JP2000232182A - Ｂｇａ構造の半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Ｂｇａ構造の半導体装置及びその製造方法

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JP2000232182A JP28377599A JP28377599A JP2000232182A JP 2000232182 A JP2000232182 A JP 2000232182A JP 28377599 A JP28377599 A JP 28377599A JP 28377599 A JP28377599 A JP 28377599A JP 2000232182 A JP2000232182 A JP 2000232182A
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lead
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリント配線基板に搭載した状態で行う落下
衝撃試験時及び温度サイクル試験時において、プリント
配線基板から伝搬する衝撃により半田ボールにクラック
が発生することを防止することができるＢＧＡ構造の半
導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ２１と、この半導体チップ
２１のパッド２５に接続された接続用リード２３とが被
覆され樹脂封止部２２が形成されている。また、この接
続用リード２３は折り曲げられ、その先端部にシリコン
テープ３０が貼り付けられて、このシリコンテープ３０
と樹脂封止部の下面２２ａとが間隙を有して対向して配
置されている。更に、接続用リード２３の先端部にはラ
ンド１２が形成され、このランド１２には半田ボール２
８が接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に関し、特に、プリント配線基板に搭載した状
態で行う落下衝撃試験時及び温度サイクル試験時におい
て、プリント配線基板から伝搬する衝撃により半田ボー
ルにクラックが発生することを防止することができるＢ
ＧＡ構造の半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、リードを接続用端子に使用した半
導体装置がある。図７はリードを接続用端子に使用した
半導体装置を示す断面図である。
【０００３】図９に示すように、リードを接続用端子に
使用した半導体装置５０においては、半導体チップ７１
を有しており、この半導体チップ７１の上方に複数個の
接続用リード７３の内部リード７３ａが半導体チップ７
１の上面と平行にして配置されている。この半導体チッ
プ７１と接続用リードの内部リード７３ａとは絶縁体か
らなる接着テープ７９により接着固定されている。ま
た、半導体チップ７１の上面中央部に形成されたパッド
７５と接続用リードの内部リード７３ａとはワイヤ７６
を介して電気的に接続されている。
【０００４】また、半導体チップ７１、接着テープ７
９、接続用リードの内部リード７３ａ、パッド７５及び
ワイヤ７６は被覆され樹脂封止部７２が形成されてい
る。更に、接続用リード７３の外部リード７３ｂは樹脂
封止部７２から延出し折り曲げられ、その先端部は樹脂
封止部７２の下面の下方に配置されている。
【０００５】このように構成された半導体装置５０にお
いては、半田付け等により外部リード７３ｂの先端部が
プリント配線基板の所定の位置に固定されると共に電気
的に接続されて、プリント配線基板に搭載される。
【０００６】しかしながら、半導体装置５０において
は、接続用端子がリードであるため、プリント配線基板
に搭載する場合において、別途半田等を用意し、それに
よりプリント配線基板に接続する必要がある。このた
め、接続作業が繁雑であるという欠点がある。
【０００７】この欠点を解決した半導体装置として、Ｂ
ＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）構造の半導体
装置がある。このＢＧＡ構造というのは、接続用端子が
半田等からなるボールにより構成されるものである。以
下に、２種類のＢＧＡ構造の半導体装置について説明す
る。
【０００８】図１０は米国特許ＵＳＰ−５，６７７，５
６６に開示されたＢＧＡ構造の半導体装置を示す図であ
って、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。図１０
（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来の第１のＢＧＡ構
造の半導体装置１１０においては、ダイパッド１４０と
その上面に設けられた半導体チップ１１４とを有してい
る。また、複数個の接続用リード１１５が半導体チップ
１１４の上面端部に形成されたパッド１１８とワイヤ１
２２を介して電気的に接続されて設けられている。ま
た、接続用リード１１５の上面には夫々半田ボール１２
８が接合されている。この半田ボール１２８及び接続用
リード１１５はその一部を露出させて、ダイパッド１４
０、半導体チップ１１４、パッド１１８及びワイヤ１２
２と共に被覆され樹脂封止部１２６が形成されている。
【０００９】このように構成された従来の第１のＢＧＡ
構造の半導体装置１１０においては、半田ボール１２８
をプリント配線基板の所定の位置に接触させ、加熱又は
加圧等を行い半田ボール１２８を溶融させるリフロー方
式により、プリント配線基板の所定の位置に固定される
と共に、電気的に接続されて、プリント配線基板に搭載
される。
【００１０】また、図１１は特開平９−２１３８３９に
開示されたＢＧＡ構造の半導体装置を示す図であって、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。図１１（ａ）
及び（ｂ）に示すように、従来の第２のＢＧＡ構造の半
導体装置１５０においては、半導体チップ１５１を有し
ており、この半導体チップ１５１の上方に複数個の接続
用リードの内部リード１５５が半導体チップ１５１の上
面と平行にして配置されている。この半導体チップ１５
１と接続用リードの内部リード１５５とは絶縁体からな
る接着テープ１５２により接着固定されている。また、
半導体チップ１５１の上面に形成された複数個のパッド
１５３と接続用リードの内部リード１５５とはワイヤ１
５４を介して電気的に接続されている。
【００１１】更に、半導体チップ１５１、接着テープ１
５２、接続用リードの内部リード１５５、パッド１５３
及びワイヤ１５４は封止樹脂からなる上パッケージ材１
５６と下パッケージ材１５７とにより被覆され樹脂封止
部が形成されている。この下パッケージ材１５７の内部
リード側の面の内部リード１５５に通じる位置には小孔
が設けられ、この小孔内に外部接続用端子として頭部が
下パッケージ材１５７の表面から突出するように複数個
の半田ボール１５８が埋め込まれており、この半田ボー
ル１５８は内部リード１５５に電気的に接続されてい
る。
【００１２】このように構成された従来の第２のＢＧＡ
構造の半導体装置１５０においては、従来の第１のＢＧ
Ａ構造の半導体装置１１０と同様に、半田ボール１５８
をプリント配線基板１６９の所定の位置に接触させ、加
熱又は加圧等を行い半田ボール１５８を溶融させるリフ
ロー方式により、プリント配線基板１６９の所定の位置
に固定されると共に、電気的に接続されて、プリント配
線基板１６９に搭載される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如く、従来の第１のＢＧＡ構造の半導体装置１１０及び
第２のＢＧＡ構造の半導体装置１５０においては、半田
ボールが樹脂封止部に埋め込まれているため、プリント
配線基板に搭載した状態で行う落下衝撃試験時及び温度
サイクル試験時において、プリント配線基板から伝搬す
る衝撃が緩衝されることなく、半田ボールを介して樹脂
封止部に伝搬し、また、その反動により樹脂封止部から
衝撃が加わるため、半田ボールにおけるプリント配線基
板との接合面及び樹脂封止部との接合面にクラックが発
生するという問題点がある。
【００１４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、プリント配線基板に搭載した状態で行う落
下衝撃試験時及び温度サイクル試験時において、プリン
ト配線基板から伝搬する衝撃により半田ボールにクラッ
クが発生することを防止することができるＢＧＡ構造の
半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＢＧＡ構造
の半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップの
パッドに接続されその先端部が前記パッドの反対側のチ
ップ面まで折り曲げられた接続用リードと、前記半導体
チップを被覆する樹脂封止部と、前記接続用リードの先
端部に設けられた半田ボールとを有することを特徴とす
る。
【００１６】また、本発明に係るＢＧＡ構造の半導体装
置は、半導体チップと、この半導体チップのパッドに接
続されその先端部が折り返された接続用リードと、前記
半導体チップを被覆する樹脂封止部と、前記接続用リー
ドの先端部に設けられた半田ボールとを有することを特
徴とする。
【００１７】本発明においては、プリント配線基板に搭
載した状態で行う落下衝撃試験時及び温度サイクル試験
時に、プリント配線基板から半田ボールに伝搬する衝撃
は接続用リードの弾性変形により吸収される。これによ
り、半田ボールにクラックが発生することを防止するこ
とができる。
【００１８】前記接続用リードの先端部における前記樹
脂封止部と対向する面に緩衝材が設けられていると好ま
しい。これにより、上述した落下衝撃試験時及び温度サ
イクル試験時に、プリント配線基板から半田ボールに伝
搬する衝撃が接続用リードの弾性変形によっても吸収し
きれない場合においても、接続用リードの先端部におけ
る樹脂封止部との対向面に緩衝材が設けられているた
め、樹脂封止部に伝搬する衝撃を吸収することができる
ので、その反動により樹脂封止部から半田ボールに加わ
る衝撃を低減することができる。このため、接続用リー
ドの弾性変形によっても衝撃を吸収しきれない場合にお
いても、半田ボールにクラックが発生することを防止す
ることができる。
【００１９】この場合、前記緩衝材はシリコンテープ、
熱硬化性樹脂テープ及び熱可塑性テープからなる群から
選択されたもので構成することができる。
【００２０】本発明に係るＢＧＡ構造の半導体装置の製
造方法は、前記ＢＧＡ構造の半導体装置を製造する方法
であって、半導体チップのパッドと接続用リードとを接
続する工程と、前記半導体チップを被覆する樹脂封止部
を形成する工程と、前記接続用リードを所定の長さに切
断する工程と、前記接続用リードの先端部を折り返す工
程と、前記接続用リードの先端部に半田ボールを設ける
工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】前記接続用リードの先端部における前記樹
脂封止部と対向する面に緩衝材を設ける工程を有するこ
とが好ましい。
【００２２】また、前記緩衝材を設ける工程は、前記接
続用リードを所定の長さに切断する工程の前に、前記接
続用リードの所定の位置に前記緩衝材を設けるものとす
ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るＢＧ
Ａ構造の半導体装置及びその製造方法について、添付の
図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の第１
実施例に係るＢＧＡ構造の半導体装置を示す図であっ
て、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）は部分断面図であ
る。また、図２は、同じく平面図である。なお、左半分
は上面図であって、右半分は下面図であり、樹脂封止部
の一部を省略している。
【００２４】図１（ａ）及び（ｂ）並びに図２に示すよ
うに、本発明の第１実施例に係るＢＧＡ構造の半導体装
置１においては、半導体チップ２１を有しており、この
半導体チップ２１の上方に複数個の接続用リード２３の
内部リード２３ａが半導体チップ２１の上面と平行にし
て配置されている。この半導体チップ２１と接続用リー
ドの内部リード２３ａとはシリコン系又はエポキシ系の
絶縁体からなる接着テープ２９により接着固定されてい
る。また、半導体チップ２１の上面中央部に形成された
複数個のパッド２５と接続用リードの内部リード２３ａ
とはワイヤ２６を介してワイヤボンディング法により電
気的に接続されている。
【００２５】また、半導体チップ２１、接着テープ２
９、接続用リードの内部リード２３ａ、パッド２５及び
ワイヤ２６は被覆され樹脂封止部２２が形成されてい
る。更に、接続用リード２３の外部リード２３ｂは樹脂
封止部２２から延出し折り曲げられ、その先端部は樹脂
封止部の下面２２ａの下方に隣接する外部リード２３ｂ
に対し交互に先端部位置を変えて配置されている。な
お、外部リード２３ｂの樹脂封止部の下面２２ａに対向
する面には下面２２ａと間隙を有してシリコンテープ３
０が貼り付けられている。なお、本実施例においては、
シリコンテープが使用されているが、本発明はこれに限
らず、例えば、熱硬化性樹脂テープ又は熱可塑性テープ
が使用されていてもよい。
【００２６】また、外部リード２３ｂの先端部には夫々
ランド１２が形成され、この各ランド１２には夫々半田
ボール２８が接合されている。また、外部リード２３ｂ
の先端部は半田のぬれ性を向上させるために表面処理が
されている。
【００２７】この半田ボール２８をプリント配線基板の
所定の位置に接触させ、加熱又は加圧等を行い半田ボー
ル２８を溶融させるリフロー方式により、プリント配線
基板の所定の位置に固定されると共に、電気的に接続さ
れて、プリント配線基板に搭載される。なお、各接続用
リード２３を連結するタイバ１１は組立完成後、接続用
リード２３から切断される。
【００２８】なお、本実施例における主要寸法を以下に
示す。半導体チップ２１の厚さは３００μｍ、樹脂封止
部２２の厚さは７２５μｍ、接着テープ２９の厚さは５
０μｍ、接続用リード２３の厚さは１２５μｍ、ワイヤ
２６の外径は２５乃至３０μｍ、内部リード２３ａの上
面と樹脂封止部の上面２２ｂとの距離は１５０μｍ、半
導体チップ２１の下面と樹脂封止部の下面２２ａとの距
離は１００μｍ、樹脂封止部の上面２２ｂと外部リード
２３ｂの下面との距離は最大９００μｍ、樹脂封止部の
下面２２ａと外部リード２３ｂの上面との距離は５０μ
ｍ、ランド１２の径は３５０μｍ、半田ボール２８の径
は４００乃至４５０μｍ、隣接する半田ボール２８間の
外部リード２３ｂの延びる方向の距離は８００μｍ、ラ
ンド１２の下面と半田ボール２８の下端との距離は３０
０μｍ、樹脂封止部の上面２２ｂと半田ボール２８の下
端との距離は最大１２００μｍ、半導体チップ２１の側
面と境界２３ｃとの水平方向の距離は２００μｍ、境界
２３ｃと外部リード２３ｂの折り曲げ部との水平方向の
距離は２００μｍ、境界２３ｃとタイバ１１との距離は
２００μｍ、及びタイバ１１の幅は８０μｍである。
【００２９】次に、本発明の第１実施例に係るＢＧＡ構
造の半導体装置１の製造方法について、以下に詳細に説
明する。図３（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１実施例に
係るＢＧＡ構造の半導体装置の製造方法を工程順に示す
断面図である。
【００３０】先ず、図３（ａ）に示すように、半導体チ
ップ２１の上面に接着テープ２９によりリードフレーム
に連結された状態の接続用リード２３を接着固定する。
【００３１】次に、図３（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ２１の上面中央部に形成されたパッド２５と接続用
リード２３とをワイヤ２６を介してワイヤボンディング
法により電気的に接続する。
【００３２】その後、図３（ｃ）に示すように、金型を
使用して、半導体チップ２１、接着テープ２９、接続用
リード２３、パッド２５及びワイヤ２６を被覆し樹脂封
止部２２を形成する。このとき、接続用リード２３の一
部（外部リード２３ｂ）は樹脂封止部２２から延出して
いる。そして、接続用リードの外部リード２３ｂの下面
にシリコンテープ３０を貼り付け、外部リード２３ｂを
所定の長さに切断する。このとき、リードフレームから
分離される。
【００３３】次いで、図３（ｄ）に示すように、外部リ
ード２３ｂを折り返して、樹脂封止部の下面２２ａと外
部リード２３ｂとの間に間隙ができるようにシリコンテ
ープ３０を配置する。そして、外部リード２３ｂの先端
部の夫々ランド１２を形成し、半田のぬれ性を向上させ
るための表面処理を行い、この各ランド１２の下面に夫
々半田ボール２８を接合する。次に、各接続用リード２
３を連結していたタイバ１１を接続用リード２３から切
断する。このようにして、ＢＧＡ構造の半導体装置１が
製造される。
【００３４】このように構成された本発明に係る第１実
施例のＢＧＡ構造の半導体装置１においては、プリント
配線基板に搭載した状態で行う落下衝撃試験時及び温度
サイクル試験時に、プリント配線基板から半田ボール２
８に伝搬する衝撃は接続用リード２３の弾性変形により
吸収される。これにより半田ボール２８にクラックが発
生することを防止することができる。
【００３５】また、プリント配線基板から半田ボールに
伝搬する衝撃が接続用リード２３の弾性変形によっても
吸収しきれない場合においても、接続用リード２３の先
端部における樹脂封止部の下面２２ａとの対向面にシリ
コンテープ３０が設けられているため、接続用リード２
３の先端部が樹脂封止部の下面２２ａに当たらず、シリ
コンテープ３０が当たる。このため、樹脂封止部２２に
伝搬する衝撃を吸収することができるので、その反動に
より樹脂封止部２２から半田ボール２８に加わる衝撃を
低減することができる。これにより、接続用リード２３
の弾性変形によっても衝撃を吸収しきれない場合におい
ても、半田ボール２８にクラックが発生することを防止
することができる。
【００３６】なお、第１実施例においては、半導体チッ
プ２１の上面中央部に複数個のパッド２５が形成され、
半田ボール２８が樹脂封止部の下面２２ａの下方に配置
されているが、本発明においては、その構成に限らな
い。以下に他の実施例を説明する。
【００３７】図４は本発明の第２実施例に係るＢＧＡ構
造の半導体装置を示す図であって、（ａ）は全体の断面
図、（ｂ）は部分断面図である。図４（ａ）及び（ｂ）
に示すように、本発明の第２実施例に係るＢＧＡ構造の
半導体装置２においては、半導体チップ２１の上面端部
に複数個のパッド２５が形成されており、このパッド２
５と接続用リード２３の内部リード２３ａとはワイヤ２
６を介して電気的に接続されている。それ以外は第１実
施例のＢＧＡ構造の半導体装置１と同様であり説明を省
略する。
【００３８】また、図５は本発明の第３実施例に係るＢ
ＧＡ構造の半導体装置を示す図であって、（ａ）は全体
の断面図、（ｂ）は部分断面図である。図５（ａ）及び
（ｂ）に示すように、本発明の第３実施例に係るＢＧＡ
構造の半導体装置３においては、半導体チップ２１の下
面端部に複数個のパッド２５が形成されており、このパ
ッド２５と接続用リード２３の内部リード２３ａとはワ
イヤ２６を介して電気的に接続されている。
【００３９】なお、以下に示すように、一部の主要寸法
が第１実施例と異なる。内部リード２３ａの上面と樹脂
封止部の上面２２ｂとの距離は１００μｍ、半導体チッ
プ２１の下面と樹脂封止部の下面２２ａとの距離は１５
０μｍ、及び半導体チップ２１の側面と境界２３ｃとの
水平方向の距離は６００μｍである。
【００４０】それ以外の構成及び寸法は第１実施例のＢ
ＧＡ構造の半導体装置１と同様であり説明を省略する。
【００４１】このように構成された第２実施例及び第３
実施例においても、第１実施例と同様の効果を得ること
ができる。
【００４２】更に、図６は本発明の第４実施例に係るＢ
ＧＡ構造の半導体装置を示す断面図である。図６に示す
ように、本発明の第４実施例に係るＢＧＡ構造の半導体
装置４においては、接続用リード２３の外部リード２３
ｂは樹脂封止部２２から延出し折り曲げられ、樹脂封止
部の上面２２ｂの上方に配置されている。なお、外部リ
ード２３ｂの樹脂封止部の上面２２ｂに対向する面には
シリコンテープ３０が貼り付けられており、外部リード
２３ｂの先端部には夫々ランド１２が形成され、このラ
ンド１２には夫々半田ボール２８が接合されている。そ
れ以外は第１実施例のＢＧＡ構造の半導体装置１と同様
であり説明を省略する。
【００４３】このように構成された本発明に係る第４実
施例のＢＧＡ構造の半導体装置４においては、半田ボー
ル２８を樹脂封止部２２の上方に配置することができる
と共に、第１実施例と同様の効果を得ることができる。
【００４４】更に、図７は本発明の第５実施例に係るＢ
ＧＡ構造の半導体装置を示す断面図である。本発明の第
5実施例に係るＢＧＡ構造の半導体装置においては、樹
脂封止部２２からリードが外に出ており、そのリードの
先端部分にリード樹脂４０が形成されている。リード樹
脂４０は、樹脂封止部２２と同時に形成されたものであ
る。リード樹脂４０には、半田ボール２８を搭載してい
る。本実施例のリード樹脂４０は、２本ずつリードを封
止しているが、この数は任意に設定可能である。
【００４５】図８は、本発明の第５実施例に係るＢＧＡ
構造の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００４６】図８（ａ）に示すように、半導体チップ２
１の上面に接着テープ２９によりリードフレームに連結
された状態の接続用リード２３を接着固定する。次に、
図８（ｂ）に示すように、半導体チップ２１の上面中央
部に形成されたパッド２５と接続用リード２３とをワイ
ヤ２６を介してワイヤボンディング法により電気的に接
続する。その後、図８（ｃ）に示すように、金型を使用
して、半導体チップ２１、接着テープ２９、接続用リー
ド２３、パッド２５及びワイヤ２６を被覆し樹脂封止部
２２を形成する。このとき、接続用リード２３の一部
（外部リード２３ｂ）にも樹脂封止しリード樹脂４０を
形成する。そして、リード樹脂４０をレーザ等の方法で
開口し半田ボール穴２８ａを形成する。リード樹脂４０
は、レーザ等の切断方法にてリードを１本ずつもしくは
複数本のグループにて切断される。次いで、図８（ｄ）
に示すように、外部リード２３ｂを折り返して、樹脂封
止部の下面２２ａと外部リード２３ｂとの間に間隙がで
きるようにリード樹脂４０を配置する。次に、このリー
ド樹脂４０の各々に半田ボール２８をリフローにて搭載
接続する。
【００４７】第５実施例の半導体装置によれば、リード
のテーピングを行わずに、パッケージ本体の樹脂封入と
同時にリードの樹脂封入も行うために、テーピングの加
工費と材料費が不要となり、低コストで製造できる。ま
た、樹脂封入自身も投入した樹脂の全部がパッケージ形
成に使われるわけではなく金型の樹脂流路に当たる部分
や樹脂タブレットの部分が不要なものとして廃棄される
ため廃棄部分を少なくするだけでリードの樹脂はまかな
える。従って、材料費である樹脂量は増加しない。ま
た、リードを固定する樹脂をレーザ等で切断するために
パッケージを配線基板等に搭載したとき、パッケージと
配線基板との熱膨張率差ではんだボールにクラックが入
ったり破壊したりするが、リード固定樹脂を分割してい
るために熱膨張率差をリードが移動することにより吸収
しはんだボールのクラックや破壊を防止することができ
る。
【００４８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
プリント配線基板に搭載した状態で行う落下衝撃試験時
及び温度サイクル試験時に、プリント配線基板から半田
ボールに伝搬する衝撃は接続用リードの弾性変形により
吸収される。これにより、半田ボールにクラックが発生
することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係るＢＧＡ構造の半導体
装置を示す図であって、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）
は部分断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係るＢＧＡ構造の半導体
装置を示す平面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１実施例に係る
ＢＧＡ構造の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面
図である。
【図４】本発明の第２実施例に係るＢＧＡ構造の半導体
装置を示す図であって、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）
は部分断面図である。
【図５】本発明の第３実施例に係るＢＧＡ構造の半導体
装置を示す図であって、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）
は部分断面図である。
【図６】本発明の第４実施例に係るＢＧＡ構造の半導体
装置を示す断面図である。
【図７】本発明の第５実施例に係るＢＧＡ構造の半導体
装置を示す図であって、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）
は部分断面図である。
【図８】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第５実施例に係る
ＢＧＡ構造の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面
図である。
【図９】リードを接続用端子に使用した半導体装置を示
す断面図である。
【図１０】米国特許ＵＳＰ−５，６７７，５６６に開示
されたＢＧＡ構造の半導体装置を示す図であって、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図１１】特開平９−２１３８３９に開示されたＢＧＡ
構造の半導体装置を示す図であって、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
１，２，３，４，１１０，１５０ ＢＧＡ構造の半導
体装置 １１ タイバ １２ ランド ２１，７１，１１４，１５１ 半導体チップ ２２，７２，１２６ 樹脂封止部 ２２ａ 樹脂封止部の下面 ２２ｂ 樹脂封止部の上面 ２３，７３，１１５ 接続用リード ２３ａ，７３ａ，１５５ 内部リード ２３ｂ，７３ｂ 外部リード ２３ｃ 境界 ２５，７５，１１８，１５３ パッド ２６，７６，１２２，１５４ ワイヤ ２８，１２８，１５８ 半田ボール ２８ａ 半田ボール穴 ２９，７９，１５２ 接着テープ ３０ シリコンテープ ４０ リード樹脂 ５０ 半導体装置 １４０ ダイパッド １５６ 上パッケージ材 １５７ 下パッケージ材 １６９ プリント配線基板

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップと、この半導体チップのパ
    ッドに接続されその先端部が前記パッドの反対側のチッ
    プ面まで折り曲げられた接続用リードと、前記半導体チ
    ップを被覆する樹脂封止部と、前記接続用リードの先端
    部に設けられた半田ボールとを有することを特徴とする
    ＢＧＡ構造の半導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体チップと、この半導体チップのパ
    ッドに接続されその先端部が折り返された接続用リード
    と、前記半導体チップを被覆する樹脂封止部と、前記接
    続用リードの先端部に設けられた半田ボールとを有する
    ことを特徴とするＢＧＡ構造の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記接続用リードの先端部における前記
    樹脂封止部と対向する面に緩衝材が設けられていること
    を特徴とする請求項１又は２に記載のＢＧＡ構造の半導
    体装置。
  4. 【請求項４】 前記緩衝材はシリコンテープ、熱硬化性
    樹脂テープ及び熱可塑性テープからなる群から選択され
    たものであることを特徴とする請求項３に記載のＢＧＡ
    構造の半導体装置。
  5. 【請求項５】 半導体チップのパッドと接続用リードと
    を接続する工程と、前記半導体チップを被覆する樹脂封
    止部を形成する工程と、前記接続用リードを所定の長さ
    に切断する工程と、前記接続用リードの先端部を折り返
    す工程と、前記接続用リードの先端部に半田ボールを設
    ける工程と、を有することを特徴とするＢＧＡ構造の半
    導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記接続用リードの先端部における前記
    樹脂封止部と対向する面に緩衝材を設ける工程を有する
    ことを特徴とする請求項５に記載のＢＧＡ構造の半導体
    装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記緩衝材を設ける工程は、前記接続用
    リードを所定の長さに切断する工程の前に、前記接続用
    リードの所定の位置に前記緩衝材を設ける工程であるこ
    とを特徴とする請求項６に記載のＢＧＡ構造の半導体装
    置の製造方法。
  8. 【請求項８】 半導体チップと、この半導体チップのパ
    ッドに接続されその先端部が折り返された接続用リード
    と、前記半導体チップを被覆する樹脂封止部と、前記接
    続用リードの先端部に設けられたリード樹脂と、前記リ
    ード樹脂に搭載された半田ボールとを有することを特徴
    とするＢＧＡ構造の半導体装置。
  9. 【請求項９】 半導体チップのパッドと接続用リードと
    を接続する工程と、前記半導体チップを被覆する樹脂封
    止部を形成し、前記接続用リードのうち外部リードの部
    分にリード樹脂を形成する工程と、前記接続用リードを
    所定の長さに切断する工程と、前記接続用リードの先端
    部を折り返す工程と、前記リード樹脂に半田ボールを設
    ける工程と、を有することを特徴とするＢＧＡ構造の半
    導体装置の製造方法。
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