JP2000216188A - ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JP2000216188A
JP2000216188A JP11013825A JP1382599A JP2000216188A JP 2000216188 A JP2000216188 A JP 2000216188A JP 11013825 A JP11013825 A JP 11013825A JP 1382599 A JP1382599 A JP 1382599A JP 2000216188 A JP2000216188 A JP 2000216188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
virtual
straight line
electrodes
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11013825A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Sakurai
和徳 桜井
Yuugo Koyama
裕吾 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP11013825A priority Critical patent/JP2000216188A/ja
Priority to KR10-2000-7010520A priority patent/KR100388728B1/ko
Priority to US09/646,641 priority patent/US6437453B1/en
Priority to DE60033888T priority patent/DE60033888D1/de
Priority to EP00900809A priority patent/EP1069608B1/en
Priority to PCT/JP2000/000214 priority patent/WO2000044040A1/ja
Priority to TW089101026A priority patent/TW480633B/zh
Publication of JP2000216188A publication Critical patent/JP2000216188A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤの自由な引き回しが可能なワイヤボン
ディング方法、この方法により製造された半導体装置並
びにこれを備える回路基板及び電子機器、並びにこの方
法を使用するワイヤボンディング装置を提供することに
ある。 【解決手段】 ワイヤボンディング方法は、仮想直線Ｌ
1上で一列に並んだ複数の電極１２を有する半導体チッ
プ１０の周囲に仮想平面Ｐ上に並べられた複数のリード
２０を配置する第１工程と、電極１２及びリード２０の
一方にワイヤ３０をボンディングする第２工程と、仮想
平面Ｐに対して垂直な方向の平面視において電極１２及
びリード２０の他方に向けてワイヤ３０を屈曲させる第
３工程と、電極１２及びリード２０の他方にワイヤ３０
をボンディングする第４工程と、を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グ方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボ
ンディング装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体装置の製造で、半導体チップの電
極とリードとを電気的に接続するためにワイヤボンディ
ング技術が適用されている。近年、半導体装置が多ピン
化しているが、従来のワイヤボンディング技術では、ワ
イヤの引き回しに限界があるため、半導体チップの電極
の形状や配列又はリードの形状や構造で対応することし
かできなかった。
【０００３】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、ワイヤの自由な引き回しが可能なワイ
ヤボンディング方法、この方法により製造された半導体
装置並びにこれを備える回路基板及び電子機器、並びに
この方法を使用するワイヤボンディング装置を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係るワイ
ヤボンディング方法は、仮想直線上で一列に並んだ複数
の電極を有する半導体チップの周囲に、仮想平面上に並
べられた複数のリードを、前記電極の中心点間距離より
も前記リードの中心点間距離を広くして配置する第１工
程と、一対をなす一つの前記電極及び一つの前記リード
の一方に、ワイヤをボンディングする第２工程と、前記
仮想平面に対して垂直な方向の平面視において、前記一
対をなす一つの前記電極及び一つの前記リードの他方に
向けて、前記ワイヤを屈曲させる第３工程と、前記一対
をなす一つの電極及び一つの前記リードの他方に、前記
ワイヤをボンディングする第４工程と、を含む。
【０００５】本発明によれば、電極とリードにおいて、
中心点間距離（ピッチ）が異なるときに、ワイヤによっ
て両者を電気的に接続することで、ピッチ変換を行うこ
とができる。しかも、ワイヤを屈曲させるので、電極の
形状や配列又はリードの形状や構造にかかわらず、最も
有利なワイヤの引き回しが可能になる。例えば、ワイヤ
のピッチが最も広くなるように、ワイヤを引き回すこと
ができる。
【０００６】（２）このワイヤボンディング方法におい
て、前記第３工程で、ピンを介して前記ワイヤを屈曲さ
せてもよい。
【０００７】ピンを使用することで、ワイヤを正確に屈
曲させることができる。
【０００８】（３）このワイヤボンディング方法におい
て、前記第３工程で、一対をなす一つの前記電極及び一
つの前記リードの接続に必要な長さまで前記ワイヤを引
き出してから、前記ワイヤを屈曲させてもよい。
【０００９】これによれば、必要な長さまで引き出され
たワイヤを屈曲させるので、ワイヤを安定して屈曲させ
ることができる。
【００１０】（４）このワイヤボンディング方法におい
て、前記第３工程で、一対をなす一つの前記電極及び一
つの前記リードの間の距離未満の長さまで前記ワイヤを
引き出した後に前記ワイヤを屈曲させながら、さらに前
記ワイヤを引き出してもよい。
【００１１】これによれば、必要な長さに満たないワイ
ヤを屈曲させながら引き出すことになる。
【００１２】（５）このワイヤボンディング方法におい
て、前記第２工程で、一つの前記電極に前記ワイヤをボ
ンディングし、前記第４工程で、一つの前記リードに前
記ワイヤをボンディングしてもよい。
【００１３】これによれば、中心点間距離の小さい電極
にワイヤを先にボンディングするので作業性がよい。
【００１４】（６）このワイヤボンディング方法におい
て、前記第３工程で、前記仮想平面に対して垂直な方向
の平面視において、両端に位置する一対の前記電極の間
隔の中間点で前記仮想直線に直交する仮想垂線に平行
に、前記電極からワイヤを引き出して、前記仮想垂線か
ら離れる方向に、前記ワイヤを屈曲させてもよい。
【００１５】これによれば、電極の中心点間距離にほぼ
等しいピッチで、ワイヤを電極から真っ直ぐに引き出す
ことができ、ワイヤを屈曲させることでピッチ変換を行
うことができる。
【００１６】（７）このワイヤボンディング方法におい
て、前記中間点に最も近い電極から順に、前記第１工程
から第４工程を繰り返して、前記複数の電極及び前記複
数のリードの全てに前記ワイヤをボンディングしてもよ
い。
【００１７】これによれば、ワイヤボンディングは、ワ
イヤの屈曲方向とは反対側のワイヤを先に張るので、ワ
イヤを屈曲させるための治具を移動するときに、先に張
られたワイヤがじゃまにならない。
【００１８】（８）このワイヤボンディング方法におい
て、前記ワイヤを、第２の仮想直線上で屈曲させてもよ
い。
【００１９】こうすることで、第２の仮想直線上におけ
るワイヤのピッチをほぼ均等にすることができる。
【００２０】（９）このワイヤボンディング方法におい
て、前記第２の仮想直線は、前記電極が並ぶ前記仮想直
線と交差し、交点に最も近い端部に位置する一つの前記
電極からの距離が、前記中間点からの距離よりも短く、
前記複数のリードの先端を結ぶ仮想線は、前記仮想垂線
に最も近い前記リードの先端を通るとともに前記電極が
並ぶ前記仮想直線に平行な第３の仮想直線よりも、前記
半導体チップ側に延びてもよい。
【００２１】このように、上述した条件の仮想線に沿っ
てリードが配置されている場合には、上述した条件の第
２の仮想直線上でワイヤを屈曲させることで、ワイヤの
ピッチを広くすることができる。
【００２２】（１０）本発明に係る半導体装置は、仮想
直線上で一列に並んだ複数の電極を有する半導体チップ
と、前記半導体チップの周囲で仮想平面上に並べられ、
かつ、前記電極よりも中心点間距離において広い複数の
リードと、前記電極と前記リードとを電気的に接続し、
前記仮想平面に対して垂直な方向の平面視において屈曲
した複数のワイヤと、を含む。
【００２３】本発明によれば、電極とリードにおいて、
中心点間距離（ピッチ）が異なるときに、ワイヤによっ
て両者が電気的に接続されることで、ピッチ変換が行わ
れる。しかも、ワイヤが屈曲しているので、電極の形状
や配列又はリードの形状や構造にかかわらず、最も有利
なワイヤの引き回しが可能になる。例えば、ワイヤのピ
ッチが最も広くなるように、ワイヤを引き回すことがで
きる。
【００２４】（１１）この半導体装置において、前記仮
想平面に対して垂直な方向の平面視において、両端に位
置する一対の前記電極の間隔の中間点で前記仮想直線に
直交する仮想垂線に平行に、それぞれの電極からそれぞ
れのワイヤが引き出され、前記仮想垂線から離れる方向
にそれぞれのワイヤは屈曲していてもよい。
【００２５】これによれば、電極の中心点間距離にほぼ
等しいピッチで、ワイヤが電極から真っ直ぐに引き出さ
れ、ワイヤが屈曲することでピッチ変換が行われる。
【００２６】（１２）この半導体装置において、前記ワ
イヤは、第２の仮想直線上で屈曲してもよい。
【００２７】こうすることで、第２の仮想直線上におけ
るワイヤのピッチをほぼ均等にすることができる。
【００２８】（１３）この半導体装置において、前記第
２の仮想直線は、前記電極が並ぶ前記仮想直線と交差
し、交点に最も近い端部に位置する一つの前記電極から
の距離が、前記中間点からの距離よりも短く、前記複数
のリードの先端を結ぶ仮想線は、前記仮想垂線に最も近
い前記リードの先端を通るとともに前記電極が並ぶ前記
仮想直線に平行な第３の仮想直線よりも、前記半導体チ
ップ側に延びてもよい。
【００２９】このように、上述した条件の仮想線に沿っ
てリードが配置されている場合には、上述した条件の第
２の仮想直線上でワイヤを屈曲させることで、ワイヤの
ピッチを広くすることができる。
【００３０】（１４）本発明に係る回路基板には、上記
半導体装置が搭載されている。
【００３１】（１５）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を備える。
【００３２】（１６）本発明に係るワイヤボンディング
装置は、仮想直線上で一列に並んだ複数の電極を有する
半導体チップが載せられるとともに、前記半導体チップ
の周囲に、仮想平面上に並べられて前記電極よりも中心
点間距離において広い複数のリードが載せられるテーブ
ルと、ワイヤを引き出して前記電極及び前記リードに接
続するボンディングツールと、を含み、前記ボンディン
グツールは、一対をなす一つの前記電極及び一つの前記
リードの間で、前記仮想平面に対して垂直な方向の平面
視において、非直線的に移動して前記ワイヤを屈曲させ
る。
【００３３】本発明によれば、電極とリードにおいて、
中心点間距離（ピッチ）が異なるときに、ワイヤによっ
て両者を電気的に接続することで、ピッチ変換を行うこ
とができる。しかも、ワイヤを屈曲させるので、電極の
形状や配列又はリードの形状や構造にかかわらず、最も
有利なワイヤの引き回しが可能になる。例えば、ワイヤ
のピッチが最も広くなるように、ワイヤを引き回すこと
ができる。
【００３４】（１７）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記ボンディングツールは、一対をなす一つの前
記電極及び一つの前記リードの接続に必要な長さまで前
記ワイヤを引き出してから、前記ワイヤを屈曲させても
よい。
【００３５】これによれば、必要な長さまで引き出され
たワイヤを屈曲させるので、ワイヤを安定して屈曲させ
ることができる。
【００３６】（１８）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記ボンディングツールは、一対をなす一つの前
記電極及び一つの前記リードの間の距離未満の長さまで
前記ワイヤを引き出した後に前記ワイヤを屈曲させなが
ら、さらに前記ワイヤを引き出してもよい。
【００３７】これによれば、必要な長さに満たないワイ
ヤを屈曲させながら引き出すことになる。
【００３８】（１９）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記ボンディングツールは、一つの前記電極に前
記ワイヤをボンディングしてから、一つの前記リードに
前記ワイヤをボンディングしてもよい。
【００３９】これによれば、中心点間距離の小さい電極
にワイヤを先にボンディングするので作業性がよい。
【００４０】（２０）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記ボンディングツールは、前記仮想平面に対し
て垂直な方向の平面視において、両端に位置する一対の
前記電極の間隔の中間点で前記仮想直線に直交する仮想
垂線に平行に、前記電極からワイヤを引き出して、前記
仮想垂線から離れる方向に、前記ワイヤを屈曲させても
よい。
【００４１】これによれば、電極の中心点間距離にほぼ
等しいピッチで、ワイヤを電極から真っ直ぐに引き出す
ことができ、ワイヤを屈曲させることでピッチ変換を行
うことができる。
【００４２】（２１）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記仮想平面に垂直に延びるとともに平行移動す
るピンをさらに有し、前記ボンディングツールは、前記
ワイヤを前記ピンに接触させて屈曲させてもよい。
【００４３】ピンを使用することで、ワイヤを正確に屈
曲させることができる。
【００４４】（２２）このワイヤボンディング方法にお
いて、前記ボンディングツールは、前記中間点に最も近
い電極から順に、前記ワイヤをボンディングしてもよ
い。
【００４５】これによれば、ワイヤボンディングは、ワ
イヤの屈曲方向とは反対側のワイヤを先に張るので、ワ
イヤを屈曲させるための治具を移動するときに、先に張
られたワイヤがじゃまにならない。
【００４６】（２３）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記ボンディングツールは、第２の仮想直線上で
前記ワイヤを屈曲させてもよい。
【００４７】こうすることで、第２の仮想直線上におけ
るワイヤのピッチをほぼ均等にすることができる。
【００４８】（２４）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記第２の仮想直線は、前記電極が並ぶ前記仮想
直線と交差し、交点に最も近い端部に位置する一つの前
記電極からの距離が、前記中間点からの距離よりも短
く、前記複数のリードの先端を結ぶ仮想線は、前記仮想
垂線に最も近い前記リードの先端を通るとともに前記電
極が並ぶ前記仮想直線に平行な第３の仮想直線よりも、
前記半導体チップ側に延びてもよい。
【００４９】このように、上述した条件の仮想線に沿っ
てリードが配置されている場合には、上述した条件の第
２の仮想直線上でワイヤを屈曲させることで、ワイヤの
ピッチを広くすることができる。
【００５０】（２５）このワイヤボンディング装置にお
いて、前記仮想平面に垂直に延びるとともに、前記第２
の仮想直線上を平行移動するピンをさらに有し、前記ボ
ンディングツールは、前記ワイヤを前記ピンに接触させ
て屈曲させてもよい。
【００５１】ピンを使用することで、ワイヤを正確に屈
曲させることができる。
【００５２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。
【００５３】（ワイヤボンディング方法の第１工程）図
１は、本発明を適用した実施の形態に係るワイヤボンデ
ィング方法を示す図である。図１に示すように、集積回
路が形成された半導体チップ１０及び複数のリード２０
を用意する。
【００５４】半導体チップ１０の一方の面（能動面）に
は、アルミニウムなどで形成された複数の電極（ボンデ
ィングパッド）１２が形成されている。複数の電極１２
は、第１の仮想直線Ｌ1上で一列に並んでおり、中心点
間距離（ピッチ）がほぼ均一になっている。それぞれの
電極１２は、配列方向（仮想直線Ｌ1に平行な方向）の
辺よりも、これに直角な辺が長い長方形であってもよ
い。電極１２の数が増えると、電極１２の中心点間距離
が短くなるので、配列方向の辺の長さも短くなるが、こ
の辺に直角な辺の長さは比較的自由に設計することがで
きる。その結果、電極１２を大きくして、広いボンディ
ング面積を確保することができる。半導体チップ１０が
矩形をなす場合には、電極１２は、平行な２辺のそれぞ
れに沿って配列されてもよいし、４辺のそれぞれに沿っ
て配列されてもよい。電極１２は、半導体チップ１０の
中央部又はその付近に配列されてもよい。電極１２を避
けて、能動面には、パッシベーション膜を形成すること
が多い。
【００５５】リード２０は、リードフレームのインナー
リードであってもよいし、基板上に形成された配線であ
ってもよい。リード２０は、半導体装置の一部をなす場
合には、半導体装置の外部端子に電気的に接続される。
リード２０は、仮想平面Ｐ上に並べられている。仮想平
面Ｐは、半導体チップ１０における電極１２が形成され
た面と平行であることが好ましく、同一面であってもよ
い。リード２０は、電極１２よりも幅が広く、中心点間
距離（ピッチ）も電極１２の中心点間距離よりも大き
い。それぞれのリード２０は、いずれか一つの電極１２
に電気的に接続されることが多いが、複数の電極１２に
電気的に接続されてもよく、複数のリード２０が一つの
電極１２に電気的に接続されてもよい。
【００５６】複数のリード２０は、複数の電極１２と平
行に並べても良いが、その場合には、配列の端部に近い
リード２０が電極１２から離れる。そこで、図１に示す
ように、複数のリード２０の先端は、第１の仮想直線Ｌ
1に平行な第３の仮想直線Ｌ3とは異なる仮想線Ｌ上に位
置する。仮想線Ｌは、直線であっても曲線であってもよ
い。仮想線Ｌが、第３の仮想直線Ｌ3よりも電極１２に
近い側に位置することが好ましい。こうすることで、配
列の端部に近いリード２０が、電極１２に近づくので、
リード２０と電極１２との距離を短くすることができ
る。また、リード２０と電極１２とが一対一で接続され
るときには、それぞれのワイヤ３０の長さがほぼ等しく
なるように、リード２０を配列してもよい。
【００５７】（ワイヤボンディング方法の第２工程）上
述したように、半導体チップ１０の周囲に複数のリード
２０を配置して、ワイヤボンディングを行う。例えば、
ボールボンディングやウェッジボンディングを行う。
【００５８】本実施の形態では、電極１２又はリード２
０の一方にワイヤ３０をボンディングする。仮想平面Ｐ
に対して垂直な方向（図１の紙面に垂直な方向）の平面
視において、両端に位置する一対の電極１２の間隔の中
間点Ｍを通る仮想垂線ＬVに最も近い電極１２又はリー
ド２０に、最初にワイヤ３０をボンディングすることが
好ましい。ワイヤボンディングでは、ワイヤ３０を、電
極１２にボンディングしてから、これに対応するリード
２０にボンディングすることが多い。
【００５９】（ワイヤボンディング方法の第３工程）ワ
イヤ３０がボンディングされた電極１２又はリード２０
の一方から、さらにワイヤ３０を引き出す。ワイヤ３０
は、３次元的にはループ形状を描いても良い。第２工程
で、ワイヤ３０を電極１２にボンディングしたときに
は、仮想平面Ｐに対して垂直な方向（図１の紙面に垂直
な方向）の平面視において、仮想垂線ＬVに平行にワイ
ヤ３０を引き出すことが好ましい。こうすることで、複
数のワイヤ３０を、電極１２とほぼ同じピッチで平行に
引き回すことができる。また、ウェッジボンディングが
適用され、電極１２が第１の仮想直線Ｌ1と平行な辺と
直角な辺で形成された矩形をなす場合には、斜めになら
ないように電極１２にワイヤ３０をボンディングするこ
とができる。、そして、仮想平面Ｐに対して垂直な方向
（図１の紙面に垂直な方向）の平面視において、ワイヤ
３０を、電極１２又はリード２０の他方に向けて屈曲さ
せる。例えば、ピン（又はポール）４０にワイヤ３０を
接触させて、このワイヤ３０を屈曲させることができ
る。中間点Ｍを通る仮想垂線ＬVに最も近い電極１２又
はリード２０に、最初にワイヤ３０をボンディングし
て、仮想垂線ＬVから離れる方向にワイヤ３０を屈曲さ
せれば、ピン４０を次のワイヤ３０の位置に移動すると
きに、先に張られたワイヤ３０がじゃまにならない。
【００６０】図２及び図３は、ワイヤ３０の屈曲方法の
例を示す図である。例えば、図２に示すように、必要な
長さのワイヤ３０を電極１２真っ直ぐにから引き出して
から、このワイヤ３０をピン４０を介して屈曲させても
よい。ここで、必要な長さとは、電極１２とリード２０
との電気的な接続に必要な長さである。あるいは、図３
に示すように、屈曲位置に至るまで真っ直ぐワイヤ３０
を引き出し、このワイヤ３０を屈曲させながら、さらに
引き出しても良い。
【００６１】（ワイヤボンディング方法の第４工程）次
に、電極１２又はリード２０の他方にワイヤ３０をボン
ディングする。以上の工程で、一つのワイヤ３０につい
てワイヤボンディングが完了する。
【００６２】（繰り返し工程）次のワイヤ３０について
も、上記第１〜第４工程を行って、全ての電極１２及び
リード２０についてワイヤボンディングを行う。仮想垂
線ＬVに最も近い電極１２及びリード２０に、最初にワ
イヤ３０をボンディングしたら、仮想垂線ＬVに２番目
に近い電極１２及びリード２０にワイヤ３０をボンディ
ングする。
【００６３】ここで、ワイヤ３０における電極１２から
引かれた部分が、仮想垂線ＬVと平行になっているとき
には、ワイヤ３０の屈曲部分を一直線に並べることが好
ましい。こうすることで、ワイヤ３０の屈曲部分におけ
るピッチをほぼ均等にすることができる。特に、ワイヤ
３０の屈曲部分を、第１の仮想直線Ｌ1及び仮想垂線ＬV
に交差する直線上に並べることで、ピッチを大きくする
ことができる。
【００６４】また、図１に示すように、複数のリード２
０が、仮想直線Ｌ3よりも電極１２に近づく方向に曲が
って配列される場合には、この曲がった配列に沿った方
向に傾く第２の仮想直線Ｌ2上でワイヤ３０が屈曲する
ことが好ましい。第２の仮想直線Ｌ2は、第１の仮想直
線Ｌ1と交点Ｃで交差する。交点Ｃに最も近い電極１２
と第２の仮想直線Ｌ2との距離は、第２の仮想直線Ｌ2と
中間点Ｍとの距離よりも短い。こうすることで、ワイヤ
３０のピッチを広くすることができる。
【００６５】特に、図４に示すように、ワイヤボンディ
ングを妨げない範囲で、第２の仮想直線Ｌ2′と第１の
仮想直線Ｌ1との交点Ｃ′が電極１２に最も接近し、第
２の仮想直線Ｌ2′と仮想垂線ＬVとの交点Ｃ″が電極１
２から最も離れることが好ましい。この第２の仮想直線
Ｌ2′上で、ワイヤ３０が屈曲すれば、ワイヤ３０のピ
ッチを最も大きくすることができる。
【００６６】なお、図５に示すように、第１の仮想直線
Ｌ1と平行な第２の仮想直線Ｌ2″上で、ワイヤ３０が屈
曲していてもよい。この場合には、ワイヤ３０における
屈曲部分とリード２０との間の部分において、ピッチを
広くするには、第２の仮想直線Ｌ2″を電極１２に接近
させることが好ましい。
【００６７】本実施の形態によれば、ワイヤ３０を屈曲
させるので、その自由な引き回しが可能になる。
【００６８】（ワイヤボンディング装置）図６は、本発
明を適用した実施の形態に係るワイヤボンディング装置
を示す図である。図６に示すワイヤボンディング装置
は、ピン（ポール）４０、テーブル５０及びボンディン
グツール６０を含む。
【００６９】テーブル５０は、半導体チップ１０及び複
数のリード２０を載せられるよういになっている。な
お、リードフレームが使用される場合には、ダイパッド
７０に半導体チップ１０が載せられ、ダイパッド７０を
介してテーブル５０に半導体チップ１０が載せられてい
る。
【００７０】リード２０は、仮想平面Ｐ上に並べられて
いる。仮想平面Ｐは、半導体チップ１０における電極１
２が形成された面と平行であることが好ましく、同一面
であっても異なる面であってもよい。なお、リード２０
は、電極１２よりも幅が広く、中心点間距離（ピッチ）
も電極１２の中心点間距離よりも大きい。リード２０の
配列や形状については、ワイヤボンディング方法で説明
した内容を適用することができる。
【００７１】ボンディングツール６０は、電極１２及び
リード２０にワイヤ３０をボンディングするもので、ボ
ンディングヘッドやワイヤークランプ等を含む。ボンデ
ィングツール６０は、ワイヤ３０を屈曲させるために、
仮想平面Ｐに対して垂直な方向（図１の紙面に垂直な方
向）の平面視において非直線的に移動する。
【００７２】ワイヤ３０を屈曲させるときには、図２及
び図３で説明した方法が適用されるようにボンディング
ツール６０を移動させてもよい。例えば、図２に示すよ
うに、ワイヤ３０が必要な長さに至るまで電極１２から
真っ直ぐにボンディングツール６０を移動させ、ピン４
０の廻りで弧を描いてボンディングツール６０を移動さ
せて、ワイヤ３０を屈曲させてもよい。ここで、必要な
長さとは、電極１２とリード２０との電気的な接続に必
要な長さである。あるいは、図３に示すように、屈曲位
置に至るまでボンディングツール６０を真っ直ぐに移動
させ、ピン４０の廻りを廻りながらかつピン４０からボ
ンディングツール６０を遠ざけて、ワイヤ３０を屈曲さ
せてもよい。
【００７３】ピン４０は、上述したワイヤボンディング
方法で説明したように、ワイヤ３０を屈曲させるために
使用される。また、ピン４０は、図１に示すように、い
ずれかのワイヤ３０のボンディングを行って、次のワイ
ヤ３０のボンディングを行うときに、移動するようにな
っている。ピン４０はアーム４２に設け、アーム４２が
駆動されることでピン４０が移動する。アーム４２は、
テーブル５０における半導体チップ１０を載置する面と
は反対側に配置してもよい。この場合、ピン４０の移動
する軌跡に沿って、テーブル５０に溝５２を形成しても
よい。あるいは、半導体チップ１０が配置される側に、
ピン４０を支持するアーム４２を設けてもよい。
【００７４】本実施の形態に係るワイヤボンディング装
置は、上述したワイヤボンディング方法を実施できるよ
うに作動する。
【００７５】（半導体装置・回路基板）図７は、本発明
を適用した実施の形態に係る半導体装置が搭載された回
路基板を示す図である。本発明に係る半導体装置には、
ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Arr
ay）、ＣＳＰ（Chip Scale/Size Package）などいずれ
のパッケージでも適用することができる。例えば、図７
には、ＣＳＰが適用された半導体装置が示されている。
【００７６】半導体装置１００は、複数の電極１２を有
する半導体チップ１０と、複数のリード２０と、複数の
ワイヤ３０と、少なくともボンディング部分を封止する
樹脂１１０と、基板１０２と、ハンダボールなどの複数
の外部端子１０４と、を含む。ワイヤ３０は、図１に示
すように、屈曲して電極１２とリード２０とを電気的に
接続している。詳しくは、上述したワイヤボンディング
方法で説明した通りである。半導体装置１００によれ
ば、ワイヤ３０のピッチが広いので、ワイヤ３０同士の
接触を防止することができる。
【００７７】回路基板２００には例えばガラスエポキシ
基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路
基板２００には例えば銅からなる配線パターン２１０が
所望の回路となるように形成されていて、それらの配線
パターン２１０と半導体装置１００の外部端子１０４と
を機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
【００７８】そして、本発明を適用した半導体装置１０
０を有する電子機器３００として、図８には、ノート型
パーソナルコンピュータが示されている。
【００７９】なお、上記本発明の構成要件「半導体チッ
プ」を「電子素子」に置き換えて、半導体チップと同様
に電子素子（能動素子か受動素子かを問わない）を使用
することもできる。このような電子素子を使用して製造
される電子部品として、例えば、抵抗器、コンデンサ、
コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、
バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るワイヤボン
ディング方法を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係るワイヤボン
ディング方法を説明する図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係るワイヤボン
ディング方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係るワイヤボン
ディング方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係るワイヤボン
ディング方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係るワイヤボン
ディング装置を示す図である。
【図７】図７は、本発明の本実施の形態に係る半導体装
置が搭載された回路基板を示す図である。
【図８】図８は、本発明に係る方法を適用して製造され
た半導体装置を備える電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ １２ 電極 ２０ リード ３０ ワイヤ ４０ ピン ５０ テーブル ６０ ボンディングツール Ｌ1 第１の仮想直線 Ｌ2 第２の仮想直線 Ｌ3 第３の仮想直線 Ｌ 仮想線 ＬV 仮想垂線 Ｐ 仮想平面 Ｍ 中間点

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 仮想直線上で一列に並んだ複数の電極を
    有する半導体チップの周囲に、仮想平面上に並べられた
    複数のリードを、前記電極の中心点間距離よりも前記リ
    ードの中心点間距離を広くして配置する第１工程と、 一対をなす一つの前記電極及び一つの前記リードの一方
    に、ワイヤをボンディングする第２工程と、 前記仮想平面に対して垂直な方向の平面視において、前
    記一対をなす一つの前記電極及び一つの前記リードの他
    方に向けて、前記ワイヤを屈曲させる第３工程と、 前記一対をなす一つの電極及び一つの前記リードの他方
    に、前記ワイヤをボンディングする第４工程と、 を含むワイヤボンディング方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のワイヤボンディング方法
    において、 前記第３工程で、ピンを介して前記ワイヤを屈曲させる
    ワイヤボンディング方法。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のワイヤボン
    ディング方法において、 前記第３工程で、一対をなす一つの前記電極及び一つの
    前記リードの接続に必要な長さまで前記ワイヤを引き出
    してから、前記ワイヤを屈曲させるワイヤボンディング
    方法。
  4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２記載のワイヤボン
    ディング方法において、 前記第３工程で、一対をなす一つの前記電極及び一つの
    前記リードの間の距離未満の長さまで前記ワイヤを引き
    出した後に前記ワイヤを屈曲させながら、さらに前記ワ
    イヤを引き出すワイヤボンディング方法。
  5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
    のワイヤボンディング方法において、 前記第２工程で、一つの前記電極に前記ワイヤをボンデ
    ィングし、 前記第４工程で、一つの前記リードに前記ワイヤをボン
    ディングするワイヤボンディング方法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載のワイヤボンディング方法
    において、 前記第３工程で、前記仮想平面に対して垂直な方向の平
    面視において、両端に位置する一対の前記電極の間隔の
    中間点で前記仮想直線に直交する仮想垂線に平行に、前
    記電極からワイヤを引き出して、前記仮想垂線から離れ
    る方向に、前記ワイヤを屈曲させるワイヤボンディング
    方法。
  7. 【請求項７】 請求項６記載のワイヤボンディング方法
    において、 前記中間点に最も近い電極から順に、前記第１工程から
    第４工程を繰り返して、前記複数の電極及び前記複数の
    リードの全てに前記ワイヤをボンディングするワイヤボ
    ンディング方法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載のワイヤボンディング方法
    において、 前記ワイヤを、第２の仮想直線上で屈曲させるワイヤボ
    ンディング方法。
  9. 【請求項９】 請求項８記載のワイヤボンディング方法
    において、 前記第２の仮想直線は、前記電極が並ぶ前記仮想直線と
    交差し、交点に最も近い端部に位置する一つの前記電極
    からの距離が、前記中間点からの距離よりも短く、 前記複数のリードの先端を結ぶ仮想線は、前記仮想垂線
    に最も近い前記リードの先端を通るとともに前記電極が
    並ぶ前記仮想直線に平行な第３の仮想直線よりも、前記
    半導体チップ側に延びるワイヤボンディング方法。
  10. 【請求項１０】 仮想直線上で一列に並んだ複数の電極
    を有する半導体チップと、 前記半導体チップの周囲で仮想平面上に並べられ、か
    つ、前記電極よりも中心点間距離において広い複数のリ
    ードと、 前記電極と前記リードとを電気的に接続し、前記仮想平
    面に対して垂直な方向の平面視において屈曲した複数の
    ワイヤと、 を含む半導体装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の半導体装置におい
    て、 前記仮想平面に対して垂直な方向の平面視において、両
    端に位置する一対の前記電極の間隔の中間点で前記仮想
    直線に直交する仮想垂線に平行に、それぞれの電極から
    それぞれのワイヤが引き出され、前記仮想垂線から離れ
    る方向にそれぞれのワイヤは屈曲している半導体装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置におい
    て、 前記ワイヤは、第２の仮想直線上で屈曲する半導体装
    置。
  13. 【請求項１３】 請求項１１記載の半導体装置におい
    て、 前記第２の仮想直線は、前記電極が並ぶ前記仮想直線と
    交差し、交点に最も近い端部に位置する一つの前記電極
    からの距離が、前記中間点からの距離よりも短く、 前記複数のリードの先端を結ぶ仮想線は、前記仮想垂線
    に最も近い前記リードの先端を通るとともに前記電極が
    並ぶ前記仮想直線に平行な第３の仮想直線よりも、前記
    半導体チップ側に延びる半導体装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１０から請求項１３のいずれか
    に記載の半導体装置が搭載された回路基板。
  15. 【請求項１５】 請求項１０から請求項１３のいずれか
    に記載の半導体装置を備える電子機器。
  16. 【請求項１６】 仮想直線上で一列に並んだ複数の電極
    を有する半導体チップが載せられるとともに、前記半導
    体チップの周囲に、仮想平面上に並べられて前記電極よ
    りも中心点間距離において広い複数のリードが載せられ
    るテーブルと、 ワイヤを引き出して前記電極及び前記リードに接続する
    ボンディングツールと、 を含み、 前記ボンディングツールは、一対をなす一つの前記電極
    及び一つの前記リードの間で、前記仮想平面に対して垂
    直な方向の平面視において、非直線的に移動して前記ワ
    イヤを屈曲させるワイヤボンディング装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１６記載のワイヤボンディング
    装置において、 前記ボンディングツールは、一対をなす一つの前記電極
    及び一つの前記リードの接続に必要な長さまで前記ワイ
    ヤを引き出してから、前記ワイヤを屈曲させるワイヤボ
    ンディング装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１６記載のワイヤボンディング
    装置において、 前記ボンディングツールは、一対をなす一つの前記電極
    及び一つの前記リードの間の距離未満の長さまで前記ワ
    イヤを引き出した後に前記ワイヤを屈曲させながら、さ
    らに前記ワイヤを引き出すワイヤボンディング装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１６から請求項１８のいずれか
    に記載のワイヤボンディング装置において、 前記ボンディングツールは、一つの前記電極に前記ワイ
    ヤをボンディングしてから、一つの前記リードに前記ワ
    イヤをボンディングするワイヤボンディング装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１９記載のワイヤボンディング
    装置において、 前記ボンディングツールは、前記仮想平面に対して垂直
    な方向の平面視において、両端に位置する一対の前記電
    極の間隔の中間点で前記仮想直線に直交する仮想垂線に
    平行に、前記電極からワイヤを引き出して、前記仮想垂
    線から離れる方向に、前記ワイヤを屈曲させるワイヤボ
    ンディング装置。
  21. 【請求項２１】 請求項１６から請求項２０のいずれか
    に記載のワイヤボンディング装置において、 前記仮想平面に垂直に延びるとともに平行移動するピン
    をさらに有し、 前記ボンディングツールは、前記ワイヤを前記ピンに接
    触させて屈曲させるワイヤボンディング装置。
  22. 【請求項２２】 請求項１６から請求項２０のいずれか
    に記載のワイヤボンディング方法において、 前記ボンディングツールは、前記中間点に最も近い電極
    から順に、前記ワイヤをボンディングするワイヤボンデ
    ィング方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２２記載のワイヤボンディング
    装置において、 前記ボンディングツールは、第２の仮想直線上で前記ワ
    イヤを屈曲させるワイヤボンディング装置。
  24. 【請求項２４】 請求項２３記載のワイヤボンディング
    装置において、 前記第２の仮想直線は、前記電極が並ぶ前記仮想直線と
    交差し、交点に最も近い端部に位置する一つの前記電極
    からの距離が、前記中間点からの距離よりも短く、 前記複数のリードの先端を結ぶ仮想線は、前記仮想垂線
    に最も近い前記リードの先端を通るとともに前記電極が
    並ぶ前記仮想直線に平行な第３の仮想直線よりも、前記
    半導体チップ側に延びるワイヤボンディング装置。
  25. 【請求項２５】 請求項２３又は請求項２４記載のワイ
    ヤボンディング装置において、 前記仮想平面に垂直に延びるとともに、前記第２の仮想
    直線上を平行移動するピンをさらに有し、 前記ボンディングツールは、前記ワイヤを前記ピンに接
    触させて屈曲させるワイヤボンディング装置。
JP11013825A 1999-01-22 1999-01-22 ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置 Withdrawn JP2000216188A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11013825A JP2000216188A (ja) 1999-01-22 1999-01-22 ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置
KR10-2000-7010520A KR100388728B1 (ko) 1999-01-22 2000-01-19 와이어 본딩 방법, 반도체 장치, 회로기판, 전자기기 및 와이어 본딩 장치
US09/646,641 US6437453B1 (en) 1999-01-22 2000-01-19 Wire bonding method, semiconductor device, circuit board, electronic instrument and wire bonding device
DE60033888T DE60033888D1 (de) 1999-01-22 2000-01-19 Methode zum drahtbonden, halbleitervorrichtung und vorrichtung zum drahtbonden
EP00900809A EP1069608B1 (en) 1999-01-22 2000-01-19 Wire bonding method, semiconductor device and wire bonding device
PCT/JP2000/000214 WO2000044040A1 (en) 1999-01-22 2000-01-19 Method of wire bonding, semiconductor device, circuit board, electronic device and wire bonder
TW089101026A TW480633B (en) 1999-01-22 2000-01-21 Method of wire bonding, semiconductor device, circuit board, electronic machine and wire bonding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11013825A JP2000216188A (ja) 1999-01-22 1999-01-22 ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000216188A true JP2000216188A (ja) 2000-08-04

Family

ID=11844062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11013825A Withdrawn JP2000216188A (ja) 1999-01-22 1999-01-22 ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6437453B1 (ja)
EP (1) EP1069608B1 (ja)
JP (1) JP2000216188A (ja)
KR (1) KR100388728B1 (ja)
DE (1) DE60033888D1 (ja)
TW (1) TW480633B (ja)
WO (1) WO2000044040A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073937A (ja) * 2005-08-12 2007-03-22 Kaijo Corp ボンディングワイヤのループ形状及びそのループ形状を備えた半導体装置並びにボンディング方法
US7834465B2 (en) 2007-09-13 2010-11-16 Nec Electronics Corporation Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6608385B2 (en) * 1998-11-30 2003-08-19 Advantest Corp. Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same
TW201125091A (en) * 2010-01-15 2011-07-16 de-bao Peng Method for detecting wiring location of wire rack.

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3734386A (en) * 1971-06-30 1973-05-22 Ibm Wiring apparatus with wire path forming means
EP0267462A3 (en) 1986-11-12 1990-01-31 Heraeus Amersil, Inc. Mass transferable semiconductor substrate processing and handling full shell carrier (boat)
JPS63197354U (ja) * 1987-06-09 1988-12-19
US4858819A (en) * 1988-03-29 1989-08-22 Hughes Aircraft Company Orthogonal bonding method and equipment
US5091825A (en) * 1988-03-29 1992-02-25 Hughes Aircraft Company Orthogonal bonding method and equipment
JPH0287640A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Seiko Epson Corp Ｔａｂテープの構造
FR2644591B1 (fr) 1989-03-17 1991-06-21 Schlumberger Prospection Procede et dispositif de diagraphie utilisant un capteur effectuant un balayage circonferentiel de la paroi d'un puits de forage, notamment afin d'etalonner ce capteur
JPH03119739A (ja) 1989-09-30 1991-05-22 Casio Comput Co Ltd テープキャリア
US5215940A (en) * 1990-02-05 1993-06-01 Orcutt John W Wire looping method during wire bonding
JPH04123448A (ja) 1990-09-14 1992-04-23 Toshiba Corp 半導体実装装置
JP2551243B2 (ja) 1991-02-18 1996-11-06 富士通株式会社 半導体装置
JPH06252531A (ja) * 1992-07-31 1994-09-09 Fujitsu Ltd ワイヤ配線方法及び装置
JP2783125B2 (ja) 1993-07-23 1998-08-06 株式会社デンソー ワイヤボンディング方法
US5465899A (en) * 1994-10-14 1995-11-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for fine pitch wire bonding using a shaved capillary
TW280897B (ja) * 1994-10-27 1996-07-11 Ibm
US5625235A (en) * 1995-06-15 1997-04-29 National Semiconductor Corporation Multichip integrated circuit module with crossed bonding wires

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073937A (ja) * 2005-08-12 2007-03-22 Kaijo Corp ボンディングワイヤのループ形状及びそのループ形状を備えた半導体装置並びにボンディング方法
US7834465B2 (en) 2007-09-13 2010-11-16 Nec Electronics Corporation Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1069608A4 (en) 2004-08-11
TW480633B (en) 2002-03-21
DE60033888D1 (de) 2007-04-26
EP1069608A1 (en) 2001-01-17
KR100388728B1 (ko) 2003-06-25
WO2000044040A1 (en) 2000-07-27
EP1069608B1 (en) 2007-03-14
US6437453B1 (en) 2002-08-20
KR20010092255A (ko) 2001-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5561323A (en) Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto
US5440452A (en) Surface mount components and semifinished products thereof
US5773884A (en) Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto
US5633533A (en) Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto
US5569956A (en) Interposer connecting leadframe and integrated circuit
JPH07321244A (ja) 電子部品および電子部品の製造方法
JP2000216188A (ja) ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置
US20220230944A1 (en) Configurable leaded package
JP4007917B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
EP0616367A1 (en) Lead structure and lead connecting method for semiconductor device
JP3942495B2 (ja) 半導体装置
JP2809191B2 (ja) 半導体チップの実装方法
JPH05102223A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3509532B2 (ja) 半導体装置用基板、半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
JPH0684991A (ja) 半導体装置
JPH05102232A (ja) 半導体製造装置
JP2568057B2 (ja) 集積回路装置
JP2002118132A (ja) 電子部品の実装方法
JPS6343897B2 (ja)
JP3367512B2 (ja) メモリ素子
JPS61225827A (ja) 半導体素子の実装構造
JPH0214558A (ja) 半導体集積回路装置
JP3367513B2 (ja) 電子部品
JPS615537A (ja) 半導体装置
JP2003007899A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060404