JPH0992678A - Ｉｃパッケージとその製造方法 - Google Patents
Ｉｃパッケージとその製造方法Info
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- JPH0992678A JPH0992678A JP27191295A JP27191295A JPH0992678A JP H0992678 A JPH0992678 A JP H0992678A JP 27191295 A JP27191295 A JP 27191295A JP 27191295 A JP27191295 A JP 27191295A JP H0992678 A JPH0992678 A JP H0992678A
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣパッケージの全体が大きいので、高密度
に実装できない。 【解決手段】 ＩＣ２０の実装部とそのまわりに伸びる
折り曲げ部Ａとからなる。ＩＣ２０の実装部は、インナ
ーリード１４ａにＩＣ２０をボンデングし、該ＩＣ２０
をたとえばエボキシ樹脂などの封止樹脂２１で封止して
なる。折り曲げ部Ａは、アウターリード１４ｂの裏面に
付着した補強樹脂１５で一体化し、それを折り曲げてＩ
Ｃ２０の実装部の裏面に貼り付けてなる。その後、折り
曲げ部Ａに電極部３０を形成する。そして、たとえばプ
リント基板に取り付けるときは、電極部３０を接続す
る。
に実装できない。 【解決手段】 ＩＣ２０の実装部とそのまわりに伸びる
折り曲げ部Ａとからなる。ＩＣ２０の実装部は、インナ
ーリード１４ａにＩＣ２０をボンデングし、該ＩＣ２０
をたとえばエボキシ樹脂などの封止樹脂２１で封止して
なる。折り曲げ部Ａは、アウターリード１４ｂの裏面に
付着した補強樹脂１５で一体化し、それを折り曲げてＩ
Ｃ２０の実装部の裏面に貼り付けてなる。その後、折り
曲げ部Ａに電極部３０を形成する。そして、たとえばプ
リント基板に取り付けるときは、電極部３０を接続す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣを実装して
たとえばプリント基板等に取り付けるＩＣパッケージお
よびその製造方法に関する。
たとえばプリント基板等に取り付けるＩＣパッケージお
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージの中には、たとえ
ば図９に示す構成としたものがある。図中符号１は、中
央にディバイス穴１ａを有する絶縁フィルム基材であ
る。その絶縁フィルム基材１上には、銅箔等の導体をラ
ミネートしてからレジストコート・露光・現像・エッチ
ング・レジスト除去の一連のフォトプロセスを用いてイ
ンナーリード２およびアウターリード３を形成してな
る。そして、そのインナーリード２にＩＣ４を接続し、
そのＩＣ４を樹脂５で封止して絶縁フィルム基材１の中
央にＩＣ４の実装部６を設けてなる。
ば図９に示す構成としたものがある。図中符号１は、中
央にディバイス穴１ａを有する絶縁フィルム基材であ
る。その絶縁フィルム基材１上には、銅箔等の導体をラ
ミネートしてからレジストコート・露光・現像・エッチ
ング・レジスト除去の一連のフォトプロセスを用いてイ
ンナーリード２およびアウターリード３を形成してな
る。そして、そのインナーリード２にＩＣ４を接続し、
そのＩＣ４を樹脂５で封止して絶縁フィルム基材１の中
央にＩＣ４の実装部６を設けてなる。
【０００３】しかしながら、従来のＩＣパッケージで
は、たとえばプリント基板に正確に接続するために、図
示するように、アウターリード３の電極部７を間隔を広
げて配置していた。
は、たとえばプリント基板に正確に接続するために、図
示するように、アウターリード３の電極部７を間隔を広
げて配置していた。
【０００４】そのため、従来のそのようなＩＣパッケー
ジでは、全体が大きくなり、高密度に実装できない問題
があった。
ジでは、全体が大きくなり、高密度に実装できない問題
があった。
【０００５】そこで、この発明の目的は、ＩＣパッケー
ジの小型化を図り、高密度実装を可能とすることにあ
る。
ジの小型化を図り、高密度実装を可能とすることにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのため、請求項１に記
載のＩＣパッケージの製造方法は、たとえば以下の図示
実施の形態のように、表面に接着剤１１を付着した細長
の絶縁フィルム基材１０にディバイス穴１２とアウター
リード穴１３をあけ、該絶縁フィルム基材１０の表面に
接着剤１１で銅箔等の導体１４をラミネートしてそれら
ディバイス穴１２とアウターリード穴１３を塞いでから
アウターリード穴１３に補強樹脂１５を注ぎ込んで該導
体１４の裏面に付着し、その後、レジストコート・露光
・現像・エッチング・レジスト除去の一連のフォトプロ
セスを用いて導体１４からアウターリード１４ｂおよび
インナーリード１４ａを形成し、そのインナーリード１
４ａにＩＣ２０をボンディングしてから該ＩＣ２０を封
止樹脂２１で封止し、そのＩＣ実装後、絶縁フィルム基
材１０から打ち抜いてＩＣ２０の実装部とそのまわりに
前記補強樹脂１５で一体化したアウターリード１４ｂの
折り曲げ部Ａとを形成し、その折り曲げ部Ａを前記絶縁
フィルム基材１０の裏側に折り曲げてＩＣ２０の実装部
の裏面に貼り付け、そこに電極部３０を形成してなる、
ことを特徴とする。
載のＩＣパッケージの製造方法は、たとえば以下の図示
実施の形態のように、表面に接着剤１１を付着した細長
の絶縁フィルム基材１０にディバイス穴１２とアウター
リード穴１３をあけ、該絶縁フィルム基材１０の表面に
接着剤１１で銅箔等の導体１４をラミネートしてそれら
ディバイス穴１２とアウターリード穴１３を塞いでから
アウターリード穴１３に補強樹脂１５を注ぎ込んで該導
体１４の裏面に付着し、その後、レジストコート・露光
・現像・エッチング・レジスト除去の一連のフォトプロ
セスを用いて導体１４からアウターリード１４ｂおよび
インナーリード１４ａを形成し、そのインナーリード１
４ａにＩＣ２０をボンディングしてから該ＩＣ２０を封
止樹脂２１で封止し、そのＩＣ実装後、絶縁フィルム基
材１０から打ち抜いてＩＣ２０の実装部とそのまわりに
前記補強樹脂１５で一体化したアウターリード１４ｂの
折り曲げ部Ａとを形成し、その折り曲げ部Ａを前記絶縁
フィルム基材１０の裏側に折り曲げてＩＣ２０の実装部
の裏面に貼り付け、そこに電極部３０を形成してなる、
ことを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載のＩＣパッケージは、たと
えば以下の図示実施の形態のように、 インナーリード
１４ａにＩＣ２０を接続して樹脂封止したＩＣの実装部
と、アウターリード１４ｂの裏面に付着した補強樹脂１
５で一体化し、それを折り曲げてＩＣ２０の実装部の裏
面に貼り付け、その後、電極部３０を形成する折り曲げ
部Ａと、を備えてなる、ことを特徴とする。
えば以下の図示実施の形態のように、 インナーリード
１４ａにＩＣ２０を接続して樹脂封止したＩＣの実装部
と、アウターリード１４ｂの裏面に付着した補強樹脂１
５で一体化し、それを折り曲げてＩＣ２０の実装部の裏
面に貼り付け、その後、電極部３０を形成する折り曲げ
部Ａと、を備えてなる、ことを特徴とする。
【０００８】そして、たとえばプリント基板等に取り付
けるとき、ＩＣパッケージの電極部３０を接続する。
けるとき、ＩＣパッケージの電極部３０を接続する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態を説明する。図１乃至図３は、請求項
１に記載の発明の一実施の形態で、ＩＣパッケージの製
造方法を工程順に示す工程説明図である。
発明の実施の形態を説明する。図１乃至図３は、請求項
１に記載の発明の一実施の形態で、ＩＣパッケージの製
造方法を工程順に示す工程説明図である。
【００１０】請求項１に記載の発明では、図１（Ａ）に
示すように、両側にスプロケットを有し、そのスプロケ
ットを除く表面全面に接着剤１１を付着した細長の絶縁
フィルム基材１０を用いる。
示すように、両側にスプロケットを有し、そのスプロケ
ットを除く表面全面に接着剤１１を付着した細長の絶縁
フィルム基材１０を用いる。
【００１１】そして、図１（Ｂ）に示すように、その絶
縁フィルム基材１０にパンチングで１個のディバイス穴
１２と４個のアウターリード穴１３をあける。そして、
図４に示すように、矩形状のディバイス穴１２を中央に
設け、そのディバイス穴１２のまわりに各辺に対応して
アウターリード穴１３をそれぞれ設ける。そうして、図
示省略するが、そのようなディバイス穴１２とアウター
リード穴１３の組合せを、絶縁フィルム基材１０の長手
方向に所定間隔置きに設ける。
縁フィルム基材１０にパンチングで１個のディバイス穴
１２と４個のアウターリード穴１３をあける。そして、
図４に示すように、矩形状のディバイス穴１２を中央に
設け、そのディバイス穴１２のまわりに各辺に対応して
アウターリード穴１３をそれぞれ設ける。そうして、図
示省略するが、そのようなディバイス穴１２とアウター
リード穴１３の組合せを、絶縁フィルム基材１０の長手
方向に所定間隔置きに設ける。
【００１２】その後、図１（Ｃ）に示すように、絶縁フ
ィルム基材１０の表面に接着剤１１で銅箔等の導体１４
をラミネートしてそれらディバイス穴１２やアウターリ
ード穴１３を塞ぐ。
ィルム基材１０の表面に接着剤１１で銅箔等の導体１４
をラミネートしてそれらディバイス穴１２やアウターリ
ード穴１３を塞ぐ。
【００１３】それから、図１（Ｄ）に示すように、アウ
ターリード穴１３にポリイミドなどの補強樹脂１５を注
ぎ込んで導体１４の裏面に付着する。
ターリード穴１３にポリイミドなどの補強樹脂１５を注
ぎ込んで導体１４の裏面に付着する。
【００１４】その後、図１（Ｅ）に示すように、導体１
４の表面にフォトレジストコート１７を施し、そのフォ
トレジストコート１７面を露光・現像して所望の形状に
残し、さらにエッチングを行ない、図１（Ｆ）に示すよ
うに、フォトレジストコート１７で被われた部分以外の
導体１４を除去する。
４の表面にフォトレジストコート１７を施し、そのフォ
トレジストコート１７面を露光・現像して所望の形状に
残し、さらにエッチングを行ない、図１（Ｆ）に示すよ
うに、フォトレジストコート１７で被われた部分以外の
導体１４を除去する。
【００１５】しかる後、フォトレジストコート１７を取
り除いて、図１（Ｇ）に示すように、インナーリード１
４ａ及びアウターリード１４ｂを形成する。そして、図
５に示すように、アウターリード１４ｂは、先端の間隔
を広げて分散配置する。
り除いて、図１（Ｇ）に示すように、インナーリード１
４ａ及びアウターリード１４ｂを形成する。そして、図
５に示すように、アウターリード１４ｂは、先端の間隔
を広げて分散配置する。
【００１６】次に、それら各アウターリード１４ｂの先
端位置を穴状に残して表面にソルダレジストを施し、さ
らに仕上げ鍍金を施して図２（Ａ）に示す状態とする。
端位置を穴状に残して表面にソルダレジストを施し、さ
らに仕上げ鍍金を施して図２（Ａ）に示す状態とする。
【００１７】それから、図２（Ｂ）に示すように、イン
ナーリード１４ａ上にＩＣ２０をボンディングし、さら
に図２（Ｃ）に示すように、そのＩＣ２０をたとえばエ
ボキシ樹脂などの封止樹脂２１で封止する。
ナーリード１４ａ上にＩＣ２０をボンディングし、さら
に図２（Ｃ）に示すように、そのＩＣ２０をたとえばエ
ボキシ樹脂などの封止樹脂２１で封止する。
【００１８】その後、図５中ａ線に沿って打ち抜き、図
２（Ｄ）に示す状態とする。そして、図６に示すよう
に、ＩＣ２０の実装部のまわりに、裏面に補強樹脂１５
を付着して一体化したアウターリード１４ｂの４つの折
り曲げ部Ａをホームベース板形状に形成してなる。
２（Ｄ）に示す状態とする。そして、図６に示すよう
に、ＩＣ２０の実装部のまわりに、裏面に補強樹脂１５
を付着して一体化したアウターリード１４ｂの４つの折
り曲げ部Ａをホームベース板形状に形成してなる。
【００１９】その打ち抜き後、図３（Ａ）に示すよう
に、絶縁フィルム基材１０の裏面に金属製またはある程
度硬度のある合成樹脂製の支持板２６を接着してディバ
イス穴１２を塞ぐ。そして、支持板２６で、折り曲げ部
Ａの貼付面を形成するとともに、絶縁フィルム基材１０
の反りを防止する。
に、絶縁フィルム基材１０の裏面に金属製またはある程
度硬度のある合成樹脂製の支持板２６を接着してディバ
イス穴１２を塞ぐ。そして、支持板２６で、折り曲げ部
Ａの貼付面を形成するとともに、絶縁フィルム基材１０
の反りを防止する。
【００２０】その後、図３（Ｂ）に示すように、各折り
曲げ部Ａの裏面に接着剤２７を塗布する。それから、そ
れら折り曲げ部Ａを図６に示す折曲線ｂに沿って下向き
に直角に折り曲げ、さらに、図６に示す折曲線ｃに沿っ
て内向きに直角に折り曲げ、図３（Ｃ）に示すように、
重ならないようにして支持板２６に貼り付ける。そのと
き、各折り曲げ部Ａの三角形状の２辺が支持板２６の対
角線上でそれぞれ接触してなる。
曲げ部Ａの裏面に接着剤２７を塗布する。それから、そ
れら折り曲げ部Ａを図６に示す折曲線ｂに沿って下向き
に直角に折り曲げ、さらに、図６に示す折曲線ｃに沿っ
て内向きに直角に折り曲げ、図３（Ｃ）に示すように、
重ならないようにして支持板２６に貼り付ける。そのと
き、各折り曲げ部Ａの三角形状の２辺が支持板２６の対
角線上でそれぞれ接触してなる。
【００２１】しかる後、図３（Ｄ）に示すように、ソル
ダレジストの付いていないアウターリード１４ｂの先端
部位に半田ボールを取り付けて電極部３０を形成する。
ダレジストの付いていないアウターリード１４ｂの先端
部位に半田ボールを取り付けて電極部３０を形成する。
【００２２】そして、上述したような製造工程を経て、
図７に示すＩＣパッケージを得る。そうして、たとえば
プリント基板に取り付けるとき、ＩＣパッケージの電極
部３０を接続する。
図７に示すＩＣパッケージを得る。そうして、たとえば
プリント基板に取り付けるとき、ＩＣパッケージの電極
部３０を接続する。
【００２３】しかして、請求項２に記載の発明では、図
７に示すように、インナーリード１４ａにＩＣ２０を接
続して樹脂封止したＩＣの実装部と、アウターリード１
４ｂの裏面に付着した補強樹脂１５で一体化し、それを
折り曲げてＩＣ２０の実装部の裏面に貼り付け、その
後、電極部３０を形成する折り曲げ部Ａと、を備える構
成としてなる。
７に示すように、インナーリード１４ａにＩＣ２０を接
続して樹脂封止したＩＣの実装部と、アウターリード１
４ｂの裏面に付着した補強樹脂１５で一体化し、それを
折り曲げてＩＣ２０の実装部の裏面に貼り付け、その
後、電極部３０を形成する折り曲げ部Ａと、を備える構
成としてなる。
【００２４】なお、図示実施の形態では、一辺の全域か
ら伸びるホームベース板形状の折り曲げ部Ａを折り曲げ
て支持板２６に貼り付け、該支持板２６の対角線上で接
触して重ならないようにした。しかし、これに限るもの
でなくいろいろ考えられるが、たとえば図８に示すよう
に打ち抜き工程後、一辺の半域から伸びる矩形状の折り
曲げ部Ａを折曲線ｄ・ｅで順に折り曲げて図示しない支
持板に貼り付け、該支持板の十字線上で接触して重なら
ないようにする構成としてもよい。
ら伸びるホームベース板形状の折り曲げ部Ａを折り曲げ
て支持板２６に貼り付け、該支持板２６の対角線上で接
触して重ならないようにした。しかし、これに限るもの
でなくいろいろ考えられるが、たとえば図８に示すよう
に打ち抜き工程後、一辺の半域から伸びる矩形状の折り
曲げ部Ａを折曲線ｄ・ｅで順に折り曲げて図示しない支
持板に貼り付け、該支持板の十字線上で接触して重なら
ないようにする構成としてもよい。
【００２５】また、上述したすべての図示実施の形態で
は、四辺に有する折り曲げ部Ａを折り曲げた。しかし、
図示省略するが、たとえば二辺に有する折り曲げ部を折
り曲げる構成としてもよい。
は、四辺に有する折り曲げ部Ａを折り曲げた。しかし、
図示省略するが、たとえば二辺に有する折り曲げ部を折
り曲げる構成としてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のことから、請求項１および請求項
２に記載の発明によれば、ＩＣの実装部のまわりに折り
曲げ部を形成し、その折り曲げ部をＩＣの実装部の裏面
に貼り付け、その後、電極部を形成するので、ＩＣパッ
ケージの平面的な大きさをＩＣサイズに近づけて小さく
することができ、たとえば電子機器内の小スペースに無
理なく収納することができ、電子機器の高密度実装を可
能とすることができる。
２に記載の発明によれば、ＩＣの実装部のまわりに折り
曲げ部を形成し、その折り曲げ部をＩＣの実装部の裏面
に貼り付け、その後、電極部を形成するので、ＩＣパッ
ケージの平面的な大きさをＩＣサイズに近づけて小さく
することができ、たとえば電子機器内の小スペースに無
理なく収納することができ、電子機器の高密度実装を可
能とすることができる。
【図１】請求項１に記載の発明の一実施の形態であるＩ
Ｃパッケージの製造方法で、インナーリードおよびアウ
ターリードを形成するまでの製造工程を工程順に示す工
程説明図である。
Ｃパッケージの製造方法で、インナーリードおよびアウ
ターリードを形成するまでの製造工程を工程順に示す工
程説明図である。
【図２】その工程に続いて、ＩＣを実装するまでの製造
工程を工程順に示す工程説明図である。
工程を工程順に示す工程説明図である。
【図３】さらに、その工程に続いて、最終工程までの製
造工程を工程順に示す工程説明図である。
造工程を工程順に示す工程説明図である。
【図４】図１中の（Ｂ）工程後の状態を示す平面図であ
る。
る。
【図５】図１中の（Ｇ）工程後の状態を示す平面図であ
る。
る。
【図６】図２中の（Ｄ）工程後の状態を示す平面図であ
る。
る。
【図７】請求項２に記載の発明の実施の形態であるＩＣ
パッケージの縦断面図である。
パッケージの縦断面図である。
【図８】請求項１に記載の発明の他の実施の形態を示す
打ち抜き工程後の平面図である。
打ち抜き工程後の平面図である。
【図９】従来のＩＣパッケージの平面図である。
１０ 絶縁フィルム基材 １１ 接着剤 １２ ディバイス穴 １３ アウターリード穴 １４ 導体 １４ａ インナーリード １４ｂ アウターリード １５ 補強樹脂 ２０ ＩＣ ２１ 封止樹脂 ３０ 電極部 Ａ 折り曲げ部
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に接着剤を付着した細長の絶縁フィ
ルム基材にディバイス穴とアウターリード穴をあけ、該
絶縁フィルム基材の表面に接着剤で銅箔等の導体をラミ
ネートしてそれらディバイス穴とアウターリード穴を塞
いでからアウターリード穴に補強樹脂を注ぎ込んで該導
体の裏面に付着し、その後、レジストコート・露光・現
像・エッチング・レジスト除去の一連のフォトプロセス
を用いて導体からアウターリードおよびインナーリード
を形成し、そのインナーリードにＩＣをボンディングし
てから該ＩＣを封止樹脂で封止し、そのＩＣ実装後、絶
縁フィルム基材から打ち抜いてＩＣの実装部とそのまわ
りに前記補強樹脂で一体化したアウターリードの折り曲
げ部とを形成し、その折り曲げ部を前記絶縁フィルム基
材の裏側に折り曲げてＩＣの実装部の裏面に貼り付け、
そこに電極部を形成してなる、ＩＣパッケージの製造方
法。 - 【請求項２】 インナーリードにＩＣを接続して樹脂封
止したＩＣの実装部と、 アウターリードの裏面に付着した補強樹脂で一体化し、
それを折り曲げてＩＣの実装部の裏面に貼り付け、その
後、電極部を形成する折り曲げ部と、 を備える、ＩＣパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27191295A JPH0992678A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | Ｉｃパッケージとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27191295A JPH0992678A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | Ｉｃパッケージとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992678A true JPH0992678A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17506617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27191295A Pending JPH0992678A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | Ｉｃパッケージとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331738B1 (en) | 1998-12-08 | 2001-12-18 | Nec Corporation | Semiconductor device having a BGA structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198618A (ja) * | 1992-01-18 | 1993-08-06 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH0629348A (ja) * | 1992-05-12 | 1994-02-04 | Akira Kitahara | 表面実装部品及びその半製品 |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP27191295A patent/JPH0992678A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198618A (ja) * | 1992-01-18 | 1993-08-06 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH0629348A (ja) * | 1992-05-12 | 1994-02-04 | Akira Kitahara | 表面実装部品及びその半製品 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331738B1 (en) | 1998-12-08 | 2001-12-18 | Nec Corporation | Semiconductor device having a BGA structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971118 |