JP6661890B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6661890B2
JP6661890B2 JP2015084046A JP2015084046A JP6661890B2 JP 6661890 B2 JP6661890 B2 JP 6661890B2 JP 2015084046 A JP2015084046 A JP 2015084046A JP 2015084046 A JP2015084046 A JP 2015084046A JP 6661890 B2 JP6661890 B2 JP 6661890B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
base
main surface
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015084046A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016001724A5 (ja
JP2016001724A (ja
Inventor
拓也 中林
拓也 中林
彰良 堀
彰良 堀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2015084046A priority Critical patent/JP6661890B2/ja
Priority to TW108112519A priority patent/TWI783143B/zh
Priority to TW104114798A priority patent/TWI661580B/zh
Priority to KR1020150068649A priority patent/KR102110554B1/ko
Priority to US14/716,670 priority patent/US9406852B2/en
Priority to EP18196044.4A priority patent/EP3454385B1/en
Priority to RU2015119029A priority patent/RU2677627C2/ru
Priority to RU2018145015A priority patent/RU2690165C2/ru
Priority to EP21166171.5A priority patent/EP3863073A1/en
Priority to EP15168538.5A priority patent/EP2947704B1/en
Priority to EP19190649.4A priority patent/EP3591721B1/en
Priority to CN201510262411.2A priority patent/CN105098029B/zh
Priority to CN202010715349.9A priority patent/CN111883630A/zh
Publication of JP2016001724A publication Critical patent/JP2016001724A/ja
Priority to US15/219,627 priority patent/US9680071B2/en
Priority to US15/588,863 priority patent/US9793459B2/en
Priority to US15/703,591 priority patent/US9978923B2/en
Publication of JP2016001724A5 publication Critical patent/JP2016001724A5/ja
Priority to US15/975,121 priority patent/US10193045B2/en
Priority to US16/217,365 priority patent/US10333043B2/en
Priority to US16/405,651 priority patent/US10559735B2/en
Priority to RU2019114690A priority patent/RU2763308C2/ru
Priority to US16/729,319 priority patent/US10734563B2/en
Priority to JP2020022238A priority patent/JP6928283B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6661890B2 publication Critical patent/JP6661890B2/ja
Priority to KR1020200054690A priority patent/KR102254989B1/ko
Priority to US16/945,538 priority patent/US10892393B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Description

本開示は、発光装置に関する。
従来から、電子機器において種々の光源が使用されている。例えば、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、小型で極薄型の発光装置が使用されている。
このような発光装置は、例えば、パッケージを構成する集合基板に、発光素子がフリップチップ実装され、蛍光体層等で被覆された後、発光素子毎に分割される。これにより、略チップスケールの小型の発光装置として製造される（例えば、特許文献１）。
特開２００８−５２１２１０号公報
しかし、このような発光装置は、小型であるがゆえに、放熱性が低いという問題があった。また、このような小型の発光装置を側面実装型の発光装置として用いる場合、半田による実装基板への二次実装の際の安定性または実装位置の精度（以下、実装性という）が悪いという問題があった。
そこで、放熱性が高く、実装が容易な小型の側面発光型の発光装置を提供する。
本発明の実施形態の発光装置は、発光面となる第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面と、少なくとも前記第２主面と隣接する実装面とを備え、絶縁性の母材と、一対の接続端子とを有する基体と、前記基体の第１主面に実装された発光素子と、前記発光素子を封止し、前記実装面において前記基体と略面一に形成された封止部材を備え、前記基体の第２主面において、前記一対の接続端子と、前記一対の接続端子の間に設けられた放熱端子を有する。
本発明の実施形態の発光装置によれば、放熱性が高く、実装が容易な小型の発光装置とすることができる。
本発明の発光装置の一実施形態を示し、図１Ａは概略正面図、図１Ｂは概略背面図、図１Ｃは概略底面図、図１Ｄは概略側面図である。 図１の発光装置の背面の概略部分拡大図である。 本発明の発光装置の一実施形態を示し、図３Ａは概略正面図、図３Ｂは概略背面図、図３Ｃは概略底面図、図３Ｄは図３ＡのＡ−Ａ’線における概略断面図である。 図３の発光装置の背面の概略部分拡大図である。 本発明の発光装置の一実施形態を示し、図５Ａは概略背面図、図５Ｂは図５ＡのＢ−Ｂ’線における概略部分断面図である。 本発明の発光装置の一実施形態を示す概略背面図である。 本発明の発光装置の一実施形態を示し、図７Ａは概略正面図、図７Ｂは概略背面図、図７Ｃは概略底面図、図７Ｄは概略上面図である。 Ａ〜Ｅは、本発明の発光装置の背面の放熱端子の変形例を示す概略背面図である。 本発明の発光装置の変形例を示す概略上面図である。 本発明の発光装置の別の変形例を示す概略上面図である。 本発明の発光装置の別の変形例を示す概略断面図である。 本発明の発光装置の別の変形例を示す概略断面図である。 本発明の発光装置の別の変形例を示す概略断面図である。 図１３Ａの部分拡大断面図である。 本発明の発光装置の別の変形例を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態の発光装置を実装基板に実装した状態を示す概略斜視図である。 本発明の一実施形態の発光装置を実装基板に実装した状態を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態の発光装置を実装する際の実装基板と発光装置の例を示す概略斜視図である。
以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。また、一実施形態、実施例において説明する内容は、他の実施形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差する面を側面と記載する。側面のうち、二次実装の際に実装基板と対向する面を実装面と呼ぶことがある。また、発光装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第１主面と、第１主面の反対側の面を第２主面と、第１主面及び第２主面と実装面とに隣接又は交差する面（つまり、発光装置の側面に対応する面）を端面と記載することがある。
さらに、実装面と隣接する２つの主面および側面の構成を説明するとき、実装面からの距離を高さということがある。また、実装面に近い側を下方、実装面と対向する面に近い側を上方、実装面に水平な方向の位置関係を側方ということがある。
各部材の説明において、その部材の主たる面の形状を平面形状ということがある。
本実施形態の発光装置は、側面発光型（サイドビュータイプと称される）の発光装置である。発光装置は、主として、基体、発光素子及び封止部材を備える。
基体は、発光面となり、発光素子が実装される第１主面と、第１主面と対向する第２主面と、少なくとも第２主面と隣接する実装面とを備える。基体は、絶縁性の母材と、発光素子と外部とを電気的に接続する一対の接続端子とを有する。
封止部材は、基体の第１主面に設けられ、発光素子を封止し、前記実装面において前記基体と略面一に形成されている。
そして、基体の第２主面において、放熱端子が、一対の接続端子の間に設けられている。
（基体）
基体は、少なくとも、絶縁性の母材と、絶縁性の母材上に設けられた導電性の接続端子と放熱端子を備える。
基体の形状は、母材の外形と略同様となる。例えば、少なくとも第１主面および第２主面が長手方向と、長手方向に交差又は直交する短手方向を備える、略直方体形状であることが好ましい。また、第２主面の長手の辺を隣接する面が実装面であることが好ましい。
１つの発光装置に発光素子が１つ搭載される場合は、基体の長手方向は、発光素子の一辺の１．５〜５倍程度の長さを有することが好ましく、短手方向は発光素子の一辺の１．０〜２．０倍程度の長さを有することが好ましい。１つの発光装置に発光素子が複数搭載される場合は、その数によって適宜調整することができる。例えば、長手方向に２個又は３個搭載される場合は、長手方向が発光素子の一辺の２．４〜６．０倍程度が好ましい。
（母材）
母材の材料としては、絶縁性で、半田との濡れ性が接続端子よりも低い材料を用いることができる。例えば、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、これらの複合材料（例えば、複合樹脂）、あるいはこれら材料と導電材料（例えば、金属、カーボン等）との複合材料等が挙げられる。セラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられる。複合樹脂としては、ガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
樹脂としては、当該分野で使用されているものであればどのようなものを利用してもよい。具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。ナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂及びそれらの組成物、市販品（例えば、三菱瓦斯化学社製：Ｈｌ８３２ＮＳ、ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙｐｅＬＣＡ、日立化成社製：ＭＣＬ−Ｅ−７００Ｇ、ＭＣＬ−Ｅ−７０５Ｇ等）、液晶ポリマー及びそれらの組成物を利用してもよい。これら樹脂には、当該分野で公知の添加剤、モノマー、オリゴマー、プレポリマー等が含有されていてもよい。なかでも、ＢＴ樹脂又はその組成物が好ましい。
また、線膨張係数の比較的低いガラスエポキシ、ガラスシリコーン、ガラス変性シリコーンのプリプレグ基板を用いることが好ましい。例えば、半導体用ＢＧＡ実装の分野で使用されるガラスクロス及びフィラーを高充填して、線膨張係数を１〜１５ｐｐｍ前後に調整した低線膨張ガラスエポキシ基板を好適に用いることができる。そのような母材に導電性の配線パターンを形成したものを基体として用いることができる。
また、このようなプリプレグ基板の材料として放熱性の高いガラスクロス又はフィラーを用いることにより、発光装置の放熱性を改善することができる。さらに、多層基板として内部に部品を内蔵して、保護素子等の機能をもたせることもできる。
母材は、線膨張係数が、発光素子の線膨張係数との差が１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であるものが好ましい。これによって、発光素子を基体に実装する場合に、発光素子と基体との線膨張係数の差異に起因する、発光素子の基体（接続端子）からの剥がれ又は発光素子への不要な応力負荷を低減することができる。その結果、発光素子と基体との間の電気的な接続をとるためのワイヤ等の部材を別途用いることなく、フリップチップ実装によって、発光素子の電極を基体の接続端子に直接接続することができ、より小型／薄膜の発光装置を提供することが可能となる。
本発明では、線膨張係数は、ＴＭＡ法で測定した値を意味する。α１及びα２のいずれかがこの値を満たしていればよいが、両方で満たすことがより好ましい。
母材を構成する樹脂は、例えば、ガラス転移温度が、２５０℃程度以上であることが好ましい。これによって、発光素子の実装の際の温度変化に影響されず、発光素子の接続不良などの不具合を回避することができる。その結果、発光装置の製造歩留まりを向上させることができる。ガラス転移温度は、例えば、試料の温度をゆっくりと上昇又は下降させながら力学的物性の変化、吸熱又は発熱を測定する方法（ＴＭＡ、ＤＳＣ、ＤＴＡなど）、動的粘弾性測定試料に加える周期的な力の周波数を変えながらその応答を測定する方法のいずれでもよい。
１つの発光装置の母材の形状、大きさ、厚み等は特に限定されるものではなく、適宜設定することができる。
母材の厚みは、用いる材料、載置する発光素子の種類及び構造等にもよるが、例えば、４７０μｍ程度以下が好ましい。強度等を考慮すると、２０μｍ程度以上が好ましい。母材の曲げ強度は、基体全体の強度を確保するために、上述した基体の強度と同等が好ましい。
母材の第１主面側の面の形状は、例えば、楕円形、四角形等の多角形又はこれらに近い形状が挙げられるが、なかでも長方形が好ましい。発光素子が実装される面の大きさは、後述する発光素子よりも大きいことが好ましい。
（接続端子）
接続端子は、発光素子と発光装置の外部とを電気的に接続するとともに、発光装置を実装基板等に実装する際、半田が接合する部材である。このため、一つの発光装置に、少なくとも正負の一対が設けられる。
接続端子の縁部の少なくとも一部は、基体の実装面の一部に一致するように形成することが好ましい。これにより、発光装置を実装基板に実装する際に、実装基板と接続端子とを接触（又は限りなく近接）させることができる。その結果、発光装置の実装性を向上させることができる。
接続端子は、例えば、発光素子の電極と接続される素子接続部と、半田によって発光装置の外部と接続される外部接続部とを有する。
素子接続部は、第１主面上に設けられる。一対の接続端子の素子接続部は、互いに対向して設けられることが好ましい。これにより、発光素子を素子接続部上にフリップチップ実装することができる。また、一対の素子接続部は、それぞれ異なる基体の端面の方向に延伸して、それぞれの外部接続部と接続していることが好ましい。これにより、素子接続部が基体の短手方向に並んで設けられることがないため、第１主面の幅、つまり発光装置の高さを抑えることができる。
外部接続部は、母材上のどこに設けられてもよいが、基体の両端面に設けられていることが好ましい。また、基体の対向する第１主面および基体の第２主面上に設けられていることが好ましい。このように外部接続部を配置することで、発光装置を実装基板に実装する際のアライメント精度を高めることができ、発光装置の実装位置精度を向上させることができる。特に、両端面、第１主面および第２主面上に設けることで、端面が対向する方向（基体の長手方向）と、第１主面と第２主面が対向する方向（基体の厚み方向）の両方でアライメントを行うことができるため、発光装置の位置精度を向上させることができる。また、発光装置と半田が接合する面積を広くすることで、発光装置の実装強度を高めることができる。
一対の接続端子の外部接続部は、それぞれ、基体の第１主面または／および第２主面において、面の長手方向に対称となる形状で設けられることが好ましい。これにより、発光装置の実装性を高めることができる。また、一対の接続端子の外部接続部は互いに第１主面または／および第２主面において、離間距離が大きいことが好ましい。つまり、一対の接続端子の外部接続部はそれぞれ、基体の短手方向の辺に沿って設けられることが好ましい。
接続端子の外部接続部の基体の長手方向に対する幅は、例えば、数十〜数百μｍ程度とすることができる。
接続端子は、基体の第１主面上、端面上及び／又は第２主面上にわたって、必ずしも同じ幅（例えば、基体の短手方向の長さ）でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されていてもよい。あるいは、基体の第１主面及び／又は第２主面において、幅狭となるように、接続端子の一部が絶縁材料（例えば、母材等）により被覆されていてもよい。幅狭となる部位は、基体の少なくとも第１主面上に配置されることが好ましく、後述する封止部材の近傍において配置されることがより好ましい。
幅狭となる部位を配置することにより、発光装置を実装する場合に、接合部材等に含まれるフラックスなどが、接続端子の表面に沿って、後述する封止部材下、さらに発光素子下にまで浸入することを抑制することができる。また、素子接続部を、基体の長手方向に沿った端面から離間させることによって、発光装置の実装時に、上記と同様に、フラックスの浸入を抑制することができる。
接続端子の材料や積層構造は、導電性または／および放熱性に優れた金属、例えばＣｕ等であることが好ましい。また、複数の種類の金属を積層した積層構造であることが好ましい。また、半田で実装される前の最表面の層は、Ａｕであることが好ましい。これにより、接続端子の腐食や劣化、それに伴う半田での実装の不良を防止することができる。このような積層構造としては、具体的には、母材がセラミックスなどである場合には、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／ＮｉＣｏ／Ｐｄ／Ａｕなどの積層構造が挙げられる。母材がガラスエポキシなどである場合には、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／ＮｉＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどが挙げられる。
（放熱端子）
基体の第２主面には、一対の接続端子の間に配置された放熱端子を備える。放熱端子は、発光装置の外部に露出しており、発光装置の実装時に半田と接続される。
発光装置の実装の際には、半田は放熱端子の実装面に隣接する部位と接触し、そこから上方に向かってはい上がって半田フィレットを形成する。これにより、発光装置の第２主面であって一対の接続端子以外の部分に、実装基板への放熱経路を形成することができる。
放熱端子の高さは、発光装置の高さより低いことが好ましい。これにより、半田のはい上がりを抑制し、発光装置の実装性を高めることができる。特に、発光装置の高さの半分以下であることが好ましい。これにより、発光装置の実装性を維持しつつ、半田のフィレットを十分に形成することができ、固着力ないし放熱性を確保することができる。
放熱端子の幅は、発光装置の大きさ等によって、適宜選択できる。例えば、発光装置の長手方向の幅が３ｍｍ程度である場合、０．１〜１ｍｍ、０．３〜０．６ｍｍ程度、０．４ｍｍ程度であることが好ましい。
発光装置の実装時、半田フィレットの体積は、第１主面における半田フィレットと第２主面における半田フィレットの体積が略等しいか、１：１．５程度となるように設けられることが好ましい。つまり、第１主面の外部接続部に形成された半田フィレットの体積と、第２主面における外部接続部と放熱端子に形成された半田フィレットとを合計した体積が、略等しいか、１：１．５程度となるように設けられることが好ましい。これにより、第１主面と第２主面が対向する方向でのアライメント性を高めることができる。このようなフィレットの大きさの調整は、外部接続部および放熱端子の幅や高さを調整する、実装基板側の実装電極および放熱パターンの形状を調整することで行うことができる。
放熱端子は、線対称の形状で、基体の第２主面の中央に設けられることが好ましい。
放熱端子は、一つの発光装置に複数設けられてもよい。その場合は、実装面に対して線対称に設けられることが好ましい。これにより、発光装置の放熱性を確保することができる。また、放熱端子の高さを低くしつつ、放熱端子の面積を大きくすることができ、発光装置の実装性と放熱性を高めることができる。
放熱端子は、基体の第１主面に設けられた端子と、ビアを介して接続されていることが好ましい。また、その端子は、発光素子と接合部材で接合されていることが好ましい。また、ビアは複数設けられることが好ましい。これにより、発光素子からの発生した熱を効果的に放熱端子から放熱することができる。ビアは、導電性または／および放熱性に優れた金属等の材料で構成されることが好ましい。
放熱端子が幅狭部を複数備えている場合、幅狭部の間、具体的には絶縁性の母材には、凹部が設けられることが好ましい。これにより、半田による発光装置の実装の際に、半田ペーストの加熱の際に発生するガスを凹部から放出することができ、発光装置の実装性を高めることができる。
放熱端子の平面形状は、生産性、実装性、アライメント性等の観点から種々選択できる。放熱端子の高さは、発光装置の高さ、例えば、基体の短手方向の幅の半分以下程度であることが好ましい。これにより、半田のはい上がりを適度に抑制することができ、発光装置の実装性を高めることができる。放熱端子は、後述するソルダーレジストによって、上述のような形状に成形されていてもよい。例えば、基体の上端まで連続して形成された金属部の一部をソルダーレジストで被覆することで、基体の高さの半分以下の高さを有する放熱端子としてもよい。
放熱端子の材料および積層構造としては、上述の接続端子の材料と同様のものを用いることができる。
放熱端子は、接続端子と同時に形成されてもよく、別に形成されてもよい。また、積層構造は、同じであっても異なっていてもよい。
接続端子および放熱端子は、その表面が略平坦であってもよいし、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい。つまり、凹凸を有していてもよい。
複数の発光素子が一つの発光装置に搭載される場合、発光素子からの発熱量が多くなり、発光装置の信頼性が悪化してしまうおそれがあるが、放熱端子を設けることで、発光装置の信頼性を高めることができる。
この場合、放熱端子は、第２主面において、複数の発光素子の間、つまり、第１主面において、発光素子の間である部分と対向する位置に設けることが好ましい。これにより、効果的に発光素子からの熱を放熱することができる。
基体の第１主面には、一対の接続端子の他に、第２の接続端子が設けられてもよい。また、第２の接続端子に発光素子が実装されてもよい。例えば、２つの発光素子を、それぞれ一対の接続端子の一方と、第２の接続端子とに電気的に接続することで、複数の発光素子を直列に接続することができる。
また、放熱端子は、この第２の接続端子と接続されることが好ましい。このような第２の接続端子を第１主面において露出させ、半田で接合することは、発光装置の小型化の観点からは困難である。特に、第２の接続端子が基体の長手方向に対向する一対の素子接続部の間に設けられ、基体の長手方向の両端に一対の外部接続部が設けられている場合は、困難である。しかし、このような第２の接続端子を、母材を貫通するビアを介して第２主面に設けられた放熱端子と接続することで、第２の接続端子や一対の接続端子の形状、位置に関わらず、第２主面側に放熱経路を形成することができ、発光装置の放熱性を高めることができる。
なお、放熱端子は、発光装置の外部と電気的に接続される電極の役割を兼ねて極性を有していてもよいし、極性を有していなくてもよい。
基体は、複数の発光装置を一度に製造するために、個々の発光装置用の基体の１単位が、複数単位、例えば行列状に連結された複合基体を用いてもよい。
発光装置が複合基体を用いて製造される場合、放熱端子は、実装面と隣接する部位に設けられた幅狭部と、幅狭部の上方に幅狭部より幅が広い幅広部を有することが好ましい。発光装置を複合基体から個片化する際、基体の端面の部材にバリが発生する恐れがあるが、幅狭部において切断することで、バリを少なくすることができる。
（ソルダーレジスト）
基体の第２主面には、半田との濡れ性が接続端子および放熱端子よりも低いソルダーレジストが備えられていてもよい。これにより、発光装置の実装時に半田が形成される位置を制御することができ、端子間のブリッジやショート等を防止することができる。ソルダーレジストは、通常、絶縁性を有する樹脂組成物により形成され、膜状に設けられる。
ソルダーレジストは、基体の表面に設けられ、例えば、一対の接続端子間、接続端子と放熱端子間、複数の放熱端子間や、母材の表面に設けられる。また、接続端子および／または放熱端子の一部を被覆してもよい。また、放熱端子の高さが基体の高さより低い場合には、ソルダーレジストは放熱端子の上方に設けられることが好ましい。これにより、半田を適所に形成することができる。
前述したように、ソルダーレジストは、放熱端子の形状を画定することができる。例えば、放熱端子よりも大きい面積で設けられた金属部の少なくとも一部をソルダーレジストに被覆することで、ソルダーレジストから露出した部分を放熱端子とすることができる。また同様に、放熱端子が複数設けられる場合、一つの金属部を複数の切欠きを有するソルダーレジストで被覆し、複数の切欠き部において露出した部分を、複数の放熱端子とすることができる。
また、ソルダーレジストは、放熱端子と一対の接続端子とを分離することができる。
基体は、それ自体がコンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード等の保護素子を構成するものであってもよい。また、これら素子の機能を果たす構造をその一部に、例えば、多層構造又は積層構造の形態で備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。
なお、基体は、板状の母材の表面に薄膜状の接続端子および放熱端子が設けられたものに限られず、成型樹脂と板状の金属のリードが一体に成形されたものであってもよい。つまり、接続端子または／および放熱端子は、その一部が成形樹脂中に埋め込まれて、発光装置の外部において成形樹脂から露出したものであってもよい。
（発光素子）
発光素子は、例えば、透光性の素子基板と、素子基板上に積層された半導体積層体と、半導体積層体の表面に形成された一対の電極とを含む。
半導体積層体は、例えば、第１半導体層（例えば、ｎ型半導体層）、発光層、第２半導体層（例えば、ｐ型半導体層）がこの順に積層されており、発光に寄与する積層体である。
半導体積層体は、同一面側（例えば、第２半導体層側の面、表面）に、第１半導体層に電気的に接続される第１電極（正又は負）と、第２半導体層に電気的に接続される第２電極（負又は正）との双方を有する。
第１半導体層、発光層及び第２半導体層の種類、材料等は特に限定されるものではなく、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
発光素子の形状は、特に限定されるものではなく、光取り出し面が長手方向と短手方向を有する四角形又はこれに近似する形状が好ましい。発光素子の大きさは、発光装置の大きさによって、その上限を適宜調整することができる。例えば、発光素子の一辺の長さが、１００μｍから２ｍｍ程度が挙げられる。発光装置がサイドビュータイプである場合には、長手方向と短手方向の辺の長さの比が２：１〜５０：１程度の矩形であることが好ましい。薄型化が求められる側面発光型の発光装置は高さを高くしにくいが、このように長手方向に長い発光素子を搭載することで、高出力の発光装置とすることができる。
（第１電極及び第２電極）
第１電極及び第２電極は、半導体積層体の同一面側（素子基板が存在する場合にはその反対側の面）に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素子の第１電極と第２電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。
第１電極及び第２電極は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等のように積層された積層膜が挙げられる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。
第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に近い側に、発光層から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら電極の一部として配置されることが好ましい。反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムを有する層が挙げられる。銀又は銀合金を用いる場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その表面（好ましくは、上面及び端面）を被覆する被覆層を形成することが好ましい。被覆層としては、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等を含有する単層又は積層層が挙げられる。
第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に電気的に接続されている限り、電極の全面が半導体層に接触していなくてもよいし、第１電極の一部が第１半導体層の上に及び／又は第２電極の一部が第２半導体層の上に位置していなくてもよい。
第１電極及び第２電極の形状は、半導体積層体の形状、基体の接続端子（より具体的には素子接続部）の形状等によって設定することができる。第１電極、第２電極及び素子接続部は、それぞれの平面形状が四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい。これにより、セルフアライメント効果を利用して、半導体積層体と基体との接合及び位置合わせを容易に行うことができる。この場合、少なくとも、基体と接続される半導体積層体の最表面において、第１電極及び第２電極の平面形状が略同じであることが好ましい。
発光素子がフリップチップ実装される場合、第１電極及び第２電極の上面には、それぞれ、基体の接続端子と接続される部分に突起部を形成してもよい。これにより、封止部材を発光素子と基体の間に充填しやすくなり、発光素子からの発光が基体へ透過することを低減できる。また、発光素子と基体とを強固に接合することができ、発光装置の信頼性を高めることができる。
発光素子の電極に設けられた突起部の上面形状と接続端子の発光素子の実装される部分の平面形状が、略同一であることが好ましい。これにより、セルフアライメント効果によって、発光素子の実装を容易にすることができる。
このような突起部は、突起部が形成された電極の上面から任意の高さで設けられ、例えば数μｍ〜１００μｍ程度の高さで設けられることが好ましい。
発光素子の厚みは、半導体成長用の基板、電極を含む厚みとして、８００μｍ以下、５００μｍ以下であることが好ましく、４００μｍ以下、３００μｍ以下、２００μｍ以下、また１５０μｍ程度以上であることがより好ましい。発光素子の大きさは、１辺が数ｍｍ程度以下が好ましく、例えば、千数百μｍ以下がより好ましい。
発光素子は、基体上に搭載される。特に、発光素子は、基体上に対向して設けられた一対の接続端子にフリップチップ実装されることが好ましい。具体的には、基体の接続端子に発光素子の基板と反対側に設けられた第１電極及び第２電極を接合する。
接合は、当該分野で公知の材料の接合部材を用いて行うことができる。例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田（具体的には、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等）、共晶合金（ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等）銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることにより、上述した接続端子に高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができる。よって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。
例えば、接合部材は、２〜５０μｍ程度の厚みが好ましい。
接合方法は、例えば、基体の接続端子上に接合部材と溶融助剤（フラックス）を配置し、その上に発光素子を配置した後、３００℃程度に加熱してリフローさせる方法などが挙げられる。
基体上に搭載する発光素子は１つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、その配置は不規則でもよく、例えば、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。複数の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよく、また独立に駆動可能なように回路が形成されてもよい。
（封止部材）
封止部材は、基体の第１主面に設けられ、発光素子を封止する。前記実装面において前記基体と略面一に形成されている。
封止部材の材料は特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。
封止部材に好適な樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。発光素子からの光や熱等で劣化しにくい熱硬化性樹脂が好ましい。
封止部材は、透光性であってもよいが、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上である遮光性材料、７０％、８０％又は９０％以上の遮光性材料であるものがより好ましい。これにより、発光素子から発せられる光を、発光素子の上面から有効に取り出すことができる。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）などの光反射材、光散乱材又は着色材等を含有させることが好ましい。
封止部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラー、放熱性の高い材料（例えば、窒化アルミニウム等）を含有させてもよい。これにより、封止部材または／および発光装置の強度や硬度を高めることができる。
これらの添加物は、例えば、封止部材の全重量に対して、１０〜９５重量％程度含有させることが好ましい。
光反射材を含有させることにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、基体よりも光反射率の高い材料を用いる（例えば、基体に窒化アルミニウムを用いた場合に、封止部材として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる）ことにより、ハンドリング性を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率を高めることができる。封止部材に放熱性の高い材料を含有させることによって、発光装置の放熱性を向上させることができる。
封止部材の外形は、発光素子を封止し、発光装置の実装面において基体と略面一に形成されている限り、特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台、一部がレンズ状等であってもよい。なかでも、基体の長手方向に細長い直方体形状を有していることが好ましい。
封止部材は、発光装置の実装面となる長手方向に沿った端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った端面の一方と同一面を形成しているが、実装面と対向する側の端面においても、基体と同一面を形成することがより好ましい。これにより、封止部材で発光装置の外面を形成することができ、発光装置の外形を大きくすることなく、光取り出し面の面積を大きくすることができ、光取り出し効率を高めることができる。基体の第１主面に接続端子の外部接続部が設けられる場合には、封止部材は基体の第１主面の短手方向に沿う縁部よりも、内側に配置されていることが好ましいが、基体の第１主面の略全面を被覆していてもよい。つまり、光取り出し面から見たときに、封止部材の外形と基体の外形が略同一であってもよい。これにより、発光装置を小型にすることができる。
ここで同一面とは、厳密な意味のみならず、封止部材が若干のアール形状を有する場合には、そのアール形状の何れかが基体の端面と一致していればよい。
封止部材の大きさは、光取り出し面側から見た場合、発光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。特に、その最外形の長手方向の幅は、発光素子の一辺の１．０〜４．０倍程度の一辺の長さを有することが好ましい。具体的には、１００〜１０００μｍ程度が好ましく、２００〜８００μｍ程度がより好ましい。
封止部材の厚み（光取り出し面側から見た場合の発光素子の端面から封止部材の最外形までの幅又は発光素子の側面における封止部材の最小幅ともいう）は、例えば、０〜１００μｍ程度が挙げられ、５〜８０μｍ程度、１０〜５０μｍ程度が好ましい。
封止部材は、発光素子の１つの側面の一部又は全部に接触して、発光素子の側面を被覆するように配置されていることが好ましく、発光素子の全周囲を取り囲むように、発光素子に接触して配置されていることが好ましい。
封止部材は、実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高めることができる。発光素子と基体との間に配置される封止部材は、発光素子の上面及び側面を被覆する材料と異なる材料であってもよい。これによって、発光素子の上面及び側面に配置される封止部材と、発光素子と基体との間に配置される部材との間で、それぞれ適切な機能を付与することができる。
例えば、発光素子の側面に配置される封止部材は反射率が高い材料、発光素子と基体との間に配置される部材は両者の密着性を強固とする材料とすることができる。
封止部材で用いる樹脂は、例えば、１００ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数を有していることが好ましく、１００℃以下のガラス転移温度が好ましい。これによって、封止部材と基体とが剥がれるおそれを低減することができる。
封止部材は、どのような方法で形成してもよい。封止部材が樹脂である場合には、例えば、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等により形成することができる。成形機を用いる場合は離型フィルムを用いてもよい。封止部材が熱硬化性樹脂である場合には、トランスファーモールドが好ましい。
（透光性部材）
発光装置の光取り出し面には、発光素子の保護等の目的で、透光性部材が設けられていてもよい。
発光素子が遮光性の封止部材で被覆されている場合には、透光性部材は、封止部材の上面を被覆していることが好ましい。透光性部材は、その端面が封止部材で被覆されていてもよいが、被覆されていなくてもよい。
透光性部材は、発光層から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、封止部材と同様の部材であってもよいが、異なる部材であってもよい。例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。
透光性部材には、発光素子からの光に励起される蛍光体を含有するものが好ましい。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば、白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。
蛍光体は、例えば、中心粒径が３０μｍ以下であるものが好ましい。中心粒径は、市販の粒子測定器又は粒度分布測定器等によって測定及び算出することができる。また、蛍光体は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。
なお、蛍光体は、透光性部材中に含有されることに限られず、例えば、発光装置から離れた位置に別の部材として設けられてもよい。
透光性部材は、充填材（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、１．８以上が挙げられる。
蛍光体及び／又は充填材は、例えば、透光性部材の全重量に対して１０〜８０重量％程度が好ましい。
透光性部材を形成する方法は、例えば、透光性部材をシート状に成形して、ホットメルト方式で又は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法で蛍光体を付着させた後で透光性樹脂を含浸させる方法、ポッティング、トランスファー成形又は圧縮成形、キャスティングケースによる成形、スプレー法、静電塗布法、印刷法等が挙げられる。
なかでも、スプレー法、特に、パルス状、すなわち間欠的にスプレーを噴射するパルススプレー方式が好ましい。これにより、蛍光体の分布の偏りを抑制することができ、均一に波長変換した光を出射されることができ、発光素子の色むら等の発生を回避することができる。
透光性部材の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、１〜３００μｍ程度が挙げられ、１〜１００μｍ程度が好ましく、５〜１００μｍ程度、２〜６０μｍ程度、５〜４０μｍ程度がより好ましい。
透光性部材の上面は平坦であってもよいが、微細な凹凸を有する形状や、レンズ形状等であってもよい。
発光装置は、複数の発光装置を複合基板にて一括して製造し、最終的に個々の発光装置に分離して製造する方法にも適用することができる。つまり、発光素子を複数準備し、これら複数の発光素子を複数の基体が連結している複合基体の複数の接続端子にそれぞれ接合し、複数の発光素子を封止部材や透光性部材で一体的に被覆、その後、封止部材及び基体を分割することによって、複数の発光装置を製造することができる。
この封止部材及び基体の分割は、例えば、ブレード、レーザを用いた分割／加工等、当該分野で公知の方法を利用することができる。
上述のような発光装置は、半田によって実装基板に実装され、電気的に接続される。例えば、図１５〜図１７に示すように、絶縁性基板５１ａとその表面に正負一対の実装側電極５２と、放熱用パターン５３とを備える実装基板５１の上に、半田５５を用いて、発光装置１０が接合、実装される。半田５５は、第１主面、第２主面、およびその間の端面の４つの面に設けられた一対の外部接続部３ａと、放熱端子４とに、それぞれの面で半田フィレットを形成して接合している。
発光装置の外部接続部に半田が接合して形成される半田フィレットの大きさは、例えば、外部接続部の高さが０．３ｍｍ〜０．４ｍｍである場合、５０μｍ〜３５０μｍ程度、より好ましくは、１００〜２５０μｍ程度、発光装置から離れる方向に広がって設けられることが好ましい。高さは１５０μｍ〜４００μｍ程度であることが好ましい。
第１主面に設けられた外部接続部に接合された半田フィレットは、端面に設けられた外部接続部に形成される半田フィレットよりも、発光装置から離れる方向の距離が小さいことが好ましい。第１主面は発光装置の発光面側にあるため、第１主面に設けられる半田フィレットを小さくすることで、発光装置と発光装置の光が入光される部材（例えば導光板）との距離を短くすることができる。そして、端面の半田フィレットの大きさを第１主面の半田フィレットよりも大きくすることで、発光装置の実装強度を高めることができる。
図１２の断面図に示すように、放熱端子４は放熱用パターン５３に半田５５によって接合される。放熱端子４は、発光装置５０の高さの約半分程度の高さを有する。これにより、発光装置の実装性を高めることができる。ソルダーレジスト８は、放熱端子４の上方に設けられ、放熱端子４と連続する被覆部４ｃを被覆している。ソルダーレジスト８は半田５５に濡れないため、ソルダーレジスト８に被覆された被覆部４ｃは半田５５に接続されていない。
なお、放熱端子４は、外部接続部３ａが接合されるものと同じ実装側電極５２に接合されてもよい。
図１３に発光装置と実装基板５１の一例を示す。実装基板５１の構造は特に限定されないが、放熱端子４の幅狭部の間に凹部が設けられている場合には、放熱端子が実装される電極もしくはパターンは、実装時に凹部の直下となる位置に、切欠き部５３ａを有することが好ましい。このような切欠き部を設けることで、半田実装の際に発生するガスを切欠き部から効果的に放出することができる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。
（実施形態１）
本実施形態の発光装置１０は、図１Ａ〜図１Ｄ及び図２に示すように、正負一対の接続端子３と接続端子３を表面に備える絶縁性の母材２とを有する基体１と、基体１の第１主面の接続端子３に実装された２つの発光素子５と、基体の第１主面上に設けられ、２つの発光素子５の側面を被覆する光反射材を含有する遮光性の封止部材７と、基体１の第２主面の母材２上に設けられた放熱端子４と、２つの発光素子５と封止部材７の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材９を備える。
２つの発光素子５は、基体の第１主面において、それぞれの発光素子の長手方向に並んで、接続端子３にフリップチップ実装されている。発光素子の外形は、図１Ａにおいて破線で示す。
図１Ｂに示すように、放熱端子４は、２つの発光素子５の間に、基体１の長手方向の中央に線対称の形状で設けられている。また、基体１の第２主面において、一つの接続端子３と放熱端子４との間に、ソルダーレジスト８を有している。ソルダーレジスト８は、放熱端子となる金属部の一部である被覆部４ｃを被覆し、ソルダーレジスト８から露出した部分が、放熱端子４となっている。なお、図１Ｂおよび図２においては、被覆部４ｃの外形は破線で示す。
基体１は、第１主面および第２主面の長手方向の幅が３．５ｍｍ、短手方向の幅（高さ）が０．４ｍｍ、厚さが０．２ｍｍの略直方体形状である。
接続端子３は、母材２の第１主面から側面を経由して母材２の第２主面、つまり基体の第２主面上に設けられている。外部接続部３ａは、基体１の第１主面および第２主面において、母材２の短手方向の辺と接し、かつ母材２の高さ方向全体にわたって、幅０．１７５ｍｍの帯状に設けられている。また、基体１の側面においては、母材２の全面を被覆するよう設けられている。外部接続部３ａは、基体１の第１主面と第２主面において対向する位置に略同じ形状で設けられている。
放熱端子４は、一対の接続端子の間であって、基体１の第２主面の長手方向の中央部に設けられている。放熱端子は、発光装置の高さよりも低い高さで、つまり母材の実装面と対向する面と離間して設けられている。幅狭部４ａは、発光装置１０の実装面と隣接する部位に、より詳細には、実装面にその端部が一致するよう設けられている。放熱端子４の幅狭部４ａは、基体の長手方向の幅が０．２ｍｍ、高さが０．０３ｍｍである。幅狭部４ａは、その上方で幅広部４ｂと連結している。幅広部４ｂは、基体１の長手方向の幅が０．４ｍｍ、高さが０．１８ｍｍの、上方に向かって幅が狭くなる略半円形である。幅狭部４ａと幅広部４ｂは、幅狭部４ａの、幅広部４ｂに近い部分において幅が広がるよう、なだらかに接続されている。放熱端子４は、全体として基体１の長手方向の幅が０．４ｍｍ、高さ０．２ｍｍである。
ソルダーレジスト８は、接続端子３から基体１の長手方向に０．１３ｍｍ離間し、基体１の長手方向の幅が１．９５ｍｍとなるよう設けられている。そして、放熱端子４の周囲、より詳細には、側方と上方を囲うように設けられている。ソルダーレジスト８は、放熱端子４を露出させるように、放熱端子４の幅広部４ｂの上方の被覆部４ｃを被覆することで、放熱端子４（より詳細には幅広部４ｂ）の形状を画定している。
基体１の第２主面において、幅狭部４ａの両側方であって幅広部４ｂの下方の部分と、ソルダーレジスト８と接続端子３の間の部分には、絶縁性の母材２が露出している。
封止部材７は、その外形が、幅が３．０ｍｍ、高さ０．４ｍｍ、厚み０．２５ｍｍの略直方体形状である。
（実施形態２）
本実施形態の発光装置２０は、図３Ａ〜図３Ｄ及び図４に示すように、正負一対の接続端子３と接続端子３を表面に備える絶縁性の母材２とを有する基体１と、基体１の第１主面の接続端子３に実装された２つの発光素子５と、基体１の第１主面上に設けられ、２つの発光素子５の側面を被覆する光反射材を含有する遮光性の封止部材７と、基体１の第２主面の母材２上に設けられた放熱端子４と、２つの発光素子５と封止部材７の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材９を備える。
図３Ａ、図３Ｂおよび図４に示すように、２つの発光素子５（図３Ａにおいて外形を破線で示す）が、基体１の第１主面側一対の接続端子の素子接続部３ｂのいずれか一方および第２の接続端子３と接合されている。第２の接続端子３ｃは、２つの発光素子５の間であって、互いに対向して設けられた一対の接続端子の素子接続部３ｂの間に設けられている。第２の接続端子３は、母材２を貫通するビア３ｄを介して基体１の第２主面側に設けられた放熱端子４と連続して設けられている。
放熱端子４は、２つの幅狭部４ａａ、４ａｂと、それらと接続される１つの幅広部４ｂを有する。２つの幅狭部４ａａ、４ａｂは、基体１の長手方向の幅が、実装面と隣接する部分において０．１ｍｍ、幅広部と接合する部分において０．２５ｍｍであり、互いに０．２ｍｍの間隔で離間している。２つの幅狭部４ａａ、４ａｂの間には、母材２が略半円形状に露出している。幅広部４ｂは、基体１の長手方向の幅が０．５ｍｍ、高さが０．２ｍｍの略矩形形状である。幅広部４ｂには第２の接続端子３ｃと連続するビア３ｄを２つ有する。ビア３ｄの外形は図３Ｂにおいて破線で示されている。
本実施形態においては、膜状のソルダーレジスト８は、放熱端子４から離間しており、放熱端子４を被覆していない。ソルダーレジスト８は、母材２上に設けられ、一対の接続端子３それぞれと放熱端子４との間に２つ設けられている。
その他、実施形態１と同様の形態を有する。
（実施形態３）
本実施形態の発光装置３０は、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、放熱端子４の２つの幅狭部４ａａ、４ａｂの間の母材２に、凹部２１が設けられている。凹部２１は、基体１の実装面側と第２主面側に開口部を有する。凹部２１内には母材２の材料である絶縁部材が露出している。その他、第２実施形態と同様の形態を有する。
（実施形態４）
本実施形態の発光装置４０は、図６に示すように、それぞれ幅狭部４ａと幅広部４ｂを有する３つの放熱端子４１、４２、４３が、基体１の第２主面に基体の長手方向に並んで、基体１の長手方向および実装面の面に対して線対称に設けられている。３つのうち中央の放熱端子４２は、基体１の長手方向の中央部に設けられている。ソルダーレジスト８は、金属部のうちその外形が破線で示される被覆部４ｃを被覆しており、３つの放熱端子４１、４２、４３を露出させている。このように複数の放熱端子を設けることで、放熱端子４の高さを高くすることなく、発光装置の放熱性を確保することができる。
その他、第２実施形態と同様の形態を有する。
（実施形態５）
本実施形態の発光装置５０を図７Ａ〜７Ｄに示す。発光装置５０は、１つの発光素子５を備える。基体１の長手方向の長さは発光素子５の長手方向の長さの１．６倍程度に設定されている。基体１の背面において、該一対の接続端子３と放熱端子４の間に、発光装置５０の上面から底面にわたるソルダーレジスト８が設けられている。一対の接続端子３は、ソルダーレジスト８から露出された部分において、それぞれ幅狭となる領域を有する。この幅狭となる領域の発光装置の上面と底面隣接した部分において、母材２が略矩形の形状に露出している。放熱端子４は、一対の接続端子３のいずれかと一体の金属部がソルダーレジスト８によって被覆されることで形状が画定されている。それ以外は、実施形態１の発光装置１０と実質的に同様の形態を有する。
この発光装置５０においても、実施形態１から４の発光装置と同様の効果を有する。
（実施形態６）
本実施形態の発光装置６０Ａ〜６０Ｅは、図８Ａ〜８Ｅに示すように、実施形態５の発光装置５０と放熱部材４の形状が異なる以外は、実質的に同様の形態を有する。
図８Ａに示す発光装置６０Ａの放熱部材４は、幅広部の幅が基体１の幅の０．３倍程度に設けられている。
図８Ｂに示す発光装置６０Ｂの放熱部材４は、幅狭部４ａの幅が幅広部４ｂの幅の０．１５倍程度に設けられている。
図８Ｃに示す発光装置６０Ｃの放熱部材４は、幅狭部４ａの幅が幅広部４ｂの幅の０．７倍程度に設けられている。
図８Ｄに示す発光装置６０Ｄの放熱部材４は、幅広部４ｂが略半円形状に設けられている。
図８Ｅに示す発光装置６０Ｅの放熱部材４は、幅広部４ｂが略長方形状に設けられている。
（実施形態７）
本実施形態の発光装置７０は、図９に示すように、母材２の厚みを封止部材７の厚みと略同等程度とした以外、実施形態５の発光装置５０と実質的に同様の形態を有する。
（実施形態８）
本実施形態の発光装置８０は、図１０に示すように、母材２の厚みを封止部材７の厚みの２．７倍程度とした以外、実施形態５の発光装置５０と実質的に同様の形態を有する。
（実施形態９）
本実施形態の発光装置９０は、図１１に示すように、発光素子５を３つ載置し、各発光素子の間に２つの素子接続部３ｃを設けた。これらの２つの素子接続部３ｃは、ビア３ｄを介してそれぞれ放熱端子４ｂと接続されている。発光素子５を３つ設けるために、母材２２の長手方向の長さが発光素子５の長手方向の長さの４．５倍程度に設定されている。また、透光性部材１９の側面が封止部材７で被覆されている。それ以外は実施形態２の発光装置２０と実質的に同様の形態を有する。
（実施形態１０）
本実施形態の発光装置１００は、図１２に示すように、母材２を貫通するビア３ｄが、導電性物質が樹脂に含有された導電性樹脂を充填されて形成されていること以外、実施形態２の発光装置２０と実質的に同様の形態を有する。
（実施形態１１）
本実施形態の発光装置１１０は、図１３Ａ、１３Ｂに示すように、母材３２が発光素子５が搭載される側から第１層、第２層、第３層がこの順で積層されて構成されている。さらに、第１層を貫通するビア２３ａ、第２層を貫通するビア１３ｄ、第３層を貫通するビア２３ｂを備える。第１層及び第２層の間に設けられビア２３ａ及びビア１３ｄが接続される配線層２３ｃと、第２層及び第３層の間に設けられビア１３ｄ及びビア２３ｂが接続される配線層２３ｄとを備える。これらのビア２３ａ、１３ｄ、２３ｂ及び配線層２３ｃ、２３ｄによって、第２の接続端子３ｃと放熱端子４ｂが接続されている。その他は、実施形態２の発光装置２０と実質的に同様の形態を有する。
（実施形態１２）
本実施形態の発光装置１２０は、図１４に示すように、透光性部材１９の側面が封止部材７で被覆されている以外、実施形態２の発光装置２０と実質的に同様の形態を有する。
本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに用いることができる。
１０、２０、３０、４０、５０、６０Ａ〜６０Ｅ、７０、８０、９０、１００ 発光装置
１ 基体
２、２２、３２ 母材
２１ 凹部
３ 接続端子
３ａ 外部接続部
３ｂ 素子接続部
３ｃ 第２の接続端子
３ｄ、１３ｄ、２３ａ、２３ｂ ビア
４、４１、４２、４３ 放熱端子
４ａ、４ａａ、４ａｂ 幅狭部
４ｂ 幅広部
４ｃ 被覆部
５ 発光素子
７封止部材
８ ソルダーレジスト
９、１９ 透光性部材
１３ 導電性樹脂
２３ｃ、２３ｄ 配線層
５１ 実装基板
５１ａ 絶縁性基板
５２ 実装側電極
５３ 放熱用パターン
５３ａ 切欠き部
５５ 半田

Claims (10)

  1. 発光面となる側の第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面と、少なくとも前記第２主面と隣接する実装面とを備え、絶縁性の母材と、一対の接続端子とを有する基体と、
    前記基体の第１主面に実装された発光素子と、
    前記発光素子を封止し、前記実装面において前記基体と略面一に形成された封止部材を備え、
    前記基体の第２主面において、前記一対の接続端子と、前記一対の接続端子の間に設けられた放熱端子を有し、
    前記放熱端子は、複数の幅狭部を備え、前記実装面からの前記基体の高さの半分以下で露出しており、
    前記幅狭部間において、前記母材に、前記第２主面及び前記実装面にのみ開口部を有する凹部を有している発光装置。
  2. 前記接続端子は、前記基体の前記第１主面と前記第２主面との間の端面、前記基体の前記第１主面及び前記第２主面上に設けられている請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記放熱端子は、前記第１主面の前記接続端子と、ビアを介して接続される請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 前記ビアは、複数存在する請求項３記載の発光装置。
  5. 前記第２主面において、前記接続端子及び／又は前記放熱端子の一部を被覆するソルダーレジストを有する請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記発光素子は前記発光装置の長手方向に並んで複数設けられている請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記放熱端子は、前記複数の発光素子の間の位置に設けられている請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記放熱端子は、前記実装面と隣接する部位において、幅狭部と、前記幅狭部の上方に前記幅狭部より幅広い幅広部を有している請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 前記封止部材は、遮光性であり、前記発光素子の側面を被覆している請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 前記放熱端子は、電極の役割を兼ねる請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
JP2015084046A 2014-05-21 2015-04-16 発光装置 Active JP6661890B2 (ja)

Priority Applications (24)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015084046A JP6661890B2 (ja) 2014-05-21 2015-04-16 発光装置
TW108112519A TWI783143B (zh) 2014-05-21 2015-05-08 發光裝置
TW104114798A TWI661580B (zh) 2014-05-21 2015-05-08 發光裝置
KR1020150068649A KR102110554B1 (ko) 2014-05-21 2015-05-18 발광 장치
US14/716,670 US9406852B2 (en) 2014-05-21 2015-05-19 Light emitting device
RU2015119029A RU2677627C2 (ru) 2014-05-21 2015-05-20 Светоизлучающее устройство
RU2018145015A RU2690165C2 (ru) 2014-05-21 2015-05-20 Светоизлучающее устройство
EP21166171.5A EP3863073A1 (en) 2014-05-21 2015-05-20 Light emitting device
EP15168538.5A EP2947704B1 (en) 2014-05-21 2015-05-20 Light emitting device
EP19190649.4A EP3591721B1 (en) 2014-05-21 2015-05-20 Light emitting device
EP18196044.4A EP3454385B1 (en) 2014-05-21 2015-05-20 Light emitting device
CN202010715349.9A CN111883630A (zh) 2014-05-21 2015-05-21 发光装置
CN201510262411.2A CN105098029B (zh) 2014-05-21 2015-05-21 发光装置
US15/219,627 US9680071B2 (en) 2014-05-21 2016-07-26 Light emitting device having substrate including heat dissipation terminals
US15/588,863 US9793459B2 (en) 2014-05-21 2017-05-08 Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate
US15/703,591 US9978923B2 (en) 2014-05-21 2017-09-13 Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate
US15/975,121 US10193045B2 (en) 2014-05-21 2018-05-09 Light emitting device having heat disipation terminal arranged on substrate
US16/217,365 US10333043B2 (en) 2014-05-21 2018-12-12 Light emitting device having element connection sections with convex shapes
US16/405,651 US10559735B2 (en) 2014-05-21 2019-05-07 Light emitting device having a pair of vias passing through a center of the concave component
RU2019114690A RU2763308C2 (ru) 2014-05-21 2019-05-15 Светоизлучающее устройство
US16/729,319 US10734563B2 (en) 2014-05-21 2019-12-28 Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate
JP2020022238A JP6928283B2 (ja) 2014-05-21 2020-02-13 発光装置
KR1020200054690A KR102254989B1 (ko) 2014-05-21 2020-05-07 발광 장치
US16/945,538 US10892393B2 (en) 2014-05-21 2020-07-31 Light emitting device having external connection with different width

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014105728 2014-05-21
JP2014105728 2014-05-21
JP2015084046A JP6661890B2 (ja) 2014-05-21 2015-04-16 発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020022238A Division JP6928283B2 (ja) 2014-05-21 2020-02-13 発光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016001724A JP2016001724A (ja) 2016-01-07
JP2016001724A5 JP2016001724A5 (ja) 2018-04-12
JP6661890B2 true JP6661890B2 (ja) 2020-03-11

Family

ID=53181193

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015084046A Active JP6661890B2 (ja) 2014-05-21 2015-04-16 発光装置
JP2020022238A Active JP6928283B2 (ja) 2014-05-21 2020-02-13 発光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020022238A Active JP6928283B2 (ja) 2014-05-21 2020-02-13 発光装置

Country Status (7)

Country Link
US (9) US9406852B2 (ja)
EP (4) EP2947704B1 (ja)
JP (2) JP6661890B2 (ja)
KR (2) KR102110554B1 (ja)
CN (2) CN111883630A (ja)
RU (3) RU2677627C2 (ja)
TW (2) TWI661580B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6661890B2 (ja) * 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TW201526315A (zh) * 2015-02-17 2015-07-01 Xiu-Zhang Huang 覆晶式發光二極體及其製造方法
CN113130725A (zh) * 2015-03-31 2021-07-16 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
KR102373329B1 (ko) * 2015-04-30 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP1547626S (ja) * 2015-08-19 2016-04-11
JP1554165S (ja) * 2016-01-13 2016-07-19
JP6693369B2 (ja) 2016-09-21 2020-05-13 豊田合成株式会社 光源および発光装置の実装方法
US10199552B2 (en) * 2016-09-29 2019-02-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and electronic component
JP6565895B2 (ja) * 2016-12-26 2019-08-28 日亜化学工業株式会社 半導体装置用パッケージ及び半導体装置
JP6699580B2 (ja) * 2017-02-09 2020-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6432639B2 (ja) * 2017-04-28 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110140217B (zh) * 2017-10-27 2023-03-14 瑞仪光电(苏州)有限公司 Led光源模组及其制造方法
US11686896B2 (en) 2017-10-27 2023-06-27 Radiant Opto-Electronics(Suzhou) Co., Ltd. LED light source module
JP7098930B2 (ja) * 2017-12-28 2022-07-12 住友大阪セメント株式会社 光変調器及びそれを用いた光送信装置
USD889422S1 (en) * 2018-04-13 2020-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD892068S1 (en) * 2018-04-13 2020-08-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD889421S1 (en) * 2018-04-13 2020-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD919582S1 (en) * 2018-04-13 2021-05-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD892067S1 (en) * 2018-04-13 2020-08-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN111527342A (zh) * 2018-06-26 2020-08-11 株式会社基尔特规划办公室 照明装置
JP7161100B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
USD881142S1 (en) * 2018-10-12 2020-04-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD894853S1 (en) * 2018-10-12 2020-09-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD881143S1 (en) * 2018-10-12 2020-04-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN111430528B (zh) * 2019-01-10 2021-11-05 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种发光装置及其显示装置
CN110112278A (zh) * 2019-04-25 2019-08-09 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种安装基板及其发光装置
JP7307874B2 (ja) 2019-04-26 2023-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュール
RU202751U1 (ru) * 2020-08-11 2021-03-04 Постовой Денис Александрович Диодная сборка

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3227295B2 (ja) * 1993-12-28 2001-11-12 松下電工株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3741512B2 (ja) * 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ｌｅｄチップ部品
US6093940A (en) 1997-04-14 2000-07-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2001024312A (ja) * 1999-07-13 2001-01-26 Taiyo Yuden Co Ltd 電子装置の製造方法及び電子装置並びに樹脂充填方法
JP2001345485A (ja) 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2001352105A (ja) 2000-06-08 2001-12-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光素子
JP2002237673A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Murata Mfg Co Ltd 回路基板装置
WO2004066398A1 (ja) * 2003-01-20 2004-08-05 Sharp Kabushiki Kaisha 光センサフィルタ用の透明樹脂組成物、光センサおよびその製造方法
US7000052B2 (en) * 2003-02-24 2006-02-14 Cisco Technology, Inc. System and method for configuring and deploying input/output cards in a communications environment
JP2006093565A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
TW200637033A (en) 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
CN100550445C (zh) * 2005-04-01 2009-10-14 松下电器产业株式会社 表面安装型光半导体器件及其制造方法
TW200711190A (en) * 2005-08-17 2007-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface mounted semiconductor device and method for manufacturing same
US20070187701A1 (en) * 2006-02-16 2007-08-16 Goon Wooi K Compact multi-LED light source with improved heat dissipation
WO2007099796A1 (ja) * 2006-02-22 2007-09-07 Nippon Sheet Glass Company, Limited. 発光ユニット、照明装置及び画像読取装置
CN100530721C (zh) * 2006-08-24 2009-08-19 亿光电子工业股份有限公司 适用于超薄型led封装的基板及其封装方法
TW200814362A (en) * 2006-09-13 2008-03-16 Bright Led Electronics Corp Light-emitting diode device with high heat dissipation property
WO2008052327A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Tir Technology Lp Lighting device package
US20100025722A1 (en) 2006-11-14 2010-02-04 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate
JP2008147605A (ja) * 2006-11-14 2008-06-26 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及びその製造方法並びに実装基板
JP2009117536A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Towa Corp 樹脂封止発光体及びその製造方法
JP2009188005A (ja) 2008-02-04 2009-08-20 Panasonic Corp 表面実装型半導体装置
JP2009194213A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Sanyo Electric Co Ltd 電子部品
JP5227677B2 (ja) 2008-06-23 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄの実装構造、ｌｅｄ光源及びこれを備えたバックライト装置
TWI456784B (zh) * 2008-07-29 2014-10-11 Nichia Corp 發光裝置
JP2010103294A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP5521325B2 (ja) 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2011054736A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Sharp Corp 発光装置、平面光源および液晶表示装置
CN102044535B (zh) * 2009-10-26 2012-08-08 佛山市国星光电股份有限公司 一种户外显示屏用的smd led器件及其显示模组
JP5340191B2 (ja) * 2010-02-02 2013-11-13 日東電工株式会社 光半導体装置
JP5640632B2 (ja) * 2010-03-12 2014-12-17 旭硝子株式会社 発光装置
KR20110111243A (ko) * 2010-04-02 2011-10-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 발광 소자 탑재 기판 및 이 기판을 사용한 발광 장치
JP2012028501A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Toshiba Corp 発光装置
CN102376845A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
JP2012099544A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法
JP5693194B2 (ja) * 2010-12-14 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US20120153311A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Intematix Corporation Low-cost solid-state based light emitting devices with photoluminescent wavelength conversion and their method of manufacture
US8455908B2 (en) * 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
US20120261689A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Bernd Karl Appelt Semiconductor device packages and related methods
JP5770006B2 (ja) * 2011-04-15 2015-08-26 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP2013008772A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Citizen Electronics Co Ltd 側面実装型ｌｅｄ
JP2013033909A (ja) * 2011-06-29 2013-02-14 Hitachi Cable Ltd 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ
JP5937315B2 (ja) 2011-08-11 2016-06-22 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP5933959B2 (ja) * 2011-11-18 2016-06-15 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
JP2013110199A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP5940799B2 (ja) * 2011-11-22 2016-06-29 新光電気工業株式会社 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法
CN103137825B (zh) * 2011-11-30 2016-06-01 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块
DE102012212968A1 (de) 2012-07-24 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
JP6127468B2 (ja) 2012-11-22 2017-05-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP6273124B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-31 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ照明装置
JP2015207754A (ja) 2013-12-13 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI650389B (zh) * 2014-03-18 2019-02-11 Kuraray Co., Ltd. 電子裝置
DE102014103828A1 (de) * 2014-03-20 2015-09-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen
JP6318844B2 (ja) * 2014-05-20 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6661890B2 (ja) * 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
RU2015119029A3 (ja) 2018-11-13
US10734563B2 (en) 2020-08-04
CN105098029B (zh) 2020-08-14
US20170244016A1 (en) 2017-08-24
US10333043B2 (en) 2019-06-25
TWI661580B (zh) 2019-06-01
EP2947704B1 (en) 2018-10-17
TW201929266A (zh) 2019-07-16
US10559735B2 (en) 2020-02-11
RU2690165C2 (ru) 2019-05-31
JP2016001724A (ja) 2016-01-07
EP3591721A1 (en) 2020-01-08
JP6928283B2 (ja) 2021-09-01
US9406852B2 (en) 2016-08-02
EP2947704A2 (en) 2015-11-25
US20180033936A1 (en) 2018-02-01
EP3454385A1 (en) 2019-03-13
RU2018145015A (ru) 2018-12-26
US20200365790A1 (en) 2020-11-19
RU2015119029A (ru) 2016-12-10
KR102254989B1 (ko) 2021-05-24
TW201547062A (zh) 2015-12-16
KR20200051566A (ko) 2020-05-13
US20190267530A1 (en) 2019-08-29
US9680071B2 (en) 2017-06-13
EP3863073A1 (en) 2021-08-11
CN105098029A (zh) 2015-11-25
US9978923B2 (en) 2018-05-22
RU2677627C2 (ru) 2019-01-18
KR20150134273A (ko) 2015-12-01
US20180261745A1 (en) 2018-09-13
KR102110554B1 (ko) 2020-05-14
US10892393B2 (en) 2021-01-12
US9793459B2 (en) 2017-10-17
US20150340575A1 (en) 2015-11-26
US10193045B2 (en) 2019-01-29
RU2018145015A3 (ja) 2019-03-27
EP3591721B1 (en) 2020-03-11
EP2947704A3 (en) 2016-01-20
CN111883630A (zh) 2020-11-03
RU2019114690A (ru) 2020-11-16
US20160336494A1 (en) 2016-11-17
RU2763308C2 (ru) 2021-12-28
TWI783143B (zh) 2022-11-11
US20200136002A1 (en) 2020-04-30
RU2019114690A3 (ja) 2021-10-25
JP2020074490A (ja) 2020-05-14
US20190131505A1 (en) 2019-05-02
EP3454385B1 (en) 2021-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102254989B1 (ko) 발광 장치
JP6773056B2 (ja) 発光装置
KR102360666B1 (ko) 반도체 장치의 실장 구조, 백라이트 장치 및 실장 기판
JP6318844B2 (ja) 発光装置
KR20150032926A (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
JP7148826B2 (ja) 発光装置
JP6825652B2 (ja) 半導体装置の実装構造、バックライト装置及び実装基板

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180226

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6661890

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250