JPH02244746A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02244746A JPH02244746A JP6373289A JP6373289A JPH02244746A JP H02244746 A JPH02244746 A JP H02244746A JP 6373289 A JP6373289 A JP 6373289A JP 6373289 A JP6373289 A JP 6373289A JP H02244746 A JPH02244746 A JP H02244746A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、樹脂封止型半導体装置に係り、特にリフロー
はんだ付は時の加熱により生じる樹脂クラックの防止に
好適な樹脂封止型半導体装置に関する。
はんだ付は時の加熱により生じる樹脂クラックの防止に
好適な樹脂封止型半導体装置に関する。
［従来の技術］
＠脂封止型半導体装置では、従来のピン挿入タイプに代
わり、基板に直接リードをはんだ付けする面付実装タイ
プが主流になりつつある。このようなパッケージでは、
高温高湿環境で保存すると樹脂が水分を吸収し、はんだ
付加熱時（リフロー時）に水分がパッケージ内部で蒸気
になり、樹脂にクラックが生じやすい。このクラックは
、はんだリフロー時に発生するため、俗にリフロークラ
ックと呼ばれている。
わり、基板に直接リードをはんだ付けする面付実装タイ
プが主流になりつつある。このようなパッケージでは、
高温高湿環境で保存すると樹脂が水分を吸収し、はんだ
付加熱時（リフロー時）に水分がパッケージ内部で蒸気
になり、樹脂にクラックが生じやすい。このクラックは
、はんだリフロー時に発生するため、俗にリフロークラ
ックと呼ばれている。
このようなりフロークラックを防止する従来技術として
は、特開昭６０−２０８８４７号公報に記載のようにパ
ッケージに孔をあけ、発生する蒸気を逃す方法がある。
は、特開昭６０−２０８８４７号公報に記載のようにパ
ッケージに孔をあけ、発生する蒸気を逃す方法がある。
従来のパッケージでは、特開昭６３〜２２４２４５号公
報に開示されているように、タブと呼ばれる素子を搭載
するための金属板と樹脂の界面が剥離し、ここに蒸気が
発生することが多いため、樹脂とタブの接着強さを向上
させることにより蒸気の発生を防ぐことができる。この
ような従来技術として、特開昭５８−１９９５４８号公
報および特開昭６０−１８６０４４号公報に示される技
術がある。また、タブに特殊な形状の孔をあけ、この孔
に樹脂を食い込ませることにより樹脂を拘束し、はんだ
リフロー時に発生する蒸気圧により生じる樹脂の応力を
低減し、クラックを防止する技術が特開昭６３−２２４
２４５号公報に開示されている。
報に開示されているように、タブと呼ばれる素子を搭載
するための金属板と樹脂の界面が剥離し、ここに蒸気が
発生することが多いため、樹脂とタブの接着強さを向上
させることにより蒸気の発生を防ぐことができる。この
ような従来技術として、特開昭５８−１９９５４８号公
報および特開昭６０−１８６０４４号公報に示される技
術がある。また、タブに特殊な形状の孔をあけ、この孔
に樹脂を食い込ませることにより樹脂を拘束し、はんだ
リフロー時に発生する蒸気圧により生じる樹脂の応力を
低減し、クラックを防止する技術が特開昭６３−２２４
２４５号公報に開示されている。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術のうち、パッケージに孔をあける方法は、
リフロークラックは防げるものの、パッケージに水分の
通路を作ることになり、素子電極の腐食が生じる可能性
がある。
リフロークラックは防げるものの、パッケージに水分の
通路を作ることになり、素子電極の腐食が生じる可能性
がある。
また、タブに加工を施す従来技術は、本発明で解決しよ
うとするタブを用いない新しいタイプのパッケージには
適用できない。
うとするタブを用いない新しいタイプのパッケージには
適用できない。
本発明の目的は、タブを用いない新しいタイプのパッケ
ージのりフロークラックを防止することにある。
ージのりフロークラックを防止することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成する手段を述べるまえに、本発明が解決
しようとしているタブを用いない新しいタイプのパッケ
ージのりフロークラックの発生φカニズムについて１図
を用いて説明する。
しようとしているタブを用いない新しいタイプのパッケ
ージのりフロークラックの発生φカニズムについて１図
を用いて説明する。
本発明が対象としているタブを用いない新しいタイプの
パッケージの斜視図を第２６＠に、また第２６図の長辺
方向中央断面図を第２７図に示す。なお、この構造のパ
ッケージの詳細については、特開昭６１−２４１９５９
号公報に開示されている。リードフレーム２は絶縁フィ
ルム４を介して素子３の回路形成面の上部まで引き伸ば
され、ワイヤ５により素子３の電極６と電気的に接続さ
れている。そして、これらは封止樹脂１で封止されてい
る。第２６図の例では、リードフレーム２と電極６との
電気的接続部材としてワイヤを用いているが、この接続
は、はんだ接続でもテープオートメイテッドボンディン
グでもよい。このタイプのパッケージは、リードフレー
ムが素子（チップ）の上部に位置することから、本願で
は「リードオンチップパッケージ」と呼ぶ。
パッケージの斜視図を第２６＠に、また第２６図の長辺
方向中央断面図を第２７図に示す。なお、この構造のパ
ッケージの詳細については、特開昭６１−２４１９５９
号公報に開示されている。リードフレーム２は絶縁フィ
ルム４を介して素子３の回路形成面の上部まで引き伸ば
され、ワイヤ５により素子３の電極６と電気的に接続さ
れている。そして、これらは封止樹脂１で封止されてい
る。第２６図の例では、リードフレーム２と電極６との
電気的接続部材としてワイヤを用いているが、この接続
は、はんだ接続でもテープオートメイテッドボンディン
グでもよい。このタイプのパッケージは、リードフレー
ムが素子（チップ）の上部に位置することから、本願で
は「リードオンチップパッケージ」と呼ぶ。
このようなパッケージを高温高湿環境中で保存すると、
空気中の水分が樹脂に溶解し、パッケージ内部に拡散す
る。このような状態でリフロー加熱を行うと、第２８図
に示すように、接着強度が最も弱い素子裏面３ａと樹脂
１の界面にすきま７が生じ、このすきまで水分が蒸気化
する。この蒸気８の圧力により、素子３のコーナ一部に
接する樹脂１ａに引張応力９が発生し、第２９図に示す
ようなりフロークラック１０が生じる。素子３のコーナ
一部に接する樹脂１ａに発生する引張応力をσとすると
、σは次式で求められることが第２６回アイ・イー・イ
ー・イー、アイ・アール・ピー・ニス、プロシーディン
グ（１９８８年）第９２頁（Ｐｒｏｃ 。
空気中の水分が樹脂に溶解し、パッケージ内部に拡散す
る。このような状態でリフロー加熱を行うと、第２８図
に示すように、接着強度が最も弱い素子裏面３ａと樹脂
１の界面にすきま７が生じ、このすきまで水分が蒸気化
する。この蒸気８の圧力により、素子３のコーナ一部に
接する樹脂１ａに引張応力９が発生し、第２９図に示す
ようなりフロークラック１０が生じる。素子３のコーナ
一部に接する樹脂１ａに発生する引張応力をσとすると
、σは次式で求められることが第２６回アイ・イー・イ
ー・イー、アイ・アール・ピー・ニス、プロシーディン
グ（１９８８年）第９２頁（Ｐｒｏｃ 。
２６ｔｈ ＩＥＥＥ ＩＲＰＳ、 （１９８８） ｐｐ
９２．）に示されている。
９２．）に示されている。
ここで、ａは第２９図に示す蒸気が発生するすきまの平
面寸法、ｈは素子の下の樹脂の厚さ、Ｐは発生蒸気圧で
ある。この式かられかるように、リフロー加熱時に発生
する応力は、すきまの平面寸法が短いほど小さくなる。
面寸法、ｈは素子の下の樹脂の厚さ、Ｐは発生蒸気圧で
ある。この式かられかるように、リフロー加熱時に発生
する応力は、すきまの平面寸法が短いほど小さくなる。
以上に述べたメカニズムから、リフロークラックを防止
するには、次の２つの方法が考えられる。
するには、次の２つの方法が考えられる。
第一の方法は、素子裏面の一部に樹脂を拘束する部分を
設け、（１）式の８寸法を短クシ、発生応力を低減する
ことである。第二の方法は、素子裏面と樹脂の接着強度
を強くし、蒸気が発生するすきまを無くすことである。
設け、（１）式の８寸法を短クシ、発生応力を低減する
ことである。第二の方法は、素子裏面と樹脂の接着強度
を強くし、蒸気が発生するすきまを無くすことである。
このためには、素子裏面と樹脂との間に双方と接着強度
が高い層を設ければ良い。
が高い層を設ければ良い。
［作用コ
本願の第一の発明によれば、蒸気が発生する素子裏面と
樹脂との間のすきまの平面寸法を短くできるので、発生
応力が低減し、リフロークラックを防止することができ
る。
樹脂との間のすきまの平面寸法を短くできるので、発生
応力が低減し、リフロークラックを防止することができ
る。
本願の第二の発明によれば、リードオンチップパッケー
ジのりフロークラックの発生原因となる素子裏面と樹脂
の接着剥離が防止できるので、リフロークラックを防止
することができる。
ジのりフロークラックの発生原因となる素子裏面と樹脂
の接着剥離が防止できるので、リフロークラックを防止
することができる。
［実施例コ
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。
本発明の第１実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第１図、樹脂封
止する前の素子裏面側から見た素子裏面のみの斜視図を
第２図に示す。本実施例では、リードフレーム２が絶縁
フィルム４を介して素子３の上部まで引き伸ばされ、リ
ードフレーム２と素子３の電極６がワイヤ５により電気
的に接続されている。さらに、素子３の裏面中央に接合
／［１２により突起物１１が接合され、これらの部材が
樹脂１で封止されている。このパッケージを高温高温環
境中に保存した後にリフロー加熱を行った時の様子を第
３図に示す。素子と樹脂の間にすきま７が形成され、こ
こが蒸気で満たされている。
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第１図、樹脂封
止する前の素子裏面側から見た素子裏面のみの斜視図を
第２図に示す。本実施例では、リードフレーム２が絶縁
フィルム４を介して素子３の上部まで引き伸ばされ、リ
ードフレーム２と素子３の電極６がワイヤ５により電気
的に接続されている。さらに、素子３の裏面中央に接合
／［１２により突起物１１が接合され、これらの部材が
樹脂１で封止されている。このパッケージを高温高温環
境中に保存した後にリフロー加熱を行った時の様子を第
３図に示す。素子と樹脂の間にすきま７が形成され、こ
こが蒸気で満たされている。
しかし、樹脂の中央部は突起物１１で拘束されているの
で、すきまの平面寸法ａは第２９図に示す従来構造の寸
法の１／２以下になる。従って、樹脂に発生する応力は
（１）式かられかるように従来構造の】−／２以１ｑに
なるので、リフロークラックを防止することができる。
で、すきまの平面寸法ａは第２９図に示す従来構造の寸
法の１／２以下になる。従って、樹脂に発生する応力は
（１）式かられかるように従来構造の】−／２以１ｑに
なるので、リフロークラックを防止することができる。
突起物として、第４図に示すように線状のものを２箇所
に分割して設ければ、すきまの平面寸法ａはさらに小さ
くなるので、リフロークラックを防止する上でより効果
的である。
に分割して設ければ、すきまの平面寸法ａはさらに小さ
くなるので、リフロークラックを防止する上でより効果
的である。
また突起物の平面形状は、第５図のように矩形、第６図
のように円形、第７図のように十字形、第８図のように
リング形であっても良い。
のように円形、第７図のように十字形、第８図のように
リング形であっても良い。
本発明の第２実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第９図に示す。
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第９図に示す。
本実施例では、突起物１１の素子面に継直な断面の素子
接合面側おける素子接合面に・１１行な方向の・を法が
、Ｍ７−接合面の反対面における寸法より小さくなって
いる。このように突起物１１を構成することにより、素
子３と樹脂１の間に蒸気が発生しても、樹脂１が突起物
１１から抜ける恐れがなくなるので、突起物１１による
樹脂１の拘束効果が向」−シ、従って、リフロークラッ
クの防止効果は、第１実施例に比べてもさらに良くなる
。
接合面側おける素子接合面に・１１行な方向の・を法が
、Ｍ７−接合面の反対面における寸法より小さくなって
いる。このように突起物１１を構成することにより、素
子３と樹脂１の間に蒸気が発生しても、樹脂１が突起物
１１から抜ける恐れがなくなるので、突起物１１による
樹脂１の拘束効果が向」−シ、従って、リフロークラッ
クの防止効果は、第１実施例に比べてもさらに良くなる
。
樹脂１の拘束効果を向しさせる突起物１】の断面形状と
１７では、第９図の他にも第１０図のように突起物１１
の側面を凹形状にする。第１１図のように突起物１１の
側面を凸形状にする、第１２図のように突起物１１を素
子接合面に対し・て斜めにする、などの形状がある。
１７では、第９図の他にも第１０図のように突起物１１
の側面を凹形状にする。第１１図のように突起物１１の
側面を凸形状にする、第１２図のように突起物１１を素
子接合面に対し・て斜めにする、などの形状がある。
本発明の第３実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第１３図、樹脂
封止する前の素子裏面側から見た素ｆ−裏面のみの斜視
図を第１４図に示す。本実施例では、素子３の裏面に孔
１４を設けた板１：３が接合層１５により接合され、こ
れらの部材が樹脂１で封止されている。このパッケージ
を高温高湿環境中に保存した後にリフロー加熱を行った
時の様子を第１５図に示す。素子と樹脂の間にすきま７
が形成さ才ｔ。
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第１３図、樹脂
封止する前の素子裏面側から見た素ｆ−裏面のみの斜視
図を第１４図に示す。本実施例では、素子３の裏面に孔
１４を設けた板１：３が接合層１５により接合され、こ
れらの部材が樹脂１で封止されている。このパッケージ
を高温高湿環境中に保存した後にリフロー加熱を行った
時の様子を第１５図に示す。素子と樹脂の間にすきま７
が形成さ才ｔ。
ここが蒸気で満たされている。しかし、樹脂の中央部は
孔１４で拘束されているので、すきまの平面手法ａは第
２９図に示す従来構造の寸法の１／２以下になる。従っ
て、第１実施例の場合と同様の原理により、リフローク
ラックを防止することができる。また孔の平面形状は、
第１実施例のように矩形、円形、十字形、リング形であ
っても良く、メツシュ状の無数の孔があけられていても
良い。
孔１４で拘束されているので、すきまの平面手法ａは第
２９図に示す従来構造の寸法の１／２以下になる。従っ
て、第１実施例の場合と同様の原理により、リフローク
ラックを防止することができる。また孔の平面形状は、
第１実施例のように矩形、円形、十字形、リング形であ
っても良く、メツシュ状の無数の孔があけられていても
良い。
本発明の第４実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第１６図に示す
。本実施例では、孔１４の素子面に垂直な断面の素子接
合面における素子接合面に平行な方向の−」−法が、素
子接合面の反対面における寸法より大きくなっている。
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第１６図に示す
。本実施例では、孔１４の素子面に垂直な断面の素子接
合面における素子接合面に平行な方向の−」−法が、素
子接合面の反対面における寸法より大きくなっている。
このように孔１４を構成することにより、素子３と樹脂
１の間に蒸気が発生しても、樹脂１が孔１４から抜ける
恐れがなくなるので、孔１４による樹脂１の拘束効果が
向上し、従って、リフロークラックの防止効果は、第３
実施例に化成てもさらに良くなる。樹脂１の拘束効果を
向上させる孔１４の断面形状としては、第１６図の他に
も第１７図のように孔１４の側面を凸形状にする、第１
７図のように孔１４の側面を凹形状にする、第１８図の
ように孔１４を素子接合面に対して斜めにあける、など
の形状がある。
１の間に蒸気が発生しても、樹脂１が孔１４から抜ける
恐れがなくなるので、孔１４による樹脂１の拘束効果が
向上し、従って、リフロークラックの防止効果は、第３
実施例に化成てもさらに良くなる。樹脂１の拘束効果を
向上させる孔１４の断面形状としては、第１６図の他に
も第１７図のように孔１４の側面を凸形状にする、第１
７図のように孔１４の側面を凹形状にする、第１８図の
ように孔１４を素子接合面に対して斜めにあける、など
の形状がある。
本発明の第５実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止する前の素子裏
面側から見た素子裏面のみの斜視図を第２０図に示す。
構造の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止する前の素子裏
面側から見た素子裏面のみの斜視図を第２０図に示す。
本実施例では、孔１４があけられた板１３の手法が素７
−３より小さくなっている。
−３より小さくなっている。
このように板を構成しても、第３実施例と同様なりフロ
ークラックの防止効果がある。
ークラックの防止効果がある。
本発明の第６実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置で用いる板の素子接合面側
から見た斜視図を第２１図に示す。
構造の樹脂封止型半導体装置で用いる板の素子接合面側
から見た斜視図を第２１図に示す。
本実施例では、孔１４があけられた板１３の孔Ｘ４の周
囲に溝１６を設けた。このように板を構成することによ
り、板１３と素子３を接合する部材１５が孔の内面に流
れ込むことを防ぐことができる。
囲に溝１６を設けた。このように板を構成することによ
り、板１３と素子３を接合する部材１５が孔の内面に流
れ込むことを防ぐことができる。
以上述べた第１実施例から第６実施例までの突起物１１
あるいは板１３と素子３の接合方法としては。
あるいは板１３と素子３の接合方法としては。
接着剤を用いるかあるいは素子３の裏面をメタライズし
てはんだで接合すればよい。接着剤を用いる場合は、あ
らかじめ素子３の裏面に酸化皮膜を設けておけば、接着
強度が向上する。
てはんだで接合すればよい。接着剤を用いる場合は、あ
らかじめ素子３の裏面に酸化皮膜を設けておけば、接着
強度が向上する。
本発明の第７実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第２２図に示す
。本実施例では、素子３の回路形成面の反対側の面に、
封止樹脂１との接着強度が高い接着板１７を接着層１８
により接合した。このようにパッケージを構成すること
により、封止樹脂１と接着板１７の剥離を防止すること
ができるので、リフロー加熱時に蒸気が発生するすきま
が存在しなくなり、リフロークラックを防止することが
できる。接着板１７の平面形状は、第２３図のように素
子３より小さくても良いし、また第１実施例のように矩
形、円形、十字形、リング形であっても良い。また、封
止樹脂１との接着強度が高い接着板１７の材質としては
、例えば、ポリイミドなどの樹脂、銅などの金属が挙げ
られる。
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第２２図に示す
。本実施例では、素子３の回路形成面の反対側の面に、
封止樹脂１との接着強度が高い接着板１７を接着層１８
により接合した。このようにパッケージを構成すること
により、封止樹脂１と接着板１７の剥離を防止すること
ができるので、リフロー加熱時に蒸気が発生するすきま
が存在しなくなり、リフロークラックを防止することが
できる。接着板１７の平面形状は、第２３図のように素
子３より小さくても良いし、また第１実施例のように矩
形、円形、十字形、リング形であっても良い。また、封
止樹脂１との接着強度が高い接着板１７の材質としては
、例えば、ポリイミドなどの樹脂、銅などの金属が挙げ
られる。
本発明の第８実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第２４図に示す
。本実施例では、素子３の回路形成面の反対側の面に、
封止樹脂１との接着強度が高く且つ素子３の回路形成面
の反対側の面との接着強度が高いｍ状の部材１９を設け
た。このようにパッケージを構成することにより、封止
樹脂１と層状部材１９の剥離を防止することができるの
で、第７実施例と同様の原理によりリフロークラックを
防止することができる。層状部材１９の平面形状は、第
２５図のように素子３より小さくても良いし、また第１
実施例のように矩形、円形、十字形、リング形であって
も良い。また、層状部材１９の形成法としては、ポリイ
ミドなどの樹脂を素子３の回路形成面の反対側の面に塗
布する、素子３の回路形成面の反対側の面に酸化膜を設
ける、素子３の回路形成面の反対側の面に銅などの金属
のメタライズ層を設ける、などの方法が挙げられ、また
これらを併用し多層構造としても良い。
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図を第２４図に示す
。本実施例では、素子３の回路形成面の反対側の面に、
封止樹脂１との接着強度が高く且つ素子３の回路形成面
の反対側の面との接着強度が高いｍ状の部材１９を設け
た。このようにパッケージを構成することにより、封止
樹脂１と層状部材１９の剥離を防止することができるの
で、第７実施例と同様の原理によりリフロークラックを
防止することができる。層状部材１９の平面形状は、第
２５図のように素子３より小さくても良いし、また第１
実施例のように矩形、円形、十字形、リング形であって
も良い。また、層状部材１９の形成法としては、ポリイ
ミドなどの樹脂を素子３の回路形成面の反対側の面に塗
布する、素子３の回路形成面の反対側の面に酸化膜を設
ける、素子３の回路形成面の反対側の面に銅などの金属
のメタライズ層を設ける、などの方法が挙げられ、また
これらを併用し多層構造としても良い。
本発明の実施例はすべてスモールアウトラインＪベンド
パッケージについて説明したが、他の形状のパッケージ
についても全く同様の効果があることは言うまでもない
。
パッケージについて説明したが、他の形状のパッケージ
についても全く同様の効果があることは言うまでもない
。
［発明の効果コ
本発明によれば、リードオンチップパッケージをリフロ
ー加熱したときに蒸気が発生する素子裏面と樹脂との間
のすきまの平面寸法を短くでき、また素子裏面と樹脂の
接着剥離が防止できるので。
ー加熱したときに蒸気が発生する素子裏面と樹脂との間
のすきまの平面寸法を短くでき、また素子裏面と樹脂の
接着剥離が防止できるので。
リフロークラックを防止することができる効果がある。
第１図は本発明の第１実施例に係るリードオンチップパ
ッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第２図
は本発明の第１実施例に係るり一部オンチップパッケー
ジ構造の樹脂封止型半導体装置を樹脂封止する前の素子
裏面側から見た素子裏面のみの斜視図、第３図は本発明
の第１実施例に係るリードオンチップパッケージ構造の
樹脂封止型半導体装置を高温高湿環境中に保存した後に
リフロー加熱を行った時の様子の断面図、第４図、第５
図、第６図、第７図及び第８図は本発明の第１実施例に
係るリードオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導
体装置を樹脂封止する前の素子裏面側から見た素子裏面
のみの斜視図、第９図、第１０図、第１１図及び第１２
図は本発明の第２実施例に係るリードオンチップパッケ
ージ構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第１３図は
本発明の第３実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第１４図は本発
明の第３実施例に係るリードオンチップパッケージ構造
の樹脂封止型半導体装置を樹脂封止する前の素子裏面側
から見た素子裏面のみの斜視図、第１５図に本発明の第
３実施例に係るリードオンチップパッケージ構造の樹脂
封止型半導体装置を高温高温環境中に保存した後にリフ
ロー加熱を行った時の様子の断面図、第１６図、第１７
図、第１８図及び第１９図は本発明の第４実施例に係る
リードオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装
置の断面図、第２０図は本発明の第５実施例に係るり−
ドオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止する前の素子裏面側から見た素子裏面のみの斜
視図、第２１図は本発明の第６実施例に係るリードオン
チップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置で用いる
板の素子接合面側から見た斜視図、第２２図及び第２３
図は夫々本発明の第７実施例に係るリードオンチップパ
ッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第２４
図及び第２５図は夫々本発明の第ε３実施例に係るり・
〜ドオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置
の断面図、第２６図は従来のリードオンチップパッゲー
・ジ構造の樹脂封止型半導体装置の斜視図、第２７図は
従来のリートオンデツプパッケージ構造の樹脂封止型半
導体装置の断面図、第２８図は従来のり一部オンチップ
パッケージ構造の樹脂封止型半導体装置を高温高湿環境
中に保存した後にリフロー加熱を行った時の様ｆの断面
図、第２９図はりフロークラックが発生した従来のリー
ドオンチップパッケージ構造の４ｍ脂封止型半導体装置
の断面図である。 １・・封止樹脂、２・・・リードフレーム、２３・・未
了、１１・絶縁フィルム５５・・ワイヤ、（３・・電極
、７・・・すきま、８・蒸気、９・・引張応力、１０・
・リフロークラック、］１・・・突起物、１２・・・突
起物の接着層、１３・・板、］４・・板の孔、１５・・
・板の接Ｒ層、１Ｇ・・・板の溝、１．７・・接着板、
】８・・・接着板の接看漕、１９・・・層状部材。 埠 第 凹 葛 国 第 猶 口 第 菌 鳩 国 竿 目 第 １′ｙ 図 第 Σ 塙 囚 躬 閉 宅 因 鴇 区 弔 区 碌 目
ッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第２図
は本発明の第１実施例に係るり一部オンチップパッケー
ジ構造の樹脂封止型半導体装置を樹脂封止する前の素子
裏面側から見た素子裏面のみの斜視図、第３図は本発明
の第１実施例に係るリードオンチップパッケージ構造の
樹脂封止型半導体装置を高温高湿環境中に保存した後に
リフロー加熱を行った時の様子の断面図、第４図、第５
図、第６図、第７図及び第８図は本発明の第１実施例に
係るリードオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導
体装置を樹脂封止する前の素子裏面側から見た素子裏面
のみの斜視図、第９図、第１０図、第１１図及び第１２
図は本発明の第２実施例に係るリードオンチップパッケ
ージ構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第１３図は
本発明の第３実施例に係るリードオンチップパッケージ
構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第１４図は本発
明の第３実施例に係るリードオンチップパッケージ構造
の樹脂封止型半導体装置を樹脂封止する前の素子裏面側
から見た素子裏面のみの斜視図、第１５図に本発明の第
３実施例に係るリードオンチップパッケージ構造の樹脂
封止型半導体装置を高温高温環境中に保存した後にリフ
ロー加熱を行った時の様子の断面図、第１６図、第１７
図、第１８図及び第１９図は本発明の第４実施例に係る
リードオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装
置の断面図、第２０図は本発明の第５実施例に係るり−
ドオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止する前の素子裏面側から見た素子裏面のみの斜
視図、第２１図は本発明の第６実施例に係るリードオン
チップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置で用いる
板の素子接合面側から見た斜視図、第２２図及び第２３
図は夫々本発明の第７実施例に係るリードオンチップパ
ッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の断面図、第２４
図及び第２５図は夫々本発明の第ε３実施例に係るり・
〜ドオンチップパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置
の断面図、第２６図は従来のリードオンチップパッゲー
・ジ構造の樹脂封止型半導体装置の斜視図、第２７図は
従来のリートオンデツプパッケージ構造の樹脂封止型半
導体装置の断面図、第２８図は従来のり一部オンチップ
パッケージ構造の樹脂封止型半導体装置を高温高湿環境
中に保存した後にリフロー加熱を行った時の様ｆの断面
図、第２９図はりフロークラックが発生した従来のリー
ドオンチップパッケージ構造の４ｍ脂封止型半導体装置
の断面図である。 １・・封止樹脂、２・・・リードフレーム、２３・・未
了、１１・絶縁フィルム５５・・ワイヤ、（３・・電極
、７・・・すきま、８・蒸気、９・・引張応力、１０・
・リフロークラック、］１・・・突起物、１２・・・突
起物の接着層、１３・・板、］４・・板の孔、１５・・
・板の接Ｒ層、１Ｇ・・・板の溝、１．７・・接着板、
】８・・・接着板の接看漕、１９・・・層状部材。 埠 第 凹 葛 国 第 猶 口 第 菌 鳩 国 竿 目 第 １′ｙ 図 第 Σ 塙 囚 躬 閉 宅 因 鴇 区 弔 区 碌 目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と、リードフレームの集合体と、素子の
電極とリードフレームを電気的に接続する部材を備え、
リードフレームが半導体素子の回路形成面の上部まで引
き伸ばされ、これらの部材を樹脂で封止することにより
パッケージを形成した樹脂封止型半導体装置において、
半導体素子の回路形成面の反対側の面に、少なくとも一
つの突起物を接合したことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 ２、半導体素子と、リードフレームの集合体と、素子の
電極とリードフレームを電気的に接続する部材を備え、
リードフレームが半導体素子の回路形成面の上部まで引
き伸ばされ、これらの部材を樹脂で封止することにより
パッケージを形成した樹脂封止型半導体装置において、
半導体素子の回路形成面の反対側の面に、少なくとも一
つの貫通孔があけられた板状の部材を接合したことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 ３、導体素子と、リードフレームの集合体と、素子の電
極とリードフレームを電気的に接続する部材を備え、リ
ードフレームが半導体素子の回路形成面の上部まで引き
伸ばされ、これらの部材を樹脂で封止することによりパ
ッケージを形成した樹脂封止型半導体装置において、半
導体素子の回路形成面の反対側の面に、封止樹脂との接
着強度が高い板状の部材を接合したことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。 ４、半導体素子と、リードフレームの集合体と、素子の
電極とリードフレームを電気的に接続する部材を備え、
リードフレームが半導体素子の回路形成面の上部まで引
き伸ばされ、これらの部材を樹脂で封止することにより
パッケージを形成した樹脂封止型半導体装置において、
半導体素子の回路形成面の反対側の面に、封止樹脂との
接着強度が高く且つ半導体素子の回路形成面の反対側の
面との接着強度が高い層状の部材を設けたことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 ５、特許請求の範囲第１項の樹脂封止型半導体装置にお
いて、突起物の素子面に垂直な断面の少なくとも一箇所
の素子接合面に平行な方向の寸法が、素子接合面の反対
面における寸法より小さくなるような断面が存在するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ６、特許請求の範囲第１項の樹脂封止型半導体装置にお
いて、突起物の素子面に垂直な断面の少なくとも一箇所
の素子接合面に平行な方向の寸法が、素子接合面におけ
る寸法より大きくなるような断面が存在することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 ７、特許請求の範囲第１項の樹脂封止型半導体装置にお
いて、突起物が半導体素子の回路形成面に対して全体的
に傾斜していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。 ８、特許請求の範囲第２項の樹脂封止型半導体装置にお
いて、板状の部材にあけられた貫通孔が素子面に対して
斜めの部分を有することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。 ９、特許請求の範囲第２項の樹脂封止型半導体装置にお
いて、板状の部材にあけられた貫通孔が素子面に対して
全体に傾斜していることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。 １０、特許請求の範囲第２項の樹脂封止型半導体装置に
おいて、板状の部材にあけられた貫通孔が板状の部材の
板厚内にてくびれ部を形成していることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。 １１、特許請求の範囲第２項の樹脂封止型半導体装置に
おいて、板状の部材にあけられた貫通孔が、素子接合面
の反対面における面積よりも大きい面積の部分を貫通孔
の内部に有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。 １２、特許請求の範囲第２項の樹脂封止型半導体装置に
おいて、板状の部材にあけられた貫通孔の素子接合面に
おける周囲に溝を設けたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6373289A JPH02244746A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6373289A JPH02244746A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244746A true JPH02244746A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13237872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6373289A Pending JPH02244746A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02244746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580987A1 (en) * | 1992-07-27 | 1994-02-02 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a flag with opening |
| WO2000048247A1 (en) * | 1999-02-15 | 2000-08-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacture thereof, electronic device |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP6373289A patent/JPH02244746A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580987A1 (en) * | 1992-07-27 | 1994-02-02 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a flag with opening |
| WO2000048247A1 (en) * | 1999-02-15 | 2000-08-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacture thereof, electronic device |
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