JP2551243B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2551243B2 JP2551243B2 JP3023395A JP2339591A JP2551243B2 JP 2551243 B2 JP2551243 B2 JP 2551243B2 JP 3023395 A JP3023395 A JP 3023395A JP 2339591 A JP2339591 A JP 2339591A JP 2551243 B2 JP2551243 B2 JP 2551243B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いる半
導体パッケージの内部配線の形状の改良に関するもので
ある。
導体パッケージの内部配線の形状の改良に関するもので
ある。
【０００２】近年の半導体装置の組立方法として広く採
用されているTapeAutomated Bonding（以下、ＴＡＢと
略称する）実装においては、半導体チップのバンプとＴ
ＡＢのリードとの熱圧着部と、半導体パッケージの内部
配線との間にショート不良が発生している。
用されているTapeAutomated Bonding（以下、ＴＡＢと
略称する）実装においては、半導体チップのバンプとＴ
ＡＢのリードとの熱圧着部と、半導体パッケージの内部
配線との間にショート不良が発生している。
【０００３】以上のような状況から半導体チップのバン
プとＴＡＢのリードとの熱圧着部と、半導体パッケージ
の内部配線との間のショート不良の発生を防止すること
が可能な半導体装置が要望されている。
プとＴＡＢのリードとの熱圧着部と、半導体パッケージ
の内部配線との間のショート不良の発生を防止すること
が可能な半導体装置が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の半導体装置について図２により詳
細に説明する。図２はＴＡＢ方式により実装した半導体
装置を示す側断面図である。
細に説明する。図２はＴＡＢ方式により実装した半導体
装置を示す側断面図である。
【０００５】図に示すように半導体パッケージ３には、
外部との電気的接続を取るピン3bとバンプ3aとを接続す
る内部配線3cが設けられ、この内部配線3cはポリイミド
の被膜４で被覆されており、ＴＡＢのリード２の一端が
バンプ1aに熱圧着された半導体チップ１が反転してこの
半導体パッケージ３に実装され、バンプ3aにはこのリー
ド２の他端が熱圧着されている。
外部との電気的接続を取るピン3bとバンプ3aとを接続す
る内部配線3cが設けられ、この内部配線3cはポリイミド
の被膜４で被覆されており、ＴＡＢのリード２の一端が
バンプ1aに熱圧着された半導体チップ１が反転してこの
半導体パッケージ３に実装され、バンプ3aにはこのリー
ド２の他端が熱圧着されている。
【０００６】この半導体チップ１に発生した熱を放散す
るためにこの半導体チップ１を融着したヒートシンク６
と一体のキャップ５は半導体パッケージ３の周囲で図示
のように半田封止されている。
るためにこの半導体チップ１を融着したヒートシンク６
と一体のキャップ５は半導体パッケージ３の周囲で図示
のように半田封止されている。
【０００７】この半導体パッケージ３の内部配線3cと半
導体チップ１のバンプ1aに熱圧着されているＴＡＢのリ
ード２との間隔は数μm であり、このＴＡＢのリード２
の表面にはこのリード２とバンプ1aとを熱圧着する際に
突起2aが形成される場合がある。
導体チップ１のバンプ1aに熱圧着されているＴＡＢのリ
ード２との間隔は数μm であり、このＴＡＢのリード２
の表面にはこのリード２とバンプ1aとを熱圧着する際に
突起2aが形成される場合がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置においては、図３に示すように半導体チップ１
のバンプ1aとリード２とを熱圧着する際にバンプ1aとリ
ード２の表面に形成されているメッキ材料との合金が形
成され、熱圧着工具７を引き上げる場合にリード２の表
面に突起2aが形成される場合があり、図４の従来の半導
体パッケージの内部配線の形状を示す平面図に示すよう
に、半導体パッケージ３の内部配線3cが半導体パッケー
ジ３のバンプ3aと半導体チップ１のバンプ1aとの間で曲
がって半導体チップ１のバンプ1aの直下を通過している
場合に、上記のリード２の表面の突起2aが隣接する内部
配線3cのポリイミドの被膜４を貫通して内部配線3cと接
触して電気的な短絡が発生するという問題点があった。
導体装置においては、図３に示すように半導体チップ１
のバンプ1aとリード２とを熱圧着する際にバンプ1aとリ
ード２の表面に形成されているメッキ材料との合金が形
成され、熱圧着工具７を引き上げる場合にリード２の表
面に突起2aが形成される場合があり、図４の従来の半導
体パッケージの内部配線の形状を示す平面図に示すよう
に、半導体パッケージ３の内部配線3cが半導体パッケー
ジ３のバンプ3aと半導体チップ１のバンプ1aとの間で曲
がって半導体チップ１のバンプ1aの直下を通過している
場合に、上記のリード２の表面の突起2aが隣接する内部
配線3cのポリイミドの被膜４を貫通して内部配線3cと接
触して電気的な短絡が発生するという問題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況からＴＡＢのリ
ードの表面に形成されている半導体チップのバンプとＴ
ＡＢのリードの表面のメッキ材料との合金からなる突起
と、半導体パッケージの隣接する内部配線との電気的な
短絡の発生を防止することが可能となる半導体装置の提
供を目的としたものである。
ードの表面に形成されている半導体チップのバンプとＴ
ＡＢのリードの表面のメッキ材料との合金からなる突起
と、半導体パッケージの隣接する内部配線との電気的な
短絡の発生を防止することが可能となる半導体装置の提
供を目的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
内部配線パターンを介して形成された第一のバンプを有
する半導体パッケージと、第二のバンプを有する半導体
チップとを対向させて実装する半導体装置において、こ
の第一のバンプとこの第二のバンプとを電気的に接続す
るリードを有し、この第一のバンプはこのリードの一端
において接続され、この第二のバンプはこのリードの他
端において熱圧着されており、この第二のバンプの下方
であって、この第二のバンプに対向した位置にこの内部
配線パターンが形成されているように構成する。
内部配線パターンを介して形成された第一のバンプを有
する半導体パッケージと、第二のバンプを有する半導体
チップとを対向させて実装する半導体装置において、こ
の第一のバンプとこの第二のバンプとを電気的に接続す
るリードを有し、この第一のバンプはこのリードの一端
において接続され、この第二のバンプはこのリードの他
端において熱圧着されており、この第二のバンプの下方
であって、この第二のバンプに対向した位置にこの内部
配線パターンが形成されているように構成する。
【００１１】
【作用】即ち本発明においては、外部と接続する半導体
パッケージのピンと、半導体チップのバンプに熱圧着し
たリードの他端と熱圧着するバンプとを接続する内部配
線の形状を、この半導体パッケージのバンプと接続する
半導体チップのバンプの直下を通過した後に曲がる形状
にしているので、半導体チップのバンプと熱圧着したリ
ードに突起が形成されてこの突起が内部配線の表面の被
膜を貫通して内部配線と接触しても、電気的な短絡には
ならず、電気的に不良となるのを防止することが可能と
なる。
パッケージのピンと、半導体チップのバンプに熱圧着し
たリードの他端と熱圧着するバンプとを接続する内部配
線の形状を、この半導体パッケージのバンプと接続する
半導体チップのバンプの直下を通過した後に曲がる形状
にしているので、半導体チップのバンプと熱圧着したリ
ードに突起が形成されてこの突起が内部配線の表面の被
膜を貫通して内部配線と接触しても、電気的な短絡には
ならず、電気的に不良となるのを防止することが可能と
なる。
【００１２】
【実施例】以下図１〜図３により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例の半
導体パッケージの内部配線の形状を示す平面図、図２は
ＴＡＢ方式により実装した半導体装置を示す側断面図、
図３は半導体チップのバンプとＴＡＢのリードとを熱圧
着する状態を示す図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例の半
導体パッケージの内部配線の形状を示す平面図、図２は
ＴＡＢ方式により実装した半導体装置を示す側断面図、
図３は半導体チップのバンプとＴＡＢのリードとを熱圧
着する状態を示す図である。
【００１３】図２に示すＴＡＢ方式により実装した半導
体装置においては、半導体パッケージ３の内部配線3cと
半導体チップ１のバンプ1aに熱圧着されているＴＡＢの
リード２との間隔は数μm であり、図３に示すように半
導体チップ１のバンプ1aとＴＡＢのリード２とを熱圧着
する際に、このＴＡＢのリード２の表面に突起2aが形成
される場合があっても、本実施例においては図１に示す
ように、外部と接続する半導体パッケージ３のピン3b
と、半導体チップ１のバンプ1aに熱圧着したリード２の
他端と熱圧着するバンプ3aとを接続する内部配線3cの形
状を、この半導体パッケージ３のバンプ3aと接続する半
導体チップ１のバンプ1aの直下を通過した後に曲がる形
状にしているので、半導体チップ１のバンプ1aと熱圧着
したリード２に突起2aが形成されてこの突起2aが内部配
線3cの表面の被膜４を貫通して内部配線3cと接触して
も、電気的な短絡にはならず、電気的に不良となるのを
防止することが可能となる。
体装置においては、半導体パッケージ３の内部配線3cと
半導体チップ１のバンプ1aに熱圧着されているＴＡＢの
リード２との間隔は数μm であり、図３に示すように半
導体チップ１のバンプ1aとＴＡＢのリード２とを熱圧着
する際に、このＴＡＢのリード２の表面に突起2aが形成
される場合があっても、本実施例においては図１に示す
ように、外部と接続する半導体パッケージ３のピン3b
と、半導体チップ１のバンプ1aに熱圧着したリード２の
他端と熱圧着するバンプ3aとを接続する内部配線3cの形
状を、この半導体パッケージ３のバンプ3aと接続する半
導体チップ１のバンプ1aの直下を通過した後に曲がる形
状にしているので、半導体チップ１のバンプ1aと熱圧着
したリード２に突起2aが形成されてこの突起2aが内部配
線3cの表面の被膜４を貫通して内部配線3cと接触して
も、電気的な短絡にはならず、電気的に不良となるのを
防止することが可能となる。
【００１４】本実施例は半導体チップ１を半導体パッケ
ージ３に実装する実施例であるが、半導体チップ１を直
接搭載するのに用いる、バンプを形成した表面実装基板
の場合にも適用することが可能である。
ージ３に実装する実施例であるが、半導体チップ１を直
接搭載するのに用いる、バンプを形成した表面実装基板
の場合にも適用することが可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な内部配線の形状の変更により、電
気的な短絡の発生を防止することが可能となる利点があ
り、著しい信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の
提供が可能である。
によれば極めて簡単な内部配線の形状の変更により、電
気的な短絡の発生を防止することが可能となる利点があ
り、著しい信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の
提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例の半導体パッケージの
内部配線の形状を示す平面図、
内部配線の形状を示す平面図、
【図２】 ＴＡＢ方式により実装した半導体装置を示す
側断面図、
側断面図、
【図３】 半導体チップのバンプとＴＡＢのリードとを
熱圧着する状態を示す図、
熱圧着する状態を示す図、
【図４】 従来の半導体パッケージの内部配線の形状を
示す平面図、
示す平面図、
１は半導体チップ、 1aはバンプ、 ２はリード、 2aは突起、 ３は半導体パッケージ、 3aはバンプ、 3bはピン、 3cは内部配線、 ４被膜、 ５はキャップ、 ６はヒートシンク、
Claims (1)
- 【請求項１】 内部配線パターンを介して形成された第
一のバンプを有する半導体パッケージと、第二のバンプ
を有する半導体チップとを対向させて実装する半導体装
置において、 前記第一のバンプと前記第二のバンプとを電気的に接続
するリードを有し、 該第一のバンプは該リードの一端において接続され、該
第二のバンプは該リードの他端において熱圧着されてお
り、 該第二のバンプの下方であって、該第二のバンプに対向
した位置に前記内部配線パターンが形成されている こと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023395A JP2551243B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023395A JP2551243B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263447A JPH04263447A (ja) | 1992-09-18 |
| JP2551243B2 true JP2551243B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=12109322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023395A Expired - Fee Related JP2551243B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551243B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216188A (ja) | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置 |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3023395A patent/JP2551243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04263447A (ja) | 1992-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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