JP2840232B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを樹脂モ
ールドする構造の半導体装置及びその製造方法に関する
ものである。
ールドする構造の半導体装置及びその製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化及び高
性能化の進展は著しく、これに伴って電子部品の高機能
化が急速に進んでいる。特にメモリーをはじめとする半
導体装置の分野においては電子部品の高機能化の傾向が
強く、より小型で薄型で低コストで高信頼性で且つ高密
度実装に適した半導体装置が求められている。
性能化の進展は著しく、これに伴って電子部品の高機能
化が急速に進んでいる。特にメモリーをはじめとする半
導体装置の分野においては電子部品の高機能化の傾向が
強く、より小型で薄型で低コストで高信頼性で且つ高密
度実装に適した半導体装置が求められている。
【0003】半導体装置のパッケージは、以前はセラミ
ック製が主流であったが、前記の要求から、現在は樹脂
製が主流となり、その中でも、挿入型に比べて高密度の
実装に有利である面実装型の樹脂モールドパッケージの
需要が増えている。面実装型の半導体パッケージとして
は実装形態によりQFP、SOP、SOJ等多くの種類
がある。
ック製が主流であったが、前記の要求から、現在は樹脂
製が主流となり、その中でも、挿入型に比べて高密度の
実装に有利である面実装型の樹脂モールドパッケージの
需要が増えている。面実装型の半導体パッケージとして
は実装形態によりQFP、SOP、SOJ等多くの種類
がある。
【0004】以下、図21を参照しながら、従来の半導
体装置の一例として、SOP型樹脂製パッケージを有す
る半導体装置について説明する。
体装置の一例として、SOP型樹脂製パッケージを有す
る半導体装置について説明する。
【0005】図21は従来の第1の半導体装置の断面図
であって、図21において、21は半導体チップ、22
は樹脂よりなるパッケージ、23は42アロイや銅より
なる接続用リード、25はAl電極、26はAuよりな
るボンディングワイヤ、27はダイパッド、28はAg
ペースト等よりなるダイボンドペーストである。
であって、図21において、21は半導体チップ、22
は樹脂よりなるパッケージ、23は42アロイや銅より
なる接続用リード、25はAl電極、26はAuよりな
るボンディングワイヤ、27はダイパッド、28はAg
ペースト等よりなるダイボンドペーストである。
【0006】半導体チップ21はダイボンドペースト2
8によりダイパッド27に固定されている。接続用リー
ド23の内部リード23aにはAg等のめっきが施され
ており、半導体チップ21のAl電極25はボンディン
グワイヤ26を介して接続用リード23の内部リード2
3aに接続されている。封止樹脂22は半導体チップ2
1、ボンディングワイヤ26、ダイパッド27及び内部
リード23aを封止している。接続用リード23の外部
リード23bはパッケージ22の外部に延出している。
8によりダイパッド27に固定されている。接続用リー
ド23の内部リード23aにはAg等のめっきが施され
ており、半導体チップ21のAl電極25はボンディン
グワイヤ26を介して接続用リード23の内部リード2
3aに接続されている。封止樹脂22は半導体チップ2
1、ボンディングワイヤ26、ダイパッド27及び内部
リード23aを封止している。接続用リード23の外部
リード23bはパッケージ22の外部に延出している。
【0007】ところで、汎用のメモリー装置の分野にお
いてはパッケージの外形がJEDECやEIAJ等の工
業規格により規格化されているため、世代毎に大型化す
る半導体チップを小型のパッケージに如何にして収納す
るかということが非常に重要な課題である。
いてはパッケージの外形がJEDECやEIAJ等の工
業規格により規格化されているため、世代毎に大型化す
る半導体チップを小型のパッケージに如何にして収納す
るかということが非常に重要な課題である。
【0008】このような課題を解決するため、大面積を
有する半導体チップを小型のパッケージに収納するのに
有利なLOC(Lead On Chip)構造が提案
されている。
有する半導体チップを小型のパッケージに収納するのに
有利なLOC(Lead On Chip)構造が提案
されている。
【0009】以下、図22を参照しながら、LOC構造
を有する従来の第2の半導体装置について説明する。
を有する従来の第2の半導体装置について説明する。
【0010】図22は従来の第2の半導体装置の断面図
であって、図22において、21は半導体チップ、22
はパッケージ、23は接続用リード、25はAl電極、
26はボンディングワイヤ、29はポリイミドテープで
ある。図22に示すように、接続用リード23の内部リ
ード23aは半導体チップ21の主面上に配置されてい
る。
であって、図22において、21は半導体チップ、22
はパッケージ、23は接続用リード、25はAl電極、
26はボンディングワイヤ、29はポリイミドテープで
ある。図22に示すように、接続用リード23の内部リ
ード23aは半導体チップ21の主面上に配置されてい
る。
【0011】ポリイミドテープ29の両面には予めポリ
エーテルアミド等の熱可塑性接着剤が塗布されており、
該接着剤によって半導体チップ21の主面と内部リード
23aとが接着されている。このように、第2の従来の
半導体装置においては、ポリイミドテープ29によって
半導体チップ21と接続用リード23とを接着している
ので、図21に示したダイパッド27は不要になってい
る。
エーテルアミド等の熱可塑性接着剤が塗布されており、
該接着剤によって半導体チップ21の主面と内部リード
23aとが接着されている。このように、第2の従来の
半導体装置においては、ポリイミドテープ29によって
半導体チップ21と接続用リード23とを接着している
ので、図21に示したダイパッド27は不要になってい
る。
【0012】このように、LOC構造を有する半導体装
置においては、半導体チップ21の主面上で接続用リー
ド23の内部リード23aを引き回し、内部リード23
aとAl電極25とをボンディングワイヤ26により接
続することによって、半導体チップ21周辺のスペース
を削減し、これにより、大面積の半導体チップ21を小
型のパッケージ22に収納することができる。
置においては、半導体チップ21の主面上で接続用リー
ド23の内部リード23aを引き回し、内部リード23
aとAl電極25とをボンディングワイヤ26により接
続することによって、半導体チップ21周辺のスペース
を削減し、これにより、大面積の半導体チップ21を小
型のパッケージ22に収納することができる。
【0013】ところが、LOC構造を有する半導体装置
によると、パッケージの背が高くなるという問題がある
ので、パッケージの薄型化を図るために、特開平5−2
35249号公報に開示され、図23に示すような構造
の半導体装置が提案されている。
によると、パッケージの背が高くなるという問題がある
ので、パッケージの薄型化を図るために、特開平5−2
35249号公報に開示され、図23に示すような構造
の半導体装置が提案されている。
【0014】以下、図23を参照しながら、従来の第3
の半導体装置について説明する。
の半導体装置について説明する。
【0015】図23において、21は半導体チップ、2
2はパッケージ、23は接続用リードリード、25はA
l電極、26はボンディングワイヤ、30は電源用のバ
スバーである。図23に示すように、電源用のバスバー
30を半導体チップ21の側面に沿って延びるように設
け、該バスバー30と半導体チップ21とを両面接着剤
付きフィルムを介して接着することによって、図21に
示したダイパッド27及び図22に示したポリイミドテ
ープ29を不要にしている。
2はパッケージ、23は接続用リードリード、25はA
l電極、26はボンディングワイヤ、30は電源用のバ
スバーである。図23に示すように、電源用のバスバー
30を半導体チップ21の側面に沿って延びるように設
け、該バスバー30と半導体チップ21とを両面接着剤
付きフィルムを介して接着することによって、図21に
示したダイパッド27及び図22に示したポリイミドテ
ープ29を不要にしている。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の第2
の半導体装置には次のような問題点がある。すなわち、
(1) 吸湿性が高いポリイミドテープを使用しているた
め、ポリイミドテープに吸湿された水分がハンダリフロ
ー時に気化し、クラックやボイドが発生し易く、(2) 吸
湿性が高いポリイミドテープにより内部リード同士が接
続されているので、ポリイミドテープの吸湿により接続
用リード間のリークが発生し易く、(3) ポリイミドテー
プ付のリードフレームは製造コストが高い。また、(4)
半導体チップをリードフレームにセットする際、ポリイ
ミドテープの両面の熱可塑性接着剤を溶融して半導体チ
ップと内部リードとを接着するため、300℃〜400
℃の高温の加熱ツールにより半導体チップとリードフレ
ームとを熱圧着する必要があるので、加熱ツールの荷重
及び熱により半導体チップにダメージが生じる。
の半導体装置には次のような問題点がある。すなわち、
(1) 吸湿性が高いポリイミドテープを使用しているた
め、ポリイミドテープに吸湿された水分がハンダリフロ
ー時に気化し、クラックやボイドが発生し易く、(2) 吸
湿性が高いポリイミドテープにより内部リード同士が接
続されているので、ポリイミドテープの吸湿により接続
用リード間のリークが発生し易く、(3) ポリイミドテー
プ付のリードフレームは製造コストが高い。また、(4)
半導体チップをリードフレームにセットする際、ポリイ
ミドテープの両面の熱可塑性接着剤を溶融して半導体チ
ップと内部リードとを接着するため、300℃〜400
℃の高温の加熱ツールにより半導体チップとリードフレ
ームとを熱圧着する必要があるので、加熱ツールの荷重
及び熱により半導体チップにダメージが生じる。
【0017】従来の第3の半導体装置には次のような問
題点がある。すなわち、(1) 半導体チップを平行に長く
延びるバスバー同士の間にセットする工程が難しく、
(2) 封止樹脂の熱によって半導体チップ及びリードフレ
ームが膨張したときに半導体チップがバスバーから押圧
力を受けるため、半導体チップにダメージが発生し易
く、(3) バスバーが半導体チップの側面に沿って延びて
いるため、内部リードの先端はバスバーよりも外側に位
置せざるを得ないので、LOC構造を採用できないとい
う問題がある。
題点がある。すなわち、(1) 半導体チップを平行に長く
延びるバスバー同士の間にセットする工程が難しく、
(2) 封止樹脂の熱によって半導体チップ及びリードフレ
ームが膨張したときに半導体チップがバスバーから押圧
力を受けるため、半導体チップにダメージが発生し易
く、(3) バスバーが半導体チップの側面に沿って延びて
いるため、内部リードの先端はバスバーよりも外側に位
置せざるを得ないので、LOC構造を採用できないとい
う問題がある。
【0018】本発明は前記の問題点を一挙に解決し、吸
湿性の問題が発生せず、製造コストが余り高くならず、
半導体チップが殆どダメージを受けず、半導体チップを
リードフレームにセットする工程が容易であり、LOC
構造を採用することができるような半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
湿性の問題が発生せず、製造コストが余り高くならず、
半導体チップが殆どダメージを受けず、半導体チップを
リードフレームにセットする工程が容易であり、LOC
構造を採用することができるような半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体チップと、リードフレーム本体から内側へ延
びるように設けられていた後にリードフレーム本体から
切り離されており、半導体チップの電極と電気的に接続
されている複数の接続用リードと、リードフレーム本体
から互いに接近するよう内側へ延びるように設けられて
いた後にリードフレーム本体から切り離されており、半
導体チップを保持している複数の固定用リードと、半導
体チップ、複数の接続用リード及び複数の固定用リード
を封止している樹脂製のパッケージとを備え、複数の固
定用リードは、半導体チップの厚さ方向にほぼ直角に屈
折する先端部を有し、互いに対向する先端部同士で半導
体チップを挟持することにより半導体チップを保持して
いる。
は、半導体チップと、リードフレーム本体から内側へ延
びるように設けられていた後にリードフレーム本体から
切り離されており、半導体チップの電極と電気的に接続
されている複数の接続用リードと、リードフレーム本体
から互いに接近するよう内側へ延びるように設けられて
いた後にリードフレーム本体から切り離されており、半
導体チップを保持している複数の固定用リードと、半導
体チップ、複数の接続用リード及び複数の固定用リード
を封止している樹脂製のパッケージとを備え、複数の固
定用リードは、半導体チップの厚さ方向にほぼ直角に屈
折する先端部を有し、互いに対向する先端部同士で半導
体チップを挟持することにより半導体チップを保持して
いる。
【0020】本発明に係る半導体装置によると、複数の
固定用リードの先端部は、屈折しているため固定用リー
ド本体に対して弾性を有している。また、複数の接続用
リード及び複数の固定用リードはそれぞれリードフレー
ム本体から内側へ延びるように設けられているため接続
用リードと固定用リードとが交差することがない。ま
た、固定用リードは半導体チップの厚さ方向にほぼ直角
に屈折する先端部同士が半導体チップを挟持しているた
め、先端部による半導体チップの保持が確実になる。
固定用リードの先端部は、屈折しているため固定用リー
ド本体に対して弾性を有している。また、複数の接続用
リード及び複数の固定用リードはそれぞれリードフレー
ム本体から内側へ延びるように設けられているため接続
用リードと固定用リードとが交差することがない。ま
た、固定用リードは半導体チップの厚さ方向にほぼ直角
に屈折する先端部同士が半導体チップを挟持しているた
め、先端部による半導体チップの保持が確実になる。
【0021】本発明に係る半導体装置において、接続用
リードの内部リードは、半導体チップの主面上に延びて
該半導体チップの電極と電気的に接続されていることが
好ましい。
リードの内部リードは、半導体チップの主面上に延びて
該半導体チップの電極と電気的に接続されていることが
好ましい。
【0022】本発明に係る半導体装置において、複数の
固定用リードの互いに対向する先端部は、半導体チップ
の側面又は角部を挟持していることが好ましい。
固定用リードの互いに対向する先端部は、半導体チップ
の側面又は角部を挟持していることが好ましい。
【0023】この場合、複数の固定用リードの先端部
は、半導体チップの側面又は角部と面接触していること
がより好ましい。
は、半導体チップの側面又は角部と面接触していること
がより好ましい。
【0024】また、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部との間に軟金属又は弾性体が介
在していることもより好ましい。
体チップの側面又は角部との間に軟金属又は弾性体が介
在していることもより好ましい。
【0025】また、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とは、樹脂又は低融点金属によ
り互いに接合していることもより好ましい。
体チップの側面又は角部とは、樹脂又は低融点金属によ
り互いに接合していることもより好ましい。
【0026】また、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とは、接着性を有する絶縁性フ
ィルムにより互いに接合していることもより好ましい。
体チップの側面又は角部とは、接着性を有する絶縁性フ
ィルムにより互いに接合していることもより好ましい。
【0027】また、固定用リードは接地用リードである
こともより好ましい。
こともより好ましい。
【0028】本発明に係る半導体装置の製造方法は、リ
ードフレーム本体と、該リードフレーム本体から内側へ
延びており半導体チップの電極と電気的接続をするため
の複数の接続用リードと、リードフレーム本体から互い
に接近するよう内側へ延びる本体部と該本体部からほぼ
直角に屈折し且つ半導体チップの寸法よりも若干大きい
間隔をおいて互いに対向する先端部とからなり半導体チ
ップを保持するための複数の固定用リードとを有するリ
ードフレームを設ける第1の工程と、半導体チップを複
数の固定用リードの先端部同士の間にセットした後、複
数の固定用リードの先端部と半導体チップとを互いに接
合することによって先端部により半導体チップを保持す
る第2の工程と、半導体チップ、複数の接続用リード及
び複数の固定用リードを樹脂により封止して樹脂製のパ
ッケージを形成する第3の工程と、複数の接続用リード
及び複数の固定用リードをリードフレーム本体から切り
離す第4の工程とを備えている。
ードフレーム本体と、該リードフレーム本体から内側へ
延びており半導体チップの電極と電気的接続をするため
の複数の接続用リードと、リードフレーム本体から互い
に接近するよう内側へ延びる本体部と該本体部からほぼ
直角に屈折し且つ半導体チップの寸法よりも若干大きい
間隔をおいて互いに対向する先端部とからなり半導体チ
ップを保持するための複数の固定用リードとを有するリ
ードフレームを設ける第1の工程と、半導体チップを複
数の固定用リードの先端部同士の間にセットした後、複
数の固定用リードの先端部と半導体チップとを互いに接
合することによって先端部により半導体チップを保持す
る第2の工程と、半導体チップ、複数の接続用リード及
び複数の固定用リードを樹脂により封止して樹脂製のパ
ッケージを形成する第3の工程と、複数の接続用リード
及び複数の固定用リードをリードフレーム本体から切り
離す第4の工程とを備えている。
【0029】本発明に係る半導体装置の製造方法による
と、複数の固定用リードをその先端部同士の間隔が半導
体チップの寸法よりも若干大きくなるように設けている
ため、半導体チップをリードフレームに半導体チップと
固定用リードの先端部との間に間隔が設けられた状態で
セットすることができる。
と、複数の固定用リードをその先端部同士の間隔が半導
体チップの寸法よりも若干大きくなるように設けている
ため、半導体チップをリードフレームに半導体チップと
固定用リードの先端部との間に間隔が設けられた状態で
セットすることができる。
【0030】本発明に係る半導体装置の製造方法におい
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを接合する工程を含むことが
好ましい。
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを接合する工程を含むことが
好ましい。
【0031】本発明に係る半導体装置の製造方法におい
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを低融点金属により接合する
工程を含むことが好ましい。
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを低融点金属により接合する
工程を含むことが好ましい。
【0032】本発明に係る半導体装置の製造方法におい
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを絶縁性樹脂により接合する
工程を含むことが好ましい。
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを絶縁性樹脂により接合する
工程を含むことが好ましい。
【0033】本発明に係る半導体装置の製造方法におい
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを接着性を有する絶縁性フィ
ルムにより接合する工程を含むことが好ましい。
て、第2の工程は、複数の固定用リードの先端部と半導
体チップの側面又は角部とを接着性を有する絶縁性フィ
ルムにより接合する工程を含むことが好ましい。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【0035】(第1の実施形態)図1及び図2(A),
(B)は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を示
し、図1は該半導体装置の断面図、図2(A)は半導体
装置における半導体チップ及びリードフレームの平面
図、図2(B)は図2(A)におけるB−B´線の断面
図である。
(B)は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を示
し、図1は該半導体装置の断面図、図2(A)は半導体
装置における半導体チップ及びリードフレームの平面
図、図2(B)は図2(A)におけるB−B´線の断面
図である。
【0036】図1及び図2(A),(B)において、1
は半導体チップ、2は樹脂よりなるパッケージ、3は接
続用リード、4は固定用リード、5は半導体チップ1上
の中央部に設けられたAl電極、6はAuよりなるボン
ディングワイヤである。リードフレームは、42アロイ
や銅によって形成されており、リードフレーム本体15
と該リードフレーム本体15から内側へそれぞれ延びる
複数の接続用リード3及び複数の固定用リード4とを有
しているがダイパッドは有していない。
は半導体チップ、2は樹脂よりなるパッケージ、3は接
続用リード、4は固定用リード、5は半導体チップ1上
の中央部に設けられたAl電極、6はAuよりなるボン
ディングワイヤである。リードフレームは、42アロイ
や銅によって形成されており、リードフレーム本体15
と該リードフレーム本体15から内側へそれぞれ延びる
複数の接続用リード3及び複数の固定用リード4とを有
しているがダイパッドは有していない。
【0037】接続用リード3の内部リード3aは、半導
体チップ1の内部領域の上まで延びており、該内部領域
においてボンディングワイヤ6によりAl電極5と電気
的に接続されている。
体チップ1の内部領域の上まで延びており、該内部領域
においてボンディングワイヤ6によりAl電極5と電気
的に接続されている。
【0038】固定用リード4の先端部4aは、下側つま
り半導体チップ1側へ屈曲しており、屈曲部の弾性力に
よって半導体チップ1をその両側面から挟持している。
り半導体チップ1側へ屈曲しており、屈曲部の弾性力に
よって半導体チップ1をその両側面から挟持している。
【0039】前述した半導体チップ1、接続用リード
3、固定用リード4及びボンディングワイヤ6はパッケ
ージ2により封止されている。尚、接続用リード3の外
部リード3bは、パッケージ2の外側に位置し、所定の
形状に成形加工されている。また、図2(A)におい
て、16は半導体チップ1上において両端の接続用リー
ド3の内部リード3a同士を接続するように設けられた
グラウンドや電源の共通電極である。
3、固定用リード4及びボンディングワイヤ6はパッケ
ージ2により封止されている。尚、接続用リード3の外
部リード3bは、パッケージ2の外側に位置し、所定の
形状に成形加工されている。また、図2(A)におい
て、16は半導体チップ1上において両端の接続用リー
ド3の内部リード3a同士を接続するように設けられた
グラウンドや電源の共通電極である。
【0040】以下、図3(A)〜(E)を参照しながら
第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説
明する。
第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説
明する。
【0041】まず、図3(A)に示すように、リードフ
レーム本体15(図3(A)においては図示を省略して
いる。)と、リードフレーム本体15から内側へ延びる
複数の接続用リード3と、リードフレーム本体15から
内側へ延び且つ屈曲した先端部4aを有する複数の固定
用リード4とを有するリードフレームを設ける。この場
合、対向する固定用リード4の先端部4a同士の距離は
半導体チップ1の寸法よりも若干小さくしておく。その
後、図示しない治具の上に半導体チップ1を載置すると
共に、図示しないピン等により固定用リード4の先端部
4aを外側に拡げた状態でリードフレームを前記の治具
にセットする。これにより、半導体チップ1はリードフ
レームにセットされる。
レーム本体15(図3(A)においては図示を省略して
いる。)と、リードフレーム本体15から内側へ延びる
複数の接続用リード3と、リードフレーム本体15から
内側へ延び且つ屈曲した先端部4aを有する複数の固定
用リード4とを有するリードフレームを設ける。この場
合、対向する固定用リード4の先端部4a同士の距離は
半導体チップ1の寸法よりも若干小さくしておく。その
後、図示しない治具の上に半導体チップ1を載置すると
共に、図示しないピン等により固定用リード4の先端部
4aを外側に拡げた状態でリードフレームを前記の治具
にセットする。これにより、半導体チップ1はリードフ
レームにセットされる。
【0042】次に、前述したピンを固定用リード4から
外して、外側に拡げられていた固定用リード4の先端部
4aを元に戻す。このようにすると、図3(B)に示す
ように、固定用リード4の先端部4aは屈曲部の有する
弾性力によって半導体チップ1をその両側面から挟持
し、これにより、半導体チップ1はリードフレームに保
持される。
外して、外側に拡げられていた固定用リード4の先端部
4aを元に戻す。このようにすると、図3(B)に示す
ように、固定用リード4の先端部4aは屈曲部の有する
弾性力によって半導体チップ1をその両側面から挟持
し、これにより、半導体チップ1はリードフレームに保
持される。
【0043】次に、図3(C)に示すように、接続用リ
ード3の内部リード3aと半導体チップ1のAl電極5
とをボンディングワイヤ6によりボンディングすること
により接続用リード3とAl電極5とを電気的に接続す
る。第1の実施形態においては、接続用リード3とAl
電極5とのボンディングは半導体チップ1上の中空にお
いて行なった。中空におけるボンディングは超音波の出
力を上げて内部リード3aに加わる荷重を小さくするこ
とにより容易に実現可能であるが、超音波の出力を下げ
たい場合には、内部リード3aに屈曲した先端部を設
け、該先端部を半導体チップ1に接触させた状態で接続
する。
ード3の内部リード3aと半導体チップ1のAl電極5
とをボンディングワイヤ6によりボンディングすること
により接続用リード3とAl電極5とを電気的に接続す
る。第1の実施形態においては、接続用リード3とAl
電極5とのボンディングは半導体チップ1上の中空にお
いて行なった。中空におけるボンディングは超音波の出
力を上げて内部リード3aに加わる荷重を小さくするこ
とにより容易に実現可能であるが、超音波の出力を下げ
たい場合には、内部リード3aに屈曲した先端部を設
け、該先端部を半導体チップ1に接触させた状態で接続
する。
【0044】次に、図3(D)に示すように、半導体チ
ップ1、接続用リード3の内部リード3a、固定用リー
ド4及びボンディングワイヤ6を樹脂よりなるパッケー
ジ2によって封止する。
ップ1、接続用リード3の内部リード3a、固定用リー
ド4及びボンディングワイヤ6を樹脂よりなるパッケー
ジ2によって封止する。
【0045】次に、図3(E)に示すように、接続用リ
ード3の内部リード3a及び固定用リード4をリードフ
レーム本体15から切り離すと共に接続用リード3の外
部リード3bを折り曲げ加工して第1の実施形態に係る
半導体装置を得る。
ード3の内部リード3a及び固定用リード4をリードフ
レーム本体15から切り離すと共に接続用リード3の外
部リード3bを折り曲げ加工して第1の実施形態に係る
半導体装置を得る。
【0046】第1の実施形態に係る半導体装置による
と、屈曲することにより固定用リード本体に対して弾性
を有している固定用リード4の先端部4aによって半導
体チップ1を挟持しているため、半導体チップ1が固定
用リード4から受けるダメージが少ないと共に半導体チ
ップ1は確実にリードフレームに保持されており、ま
た、固定用リード4の先端部4a同士の間隔を拡げた状
態で半導体チップ1をリードフレームにセットするので
半導体チップ1のリードフレームへのセットが容易であ
る。
と、屈曲することにより固定用リード本体に対して弾性
を有している固定用リード4の先端部4aによって半導
体チップ1を挟持しているため、半導体チップ1が固定
用リード4から受けるダメージが少ないと共に半導体チ
ップ1は確実にリードフレームに保持されており、ま
た、固定用リード4の先端部4a同士の間隔を拡げた状
態で半導体チップ1をリードフレームにセットするので
半導体チップ1のリードフレームへのセットが容易であ
る。
【0047】また、固定用リード4は屈曲した先端部4
aを有しており、直線状に延びる内部リード3aを有す
る接続用リード3とは形状が異なるため、接続用リード
3とAl電極5とをボンディングワイヤ6により接続す
る工程において画像認識のミスが発生し難いので、ワイ
ヤボンディングを正確に行なうことができる。
aを有しており、直線状に延びる内部リード3aを有す
る接続用リード3とは形状が異なるため、接続用リード
3とAl電極5とをボンディングワイヤ6により接続す
る工程において画像認識のミスが発生し難いので、ワイ
ヤボンディングを正確に行なうことができる。
【0048】また、固定用リード4の先端部4aにより
半導体チップ1を保持するので、ダイパッドを省略する
ことができる。これによって、ダイパッドの裏面におけ
るパッケージ2の剥離が無くなると共にパッケージ2の
内部における応力が低減するので、パッケージ2の信頼
性が向上する。また、ダイパッドを省略できるので、パ
ッケージ2を薄型化することもできる。さらに、ダイボ
ンドペーストを用いないためダイボンドペーストの硬化
工程が不要になるので、低コスト化及び高信頼性化が可
能になる。
半導体チップ1を保持するので、ダイパッドを省略する
ことができる。これによって、ダイパッドの裏面におけ
るパッケージ2の剥離が無くなると共にパッケージ2の
内部における応力が低減するので、パッケージ2の信頼
性が向上する。また、ダイパッドを省略できるので、パ
ッケージ2を薄型化することもできる。さらに、ダイボ
ンドペーストを用いないためダイボンドペーストの硬化
工程が不要になるので、低コスト化及び高信頼性化が可
能になる。
【0049】また、半導体チップ1の内部領域の上に接
続用リード3の内部リード3aを配置しているため、半
導体チップ1の内部領域においてワイヤボンディングで
きるので、半導体チップ1の側端部とパッケージ2の外
面との間の封止樹脂の厚さを最低限に例えば0.5ミリ
程度にすることができる。また、接続用リード3の内部
リード3aから半導体チップ1上に共通電極16を延ば
すことができるため、半導体チップ1の内部領域にグラ
ウンドや電源の電極を配置することが可能になり、抵抗
成分が減少するのでノイズが低減する。また、Al電極
5を半導体チップ1の中央部に集中的に配置することが
可能になるため、半導体チップ1の信号の伝達経路を従
来の1/2程度に短縮できるので、半導体チップ1の高
速化及び低消費電力化が可能となる。また、半導体チッ
プ1の設計自由度が高まると共に配線幅を狭くできるの
で、半導体チップ1の面積を縮小できる。さらに、半導
体チップ1の上に設けられた内部リード3aに放熱効果
も期待できる。
続用リード3の内部リード3aを配置しているため、半
導体チップ1の内部領域においてワイヤボンディングで
きるので、半導体チップ1の側端部とパッケージ2の外
面との間の封止樹脂の厚さを最低限に例えば0.5ミリ
程度にすることができる。また、接続用リード3の内部
リード3aから半導体チップ1上に共通電極16を延ば
すことができるため、半導体チップ1の内部領域にグラ
ウンドや電源の電極を配置することが可能になり、抵抗
成分が減少するのでノイズが低減する。また、Al電極
5を半導体チップ1の中央部に集中的に配置することが
可能になるため、半導体チップ1の信号の伝達経路を従
来の1/2程度に短縮できるので、半導体チップ1の高
速化及び低消費電力化が可能となる。また、半導体チッ
プ1の設計自由度が高まると共に配線幅を狭くできるの
で、半導体チップ1の面積を縮小できる。さらに、半導
体チップ1の上に設けられた内部リード3aに放熱効果
も期待できる。
【0050】尚、前記第1の実施形態においては、ピン
等により固定用リード4の先端部4aを外側に拡げ、そ
の後、ピン等を固定用リード4から外して外側に拡げら
れていた固定用リード4の先端部4aを元に戻し、半導
体チップ1をリードフレームにセットしたが、これに代
えて、リードフレームを加熱することにより固定用リー
ド4の先端部4aを半導体チップ1に対して外側へ拡
げ、その後、リードフレームを冷却することにより、固
定用リード4の先端部4aに半導体チップ1を挟持させ
てもよい。
等により固定用リード4の先端部4aを外側に拡げ、そ
の後、ピン等を固定用リード4から外して外側に拡げら
れていた固定用リード4の先端部4aを元に戻し、半導
体チップ1をリードフレームにセットしたが、これに代
えて、リードフレームを加熱することにより固定用リー
ド4の先端部4aを半導体チップ1に対して外側へ拡
げ、その後、リードフレームを冷却することにより、固
定用リード4の先端部4aに半導体チップ1を挟持させ
てもよい。
【0051】固定用リード4の先端部4aのリードフレ
ーム本体15に対する屈曲角度θについては、図4
(A)に示すように鋭角にするか、又は図4(B)に示
すように直角にすることが好ましい。屈曲角度θについ
ては、固定用リード4の先端部4aによる挟持の方法及
び固定用リード4の形状等によって選択することができ
る。もっとも、図4(C)に示すように屈曲角度θが鈍
角になると、固定用リード4の先端部4aによって半導
体チップ1を挟持することが困難になる。
ーム本体15に対する屈曲角度θについては、図4
(A)に示すように鋭角にするか、又は図4(B)に示
すように直角にすることが好ましい。屈曲角度θについ
ては、固定用リード4の先端部4aによる挟持の方法及
び固定用リード4の形状等によって選択することができ
る。もっとも、図4(C)に示すように屈曲角度θが鈍
角になると、固定用リード4の先端部4aによって半導
体チップ1を挟持することが困難になる。
【0052】固定用リード4の先端部4aによる半導体
チップ1の側面の挟持の方法については、図5(A)に
示すような線接触支持、図5(B)に示すような表面支
持、図5(C)に示すような先端面支持のいずれでもよ
い。図5(C)の場合には、固定用リード4の先端部4
aの先端面形状を半導体チップ1の側面に沿うように予
め加工しておく必要がある。図5(A)に示すように線
接触支持にすると、強い力で半導体チップ1を挟持でき
る反面、半導体チップ1の受けるダメージが大きくな
り、図5(B),(C)に示すように面接触支持にする
と接触面積が大きくなり挟持が安定すると共に半導体チ
ップ1が受けるダメージが少なくなる。
チップ1の側面の挟持の方法については、図5(A)に
示すような線接触支持、図5(B)に示すような表面支
持、図5(C)に示すような先端面支持のいずれでもよ
い。図5(C)の場合には、固定用リード4の先端部4
aの先端面形状を半導体チップ1の側面に沿うように予
め加工しておく必要がある。図5(A)に示すように線
接触支持にすると、強い力で半導体チップ1を挟持でき
る反面、半導体チップ1の受けるダメージが大きくな
り、図5(B),(C)に示すように面接触支持にする
と接触面積が大きくなり挟持が安定すると共に半導体チ
ップ1が受けるダメージが少なくなる。
【0053】固定用リード4の先端部4aが線接触する
半導体チップ1の側面の高さ位置については、図6
(A)に示すように半導体チップ1の主面に近い位置、
図6(B)に示すように半導体チップ1の中央部付近の
位置、図6(C)に示すように半導体チップ1の裏面に
近い位置等を選択可能である。また、固定用リード4の
先端部4aが面接触する半導体チップ1の側面の高さ位
置については、図6(D)に示すように半導体チップ1
の主面から中央部付近に架けての領域、図6(E)に示
すように半導体チップ1の中央部付近から裏面に架けて
の領域、図6(F)に示すように半導体チップ1の主面
から裏面に掛けての領域等を選択可能である。この挟持
位置については、半導体チップ1やリードフレームの形
状、半導体チップ1が受けるダメージの大きさ、半導体
チップ1の保持の確実性、パッケージ2の構造のバラン
スや信頼性等を考慮して最適なものを選択することが好
ましい。
半導体チップ1の側面の高さ位置については、図6
(A)に示すように半導体チップ1の主面に近い位置、
図6(B)に示すように半導体チップ1の中央部付近の
位置、図6(C)に示すように半導体チップ1の裏面に
近い位置等を選択可能である。また、固定用リード4の
先端部4aが面接触する半導体チップ1の側面の高さ位
置については、図6(D)に示すように半導体チップ1
の主面から中央部付近に架けての領域、図6(E)に示
すように半導体チップ1の中央部付近から裏面に架けて
の領域、図6(F)に示すように半導体チップ1の主面
から裏面に掛けての領域等を選択可能である。この挟持
位置については、半導体チップ1やリードフレームの形
状、半導体チップ1が受けるダメージの大きさ、半導体
チップ1の保持の確実性、パッケージ2の構造のバラン
スや信頼性等を考慮して最適なものを選択することが好
ましい。
【0054】固定用リード4の先端部4aの下端の位置
と半導体チップ1の裏面の位置との関係については、図
7(A)に示すように先端部4aの下端が半導体チップ
1の裏面よりも下側に位置してもよいし、図7(B)に
示すように先端部4aの下端が半導体チップ1の側面の
略中央に位置してもよいし、図7(C)に示すように先
端部4aの下端が半導体チップ1の裏面と同位置であっ
てもよい。もっとも、図7(A)に示すように先端部4
aの下端が半導体チップ1の裏面よりも下側に位置する
と、チップステージ上において半導体チップ1をリード
フレームにセットする際に先端部4aがチップステージ
に当たってしまう。図7(B)に示すように先端部4a
の下端が半導体チップ1の側面の略中央に位置すると、
先端部4aがチップステージに当たる虞れはないが、高
さの位置決めが困難である。図7(C)に示すように先
端部4aの下端が半導体チップ1の裏面と同位置である
と、先端部4aがチップステージに当たる虞れが無いと
共に高さの位置決めも容易である。
と半導体チップ1の裏面の位置との関係については、図
7(A)に示すように先端部4aの下端が半導体チップ
1の裏面よりも下側に位置してもよいし、図7(B)に
示すように先端部4aの下端が半導体チップ1の側面の
略中央に位置してもよいし、図7(C)に示すように先
端部4aの下端が半導体チップ1の裏面と同位置であっ
てもよい。もっとも、図7(A)に示すように先端部4
aの下端が半導体チップ1の裏面よりも下側に位置する
と、チップステージ上において半導体チップ1をリード
フレームにセットする際に先端部4aがチップステージ
に当たってしまう。図7(B)に示すように先端部4a
の下端が半導体チップ1の側面の略中央に位置すると、
先端部4aがチップステージに当たる虞れはないが、高
さの位置決めが困難である。図7(C)に示すように先
端部4aの下端が半導体チップ1の裏面と同位置である
と、先端部4aがチップステージに当たる虞れが無いと
共に高さの位置決めも容易である。
【0055】尚、半導体チップ1の主面と内部リード3
aとの距離は50〜200μmの範囲が適当である。そ
の理由は、内部リード3aから放出されるα線や内部リ
ード3aの電気容量による影響を少なくするには内部リ
ード3aと半導体チップ1の主面との距離は50μm以
上が必要であり、パッケージ2の薄型化や内部リード3
aによる放熱効果を得るには内部リード3aと半導体チ
ップ1の主面との距離は200μm以下であることが望
ましいからである。
aとの距離は50〜200μmの範囲が適当である。そ
の理由は、内部リード3aから放出されるα線や内部リ
ード3aの電気容量による影響を少なくするには内部リ
ード3aと半導体チップ1の主面との距離は50μm以
上が必要であり、パッケージ2の薄型化や内部リード3
aによる放熱効果を得るには内部リード3aと半導体チ
ップ1の主面との距離は200μm以下であることが望
ましいからである。
【0056】(第2の実施形態)図8は本発明の第2の
実施形態に係る半導体装置の断面図である。
実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【0057】第2の実施形態においては、固定用リード
4の先端部4aは、U字状に形成されることによって固
定用リード本体に対して弾性力を有しており、該弾性力
によって半導体チップ1を挟持している。この場合に
も、固定用リード4の先端部4a同士の距離を半導体チ
ップ1の寸法よりも若干小さくしておき、半導体チップ
1により固定用リード4の先端部4aが外側に拡げられ
た状態で半導体チップ1をリードフレームにセットす
る。これにより、半導体チップ1は固定用リード4の先
端部4aが固定用リード本体に対して有する弾性力によ
って挟持される。
4の先端部4aは、U字状に形成されることによって固
定用リード本体に対して弾性力を有しており、該弾性力
によって半導体チップ1を挟持している。この場合に
も、固定用リード4の先端部4a同士の距離を半導体チ
ップ1の寸法よりも若干小さくしておき、半導体チップ
1により固定用リード4の先端部4aが外側に拡げられ
た状態で半導体チップ1をリードフレームにセットす
る。これにより、半導体チップ1は固定用リード4の先
端部4aが固定用リード本体に対して有する弾性力によ
って挟持される。
【0058】図9(A),(B)は第2の実施形態の変
形例を示しており、第2の実施形態のように固定用リー
ド4の先端部4aをU字状に形成する代わりに、図9
(A)に示すように先端部4aを湾曲させてもよいし、
図9(B)に示すように先端部4aに円弧状部分を設け
てもよい。このような変形例においても、半導体チップ
1は固定用リード4の先端部4aが固定用リード本体に
対して有する弾性力によって挟持される。
形例を示しており、第2の実施形態のように固定用リー
ド4の先端部4aをU字状に形成する代わりに、図9
(A)に示すように先端部4aを湾曲させてもよいし、
図9(B)に示すように先端部4aに円弧状部分を設け
てもよい。このような変形例においても、半導体チップ
1は固定用リード4の先端部4aが固定用リード本体に
対して有する弾性力によって挟持される。
【0059】(第3の実施形態)図10(A),(B)
は本発明の第3の実施形態に係る半導体装置における固
定用リード4の先端部4aの形状を示している。第3の
実施形態においては、固定用リード4の先端部4aは、
半導体チップ1側に屈曲した後、半導体チップ1の側面
に沿って直線状に延びる形状に形成されている。この場
合、図10(A)に示すように、固定用リード4の先端
部4aを半導体チップ1の角部と対向する位置で屈曲さ
せた後、半導体チップ1の側面に沿って延びる形状にし
たり、或いは、図10(B)に示すように、固定用リー
ド4の先端部4aを半導体チップ1の側方の略中央部と
対向する位置で屈曲させた後、半導体チップ1の側面に
沿って両側に延びる形状にしたりすることができる。
は本発明の第3の実施形態に係る半導体装置における固
定用リード4の先端部4aの形状を示している。第3の
実施形態においては、固定用リード4の先端部4aは、
半導体チップ1側に屈曲した後、半導体チップ1の側面
に沿って直線状に延びる形状に形成されている。この場
合、図10(A)に示すように、固定用リード4の先端
部4aを半導体チップ1の角部と対向する位置で屈曲さ
せた後、半導体チップ1の側面に沿って延びる形状にし
たり、或いは、図10(B)に示すように、固定用リー
ド4の先端部4aを半導体チップ1の側方の略中央部と
対向する位置で屈曲させた後、半導体チップ1の側面に
沿って両側に延びる形状にしたりすることができる。
【0060】このようにすると、固定用リード4の先端
部4aと半導体チップ1の側面との接触面積が大きくな
って摩擦力が大きくなるので、固定用リード4の先端部
4aと半導体チップ1との位置ずれ及び半導体チップ1
の移動が規制される。
部4aと半導体チップ1の側面との接触面積が大きくな
って摩擦力が大きくなるので、固定用リード4の先端部
4aと半導体チップ1との位置ずれ及び半導体チップ1
の移動が規制される。
【0061】(第4の実施形態)図11は本発明の第4
の実施形態に係る半導体装置の断面構造を示している。
第4の実施形態においては、固定用リード4の先端部4
aと半導体チップ1の側面との間に半導体チップ4より
も柔らかい軟金属7が介在している。第3の実施形態に
係る半導体装置を製造するには、固定用リード4の先端
部4aに予め軟金属7を取り付けておき、第1の実施形
態と同様に固定用リード4の先端部4aを外側に拡げた
状態で半導体チップ1をリードフレームにセットする。
の実施形態に係る半導体装置の断面構造を示している。
第4の実施形態においては、固定用リード4の先端部4
aと半導体チップ1の側面との間に半導体チップ4より
も柔らかい軟金属7が介在している。第3の実施形態に
係る半導体装置を製造するには、固定用リード4の先端
部4aに予め軟金属7を取り付けておき、第1の実施形
態と同様に固定用リード4の先端部4aを外側に拡げた
状態で半導体チップ1をリードフレームにセットする。
【0062】このようにすると、半導体チップ1をリー
ドフレームにセットする際に半導体チップ1が固定用リ
ード4の先端部4aから受ける応力及びパッケージ2を
形成するために充填される樹脂の熱によって半導体チッ
プ1が固定用リード4の先端部4aから受ける応力を緩
和することができるので、半導体チップ1が受けるダメ
ージを軽減することができる。
ドフレームにセットする際に半導体チップ1が固定用リ
ード4の先端部4aから受ける応力及びパッケージ2を
形成するために充填される樹脂の熱によって半導体チッ
プ1が固定用リード4の先端部4aから受ける応力を緩
和することができるので、半導体チップ1が受けるダメ
ージを軽減することができる。
【0063】図12は第4の実施形態の変形例を示し、
該変形例においては、軟金属7の代わりに、絶縁性を有
する樹脂よりなる弾性体8が介在している。この変形例
によっても、半導体チップ1が受けるダメージを軽減す
ることができる。
該変形例においては、軟金属7の代わりに、絶縁性を有
する樹脂よりなる弾性体8が介在している。この変形例
によっても、半導体チップ1が受けるダメージを軽減す
ることができる。
【0064】(第5の実施形態)図13は本発明の第5
の実施形態に係る半導体装置におけるリードフレームの
平面構造を示している。
の実施形態に係る半導体装置におけるリードフレームの
平面構造を示している。
【0065】第5の実施形態においては、リードフレー
ム本体15における固定用リード4が設けられている部
位に矩形状の開口部15aが設けられており、これによ
り、固定用リード4はリードフレーム本体15に対して
弾性力を有しており、該弾性力によって固定用リード4
の先端部4aは半導体チップ1を挟持している。この場
合にも、固定用リード4の先端部4a同士の距離を半導
体チップ1の寸法よりも若干小さくしておき、先端部4
a同士の距離が半導体チップ1の寸法よりも若干大きく
なるように先端部4aをピン等で拡げた状態で半導体チ
ップ1をリードフレームにセットする。これにより、半
導体チップ1は固定用リード4がリードフレーム本体1
5に対して有する弾性力によって挟持される。
ム本体15における固定用リード4が設けられている部
位に矩形状の開口部15aが設けられており、これによ
り、固定用リード4はリードフレーム本体15に対して
弾性力を有しており、該弾性力によって固定用リード4
の先端部4aは半導体チップ1を挟持している。この場
合にも、固定用リード4の先端部4a同士の距離を半導
体チップ1の寸法よりも若干小さくしておき、先端部4
a同士の距離が半導体チップ1の寸法よりも若干大きく
なるように先端部4aをピン等で拡げた状態で半導体チ
ップ1をリードフレームにセットする。これにより、半
導体チップ1は固定用リード4がリードフレーム本体1
5に対して有する弾性力によって挟持される。
【0066】(第6の実施形態)図14は本発明の第6
の実施形態に係る半導体装置の断面構造を示している。
の実施形態に係る半導体装置の断面構造を示している。
【0067】第6の実施形態においては、固定用リード
4の先端部4aと半導体チップ1とはハンダ等の低融点
金属9により接合している。第6の実施形態に係る半導
体装置を製造するには、第1〜第5の実施形態と異な
り、固定用リード4の先端部4a同士の距離を半導体チ
ップ1の寸法よりも若干大きくしておくと共に、固定用
リード4の先端部4aの半導体チップ1側に予め低融点
金属9を塗布しておく。この状態で、半導体チップ1を
リードフレームにセットし、その後、低融点金属9を溶
融させて固定用リード4の先端部4aと半導体チップ1
とを接合する。低融点金属9の融点としては、半導体チ
ップ1が受けるダメージを少なくするために、400℃
以下の温度が好ましい。
4の先端部4aと半導体チップ1とはハンダ等の低融点
金属9により接合している。第6の実施形態に係る半導
体装置を製造するには、第1〜第5の実施形態と異な
り、固定用リード4の先端部4a同士の距離を半導体チ
ップ1の寸法よりも若干大きくしておくと共に、固定用
リード4の先端部4aの半導体チップ1側に予め低融点
金属9を塗布しておく。この状態で、半導体チップ1を
リードフレームにセットし、その後、低融点金属9を溶
融させて固定用リード4の先端部4aと半導体チップ1
とを接合する。低融点金属9の融点としては、半導体チ
ップ1が受けるダメージを少なくするために、400℃
以下の温度が好ましい。
【0068】図15は第6の実施形態の第1変形例を示
しており、該第1変形例においては、第6の実施形態の
低融点金属9に代えて、熱可塑性、光硬化性又は熱硬化
性を有する絶縁性樹脂10を用いている。該第1変形例
に係る半導体装置を製造するには、固定用リード4の先
端部4aに予め熱可塑性、光硬化性又は熱硬化性を有す
る絶縁性樹脂10を塗布しておき、この状態で、半導体
チップ1をリードフレームにセットし、その後、絶縁性
樹脂10に熱を加えたり或いは光を照射したりして固定
用リード4の先端部4aと半導体チップ1とを接合す
る。
しており、該第1変形例においては、第6の実施形態の
低融点金属9に代えて、熱可塑性、光硬化性又は熱硬化
性を有する絶縁性樹脂10を用いている。該第1変形例
に係る半導体装置を製造するには、固定用リード4の先
端部4aに予め熱可塑性、光硬化性又は熱硬化性を有す
る絶縁性樹脂10を塗布しておき、この状態で、半導体
チップ1をリードフレームにセットし、その後、絶縁性
樹脂10に熱を加えたり或いは光を照射したりして固定
用リード4の先端部4aと半導体チップ1とを接合す
る。
【0069】図16は第6の実施形態の第2の変形例を
示しており、該第2変形例においては、第6の実施形態
の低融点金属9に代えて、両面に熱可塑性、光硬化性又
は熱硬化性の樹脂が塗布された絶縁性フィルム11を用
いている。第2変形例に係る半導体装置の製造方法は第
1変形例に係る半導体装置の製造方法と同様である。
示しており、該第2変形例においては、第6の実施形態
の低融点金属9に代えて、両面に熱可塑性、光硬化性又
は熱硬化性の樹脂が塗布された絶縁性フィルム11を用
いている。第2変形例に係る半導体装置の製造方法は第
1変形例に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【0070】尚、第6の実施形態、第6の実施形態の第
1又は第2の変形例のように、固定用リード4の先端部
4a同士の距離を半導体チップ1の寸法よりも若干大き
くしておき、固定用リード4の先端部4aと半導体チッ
プ1とを接合する場合には、固定用リード4の先端部4
aと半導体チップ1の片面のみとを接合してもよい。
1又は第2の変形例のように、固定用リード4の先端部
4a同士の距離を半導体チップ1の寸法よりも若干大き
くしておき、固定用リード4の先端部4aと半導体チッ
プ1とを接合する場合には、固定用リード4の先端部4
aと半導体チップ1の片面のみとを接合してもよい。
【0071】また、第6の実施形態、第6の実施形態の
第1又は第2の変形例においては、低融点金属9、絶縁
性樹脂10又は絶縁性フィルム11は予め固定用リード
4の先端部4aに設けられていたが、これに代えて、半
導体チップ1をリードフレームにセットする際に、固定
用リード4の先端部4aと半導体チップ1との間に挿入
してもよい。
第1又は第2の変形例においては、低融点金属9、絶縁
性樹脂10又は絶縁性フィルム11は予め固定用リード
4の先端部4aに設けられていたが、これに代えて、半
導体チップ1をリードフレームにセットする際に、固定
用リード4の先端部4aと半導体チップ1との間に挿入
してもよい。
【0072】図17(A)〜(C)は、低融点金属9又
は絶縁性樹脂10を予め固定用リード4の先端部4aに
塗布する工程を示している。すなわち、図17(A)に
示すように、固定用リード4の先端部4aが屈曲するよ
うにリードフレームを設けておき、図17(B)に示す
ように、固定用リード4の先端部4aを塗布用ステージ
13の上に設けられた低融点金属9又は絶縁性樹脂10
に漬けて、図17(C)に示すように、固定用リード4
の先端部4aに低融点金属9又は絶縁性樹脂10を付着
させる。本発明においては、固定用リード4の先端部4
aは屈曲しているので、固定用リード4の先端部4aの
みを低融点金属9又は絶縁性樹脂10に漬けることが容
易である。
は絶縁性樹脂10を予め固定用リード4の先端部4aに
塗布する工程を示している。すなわち、図17(A)に
示すように、固定用リード4の先端部4aが屈曲するよ
うにリードフレームを設けておき、図17(B)に示す
ように、固定用リード4の先端部4aを塗布用ステージ
13の上に設けられた低融点金属9又は絶縁性樹脂10
に漬けて、図17(C)に示すように、固定用リード4
の先端部4aに低融点金属9又は絶縁性樹脂10を付着
させる。本発明においては、固定用リード4の先端部4
aは屈曲しているので、固定用リード4の先端部4aの
みを低融点金属9又は絶縁性樹脂10に漬けることが容
易である。
【0073】(第7の実施形態)図18(A),(B)
及び図19は本発明の第7の実施形態に係る半導体装置
を示しており、図18(A)はパッケージ2を省略した
平面図、図18(B)はリードフレームの斜視図、図1
9はパッケージ2及びリードフレーム本体15を省略し
た斜視図である。
及び図19は本発明の第7の実施形態に係る半導体装置
を示しており、図18(A)はパッケージ2を省略した
平面図、図18(B)はリードフレームの斜視図、図1
9はパッケージ2及びリードフレーム本体15を省略し
た斜視図である。
【0074】第7の実施形態においては、固定用リード
4は半導体チップ1の4つの角部と対向する部位に設け
られており、固定用リード4の先端部4aは半導体チッ
プ1の各角部において半導体チップ1を挟持している。
半導体チップ1の略中央部にAl電極5が設けられてい
ること、接続用リード3の内部リード3aとAl電極5
とがボンディングワイヤ6によって電気的に接続されて
いること等は第1〜第6の実施形態と同様である。
4は半導体チップ1の4つの角部と対向する部位に設け
られており、固定用リード4の先端部4aは半導体チッ
プ1の各角部において半導体チップ1を挟持している。
半導体チップ1の略中央部にAl電極5が設けられてい
ること、接続用リード3の内部リード3aとAl電極5
とがボンディングワイヤ6によって電気的に接続されて
いること等は第1〜第6の実施形態と同様である。
【0075】第7の実施形態においては、固定用リード
4の斜め方向に対向する先端部4a同士の距離を半導体
チップ1の対角線の寸法よりも若干小さくしておき、固
定用リード4の先端部4aがピンなどにより外側に拡げ
られた状態で半導体チップ1をリードフレームにセット
する。これにより、半導体チップ1は固定用リード4の
先端部4aが固定用リード本体に対して有する弾性力に
よって挟持される。
4の斜め方向に対向する先端部4a同士の距離を半導体
チップ1の対角線の寸法よりも若干小さくしておき、固
定用リード4の先端部4aがピンなどにより外側に拡げ
られた状態で半導体チップ1をリードフレームにセット
する。これにより、半導体チップ1は固定用リード4の
先端部4aが固定用リード本体に対して有する弾性力に
よって挟持される。
【0076】図20(A)〜(E)は固定用リード4の
先端部4aの形状をそれぞれ示している。図20(A)
は先端部4aが90度に屈曲していると共に二股に分か
れており、二股に分かれた各部分が半導体チップ1の角
部の側面を面接触によって挟持する構造を示し、図20
(B)は先端部4aが鈍角に屈曲していると共に切込み
部を有しており、半導体チップ1の角部を線接触によっ
て挟持する構造を示し、図20(C)は90度に屈曲し
ていると共に平面視L字状に形成されており、L字状部
分が半導体チップ1の角部の側面を面接触によって挟持
する構造を示し、図20(D)は90度に屈曲してお
り、半導体チップ1の角部を線接触によって挟持する構
造を示し、図20(E)は90度に屈曲すると共に二股
に分かれて半導体チップ1の側面に沿って延びるように
形成されており、半導体チップ1の角部の側面を面接触
によって挟持する構造を示している。固定用リード4の
先端部4aの形状は、加工コスト、半導体チップ1を保
持する強度、リードフレームの設計時におけるレイアウ
ト等から最適なものを選定することが好ましい。
先端部4aの形状をそれぞれ示している。図20(A)
は先端部4aが90度に屈曲していると共に二股に分か
れており、二股に分かれた各部分が半導体チップ1の角
部の側面を面接触によって挟持する構造を示し、図20
(B)は先端部4aが鈍角に屈曲していると共に切込み
部を有しており、半導体チップ1の角部を線接触によっ
て挟持する構造を示し、図20(C)は90度に屈曲し
ていると共に平面視L字状に形成されており、L字状部
分が半導体チップ1の角部の側面を面接触によって挟持
する構造を示し、図20(D)は90度に屈曲してお
り、半導体チップ1の角部を線接触によって挟持する構
造を示し、図20(E)は90度に屈曲すると共に二股
に分かれて半導体チップ1の側面に沿って延びるように
形成されており、半導体チップ1の角部の側面を面接触
によって挟持する構造を示している。固定用リード4の
先端部4aの形状は、加工コスト、半導体チップ1を保
持する強度、リードフレームの設計時におけるレイアウ
ト等から最適なものを選定することが好ましい。
【0077】尚、前記各実施形態においては、固定用リ
ード4は半導体チップ1を保持する機能のみを有してい
たが、固定用リード4を接地リードとして用いることも
可能である。
ード4は半導体チップ1を保持する機能のみを有してい
たが、固定用リード4を接地リードとして用いることも
可能である。
【0078】また、前記各実施形態においては、接続用
リード3の内部リード3aと半導体チップ1のAl電極
5とをボンディングワイヤ6によって接続したが、これ
に代えて、ハンダにより接続したり、Auバンプ等を設
けて電極同士を直接に接続したり、異方性の導電性樹脂
等により接続してもよい。
リード3の内部リード3aと半導体チップ1のAl電極
5とをボンディングワイヤ6によって接続したが、これ
に代えて、ハンダにより接続したり、Auバンプ等を設
けて電極同士を直接に接続したり、異方性の導電性樹脂
等により接続してもよい。
【0079】さらに、前記各実施形態においては、接続
用リード3の内部リード3aが半導体チップ1の上に延
びるLOC構造であったが、接続用リード3の内部リー
ド3aが半導体チップ1の周辺に位置する通常の構造で
あってもよい。
用リード3の内部リード3aが半導体チップ1の上に延
びるLOC構造であったが、接続用リード3の内部リー
ド3aが半導体チップ1の周辺に位置する通常の構造で
あってもよい。
【0080】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によると、複数
の固定用リードは、屈曲することにより固定用リード本
体に対して弾性を有している先端部によって半導体チッ
プを保持しているため、半導体チップは弾性力によって
固定用リードに保持されているので半導体チップが固定
用リードから受けるダメージが少ないと共に半導体チッ
プは確実にリードフレームに保持され、また、固定用リ
ードの先端部同士の間隔を拡げた状態でリードフレーム
に半導体チップをセットできるので半導体チップのリー
ドフレームへのセットが容易である。
の固定用リードは、屈曲することにより固定用リード本
体に対して弾性を有している先端部によって半導体チッ
プを保持しているため、半導体チップは弾性力によって
固定用リードに保持されているので半導体チップが固定
用リードから受けるダメージが少ないと共に半導体チッ
プは確実にリードフレームに保持され、また、固定用リ
ードの先端部同士の間隔を拡げた状態でリードフレーム
に半導体チップをセットできるので半導体チップのリー
ドフレームへのセットが容易である。
【0081】また、複数の接続用リード及び複数の固定
用リードはそれぞれリードフレーム本体から内側へ延び
るように設けられているため接続用リードと固定用リー
ドとは交差しないので、LOC構造を採用することが容
易である。
用リードはそれぞれリードフレーム本体から内側へ延び
るように設けられているため接続用リードと固定用リー
ドとは交差しないので、LOC構造を採用することが容
易である。
【0082】また、固定用リードは屈曲した先端部を有
しており、接続用リードとは形状が異なるため、画像認
識におけるミスが発生し難いので、接続用リードと半導
体チップの電極との電気的接続を確実に行なうことがで
きる。
しており、接続用リードとは形状が異なるため、画像認
識におけるミスが発生し難いので、接続用リードと半導
体チップの電極との電気的接続を確実に行なうことがで
きる。
【0083】さらに、ポリイミドテープを用いることな
く半導体チップをリードフレームに保持させることがで
きるので、ポリイミドテープを用いることによる前述し
た弊害を回避できる。
く半導体チップをリードフレームに保持させることがで
きるので、ポリイミドテープを用いることによる前述し
た弊害を回避できる。
【0084】本発明に係る半導体装置において、接続用
リードの先端部が半導体チップの主面上に延びて該半導
体チップの電極と電気的に接続されていると、半導体チ
ップの側方にボンディングワイヤを設ける必要がないた
め、半導体チップの側端とパッケージの外面との間の封
止樹脂の厚さを最低限にすることができるので、パッケ
ージの小型化を図ることができ、また、接続用リードの
内部リードから半導体チップ上に共通電極を延ばすこと
ができるため、共通電極の分散配置が可能になると共に
半導体チップの内部領域に電極を配置することもできる
ので、抵抗成分を減少させてノイズを低減することがで
きると共に、半導体チップにおける信号の伝達経路を従
来よりも短縮できるので半導体チップの高速化及び低消
費電力化を実現できる。
リードの先端部が半導体チップの主面上に延びて該半導
体チップの電極と電気的に接続されていると、半導体チ
ップの側方にボンディングワイヤを設ける必要がないた
め、半導体チップの側端とパッケージの外面との間の封
止樹脂の厚さを最低限にすることができるので、パッケ
ージの小型化を図ることができ、また、接続用リードの
内部リードから半導体チップ上に共通電極を延ばすこと
ができるため、共通電極の分散配置が可能になると共に
半導体チップの内部領域に電極を配置することもできる
ので、抵抗成分を減少させてノイズを低減することがで
きると共に、半導体チップにおける信号の伝達経路を従
来よりも短縮できるので半導体チップの高速化及び低消
費電力化を実現できる。
【0085】本発明に係る半導体装置において、固定用
リードの先端部が半導体チップの側面又は角部を挟持し
ていると、先端部による半導体チップの保持がより確実
になるので、半導体チップをリードフレームにセットす
る工程におけるミスが少なくなる。
リードの先端部が半導体チップの側面又は角部を挟持し
ていると、先端部による半導体チップの保持がより確実
になるので、半導体チップをリードフレームにセットす
る工程におけるミスが少なくなる。
【0086】この場合、固定用リードの先端部が半導体
チップの側面又は角部と面接触していると、先端部と半
導体チップの側面又は角部との接触面積が大きくなるた
め、先端部による半導体チップの保持がより確実になる
ので、半導体チップをリードフレームにセットする工程
におけるミスを一層少なくすることができる。
チップの側面又は角部と面接触していると、先端部と半
導体チップの側面又は角部との接触面積が大きくなるた
め、先端部による半導体チップの保持がより確実になる
ので、半導体チップをリードフレームにセットする工程
におけるミスを一層少なくすることができる。
【0087】また、固定用リードの先端部と半導体チッ
プの側面又は角部との間に軟金属又は弾性体が介在して
いると、半導体チップが固定用リードの先端部から受け
る機械的応力が低減するので、半導体チップが固定用リ
ードから受けるダメージを小さくすることができる。
プの側面又は角部との間に軟金属又は弾性体が介在して
いると、半導体チップが固定用リードの先端部から受け
る機械的応力が低減するので、半導体チップが固定用リ
ードから受けるダメージを小さくすることができる。
【0088】また、固定用リードの先端部と半導体チッ
プの側面又は角部とが樹脂又は低融点金属により互いに
接合していると、固定用リードの先端部と半導体チップ
の側面又は角部との間に間隔をおいた状態で半導体チッ
プをリードフレームにセットできるので、半導体チップ
をリードフレームにセットする工程において半導体チッ
プが固定用リードから受けるダメージを小さくすること
ができる。
プの側面又は角部とが樹脂又は低融点金属により互いに
接合していると、固定用リードの先端部と半導体チップ
の側面又は角部との間に間隔をおいた状態で半導体チッ
プをリードフレームにセットできるので、半導体チップ
をリードフレームにセットする工程において半導体チッ
プが固定用リードから受けるダメージを小さくすること
ができる。
【0089】また、固定用リードの先端部と半導体チッ
プの側面又は角部とが接着性を有する絶縁性フィルムに
より互いに接合していると、固定用リードの先端部と半
導体チップとの接合が容易であると共に固定用リードと
半導体チップとの絶縁が確実になるので、固定用リード
と半導体チップとの間の絶縁性を確保しつつ固定用リー
ドの先端部と半導体チップとを簡易且つ確実に接合する
ことができる。
プの側面又は角部とが接着性を有する絶縁性フィルムに
より互いに接合していると、固定用リードの先端部と半
導体チップとの接合が容易であると共に固定用リードと
半導体チップとの絶縁が確実になるので、固定用リード
と半導体チップとの間の絶縁性を確保しつつ固定用リー
ドの先端部と半導体チップとを簡易且つ確実に接合する
ことができる。
【0090】また、接地用リードは電気的にグラウンド
である半導体チップの側面に接触しても支障がないた
め、固定用リードに接地用リードを兼ねさせることがで
きるので、接地リードを別途に設ける必要がない。
である半導体チップの側面に接触しても支障がないた
め、固定用リードに接地用リードを兼ねさせることがで
きるので、接地リードを別途に設ける必要がない。
【0091】本発明に係る半導体装置の製造方法による
と、複数の固定用リードをその先端部同士の間隔が半導
体チップの寸法よりも若干大きくなるように設けている
ため、半導体チップをリードフレームに半導体チップと
固定用リードの先端部との間に間隔が設けられた状態で
セットすることができるので、半導体チップをリードフ
レームにセットする工程において半導体チップが固定用
リードから受けるダメージを少なくすることができる。
と、複数の固定用リードをその先端部同士の間隔が半導
体チップの寸法よりも若干大きくなるように設けている
ため、半導体チップをリードフレームに半導体チップと
固定用リードの先端部との間に間隔が設けられた状態で
セットすることができるので、半導体チップをリードフ
レームにセットする工程において半導体チップが固定用
リードから受けるダメージを少なくすることができる。
【0092】第2の工程が、複数の固定用リードの先端
部と半導体チップの側面又は角部とを接合する工程を含
むと、先端部と半導体チップとの接合がより確実にな
る。
部と半導体チップの側面又は角部とを接合する工程を含
むと、先端部と半導体チップとの接合がより確実にな
る。
【0093】第2の工程が、複数の固定用リードの先端
部と半導体チップの側面又は角部とを低融点金属により
接合する工程を含むと、半導体チップに与えられる熱的
なダメージを少なくして固定用リードの先端部と低融点
金属とを確実に接合することができると共に、固定用リ
ードと半導体チップとの間の絶縁性を確保することがで
きる。
部と半導体チップの側面又は角部とを低融点金属により
接合する工程を含むと、半導体チップに与えられる熱的
なダメージを少なくして固定用リードの先端部と低融点
金属とを確実に接合することができると共に、固定用リ
ードと半導体チップとの間の絶縁性を確保することがで
きる。
【0094】第2の工程が、複数の固定用リードの先端
部と半導体チップの側面又は角部とを絶縁性樹脂により
接合する工程を含むと、半導体チップに熱的なダメージ
を全く与えることなく固定用リードの先端部と半導体チ
ップとを接合することができると共に、固定用リードと
半導体チップとの間の絶縁性を確保することができる。
部と半導体チップの側面又は角部とを絶縁性樹脂により
接合する工程を含むと、半導体チップに熱的なダメージ
を全く与えることなく固定用リードの先端部と半導体チ
ップとを接合することができると共に、固定用リードと
半導体チップとの間の絶縁性を確保することができる。
【0095】第2の工程が、複数の固定用リードの先端
部と半導体チップの側面又は角部とを接着性を有する絶
縁性フィルムにより接合する工程を含むと、固定用リー
ドの先端部と半導体チップとの接合が容易であると共
に、固定用リードと半導体チップとの間の絶縁性を確保
することができる。
部と半導体チップの側面又は角部とを接着性を有する絶
縁性フィルムにより接合する工程を含むと、固定用リー
ドの先端部と半導体チップとの接合が容易であると共
に、固定用リードと半導体チップとの間の絶縁性を確保
することができる。
【図1】第1の実施形態に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図2】(A)は第1の実施形態に係る半導体装置の平
面図であり、(B)は(A)におけるB−B´線の断面
図である。
面図であり、(B)は(A)におけるB−B´線の断面
図である。
【図3】(A)〜(E)は第1の実施形態に係る半導体
装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図4】(A)〜(C)は第1の実施形態に係る半導体
装置における固定用リードの先端部のリードフレームに
対する角度を説明する断面図である。
装置における固定用リードの先端部のリードフレームに
対する角度を説明する断面図である。
【図5】(A)〜(C)は第1の実施形態に係る半導体
装置における固定用リードの先端部による半導体チップ
の挟持方法を説明する断面図である。
装置における固定用リードの先端部による半導体チップ
の挟持方法を説明する断面図である。
【図6】(A)〜(F)は第1の実施形態に係る半導体
装置における固定用リードの先端部と半導体チップとの
高さ関係を説明する断面図である。
装置における固定用リードの先端部と半導体チップとの
高さ関係を説明する断面図である。
【図7】(A)〜(C)は第1の実施形態に係る半導体
装置における固定用リードの先端部の下端位置と半導体
チップの裏面位置との関係を説明する断面図である。
装置における固定用リードの先端部の下端位置と半導体
チップの裏面位置との関係を説明する断面図である。
【図8】本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の断
面図である。
面図である。
【図9】(A)及び(B)は第2の実施形態の変形例に
係る半導体装置における固定用リードの先端部の形状を
示す断面図である。
係る半導体装置における固定用リードの先端部の形状を
示す断面図である。
【図10】(A)及び(B)は本発明の第3の実施形態
に係る半導体装置における固定用リードの先端部の形状
を示す斜視図である。
に係る半導体装置における固定用リードの先端部の形状
を示す斜視図である。
【図11】本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図12】第4の実施形態の変形例に係る半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図13】本発明の第5の実施形態に係る半導体装置に
おけるリードフレームの平面図である。
おけるリードフレームの平面図である。
【図14】本発明の第6の実施形態に係る半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図15】第6の実施形態の第1変形例に係る半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図16】第6の実施形態の第2変形例に係る半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図17】(A)〜(C)は第6の実施形態又は第6の
実施形態の第1変形例に係る半導体装置の製造方法にお
ける低融点金属又は絶縁性樹脂を固定用リードの先端部
に塗布する工程を示す断面図である。
実施形態の第1変形例に係る半導体装置の製造方法にお
ける低融点金属又は絶縁性樹脂を固定用リードの先端部
に塗布する工程を示す断面図である。
【図18】(A)は本発明の第7の実施形態に係る半導
体装置のパッケージを省略した平面図であり、(B)は
第7の実施形態におけるリードフレームの斜視図であ
る。
体装置のパッケージを省略した平面図であり、(B)は
第7の実施形態におけるリードフレームの斜視図であ
る。
【図19】第7の実施形態に係る半導体装置のパッケー
ジ及びリードフレームを省略した斜視図である。
ジ及びリードフレームを省略した斜視図である。
【図20】(A)〜(E)は第7の実施形態に係る半導
体装置における固定用リードの先端部の形状を示す斜視
図である。
体装置における固定用リードの先端部の形状を示す斜視
図である。
【図21】従来の第1の半導体装置の断面図である。
【図22】従来の第2の半導体装置の断面図である。
【図23】従来の第3の半導体装置の断面図である。
1 半導体チップ 2 パッケージ 3 接続用リード 3a 内部リード 3b 外部リード 4 固定用リード 4a 先端部 5 Al電極 6 ボンディングワイヤ 7 軟金属 8 弾性体 9 低融点金属 10 絶縁性樹脂 11 絶縁性フィルム 15 リードフレーム本体
フロントページの続き (72)発明者 若林 巍 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50
Claims (8)
- 【請求項1】 半導体チップと、前記半導体チップの対
向する2つの側面を固持している固定用リードと、前記
半導体チップの主面上に延在している内部リードと、前
記半導体チップの電極と前記内部リードとを電気的に接
続しているワイヤーと、前記半導体チップ、ワイヤー、
固定用リード及び内部リードを封止している樹脂と、前
記内部リードと接続しており且つ前記樹脂から露出して
いる外部リードとからなるLOC型の半導体装置であっ
て、 前記固定用リードの先端部は、前記固定用リードの本体
部から屈曲して前記半導体チップの下面と略同位置まで
延在していると共に、その側面により前記半導体チップ
の対向する2つの側面の下部の近傍を狭持していること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 半導体チップと、前記半導体チップの対
向する2つの側面を固持している固定用リードと、前記
半導体チップの主面上に延在している内部リードと、前
記半導体チップの電極と前記内部リードとを電気的に接
続しているワイヤーと、前記半導体チップ、ワイヤー、
固定用リード及び内部リードを封止している樹脂と、前
記内部リードと接続しており且つ前記樹脂から露出して
いる外部リードとからなるLOC型の半導体装置であっ
て、 前記固定用リードの先端部は、前記固定用リードの本体
部から前記半導体チップの側面に対して直角に屈曲して
前記半導体チップの下面と略同位置まで延在していると
共に、その側面により前記半導体チップの対向する2つ
の側面を狭持していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 前記固定用リードの先端部の側面のそれ
ぞれと前記半導体チップの対向する2つの側面のそれぞ
れとの間に接着用の樹脂が介在していることを特徴とす
る請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記半導体チップの主面と前記内部リー
ドとの間隙は50〜200μmであることを特徴とする
請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 【請求項5】 半導体チップの対向する2つの側面を固
持する固定用リードと、前記固定用リードにより固持さ
れた前記半導体チップの主面上に延在し、前記半導体チ
ップの電極と電気的に接続される内部リードと、前記内
部リードと接続 しており外部端子となる外部リードとか
らなるリードフレームを設ける工程と、前記半導体チッ
プを前記固定用リードにより狭持する工程と、前記半導
体チップの電極と前記内部リードとをワイヤーにより電
気的に接続する工程と、前記半導体チップ、ワイヤー、
固定用リード及び内部リードを樹脂により、前記外部リ
ードが前記樹脂から露出した状態で封止する工程とを備
えたLOC型の半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを前記固定用リードにより狭持する工
程は、 前記固定用リードの先端部を、該先端部が前記半導体チ
ップの下面と略同位置まで延在するように、前記固定用
リードの本体部から屈曲させる工程と、 前記固定用リードの屈曲した先端部の側面により前記半
導体チップの対向する2つの側面の下部の近傍を狭持す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項6】 半導体チップの対向する2つの側面を固
持する固定用リードと、前記固定用リードにより固持さ
れた前記半導体チップの主面上に延在し、前記半導体チ
ップの電極と電気的に接続される内部リードと、前記内
部リードと接続しており外部端子となる外部リードとか
らなるリードフレームを設ける工程と、前記半導体チッ
プを前記固定用リードにより狭持する工程と、前記半導
体チップの電極と前記内部リードとをワイヤーにより電
気的に接続する工程と、前記半導体チップ、ワイヤー、
固定用リード及び内部リードを樹脂により、前記外部リ
ードが前記樹脂から露出した状態で封止する工程とを備
えたLOC型の半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを前記固定用リードにより狭持する工
程は、 前記固定用リードの先端部を、該先端部が前記半導体チ
ップの側面に対して直角になり且つ前記半導体チップの
下面と略同位置まで延在するように、前記固定用リード
の本体部から屈曲させる工程と、 前記固定用リードの屈曲した先端部の側面により前記半
導体チップの対向する2つの側面を狭持する工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記半導体チップを前記固定用リードに
より狭持する工程は、前記固定用リードの屈曲した先端
部の側面のそれぞれと前記半導体チップの対向 する2つ
の側面のそれぞれとの間に接着用の樹脂を介在させて、
前記固定用リードの屈曲した先端部の側面により前記半
導体チップの対向する2つの側面を狭持する工程を含む
ことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項8】 前記半導体チップを前記固定用リードに
より狭持する工程は、前記半導体チップの主面と前記内
部リードとの間隙が50〜200μmになるように、前
記固定用リードの屈曲した先端部の側面により前記半導
体チップの対向する2つの側面を狭持する工程を含むこ
とを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9128232A JP2840232B2 (ja) | 1993-12-08 | 1997-05-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30793293 | 1993-12-08 | ||
JP20384394 | 1994-08-29 | ||
JP6-203843 | 1994-08-29 | ||
JP5-307932 | 1994-08-29 | ||
JP9128232A JP2840232B2 (ja) | 1993-12-08 | 1997-05-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6264960A Division JP2677967B2 (ja) | 1993-12-08 | 1994-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1056125A JPH1056125A (ja) | 1998-02-24 |
JP2840232B2 true JP2840232B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=27315709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9128232A Expired - Fee Related JP2840232B2 (ja) | 1993-12-08 | 1997-05-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2840232B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000232182A (ja) | 1998-12-08 | 2000-08-22 | Nec Kyushu Ltd | Bga構造の半導体装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP9128232A patent/JP2840232B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1056125A (ja) | 1998-02-24 |
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---|---|---|---|
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