TW434861B - Semiconductor device having a BGA structure and method for manufacturing the same - Google Patents
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皋 4 4 S 6 I ( a7 _ B7_ 五、發明說明(1 ) 薛明赀# 發明菊域 本發明骼關於一種具有BG A結構之半導體裝置及用以 製造此半導體裝置之方法,尤其是關於一種具有BGA結 構之半導體裝置及其製造方法,該半導體裝置能夠防止 在具有自印刷線路板傳遞之衝擊的銲錫球中,在落地衝 .擊測試時和在溫度循環測試時産生破裂,其中測試傺在 該半導體裝置裝在該印刷線路板上之狀態下完成。 相躕抟術說明 傳統上,偽採用一種將導線使用在連接端之半導體裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 截 橫 的 置 裝 體 導 半 之 端 接 連 作 當 線 引 用 使 為 圖 1X 第 。 ,圖 置面 半建 一 多 有許 供且 提而 中端 之接 50連 置作 裝當 體線 導引 半用 在使 * 偽 示 中 所其 中 * 圖71 1 Η 第晶 如體 導 7.上 線之 ί 1 tiff 7 内 Η 之晶 7311 線.導 引半 接在 衫 並 面 表 上 之 1Χ 7 Μη 晶 體 導 半 與 會 3 7 線 引 接 連 該 和 1L 7 Η 晶 體 導 半 該 定 固 且 住 —β f 9 7 帶 著 LO 0 之 體 線 絶 含 包 用 被 a 3 7 線 弓 内 之 訂 --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 片 7 帶 晶線著 體引黏 導内 · 半之71 在線片 成引晶 形接體 ,連導 外和.半 匕 5 ί 7 塾 a. 勺 α 3 6接? 上Ξ線 卜 性 @㈣-Ν 、 作 3 £67 ,導弓 表 β 連 上双, 最 6 β 咅 封 密 脂 樹 之 成 形線 U _ 3 用弓 7 偽外線 後之引 3 l· 7 夕 線該 線引且 。 導接而下 和連,之 75,曲面 墊外彎表 , 此且下 3 樹樹 自在 伸位 延傺 偽端 >尖 的 分 蓋 覆 分分 Β. Β. 0 咅 封封 密密 旨 a曰 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4
A7 _B7_ 五、發明說明(2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在依此方式建構之半導體裝置50中,該外引線73b的 尖端被固定,且將電性連接到具有銲接或類似接合之印 刷線路板的設定部分,而且半導體裝置5 0偽放置在該印 刷線路板之上 但是,在該半導體裝置50中,因為連接端偽由引線構 成的,所以在將連接端黏箸在印刷線路板上之案例中, 需要事先準備銲錫或類似物各別將連接端連接到具有銲 錫之印刷線路板。因此,有一缺點就是連接工作並不易 處理。 如一種可克服該缺點之半導體裝置,其採用B G A (球柵 陣列)結構。此BGA結構偽由具有包含銲錫或相似物之連 接引線的球逮構而成。下面將説明兩種具有B G A結構之 半導體裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2A圖為USP 5,677,566所掲露之一種具有“/\結構之 半導體裝置的透視圓,而第2 B圖為其橫截面圖。如第2 A 和2B圖所示,在具BGA結構之第一傳統半導體裝置110中 ,其提供一晶粒墊140和位在其上之半導體晶片114。此 外,許多的連接引線11 5 ,會將電訊號連接到形成在具有 導線122之半導體晶Η 114上表面端部上的墊118。此外, 還允許銲錫球1 2 8分別銲接在該連接引線1 1 5上表面之上。 一部分的捍錫球1 2 8和連接引線11 5會曝露出來,而且會 與晶粒墊1 4 0,半導體晶Η 11 4 ,塾1 1 8和導線1 2 2 —起覆 蓋,所以會形成樹脂密封部分1 2 6。 在依此方式建構之具有BGA結構的第一半導體裝置110 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 _B7_ 五、發明說明(3) 中,銲錫球1 2 8允許進入與印刷線路板的預定位置接觸。 之後,根據一種用以允許銲錫球1 2 8進入與印刷線路板 預定位置接觸,和將銲錫球1 2 8加熱或加壓使其融化之 重斬流動法,將半導體裝置固定到印刷線路板的預定位 置,而且,在此同時,其會電性建接到印刷線路板且附 著在印刷之上。 第3A_為掲露在日本未審專利公報第Hei 9-213839號 ,具有BGA結構之半導體裝置的透視圖,第3B圔則為其 橫截面圖。如第3A和3B圖中所示,在具有BGA結構之第 二傳統半導體裝置150之中,提供有一半導體晶M_ 151。 對於上逑之半導體晶片1 5 1 ,許多連接引線之内引線1 5 5 偽與半導體晶片1 5 1之上表靣並排。半導體晶Η 1 5 1和連 接引線之内引線1 5 5 ,傜使用含有絶線體之黏箸帶1 5 2黏 箸及固定。此外,許多形成在半導體晶片151上表面上 之墊1 5 3和連接引線之内引線1 5 5偽用導線1 5 4作電性的 連接。 此外,半導體晶片1 5 1,黏著帶1 5 2,連接引線之内引: 線1 5 5,塾1 5 3和導線1 5 4係用含有密封樹脂之上封裝體 1 5 6和下封裝體1 5 7覆蓋,而形成樹脂密封部分。在將引 線安排到内引線1 5 5位置之下封裝體的内引線側面之表 面位置,提供小孔。將許多銲錫球1 5 8埋在小孔之中, 在此情形下,使其各頭部都可自下封裝體1 5 7的表面延 伸而當作外部連接端。該銲錫球1 5 8傺電性連接到內引 線 155。 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------線— ' V- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(4) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在具有攸此方式所建構之BGi\結構的第二傳統半導體 裝置150中,在和具有BGA結構之第一傳統半導體裝置110 相同的情形下,根據一種用以允許銲錫球1 5 8進入與印 刷線路板1 6 9預定位置接觸,和將銲錫球1 5 8加熱或加壓 使其融化之重新流動法,將半導體裝置固定到印刷線路 板16Q的預定位置,而且在此同時,半導體裝置會電性 連接且附箸在印刷線路板1 6 9之上。 但是,如上所述,在具有BGA結構之第一傳統半導體 裝置110和具有BGA結構之第二傳統半導體裝置150之中 ,銲錫球偽埋在樹脂密封部分之中。結果,在落地衝擊 測轼和溫度循環測試時,衝擊會經由不具有將傳遞自印 刷線路板之衝擊減緩的銲錫球,傳遞到樹脂密封部分, 其中其偽茌銲錫球附著在印刷線路板之上的狀態下完成 。因為衝擊偽來自樹脂密封部分所受之反應力,所以會 有一値問題,即會在銲錫球中具有印刷線路板之結合面 上,和在樹脂密封部分之結合面上産生破裂。 gg明概秫 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之目的在於提供一種具有BG A結構之半導體裝置 及其製造方法,在落地衝擊測試和溫度循環測試時,該 裝件能夠防止在具有印刷線路板所傳遞衝擊之銲錫球中 産生破裂,其中偽在銲錫球附箸在印刷線路板之上的狀 態下完成。 根據本發明之一形態,提供一種半導體裝置,其具有 一半導體.晶片和一連接到半導體晶片之墊的建接引線。 ~ 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 434861 A7 B7 五、發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 晶體分 具線裝供 具線裝在樹 從性之錫 引溫衝緩 體導部 其引體提 其引體供線 ,彈上銲 接.和之一 導半端 ,接.導一 ,接導提引 時之板在 連試球有 半蓋尖 置連半和 置連半一在 試線路生 在測錫為 之覆之 裝的該, 裝的該-供 測引線産 體擊銲因 上一線 體墊。分 體墊。分提 環接刷裂 衝衝到, 側供引 導之分部 _ 之分部 一 循連印破 緩地遞下 對提接 半 Η 部封 .半 Η 部封和 度一在止 一落傳形 相尚建 種晶端密。種晶端密 > 溫以供防 供在板情 墊置在 一體尖脂球一體尖脂分 和會提以 提,路的 在裝供 供導之樹錫供導之樹部 試擊被可 宜構綿收 位體提 提半曲之銲提半曲之脂 測衝球, ,建刷吸 到導 一 -到彎 Η 的 *到彎片樹 擊之錫序 刨種印所, 1Ρ半和 態接回晶上態接回晶線 衝球銲程 對此從變7 上該- 形連向體分形建向體引\ 地鋦在種 相由述形-可。分 一一 一導部一一一導之球落銲傜此 之經上性 一分部 另和有半端又和有半分錫在到中由 分。在彈 有部封 之片具蓋尖之片具蓋部銲,遞其經 部上,由 具端密。明晶線覆之明晶線覆端的明傳,。 封分時金 線尖脂球發體引一線發體引一尖上發板收成 密部試完 引的樹錫本導接供引本導接供線之本路吸完 腊端測能 接面之銲據半連提接據半連提引分據線所下。樹尖環不 連表片的根一該尚連根一該尚接部根刷變態上在之循並 該 Η 晶上 有。置在 有。置連脂 印形狀球 線度.擊, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4 3 4·Β i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(6 ) 衝體被提供在相對於樹I旨密封部分之表面上,所以傳遞 到樹脂密封部分之衝擊會被吸收。結果,從樹脂密封部 分加到銲錫球之衝擊可以因反應而減緩。由此結果,在 衝擊無法由連接引線之彈性形變所吸收的情形下,可以 防止破裂産生在銲錫球之上。 在此情形下,上述之、.緩衝韹可由選擇自一群含有眇樹 脂帶,熱硬化性樹脂帶和熱塑性塑帶之物體構成。 根據本發明之仍一形態,一種用以製造具有BG A結構 之半導體裝置的方法,其步驟包含:將連接引線連接到 半導體晶片之墊;之後,形成一覆蓋該半導體晶Η之樹_ 脂密封部分;其次,將連接引線切割成預定的長度;然 後將連接引線的尖端部分向回彎曲;最後,提供一銲錫 球在連接引線的尖端上。
該方法宜在切割連接引線的步驟之前,包含在樹脂 密封部分相對側之連接引線的尖端部分上提供一緩衝體 之步驟D 此外,在將連接引線切剴成預定長度之步驟前,提供 緩衝體之步驟允許將緩衝體提供在連接引線之預定位置。 圖忒簡菫說明 第1圖為半導體裝置之横截面圔,其中引線偽當作連 接端使用。 第2Α圖為掲露在USP 5,677,556,具有BGA結構之半導 體裝置的透視圖。 / 第2Β圖為其橫截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
α486 ΐ - Α7 _Β7_ 五、發明說明(7 ) 第3Α圔為掲露在日本專利應甩公報第Hei 9-213839 , 具有B G A結構之半導體装置的透視圖。 第3B圖為其橫截面圖。 第4/\圖為根據本發明之第一實施例,具有BGA結構之 半導體裝置的完整橫截面圃。 第4B圖為其部分橫截面圖。 第5圖為根據本發明之第一實施例,具有BGA結構之 的 置 裝 體 導 半 有。 具圖 造面 製截 ,横 例之 施序 實順 1 驟 第步 之依 明 , 發法 。本方 圖據的 視根置 正為裝 圖體 6D導 到半 6 之 第構 結 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 結 A G B 有 具 造 製 例 施 。 實圖 二靣 第截 之橫 明整 發完 本的 據置 根裝 為體 圖導 7A半 第之 If 半 之 構 結 A G B .有 具 例 施 實 ο 三 圖第 面之 截明 橫發 分本 部據 其根 為為 圖圖 B A 7 8 第第 .半 之 構 結 A G B 有 具 例 施 實 〇 四 。圖第 圖面之 面截明 截橫發 橫分本 整部據 完其根 的為為 置圖圖 裝 8 9 體第第 導 訂: 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖 面 截 横 的 置 裝10 體第 導 半 之 構 結 A G B 有 具 例 施 實 五 第 之 明 發 本 據 根 為 圔 圔 面 視 :正 整 完 的 置 裝10 體第 導 圖 面 截 横 其 為 圖 第 f« BG較 例 施 實 五 第 之 明 發 本 據 艮 ίΊ 為 圖 法 方 之 置 裝 體 導 1 半 到之 1Α構 1Χ 明 説 Μ 旆 窨 有 具 造 製 圖 面 截 橫 之 序 順 驟 步 依 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS:>A4規格(210 X 297公釐)
4348S A7 B7 五、發明說明(8 )
{請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下文將参考相關圖式詳細說明一種具有B G A結構之半 導體裝置及其製诰方法。第4A圖為根據本發明之第一實 施例,圖示具有BGA結構之半導體裝置的完暴橫截面圖。 第4B圖則為其部分横截面圖。第5圖 帶地,第5圖之左半邊為其上視圖, 視圖,而且省略部分的樹脂密封部分 如第和4B_所示,及如第5圔所根據本發明之 第一實施例,具有BG A結構之半導體裝置1有一半導體 晶Η 21。在半導體晶片21之上,有許多連接引線23之内 引線23a與半導體晶Η21之上表面並排。半導鼷晶片21 和連接引線2 3之内引線2 3 a ,用含有矽樹脂型或環氣樹 脂型絶緣體之黏著帶黏箸和固定。此外,許多M25和連 接引線2 3之内引線2 3 a依接線方法由導線2 6作電性逋接 覆蓋半導體晶片2 1 ,黏著帶2 9 ,連接引線2 3之内引線 2 3 a ,墊2 5和導線2 6 ,而形成樹脂密封部分2 2。此外, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 梵許連接引線2 3之外引線2 3 b自樹脂密封部分2 2延伸而 彎曲。依此方式排列其尖端部分,使得每一値尖端部分 的位置,會相對於鄰近樹脂密封部分2 2之上表面2 2 a向 下方向的外引線23b交錯。附帶地,在外引線23b之樹脂 密封部分之下表面22a的相對面上,矽樹脂帶30與此下 表面22a之黏著有一空隙。在本實施例中,烧> 使用砂樹 脂帶,但是本發明並不侷限於此。例如,也可以使用懋 硬化性樹脂帶或熱塑性塑膠帶。 此外,在每一個外引線2 3 b的尖端部分之上,各自形 -1 0 - 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明說明(9 ) 成一接箸區12。在各接著區12之上,各自黏著一銲錫球 28。然後再處理外引線23b之尖端部分的表面,以改善 銲錫的可烘乾性。 根據一種用以兌許銲錫球2 8進入與印刷線路板預定位 置接觸,和將銲錫球2 δ加熱或加壓使其融化之重新流動 法,將半導體裝置固定到印刷線路板的預定位置,而且 ,在此同時,半導體裝置會電性連接且附著在印刷線路 板之上。附帶地,在紐合用以連接各連接引線2 3之接合 罔1 1後,就自連接引線2 3切開。 - 附帶地,下文會説明本發明的主要尺寸。樹脂密封部 分22之厚度可為300Wm,樹脂密封部分22之厚度可為 725 y m ,黏箸帶29之厚度可為50wm,連接引線23之厚 度可為125wm,導線26之外徑可為30wm,内引線23a之 上表商和樹脂密封部分之上表面間的距離可為1 5 0 « m , 半導體晶片2 1之下表面和樹脂密封部分之下表面22 a間 的距離可為1 Ο Ο Μ πι ,樹脂密封部分之上表面2 2 b和外引 線2 3 b之下表面間的距離最多為9 0 0 w in,樹脂密封部分 之下表面2 2 a和外引線2 3 b之上表面間的距離可為5 0 W m ,接箸區12之外徑可為350wm,銲錫球28之外徑可為40 0 到4 5 0 w m ,外引線2 3 b和相鄰銲錫球2 8之間的延伸距離 可為8 0 0 w m,接箸區1 2之下表面和銲錫球2 8下端之間的 距離可為300w m,樹脂密封部分之下表面22b和銲錫球28 下端之間的距離最多為1 2 0 0 W nt ,半導體晶K 2 1之側面 .和邊界23C在水平方向的距離可為200wm,邊界23C和外 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: .線. 4348 6 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(1ϋ) ' 引線236_曲部分在水平方向的距離可為20〇wia,邊界 2 3C和接合閂1 1間的距離可為2 0 0 /i ra ,而接合閂1 1的寬 度為8 0 w m。 . 其次,下文將根據本發明之第一實施例,詳細説明具 有BGA結構之半導體裝置1的製造方法。第6A到6D圖為 根據本發明之第一實施例,製造具有BGA結構之半導體 裝置的方法,依步驟順序之橫截面圖。 首先,如第6 A圖所示,在半導體晶Η 2 1之上表面上, 黏箸且固定連接到具有黏著帶2 9之引線架的連接引線2 3。 其次,如第6 8圔所示,根據線路銲接法,用導線2 6電 性連接形成半導體晶片2 1上表面之中央部分的墊2 5。 之後,如第SC圖所示,藉由使用模具覆蓋半導體晶片 21,黏箸帶29,連接引線23,墊25和導線26,而形成樹 脂密封部分2 2。就在此時,允許部分的連接引線2 3 (外 引線2 3 b )自樹脂密封部分2 2延伸。然後,在外引線2 3 b 切割成預定的長度。此時,將連接引線23與引線架分離。 其次,如第6 D圖所示,將外引線2 3 b向回曲,再依 介於樹脂密封部分之下表面2 2 a和外引線2 3 b間形成空隙 之方式,排列矽樹脂帶3 0。然後,在外引線2 3 b的尖端 部分形成接箸區1 2。再處理外引線2 3 b尖端部分之表面 ,以改善其可濕性。在接著區1 2之下表面上接合銲錫球 28。其次,將連接連接引線23之接合閂11與連接引線23 切開。在此情形下,已製造好具有B G A結構之半導體裝置 1 〇 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---------If! — 訂-- - -----線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 3 486 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*1衣 A7 B7 五、發明說明(u) 根據依此方式建構之本發明第一實施例,在具有B G A 結構之半導體裝置中,在落地衝擊測試和溫度循環測試 時,自印刷總路板傳遞到銲錕球2 8之衝擊偽由連接引線 2 3之彈性形變吸收,其中其僳在半導體裝置附箸在印刷 線路板上之狀態下完成。藉由此種程序,可以防止破裂 産生在銲錫球2 8上。 即使在從印刷線路板傳遞到銲錫球的衝擊,並没有充 分被連接引綿2 3之彈性形變所吸收的情形下,建接引線 23之尖端部分也不會進而與樹脂密封部分的下表面22a 接觸,因為矽樹脂帶30提供在樹脂密封部分之下表面22a 的相對表面上。因此,傳遞到樹脂密封部分2 2之衝擊, 坷由從樹脂密封部分2 2施加到銲錫球2 8之衝撃利用反應 而減少之結果吸收。如此,即使在衝擊没有充分被連接 \ 引線2 3之彈性形變所趿收的情形下,也可以防止破裂産 生在銲錫球28之中。 附帶地,根據本發明之第一實施例,有許多墊25形成 在半導體晶Η 2 1上表面的中央部分之上,且銲錫球2 S形 成在樹脂密封部分之下表面2 2 a的下方,但本發明之結構 並不侷限於此。下面將說明本發明其他的實施例。 第7A圖為根據本發明之第二實施例,具有BGA結構之 半導體裝置的完整橫截面圖。第7B圖為其部分橫截面圖。 如第7 A和7 β圖所示,根據本發明之第二實施例,在具有 BGA結構之半導體裝置2中,有許多墊25形成在半導體 晶Η21的上表面端。這些塾25和連接引線23之内引線23a -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------.1^---------訂----I---1 (請先閱讀背面之生意事項再填寫本頁) 434861 A7 _;_ B7_五、發明說明(12) 偽用導線2 6作電性連接。本實施例的其他形態相同於根 據本發明第一實施例之具有BG A結構之半導體裝置1 所 以省略其説明。 第8A圖為根據本發明之第三實施例,具有BGA結構之 半導體裝置的完整橫截面圖。第8B圖為其部分橫截面圔 。如第8 A和8 B圖所示,根據本發明之第三簧施例,在具 有BG A結構之半導體裝置3中,有許多墊25形成在半導體 晶Η 2 1下表面的端部。這些墊2 5和連接引線2 3之内引線 23a傺用導線26作電性連接。附帶地,如下所述,在第三賁施例中的主要尺寸部分 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 分 部 對 相 的面 中表 例上 施的 實分 一 部 第封 在密 於脂 同樹 不和 2 線 引 内 面 表 上 的 為 可 離 距 的 間 之 ra 22界 面邊 表和 下面 的側 2 1 2 2 分片 部晶 封體 密導 脂半 .樹而 和, 面" 表 下15 的為 11 f_ 2 可 片離 晶距 導間 半之 w 結 A β Β 有 具 之 施 實 - 第 據 6 根 為於 可同 離寸 距尺 向和 方構 平結 水的 的他 間其 之. w 明 說 部 細 Μ 略 省 以 所 實 一 第 和 供 提 以 可 例 施 實 三 第 和 二 第 1 置下 裝形 體情 導些 半這 之在 構 例第 施 相 之 構 結 A G B 有 具 例 施 實 四 第 之 明 發 。本 果據 效根 的為 同圖 圖有 面具 截在 橫 , 的例 置施 裝實 體四 導第 半之 明 發 本 據 根 示 所 中 圔 9 第 如 接 連 中 4 置 裝 體 導 半 之 構 結 線密 引於 外對 該相 〇 在 曲 〇 彎上 伸之 延面 22表 分上 部的 封22 密分 脂部 樹封 自密 3b脂 2 f 樹 ?在 Η放 夕 _ 之 線 b [ 3 al_ 2 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) „1^--------訂----------線}(锖先閲讀背面之生意事項再填窝衣頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(13) 封部分的上表面2 2 b之外引線2 3 b的表面上,黏箸一矽樹 脂帶3 0。引線1 2分別形成在外引線2 3 b的各個尖端部分之 上。銲錫球2 8分別銲接到引線1 2。本實施例的其他形態 相同於根據第一簧施例之具有BGA結構之半導體裝置1, 所以省略其說明。 根據本發明,在裝置依此方式建構之具有BGA結構之 半導體裝置4中,銲錫球28可設置在樹脂密封部分22之 上,而在此同時,可以提供和第一實施例相同之功率。 第10A圖為根據本發明之第五實施例,具有BGA結構之 半導體裝置的完整正視圖。第10B圖為其橫截面圖。根 據第五實施例,在具有BGA結構之半導體裝置中,自樹 脂密封部分22延伸一引線,並在該引線之尖端部分形成 一引線樹脂部分4 0。此引線樹脂部分4 0傜和樹脂密封部 分22同時形成。在引線樹脂部分40之上,銲接銲錫球28 。本實施例之引線樹脂部分40分別密封兩個引線,但 引線的數目可以任意設定。 第11A到UD圖為根據本發明之第五實施例,製造具有 BGA結構之半導體裝置的方法,依步驟順序之橫截面圖。 首先,如第11 A圖中所示,連接到具有黏著帶2 9之引線 架的連接引線2 3,黏箸且固定在半導體晶Η 2 1的上表面 〇 其次,如第11Β圖所示,形成在半導體晶Η21之上表面 中央部分之塾2 5 ,偽用導線2 6和連接引線2 3作電性連接。 之後,如第11C圖中所示,藉由使用模具覆蓋半導體 -15- 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 111 --------訂!-----線—. {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 43486 A7 B7 五、發明說明(14) 晶片2 1 ,黏著帶2 9 ,建接引線2 3,墊2 5和導線2 6,而形 成樹脂密封部分2 2。就在此時,用樹脂密封一部分的連 接引線2 3 ί外引線2 3 b )而形成引線樹脂部分4 0。然後, 根據雷射或類似之方法製作引線樹脂4 0的開口,而形成 銲錫球孔2 8 a。根據雷射或類似之切割方法,將引線樹脂 部分4 0 —一切割或切割成一群許多引線。 其次,如第11 D圖所示,外引線2 3 b傺折回,而引線樹 脂部分40的設置,偽要使得在樹脂密封部分22的下表面 和外引線2 3 b之間可以形成一空隙。其次,在每一镅引 線樹脂4 0之上,都會根據重新流動法附著和連接銲錫球 28 〇 在根據本發明之第五實施例的半導體晶片中,在未完 成引線的打線,而旦引線樹脂的密封可與封裝主體的樹 脂密封同時執行。結果,不需要製程成本和打線的材料 成本,而且引線樹脂可以低成本製造&此外,執行樹脂 密封之所有的樹脂並未用於封裝體的成形。對應模具樹 脂通道的部分和樹脂平板的部分傺被為多餘的且要被拋 棄。如此,引線樹脂僅可藉由減少拋棄的部分而充份地 提供。因此,不會增加影響材料成本之樹脂的量。 此外,若只有封裝體被附箸在線路基板或相似基板之 上,根攄雷射或相似之方法切割樹脂以固定引線,則在 銲錕球中會産生破裂,或銲錫球會因封裝體和線路基板 之間的熱膨脹率不同而斷裂。因為,在第五實施例中, 固定樹脂之引線傜分開的,所以熱膨脹率傜由引線的動 作所趿收,因此可以防止在銲錫球中産生破裂及破麗到 -1 6 - 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- ;線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4 8 β 1 ,Α7 _Β7_五、發明說明(15) 銲錫球本身。 以該等方式,根據本發明,在落地衝擊測試和溫度循 環測試時,自印刷線路板傳遞到銲錫球的衝擊偽由連接 引線的彈性形變所吸收,其中傺在半導體裝置附署在印 刷線路板之上的狀態完成,結果,可以防止在銲錫球中 産生破裂。 符號之説明 1,2,3,4......半導體裝置 2 1.. 導 體 晶 Η 22., .….樹 脂 密 封 部 2 2a. …T 表 面 22b . …± 表 面 2 3.. ...m 接 引 線 2 3a. …(¾ 引 線 2 3b . …外 引 線 2 3c, 界 2 5.. ...m 26.. …導 線 28.. ..,η 錫 球 29… …1占 著 帶 30… ...砂 樹 脂 帶 40 .. …引 線 樹 脂 部 50., …半 導 體 裝 置 7 1.. …半 導 體 晶 Η -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之生意事項再填寫本頁) 線· J ,α 48 6 1 A7 _E7五、發明說明(16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 72.....樹脂密封部分 7 3.....連接引線 7 3 a ....内引線 7 3 b ....外引線 75.....墊 7 6.....導線 79.....黏著帶 110.. ..第一半導體裝置 1 1 4 ....半導體晶片 1 15 ....連接引線118.. .. m 1 2 2 ....導線 126.. ..榭脂密封部分 1 2 8 ....銲錫球 1 4 0 ....晶粒_塾 150.. ..第二傳統半導體裝置 151.. ..半導體晶片 1 5 2 ....黏著帶 153….塾 1 5 4 ....導線 1 5 5 ....内引線 156 ....上封裝體 157 ......下封裝體 158 ......銲錕球 1.6 9......印刷線路板 -18™ (請先閱讀背面之迮意事項再填寫本頁) .線_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- ABCD 六、申請專利範圍 1. —種具有BGA結構之半導體裝置,包含: 一半導體晶片; 一連接引線連接到該半導體晶Η之墊,該連接引線 具有一上彎到位在該墊相對抓之該半導體晶片表面的 尖端部分; 一樹脂密封部分,覆蓋該半導體晶Η ;以及 一銲錕球,提供在該連接引線之該尖端部分上。 2. —種具有BGA結構之半導體裝置,包含: 一半導體晶Η ; 一連接引線,連接到半導體晶Η之墊,該連接引線 具有一向回彎曲之尖端部分; 一樹脂密封部分,覆蓋該半導體晶片;以及 一銲錫球,提供在該建接引線之該尖端部分上。 3. —種具有BGA結構之半導體裝置,包含: 一半導體晶Η ; 一連接引線建接到該半導體晶片之墊,該連接引線 具有一折回之尖端部分; 一樹脂密封部分覆蓋該半導體晶片; 一引線樹脂部分,提供在該連接引線之該尖端部分 :以及 一銲錫球,提供在該引線樹脂部分之上。 4. 如申請專利範圍第1項之具有BGA結構之半導體裝置 ,尚包含一提供在該樹脂密封部分相對側之該連接引 線的該尖端部分上之緩衝構件。 ~19' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 4348 6] 六、申請專利範圍 5 .如申請專利範圍第2項之具有B G A結構之半導體裝置 ,尚包含一提供在該樹脂密封部分相對側之該連接引 線的該尖端部分上之緩衝構件。 6. 如申請專利範圍第4項之具有BGA結構之半導體裝置 ,其中該緩衝構件傜由一群含有砂樹脂帶,熱硬化性 樹胞帶和熱塑性膠帶中選擇一種黏箸帶製成。 7. 如申請專利範圍第5項之具有BGA結構之半導體裝置 ,其中該緩衝構件傺由一群含有矽樹脂帶,熱硬化性 樹脂帶和熱塑性塑膠帶中選擇一種建接黏箸帶製成。 8. —種具有BGA結構之半導體裝置之製造方法,包含下 列步驟: 將連接·引線到半導體晶片之墊; 形成一覆蓋該半導體晶片之樹脂密封部分; 將該連接引線切割成預定的長度; 將該連接引線的尖端部分折回;以及 在該連接引線的該尖端部分之上,提供一銲錫球。 9. 如申請專利範圍第8項之具有BGA結構之半導體裝置 之製造方法,其中尚包含一步驟:在切割該連接引線 的步驟之前,先在該樹脂密封部分之相對側的該連接 引線之該尖端部分上,提供一緩衝構件。 10. —種具有BGA結耩之半導體裝置之製造方法,包含下 列步驟: 將建接引線連接到半導體晶片之墊; 形成一覆蓋該半導體晶Η之樹脂密封部分,以在該 連接引線之外的部分外引線形成一引線樹脂部分; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210乂297公釐) 請 閱 讀 背 ιέ 之 注 意 事 項 再 寫/ 本、 頁 訂 線 )1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 3486 A8 BS. C8 D8 申請專利範圍 將該連接引線切割成預定的長度; 將該逋接引線的尖端部分折回;以及 在該連接引線的該尖端部分之上,提供一銲錫球 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現,格(210X297公釐)
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