある。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードとワイヤをボンディングした後リードを移動させ
るか若しくはあらかじめリードを折り曲げておいてワイ
ヤをタイバーにボンディングした後リードに接合するこ
とにより、ワイヤボンディングに使用するキャピラリー
の寸法による制約を緩和して、半導体チップの側面から
ワイヤとリードの接続点までの距離を短くできる。従っ
て、この接続点を含むリード端をモールド樹脂内に収め
ることが可能となり、CSP型半導体装置の耐湿性を一
層向上できる。
リードとワイヤをボンディングした後リードを移動させ
るか若しくはあらかじめリードを折り曲げておいてワイ
ヤをタイバーにボンディングした後リードに接合するこ
とにより、ワイヤボンディングに使用するキャピラリー
の寸法による制約を緩和して、半導体チップの側面から
ワイヤとリードの接続点までの距離を短くできる。従っ
て、この接続点を含むリード端をモールド樹脂内に収め
ることが可能となり、CSP型半導体装置の耐湿性を一
層向上できる。
【図1】本発明の第1の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための上面図(図1(a))及び側面図
(図1(b))。
沿って説明するための上面図(図1(a))及び側面図
(図1(b))。
【図2】本発明の第1の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための図1に続いて示す上面図(図2
(a))及び側面図(図2(b))。
沿って説明するための図1に続いて示す上面図(図2
(a))及び側面図(図2(b))。
【図3】本発明の第1の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための図2に続いて示す上面図(図3
(a))及び側面図(図3(b))。
沿って説明するための図2に続いて示す上面図(図3
(a))及び側面図(図3(b))。
【図4】本発明の第1の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための図3に続いて示す上面図(図4
(a))及び側面図(図4(b))。
沿って説明するための図3に続いて示す上面図(図4
(a))及び側面図(図4(b))。
【図5】本発明の第2の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための上面図(図5(a))及び側面図
(図5(b))。
沿って説明するための上面図(図5(a))及び側面図
(図5(b))。
【図6】本発明の第2の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための図5に続いて示す上面図(図6
(a))及び側面図(図6(b))。
沿って説明するための図5に続いて示す上面図(図6
(a))及び側面図(図6(b))。
【図7】本発明の第2の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための図6に続いて示す上面図(図7
(a))及び側面図(図7(b))。
沿って説明するための図6に続いて示す上面図(図7
(a))及び側面図(図7(b))。
【図8】本発明の第2の実施の形態について製造工程に
沿って説明するための図7に続いて示す上面図(図8
(a))及び側面図(図8(b))。
沿って説明するための図7に続いて示す上面図(図8
(a))及び側面図(図8(b))。
【図9】従来例について説明するための上面図(図9
(a))及び側面図(図9(b))。
(a))及び側面図(図9(b))。
【図10】従来例の問題点の説明のための図。
【符号の説明】 11 第1のフレーム 12 第2のフレーム 21 第1のタイバー 22 第2のタイバー 30 リード 31、31A 第1のリード 31a、31Aa 第1の端部 32、32A 第2のリード 31a、32Aa 第2の端部 40 吊りピン 41 第1の吊りピン 42 第2の吊りピン 50 パッド 51 第1のパッド 52 第2のパッド 60,60A 半導体チップ 70,70A 絶縁テープ 80 絶縁性接着材 90 ワイヤ 91、91A、91Aa 第1のワイヤ 92、92A、92Aa 第2のワイヤ 101、101A 第1の折り曲げ部 102、102A 第2の折り曲げ部 110、110A、110B モールド樹脂 120 半田ボール 121 第1の半田ボール 122 第2の半田ボール 130 キャピラリー 141 第1の側面 142 第2の側面
Claims (5)
- 【請求項1】 1主面側に電子回路並びに前記電子回路
の複数の端子である第1のパッド及び第2のパッドを形
成した半導体チップ、前記半導体チップの前記1主面と
対向する裏面に貼り付けられた絶縁テープ、前記半導体
チップの裏面側に前記絶縁テープを間に挟んで並行配置
された第1のリード及び第2のリード並びに前記第1の
パッド及び第2のパッドをそれぞれ前記第1のリード及
び第2のリードにそれぞれ接続する第1のワイヤ及び第
2のワイヤを封止するモールド樹脂を有してなり、前記
第1のリードが前記モールド樹脂の第1の側面から前記
半導体チップの下を通過し前記第1の側面に対向する第
2の側面に達しない第1の端部を有し前記第1の端部に
前記第1のワイヤが接続され、前記第2のリードが前記
モールド樹脂の第2の側面から前記半導体チップの下を
通過し前記第1の側面に達しない第2の端部を有し前記
第2の端部に前記第2のワイヤが接続され、前記樹脂モ
ールドを貫通して前記第1のリード及び第2のリードに
それぞれ接続する第1の導電性ボール及び第2の導電性
ボールが設けられていることを特徴とするCSP型半導
体装置。 - 【請求項2】 第1のリード及び第2のリード全体が半
導体チップの裏面を含む平面より下側に位置し、第1の
端部及び第2の端部がそれぞれ第1のワイヤ及び第2の
ワイヤとボンディングされている請求項1記載のCSP
型半導体装置。 - 【請求項3】 第1のリード及び第2のリードがそれぞ
れ半導体チップの下を通過した後半導体チップの一主面
側へ折り曲げられ、第1の端部及び第2の端部がそれぞ
れ第1のワイヤ及び第2のワイヤと半田により接合され
ている請求項1記載のCSP型半導体装置。 - 【請求項4】 互いに平行な第1のフレーム及び第2の
フレーム、前記第1のフレーム及び第2のフレームを連
結する第1のタイバー及び第2のタイバー、前記第1の
タイバーから分岐して第2のタイバーへ向けて延び第1
の端部を有する第1のリード、前記第2のタイバーから
分岐して第1のタイバーへ向けて延び第2の端部を有す
る第2のリード、前記第1のフレームから分岐する第1
の吊りピン及び前記第2のフレームから分岐する第2の
吊りピンを有するリードフレームを準備する工程と、1
主面側に電子回路並びに前記電子回路の複数の端子であ
る第1のパッド及び第2のパッドを形成した半導体チッ
プの前記1主面と対向する裏面に絶縁テープを貼り付け
絶縁性接着材で前記リードフレームの第1の吊りピン及
び第2の吊りピンに接合する工程と、前記第1のパッド
及び第2のパッドと第1の端部及び第2の端部をそれぞ
れ第1のワイヤ及び第2のワイヤで接続するワイヤボン
ディング工程と、前記第1のリードの第1のタイバー寄
り部分及び第2のリードの第2のタイバー寄り部分を機
械的に変形させることにより第1の端部及び第2の端部
をそれぞれ前記半導体チップ寄りに移動する工程と、前
記第1のリード、第2のリード、第1の吊りピン及び第
2の吊りピンのうち前記半導体チップに近接配置された
部分とその周辺の前記第1の端部及び第2の端部を含む
部分、前記第1のワイヤ、第2のワイヤ並びに前記半導
体チップを封止するモールド樹脂を形成する工程と、前
記モールド樹脂を選択的に除去して前記第1のリード及
び第2のリードを露出させ第1の導電性ボール及び第2
の導電性ボールを形成する工程と、前記第1のリード、
第2のリード、第1の吊りピン及び第2の吊りピンを切
断して前記第1のタイバー、第2のタイバー、第1のフ
レーム及び第2のフレームから切り離す工程とを有する
ことを特徴とするCSP型半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 互いに平行な第1のフレーム及び第2の
フレーム、前記第1のフレーム及び第2のフレームを連
結する第1のタイバー及び第2のタイバー、前記第1の
タイバーから分岐して第2のタイバーへ向けて延びた後
前記第1のフレーム及び第2のフレームを含む面の一方
の側へ遠ざかるように折り曲げられて第1の端部を有す
る第1のリード、前記第2のタイバーから分岐して第1
のタイバーへ向けて延びた後前記一方の側へ遠ざかるよ
うに折り曲げられて第2の端部を有する第2のリード、
前記第1のフレームから分岐する第1の吊りピン及び前
記第2のフレームから分岐する第2の吊りピンを有する
リードフレームを準備する工程と、1主面側に電子回路
及び前記電子回路の複数の端子である第1のパッド及び
第2のパッドを形成した半導体チップの前記1主面と対
向する裏面に絶縁テープを貼り付け前記第1の端部と第
2の端部との間において絶縁性接着材で前記リードフレ
ームの第1の吊りピン及び第2の吊りピンに接合する工
程と、前記第1のパッド及び第2のパッドと第2のタイ
バー及び第1のタイバーとをそれぞれ第1の端部及び第
2の端部上を通る第1のワイヤ及び第2のワイヤで接続
するワイヤボンディング工程と、前記第1のワイヤと第
1の端部及び第2のワイヤと第2の端部をそれぞれ半田
で接合する工程と、前記第1のワイヤと第1の端部の半
田接合部及び第2のワイヤと第2の端部の半田接合部か
らそれぞれ第1のワイヤ及び第2のワイヤを切断して第
2のタイバー及び第1のタイバーから切り離す工程と、
前記第1のリード、第2のリード、第1の吊りピン及び
第2の吊りピンのうち前記半導体チップに近接配置され
た部分とその周辺の前記第1の端部及び第2の端部を含
む部分、前記第1のワイヤ、第2のワイヤー並びに前記
半導体チップを封止するモールド樹脂を形成する工程
と、前記モールド樹脂を選択的に除去して前記第1のリ
ード及び第2のリードを露出させ第1の導電性ボール及
び第2の導電性ボールを形成する工程と、前記第1のリ
ード、第2のリード、第1の吊りピン及び第2の吊りピ
ンを切断して前記第1のタイバー、第2のタイバー、第
1のフレーム及び第2のフレームから切り離す工程とを
有することを特徴とするCSP型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9262106A JP2954110B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | Csp型半導体装置及びその製造方法 |
US09/144,345 US6268652B1 (en) | 1997-09-26 | 1998-08-31 | CSP type semiconductor device with reduced package size |
CN98119391A CN1213174A (zh) | 1997-09-26 | 1998-09-25 | 一种芯片封装型半导体器件及其生产方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9262106A JP2954110B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | Csp型半導体装置及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11102928A JPH11102928A (ja) | 1999-04-13 |
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ID=17371129
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---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3501281B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2004-03-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US7148561B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-12-12 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Ball grid array substrate strip with warpage-preventive linkage structure |
JP3920629B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2007-05-30 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3849978B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2006-11-22 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ |
US7132314B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-11-07 | Texas Instruments Incorporated | System and method for forming one or more integrated circuit packages using a flexible leadframe structure |
DE102004057485B4 (de) * | 2004-11-29 | 2007-10-18 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101143836B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2012-05-04 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 반도체 패키지의 와이어 루프 형성방법 |
JP5028988B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2012-09-19 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8269324B2 (en) * | 2008-07-11 | 2012-09-18 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with chip on lead |
USD934452S1 (en) | 2017-12-04 | 2021-10-26 | Signature Systems Group Llc | Modular flooring tile with cable channels |
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Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5949416A (en) * | 1991-05-28 | 1999-09-07 | Borland International, Inc. | Method for providing help information for nested functions |
KR930014916A (ko) * | 1991-12-24 | 1993-07-23 | 김광호 | 반도체 패키지 |
JPH0637136A (ja) * | 1992-05-22 | 1994-02-10 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
EP0595021A1 (en) * | 1992-10-28 | 1994-05-04 | International Business Machines Corporation | Improved lead frame package for electronic devices |
KR100292036B1 (ko) * | 1993-08-27 | 2001-09-17 | 윤종용 | 반도체패키지의제조방법및그에 따른반도체패키지 |
WO1995026047A1 (en) * | 1994-03-18 | 1995-09-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor package manufacturing method and semiconductor package |
KR0179803B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-03-20 | 문정환 | 리드노출형 반도체 패키지 |
JP2859194B2 (ja) * | 1996-01-30 | 1999-02-17 | 九州日本電気株式会社 | プラスチックパッケージ型半導体集積回路及びその製造 方法 |
KR980006174A (ko) * | 1996-06-18 | 1998-03-30 | 문정환 | 버틈 리드 패키지 |
JP3679199B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2005-08-03 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体パッケージ装置 |
JP3012816B2 (ja) * | 1996-10-22 | 2000-02-28 | 松下電子工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
KR100237051B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2000-01-15 | 김영환 | 버텀리드 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
JP3793628B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2006-07-05 | 沖電気工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
KR100214561B1 (ko) * | 1997-03-14 | 1999-08-02 | 구본준 | 버틈 리드 패키지 |
US6271582B1 (en) * | 1997-04-07 | 2001-08-07 | Micron Technology, Inc. | Interdigitated leads-over-chip lead frame, device, and method for supporting an integrated circuit die |
US6054754A (en) * | 1997-06-06 | 2000-04-25 | Micron Technology, Inc. | Multi-capacitance lead frame decoupling device |
KR100246587B1 (ko) * | 1997-09-19 | 2000-03-15 | 유무성 | 볼 그리드 어레이 반도체 팩키지 |
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- 1997-09-26 JP JP9262106A patent/JP2954110B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1998
- 1998-08-31 US US09/144,345 patent/US6268652B1/en not_active Expired - Fee Related
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CN1213174A (zh) | 1999-04-07 |
US6268652B1 (en) | 2001-07-31 |
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Legal Events
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