JPH04287355A - 電子部品搭載装置 - Google Patents
電子部品搭載装置Info
- Publication number
- JPH04287355A JPH04287355A JP7677691A JP7677691A JPH04287355A JP H04287355 A JPH04287355 A JP H04287355A JP 7677691 A JP7677691 A JP 7677691A JP 7677691 A JP7677691 A JP 7677691A JP H04287355 A JPH04287355 A JP H04287355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- insulating substrate
- lead frame
- component mounting
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，リードフレームを用い
た電子部品搭載装置に関する。
た電子部品搭載装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来，リードフレームを用いた電子部品搭
載装置としては，例えば図６及び図７に示すものがある
（特開昭５８−１２２７６３号公報）。上記電子部品搭
載装置は，有機又は無機の絶縁基板８と，該絶縁基板８
上に形成した導体回路８５と，該絶縁基板８に接着した
リードフレーム９とよりなる。そして，絶縁基板８とリ
ードフレーム９との間に形成された電子部品搭載用穴８
８には，半導体チップ等の電子部品８６を搭載する。ま
た，リードフレーム９は，絶縁基板８より外方に向かう
，外部接続端子としてのインナーリード９３を有する。 該インナーリード９３は，導体回路８５に対して導電性
接着剤９６により接合されている。また，上記電子部品
８６と，上記導体回路８５との間には，ボンディングワ
イヤー８９が接続されている。そして，上記絶縁基板８
，電子部品８６の周囲は，湿気防止用の封止用樹脂８３
により封止されている。上記従来の電子部品搭載装置は
，絶縁基板８を基体として，その上にリードフレーム９
を接合したものであり，それ以前の電子部品搭載装置に
比して，機械的強度が向上している。
載装置としては，例えば図６及び図７に示すものがある
（特開昭５８−１２２７６３号公報）。上記電子部品搭
載装置は，有機又は無機の絶縁基板８と，該絶縁基板８
上に形成した導体回路８５と，該絶縁基板８に接着した
リードフレーム９とよりなる。そして，絶縁基板８とリ
ードフレーム９との間に形成された電子部品搭載用穴８
８には，半導体チップ等の電子部品８６を搭載する。ま
た，リードフレーム９は，絶縁基板８より外方に向かう
，外部接続端子としてのインナーリード９３を有する。 該インナーリード９３は，導体回路８５に対して導電性
接着剤９６により接合されている。また，上記電子部品
８６と，上記導体回路８５との間には，ボンディングワ
イヤー８９が接続されている。そして，上記絶縁基板８
，電子部品８６の周囲は，湿気防止用の封止用樹脂８３
により封止されている。上記従来の電子部品搭載装置は
，絶縁基板８を基体として，その上にリードフレーム９
を接合したものであり，それ以前の電子部品搭載装置に
比して，機械的強度が向上している。
【０００３】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記電子部品
搭載装置においては，インナーリード９３が導体回路８
５の上面に導電性接着剤９６により接合してある。また
，インナーリード９３は，図７に示すごとく，絶縁基板
８の側面近くにおいて，その途中をＬ字状に曲折させて
，使用に供される。そのため，使用時には，インナーリ
ード９３に上方向の力が作用する。その結果，インナー
リード９３と導体回路８５との接合面に力が作用し，両
者の接合部分が剥離するおそれがある。また，近年は電
子部品の大集積化が進み，これに伴ってインナーリード
がより細く（例えば線幅０．２〜０．５ｍｍ）なりつつ
ある。そのため，インナーリードと導体回路との接合強
度が充分に取れない。また，電子部品の大集積化に伴っ
て，該電子部品からの発熱量も多くなっている。それ故
，熱放散性の向上が切望されている。本発明は，かかる
問題点に鑑み，インナーリードと導体回路の接合強度に
優れ，かつ放熱性に優れた電子部品搭載装置を提供しよ
うとするものである。
搭載装置においては，インナーリード９３が導体回路８
５の上面に導電性接着剤９６により接合してある。また
，インナーリード９３は，図７に示すごとく，絶縁基板
８の側面近くにおいて，その途中をＬ字状に曲折させて
，使用に供される。そのため，使用時には，インナーリ
ード９３に上方向の力が作用する。その結果，インナー
リード９３と導体回路８５との接合面に力が作用し，両
者の接合部分が剥離するおそれがある。また，近年は電
子部品の大集積化が進み，これに伴ってインナーリード
がより細く（例えば線幅０．２〜０．５ｍｍ）なりつつ
ある。そのため，インナーリードと導体回路との接合強
度が充分に取れない。また，電子部品の大集積化に伴っ
て，該電子部品からの発熱量も多くなっている。それ故
，熱放散性の向上が切望されている。本発明は，かかる
問題点に鑑み，インナーリードと導体回路の接合強度に
優れ，かつ放熱性に優れた電子部品搭載装置を提供しよ
うとするものである。
【０００４】
【課題の解決手段】本発明は，表側面から側面を経て裏
側面に導体回路を設けた絶縁基板と，該絶縁基板の裏側
面に接着剤を介して接合したリードフレームとよりなり
，また上記リードフレームのインナーリードと上記絶縁
基板の側面及び裏側面の導体回路とは半田により接合し
てなり，また，上記絶縁基板に設けた電子部品搭載用穴
の底面にはリードフレームのアイランドが露出しており
，またインナーリードの内方端部には貫通孔を有し，該
貫通孔には上記絶縁基板とリードフレームとの間を接合
する上記接着剤がリードフレームの外部へはみ出して突
出部を形成していることを特徴とする電子部品搭載装置
にある。本発明において最も重要なことは，絶縁基板に
表側面から側面を経て裏側面に至る導体回路を形成した
こと，インナーリードは絶縁基板の上記側面及び裏側面
の導体回路に半田接合してあること，電子部品搭載用穴
にはリードフレームのアイランドが露出していること，
更にインナーリードの内方端部には貫通孔が設けられ，
該貫通孔の外部には上記接着剤がはみ出して突出部を形
成していることである。
側面に導体回路を設けた絶縁基板と，該絶縁基板の裏側
面に接着剤を介して接合したリードフレームとよりなり
，また上記リードフレームのインナーリードと上記絶縁
基板の側面及び裏側面の導体回路とは半田により接合し
てなり，また，上記絶縁基板に設けた電子部品搭載用穴
の底面にはリードフレームのアイランドが露出しており
，またインナーリードの内方端部には貫通孔を有し，該
貫通孔には上記絶縁基板とリードフレームとの間を接合
する上記接着剤がリードフレームの外部へはみ出して突
出部を形成していることを特徴とする電子部品搭載装置
にある。本発明において最も重要なことは，絶縁基板に
表側面から側面を経て裏側面に至る導体回路を形成した
こと，インナーリードは絶縁基板の上記側面及び裏側面
の導体回路に半田接合してあること，電子部品搭載用穴
にはリードフレームのアイランドが露出していること，
更にインナーリードの内方端部には貫通孔が設けられ，
該貫通孔の外部には上記接着剤がはみ出して突出部を形
成していることである。
【０００５】また，上記の側面の導体回路は，円弧状凹
部に形成しておくことが好ましい（図２，図５参照）。 これにより，該側面導体回路の表面積が大きくなり，半
田との接触面が大きくなる。そのため，該導体回路とイ
ンナーリードとの間の半田接合強度が一層向上する。ま
た，インナーリードの内方端部，即ち電子部品搭載用穴
に近い方の端部には貫通孔を設ける。この貫通孔は，絶
縁基板とリードフレームとの接合面の範囲内に設け，両
者の接合時に接着剤の一部分がインナーリードの外部へ
，はみ出るよう設ける（図１参照）。また，絶縁基板に
は貫通した電子部品搭載用穴を設ける。そのため，該絶
縁基板とリードフレームとを接合したときには，該電子
部品搭載用穴の底面にはリードフレームのアイランドが
露出した状態にある。そして，この露出しているアイラ
ンド上に電子部品を接合，搭載する。
部に形成しておくことが好ましい（図２，図５参照）。 これにより，該側面導体回路の表面積が大きくなり，半
田との接触面が大きくなる。そのため，該導体回路とイ
ンナーリードとの間の半田接合強度が一層向上する。ま
た，インナーリードの内方端部，即ち電子部品搭載用穴
に近い方の端部には貫通孔を設ける。この貫通孔は，絶
縁基板とリードフレームとの接合面の範囲内に設け，両
者の接合時に接着剤の一部分がインナーリードの外部へ
，はみ出るよう設ける（図１参照）。また，絶縁基板に
は貫通した電子部品搭載用穴を設ける。そのため，該絶
縁基板とリードフレームとを接合したときには，該電子
部品搭載用穴の底面にはリードフレームのアイランドが
露出した状態にある。そして，この露出しているアイラ
ンド上に電子部品を接合，搭載する。
【０００６】
【作用及び効果】本発明の電子部品搭載装置においては
，絶縁基板には表側面から側面を経て裏側面に至る導体
回路が形成してあり，その側面導体回路及び裏側面導体
回路とインナーリードとが半田により接合されている。 そして，インナーリードは，前記のごとく，絶縁基板の
側面近くにおいてＬ字状に屈曲させてある。そのため，
インナーリードと絶縁基板の導体回路とは上記半田によ
りＬ字状に接合され，両者の接合強度が増大する。 また，インナーリードの貫通孔の外部には，絶縁基板と
リードフレームとの間を接合した接着剤の一部がはみ出
して，コブ状に，突出部を形成している。そのため，該
接着剤及び突出部によって，絶縁基板とインナーリード
との間が強く接合される。
，絶縁基板には表側面から側面を経て裏側面に至る導体
回路が形成してあり，その側面導体回路及び裏側面導体
回路とインナーリードとが半田により接合されている。 そして，インナーリードは，前記のごとく，絶縁基板の
側面近くにおいてＬ字状に屈曲させてある。そのため，
インナーリードと絶縁基板の導体回路とは上記半田によ
りＬ字状に接合され，両者の接合強度が増大する。 また，インナーリードの貫通孔の外部には，絶縁基板と
リードフレームとの間を接合した接着剤の一部がはみ出
して，コブ状に，突出部を形成している。そのため，該
接着剤及び突出部によって，絶縁基板とインナーリード
との間が強く接合される。
【０００７】したがって，絶縁基板の導体回路とインナ
ーリードとの間の接合強度が向上し，両者間に剥離を生
ずることがない。また，電子部品搭載用穴の底面はリー
ドフレームのアイランドであり，該アイランドには電子
部品が接合される。そのため，電子部品が発生する熱は
，金属であるリードフレームに直接的に伝熱される。 それ故，放熱性に優れている。上記のごとく，本発明に
よれば，インナーリードと導体回路との接合強度に優れ
，かつ放熱性に優れた電子部品搭載装置を提供すること
ができる。
ーリードとの間の接合強度が向上し，両者間に剥離を生
ずることがない。また，電子部品搭載用穴の底面はリー
ドフレームのアイランドであり，該アイランドには電子
部品が接合される。そのため，電子部品が発生する熱は
，金属であるリードフレームに直接的に伝熱される。 それ故，放熱性に優れている。上記のごとく，本発明に
よれば，インナーリードと導体回路との接合強度に優れ
，かつ放熱性に優れた電子部品搭載装置を提供すること
ができる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例にかかる電子部品搭載装置に
つき，図１〜図５を用いて説明する。本例の電子部品搭
載装置は，図１に示すごとく，絶縁基板１と，これに接
着剤３を介して接合したリードフレーム４とよりなる。 上記絶縁基板１は，表側面１１から側面１２を経て裏側
面１３に至る導体回路１５を有する。またリードフレー
ム４は，インナーリード４３とアイランド４１とを有す
る。そして，インナーリード４３は，絶縁基板１の側面
１２の近くにおいて，Ｌ字状に屈曲されている。そして
，インナーリード４３と，上記絶縁基板１の側面１２及
び裏側面１３における導体回路１５とは半田２により接
合されている。また，上記側面１２の導体回路１５の部
分は，円弧状凹部を形成している（図２，図５参照）。
つき，図１〜図５を用いて説明する。本例の電子部品搭
載装置は，図１に示すごとく，絶縁基板１と，これに接
着剤３を介して接合したリードフレーム４とよりなる。 上記絶縁基板１は，表側面１１から側面１２を経て裏側
面１３に至る導体回路１５を有する。またリードフレー
ム４は，インナーリード４３とアイランド４１とを有す
る。そして，インナーリード４３は，絶縁基板１の側面
１２の近くにおいて，Ｌ字状に屈曲されている。そして
，インナーリード４３と，上記絶縁基板１の側面１２及
び裏側面１３における導体回路１５とは半田２により接
合されている。また，上記側面１２の導体回路１５の部
分は，円弧状凹部を形成している（図２，図５参照）。
【０００９】一方，上記絶縁基板１に設けた電子部品搭
載用穴１８の底面には，リードフレーム４のアイランド
４１が露出している。また，インナーリード４３の内方
端部には貫通孔４６を有する。該貫通孔４６には，上記
絶縁基板８とリードフレーム４との間を接合した上記接
着剤３の一部がはみ出して，突出部３３を形成している
。
載用穴１８の底面には，リードフレーム４のアイランド
４１が露出している。また，インナーリード４３の内方
端部には貫通孔４６を有する。該貫通孔４６には，上記
絶縁基板８とリードフレーム４との間を接合した上記接
着剤３の一部がはみ出して，突出部３３を形成している
。
【００１０】次に，上記電子部品搭載装置の製造法につ
き，図２〜図５を用いて説明する。まず，図２に示すご
とく，絶縁基板１に貫通した電子部品搭載用穴１８を設
けると共に，導体回路１５を形成する。該導体回路１５
は，絶縁基板１の表側面１１から側面１２を経て，裏側
面１３（図１，図４参照）に形成されている。一方，図
３に示すごとく，リードフレーム４を準備する。該リー
ドフレーム４は，外枠４４と，アイランド４１と，外枠
４４から内方に向けて延設したインナーリード４３とか
らなる。該インナーリード４３には，前記貫通孔４６を
穿設する。貫通孔４６は，図１に示すごとく，リードフ
レーム４と絶縁基板１との接合領域に設ける。なお，イ
ンナーリード４３は，絶縁基板１に接着剤３により接合
した後，同図の点線Ａで示す部分において切断される。
き，図２〜図５を用いて説明する。まず，図２に示すご
とく，絶縁基板１に貫通した電子部品搭載用穴１８を設
けると共に，導体回路１５を形成する。該導体回路１５
は，絶縁基板１の表側面１１から側面１２を経て，裏側
面１３（図１，図４参照）に形成されている。一方，図
３に示すごとく，リードフレーム４を準備する。該リー
ドフレーム４は，外枠４４と，アイランド４１と，外枠
４４から内方に向けて延設したインナーリード４３とか
らなる。該インナーリード４３には，前記貫通孔４６を
穿設する。貫通孔４６は，図１に示すごとく，リードフ
レーム４と絶縁基板１との接合領域に設ける。なお，イ
ンナーリード４３は，絶縁基板１に接着剤３により接合
した後，同図の点線Ａで示す部分において切断される。
【００１１】次に，リードフレーム４と絶縁基板１とを
，接着剤３により接合するに当たっては，図４に示すご
とく，リードフレーム４の上にシート状の接着剤３を介
して，絶縁基板１の裏側面１３を載置する。そして，こ
れらを加熱圧着する。この加熱圧着時に，軟化した接着
剤３は，絶縁基板１とリードフレーム４との間を接合す
ると共に，その一部分がインナーリードの貫通孔４６よ
り外部へはみ出す。そのため，図１に示すごとく，接着
剤３による突出部３３が形成される。次いで，インナー
リード４３と，側面１２及び裏側面１３との間を半田２
により接合する。その後，インナーリード４３をＬ字状
に曲げる。
，接着剤３により接合するに当たっては，図４に示すご
とく，リードフレーム４の上にシート状の接着剤３を介
して，絶縁基板１の裏側面１３を載置する。そして，こ
れらを加熱圧着する。この加熱圧着時に，軟化した接着
剤３は，絶縁基板１とリードフレーム４との間を接合す
ると共に，その一部分がインナーリードの貫通孔４６よ
り外部へはみ出す。そのため，図１に示すごとく，接着
剤３による突出部３３が形成される。次いで，インナー
リード４３と，側面１２及び裏側面１３との間を半田２
により接合する。その後，インナーリード４３をＬ字状
に曲げる。
【００１２】このようにして，上記図１に示した電子部
品搭載装置が得られる。なお，図５は，図１の下方側か
ら見た表側面図である。また，上記電子部品搭載装置に
対しては，図１に示すごとく，リードフレーム４のアイ
ランド４１に対して，熱伝導性接着剤５３を介して，電
子部品５を接合搭載する。該電子部品５の端子と，絶縁
基板の導体回路１５との間は，ボンディングワイヤー５
１により接続する。また，これらの上方は封止用樹脂５
２により封止する。
品搭載装置が得られる。なお，図５は，図１の下方側か
ら見た表側面図である。また，上記電子部品搭載装置に
対しては，図１に示すごとく，リードフレーム４のアイ
ランド４１に対して，熱伝導性接着剤５３を介して，電
子部品５を接合搭載する。該電子部品５の端子と，絶縁
基板の導体回路１５との間は，ボンディングワイヤー５
１により接続する。また，これらの上方は封止用樹脂５
２により封止する。
【００１３】次に，作用効果につき説明する。上記のご
とく，本例の電子部品搭載装置においては，絶縁基板１
が表側面１１から側面１２，裏側面１３に至る導体回路
１５を有し，その側面１２及び裏側面１３とインナーリ
ード４３とが半田２により接合されている。そして，イ
ンナーリード４３は，絶縁基板１の側面１２近くにおい
てＬ字状に屈曲している。そのため，インナーリード４
３と導体回路１５とは，上記半田２によりＬ字状に接合
され，両者の接合強度は高い。
とく，本例の電子部品搭載装置においては，絶縁基板１
が表側面１１から側面１２，裏側面１３に至る導体回路
１５を有し，その側面１２及び裏側面１３とインナーリ
ード４３とが半田２により接合されている。そして，イ
ンナーリード４３は，絶縁基板１の側面１２近くにおい
てＬ字状に屈曲している。そのため，インナーリード４
３と導体回路１５とは，上記半田２によりＬ字状に接合
され，両者の接合強度は高い。
【００１４】また，インナーリード４３の貫通孔４６の
外部には，上記接着剤３の一部がはみ出して，コブ状の
突出部３３を形成している。そのため，インナーリード
４３と裏側面導体回路１５との間は，接着剤３及び上記
突出部３３の両者によって，強固に固定される。それ故
，絶縁基板１の導体回路１５とインナーリード４３との
間の接合強度が向上し，両者間に剥離を生ずることがな
い。また，電子部品搭載用穴１８の底面は，リードフレ
ーム４のアイランド４１であり，該アイランド４１に電
子部品５が接合搭載される。そのため，電子部品５が発
生する熱は，金属であるリードフレーム４に直接的に，
効率良く伝熱される。それ故，電子部品搭載装置は放熱
性に優れている。
外部には，上記接着剤３の一部がはみ出して，コブ状の
突出部３３を形成している。そのため，インナーリード
４３と裏側面導体回路１５との間は，接着剤３及び上記
突出部３３の両者によって，強固に固定される。それ故
，絶縁基板１の導体回路１５とインナーリード４３との
間の接合強度が向上し，両者間に剥離を生ずることがな
い。また，電子部品搭載用穴１８の底面は，リードフレ
ーム４のアイランド４１であり，該アイランド４１に電
子部品５が接合搭載される。そのため，電子部品５が発
生する熱は，金属であるリードフレーム４に直接的に，
効率良く伝熱される。それ故，電子部品搭載装置は放熱
性に優れている。
【図１】実施例における電子部品搭載装置の断面図。
【図２】実施例における絶縁基板の表側面からの一部切
欠斜視図。
欠斜視図。
【図３】実施例におけるリードフレームの平面図。
【図４】実施例における電子部品搭載装置の製造説明図
。
。
【図５】実施例における電子部品搭載装置の表側面から
見た一部切欠平面図。
見た一部切欠平面図。
【図６】従来の電子部品搭載装置の一部切欠平面図。
【図７】従来の電子部品搭載装置の断面図。
１．．．絶縁基板，
１１．．．表側面，
１２．．．側面，
１３．．．裏側面，
２．．．半田，
３．．．接着剤，
３３．．．突出部，
４．．．リードフレーム，
４１．．．アイランド，
４３．．．インナーリード，
５．．．電子部品，
Claims (1)
- 【請求項１】 表側面から側面を経て裏側面に導体回
路を設けた絶縁基板と，該絶縁基板の裏側面に接着剤を
介して接合したリードフレームとよりなり，また上記リ
ードフレームのインナーリードと上記絶縁基板の側面及
び裏側面の導体回路とは半田により接合してなり，また
，上記絶縁基板に設けた電子部品搭載用穴の底面にはリ
ードフレームのアイランドが露出しており，またインナ
ーリードの内方端部には貫通孔を有し，該貫通孔には上
記絶縁基板とリードフレームとの間を接合する上記接着
剤がリードフレームの外部へはみ出して突出部を形成し
ていることを特徴とする電子部品搭載装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076776A JP2760167B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 電子部品搭載装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076776A JP2760167B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 電子部品搭載装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287355A true JPH04287355A (ja) | 1992-10-12 |
| JP2760167B2 JP2760167B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=13614997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3076776A Expired - Lifetime JP2760167B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 電子部品搭載装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760167B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644164A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-01 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Semiconductor device which dissipates heat |
| JP2012248774A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3076776A patent/JP2760167B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644164A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-01 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Semiconductor device which dissipates heat |
| JP2012248774A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2760167B2 (ja) | 1998-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6262489B1 (en) | Flip chip with backside electrical contact and assembly and method therefor | |
| JP4899269B2 (ja) | 電子部品ユニットおよびその製造方法 | |
| JPH11243172A (ja) | チップサイズ半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPH04287355A (ja) | 電子部品搭載装置 | |
| JPS6367792A (ja) | 光電子部品の実装構造 | |
| JP2777036B2 (ja) | プリント配線板への端子の接続方法 | |
| US6404059B1 (en) | Semiconductor device having a mounting structure and fabrication method thereof | |
| JPH10189655A (ja) | 配線基板、半導体装置及び電子部品の実装方法 | |
| JPH0513963A (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2000124578A (ja) | ハイブリッドモジュール及びその製造方法 | |
| JPH08340164A (ja) | Ｂｇａ型パッケージの面実装構造 | |
| JP2777035B2 (ja) | プリント配線板への端子の接続方法 | |
| JP2830221B2 (ja) | ハイブリッド集積回路のマウント構造 | |
| JP3270883B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2785917B2 (ja) | 半導体チップモジュール | |
| JPH09260420A (ja) | 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール | |
| JP2975783B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| JP2953893B2 (ja) | プリント基板ジャンパー配線方法及びジャンパー配線用射出成形プリント基板 | |
| JPH06334059A (ja) | 半導体搭載用基板及びその製造方法 | |
| JPH04340257A (ja) | 電子部品搭載装置及びその製造方法 | |
| JPH07106466A (ja) | マルチチップモジュール搭載用プリント配線基板 | |
| JPH11340386A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2905610B2 (ja) | プリント配線板への端子の接続法 | |
| JPH10214934A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3676591B2 (ja) | 半導体装置 |